專利名稱：帶有半導(dǎo)體襯底和測試結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體產(chǎn)品及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及帶有半導(dǎo)體襯底和測試結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體產(chǎn)品。此外本發(fā)明還涉及用于對帶有測試結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體產(chǎn)品執(zhí)行電氣測量的方法。
背景技術(shù)：
集成半導(dǎo)體存儲器可分為易失和非易失半導(dǎo)體存儲器。在易失半導(dǎo)體存儲器中總是必須把在存儲單元中存儲的電荷在短時間內(nèi)重新再刷新，因為否則所存儲的電荷通過泄漏電流而流失。相反在非易失半導(dǎo)體存儲器中所存儲的信息保存長的時間，通常保存多年。一類易失半導(dǎo)體存儲器是DRAM(dynamicrandom access memories，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)，它的存儲單元分別具有一個選擇晶體管和一個存儲器電容器。選擇晶體管通過一條字線和一條位線來控制。當(dāng)選擇晶體管通過位線和字線的適宜的偏壓被打開時可訪問存儲器電容器。此時寫入或者從其讀出存儲的信息。另外，總是在再刷新時間重新到期之后讀出、放大并回寫易失存儲單元的存儲內(nèi)容。
DRAM中的存儲器電容器大體可以作為溝槽電容器或者作為疊層電容器來構(gòu)造。在溝槽電容器的情況下，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)蝕刻一條深溝(deep trench)，它的溝槽壁首先用電容器電介質(zhì)來覆蓋，然后用具有導(dǎo)電能力的材料來填充溝槽內(nèi)部。這構(gòu)成內(nèi)部電容器電極。外部電容器電極由在溝周圍的摻雜的襯底區(qū)域形成。借助一個埋置的摻雜層(buried layer)電氣接觸外部電容器電極。
電容器溝的上部區(qū)域用絕緣材料來填充，用以防止應(yīng)布置在襯底表面上的選擇晶體管和溝槽電容器之間的泄漏電流。為了電氣接觸內(nèi)部電容器電極，除去內(nèi)部電容器電極上端的電容器電介質(zhì)區(qū)，在其上沉積具有導(dǎo)電能力的材料，該材料既與內(nèi)部電容器電極也與溝壁直接接觸。所沉積的具有導(dǎo)電能力的材料是一種摻雜材料，它的摻雜物質(zhì)在有目的地執(zhí)行的溫度處理期間能夠向外擴(kuò)散到周圍的襯底材料中。由此產(chǎn)生一個擴(kuò)散區(qū)，其在執(zhí)行溫度處理后伸展到所屬的選擇晶體管的源極/漏極區(qū)，并與其重疊。由此建立選擇晶體管和內(nèi)部電容器電極之間的電氣連接。
由向外擴(kuò)散的摻雜物質(zhì)形成的區(qū)域通常被稱為埋帶(buried strap)。當(dāng)今的半導(dǎo)體存儲器具有存儲單元，在這些存儲單元內(nèi)埋帶僅被布置在溝槽電容器的邊緣的朝向選擇晶體管的那一側(cè)。通過內(nèi)部電容器電極的(或者在其上沉積的、一直延伸到溝壁的摻雜材料的)摻雜物質(zhì)濃度以及通過溫度處理的持續(xù)時間和溫度可以控制埋帶的尺寸和導(dǎo)電性。
選擇晶體管大多為MOSFET(metal oxide semiconductor field effecttransistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)，其具有兩個源極/漏極區(qū)，可在這些源極/漏極區(qū)之間構(gòu)造反型溝道。在溝道區(qū)上首先布置柵極氧化物，并且在其上布置柵極層堆棧，形成字線的印制導(dǎo)線段的柵極電極在該柵極層堆棧內(nèi)延伸。選擇晶體管的源極/漏極區(qū)之一連接到位線上。選擇晶體管的另一個源極/漏極區(qū)通過埋帶與溝槽電容器的內(nèi)部電容器電極連接。
通過在半導(dǎo)體晶片上制造大量存儲器電路并接著把該半導(dǎo)體晶片分隔成存儲器芯片來制造集成半導(dǎo)體存儲器。在此，沿著分別相鄰的存儲器電路之間的間隙、亦即沿一個鋸框的線將半導(dǎo)體晶片鋸開或者以其它方式切開。半導(dǎo)體芯片上事先已經(jīng)形成的電路在把晶片分隔之后電氣接觸并被封裝。
在半導(dǎo)體晶片上制造集成半導(dǎo)體電路時允許在鋸框的部分區(qū)域內(nèi)形成附加的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、尤其是測試結(jié)構(gòu)，該測試結(jié)構(gòu)能在進(jìn)行電氣測量時提供關(guān)于真正的存儲器電路的質(zhì)量的附加信息。例如能夠在可布置在鋸框上的測試結(jié)構(gòu)中仿制存儲單元區(qū)的區(qū)域，并且將該測試結(jié)構(gòu)與外部連接端子連接，使得通過電氣測量能夠確定像例如歐姆電阻、泄漏電流等電氣參數(shù)。這樣的測量通過以下方式來執(zhí)行，即類似于在存儲器電路的電氣功能測試的情況下，將測試頭的測試針放置到晶片表面上，所述測試針接觸形成的電氣結(jié)構(gòu)?？梢匀绱瞬贾靡恍y試針，使得在放置測試頭時它們接觸布置在鋸框內(nèi)的測試結(jié)構(gòu)。因此可以執(zhí)行在集成半導(dǎo)體電路自身中不能進(jìn)行的電氣測量。
一種在易失半導(dǎo)體存儲器中令人感興趣的電氣變量是選擇晶體管和溝槽電容器之間的埋帶的歐姆電阻。在一個完成的存儲單元區(qū)內(nèi)它不能立即被測量，因為通過位線、選擇晶體管和埋帶僅能在溝槽電容器內(nèi)寫入或者讀出信息，然而測量電流不能被引導(dǎo)通過埋帶，而同時不流過選擇晶體管的溝道區(qū)。因此，從來不能單獨測量埋帶的歐姆電阻，而只能測量埋帶、選擇晶體管和位線的電阻的總和。此外，由于以下原因使歐姆電阻的測量更加困難，即僅能從一側(cè)電氣接觸埋帶，而埋帶的另一側(cè)與內(nèi)部電容器電極連接，該內(nèi)部電容器電極在所有側(cè)都被絕緣材料包圍。
即使在測量按存儲單元區(qū)所仿制的測試結(jié)構(gòu)上的其他電氣參數(shù)時，也必須不可避免地在測試結(jié)構(gòu)內(nèi)設(shè)置選擇晶體管，其中測量電流流過該選擇晶體管。由此其他結(jié)構(gòu)元件、例如電容器電極的導(dǎo)電性的測量也由于選擇晶體管的歐姆電阻而失真。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的任務(wù)在于，能夠?qū)崿F(xiàn)一種電氣測量，其測量結(jié)果提供關(guān)于集成存儲單元區(qū)的結(jié)構(gòu)元件的情況，然而不會由于集成選擇晶體管的電氣電阻而失真。特別是應(yīng)能夠?qū)β駧Щ蛘邇?nèi)部電容器電極的歐姆電阻進(jìn)行更精確的電氣測量。此外，本發(fā)明的任務(wù)在于，提供能夠進(jìn)行這樣的電氣測量的半導(dǎo)體產(chǎn)品。
該任務(wù)根據(jù)本發(fā)明通過按照權(quán)利要求1的具有半導(dǎo)體襯底和測試結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體產(chǎn)品來解決，其中測試結(jié)構(gòu)具有下述部件-至少一個第一晶體管，該第一晶體管具有被布置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的第一和第二源極/漏極區(qū)、絕緣層和柵極電極，其中柵極電極通過絕緣層與半導(dǎo)體襯底分開，-至少一個溝槽電容器，它具有布置在溝槽內(nèi)的內(nèi)部電容器電極，-布置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，它連接內(nèi)部電容器電極與第一源極/漏極區(qū)，-至少一個第一印制導(dǎo)線(Leiterbahn)，和-至少一個第一接觸端子，它連接到第一印制導(dǎo)線上，其中第一接觸端子接觸第一晶體管的第一源極/漏極區(qū)，該第一源極/漏極區(qū)通過摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)與內(nèi)部電容器電極連接。
根據(jù)本發(fā)明，提供帶有測試結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其中接觸端子利用印制導(dǎo)線接觸與晶體管的通過摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)與內(nèi)部電容器電極導(dǎo)電連接的那個源極/漏極區(qū)。傳統(tǒng)上總是這樣構(gòu)造測試結(jié)構(gòu)，使得在選擇晶體管中一個源極/漏極區(qū)與一個印制導(dǎo)線連接，而另一個源極/漏極區(qū)與內(nèi)部電容器電極連接。源極/漏極區(qū)與印制導(dǎo)線的電氣連接通常通過接觸端子來建立，該接觸端子被布置在該源極/漏極區(qū)上。另一個源極/漏極區(qū)與內(nèi)部電容器電極的電氣連接通過摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)、亦即埋帶來建立。因此埋帶和接觸端子分別接觸一個選擇晶體管的通過溝道區(qū)彼此分開的兩個源極/漏極區(qū)。因此測量電流傳統(tǒng)上僅流過選擇晶體管的溝道區(qū)，由此電氣測量由于溝道電阻而失真。
與此相反，根據(jù)本發(fā)明，通過埋帶與內(nèi)部電容器電極連接的那個源極/漏極區(qū)同時也與印制導(dǎo)線導(dǎo)電連接。這例如可以借助如以傳統(tǒng)方式制造的接觸端子來實現(xiàn)。然而，該接觸端子根據(jù)本發(fā)明被布置在與內(nèi)部電容器電極連接的源極/漏極區(qū)上，由此該第一源極/漏極區(qū)同時與印制導(dǎo)線連接。印制導(dǎo)線在測試結(jié)構(gòu)內(nèi)用于電氣控制摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，并在材料選擇方面和在其他特征方面相當(dāng)于存儲單元區(qū)的位線。
在設(shè)置在本發(fā)明的半導(dǎo)體產(chǎn)品中的測試結(jié)構(gòu)中，第一印制導(dǎo)線通過接觸端子與電容器側(cè)的源極/漏極區(qū)、亦即第一源極/漏極區(qū)導(dǎo)電連接。第一源極/漏極區(qū)通過摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)與內(nèi)部電容器電極連接。因此電流路徑不再通過晶體管的溝道區(qū)；該晶體管沒有電氣功能，而僅還用于在埋帶的周圍形成與在集成半導(dǎo)體電路的存儲單元區(qū)中類似的結(jié)構(gòu)環(huán)境。根據(jù)本發(fā)明，埋帶通過接觸端子和第一源極/漏極區(qū)直接與第一印制導(dǎo)線連接，并能夠通過它被電氣控制。由此能夠進(jìn)行埋帶的歐姆電阻的電氣測量，其測量結(jié)果不會由于選擇晶體管、特別是其反型溝道的電氣電阻而失真。由此能夠可靠地檢驗，埋帶是否在電容器側(cè)的源極/漏極區(qū)和溝槽電容器的內(nèi)部電容器電極之間建立足夠低歐姆的連接。
優(yōu)選地規(guī)定，第一接觸端子是布置在第一源極/漏極區(qū)上的接觸孔填料，這樣的接觸孔填料傳統(tǒng)上在存儲單元區(qū)的選擇晶體管中和測試結(jié)構(gòu)的相應(yīng)的晶體管中被布置在與通過埋帶和內(nèi)部電容器電極連接的那個源極/漏極區(qū)相對的源極/漏極區(qū)上。
此外優(yōu)選地規(guī)定，第一接觸端子直接短接第一印制導(dǎo)線與第一源極/漏極區(qū)。因為接觸端子具有導(dǎo)電能力并且第一源極/漏極區(qū)被強摻雜，因此在從第一印制導(dǎo)線通過接觸端子、第一源極/漏極區(qū)和摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)通向內(nèi)部電容器電極的電流路徑中，歐姆電阻主要由摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)的歐姆電阻決定并且由摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)與第一源極/漏極區(qū)空間重疊的程度決定。因此，與在附加地通過晶體管溝道的電流路徑的情況下相比，可以更直接地測量摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)的電阻。
優(yōu)選地規(guī)定，測試結(jié)構(gòu)此外具有下述部件-第二晶體管，它具有被布置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的第一和第二源極/漏極區(qū)、絕緣層和柵極電極，其中柵極電極通過絕緣層與半導(dǎo)體襯底分開，-布置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的另一個摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，它導(dǎo)電連接內(nèi)部電容器電極與第二晶體管的第一源極/漏極區(qū)，-第二印制導(dǎo)線，以及-第二接觸端子，它連接到第二印制導(dǎo)線上。
在此情況下，溝槽電容器具有兩個摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，其中一個與第一晶體管連接、而另一個與第二晶體管連接。由此打開通過兩個摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)和內(nèi)部電容器電極、然而不通過晶體管溝道的電流路徑。連接到內(nèi)部電容器電極上的第二摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)的優(yōu)點在于，電流路徑的通過該另一摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)的那部分是第二電容器連接端子，它引導(dǎo)通過第一摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)流入溝槽電容器的電流。因此內(nèi)部電容器電極不再像傳統(tǒng)上那樣位于電流路徑的末端，而是借助兩個電氣連接端子可同時接觸兩個位置。由此，電流可以被引導(dǎo)通過內(nèi)部電容器電極，并通過測量電流強度或者歐姆電阻確定摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)的導(dǎo)電性。特別是可以在較長的時間間隔上引導(dǎo)靜態(tài)電流通過摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)和內(nèi)部電容器電極。這在存儲單元區(qū)的存儲單元中不能實現(xiàn)，因為流入到存儲單元中的電流或從它流出的電流僅在溝槽電容器的再充電期間短時出現(xiàn)。
根據(jù)第一實施形式規(guī)定，第二接觸端子與第二晶體管的第一源極/漏極區(qū)接觸，該第一源極/漏極區(qū)通過另一摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)與內(nèi)部電容器電極連接。在此情況下，借助兩個摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)而存在內(nèi)部電容器電極的在電路技術(shù)上對稱的接觸。在兩個晶體管中，通過兩個擴(kuò)散區(qū)之一與內(nèi)部電容器電極導(dǎo)電連接的那個源極/漏極區(qū)分別通過一個接觸端子與相應(yīng)的印制導(dǎo)線導(dǎo)電連接。因此電流路徑從第一印制導(dǎo)線通過第一接觸端子、第一晶體管的第一源極/漏極區(qū)、該摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)、內(nèi)部電容器電極、另一摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)、第二晶體管的第一源極/漏極區(qū)并通過第二接觸端子直至延伸到第二印制導(dǎo)線。如果將不同大小的電位施加到第一和第二印制導(dǎo)線上，則能夠確定該電流路徑的電氣電阻。該電流路徑在兩個晶體管中都不通過溝道區(qū)。因此可以直接測量該摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)和另一摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)的歐姆電阻的總和。
根據(jù)第二替代實施形式規(guī)定，第二接觸端子與第二晶體管的第二源極/漏極區(qū)接觸。第二晶體管的第二源極/漏極區(qū)與第二晶體管的通過另一摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)與內(nèi)部電容器電極連接的那個源極/漏極區(qū)相對。在此情況下，電流路徑在第一和第二印制導(dǎo)線之間通過第二晶體管的晶體管溝道。由此也能夠進(jìn)行測量，其中能夠測量通常在位線接觸和內(nèi)部電容器電極之間的存儲單元內(nèi)出現(xiàn)的總的電氣電阻。該電氣測量特別可以借助靜態(tài)測量電流來執(zhí)行，該靜態(tài)測量電流通?？梢栽诒却鎯ζ麟娙萜鞯脑俪潆婏@著更長的時間間隔內(nèi)得到保持。
測試結(jié)構(gòu)的摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)可以這樣低歐姆地來構(gòu)造，使得在根據(jù)該替代實施形式的測量中基本上單獨地測量第二晶體管的晶體管溝道的電氣電阻。
因此，根據(jù)上述兩種實施形式規(guī)定，第一和第二晶體管通過摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)和另一摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)連接到同一溝槽電容器上。
在溝槽電容器的幾何形狀尺寸方面優(yōu)選地規(guī)定，第一和第二印制導(dǎo)線彼此平行延伸，第一晶體管被布置在半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)域內(nèi)，該第一區(qū)域被第一印制導(dǎo)線覆蓋，第二晶體管被布置在半導(dǎo)體襯底的第二區(qū)域內(nèi)，該第二區(qū)域被第二印制導(dǎo)線覆蓋，并且在垂直于兩個印制導(dǎo)線的走向的方向上溝槽電容器是如此寬，以致它從半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)域延伸到半導(dǎo)體襯底的第二區(qū)域。因此這里所設(shè)置的溝槽電容器的幾何形狀尺寸與傳統(tǒng)的溝槽電容器不同，傳統(tǒng)的溝槽電容器只有一個唯一的電氣連接端子、亦即通往選擇晶體管的那個電氣連接端子。在這里所述的實施形式中，溝槽電容器從在第一印制導(dǎo)線之下的第一襯底區(qū)域延伸到在第二印制導(dǎo)線之下的第二襯底區(qū)域，并因此具有大于在易失存儲單元的溝槽電容器中的寬度。
