專利名稱：避免高反射率界面的cmos成像器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體圖像傳感器，更具體地說，涉及表現(xiàn)出減小的反射率和增加的光敏性的新的CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)圖像傳感器陣列結(jié)構(gòu)和用于制造這樣的圖像傳感器陣列的工藝。
背景技術(shù)：
CMOS圖像傳感器開始替代傳統(tǒng)的CCD傳感器用于如數(shù)碼相機，蜂窩電話，PDA(個人數(shù)字助理)，個人計算機等的要求圖像獲取的應(yīng)用中。有利地，通過應(yīng)用用于如光電二極管或類似的半導(dǎo)體器件的現(xiàn)有CMOS制造工藝，在低成本下制造CMOS圖像傳感器。另外，可以采用單電源操作CMOS圖像傳感器，這樣可以將對其的功耗限制到低于CCD傳感器的功耗，并且進一步，CMOS邏輯電路和類似的邏輯處理器件可以容易地集成到傳感器芯片中，并且從而可以微型化CMOS圖像傳感器。
圖1描述了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器像素陣列10。如所示，該陣列包括多個微透鏡12，每一個都是半球形，排列在如旋涂聚合體的光滑平整化層17上，其在能夠形成微透鏡陣列的顏色濾鏡陣列15上形成。顏色濾鏡陣列15包括獨立的紅色，綠色和藍(lán)色濾鏡元件25(原色濾鏡)或可選地，青色，紅紫色和黃色濾鏡元件(補色濾鏡)。微透鏡陣列12的每個微透鏡22與對應(yīng)的顏色濾鏡元件25對準(zhǔn)并且包括像素20的上部光接收部分。像素20包括在半導(dǎo)體襯底14的部分上制造的單元部分，襯底14的部分包括結(jié)合金屬化互連級M1，M2鋁(Al)布線層35a，35b的一個或更多級間介質(zhì)層30a-30c的疊層。例如，級間介質(zhì)材料可以包括聚合體或SiO2。當(dāng)Al金屬化互連層35a，35b沒有要求鈍化時，不出現(xiàn)各自的阻擋層。還如圖1所示，具有Al金屬化35a，b的每個像素單元20還包括最終的鋁金屬級36，其能夠使布線接合到每個像素20間的金屬化M1和M2并且在布線接合級36上形成最終的鈍化層28。此最終的鈍化層28可以包括SiN，SiO2或其組合。雖然沒有詳細(xì)描述，但是每個像素20都包括光電轉(zhuǎn)換器件，該器件包括進行光電轉(zhuǎn)換的如光電二極管18的光敏元件和進行電荷放大和開關(guān)的CMOS晶體管(未示出)。每個像素20都產(chǎn)生對應(yīng)于每個像素接收到的光的密度的信號電荷并且通過在半導(dǎo)體襯底14上形成的光電轉(zhuǎn)換(光電二極管)元件18轉(zhuǎn)換為信號電流。在Si襯底14表面形成的非硅化物擴散區(qū)域上形成另外的阻擋或覆蓋層，例如，如SiN的氮化物層38。
因為Al金屬電阻率的增加，在當(dāng)前的CMOS圖像傳感器中的鋁金屬級35a，35b的使用要求更高的介質(zhì)疊層。介質(zhì)越高意味著要求介質(zhì)層30a--30c越厚，這導(dǎo)致到達(dá)像素光電轉(zhuǎn)換元件(光電二極管)的光密度減小，即像素20的敏感性受損。
當(dāng)半導(dǎo)體工業(yè)與用于0.18mm節(jié)點CMOS圖像傳感器技術(shù)的AlCu并駕齊驅(qū)時，對提供具有用于M1，M2級的銅(Cu)金屬線的CMOS圖像傳感器有很高的期望，這要求更薄的級間介質(zhì)疊層從而當(dāng)更多光線到達(dá)光電二極管時增加像素陣列的敏感性。然而，因為銅對氧化和污染的敏感性，在銅金屬上要求鈍化級時，在銅布線上要求SiN，SiC，SiCN或類似的鈍化層。然而，當(dāng)鈍化層提供折射率失配時，它們的存在將傾向于在像素單元的光路中反射光，從而降低器件敏感性。
因此，對提供CMOS圖像傳感器和制造方法也有更高的期望，其中傳感器包括銅(Cu)金屬線用于金屬化M1，M2級，其促使更薄的級間介質(zhì)疊層并且還在像素單元光路中具有各自的超薄阻擋層部分或者從像素單元光路除去阻擋層從而增加像素單元的敏感性。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個目的是提供具有銅(Cu)金屬化級的圖像傳感器，允許結(jié)合較薄的級間介質(zhì)疊層以導(dǎo)致像素陣列表現(xiàn)出增強的光敏感性。光敏感性的提高可能因為簡單的幾何結(jié)構(gòu)；隨著高度減小，對任意給定角度，到達(dá)恰當(dāng)?shù)南袼氐墓獾牧吭黾印?br> 本發(fā)明的另一個目的是解決由提供另外的銅金屬鈍化層引起的折射率失配問題，并且，同時，通過最優(yōu)化透鏡下的介質(zhì)層的厚度，增加光學(xué)圖像傳感器的敏感性。
本發(fā)明的另一個目的是提供制造具有銅(Cu)金屬化級的圖像傳感器的方法，其允許結(jié)合較薄的級間介質(zhì)疊層以導(dǎo)致像素陣列表現(xiàn)出增加的光敏感性。
