專利名稱：圖像傳感器中采用化學(xué)機(jī)械拋光的自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及圖像傳感器，更具體地講，本發(fā)明涉及一種采用自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物(salicide)工藝進(jìn)行處理的圖像傳感器。
背景技術(shù)：
圖像傳感器已經(jīng)變得無處不在，它們被廣泛地用于數(shù)字照相機(jī)、便攜式電話、保密照相機(jī)、醫(yī)療器械、汽車和其它應(yīng)用場(chǎng)合。制造圖像傳感器的技術(shù)、特別是CMOS(互補(bǔ)型金屬氧化半導(dǎo)體)圖像傳感器持續(xù)地快速發(fā)展。例如，高分辨率和低能耗的要求促進(jìn)了圖像傳感器的進(jìn)一步的小型化及集成。
隨著進(jìn)一步的集成，圖像傳感器的一個(gè)重要性能是快速?gòu)南袼仃嚵兄凶x取信號(hào)的能力。包含五百萬以上獨(dú)立像素的像素陣列并不罕見。許多圖像傳感器采用自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝來改善外圍晶體管的速度，并提供低阻抗的布線與局部互連。
然而，現(xiàn)有技術(shù)已經(jīng)知道應(yīng)當(dāng)對(duì)光電二極管傳感器區(qū)域進(jìn)行保護(hù)，以避免受到自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物處理的損害。如果光電二極管經(jīng)受了自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物處理(一般地為鈷或鈦?zhàn)詫?duì)準(zhǔn)金屬硅化物)，那么圖像傳感器的性能將會(huì)降低。具體地講，鈷或鈦?zhàn)詫?duì)準(zhǔn)金屬硅化物(CoSi2或TiSi2)是不透光的，而且將會(huì)阻擋來自下面的光電二極管的光線而降低靈敏度。進(jìn)一步地，自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物還會(huì)增大暗電流。由于這些原因，在光電二極管上方，而且通常在整個(gè)成像陣列上方，設(shè)置了保護(hù)涂層(一般地為氧化物或氮化物或氧化物-氮化物復(fù)合膜)，以便在自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物處理過程中保護(hù)檢測(cè)區(qū)。
然而，由于晶體管門電路沒有被完全自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物處理，會(huì)出現(xiàn)顯著的收益損失(yield loss)，這種收益損失將導(dǎo)致那些門電路的RC時(shí)間常數(shù)的增加，從而將使圖像傳感器幾乎無法使用。這樣，在設(shè)計(jì)電路中，電壓驅(qū)動(dòng)脈沖的門電路響應(yīng)時(shí)間變慢，不能在正確的時(shí)間間隔內(nèi)進(jìn)行響應(yīng)。對(duì)于長(zhǎng)和/或?qū)挼木w管門電路，以及對(duì)于沒有在整個(gè)晶圓上進(jìn)行均勻地自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物處理的晶體管門電路，這種問題尤其嚴(yán)重。
圖1-圖7顯示了用于圖像傳感器的金屬自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物處理的現(xiàn)有技術(shù)方法。參照?qǐng)D1，圖像傳感器的剖視圖顯示了陣列區(qū)域101與外圍區(qū)域103。陣列區(qū)域101包括像素陣列以及各種互連資源。外圍區(qū)域103包括邏輯電路、時(shí)序電路、控制電路、信號(hào)處理、以及用于控制和讀取來自陣列區(qū)域101的信號(hào)的元件。需要指出的是，圖1是四晶體管像素的剖視圖，但也可以采用其它的像素設(shè)計(jì)。
現(xiàn)有技術(shù)的自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物處理一般是在隔板(spacer)蝕刻和植入步驟完成之后進(jìn)行的。由于植入步驟需要高溫來激活摻雜物，而這種高溫將會(huì)破壞自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物。而且，沒有適當(dāng)設(shè)置的隔板，將會(huì)在源區(qū)和設(shè)有晶體管門電路的漏區(qū)之間出現(xiàn)短路。因此，自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物處理一般是在像素形成以后進(jìn)行的。