當(dāng)?shù)谝缓偷诙≈茖?dǎo)線的寬度及其相互距離相應(yīng)于所屬印制導(dǎo)線平面的結(jié)構(gòu)寬度時，只要第一和第二印制導(dǎo)線是在該印制導(dǎo)線平面內(nèi)彼此直接相鄰的印制導(dǎo)線，則溝槽電容器垂直于這些印制導(dǎo)線的走向的寬度至少是該結(jié)構(gòu)寬度的三倍。與此相應(yīng)地規(guī)定，溝槽電容器在平行于半導(dǎo)體襯底的表面并垂直于印制導(dǎo)線的走向的至少一個方向上具有大于第一印制導(dǎo)線的寬度的三倍的延伸。只要第一和第二印制導(dǎo)線是再下一個相鄰的印制導(dǎo)線，僅有唯一的另一印制導(dǎo)線在其間延伸，則溝槽電容器的寬度至少是結(jié)構(gòu)寬度的五倍。實際上，溝槽電容器附加地朝第一和第二印制導(dǎo)線的兩側(cè)突出。第一和第二印制導(dǎo)線也能夠彼此以更大的距離被布置，使得另外的多條印制導(dǎo)線在其間延伸。第一和第二印制導(dǎo)線之間的特別大的距離和溝槽電容器在垂直于印制導(dǎo)線走向的橫向方向上的與此相應(yīng)較大的寬度可以尤其在測量內(nèi)部電容器電極自身的歐姆電阻時具有優(yōu)點。然而在所有的情況下溝槽電容器只需要在唯一的橫向方向上比在常規(guī)存儲單元區(qū)內(nèi)所布置的溝槽電容器更寬，使得無需過大改變就基本上按易失半導(dǎo)體存儲器的存儲單元區(qū)來仿制測試結(jié)構(gòu)。
在上述實施形式中特別規(guī)定，溝槽電容器以其橫向主延伸方向垂直于第一和第二印制導(dǎo)線的走向定向地被布置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)。由此能夠把相應(yīng)晶體管、相應(yīng)摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)和溝槽電容器在平行于印制導(dǎo)線延伸的方向上連續(xù)地布置在襯底內(nèi)。
優(yōu)選地規(guī)定，摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)和另一摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)在溝槽電容器的同一側(cè)被布置在溝槽電容器的外邊緣上。
此外在上面的實施形式中規(guī)定，內(nèi)部電容器電極連接摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)與另一摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)。在此，在電氣測量時電流路徑總是通過摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)、內(nèi)部電容器電極和另一摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)。只要內(nèi)部電容器電極的電氣電阻是可忽略的，則沿該電流路徑的電氣電阻的測量得出一個摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)的歐姆電阻的兩倍。
此外規(guī)定，第一晶體管的第一源極/漏極區(qū)和第二晶體管的第二源極/漏極區(qū)通過摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)、內(nèi)部電容器電極和另一摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)彼此低歐姆地連接。
本發(fā)明的另一個實施形式規(guī)定，測試結(jié)構(gòu)具有第一和第二開放的表面接觸，其中第一印制導(dǎo)線連接到第一表面接觸上，而第二印制導(dǎo)線連接到第二表面接觸上。表面接觸例如可以是焊墊，其借助接觸頭的接觸針可電氣接觸。因此在把接觸頭放置在相鄰的集成半導(dǎo)體電路上以便進(jìn)行電氣功能測試期間可以測試根據(jù)本發(fā)明所設(shè)置的測試結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的一個擴(kuò)展方案規(guī)定，半導(dǎo)體產(chǎn)品此外具有至少一個集成半導(dǎo)體電路，該集成半導(dǎo)體電路具有大量存儲器電容器、選擇晶體管、字線和位線，其中測試結(jié)構(gòu)的第一和第二印制導(dǎo)線被布置在與集成存儲器電路的位線相同的印制導(dǎo)線平面內(nèi)。因此根據(jù)本發(fā)明所設(shè)置的測試結(jié)構(gòu)能夠用于檢驗被布置在相同的半導(dǎo)體襯底上的集成存儲器電路的質(zhì)量。特別是可以通過對測試結(jié)構(gòu)的電氣測量確定摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)(埋帶)的導(dǎo)電性，該摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)在集成存儲器電路內(nèi)存在，并在那里建立存儲器電容器和選擇晶體管之間的電氣連接。
根據(jù)本發(fā)明的測試結(jié)構(gòu)的構(gòu)造能夠?qū)崿F(xiàn)對埋帶的導(dǎo)電性和歐姆電阻的更精確而可更容易取得的測量。這種測量在集成存儲器電路自身的存儲單元區(qū)內(nèi)在其完成之后不再能夠?qū)崿F(xiàn)，因為僅能從一側(cè)電氣接觸存儲器電容器，并且每一個通過存儲單元的埋帶的電流路徑也同時通過相應(yīng)選擇晶體管的溝道區(qū)。此外，單個存儲單元僅能通過空間上擴(kuò)展的位線來控制，所述位線由于其大的印制導(dǎo)線長度而使電信號失真。最后，在傳統(tǒng)的存儲單元區(qū)內(nèi)不能利用測量電流進(jìn)行任何靜態(tài)測量，所述測量電流比在存儲器電容器的再充電過程中保持顯著更長的時間。
優(yōu)選地規(guī)定，測試結(jié)構(gòu)具有晶體管、另外的溝槽電容器和印制導(dǎo)線的規(guī)則布置，該規(guī)則布置是按集成存儲器電路仿制的。僅僅那個通過摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)連接到第一晶體管的源極/漏極區(qū)上并且必要時還通過另一摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)連接到第二晶體管的源極/漏極區(qū)上的溝槽電容器需要在至少橫向方向上比布置在存儲單元區(qū)內(nèi)的存儲器電容器更寬。此外，兩個晶體管的通過摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)與內(nèi)部電容器電極低歐姆地連接的源極/漏極區(qū)通過接觸端子與第一和第二印制導(dǎo)線連接，而不和與該源極/漏極區(qū)相對的那個源極/漏極區(qū)連接。然而此外根據(jù)本發(fā)明所設(shè)置的測試結(jié)構(gòu)的內(nèi)部構(gòu)造基本上與存儲單元區(qū)的內(nèi)部構(gòu)造相同，因此能夠?qū)υ谝粋€存儲單元區(qū)內(nèi)存在的、不能直接進(jìn)行電氣檢驗的結(jié)構(gòu)元件、例如埋帶的電氣特性做出說服力強的結(jié)論。優(yōu)選地規(guī)定，測試結(jié)構(gòu)被布置在半導(dǎo)體襯底的鋸框內(nèi)，該鋸框分別單獨地包圍大量集成存儲器電路。特別是本發(fā)明的半導(dǎo)體產(chǎn)品還能夠具有大量這里說明的結(jié)構(gòu)類型的測試結(jié)構(gòu)。例如除半導(dǎo)體襯底的每一集成半導(dǎo)體電路外可以分別布置一個測試結(jié)構(gòu)，以便還指出在晶片表面上的不均勻的設(shè)計偏差。
優(yōu)選地，第一和第二印制導(dǎo)線是位線。它們特別是這樣的線，這些線被布置在和集成存儲器電路的存儲單元區(qū)的位線相同的印制導(dǎo)線平面內(nèi)。特別是第一和第二印制導(dǎo)線被布置在第一印制導(dǎo)線平面內(nèi)在字線的延伸之上。
在連接到第一晶體管上的溝槽電容器和測試結(jié)構(gòu)的其他溝槽電容器的寬度之比方面，優(yōu)選地規(guī)定，連接到第一晶體管上的溝槽電容器在至少平行于半導(dǎo)體襯底的表面的橫向方向上具有至少是其他溝槽電容器在該方向上的延伸的兩倍的延伸。
本發(fā)明的一個擴(kuò)展方案規(guī)定，測試結(jié)構(gòu)此外具有下述部件-帶第一源極/漏極區(qū)的第三晶體管，-布置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的第三摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，它連接內(nèi)部電容器電極與第三晶體管的第一源極/漏極區(qū)，-第三印制導(dǎo)線，和-第三接觸端子，它連接到第三印制導(dǎo)線上，并接觸第三晶體管的第一源極/漏極區(qū)。
通過連接到內(nèi)部電容器電極上的三個電氣連接端子，可以執(zhí)行電氣多點測量。特別是可以同時測量從一個公共的連接端子出發(fā)分叉的兩個電流路徑。兩個電流路徑的公共的部分特別是可以被布置在兩個摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)的中間，并且包括第三摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)。
