專利名稱：基于納米管的流體界面材料和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路器件和方法并且，更具體而言，涉及包括流體界面材料的集成電路應(yīng)用。
背景技術(shù)：
集成電路行業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了使電路密度和復(fù)雜性急劇增加，以及電路元件和電路結(jié)構(gòu)的尺寸同樣急劇減小的科技進(jìn)步。這些技術(shù)進(jìn)步宣告了該行業(yè)以及對(duì)使用高密度、復(fù)雜和緊湊的集成電路器件的產(chǎn)品的相應(yīng)需要的同樣急劇的增長(zhǎng)。
隨著增加的電路密度和功能性特征化電路設(shè)計(jì)，在小的區(qū)域中經(jīng)常需要許多互連(以及許多互連和通孔)。另外，經(jīng)常需要更大的能耗以驅(qū)動(dòng)電路。增加的密度和/或能耗通常導(dǎo)致增加的熱量產(chǎn)生，這將給電路元件造成潛在的問(wèn)題。另外，隨著縮小電路結(jié)構(gòu)(和相應(yīng)地與電路結(jié)構(gòu)相聯(lián)系的元件)的尺寸，這些電路結(jié)構(gòu)通常處于增加的熱相關(guān)的應(yīng)力下。
在一些場(chǎng)合中，不適當(dāng)?shù)厣峥赡軐?dǎo)致壽命和性能的問(wèn)題。由于集成電路器件是以更高的密度制造的，就更加劇了這個(gè)問(wèn)題。此外，由于需要集成電路的更高性能，涉及熱問(wèn)題的性能波動(dòng)可能導(dǎo)致性能問(wèn)題。
處理在集成電路中與熱相關(guān)的問(wèn)題的一個(gè)方法，包括了散熱器或其它導(dǎo)熱的元件的使用。通常將導(dǎo)熱材料與集成電路一起布置以促進(jìn)熱從電路傳遞，并且最終從導(dǎo)熱材料散失。許多應(yīng)用包括了氣冷材料的使用，例如具有散熱片(fin)結(jié)構(gòu)的金屬散熱器，所述散熱片結(jié)構(gòu)可以提供所需的用于熱交換的表面區(qū)域。將來(lái)自集成電路的熱傳遞至散熱器，并且相應(yīng)地傳遞至周圍的空氣。
雖然相對(duì)成功地使用了散熱器和其它的導(dǎo)熱元件，但是由于熱的產(chǎn)生仍是問(wèn)題，因此對(duì)于這些以及其它相關(guān)應(yīng)用的挑戰(zhàn)繼續(xù)存在，并且變得更普遍。在器件和用于從器件散熱的導(dǎo)熱元件之間的界面特征，制約了從集成電路器件導(dǎo)出熱的能力。在表面不接觸的地方，熱傳遞通常受到限制。表面特征如粗糙趨向于使元件之間的直接接觸具有挑戰(zhàn)性，這經(jīng)常會(huì)導(dǎo)致表面之間的縫隙或空隙。這些縫隙或空隙具有絕熱效應(yīng)。
這些以及其它的困難對(duì)用于多種應(yīng)用的電路襯底的實(shí)施提出了挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的不同方面包括，與集成電路和其它器件一起實(shí)施的界面方法。本發(fā)明是由許多實(shí)施方案和應(yīng)用所例證的，其中的一些在下面概述。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案，基于納米管的傳導(dǎo)材料促進(jìn)在集成電路器件和另一個(gè)元件例如襯底之間的傳導(dǎo)性(例如，導(dǎo)熱性和/或?qū)щ娦?。
在本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，集成電路芯片結(jié)構(gòu)采用基于碳納米管的流體界面材料，以促進(jìn)熱的和/或電的傳導(dǎo)。該集成電路芯片結(jié)構(gòu)包括集成電路芯片和鄰近集成電路芯片的傳導(dǎo)(例如，導(dǎo)熱和/或?qū)щ?器件。界面區(qū)域緊鄰集成電路芯片和導(dǎo)熱器件，并且包含在流體混合物中的碳納米管材料。將碳納米管材料與流體混合物一起布置，以熱耦合集成電路芯片和導(dǎo)熱器件之間的熱。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施方案，將集成電路芯片結(jié)構(gòu)與導(dǎo)熱材料交界(interface with)。