描述了許多實施例，這些實施例包括具有最小厚度的阻擋金屬層的結(jié)構(gòu)，阻擋金屬層經(jīng)過傳感器陣列中的每個象素的光路，或者具有從每個象素的光路選擇除去的阻擋金屬層的一部分，從而最小化反射率。例如，在一個實施例中，形成的用于陣列中的Cu互連金屬布線的阻擋金屬層的厚度等于或小于20nm?？蛇x地，執(zhí)行不同阻擋或單掩模方法，完全除去位于用于陣列中的每個像素的光路處的部分阻擋金屬層。在另一個實施例中，可以通過自對準(zhǔn)無電鍍Cu覆蓋沉積，即與銅自對準(zhǔn)，或通過使用相同的掩模以選擇構(gòu)圖并且除去像素區(qū)域中的阻擋層，形成阻擋金屬層。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了包括像素陣列的圖像傳感器，包括半導(dǎo)體襯底，包括在其中形成的光敏元件，所述元件位于所述陣列中的對應(yīng)像素的每個位置，用于接收入射光；第一級間介質(zhì)層，在所述襯底上形成；至少一個金屬互連層，在所述第一級間介質(zhì)層上形成，所述金屬互連層包括在所述陣列中的每個光敏元件之間形成的Cu金屬布線結(jié)構(gòu)；以及第二級間介質(zhì)層，在所述陣列中的所述Cu金屬互連層和用于接收入射光的頂層之間形成，其中所述Cu金屬互連層促使薄第一和第二級間介質(zhì)層縮短光路并且從而增加由在所述陣列中的每個光敏元件接收的光的量。
在一個實施例中，在經(jīng)過所述陣列的每個像素的光路的每個所述Cu金屬布線結(jié)構(gòu)上形成阻擋材料層。
在另一個實施例中，從經(jīng)過每個陣列像素的光路的區(qū)域選擇除去在金屬互連層上形成的阻擋材料的一部分。另外，對此實施例，可選地為陣列的每個像素提供在像素側(cè)壁上形成的光反射材料層，光反射材料層增加由像素的光敏元件接收的光的量。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了用于制造像素圖像傳感器陣列的方法，該方法包括如下步驟a.在半導(dǎo)體襯底中為每個陣列像素形成對應(yīng)的光敏元件，所述元件適于接收入射到各自像素的光；b.形成在所述襯底上形成的第一級間介質(zhì)層；c.形成在所述第一級間介質(zhì)層上形成的至少一個金屬互連層，所述形成的金屬互連層包括在所述陣列中的每個光敏元件之間形成的Cu金屬布線結(jié)構(gòu)；以及d.在所述陣列的所述Cu金屬互連層上形成第二級間介質(zhì)層，其中所述Cu金屬互連層促使形成薄第一和第二級間介質(zhì)層以縮短光路并且從而增加由所述陣列中的每個光敏元件接收的光的量。
在一個實施例中，在自對準(zhǔn)工藝中在金屬互連層的每個Cu金屬布線結(jié)構(gòu)上形成阻擋材料層。
在另一個實施例中，在Cu金屬布線結(jié)構(gòu)上和第一級間介質(zhì)層上覆蓋沉積薄阻擋材料層，從而經(jīng)過每個陣列像素的光路。
在另一個實施例中，在經(jīng)過所述陣列的每個像素的光路的部分，通過包括進行一個或多個掩模的多個工藝或在自對準(zhǔn)掩模工藝中，選擇除去薄阻擋材料層。另外，這些實施例，可選地為陣列的每個像素提供在像素側(cè)壁上形成的光反射材料層，光反射材料層增加由像素的光敏元件接收的光的量。


通過下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述將使本領(lǐng)域的技術(shù)人員明白本發(fā)明的目的，特征和優(yōu)點，其中圖1示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器像素陣列10；圖2通過截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的圖像傳感器陣列100；圖3(a)通過截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的方法形成的圖像傳感器陣列100a；圖3(b)通過截面圖，示出了圖3(a)的圖像傳感器陣列100b的可選第二實施例；圖4(a)通過截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的方法形成的圖像傳感器陣列100c；圖4(b)通過截面圖，示出了圖4(a)的圖像傳感器陣列100d的可選第三實施例；圖5(a)通過截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的方法形成的圖像傳感器陣列100e；圖5(b)通過截面圖，示出了圖5(a)的圖像傳感器陣列100f的可選第四實施例；圖6(a)通過截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的方法形成的圖像傳感器陣列100g；圖6(b)通過截面圖，示出了圖6(a)的圖像傳感器陣列100h的可選第五實施例；圖7(a)通過截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的方法形成的圖像傳感器陣列100i；圖7(b)通過截面圖，示出了圖6(a)的圖像傳感器陣列100j的可選第六實施例；以及圖8通過截面圖，示出了本發(fā)明的圖像傳感器陣列的可選實施例，結(jié)合自對準(zhǔn)掩蔽工藝在Cu金屬化上選擇沉積阻擋材料。
具體實施例方式
圖2通過截面圖示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的線性圖像傳感器陣列疊層100的后端。雖然像素20的上部光接收部分(微透鏡和顏色濾鏡)與圖1中描述的現(xiàn)有技術(shù)相同，但是本發(fā)明包括Cu金屬化互連M1，M2的形成，其允許在襯底14上形成的級間介質(zhì)層130a-130c的更薄疊層的形成。襯底14可以是包括如Si，SiGe，SiC，SiGeC，GaAs，InP，InAs和其它III-V族化合物半導(dǎo)體，II-VI族化合物半導(dǎo)體的體半導(dǎo)體，或如絕緣體上硅(SOI)，絕緣體上SiC(SiCOI)或絕緣體上硅鍺(SGOI)的分層半導(dǎo)體。優(yōu)選，級間介質(zhì)材料可以包括有機或無機級間介質(zhì)(ILD)材料，其可以通過如濺射，旋涂，或PECVD的多個公知技術(shù)的任何一個沉積并且可以包括常規(guī)旋涂的有機介質(zhì)，旋涂的無機介質(zhì)或其組合，具有約4.2或更小的介電常數(shù)?？