專利名稱：可去除基板上靜電的方法及其機(jī)臺(tái)以及基座的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種機(jī)臺(tái)，特別是關(guān)于一種曝光機(jī)臺(tái)。
背景技術(shù)：
圖1a顯示傳統(tǒng)曝光機(jī)臺(tái)1，其包括腔體2、基座6以及X光產(chǎn)生器4?；?以及X光產(chǎn)生器4均設(shè)于腔體2之中。玻璃基板3放置于基座6之上。當(dāng)欲消除玻璃基板3表面上的靜電時(shí)，X光產(chǎn)生器4會(huì)朝玻璃基板3射出X光5，以運(yùn)用X光5消除靜電。然而，利用X光照射的方式僅能去除玻璃基板3上表面的靜電。玻璃基板3下表面的靜電在經(jīng)過上述步驟之后仍會(huì)繼續(xù)存在，并與基座6表面產(chǎn)生靜電吸附。因此，如圖1b所示，當(dāng)基座6中的支撐結(jié)構(gòu)(支撐柱)7上升而抵頂玻璃基板3時(shí)，玻璃基板3下表面的靜電力會(huì)造成玻璃基板3受力不均的情況，并使玻璃基板3容易發(fā)生彎曲而破片的情形。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述傳統(tǒng)技術(shù)的問題，本發(fā)明提供一種機(jī)臺(tái)，用以處理一基板，此種機(jī)臺(tái)包括一基座、一支撐結(jié)構(gòu)以及一突出柱。支撐結(jié)構(gòu)設(shè)置于該基座并支撐該基板。突出柱設(shè)置于該基座上，其中離子氣體選擇性地由該支撐結(jié)構(gòu)或該突出柱朝該基板噴出，或是該支撐結(jié)構(gòu)及該突出柱兩者同時(shí)朝該基板噴出，借以去除該基板上的靜電荷。
運(yùn)用本發(fā)明可有效消除基板表面的靜電，降低基板與基座之間的靜電吸附力，進(jìn)而防止支撐結(jié)構(gòu)推升基板時(shí)的受力不均現(xiàn)象，避免基板發(fā)生破片的情形。


圖1a顯示傳統(tǒng)曝光機(jī)臺(tái)。
圖1b顯示在傳統(tǒng)技術(shù)中，支撐結(jié)構(gòu)底頂玻璃基板的情形。
圖2a顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的曝光機(jī)臺(tái)的基座。
圖2b顯示本發(fā)明第一實(shí)施例中，支撐結(jié)構(gòu)位于第二位置的情形。
圖3a顯示基板置放于基座之上的情形。
圖3b顯示支撐結(jié)構(gòu)升起基板的情形。
圖3c顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的曝光機(jī)臺(tái)的主要結(jié)構(gòu)。
圖3d顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的曝光機(jī)臺(tái)具有X光產(chǎn)生器的情形。
圖4a顯示本發(fā)明第二實(shí)施例的曝光機(jī)臺(tái)。
圖4b顯示本發(fā)明第二實(shí)施例中，突出柱環(huán)繞基板的情形。
圖5顯示本發(fā)明第三實(shí)施例的曝光機(jī)臺(tái)。
主要元件符號(hào)說明1～曝光機(jī)臺(tái)；2～腔體；3～基板；4～X光產(chǎn)生器；5～X光； 6～基座；7～支撐結(jié)構(gòu)；100、100’、200～曝光機(jī)臺(tái)；110～基座； 111～支撐結(jié)構(gòu)；112～開孔； 113～管路；114～離子氣體產(chǎn)生器；115～離子氣體；116～突出柱；117～通氣口；120～腔體； 130～X光產(chǎn)生器；131～X光。
具體實(shí)施例方式
第一實(shí)施例圖2a顯示本發(fā)明的第一實(shí)施例的曝光機(jī)臺(tái)的基座110。在此實(shí)施例中，基座110上設(shè)有多個(gè)支撐結(jié)構(gòu)(支撐柱)111以及多個(gè)開孔112。支撐結(jié)構(gòu)111以矩陣排列的方式設(shè)置，并可以于第一位置(如圖2a所顯示的位置)以及第二位置(圖2b所顯示的位置)之間移動(dòng)。如圖3a所示，當(dāng)所述支撐結(jié)構(gòu)111位于該第二位置時(shí)，基板3安置于該基座110之上。待基板3經(jīng)過曝光之后，如圖3b所示，支撐結(jié)構(gòu)111上升至該第一位置，以將基板3升起。參照?qǐng)D3c，曝光機(jī)臺(tái)100包括腔體120、基座110以及離子氣體產(chǎn)生器114?；?10設(shè)于腔體120之中。離子氣體產(chǎn)生器114設(shè)于基座110之中。基座110中設(shè)有管路113連通所述開孔112，離子氣體產(chǎn)生器114即位于該管路113之中。當(dāng)欲消除基板3表面的靜電時(shí)，基板3置放于該基座110之上。離子氣體115由離子氣體產(chǎn)生器114產(chǎn)生，并通過管路113，接觸基板3的下表面，借以消除基板3下表面的靜電。