將具有相對(duì)粗糙上表面(例如，在微觀水平上具有峰和井)的集成電路芯片，與填充于粗糙特征中的界面材料一起布置，從而促進(jìn)與上表面的凹進(jìn)處和其它粗糙區(qū)域的直接熱耦合和/或電耦合。該材料包括流體基質(zhì)和混合其中的碳納米管材料。該碳納米管材料混合物適合于流動(dòng)進(jìn)入井內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施方案中，界面材料進(jìn)一步具有在集成電路粗糙上表面上的頂面，該頂面相對(duì)于粗糙的上表面是光滑的，并且適應(yīng)于與導(dǎo)熱器件如散熱器交界。
上面的本發(fā)明概述并非意欲描述本發(fā)明的每個(gè)舉例說(shuō)明的實(shí)施方案或每個(gè)實(shí)施。隨后的附圖和詳述更具體地例示了這些實(shí)施方案。


考慮到本發(fā)明各種實(shí)施方案的以下詳細(xì)描述并結(jié)合附圖，可以更完全地理解本發(fā)明，在附圖中圖1A表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案，具有流體界面材料的集成電路組件結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖1B表示根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施方案，圖1A的集成電路組件結(jié)構(gòu)剖視圖的近視圖；圖1C表示根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施方案，圖1A的集成電路組件結(jié)構(gòu)剖視圖的近視圖；并且圖2表示根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施方案，與流體界面材料相鄰并且表現(xiàn)出表面粗糙性的集成電路組件結(jié)構(gòu)的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
盡管可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種更改和替換，但還是在附圖中通過(guò)實(shí)例的方式表示了它的細(xì)節(jié)，并且將會(huì)詳細(xì)地描述。然而，應(yīng)當(dāng)理解的是，這樣做的意圖并非將本發(fā)明限制于所述的具體實(shí)施方案。相反，意圖是覆蓋所有落入由后附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明范圍內(nèi)的更改、等價(jià)物和替換物。
據(jù)認(rèn)為本發(fā)明可以適用于各種涉及和/或受益于界面材料，并且特別是涉及和/或受益于流體界面材料如熱潤(rùn)滑脂(thermal grease)的電路和方法。盡管本發(fā)明不必局限于這樣的應(yīng)用，但是通過(guò)在這樣的環(huán)境中的實(shí)例的探討來(lái)獲得本發(fā)明的各個(gè)方面的最佳了解。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案，納米管增強(qiáng)的流體界面型材料促進(jìn)從電路元件的熱傳遞。將該界面型材料配置在電路器件的表面和導(dǎo)熱元件如散熱器之間流動(dòng)。在該界面型材料中的納米管材料促進(jìn)了界面型材料的熱傳導(dǎo)，并且相應(yīng)地促進(jìn)電路和導(dǎo)熱元件之間的熱耦合。
在本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，碳納米管增強(qiáng)的熱界面材料具有粘性，這種特性有利于流入集成電路芯片和與芯片配置的散熱器的表面之間的空隙、開(kāi)口。該熱界面材料具有基質(zhì)成分和碳納米管材料，例如納米管和/或納米管粉體，該基質(zhì)成分提供了混合碳納米管的介質(zhì)。當(dāng)實(shí)現(xiàn)將集成電路芯片和散熱器接觸時(shí)，熱界面材料熱耦合(即，在兩者之間提供導(dǎo)熱介質(zhì))集成電路芯片和散熱器。相對(duì)于例如穿過(guò)在空隙中的材料例如空氣的熱傳遞速率，或相對(duì)于常規(guī)材料，該熱耦合通常提高集成電路芯片和散熱器之間的熱傳遞速率。