如圖1所示，按照現(xiàn)有技術(shù)，絕緣層115沉積在陣列區(qū)域101和外圍區(qū)域103的上方。接著，如圖2所示，在絕緣層115上方形成有機(jī)膜201(例如光刻膠或底部防反射涂層)。因?yàn)閳D像傳感器的表面不平坦(由下面的各種晶體管或互連結(jié)構(gòu)引起)，因而沉積的膜201不是均勻的。
低層區(qū)域如光電二極管和源極/漏極區(qū)域被厚的有機(jī)膜覆蓋。在門電路區(qū)域和多晶硅互連結(jié)構(gòu)113上，有機(jī)膜201的厚度取決于那些多晶硅元件的形貌(feature)尺寸。在較大的形貌處，有機(jī)膜201可以達(dá)到其全部厚度，大約與光電二極管區(qū)域上的厚度相同。然而，在較小的形貌處，如像素的傳輸門電路與復(fù)位門電路，有機(jī)膜201是比較薄的。
參照?qǐng)D3，按照現(xiàn)有技術(shù)的處理方法，采用深蝕刻(etchback)步驟除去部分有機(jī)膜201。但是，保留了多晶硅互連區(qū)域113上的那部分有機(jī)膜201。如果為了除去多晶硅互連結(jié)構(gòu)113上的有機(jī)膜201而增加蝕刻時(shí)間，那么光電二極管上的有機(jī)膜201也會(huì)被除去。
這里的附圖與描述僅僅是此類問題的一個(gè)示例。寬的多晶硅互連結(jié)構(gòu)113可以是長(zhǎng)互連結(jié)構(gòu)的一部分，其將傳輸門電路連接到外圍驅(qū)動(dòng)電路。它還可以是用于復(fù)位門電路或者行選擇門電路的長(zhǎng)、寬互連結(jié)構(gòu)。在所有這些情形中，存在的問題是目前的制造工藝沒有加工余量(process margin)來保證從多晶硅互連113上完全除去有機(jī)膜201時(shí)、在光電二極管上仍保留有有機(jī)膜201。
圖4-圖7進(jìn)一步顯示了現(xiàn)有技術(shù)的局限性。具體地，在圖4中，暴露的絕緣層115被除去。例如，絕緣層115可以是二氧化硅。除去處理可以采用濕蝕刻(HF蝕刻劑)處理或者干蝕刻處理，例如，干蝕刻可以是采用含氟氣體的等離子體處理。
圖4顯示了有機(jī)膜201保留在原處但是晶體管門電路上的氧化物被除去。除去氧化層115是為了保護(hù)光電二極管區(qū)域而使多晶硅門電路暴露。如圖4所示，因?yàn)橛袡C(jī)層201保留在多晶硅互連結(jié)構(gòu)113上方，多晶硅互連結(jié)構(gòu)113上方的氧化層115被保留。
有機(jī)層201被除去之后，如圖5所示，形成光刻膠層501的圖案，使得外圍區(qū)域103中的絕緣層115被除去。在光刻膠層501被剝?nèi)ヒ院?，沉積金屬，如鈦、鈷、或鎳。然后，將圖像傳感器暴露于熱源，在金屬與硅接觸的地方形成了如圖6所示的金屬自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物。未反應(yīng)的金屬可以采用選擇性的濕蝕刻劑除去，例如APM(氫氧化氨與過氧化氫混合物)。選擇性除去未反應(yīng)金屬的結(jié)果如圖7所示。在這一點(diǎn)上，現(xiàn)有技術(shù)的問題是非常明顯的。陣列中寬的多晶硅互連結(jié)構(gòu)113的上方?jīng)]有形成自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能夠在長(zhǎng)和/或?qū)挾嗑Ч杌ミB結(jié)構(gòu)上形成自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物的方法。
一方面，本發(fā)明提供了一種在硅基體中像素陣列上形成硅化物的方法，該像素陣列設(shè)有至少一個(gè)凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)，該方法包括在像素陣列上方形成絕緣層；在絕緣層上方形成有機(jī)層；對(duì)有機(jī)層上進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，直到露出凸起多晶硅結(jié)構(gòu)的上表面；在絕緣層與凸起多晶硅結(jié)構(gòu)的暴露上表面的上方形成金屬層；以及通過使金屬層退火而形成金屬硅化物，該金屬硅化物形成在金屬層與凸起多晶硅結(jié)構(gòu)的暴露上表面相接觸的地方。
進(jìn)一步包括除去未反應(yīng)形成金屬硅化物的金屬層的步驟。
上述本發(fā)明方法中，絕緣層可以為氧化層；金屬層可以為鈷、鎳、鈦、鉬、鉭、鎢或者為這些金屬的合金；有機(jī)層可以為光刻膠；凸起多晶硅結(jié)構(gòu)可以為多晶硅互連結(jié)構(gòu)；其中，像素可以包括設(shè)有門電路的復(fù)位晶體管與傳輸晶體管，其門電路可由多晶硅形成，而且采用有機(jī)層作掩模從門電路頂部除去絕緣層。