梢栽诒景l(fā)明中應(yīng)用的合適的有機介質(zhì)包括包含C，O，F(xiàn)和/或H的介質(zhì)?？梢栽诒景l(fā)明中應(yīng)用的一些類型的有機介質(zhì)的實例包括但不限于芳香族熱固聚合樹脂，例如由DOW化學(xué)公司出售的SILK商標(biāo)的樹脂，由Honeywell出售的Flare商標(biāo)的樹脂，以及來自其它供應(yīng)商的類似的樹脂，和其它類似的有機介質(zhì)。用作級間介質(zhì)層的有機介質(zhì)可以是或非多孔的，由于減小的k值，更優(yōu)選多孔有機介質(zhì)層?？梢杂米骷夐g介質(zhì)的合適的無機介質(zhì)典型地包括Si，O和H以及可選地包括C，例如通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)沉積的SiO2，F(xiàn)SG(氟硅玻璃)，SiCOH，SiOCH，碳摻雜氧化物(CDO)，硅氧碳化物，有機硅玻璃(OSG)?？梢詰?yīng)用的一些類型的無機介質(zhì)的示意性實例包括但不限于倍半硅氧烷HOSP(Honeywell出售)，甲基倍半硅氧烷(MSQ)，氫倍半硅氧烷(HSQ)，MSQ-HSQ共聚物，使用原硅酸四乙酯(TEOS)或SiH4作為硅源并且O2，N2O，NO等作為氧化劑沉積的SiO2，有機硅烷和任意其它含Si材料。為了討論目的，假設(shè)無機介質(zhì)材料是SiO2。
參考圖2，用于形成M1層的方法包括，首先在襯底覆層38頂上沉積SiO2介質(zhì)層130c，例如厚度范圍在約2k到20k之間，優(yōu)選范圍在4k到5k之間，使用公知的光刻和RIE蝕刻技術(shù)在SiO2層130c中構(gòu)圖溝槽，并且用如Ta，TaN，TiN，TiSiN，W，WCN，Ru的一種或多種難熔金屬的金屬襯里加襯形成的溝槽。然后用銅材料填充加襯的溝槽以形成隨后使用公知的CMP技術(shù)拋光的Cu M1層135b。其后，在Cu M1金屬化的頂上沉積如SiN的阻擋或Cu擴散層132b，例如厚度范圍在約20到2k之間，優(yōu)選范圍在100到200之間。在此實施例中，減少Cu互連上的氮化物層132b的厚度以最小化反射率。應(yīng)該明白，可以使用的其它阻擋層材料包括但不限于SiON，SiC，SiCN，SiCON，SiCO材料等。為隨后的Cu M2金屬化層重復(fù)該工藝，從而在Cu擴散層132b上沉積如SiO2的薄M2介質(zhì)層130b，其厚度范圍在約2k到20k之間，優(yōu)選1微米，并且隨后通過在SiO2層130b中使用公知的光刻和RIE技術(shù)構(gòu)圖溝槽形成M2金屬化層，用如難熔金屬的金屬襯里加襯形成的溝槽，并且用銅材料填充加襯的溝槽以形成隨后使用公知的CMP技術(shù)拋光的Cu M2層135a。其后，在Cu M2層135a上沉積如SiN的阻擋或Cu擴散層132a，例如厚度范圍在約20到2k之間。隨后的步驟包括根據(jù)公知的技術(shù)形成在擴散層132a上的級間介質(zhì)層130a和最后的Al金屬化。為了最小化反射率，圖2中描述的實施例優(yōu)選M1和M2擴散阻擋層兩者的總厚度約20nm或更小。進一步，在圖2中描述的實施例中，應(yīng)該明白，可以在薄SiN層132a，b頂上形成折射率在SiN(1.98)和SiO2(1.46)之間如SiON的另外的材料層到可比厚度(例如約20到2k)以進一步減小反射率。根據(jù)此第一實施例，在光路中提供Cu金屬化和相應(yīng)的薄級間介質(zhì)層130a-130c和最小化的擴散阻擋層132a，b以最小化光的反射率，從而允許更大量的光13通過像素20的光路并且到達(dá)下面的光電二極管18。如進一步在圖2中示出的，在可選實施例中，每個像素陣列100可以包括在襯底中的如光電二極管18的光敏元件頂上形成的另外STI隔離介質(zhì)區(qū)域138。在此可選實施例中，從像素光路除去底部氮化物覆層38。
在本發(fā)明的第二實施例中，選擇除去阻擋SiN層132a，b在像素陣列光路中形成的那些部分以避免折射率的失配問題。在圖3(a)中描述的圖像傳感器陣列100a的此第二實施例中，在工藝的每個級中使用另外的掩模(抗蝕劑掩?；蛴惭谀?以在SiN阻擋層132a，b中在每個像素光路處制造開口50。即在每個分立阻擋層132a，b形成后，執(zhí)行另外的光刻構(gòu)圖和蝕刻步驟(濕或干蝕刻)以在選定的位置打開SiN。然而應(yīng)該明白，可以執(zhí)行無掩模工藝用于使用例如團簇離子束蝕刻除去SiN層132a，b的選定部分。優(yōu)選，氟基干蝕刻(例如，CF4加上氧等離子體)，然而，蝕刻后(其可能引起光的反射或散射)期望濕蝕刻以最小化表面處的損傷和粗糙。濕蝕刻可以包括SiN RIE后的稀HF“平滑”蝕刻，或者其可以是使用SiO2作為硬掩模的H3PO4蝕刻以除去SiN。因此在此實施例中，進行形成級間介質(zhì)層130b，Cu M1金屬化層135b和對應(yīng)的SiN阻擋層沉積132b的工藝步驟，并且執(zhí)行在像素陣列中的阻擋SiN層132b的選擇除去。然后對隨后的M2介質(zhì)層130b，金屬層M2和阻擋層132a重復(fù)這些工藝步驟。在蝕刻M1 SiN阻擋層132b后，然而，那些層的表面不完全平坦，這會危害隨后形成的M2介質(zhì)并且潛在地影響光刻或?qū)﹄S后M2級135a的隨后的銅的拋光。因此，在構(gòu)圖并沉積用于M2的SiO2層130b后，在構(gòu)圖M2金屬化135a前，在SiO2介質(zhì)130b級的表面處執(zhí)行另外的拋光步驟。在圖3(a)描述的實施例中還顯示，保留在襯底14頂上的薄頂?shù)飳?8和氮化物覆層38(每一個的厚度范圍都在約20到2k之間)沒有影響像素陣列的敏感性，假設(shè)光電二極管元件18位于直接在硅襯底中的有源區(qū)域中，沒有提供在襯底14中在光電二極管18頂上形成的如STI隔離的介質(zhì)絕緣層138。