本發(fā)明的另一個擴(kuò)展方案規(guī)定，測試結(jié)構(gòu)此外還具有下述部件-帶第一源極/漏極區(qū)的第四晶體管，-布置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的第四摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，它連接內(nèi)部電容器電極與第四晶體管的第一源極/漏極區(qū)，-第四印制導(dǎo)線，和-第四接觸端子，它連接到第四印制導(dǎo)線上，并接觸第四晶體管的第一源極/漏極區(qū)。
連接到內(nèi)部電容器電極上的四個電氣連接端子特別是能夠?qū)崿F(xiàn)內(nèi)部電容器電極的歐姆電阻的測量，所述內(nèi)部電容器電極在垂直于第一和第二印制導(dǎo)線的走向的方向上具有特別大的橫向延伸。在溝槽電容器的兩個相對端上可以分別布置所述摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)中的兩個。由此可以同時測量兩個電流路徑，這兩個電路路徑在垂直于印制導(dǎo)線走向的方向上分別通過溝槽電容器的溝槽長度的大部分。通過溝槽電容器的大的延伸，使內(nèi)部電容器電極的電阻的精確測量變得容易。
此外，本發(fā)明所基于的任務(wù)通過一種用于對半導(dǎo)體產(chǎn)品的測試結(jié)構(gòu)執(zhí)行電氣測量的方法來解決，其中該方法具有下述步驟順序a)提供按照上述實施形式之一的具有測試結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，和b)把第一印制導(dǎo)線連接到第一電位連接端子上，并把第二印制導(dǎo)線連接到第二電位連接端子上，通過以下方式對第一和第二電位連接端子施加偏壓，即具有預(yù)定電流強度的電流從第一電位連接端子通過測試結(jié)構(gòu)流向第二電位連接端子。
優(yōu)選地規(guī)定，在步驟a)中提供如上所述具有三個摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)和三個印制導(dǎo)線的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其中第二印制導(dǎo)線被布置在第一印制導(dǎo)線和第三印制導(dǎo)線之間，并且其中第一和第二印制導(dǎo)線之間的距離與第二和第三印制導(dǎo)線之間的距離完全一樣大，此外在步驟b)中分別將電壓表的一個連接端子連接到第二和第三印制導(dǎo)線上，并且測量第二和第三印制導(dǎo)線之間的電壓降。
一個電流路徑在第一和第二印制導(dǎo)線之間延伸，而另一個電流路徑在第三和第二印制導(dǎo)線之間延伸。兩個電流路徑彼此鏡像對稱地延伸并具有相同的歐姆電阻。通過一個電流路徑預(yù)先給定電流強度，而在另一電流路徑上測量產(chǎn)生的電壓。它們的商產(chǎn)生沿電流路徑之一的歐姆電阻。
優(yōu)選地規(guī)定，在步驟a)中提供帶四個摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)和四個印制導(dǎo)線的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其中第三和第四印制導(dǎo)線被布置在第一和第二印制導(dǎo)線之間，其中第三印制導(dǎo)線離第一印制導(dǎo)線的距離和第四印制導(dǎo)線離第二印制導(dǎo)線的距離完全一樣大，此外在步驟b)中分別將電壓表的一個連接端子連接到第三和第四印制導(dǎo)線上，并且測量第三和第四印制導(dǎo)線之間的電壓降。
第一和第三印制導(dǎo)線可以被布置在溝槽電容器的第一側(cè)端，第二和第四印制導(dǎo)線可以被布置在溝槽電容器的相對的第二端。在此情況下，在兩個相應(yīng)的印制導(dǎo)線彼此的距離相同時同樣產(chǎn)生鏡像對稱結(jié)構(gòu)，其中一個電流路徑從第一印制導(dǎo)線延伸到第二印制導(dǎo)線，而另一電流路徑從第三印制導(dǎo)線延伸到第四印制導(dǎo)線。在每一印制導(dǎo)線下布置有相應(yīng)的摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)。兩個電流路徑沿溝槽電容器的主延伸方向延伸，該主延伸方向垂直于印制導(dǎo)線的印制導(dǎo)線走向。利用這種布置，特別是能夠?qū)崿F(xiàn)電氣四點測量。


下面參考

本發(fā)明。
圖1表示一個集成存儲器電路的存儲單元區(qū)的示意俯視圖，圖2表示圖1中的存儲器電路的存儲單元的橫截面圖，圖3表示按照圖2的存儲單元的示意俯視圖，圖4表示按照本發(fā)明所設(shè)置的測試結(jié)構(gòu)的橫截面圖，圖5表示按照本發(fā)明的一個擴(kuò)展方案的測試結(jié)構(gòu)的示意俯視圖，圖6表示圖5的測試結(jié)構(gòu)沿切割線BB的示意橫截面圖，圖7表示圖5和6的測試結(jié)構(gòu)的另一個示意俯視圖，圖8表示如在圖6中所示的另一測試結(jié)構(gòu)的另一實施形式，
圖9表示圖8中的測試結(jié)構(gòu)的示意俯視圖，圖10表示帶測試結(jié)構(gòu)并且?guī)Ъ纱鎯ζ麟娐返陌雽?dǎo)體產(chǎn)品的俯視圖，圖11表示圖10中的半導(dǎo)體產(chǎn)品的測試結(jié)構(gòu)的詳細(xì)視圖，圖12表示根據(jù)本發(fā)明的測試結(jié)構(gòu)的另一個實施形式的示意俯視圖，圖13表示根據(jù)本發(fā)明所設(shè)置的測試結(jié)構(gòu)的俯視圖和用于層電阻測量的電氣接觸的示意圖，圖14表示另一個根據(jù)本發(fā)明所設(shè)置的測試結(jié)構(gòu)的俯視圖和電氣接觸的示意圖。
具體實施例方式
圖1表示半導(dǎo)體產(chǎn)品1的一個集成存儲器電路9，該集成存儲器電路具有存儲單元區(qū)8。該存儲單元區(qū)8包括大量易失存儲單元，它們分別具有選擇晶體管10a和存儲器電容器7。選擇晶體管連接到位線16a和字線14a上。選擇晶體管和溝槽電容器之間的電氣連接通過摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)、即所謂的埋帶來建立。
圖2表示圖1中的存儲單元區(qū)8的一個易失存儲單元的示意橫截面。該存儲單元包括布置在半導(dǎo)體襯底2內(nèi)的存儲器電容器7，該存儲器電容器具有布置在電容器溝槽的溝槽壁上的電容器電介質(zhì)32和內(nèi)部電容器電極31，該內(nèi)部電容器電極填充電容器電介質(zhì)32內(nèi)的溝槽的內(nèi)部并且至少逐區(qū)域地、即在圖2中在左上端直至直接達(dá)到溝槽壁。摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15鄰接溝槽壁位于半導(dǎo)體襯底2內(nèi)，該摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15在制造半導(dǎo)體產(chǎn)品時在溫度處理期間通過在內(nèi)部電容器電極31的材料中所包含的摻雜物質(zhì)的向外擴(kuò)散而形成。在內(nèi)部電容器電極的上面，溝槽通過絕緣材料33與襯底表面絕緣。此外，溝槽電容器30具有未示出的外部電容器電極，通過埋在半導(dǎo)體襯底2內(nèi)的摻雜層(buried layer，埋層)可電氣接觸該外部電容器電極。
存儲單元的選擇晶體管10a具有第一源極/漏極區(qū)11、第二源極/漏極區(qū)12、絕緣層13(即柵極氧化物)和柵極電極，該柵極電極是字線14a的印制導(dǎo)線段。第一源極/漏極區(qū)11在空間上與摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15重疊，該摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15建立選擇晶體管到內(nèi)部電容器電極31的電氣連接。另一個、第二源極/漏極區(qū)12通過接觸端子17連接到位線16a上。
圖3以俯視圖、更確切地說在圖2中的切割線AA的高度上表示在圖2中示出的存儲單元。該切割線在圖2的左半部被布置在柵極層堆棧的高度上，而在圖2的右半部被布置在摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15的高度上。在圖3中，在位線16a下面可看到帶內(nèi)部電容器電極31的溝槽電容器30，其中僅在溝槽電容器30的右半部上示出絕緣材料33，它使溝槽電容器與襯底表面絕緣。在圖3中的左面，在位線16a下面可看到帶柵極電極14和兩個源極/漏極區(qū)11、12的選擇晶體管10a。源極/漏極區(qū)用點劃線圈出。為清楚起見，用陰影線畫出接觸端子17，并表示出重疊在相鄰的字線上。摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15在溝槽電容器30的左側(cè)延伸，它低歐姆地連接電容器側(cè)的源極/漏極區(qū)11與內(nèi)部電容器電極31。
接觸端子17連接到相對的第二源極/漏極區(qū)12上。在存儲單元的這一傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)中不能單獨測量摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15的歐姆電阻，因為通過摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15的電流路徑同時也通過晶體管溝道。此外，僅能短時地、亦即在溝槽電容器30的再充電過程期間引導(dǎo)電流通過摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15。