上述本發(fā)明方法中，在一到達(dá)凸起多晶硅結(jié)構(gòu)頂部的絕緣層時(shí)就停止化學(xué)機(jī)械拋光處理，而且可進(jìn)一步包括采用有機(jī)層作掩模除去凸起多晶硅結(jié)構(gòu)頂部的絕緣層的步驟。當(dāng)然，還可進(jìn)一步包括在化學(xué)機(jī)械拋光以后除去有機(jī)層的剩余部分的步驟。
本發(fā)明的另一種技術(shù)方案是一種在圖像傳感器的制造過程中形成硅化物的方法，該圖像傳感器形成在硅基體中且包括像素陣列區(qū)域與外圍區(qū)域，同時(shí)該圖像傳感器設(shè)有至少一個(gè)凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)，該方法包括在像素陣列區(qū)域與外圍區(qū)域上方形成絕緣層；在絕緣層上方形成有機(jī)層；在有機(jī)層上進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光直到露出凸起多晶硅結(jié)構(gòu)的上表面；除去有機(jī)層的剩余部分；除去外圍區(qū)域上方的絕緣層部分；在絕緣層、凸起多晶硅結(jié)構(gòu)的暴露的上表面以及外圍區(qū)域的上方形成金屬層；以及通過使金屬層退火而形成金屬硅化物，該金屬硅化物形成在金屬層與凸起多晶硅結(jié)構(gòu)的暴露上表面相接觸的地方，以及形成在金屬層與外圍區(qū)域中的暴露的硅或多晶硅表面相接觸的地方。
本發(fā)明的又一種技術(shù)方案是一種在半導(dǎo)體基體上形成金屬硅化物的方法，該半導(dǎo)體基體設(shè)有至少一個(gè)凸起的多晶硅部分，該方法包括在半導(dǎo)體基體與凸起多晶硅部分上方形成絕緣層；在絕緣層上方形成有機(jī)層；進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光從凸起多晶硅部分上除去有機(jī)層；在凸起多晶硅部分的上表面上方沉積金屬層；以及在金屬層與凸起多晶硅部分的上表面相接觸的地方退火形成金屬硅化物。
本發(fā)明的有益效果是采用化學(xué)機(jī)械拋光處理等方法保證了有機(jī)膜能保留在光電二極管上，卻可完全從多晶硅互連結(jié)構(gòu)上除去，從而也能夠在長(zhǎng)和/或?qū)挾嗑Ч杌ミB結(jié)構(gòu)上形成自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物，避免了明顯的收益損失。


圖1-圖7顯示了在CMOS圖像傳感器中形成自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)方法的剖視圖。
圖8-圖11顯示了在CMOS圖像傳感器中形成自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物結(jié)構(gòu)的本發(fā)明方法的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
在下面的描述中，提供了許多特定細(xì)節(jié)，以便對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
進(jìn)行透徹的理解。但所屬領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員可以認(rèn)識(shí)到，在沒有這些具體細(xì)節(jié)中的一個(gè)或多個(gè)的情況下仍能實(shí)施本發(fā)明，或者采用其它方法、元件、材料、操作等的情況下仍能實(shí)施本發(fā)明。另外，為了清楚地描述本發(fā)明的各種實(shí)施方案，因而對(duì)眾所周知的結(jié)構(gòu)和操作沒有示出或進(jìn)行詳細(xì)地描述。
在本發(fā)明的說明書中，提及“一實(shí)施方案”或“某一實(shí)施方案”時(shí)是指該實(shí)施方案所述的特定特征、結(jié)構(gòu)或者特性至少包含在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中。因而，在說明書各處所出現(xiàn)的“在一實(shí)施方案中”或“在某一實(shí)施方案中”并不一定指的是全部屬于同一個(gè)實(shí)施方案；而且，特定的特征、結(jié)構(gòu)或者特性可能以合適的方式結(jié)合到一個(gè)或多個(gè)的具體實(shí)施方案中。
本發(fā)明方法的開始步驟與現(xiàn)有技術(shù)的圖1與圖2相似。換句話說，絕緣層115和有機(jī)層201沉積在圖像傳感器上。
參照?qǐng)D8，其顯示了代表性的CMOS圖像傳感器的剖視圖。與上述圖1中現(xiàn)有技術(shù)相似，圖像傳感器包括像素陣列區(qū)域101及外圍區(qū)域103。盡管圖8(以及后面的附圖)顯示的是四晶體管(4T)像素設(shè)計(jì)的剖視圖，但是本發(fā)明的啟示與構(gòu)造可以同樣應(yīng)用于采用了3T、5T、6T、7T或任何其它像素設(shè)計(jì)的CMOS圖像傳感器中。例如，本發(fā)明可以應(yīng)用于包括以下元件的像素復(fù)位晶體管、行選擇晶體管、球形快門晶體管(global shutter transistor)、高動(dòng)態(tài)范圍晶體管、連接到側(cè)向溢漏(lateral overflow drain)的晶體管(側(cè)向溢出晶體管)或控制漂浮擴(kuò)散的晶體管(漂浮擴(kuò)散開關(guān)晶體管)。