根據(jù)應(yīng)用以及可用的材料，將多種不同的基質(zhì)成分與碳納米管材料一起使用。例如，混合到具有適當(dāng)粘度特性的環(huán)氧樹(shù)脂中的碳納米管材料，能在集成電路芯片和散熱器之間流動(dòng)。同樣地，可以使用低粘度粘合材料以使碳納米管材料混合物適用于這樣的應(yīng)用。依照某些實(shí)施方案，使用其它材料例如油脂、油、醇等作為具有碳納米管材料的基質(zhì)成分。此外，這些或其它材料的混合物能夠進(jìn)一步用于這些和其它的應(yīng)用中。
多種類型的碳納米管材料可以用于此處討論的不同的應(yīng)用，并且在具體應(yīng)用中與其它材料混合，以適合選定的需求。例如，碳納米管粉體，多壁和單壁碳納米管和其它基于碳納米管的材料可以用于不同的用途。這些碳納米管材料通常很小，即，小于硅石或其它填充材料。
在一些實(shí)施方案中，將碳納米管材料按尺寸和排列來(lái)調(diào)整，以獲得所需要的流動(dòng)特性。例如，在涉及非常小區(qū)域(界面材料在其中流動(dòng))的應(yīng)用中，采用相對(duì)小尺寸的碳納米管材料，例如碳納米管粉體或單壁碳納米管。在高流動(dòng)特性不是必需的應(yīng)用中，采用了相對(duì)較大尺寸的碳納米管材料，例如碳納米管鏈或矩陣。此外，一些應(yīng)用涉及不同尺寸的碳納米管材料的組合使用。
在一個(gè)實(shí)施方案中，將與基質(zhì)材料相結(jié)合的碳納米管材料與集成電路器件的表面，以碳納米管材料接觸表面的形式來(lái)布置。通過(guò)作為碳納米管材料與表面直接接觸的結(jié)果而形成的熱連接，將表面和界面(基質(zhì))材料之間的熱阻充分地減小。
采用各種方法中的一種或多種布置碳納米管材料以接觸集成電路器件的表面。在一個(gè)實(shí)施方案中，基質(zhì)材料裝填有足夠量的碳納米管填料，以便于在填料和集成電路器件的一個(gè)或多個(gè)表面之間的直接接觸。當(dāng)采用碳納米管粉體(例如，粉末)時(shí)，充分裝填了粉體的基質(zhì)材料使大量的碳納米管顆粒與表面接觸。
在另一個(gè)實(shí)施方案中，相對(duì)于基質(zhì)材料來(lái)選擇碳納米管填料材料如粉劑的濃度，以在最大化填料材料濃度的同時(shí)，獲得需要的流動(dòng)特性。這種最大化，在獲得使填料材料和表面之間的熱相互作用成為可能的流動(dòng)特性的同時(shí)，促進(jìn)熱傳遞。一個(gè)這樣的實(shí)施方案包括油和碳納米管粉末的混合物。另一個(gè)這樣的實(shí)施方案包括醇同碳納米管粉末的混合物。
在另一個(gè)實(shí)施方案中，選擇碳納米管填料材料的濃度，以獲得需要的導(dǎo)電特性。例如，在集成電路芯片和導(dǎo)熱器件如散熱器之間的導(dǎo)電性是所需要的(或，例如，不是不合需要的)地方，基質(zhì)材料中的碳納米管填充材料的濃度高。在集成電路芯片和其它成分(包括導(dǎo)熱器件)之間的電導(dǎo)性是不需要的地方，基質(zhì)材料中的碳納米管材料的濃度就相對(duì)低。在這些實(shí)例中，當(dāng)選擇要使用的碳納米管材料的濃度時(shí)，考慮了基質(zhì)材料的特征。在基質(zhì)材料具有絕緣性的地方，與碳納米管材料相關(guān)的導(dǎo)電性由于基質(zhì)材料的絕緣本質(zhì)通常是受到限制的，于是相應(yīng)地相對(duì)于這些絕緣性質(zhì)來(lái)選擇碳納米管的濃度。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)向附圖，圖1表示了根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方案的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100，該結(jié)構(gòu)采用碳納米管材料，促進(jìn)與熱耗散器件的熱傳遞。結(jié)構(gòu)100包含布置在支持襯底110上并且采用例如接觸其襯面的粘合材料連接至支持襯底110的集成電路芯片120。根據(jù)應(yīng)用，可以將更多的插件元件(舉例來(lái)說(shuō)，電連接，模復(fù)合物)與集成電路芯片120和襯底110組件結(jié)合，并且在此處為了簡(jiǎn)潔而省略。