因此，在圖3(b)中描述的像素陣列100b的可選第二實施例中，對于包括在如光電二極管18的光敏元件頂上形成的STI隔離介質(zhì)區(qū)域138的實施例，除去在襯底14圖像傳感器陣列100a頂上的除了光路中的M1和M2級介質(zhì)132a，b以外的光路中的襯底覆層38是有利的。因此，在這里描述的與圖3(a)相關(guān)的方式中，要求另外的掩模并且執(zhí)行另外的光刻構(gòu)圖和蝕刻步驟(濕或干蝕刻)以在SiN覆層38中，在像素光路處提供另外的開口50a。
圖4(a)通過截面圖示出了對應(yīng)于圖3(a)中描述的圖像傳感器實施例的根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的圖像傳感器陣列100c，沒有在襯底14中的像素光敏元件(光電二極管)18上STI區(qū)域138。根據(jù)此實施例，沒有M1阻擋蝕刻形成襯底覆層38，級間介質(zhì)層130a，級間金屬化135b(M1)以及對應(yīng)的如SiN的阻擋層132b。然后，形成M2介質(zhì)層130b，金屬化M2 135a和對應(yīng)的如SiN的阻擋層132a。隨后構(gòu)圖掩模并且進行蝕刻以制造開口51以從像素光路除去氮化物阻擋132a用于M2層的那部分。然而，在相同的蝕刻工藝步驟中，制造M2介質(zhì)層130b和M1阻擋開口51a，這樣以便僅需要一個掩模以除去在光路中的兩個金屬化阻擋層132a，b。此蝕刻后，在蝕刻路徑中回沉積級間介質(zhì)(例如氧化物)，例如旋涂SiO2回填工藝，并且執(zhí)行平整化步驟。應(yīng)該明白，填充介質(zhì)可以可選地包括聚合物介質(zhì)(聚酰亞胺，Dow化學(xué)公司的SILK，等)并且可以使用具有極好的間隙填充能力的用于沉積級間介質(zhì)(氧化物，SiO2，或碳基氧化物，等)的如CVD或(等離子體增強)PE-CVD工藝的其它技術(shù)。
在圖4(b)中描述的可選第三實施例中，在圖像傳感器陣列100d包括在如光電二極管18的光敏元件上形成的STI隔離介質(zhì)區(qū)域138的情況下，有利的是除去在襯底14頂上顯示的除了M1和M2級介質(zhì)132a，b以外的底部氮化物層38。因此，在這里描述的關(guān)于圖4(a)的方式中，在M2阻擋級132a的形成后，執(zhí)行單掩模光刻構(gòu)圖并且進行蝕刻以在像素光路中的每個阻擋級中制造開口51，51a和51b。即，進行蝕刻以除去M2氮化物阻擋，并且同時使用這里描述的優(yōu)選的干蝕刻技術(shù)(例如CF4和O2等離子體)除去M2介質(zhì)層130b，M1阻擋，M1介質(zhì)層130c以及另外的底部氮化物層。應(yīng)該明白，可以任意地執(zhí)行濕蝕刻以除去阻擋層材料。其后，再次用如旋涂SiO2的級間介質(zhì)或聚合物介質(zhì)(聚酰亞胺，Dow化學(xué)公司的SILK，等)回填工藝填充蝕刻路徑，并且執(zhí)行平整化步驟。應(yīng)該明白，可以使用具有極好的間隙填充能力的用于沉積級間介質(zhì)(氧化物，SiO2，或碳基氧化物，等)的如CVD或(等離子體增強)PE-CVD工藝的其它技術(shù)。
圖5(a)通過截面圖示出了對應(yīng)于圖3(a)中描述的圖像傳感器實施例的根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的圖像傳感器陣列100e，沒有在襯底14中的像素光敏元件(光電二極管)18上形成介質(zhì)(例如STI)區(qū)域138。根據(jù)此實施例，形成襯底覆層38，級間介質(zhì)層130a-130c，級間金屬化35a，35b(M2和M1)以及對應(yīng)的如SiN的阻擋層132a，b。然而，在頂級間介質(zhì)層130a形成后，執(zhí)行單掩模的光刻構(gòu)圖和施加并且進行蝕刻以在像素光路中，在每個分立的M2和M1阻擋級中制造開口52和52a。即，在單蝕刻步驟中，為每個金屬化除去除了每個級間介質(zhì)層130a-130c的每個阻擋層132a，b(使用單掩模)。另外，在此實施例中，在光路中打開孔后并且在用級間介質(zhì)(例如氧化物)填充孔前，沉積與蝕刻孔的側(cè)壁和底部保形的薄氮化物襯里140。優(yōu)選，使用如PE-CVD的公知的沉積技術(shù)沉積具有光反射特性的SiN材料或薄襯里材料，以加襯蝕刻的開口的底部和側(cè)壁。例如，具有光反射特性的其它襯里材料包括但不限于SiC，某些金屬，如Al，TiN，鎢，Ru，多晶Si，多晶Ge等。此薄襯里140沉積的厚度范圍可以在50到2k之間并且有效地用于防止移動離子進入并且還用作鏡面以反射散射光，這樣以便以一定角度進入透鏡的任何光將到達(dá)光電二極管。在隨后的步驟中，在沉積薄氮化物襯里后，利用如旋涂SiO2回填工藝，沉積級間介質(zhì)材料回填加襯的孔，并且執(zhí)行最后的平整化步驟。