圖4表示本發(fā)明半導(dǎo)體產(chǎn)品的測試結(jié)構(gòu)的示意橫截面圖。該測試結(jié)構(gòu)在圖4的橫截面圖中與易失存儲單元的橫截面圖的不同在于，在測試結(jié)構(gòu)中根據(jù)本發(fā)明接觸端子17被布置在通過摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15與溝槽電容器30的內(nèi)部電容器電極31導(dǎo)電連接的那個源極/漏極區(qū)11上。由此，該源極/漏極區(qū)11同時連接到第一印制導(dǎo)線16上，該印制導(dǎo)線在半導(dǎo)體襯底2的表面之外延伸。相反，不接觸第二源極/漏極區(qū)12。在圖4中所布置的本發(fā)明半導(dǎo)體產(chǎn)品1的測試結(jié)構(gòu)5因此具有溝槽電容器30和第一晶體管10，它們彼此并聯(lián)(代替串聯(lián))地連接到第一接觸端子17。第一晶體管10和溝槽電容器30的這種布置雖然表面上與按照圖2的存儲單元在很大程度上相同，但是不適合作為存儲單元，而是測試結(jié)構(gòu)的組成部分，其中該測試結(jié)構(gòu)在本發(fā)明半導(dǎo)體產(chǎn)品1內(nèi)被布置在圖1中的存儲單元區(qū)8之外。該測試結(jié)構(gòu)特別是被布置在半導(dǎo)體襯底2的鋸框內(nèi)，并且盡可能地按集成存儲器電路9的存儲單元區(qū)8來仿制。在按照圖4的測試結(jié)構(gòu)中，一個電流路徑從第一印制導(dǎo)線16通過第一接觸端子17、通過第一晶體管10的第一源極/漏極區(qū)11和摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15直接通向溝槽電容器30的內(nèi)部電容器電極31。在該電流路徑中，可以進(jìn)行摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15的歐姆電阻的電氣測量，該測量不會因晶體管10的反型溝道的歐姆電阻而失真。
圖5表示本發(fā)明測試結(jié)構(gòu)的一個擴(kuò)展方案。這在圖5中用俯視圖示出；該橫截面圖同時相應(yīng)于圖4的示圖，其中然而在圖5的擴(kuò)展的實施形式中設(shè)置有兩個印制導(dǎo)線和兩個晶體管以及展寬的溝槽電容器30。圖5的俯視圖是沿圖4的切割線AA示出的。該切割線在圖4的右半部中在摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15和內(nèi)部電容器電極31的高度上延伸。在圖4的左半部中切割線AA在柵極電極14的高度上延伸。
在圖5中示出一個溝槽電容器30，它在垂直于第一印制導(dǎo)線16和第二印制導(dǎo)線26的走向的方向y上具有比在常規(guī)存儲單元中所布置的溝槽電容器大得多的尺寸。本發(fā)明測試結(jié)構(gòu)的溝槽電容器30從半導(dǎo)體襯底2的被第一印制導(dǎo)線16覆蓋的區(qū)域16a延伸到半導(dǎo)體襯底2的被第二印制導(dǎo)線26覆蓋的第二區(qū)域26a。相反，該溝槽電容器30在印制導(dǎo)線16、26的延伸方向x上具有和存儲單元的存儲器電容器相同的尺寸。圖5中所示出的溝槽電容器在右側(cè)并且在兩個印制導(dǎo)線16、26之間的區(qū)域內(nèi)被絕緣材料33覆蓋。在未被覆蓋的區(qū)域內(nèi)可看到內(nèi)部電容器電極31和電容器電介質(zhì)32。此外，在半導(dǎo)體襯底2的第一區(qū)域16a內(nèi)構(gòu)造有摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15，它導(dǎo)電或者至少低歐姆地連接內(nèi)部電容器電極31與第一晶體管10的第一源極/漏極區(qū)11。此外，在半導(dǎo)體襯底2的第二區(qū)域46內(nèi)示出另一個摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)25，它連接內(nèi)部電容器電極31與第二晶體管20的源極/漏極區(qū)21。此外，在圖5中還表示出第一晶體管10的第二源極/漏極區(qū)12、第一晶體管10的柵極電極14、第二晶體管20的第二源極/漏極區(qū)22和它的柵極電極24。在沿印制導(dǎo)線16、26延伸的方向x上源極/漏極區(qū)11、12、21、22的延伸通過點劃線來表示。此外，第一晶體管10的第一源極/漏極區(qū)11通過第一接觸端子17連接到第一印制導(dǎo)線16上，而第二晶體管20的第一源極/漏極區(qū)21通過第二接觸端子27連接到第二印制導(dǎo)線26上。通過在電容器側(cè)的第一源極/漏極區(qū)11、21上所布置的接觸端子17、27打開一條電流路徑，它在第一印制導(dǎo)線16和第二印制導(dǎo)線26之間延伸，而不通過晶體管的反型溝道。由此能夠?qū)诫s物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15、25的歐姆電阻進(jìn)行電氣測量，該測量不會由于溝道電阻而失真。
圖6表示圖5中的測試結(jié)構(gòu)沿切割線BB的橫截面圖。該切割線在圖5中具有兩個換向點，在這些換向點處切割線BB的方向改變90度。在圖6的橫截面圖中，換向點相應(yīng)于點劃線C。圖6的橫截面圖的左三分之一沿第一印制導(dǎo)線16的走向延伸，該橫截面圖的右三分之一沿第二印制導(dǎo)線26的走向延伸。與此相反，圖6的橫截面圖在兩條線C之間的布置在左右三分之一之間的中間區(qū)域在垂直于印制導(dǎo)線16、26的走向的方向y(圖5)上延伸。在該區(qū)域中可以明顯看到在y方向上展寬的溝槽電容器30。它的深度延伸出于空間原因被中斷地示出。它的深度類似于在存儲單元內(nèi)所包含的存儲器電容器的深度，并且具有通常為50或者更大的縱橫尺寸比。在圖6的中間，在溝槽電容器30和絕緣材料33上面以橫截面的形式示出另一個印制導(dǎo)線36，該另一個印制導(dǎo)線36在圖5中也在第一印制導(dǎo)線16和第二印制導(dǎo)線26之間延伸。圖6的橫截面圖的左三分之一和右三分之一表示測試結(jié)構(gòu)沿第一印制導(dǎo)線16和第二印制導(dǎo)線26彼此成鏡像的橫截面。該鏡像示圖由圖5中切割線BB的各水平段的方向折回而產(chǎn)生。
在圖6中，還可比圖5更清楚地看到由根據(jù)本發(fā)明所設(shè)置的測試結(jié)構(gòu)打開的第一印制導(dǎo)線16和第二印制導(dǎo)線26之間的電流路徑。該電流路徑從第一印制導(dǎo)線16通過第一接觸端子17、第一晶體管10的第一源極/漏極區(qū)11、摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15、內(nèi)部電容器電極31、另一摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)25、第二晶體管20的第一源極/漏極區(qū)21并通過第二接觸端子27延伸到第二印制導(dǎo)線26。在該電流路徑中不包含任何反型溝道；兩個晶體管10、20在電路技術(shù)方面不起作用，因為不電氣連接相應(yīng)的第二源極/漏極區(qū)12、22。如果將第一電位V1施加到第一印制導(dǎo)線16上、并且將與第一電位V1不同的第二電位V2施加到第二印制導(dǎo)線26上，則電流沿該電流路徑流動，該電流可用于測量兩個摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15、25的電阻。事實上，雖然測量兩個擴(kuò)散區(qū)15、25和在它們之間所布置的內(nèi)部電容器電極31的歐姆電阻的總和。然而只要足夠強地?fù)诫s內(nèi)部電容器電極31，則所測量的歐姆電阻近似地對應(yīng)于兩個摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15、25之一的兩倍的歐姆電阻。另一方面，只要摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)被構(gòu)造為具有非常低的歐姆、并且內(nèi)部電容器電極31在方向y上延伸越過數(shù)目大很多的另外的印制導(dǎo)線36，則所測量的電流路徑的電阻在很大程度上相應(yīng)于內(nèi)部電容器電極的層電阻，這可以被用于測量內(nèi)部電容器電極31的層電阻。
圖7表示按照圖5的測試結(jié)構(gòu)的擴(kuò)展方案的另一個俯視圖，其中在圖7中附加地示出溝槽電容器30的周圍環(huán)境。在圖7中垂直于兩個印制導(dǎo)線16、26的走向定向的主延伸方向y水平地延伸。第一印制導(dǎo)線16和第二印制導(dǎo)線26以及另外的印制導(dǎo)線36在圖7中垂直地延伸?？梢钥吹?，在圖7的實施例中溝槽電容器30沿其主延伸方向y具有尺寸a，該尺寸包括5個彼此相鄰的印制導(dǎo)線36的寬度。此外，在圖7中表示出形成(圖7中未示出的)第一和第二晶體管的柵極電極的字線14a、和另外的字線14b。此外表示出另外的接觸端子37，這些接觸端子在方向x上在兩側(cè)覆蓋分別相鄰的字線，如也在圖6的橫截面圖中所表示的那樣。第一接觸端子17和第二接觸端子27在圖7的俯視圖中與溝槽電容器30相交，因為它們分別連接到電容器側(cè)的源極/漏極區(qū)，所述源極/漏極區(qū)通過兩個摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)與內(nèi)部電容器電極31連接。如在圖7中可以看出，測試結(jié)構(gòu)5在很大程度上是按存儲單元區(qū)8、例如圖1中的集成存儲器電路9的存儲單元區(qū)8仿制的。因此，圖7表示具有大量另外的溝槽電容器40、另外的印制導(dǎo)線36、另外的字線14b和另外的接觸端子37的布置45。由于布置45與如圖1中那樣的存儲單元區(qū)8的相似性，可以將在測試結(jié)構(gòu)5上進(jìn)行的電氣測量的結(jié)論在很大程度上轉(zhuǎn)移到集成存儲器電路9(圖1)的存儲單元區(qū)8上。因此在該測試結(jié)構(gòu)中可成功執(zhí)行在存儲單元區(qū)8自身中不能進(jìn)行的測量。