需要指出的是，本發(fā)明的啟示可以用于任何形成硅化物結(jié)構(gòu)的集成電路。將本發(fā)明應(yīng)用于CMOS圖像傳感器只是提供了如何使用本發(fā)明的一個(gè)例子。下面可以看到，本發(fā)明可做如下概括(1)在設(shè)有各種凸起的硅和/或多晶硅部件的基體上方形成絕緣層；(2)在絕緣層上形成有機(jī)層；(3)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(chemical mechanical polish)以便將有機(jī)層從凸起部件上除去；(4)在凸起部件的上表面沉積金屬層；(5)進(jìn)行退火處理以形成金屬硅化物，其中，金屬層與硅和/或多晶硅的上表面相接觸；以及(6)除去未反應(yīng)的金屬層。
再參照將本發(fā)明具體應(yīng)用于CMOS圖像傳感器的描述，在圖8所示的4T設(shè)計(jì)中，像素陣列區(qū)域101(顯示了一個(gè)像素)包括感光元件(photosensor)104、復(fù)位晶體管108、傳輸晶體管109、漂浮節(jié)點(diǎn)105、連接到Vdd供給電壓(未示出)的n+擴(kuò)散106、多晶硅互連結(jié)構(gòu)113以及淺溝槽隔離(STI)區(qū)域111。感光元件104可以是光電二極管、光電門或光電導(dǎo)體。
需要指出的是，圖8僅顯示了4T像素的一部分，而且為了清楚的目的，沒有顯示其它的元件(例如放大晶體管)。像素的其它元件和操作與本發(fā)明不是特別密切相關(guān)，而且屬于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所熟知的技術(shù)。
類似地，在外圍區(qū)域103中，只以剖視形式顯示了一個(gè)晶體管。這個(gè)晶體管是作為形成在外圍區(qū)域中的各種類型電路與器件的示例。因此，該晶體管只是存在于外圍區(qū)域103中器件類型的代表。
如圖8所示，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)處理，以除去有機(jī)層201的某些部分(見圖2所示)。CMP處理可以除去晶體管門電路與多晶硅互連結(jié)構(gòu)113上的有機(jī)膜。CMP的優(yōu)勢(shì)在于其不管結(jié)構(gòu)的大小如何，例如晶體管門電路與多晶硅互連結(jié)構(gòu)113，均能夠予以全部平整。在圖8中所示的實(shí)施方案中，控制CMP處理，使其一到達(dá)絕緣層115就停止處理。在一實(shí)施方案中，絕緣層115可以是氧化物，例如自旋玻璃(spin-on-glass)、氧氮化物或復(fù)合疊層。
接著，如圖9所示，以有機(jī)層201作為保護(hù)層，除去部分絕緣層115。多晶硅結(jié)構(gòu)上方的暴露的絕緣層115可以用濕蝕刻劑除去，例如采用HF(氟化氫)?？蛇x擇的方案是，在等離子處理中采用氟氣體進(jìn)行干蝕刻。
在如圖10所示的可選擇的實(shí)施方案中，可以如此設(shè)計(jì)CMP處理，使其停止在晶體管門電路與多晶硅互連結(jié)構(gòu)113的多晶硅上。換句話說，CMP處理也可以用來除去晶體管門電路與多晶硅互連結(jié)構(gòu)113頂部的絕緣層115。在該實(shí)施方案中，不需要蝕刻步驟，因?yàn)榻^緣層115已經(jīng)被CMP處理除去了。在另一實(shí)施方案中，一旦絕緣層從多晶硅的上表面被除去，保留的有機(jī)層201就可以被除去。
參照?qǐng)D11，接著進(jìn)行處理，如濺散，以便在圖像傳感器上沉積金屬層。盡管金屬層可以是任何一種用于半導(dǎo)體處理的金屬，如鎳、鎢、鈦或鉬，但在一實(shí)施方案中，金屬層由鎢形成。需要指出的是，由于絕緣層115已被除去，金屬可以直接地接觸多晶硅層。
進(jìn)一步地，在本發(fā)明一實(shí)施方案中，絕緣層115被從外圍區(qū)域103除去。這樣可允許在外圍晶體管的源極/漏極區(qū)域上形成硅化物。
仍參照?qǐng)D11，進(jìn)行熱退火處理，以便使金屬與暴露的硅以及暴露的多晶硅門電路相互作用。這使得在金屬與硅或多晶硅接觸的那些區(qū)域上形成自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物1101。
接著除去金屬，但在圖11中未顯示出來。例如，這個(gè)步驟可以采用適當(dāng)?shù)臐裎g刻技術(shù)來完成。這種濕蝕刻的一個(gè)示例可以是H2O2(過氧化氫)中的NH4OH(氫氧化銨)。