在圖5(b)描述的可選第四實施例中，在圖像傳感器陣列100f包括在如光電二極管18的光敏元件頂上形成的STI隔離介質(zhì)區(qū)域138的情況下，有利的是除去在像素光路中在襯底14頂上示出的底部氮化物層38的除了M1和M2級阻擋132a，b以外的那些部分。從而，以這里關(guān)于圖5(a)描述的方式，在光刻構(gòu)圖并且施加單掩模后，進行單蝕刻以在像素光路中的每個阻擋級中制造開口52，52a和52b。即，進行單蝕刻工藝以除去M2氮化物阻擋，并且同時使用這里描述的優(yōu)選的干蝕刻技術(shù)(例如，CF4和O2等離子體)除去M2介質(zhì)層130b，M1阻擋，M1介質(zhì)層130c和另外的底部氮化物層38。應(yīng)該明白，可以執(zhí)行濕蝕刻以除去阻擋層材料。然后，在光路中開孔之后并且在用級間介質(zhì)填充孔之前，沉積與蝕刻孔的側(cè)壁和底部保形的薄氮化物隔離物141。優(yōu)選，使用公知的沉積技術(shù)沉積具有光反射特性的SiN材料或薄襯里材料以加襯孔。其后，通過隔離物蝕刻，即用于沿蝕刻開口的側(cè)壁形成SiN隔離物的任何方向性蝕刻，除去與孔的底部保形的反射襯里材料。例如，F(xiàn)基方向性蝕刻用于形成SiN隔離物。在隨后的步驟中，在沉積薄氮化物和蝕刻以形成隔離物141后，利用如旋涂SiO2回填的工藝，沉積級間介質(zhì)材料以回填加襯的孔，并且執(zhí)行最后的平整化步驟。
圖6(a)通過截面圖，示出了對應(yīng)于圖3(a)中描述的圖像傳感器實施例的根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的圖像傳感器陣列100g，沒有在襯底14中的象素的光敏元件(光電二極管)18上形成STI區(qū)域。根據(jù)此實施例，形成襯底覆層38，級間介質(zhì)層130a-130c，級間Cu金屬化135a，135b(M2和M1)以及對應(yīng)的如SiN的阻擋層132a，b。另外形成頂金屬導(dǎo)體(即，鋁)層36，在每個像素間構(gòu)圖成如圖6(a)所示。然而，在構(gòu)圖頂鋁層36后，進行單蝕刻工藝以在像素光路中的在每個分立的M2和M1阻擋級中制造開口53和53a。即，在單蝕刻步驟中，使用用作自對準(zhǔn)掩模的構(gòu)圖鋁層36，為每個金屬化級除去除了每個級間介質(zhì)層130a-130c以外的每個阻擋層132a，b。然后，在隨后的步驟中，利用如旋涂SiO2回填工藝，沉積級間介質(zhì)材料回填蝕刻孔，并且執(zhí)行最后的平整化步驟。
在圖6(b)中描述的可選的第五實施例中，在圖像傳感器陣列100h包括在如光電二極管18的光敏元件上形成的STI隔離介質(zhì)區(qū)域138的情況下，有利的是除去在像素光路中在襯底14頂上的底部氮化物層38的除了M1和M2級阻擋132a，b以外的那些部分。從而，以這里關(guān)于圖6(a)描述的方式，在光刻構(gòu)圖還用作單自對準(zhǔn)掩模的Al層36后，進行單(濕或干)蝕刻以在像素光路中的每個阻擋級中制造開口52，52a和52b。即，進行蝕刻以除去M2氮化物阻擋，并且同時使用這里描述的優(yōu)選的干蝕刻技術(shù)(例如，CF4和O2等離子體)除去M2介質(zhì)層130b，M1阻擋，M1介質(zhì)層130c和另外的底部氮化物層38。應(yīng)該明白，可以執(zhí)行濕蝕刻工藝以除去阻擋層132a，b和覆蓋層38。
圖7(a)通過截面圖，示出了對應(yīng)于圖3(a)中描述的圖像傳感器實施例的根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的圖像傳感器陣列100i，在襯底14中的象素的光敏元件(光電二極管)18上沒有STI區(qū)域。根據(jù)此實施例，形成襯底覆層38，級間介質(zhì)層130a-130c，級間金屬化135a，135b(M2和M1)以及對應(yīng)的如SiN的阻擋層132a，b。另外形成頂金屬導(dǎo)體(即，鋁)層36，在每個像素間構(gòu)圖成如圖7(a)所示。然而，在構(gòu)圖頂鋁層36后，進行單蝕刻工藝以在像素光路中在每個分立的M2和M1阻擋級中制造開口54和54a。即，在單蝕刻步驟中，使用用作自對準(zhǔn)掩模的構(gòu)圖鋁層36，為每個金屬化級除去除了每個級間介質(zhì)層130a-130c以外的每個阻擋層132a，b。另外，在此實施例中，在光路上開口后并且在用級間介質(zhì)(例如，氧化物)填充開口前，沉積與蝕刻孔的側(cè)壁和底部保形的薄氮化物襯里140。優(yōu)選，使用如描述的如PE-CVD的公知的沉積技術(shù)沉積具有光反射特性的SiN材料或薄襯里材料，以加襯孔。此薄反射襯里140沉積的厚度范圍在50到2k之間并且有效地用作鏡面以反射散射光，這樣以便以一定角度進入像素透鏡的任何光將到達(dá)光電二極管。在隨后的步驟中，在沉積薄氮化物襯里后，利用如旋涂SiO2回填工藝，沉積級間介質(zhì)材料回填加襯的孔，并且執(zhí)行最后的平整化步驟。
在圖7(b)描述的可選第六實施例中，在圖像傳感器陣列100j包括在如光電二極管18的光敏元件上形成的STI隔離介質(zhì)區(qū)域138的情況下，有利的是除去在像素光路中在襯底14頂上示出的底部氮化物層38的除了M1和M2級介質(zhì)132以外的那些部分。從而，以這里描述的方式，在光刻構(gòu)圖還用作單自對準(zhǔn)掩模的Al層36后，進行單(濕或干)蝕刻以在像素光路中的每個阻擋級中制造開口54，54a和54b。即，進行蝕刻以除去M2氮化物阻擋，并且同時使用這里描述的優(yōu)選的干蝕刻技術(shù)(例如，CF4和O2等離子體)除去M2介質(zhì)層130b，M1阻擋，M1介質(zhì)層130c和另外的底部氮化物層38。應(yīng)該明白，可以執(zhí)行濕蝕刻工藝以除去阻擋層132a，b和覆蓋層38。另外，在此實施例中，在光路中開孔后并且在用級間介質(zhì)(例如，氧化物)填充孔前，沉積與蝕刻孔的側(cè)壁保形的薄氮化物隔離物141。優(yōu)選，使用如描述的如PE-CVD的公知的沉積技術(shù)沉積具有光反射特性的SiN材料或薄襯里材料以加襯孔。此薄反射隔離物141的厚度范圍可以沉積到50到2k之間并且有效地用作鏡面以反射散射光，這樣以便以一定角度進入透鏡的任何光將到達(dá)光電二極管。在隨后的步驟中，在沉積薄氮化物隔離物后，利用如旋涂SiO2回填工藝，沉積級間介質(zhì)材料回填加襯的孔，并且執(zhí)行最后的平整化步驟。