散熱器140設(shè)置于集成電路芯片120的上方，并通過(guò)熱界面材料130隔離該散熱器和芯片。結(jié)構(gòu)中顯示的散熱器140僅作為示例，多種類型的散熱器(或其它導(dǎo)熱材料)可用于與這種和其它示例性實(shí)施方案相關(guān)的應(yīng)用中。圖1A中顯示的散熱器140具有多個(gè)散熱片(heat fin)，一個(gè)代表性的散熱片標(biāo)記為142，這些散熱片通常從集成電路芯片120向上延伸和排列，以促進(jìn)冷卻。
熱界面材料130包含具有有助于該熱界面材料導(dǎo)熱性的碳納米管填料的基質(zhì)材料。該碳納米管填料將產(chǎn)生于集成電路芯片120(或從襯底110傳遞)的熱從集成電路芯片傳出并且傳導(dǎo)至散熱器140?？缭浇Y(jié)構(gòu)100的熱梯度促進(jìn)熱傳遞，其中集成電路中的熱被傳遞至相對(duì)較冷的散熱器(例如被周圍的介質(zhì)如空氣或液體冷卻)。通常，在熱界面材料130中的碳納米管填料的存在增加了界面材料的總的熱導(dǎo)率，并且相應(yīng)地，促進(jìn)跨越集成電路芯片120和散熱器140之間界面的通常快速的熱傳遞。
圖1B和圖1C(以下討論)中所示結(jié)構(gòu)的各個(gè)部分和圖1A(以及圖1B和圖1C之間)的各個(gè)部分相類似，由共同的參考數(shù)字標(biāo)記。先前詳述的這些元件的某些論述為了簡(jiǎn)潔而省略。
圖1B顯示了如圖1A中所示的集成電路120和散熱器140之間界面的近視圖105，該界面具有根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施方案布置的碳納米材料。集成電路器件120的表面121和散熱器140的表面141，分別具有所示的表面粗糙度，其中熱界面材料130分別接觸每個(gè)表面。熱界面材料130中的碳納米管顆粒，圖中顯示了代表性的顆粒132，可以促進(jìn)跨越表面121和141之間界面的熱傳遞。
碳納米管顆粒如顆粒132包含一種或多種不同類型的碳納米管材料，例如單壁和/或多壁碳納米管部分、碳納米管粉體(例如，磨細(xì)的碳納米管)或碳納米管的排列。碳納米管顆粒形狀的本性促使其填充每個(gè)表面121和141的粗糙區(qū)域，其中碳納米管材料靠近(或接觸)每個(gè)表面用于熱傳遞。
圖1C顯示了圖1A中所示的集成電路120和散熱器140之間界面的另一近視圖107，其中根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施方案布置碳納米材料。表面121和141顯示了如上面圖1B所述的表面粗糙度，其中熱界面材料130再次分別接觸每個(gè)表面。在圖1C中，將碳納米管混合到基質(zhì)中以組成熱界面材料130，其中代表性的碳納米管標(biāo)記為134。這些碳納米管促進(jìn)了表面121和141之間的熱傳遞。
根據(jù)實(shí)施方案，在熱界面材料130中的碳納米管(例如碳納米管134)包括單壁和/或多壁碳納米管。此外，對(duì)碳納米管的取向進(jìn)行選擇，以適合特別的應(yīng)用。在圖1C中所示的取向基本上是多方向和/或隨機(jī)的；然而，某些實(shí)施方案包括了碳納米管的有序排列，以促進(jìn)熱傳遞和/或其它需要的特性。例如，一些實(shí)施方案包括相對(duì)于表面121和141普遍垂直取向的碳納米管的排列。這樣的普遍垂直的取向促進(jìn)了在表面之間的方向中沿著碳納米管的熱傳遞。
熱界面材料130中的碳納米管的取向能夠以多種方式實(shí)現(xiàn)。例如，當(dāng)受磁化時(shí)，可以采用磁場(chǎng)將碳納米管排列。一旦被排列，混合了碳納米管的基質(zhì)材料趨向于在除去磁場(chǎng)后維持碳納米管的位置。用于取向的其它方法包括采用辦法使界面材料130流動(dòng)，來(lái)產(chǎn)生所需的取向(例如，在碳納米管趨向于隨流型(flow pattern)自我排列的地方)。
圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施方案，具有由碳納米管增強(qiáng)的界面材料的集成電路結(jié)構(gòu)200在微觀水平上的橫截面圖。集成電路芯片220具有表現(xiàn)出粗糙度的表面221，其中具有不同的高和低區(qū)域(例如，峰和井)以及多種幾何排列。這樣的粗糙度，如典型地與多種不同類型的集成電路器件相聯(lián)系的，趨向于使具有集成電路芯片220的界面導(dǎo)熱器件具有挑戰(zhàn)性。就是說(shuō)，在表面221具有高和低點(diǎn)的地方，趨向于成為空隙，在所述空隙處，交界的器件不接觸所述表面。
將流體熱界面材料230布置于表面221上來(lái)從那里傳遞熱。該流體熱界面材料230包括在基質(zhì)材料例如油脂中的碳納米管材料(例如，顆粒、粉體和/或納米管)。碳納米管材料，其代表性微粒標(biāo)記為232，可以傳遞熱，因而促進(jìn)流體界面材料230的有利的導(dǎo)熱特性。某些與表面221接觸的碳納米管材料促進(jìn)與集成電路220的直接熱接觸。另外，流體界面材料230的流體本性與碳納米管材料(例如，粉體)的較小尺寸結(jié)合，致使了導(dǎo)熱材料填充到表面221的低區(qū)域中。例如，在代表性顆粒232附近的低區(qū)域是填充的，從而由于碳納米管材料的相對(duì)接近而促進(jìn)從附近的表面221的熱傳遞。在這點(diǎn)上，通過(guò)流體熱界面材料230，將在集成電路芯片的電路中產(chǎn)生的熱從芯片傳遞出去。
結(jié)構(gòu)200適合于在流體界面材料230的上部區(qū)域與導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)交界，該流體界面材料230對(duì)于符合許多不同的形狀通常是可接受的。在這點(diǎn)上，流體界面材料230允許使用多種結(jié)構(gòu)的各種導(dǎo)熱器件，其中流體界面材料提供與集成電路芯片220的熱傳導(dǎo)途徑。例如，如在圖1A-1C中所示的散熱器，是為了多種應(yīng)用通過(guò)圖2中所示的方法實(shí)現(xiàn)的。
以上描述和圖示的各種實(shí)施方案僅用于說(shuō)明而提供，而不應(yīng)當(dāng)解釋為限制本發(fā)明?；谝陨系挠懻摵驼f(shuō)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)容易地認(rèn)識(shí)到，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行不同的更改和變化，而不必嚴(yán)格地遵循于此處說(shuō)明和描述的示例性實(shí)施方案和應(yīng)用。例如，碳納米管可以通過(guò)不同于碳的材料，或者除碳外的材料，例如硼，來(lái)實(shí)現(xiàn)。另外，經(jīng)由實(shí)施例討論的界面型材料可以由大量的不同類型的材料，通過(guò)單獨(dú)使用和/或相互結(jié)合或與上述材料結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)。這樣的更改和變化不偏離本發(fā)明的真正精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種集成電路芯片結(jié)構(gòu)(100)，包括集成電路芯片(120)；鄰近集成電路芯片的導(dǎo)熱器件(140)；和緊鄰集成電路芯片的界面區(qū)域(130)，所述界面區(qū)域包含在流體混合物中的碳納米管材料，該碳納米管材料與流體混合物配置和布置以熱耦合集成電路芯片和導(dǎo)熱器件之間的熱。
2.按照權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中所述碳納米管材料包含碳納米管粉體、單壁碳納米管和多壁碳納米管中的至少一種。
3.按照權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中所述流體混合物包含環(huán)氧樹(shù)脂、低粘度粘合劑、油脂、醇和油的至少一種。
4.按照權(quán)利要求3所述的結(jié)構(gòu)，其中所述流體混合物為與足夠的流體混合的碳納米管材料，以使該碳納米管材料流動(dòng)。
5.按照權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中所述集成電路芯片具有表現(xiàn)出表面粗糙度的上表面，并且其中所述碳納米管材料足夠小，以流入該上表面的凹進(jìn)區(qū)域。