參照?qǐng)D3d，曝光機(jī)臺(tái)100可還包括X光產(chǎn)生器130，設(shè)于該腔體120之中。離子氣體115可搭配X光產(chǎn)生器130所產(chǎn)生的X光131，同時(shí)消除基板3的上表面及下表面的靜電。
運(yùn)用本發(fā)明可有效消除基板表面的靜電，降低基板與基座之間的靜電吸附力，進(jìn)而防止支撐結(jié)構(gòu)推升基板時(shí)的受力不均現(xiàn)象，避免基板發(fā)生破片的情形。
第二實(shí)施例圖4a顯示本發(fā)明第二實(shí)施例的曝光機(jī)臺(tái)100’。在此實(shí)施例中，曝光機(jī)臺(tái)100’還包括多個(gè)突出柱(噴嘴)116，設(shè)于基座110的上表面。當(dāng)吹送離子氣體115時(shí)，離子氣體115可從所述突出柱116噴出，而從基板3的上方接觸基板3的上表面，借此消除基板3上表面的靜電。在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，毋須使用X光產(chǎn)生器所產(chǎn)生的X光來消除基板上表面的靜電。
參照?qǐng)D4b，當(dāng)基板3安置于基座110之上時(shí)，突出柱116可設(shè)于基板3的外圍而環(huán)繞基板3，以均勻充分地對(duì)基板3提供離子氣體。
在上述第一及第二實(shí)施例中，開孔112另可連通一真空管路(未繪示)，用以當(dāng)對(duì)基板3進(jìn)行曝光時(shí)，以真空作用吸附基板3，進(jìn)而加強(qiáng)基板3于曝光時(shí)的穩(wěn)定度。此外，在完成曝光制作工藝之后，曝光機(jī)臺(tái)可先對(duì)所述開孔112供應(yīng)干燥氣體，以破除真空，而后再對(duì)所述開孔112供應(yīng)離子氣體，以消除基板3下表面的靜電。
第三實(shí)施例圖5顯示本發(fā)明的第三實(shí)施例的曝光機(jī)臺(tái)200。在此實(shí)施例中，支撐結(jié)構(gòu)111的中央設(shè)有通氣口117，通氣口117連通管路113。當(dāng)欲消除基板3下表面的靜電荷時(shí)，離子氣體產(chǎn)生器114會(huì)產(chǎn)生離子氣體115，并經(jīng)過管路113以及所述通氣口117而接觸基板3的下表面。
第三實(shí)施例的曝光機(jī)臺(tái)200可搭配第一實(shí)施例中的多個(gè)開孔，以增加離子氣體與基板下表面的接觸面積，增進(jìn)基板下表面的靜電荷消除效果?；蛘撸谌龑?shí)施例的曝光機(jī)臺(tái)200亦可搭配第一實(shí)施例中的X光產(chǎn)生器，以消除基板上表面的靜電荷。
第三實(shí)施例的曝光機(jī)臺(tái)200亦可搭配第二實(shí)施例中的多個(gè)突出柱，從該基板的上方對(duì)該基板的上表面提供離子氣體，以消除基板上表面的靜電荷。
同樣地，通氣口117另可連通一真空管路(未繪示)，用以當(dāng)基板3進(jìn)行曝光時(shí)，以真空作用吸附基板3，進(jìn)而加強(qiáng)基板3于曝光時(shí)的穩(wěn)定度。在完成曝光制作工藝之后，曝光機(jī)臺(tái)可先對(duì)所述通氣口117供應(yīng)干燥氣體，以破除真空，而后再對(duì)所述通氣口117供應(yīng)離子氣體，以消除基板3下表面的靜電。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明；任何業(yè)內(nèi)人士，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，仍可作些許的更動(dòng)與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種機(jī)臺(tái)，用以處理一基板，該機(jī)臺(tái)包括一基座；至少一支撐結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該基座，用以支撐該基板；至少一突出柱，設(shè)置于該基座；以及一離子氣體產(chǎn)生器，連接至該基座，并與該支撐結(jié)構(gòu)及該突出柱連通，其中離子氣體選擇性地由該支撐結(jié)構(gòu)或該突出柱朝該基板噴出，或該支撐結(jié)構(gòu)及該突出柱兩者同時(shí)朝該基板噴出，借以去除該基板表面上的靜電荷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)臺(tái)，其中該至少一支撐結(jié)構(gòu)設(shè)有一通氣口，以供應(yīng)干燥氣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)臺(tái)，其中該至少一支撐結(jié)構(gòu)抵接該基板，該至少一突出柱與該基板之間相距一既定距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)臺(tái)，其中該基座大體呈矩形，且該至少一支撐結(jié)構(gòu)設(shè)置于該基座的角落。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)臺(tái)，其中該至少一支撐結(jié)構(gòu)排列于該基座上，且該至少一突出柱突出于該基座表面并設(shè)置于該基板的周圍。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)臺(tái)，其中該突出柱為一噴嘴。
7.一種基座，用以支撐一基板，該基座包括至少一支撐結(jié)構(gòu)；以及一離子氣體產(chǎn)生器，連接至該至少一支撐結(jié)構(gòu)，其中離子氣體由該至少一支撐結(jié)構(gòu)朝該基板噴出，借以去除該基板表面上的靜電荷。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基座，其中該至少一支撐結(jié)構(gòu)設(shè)有一通氣口，以供應(yīng)干燥氣體。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基座，其還包括至少一突出柱，朝該基板噴出離子氣體，借以去除該基板上的靜電荷。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基座，其中該至少一支撐結(jié)構(gòu)抵接該基板，該至少一突出柱與該基板之間相距一既定距離。
11.一種基座，用以支撐一基板，包括至少一突出柱，朝該基板噴出一離子氣體，借以去除該基板上的靜電荷；以及一離子氣體產(chǎn)生器，連接至該至少一突出柱，其中離子氣體由該至少一突出柱朝該基板噴出，借以去除該基板表面上的靜電荷。
12.一種機(jī)臺(tái)，用以處理一基板，該機(jī)臺(tái)包括一腔體；一基座，設(shè)于該腔體之中，該基座包括多個(gè)開孔以及一管路，所述開孔設(shè)于該基座表面，該管路設(shè)于該基座之中，該管路連通所述開孔；至少一支撐結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該基座之上，用以支撐該基板；以及一離子氣體產(chǎn)生器，設(shè)于該管路之中，并產(chǎn)生一離子氣體，其中該離子氣體經(jīng)過該管路以及所述開孔而朝該基板噴出，借以去除該基板表面上的靜電荷。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的機(jī)臺(tái)，其中該離子氣體經(jīng)過該管路以及所述開孔而朝該基板的下表面噴出，借以去除位于該基板下表面的靜電荷。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的機(jī)臺(tái)，其還包括一X光產(chǎn)生器，設(shè)于該腔體之中，該X光產(chǎn)生器朝該基板的上表面提供X光，借以去除位于該基板上表面的靜電荷。
全文摘要
一種機(jī)臺(tái)，用以處理一基板，此種機(jī)臺(tái)包括一基座、一支撐結(jié)構(gòu)以及一突出柱。支撐結(jié)構(gòu)設(shè)置于該基座并支撐該基板。突出柱設(shè)置于該基座上，其中離子氣體可由該支撐結(jié)構(gòu)或該突出柱朝該基板噴出，或是由該支撐結(jié)構(gòu)及該突出柱兩者同時(shí)朝該基板噴出，借以去除該基板上的靜電荷。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1808280SQ20061000424
公開日2006年7月26日 申請(qǐng)日期2006年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月13日
發(fā)明者許朝欽 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司