應(yīng)該明白，在這里關(guān)于圖3(a)-7(b)描述的每個實施例中，例如可以通過無電鍍形成如CoWP的自對準(zhǔn)Cu金屬覆層，而不形成覆蓋SiN覆層，并且除去在光路中的阻擋級132a，b的選定部分，如所描述的。因此，如圖8中所示，在每個Cu金屬化層構(gòu)圖形成并且將它拋光后，可以在自對準(zhǔn)工藝中執(zhí)行無電鍍以直接在Cu上選擇沉積保護Cu不受氧化的如NiWP，CoWP，CoWB的化合物的阻擋材料142?？蛇x地，可以執(zhí)行如CVD的沉積工藝用于選擇沉積如包括但不限于W的折射金屬的阻擋層材料?？蛇x地，在每個Cu CMP步驟后，通過濕蝕刻，電拋光或干蝕刻使Cu凹陷。然后，沉積覆蓋層(Ta，TaN，W，SiN，SiC)并且進行拋光步驟以除去在金屬襯里之間的區(qū)域中形成的那些覆蓋層部分。
雖然已經(jīng)示出并描述了被認(rèn)為是本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但是，當(dāng)然應(yīng)該明白，在不脫離本發(fā)明的精神下，可以容易地進行形式或細(xì)節(jié)上的各種修改和變化。因此，旨在本發(fā)明不限于描述和示出的實際的形式，而是覆蓋落入附加權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有修改。
權(quán)利要求
1.一種包括像素陣列的圖像傳感器，包括半導(dǎo)體襯底，包括在其中形成的光敏元件，所述元件位于所述陣列中的對應(yīng)像素的每個位置，用于接收入射光；第一級間介質(zhì)層，在所述襯底上形成；至少一個金屬互連層，在所述第一級間介質(zhì)層上形成，所述金屬互連層包括在所述陣列中的每個光敏元件之間形成的Cu金屬布線結(jié)構(gòu)；以及第二級間介質(zhì)層，在所述陣列中的所述Cu金屬互連層和用于接收入射光的頂層之間形成，其中所述Cu金屬互連層促使薄第一和第二級間介質(zhì)層縮短光路并且從而增加由在所述陣列中的每個光敏元件接收的光的量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的圖像傳感器，其中所述第一和第二級間介質(zhì)層的每一個都具有在2k到20k之間的厚度范圍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的圖像傳感器，還包括在每個所述Cu金屬布線結(jié)構(gòu)上形成的阻擋材料層，所述阻擋材料層經(jīng)過所述陣列的每個像素的光路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的圖像傳感器，還包括在所述襯底和所述第一級間介質(zhì)層之間形成的阻擋材料層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的圖像傳感器，其中在所述金屬互連層中的所述形成的Cu布線上形成的所述阻擋材料包括選自SiN，SiON，SiC，SiCN，SiCON或SiCO的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求3的圖像傳感器，其中在所述金屬互連層中的所述形成的Cu布線上形成的所述阻擋材料的厚度范圍在20到2k之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求3的圖像傳感器，其中從與所述陣列的每個像素的光路一致的區(qū)域選擇除去在所述形成的金屬互連層上形成的所述阻擋材料的一部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的圖像傳感器，還包括在每個像素的所述光敏元件上的所述襯底中形成的絕緣材料結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的圖像傳感器，還包括在所述襯底和所述第一級間介質(zhì)層之間形成的阻擋材料層，所述阻擋材料層在每個像素的所述光敏元件上形成的對應(yīng)絕緣材料結(jié)構(gòu)上的一部分被選擇除去。
10.根據(jù)權(quán)利要求7的圖像傳感器，其中對于所述陣列的每個像素，在像素側(cè)壁上形成光反射材料層，所述光反射材料層使由所述光敏元件接收的光的量增加。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的圖像傳感器，其中對于所述陣列的每個像素，還在所述像素中的所述光敏元件上的所述半導(dǎo)體襯底的表面上形成所述反射材料層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的圖像傳感器，其中加襯每個像素的側(cè)壁的所述反射材料層包括SiN，SiC，Al，TiN，或鎢，Ru，多晶Si，多晶Ge。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的圖像傳感器，其中加襯每個像素的側(cè)壁的所述反射材料層沉積的厚度范圍在50到2k之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的圖像傳感器，其中所述第一和第二級間介質(zhì)層材料包括低k有機材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的圖像傳感器，其中所述第一和第二級間介質(zhì)層材料包括低k無機材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求1的圖像傳感器，還包括頂層，所述頂層包括濾鏡元件陣列，每個濾鏡元件對應(yīng)于一個陣列像素。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的圖像傳感器，還包括在所述頂層上形成的與所述濾鏡元件陣列對準(zhǔn)的像素微透鏡陣列，每個微透鏡對應(yīng)于一個濾鏡元件。