圖8表示根據(jù)本發(fā)明半導(dǎo)體產(chǎn)品的另一實施形式的測試結(jié)構(gòu)的橫截面圖。圖8的橫截面圖的表示方式相應(yīng)于圖6的表示方式；該橫截面圖在圖8中也根據(jù)如圖5中那樣的切割線BB分布。然而相對于圖5改變了第二接觸端子27的位置。代替位于第一源極/漏極區(qū)21上，該第二接觸端子27位于第二源極/漏極區(qū)22上。因此在第一印制導(dǎo)線16和第二印制導(dǎo)線26之間打開一個電流路徑，該電流路徑雖然從第一接觸端子17通過第一晶體管10的第一源極/漏極區(qū)11直接通過摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15，然而在另一摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)25和第二晶體管20側(cè)附加地通過第二晶體管20的第二源極/漏極區(qū)22和第二晶體管20的溝道區(qū)。
圖8的測試結(jié)構(gòu)例如被規(guī)定用于測量存儲單元的歐姆電阻，而不會使測量結(jié)果因另外串聯(lián)的第一晶體管10的反型溝道而失真。直接連接到摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15以及第一接觸端子17上的第一源極/漏極區(qū)11能夠測量由溝槽電容器30和第二晶體管20構(gòu)成的存儲單元的歐姆電阻，更確切地說還借助靜態(tài)測量電流，該靜態(tài)測量電流能夠比此外在易失存儲單元的存儲器電容器的再充電時的電流維持顯著更長的時間。
圖9表示按照權(quán)利要求8的測試結(jié)構(gòu)的俯視圖，其中類似于在圖7中，再次表示出溝槽電容器30的周圍環(huán)境，即特別是另外的印制導(dǎo)線36、另外的字線14b和另外的接觸端子37。如在圖9中可以看出，第一和第二印制導(dǎo)線16、26彼此直接相鄰。因此，切割線BB在方向y上、即垂直于印制導(dǎo)線16、26分布的區(qū)域內(nèi)不通過另外的印制導(dǎo)線。橫截面圖的在圖8中在左邊所示出的沿第一印制導(dǎo)線16走向的區(qū)域相應(yīng)于圖9的切割線BB的右邊的垂直段。橫截面圖的在圖8中在右邊沿第二印制導(dǎo)線26分布的區(qū)域相應(yīng)于圖9中的切割線BB的左邊的垂直段?？梢钥吹剑趫D9中，與第一接觸端子17相比，第二接觸端子27和在圖8中一樣以距溝槽電容器30更大的距離被布置。在圖9中，為清楚起見，未表示出另外的溝槽電容器，不過它們與在圖7中類似地被構(gòu)造，并且特別是在垂直于印制導(dǎo)線16、26、36的走向的方向y上和在圖7中一樣寬。
圖10表示一個半導(dǎo)體產(chǎn)品的俯視圖，該半導(dǎo)體產(chǎn)品具有帶大量測試結(jié)構(gòu)5和大量集成存儲器電路9的半導(dǎo)體晶片2。存儲器電路9分別具有存儲單元區(qū)8，該存儲單元區(qū)8可如在圖1中那樣被構(gòu)造。每一存儲單元區(qū)8特別是包括大量分別帶選擇晶體管和存儲器電容器的易失存儲單元。存儲器電容器作為與測試結(jié)構(gòu)5的溝槽電容器一樣的溝槽電容器被構(gòu)造，該測試結(jié)構(gòu)5是按存儲單元區(qū)8仿制的。
圖11表示圖10中的測試結(jié)構(gòu)5的一個放大的部分。在該部分內(nèi)表示出第一印制導(dǎo)線16和第二印制導(dǎo)線26的末端，其中可借助接觸頭的測試針對這些末端施加偏壓?？梢詫⒃摻佑|頭以隔一個的方式暫時放置在半導(dǎo)體晶片2上，以便測試集成存儲器電路9。并且在此為了同時對測試結(jié)構(gòu)5進(jìn)行電氣測量，在第一印制導(dǎo)線16和第二印制導(dǎo)線26的末端上設(shè)置有第一表面接觸18和第二表面接觸19。第一印制導(dǎo)線16連接到第一表面接觸18上，其中可通過第一測試針以第一電位V1對第一表面接觸18施加偏壓。第二印制導(dǎo)線26連接到第二表面接觸19上，該第二表面接觸19可通過第二測試針連接到另外的第二電位V2上。由此，電流流經(jīng)兩個印制導(dǎo)線和在它們之間打開的電流路徑，該電流在已知電流強度和已知電位差的情況下能夠?qū)崿F(xiàn)歐姆電阻的計算。根據(jù)該電氣測量可以確定摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15、25和內(nèi)部電容器電極31的歐姆電阻。在圖11中為清楚起見僅表示出垂直于印制導(dǎo)線16、26的走向非常伸長的溝槽電容器30。電流路徑的其余區(qū)域雖然未表示出，但是如在前面的圖中所表示的那樣來構(gòu)造。
圖12表示根據(jù)本發(fā)明的帶測試結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體產(chǎn)品的一個擴(kuò)展方案的示意俯視圖。示出一個測試結(jié)構(gòu)的部分區(qū)域的俯視圖，其中示出溝槽電容器30，它在垂直于第一印制導(dǎo)線16和第二印制導(dǎo)線26的走向的方向y上還具有更大的尺寸，并且它通過另外的摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)連接到另外的晶體管的源極/漏極區(qū)上。圖12的俯視圖相應(yīng)于圖5所表示的細(xì)節(jié)。然而圖12的測試結(jié)構(gòu)5另外具有第三摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)65，它導(dǎo)電連接內(nèi)部電容器電極31與第三晶體管60的第一源極/漏極區(qū)61。第三晶體管60的第一源極/漏極區(qū)61同時通過第三接觸端子67與第三印制導(dǎo)線66短接。借助三個摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15、25和65以及三個印制導(dǎo)線16、26和66，可以執(zhí)行電氣測量，在該測量中可讀出電流強度和所量取的電壓，從中可確定沿通過兩個摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)和內(nèi)部電容器電極的電流路徑的歐姆電阻。這樣一種電氣測量將根據(jù)圖13來說明。在圖12中所表示的測試結(jié)構(gòu)5此外具有第四摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)75，它導(dǎo)電連接內(nèi)部電容器電極31與第四晶體管70的第一源極/漏極區(qū)71。第四晶體管70的第一源極/漏極區(qū)71此外通過第四接觸端子77與第四印制導(dǎo)線76短接。四個仿制的印制導(dǎo)線分別不中間連接反型溝道，而是通過相應(yīng)的摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)直接與內(nèi)部電容器電極31連接，借助這四個印制導(dǎo)線可以實現(xiàn)下面根據(jù)圖14所說明的電氣測量。
圖13說明用于對測試結(jié)構(gòu)5進(jìn)行電氣測量的本發(fā)明方法，測試結(jié)構(gòu)5的溝槽電容器30通過摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)17、27和67并且通過分別在圖12中所表示的第一源極/漏極區(qū)和接觸端子與印制導(dǎo)線16、26和66連接。沿在圖13中用點劃表示的線，已知電流強度的電流I從第一印制導(dǎo)線16穿過溝槽電容器30被引導(dǎo)向第二印制導(dǎo)線26。第二印制導(dǎo)線26正好被布置在第一印制導(dǎo)線16和第三印制導(dǎo)線66的中間。通過將電壓表的連接端子V-附加地連接到第二印制導(dǎo)線26上并且將該電壓表的另一個連接端子V+連接到第三印制導(dǎo)線66上的四點測量，可以沿用實線表示出的電流路徑測量電位差。因為第一和第二印制導(dǎo)線之間的電流路徑與第二和第三印制導(dǎo)線之間的電流路徑鏡像對稱地延伸，并因此兩個電流路徑的歐姆電阻大小相等，所以根據(jù)所測量的第二和第三印制導(dǎo)線之間的電位差和沿第一和第二印制導(dǎo)線之間的電流路徑流動的電流的已知電流強度的商可以確定歐姆電阻。因為內(nèi)部電容器電極31大多很強地被摻雜，并因此是良好的導(dǎo)電體，因此各電流路徑的歐姆電阻大體相應(yīng)于摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15、25之一的兩倍的歐姆電阻。
圖14表示一種替代的測量方法，使用該方法可以測量內(nèi)部電容器電極31的層電阻。為此設(shè)置具有溝槽電容器30的測試結(jié)構(gòu)5，該溝槽電容器30在垂直于印制導(dǎo)線走向的方向y上延伸經(jīng)過許多相鄰的印制導(dǎo)線。圖14中的溝槽電容器30通過在圖12中所表示的摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)15、25、65、75、第一源極/漏極區(qū)11、21、61、71和接觸端子17、27、67和77在四個位置上電氣連接到印制導(dǎo)線16、26、66和76上。在圖14中，印制導(dǎo)線的編號順序相對于圖5被調(diào)換；其間流過預(yù)定電流強度的電流I的第一和第二印制導(dǎo)線16、26位于溝槽電容器30的最外面的相對端。在它們之間以彼此更小的距離布置第三印制導(dǎo)線66和第四印制導(dǎo)線76，其中存在印制導(dǎo)線關(guān)于溝槽電容器30的中心鏡像對稱的布置。多個另外的印制導(dǎo)線位于第三和第四印制導(dǎo)線之間，使得在內(nèi)部電容器電極31內(nèi)長的路段可跨接在第三印制導(dǎo)線66和第四印制導(dǎo)線76之間。由此在量取可借助電壓表來測量的電壓降時能夠確定內(nèi)部電容器電極31的層電阻。為此分別將電壓表的連接端子V+、V-連接到第三印制導(dǎo)線66和第四印制導(dǎo)線76上，然后當(dāng)在第一印制導(dǎo)線16和第二印制導(dǎo)線26之間流過電路I時，借助電壓表測量電壓。