6.按照權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中所述碳納米管材料包含碳納米管，所述碳納米管在通常平行于集成電路芯片和導(dǎo)熱器件之間所需的熱傳遞路徑的方向上取向。
7.按照權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu)，其中所述碳納米管材料在集成電路芯片和導(dǎo)熱器件之間的流體混合物的流動(dòng)方向上取向。
8.按照權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu)，其中所述碳納米管是磁化的。
9.按照權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu)，其中所述碳納米管在磁場(chǎng)的方向上取向。
10.按照權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中所述碳納米管材料包括不同的按大小分過(guò)的碳納米管材料。
11.按照權(quán)利要求10所述的結(jié)構(gòu)，其中所述碳納米管材料包括可以流入表面空隙中的按大小分過(guò)的碳納米管粉體，以及碳納米管。
12.按照權(quán)利要求11所述的結(jié)構(gòu)，其中所述碳納米管材料包含碳納米管鏈。
13.按照權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中選擇在流體混合物中的碳納米管材料的濃度，以獲得該流體混合物所需的導(dǎo)熱性。
14.按照權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中所述流體混合物具有作為其中的碳納米管濃度的函數(shù)的電導(dǎo)率。
15.按照權(quán)利要求14所述的結(jié)構(gòu)，其中所述流體混合物具有足夠高的電導(dǎo)率，以在集成電路芯片和導(dǎo)熱器件之間導(dǎo)電。
16.按照權(quán)利要求14所述的結(jié)構(gòu)，其中所述流體混合物具有足夠低的電導(dǎo)率，以抑制集成電路芯片和導(dǎo)熱器件之間的導(dǎo)電性。
17.一種用于與導(dǎo)熱材料交界的集成電路芯片結(jié)構(gòu)(200)，所述結(jié)構(gòu)包含具有粗糙上表面(221)的集成電路芯片(220)；和在上表面上的界面材料(230)，所述界面材料包含流體基質(zhì)；和碳納米管材料(232)，該碳納米管材料混合在流體基質(zhì)中并且適合于流入相對(duì)于所述粗糙上表面其它部分凹進(jìn)的粗糙上表面區(qū)域中。
18.按照權(quán)利要求17所述的集成電路芯片結(jié)構(gòu)，其中所述的界面材料還適合于流入在界面材料上安置的熱傳導(dǎo)器件的凹進(jìn)區(qū)域。
19.按照權(quán)利要求17所述的集成電路芯片結(jié)構(gòu)，其中所述的界面材料具有導(dǎo)熱特性，該特性作為其中的碳納米管材料的量的函數(shù)而變化。
20.按照權(quán)利要求17所述的集成電路芯片結(jié)構(gòu)，其中所述的界面材料具有在集成電路的粗糙上表面上方的頂面，該頂面相對(duì)于粗糙上表面是光滑的，并且適合于與導(dǎo)熱器件交界。
全文摘要
一種熱界面材料(130)，其促進(jìn)集成電路器件(120)和導(dǎo)熱器件(140)之間的熱傳遞。根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方案，熱界面材料(130)包括增強(qiáng)它的熱導(dǎo)率的碳納米管材料。該界面材料(130)在集成電路器件(120)和導(dǎo)熱器件(140)之間流動(dòng)。碳納米管材料將熱從集成電路器件(120)傳導(dǎo)至導(dǎo)熱器件(140)。
文檔編號(hào)H01L23/373GK101095227SQ200580045605
公開(kāi)日2007年12月26日 申請(qǐng)日期2005年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月4日
發(fā)明者克里斯·懷蘭, 亨德里克斯·約翰內(nèi)斯·喬卡布斯·托嫩 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司