通過上面的描述和附圖可以看出，本發(fā)明揭示了一種與傳統(tǒng)的CMOS圖像傳感器處理流程一致的自排列硅化物(self-alignedsilicide)工藝。如前所述，可以采用多種類型的金屬，甚至金屬合金。例如，可以采用鈦/鎢、鈦/鉬、鈷/鎢或者鈷/鉬。
上述內(nèi)容應(yīng)理解為這里所介紹的本發(fā)明的具體實(shí)施例只是為了描述本發(fā)明，但是在不偏離本發(fā)明宗旨與范圍的情況下可以做出各種變換方式。例如，盡管本發(fā)明是以自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物進(jìn)行描述的，但是發(fā)明可以適用于硅化物結(jié)構(gòu)，而且此處這兩個(gè)術(shù)語(yǔ)是可以互換的。進(jìn)一步地，盡管本發(fā)明是結(jié)合于CMOS圖像傳感器進(jìn)行說明的，但是本發(fā)明可以用于其它類型的固態(tài)傳感器，例如CCD。因此，除權(quán)利要求以外，本發(fā)明的保護(hù)范圍不受任何限制。
權(quán)利要求
1.一種在硅基體中的像素陣列上形成硅化物的方法，所述像素陣列具有至少一個(gè)凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)，該方法包括在所述的像素陣列上方形成絕緣層；在所述的絕緣層上方形成有機(jī)層；對(duì)所述的有機(jī)層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光處理，直到暴露出所述凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)的上表面；在所述的絕緣層與所述凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)的暴露上表面的上方形成金屬層；以及通過使所述金屬層退火而形成金屬硅化物，所述的金屬硅化物形成在所述的金屬層與所述凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)的暴露上表面相接觸的地方。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括除去未反應(yīng)形成所述金屬硅化物的所述金屬層的步驟。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述的絕緣層為氧化層。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述的金屬層為鈷、鎳、鈦、鉬、鉭、鎢或者其合金。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述的化學(xué)機(jī)械拋光處理在一到達(dá)所述凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)頂部的絕緣層時(shí)就停止，而且進(jìn)一步包括采用有機(jī)層作掩模除去所述凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)頂部絕緣層的步驟。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述的有機(jī)層為光刻膠。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)為多晶硅互連結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述的像素包括設(shè)有由多晶硅形成的門電路的復(fù)位晶體管與傳輸晶體管，而且采用所述有機(jī)層作掩模從所述門電路頂部除去所述絕緣層。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述化學(xué)機(jī)械拋光后除去所述有機(jī)層剩余部分的步驟。
10.一種在圖像傳感器制造過程中形成硅化物的方法，該圖像傳感器形成在硅基體中，所述的圖像傳感器包括像素陣列區(qū)域與外圍區(qū)域，所述的圖像傳感器具有至少一個(gè)凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)，該方法包括在所述的像素陣列區(qū)域與所述的外圍區(qū)域上方形成絕緣層；在所述的絕緣層上方形成有機(jī)層；對(duì)所述的有機(jī)層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光處理，直到暴露出所述凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)的上表面；除去所述有機(jī)層的剩余部分；除去所述外圍區(qū)域上方的所述絕緣層部分；在所述的絕緣層、所述凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)的暴露上表面和所述外圍區(qū)域的上方形成金屬層；以及通過使所述金屬層退火而形成金屬硅化物，所述的金屬硅化物形成在所述金屬層與所述凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)的暴露上表面相接觸的地方，以及形成在所述金屬層與所述外圍區(qū)域中暴露的硅或多晶硅表面相接觸的地方。