借助本發(fā)明，通過在半導(dǎo)體晶片的鋸框內(nèi)構(gòu)造上述結(jié)構(gòu)類型的結(jié)構(gòu)，尤其可以對DRAM的存儲單元區(qū)進(jìn)行電氣檢查。代替上面所述的配備有“single sidedburied straps(單側(cè)埋帶)”的測試結(jié)構(gòu)，同樣可以設(shè)置具有“double sided buriedstraps(雙側(cè)埋帶)”的測試結(jié)構(gòu)。在此，可用以電氣連接內(nèi)部電容器電極31的摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)被設(shè)置在溝槽電容器的邊緣的彼此相對側(cè)，如大體在所謂的MINT單元(merged isolation and node trench(合并絕緣和節(jié)點溝))的情況下那樣。
根據(jù)本發(fā)明，通常在源極/漏極區(qū)和位線之間建立電氣連接的這種接觸被布置在通過埋帶與內(nèi)部電容器電極連接的那些源極/漏極區(qū)上。由此避免由于電流路徑傳統(tǒng)上通過的晶體管溝道而引起的高的串聯(lián)電阻。由此可以更精確地測量埋帶的歐姆電阻，其通常約為15k歐姆。
附圖標(biāo)記列表1 半導(dǎo)體產(chǎn)品2 半導(dǎo)體襯底5 測試結(jié)構(gòu)7 存儲器電容器8 存儲單元區(qū)9 集成存儲器電路10 第一晶體管10a選擇晶體管11、21、61、71 第一源極/漏極區(qū)12、22 第二源極/漏極區(qū)13、23 絕緣層14、24 柵極電極14a字線14b另一字線15 摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)16 第一印制導(dǎo)線16a半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)域17 第一接觸端子18 第一表面接觸19 第二表面接觸20 第二晶體管25 另一摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)26 第二印制導(dǎo)線26a半導(dǎo)體襯底的第二區(qū)域27 第二接觸端子30 溝槽電容器31 內(nèi)部電容器電極32 電容器電介質(zhì)33 絕緣材料
34 外邊緣36 另外的印制導(dǎo)線37 另外的接觸端子40 另外的溝槽電容器45 布置60 第三晶體管65 第三摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)66 第三印制導(dǎo)線67 第三接觸端子70 第四晶體管75 第四摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)76 第四印制導(dǎo)線77 第四接觸端子a 尺寸AA；BB 切割線I 電流V1 第一電位連接端子V2 第二電位連接端子V+，V- 電壓表的連接端子x、y、z 方向
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體產(chǎn)品(1)，具有半導(dǎo)體襯底(2)和測試結(jié)構(gòu)(5)，該測試結(jié)構(gòu)(5)具有下述部件-至少一個第一晶體管(10)，該第一晶體管具有被布置在半導(dǎo)體襯底(2)內(nèi)的第一源極/漏極區(qū)(11)和第二源極/漏極區(qū)(12)、絕緣層(13)和柵極電極(14)，其中所述柵極電極(14)通過絕緣層(13)與半導(dǎo)體襯底(2)分開，-至少一個溝槽電容器(30)，該溝槽電容器具有被布置在溝槽內(nèi)的內(nèi)部電容器電極(31)，-布置在半導(dǎo)體襯底(2)內(nèi)的摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)(15)，該摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)連接內(nèi)部電容器電極(31)與第一源極/漏極區(qū)(11)，-至少一個第一印制導(dǎo)線(16)，以及-至少一個第一接觸端子(17)，該第一接觸端子連接到第一印制導(dǎo)線(16)上，其中第一接觸端子(17)接觸第一晶體管(10)的第一源極/漏極區(qū)(11)，該第一源極/漏極區(qū)(11)通過所述摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)(15)與內(nèi)部電容器電極(31)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其特征在于，所述第一接觸端子(17)是接觸孔填料，該接觸孔填料被布置在第一源極/漏極區(qū)(11)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其特征在于，所述第一接觸端子(17)將第一印制導(dǎo)線(16)直接與第一源極/漏極區(qū)(11)短接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3之一的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其特征在于，所述測試結(jié)構(gòu)(5)此外還具有下述部件-第二晶體管(20)，該第二晶體管具有被布置在半導(dǎo)體襯底(2)內(nèi)的第一源極/漏極區(qū)(21)和第二源極/漏極區(qū)(22)、絕緣層(23)和柵極電極(24)，其中所述柵極電極(24)通過絕緣層(23)與半導(dǎo)體襯底(2)分開，-布置在半導(dǎo)體襯底(2)內(nèi)的另一個摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)(25)，該另一個摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)連接內(nèi)部電容器電極(31)與第二晶體管(2)的第一源極/漏極區(qū)(21)，-第二印制導(dǎo)線(26)，以及-第二接觸端子(27)，該第二接觸端子連接到第二印制導(dǎo)線(26)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其特征在于，所述第二接觸端子(27)接觸第二晶體管(20)的第一源極/漏極區(qū)(21)，該第一源極/漏極區(qū)(21)通過所述另一個摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)(25)與內(nèi)部電容器電極(31)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其特征在于，所述第二接觸端子(27)接觸第二晶體管(20)的第二源極/漏極區(qū)(22)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4到6之一的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其特征在于，第一晶體管(10)和第二晶體管(20)通過所述摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)(15)和所述另一個摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)(25)連接到同一個溝槽電容器(30)上。
8.根據(jù)權(quán)利要求4到7之一的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其特征在于，第一印制導(dǎo)線(16)和第二印制導(dǎo)線(26)彼此平行地延伸；第一晶體管(10)被布置在半導(dǎo)體襯底(2)的被第一印制導(dǎo)線(16)覆蓋的第一區(qū)域(16a)內(nèi)，而第二晶體管(20)被布置在半導(dǎo)體襯底(2)的被第二印制導(dǎo)線(26)覆蓋的第二區(qū)域(26a)內(nèi)；并且在垂直于兩個印制導(dǎo)線(16，26)的走向的方向(y)上溝槽電容器(30)是如此寬，以致它從半導(dǎo)體襯底(2)的第一區(qū)域(16a)延伸到半導(dǎo)體襯底(2)的第二區(qū)域(26a)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其特征在于，所述溝槽電容器(30)在平行于半導(dǎo)體襯底(2)的表面并且垂直于兩個印制導(dǎo)線(16，26)的走向的方向(y)上具有大于第一印制導(dǎo)線(16)的寬度的三倍的延伸(a)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1到9之一的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其特征在于，所述溝槽電容器(30)以其橫向主延伸方向垂直于兩個印制導(dǎo)線(16，26)的走向而定向地被布置在半導(dǎo)體襯底(2)內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求4到10之一的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其特征在于，所述摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)(15)和所述另一個摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)(25)在所述溝槽電容器(30)的同一側(cè)被布置在所述溝槽電容器(30)的外邊緣(34)上。