18.一種用于制造像素圖像傳感器陣列的方法，包括如下步驟a.在半導(dǎo)體襯底中為每個陣列像素形成對應(yīng)的光敏元件，所述元件適于接收入射到各自像素的光；b.形成在所述襯底上形成的第一級間介質(zhì)層；c.形成在所述第一級間介質(zhì)層上形成的至少一個金屬互連層，所述形成的金屬互連層包括在所述陣列中的每個光敏元件之間形成的Cu金屬布線結(jié)構(gòu)；以及d.在所述陣列的所述Cu金屬互連層上形成第二級間介質(zhì)層，其中所述Cu金屬互連層促使形成薄第一和第二級間介質(zhì)層以縮短光路并且從而增加由所述陣列中的每個光敏元件接收的光的量。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中形成包括在所述陣列中的每個光敏元件之間的位置形成的Cu金屬布線結(jié)構(gòu)的金屬互連層的所述步驟c包括在所述第一級間介質(zhì)層上提供掩模，所述掩模構(gòu)圖為在所述第一級間介質(zhì)層中的每個光電二極管之間打開溝槽；進行蝕刻工藝以在每個光電二極管之間的所述位置打開所述溝槽；以及在所述溝槽中沉積Cu金屬以形成所述金屬布線結(jié)構(gòu)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中所述步驟c還包括進行所述金屬布線結(jié)構(gòu)的化學(xué)機械拋光步驟的步驟。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，還包括在所述金屬互連層的每個所述Cu金屬布線結(jié)構(gòu)上形成阻擋材料層的步驟，所述形成包括執(zhí)行自對準(zhǔn)工藝以在所述金屬互連層的每個形成的所述Cu金屬布線結(jié)構(gòu)上沉積所述阻擋材料層。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中在每個所述Cu金屬布線結(jié)構(gòu)上在自對準(zhǔn)工藝中沉積阻擋材料的所述步驟還包括執(zhí)行無電鍍工藝。
23.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中在所述無電鍍工藝中沉積的所述阻擋材料包括NiWP，CoWP或CoWB。
24.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，還包括如下步驟通過在所述Cu金屬布線結(jié)構(gòu)上和所述第一級間介質(zhì)層上覆蓋沉積阻擋材料層，在所述金屬互連層的所述Cu金屬布線結(jié)構(gòu)上形成阻擋材料層，從而經(jīng)過每個陣列像素的光路。
25.根據(jù)權(quán)利要求24的方法，還包括從與所述陣列的每個像素的光路一致的區(qū)域選擇除去所述阻擋材料的一部分的步驟。
26.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中在覆蓋沉積所述阻擋材料層后，從與光路一致的區(qū)域選擇除去所述阻擋材料的一部分的所述步驟包括如下步驟提供掩模結(jié)構(gòu)，所述掩模結(jié)構(gòu)光刻構(gòu)圖為在經(jīng)過每個像素的所述光路的位置打開所述阻擋材料層的區(qū)域；以及進行蝕刻工藝以在所述區(qū)域除去所述阻擋材料層。
27.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中在所述陣列中的所述Cu金屬互連層上形成第二級間介質(zhì)層后，在與光路一致的區(qū)域選擇除去所述阻擋材料的一部分的所述步驟包括如下步驟提供掩模結(jié)構(gòu)，所述掩模結(jié)構(gòu)光刻構(gòu)圖為在經(jīng)過每個像素的所述光路的位置打開孔；進行蝕刻工藝以在所述區(qū)域選擇除去第二級間介質(zhì)層和阻擋材料層的一部分；以及在所述蝕刻形成的孔中回填級間介質(zhì)材料。
28.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中所述圖像傳感器陣列還包括在顏色濾鏡陣列下形成的頂金屬化層并且包括在所述陣列中的每個光電二極管之間形成的金屬接合結(jié)構(gòu)，在所述陣列中形成所述頂金屬化層后，在與光路一致的區(qū)域選擇除去所述阻擋材料的一部分的所述步驟包括如下步驟利用所述頂金屬化層的所述金屬接合結(jié)構(gòu)作為自對準(zhǔn)掩模進行蝕刻工藝以在經(jīng)過每個像素的所述光路的所述區(qū)域選擇除去第二級間介質(zhì)層和阻擋材料層的一部分；以及在所述蝕刻形成的孔中回填級間介質(zhì)材料。
29.根據(jù)權(quán)利要求27的方法，其中所述進行蝕刻工藝以在經(jīng)過每個像素的所述光路的所述區(qū)域選擇除去第二級間介質(zhì)層和阻擋材料層的一部分的步驟還包括，蝕刻以在所述區(qū)域除去所述第一級間介質(zhì)層的一部分以打開對應(yīng)于所述像素光路的孔，其中在所述回填步驟前，進行如下步驟沉積與所述蝕刻孔的所述側(cè)壁保形的光反射材料的薄襯里。