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其進(jìn)一步包括除去未反應(yīng)形成所述金屬硅化物的所述金屬層的步驟。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述的絕緣層為氧化層。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述金屬層為鈷、鎳、鈦、鉬、鉭、鎢或其合金。
14.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述的化學(xué)機(jī)械拋光處理在一到達(dá)所述凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)頂部的絕緣層時(shí)就停止，而且進(jìn)一步包括采用所述有機(jī)層作掩模除去所述凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)頂部絕緣層的步驟。
15.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述的有機(jī)層為光刻膠。
16.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)為多晶硅互連結(jié)構(gòu)。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述的像素包括設(shè)有由多晶硅形成的門電路的復(fù)位晶體管與傳輸晶體管，而且采用所述有機(jī)層作掩模從所述門電路頂部除去所述絕緣層。
18.一種在半導(dǎo)體基體上形成金屬硅化物的方法，該半導(dǎo)體基體設(shè)有至少一個(gè)凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)，該方法包括在所述的半導(dǎo)體基體與所述凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)上方形成絕緣層；在所述的絕緣層上方形成有機(jī)層；進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，從所述凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)上除去所述的有機(jī)層；在所述凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)的上表面上沉積金屬層；以及進(jìn)行退火處理，在所述金屬層與所述凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)的上表面相接觸的地方形成金屬硅化物。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其進(jìn)一步包括除去未反應(yīng)形成所述金屬硅化物的所述金屬層的步驟。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述的化學(xué)機(jī)械拋光處理在一到達(dá)所述凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)頂部的絕緣層時(shí)就停止，而且進(jìn)一步包括采用所述有機(jī)層作掩模除去所述凸起的多晶硅結(jié)構(gòu)頂部絕緣層的步驟。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種在CMOS圖像傳感器上形成硅化物的自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝方法，該方法可與傳統(tǒng)的CMOS圖像傳感器處理工藝相統(tǒng)一。其中，絕緣層沉積在圖像傳感器的像素陣列上方；有機(jī)層沉積在該絕緣層上方；進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，除去凸起多晶硅結(jié)構(gòu)上方的有機(jī)層；采用有機(jī)層作掩模，除去部分的絕緣層；沉積金屬層；使金屬層退火而形成金屬硅化物。
文檔編號(hào)H01L21/3205GK1832136SQ20061000913
公開日2006年9月13日 申請(qǐng)日期2006年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月14日
發(fā)明者霍華德·E·羅德斯 申請(qǐng)人:豪威科技有限公司