12.根據(jù)權(quán)利要求4到11之一的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其特征在于，所述內(nèi)部電容器電極(31)連接所述摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)(15)與所述另一個摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)(25)。
13.根據(jù)權(quán)利要求4到12之一的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其特征在于，第一晶體管(10)的第一源極/漏極區(qū)(11)與第二晶體管(20)的第一源極/漏極區(qū)(21)通過所述摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)(15)、內(nèi)部電容器電極(31)和所述另一個摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)(25)彼此低歐姆地連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求4到13之一的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其特征在于，所述測試結(jié)構(gòu)(5)具有開放的第一表面接觸(18)和第二表面接觸(19)，其中第一印制導(dǎo)線(16)連接到第一表面接觸(18)上，而第二印制導(dǎo)線(26)連接到第二表面接觸(19)上。
15.根據(jù)權(quán)利要求4到14之一的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其特征在于，所述半導(dǎo)體產(chǎn)品(1)此外還具有至少一個集成存儲器電路(9)，該集成存儲器電路具有大量的存儲器電容器(7)、選擇晶體管(10a)、字線(14a)和位線(16a)，其中所述測試結(jié)構(gòu)(5)的第一印制導(dǎo)線(16)和第二印制導(dǎo)線(26)被布置在與所述集成存儲器電路(9)的位線(16a)相同的印制導(dǎo)線平面內(nèi)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其特征在于，所述測試結(jié)構(gòu)(5)具有晶體管、另外的溝槽電容器(40)和印制導(dǎo)線(36)的規(guī)則布置(45)，該規(guī)則布置是按所述集成存儲器電路(9)仿制的。
17.根據(jù)權(quán)利要求1到16之一的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其特征在于，所述測試結(jié)構(gòu)(5)被布置在半導(dǎo)體襯底(2)的鋸框(35)內(nèi)，該鋸框(35)分別單獨地包圍大量集成存儲器電路(9)。
18.根據(jù)權(quán)利要求4到17之一的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其特征在于，所述第一印制導(dǎo)線(16)和第二印制導(dǎo)線(26)是位線。
19.根據(jù)權(quán)利要求16到18之一的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其特征在于，所述測試結(jié)構(gòu)(5)的溝槽電容器(30)在至少一個平行于半導(dǎo)體襯底(2)的表面的橫向方向(y)上具有至少是另外的溝槽電容器(40)在該方向(y)上的延伸的兩倍的延伸(a)。
20.根據(jù)權(quán)利要求1到19之一的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其特征在于，所述測試結(jié)構(gòu)(5)此外還具有下述部件-帶第一源極/漏極區(qū)(61)的第三晶體管(60)，-布置在半導(dǎo)體襯底(2)內(nèi)的第三摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)(65)，該第三摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)連接內(nèi)部電容器電極(31)與第三晶體管(60)的第一源極/漏極區(qū)(61)，-第三印制導(dǎo)線(66)，以及-第三接觸端子(67)，該第三接觸端子連接到第三印制導(dǎo)線(66)上，并接觸第三晶體管(60)的第一源極/漏極區(qū)(61)。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其特征在于，所述測試結(jié)構(gòu)(5)此外還具有下述部件-帶第一源極/漏極區(qū)(71)的第四晶體管(70)，-布置在半導(dǎo)體襯底(2)內(nèi)的第四摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)(75)，該第四摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)連接內(nèi)部電容器電極(31)與第四晶體管(70)的第一源極/漏極區(qū)(71)，-第四印制導(dǎo)線(76)，以及-第四接觸端子(77)，該第四接觸端子連接到第四印制導(dǎo)線(76)上，并接觸第四晶體管(70)的第一源極/漏極區(qū)(71)。
22.用于對半導(dǎo)體產(chǎn)品的測試結(jié)構(gòu)進(jìn)行電氣測量的方法，其中該方法具有下述步驟順序a)提供根據(jù)權(quán)利要求1到21之一的具有測試結(jié)構(gòu)(5)的半導(dǎo)體產(chǎn)品(1)，以及b)將第一印制導(dǎo)線(16)連接到第一電位連接端子(V1)上，而將第二印制導(dǎo)線(26)連接到第二電位連接端子(V2)上，并且用以下方式對第一電位連接端子(V1)和第二電位連接端子(V2)施加偏壓，即具有預(yù)定電流強度的電流(I)從第一電位連接端子(V1)通過測試結(jié)構(gòu)(5)流向第二電位連接端子(V2)。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其特征在于，在步驟a)中提供根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其中第二印制導(dǎo)線(26)被布置在第一印制導(dǎo)線(16)和第三印制導(dǎo)線(66)之間，并且其中第一和第二印制導(dǎo)線之間的距離與第二和第三印制導(dǎo)線之間的距離完全一樣大，此外在步驟b)中分別將電壓表的連接端子(V+，V-)連接到第二印制導(dǎo)線(26)和第三印制導(dǎo)線(66)上，并測量第二印制導(dǎo)線(26)和第三印制導(dǎo)線(66)之間的電壓降。
24.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其特征在于，在步驟a)中提供根據(jù)權(quán)利要求22的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其中第三印制導(dǎo)線(66)和第四印制導(dǎo)線(76)被布置在第一印制導(dǎo)線(16)和第二印制導(dǎo)線(26)之間，其中第三印制導(dǎo)線(66)離第一印制導(dǎo)線(16)的距離與第四印制導(dǎo)線(76)離第二印制導(dǎo)線(26)的距離完全一樣大，此外在步驟b)中分別將電壓表的連接端子(V+，V-)連接到第三印制導(dǎo)線(66)和第四印制導(dǎo)線(76)上，并測量第三印制導(dǎo)線(66)和第四印制導(dǎo)線(76)之間的電壓降。
全文摘要
本發(fā)明涉及帶測試結(jié)構(gòu)(5)的半導(dǎo)體產(chǎn)品(1)，其中接觸端子(17)短接晶體管(10)的通過摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)(15)與溝槽電容器(30)的內(nèi)部電容器電極(31)連接的那個源極/漏極區(qū)(11)和印制導(dǎo)線(16)。于是可以通過電氣測量確定摻雜物質(zhì)擴(kuò)散區(qū)(15)、即所謂的“埋帶”的歐姆電阻，而不會由于晶體管溝道的歐姆電阻使測量結(jié)果失真。根據(jù)具有電容器電極(31)的多個電氣連接端子的本發(fā)明擴(kuò)展方案，還可以引導(dǎo)靜態(tài)電流通過埋帶和電容器電極(31)。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)對半導(dǎo)體晶片的測試結(jié)構(gòu)進(jìn)行在存儲單元區(qū)自身的存儲單元上不能執(zhí)行的電氣電阻測量。
文檔編號H01L23/544GK1819199SQ200610059988
公開日2006年8月16日 申請日期2006年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月21日
發(fā)明者A·費爾伯, S·拉亨曼, V·羅斯科普夫, S·蘇克曼-普勒霍菲 申請人:因芬尼昂技術(shù)股份公司