30.根據(jù)權(quán)利要求28的方法，其中所述進行蝕刻工藝以在經(jīng)過每個像素的所述光路的所述區(qū)域選擇除去第二級間介質(zhì)層和阻擋材料層的一部分的步驟還包括，蝕刻以在所述區(qū)域除去所述第一級間介質(zhì)層的一部分以打開對應(yīng)于所述像素光路的孔，其中在所述回填步驟前，進行如下步驟沉積與所述蝕刻孔的所述側(cè)壁保形的光反射材料的薄襯里。
31.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，還包括在所述襯底和所述第一級間介質(zhì)層之間形成阻擋材料層的步驟。
32.根據(jù)權(quán)利要求31的方法，其中步驟a還包括在每個像素的所述光敏元件上的所述襯底中形成絕緣材料結(jié)構(gòu)的步驟，所述方法還包括在與每個像素的所述光敏元件上形成的所述絕緣材料結(jié)構(gòu)對應(yīng)的區(qū)域選擇除去在所述襯底上的所述阻擋材料層的一部分的步驟。
33.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，還包括形成包括濾鏡元件陣列的頂層的步驟，每個濾鏡元件對應(yīng)于一個陣列像素。
34.根據(jù)權(quán)利要求33的方法，還包括在所述頂層上形成與所述濾鏡元件陣列對準(zhǔn)的像素微透鏡陣列的步驟，每個微透鏡對應(yīng)于一個濾鏡元件。
35.一種包括像素陣列的圖像傳感器，包括半導(dǎo)體襯底，包括在其中形成的光敏元件，所述元件位于所述陣列中的對應(yīng)像素的每個位置，用于接收入射光；以及級間介質(zhì)層疊層，具有在其中形成的第一和第二Cu金屬化級，所述疊層的第一級間介質(zhì)層在所述襯底上形成，并且每個所述金屬化級包括在所述陣列中的每個光敏元件之間形成的Cu金屬布線結(jié)構(gòu)，其中所述Cu金屬化級促使級間介質(zhì)層的較薄疊層縮短光路并且從而增加由所述陣列中的每個光敏元件接收的光的量。
36.根據(jù)權(quán)利要求35的圖像傳感器，還包括在每個所述Cu金屬布線結(jié)構(gòu)上形成的阻擋材料層，在所述Cu金屬布線結(jié)構(gòu)上形成的所述阻擋材料層包括經(jīng)過所述陣列的每個像素的所述光路的部分。
37.根據(jù)權(quán)利要求35的圖像傳感器，還包括在所述襯底和所述第一級間介質(zhì)層之間形成的阻擋材料層。
38.根據(jù)權(quán)利要求36的圖像傳感器，其中從與所述陣列的每個像素的光路一致的區(qū)域選擇除去在所述Cu金屬布線結(jié)構(gòu)上形成的所述阻擋材料的一部分。
39.根據(jù)權(quán)利要求35的圖像傳感器，還包括在每個像素的所述光敏元件上的所述襯底中形成的絕緣材料結(jié)構(gòu)，其中從在每個像素的所述絕緣材料結(jié)構(gòu)上的區(qū)域選擇除去在所述襯底和所述第一級間介質(zhì)層之間形成的所述阻擋材料層的一部分。
40.一種用于制造像素的圖像傳感器陣列的方法，包括如下步驟a.在半導(dǎo)體襯底中為每個陣列像素形成對應(yīng)的光敏元件，所述元件適于接收入射光；以及b.在所述襯底上形成級間介質(zhì)層疊層，并且在所述疊層的相鄰的級間介質(zhì)層的形成之間，進行步驟形成包括在所述陣列中的每個光敏元件之間形成的Cu金屬布線結(jié)構(gòu)的Cu金屬化級，其中所述Cu金屬化級促使級間介質(zhì)層的較薄疊層縮短光路并且從而增加由所述陣列中的每個光敏元件接收的光的量。
41.根據(jù)權(quán)利要求40的方法，其中形成每個Cu金屬化級的Cu金屬布線結(jié)構(gòu)的所述步驟b包括在下面的級間介質(zhì)層上提供掩模，所述掩模構(gòu)圖為在所述下面的介質(zhì)層中的所述像素位置之間打開溝槽；進行蝕刻工藝以在所述位置打開所述溝槽；以及在所述溝槽中沉積Cu金屬以形成所述金屬布線結(jié)構(gòu)。
42.根據(jù)權(quán)利要求41的方法，其中在所述溝槽中沉積Cu金屬的所述步驟還包括用Cu擴散阻擋材料加襯所述溝槽。
43.根據(jù)權(quán)利要求41的方法，還包括在每個所述Cu金屬布線結(jié)構(gòu)上形成阻擋材料層的步驟，所述形成包括進行自對準(zhǔn)工藝以在所述金屬互連層的每個形成的Cu金屬布線結(jié)構(gòu)上沉積所述阻擋材料層。
44.根據(jù)權(quán)利要求43的方法，其中進行自對準(zhǔn)工藝以在每個所述Cu金屬布線結(jié)構(gòu)上沉積阻擋材料的所述步驟還包括執(zhí)行無電鍍工藝。
45.根據(jù)權(quán)利要求40的方法，其中還包括如下步驟通過在包括其各自下面的級間介質(zhì)層的所述Cu金屬布線結(jié)構(gòu)上覆蓋沉積薄阻擋材料層，在所述金屬互連層的所述Cu金屬布線結(jié)構(gòu)上形成阻擋金屬層，其中所述覆蓋沉積的薄阻擋材料層的一部分經(jīng)過每個陣列像素的光路。
46.根據(jù)權(quán)利要求45的方法，還包括在與所述陣列的每個像素的光路一致的區(qū)域選擇除去所述薄阻擋材料層的一部分的步驟。
47.根據(jù)權(quán)利要求46的方法，其中在每個金屬化級覆蓋沉積所述薄阻擋材料層后，在與光路一致的區(qū)域選擇除去所述薄阻擋材料層的一部分的所述步驟包括如下步驟提供掩模結(jié)構(gòu)，所述掩模結(jié)構(gòu)光刻構(gòu)圖為在經(jīng)過每個像素的所述光路的位置打開所述阻擋材料層的區(qū)域；以及進行蝕刻工藝以除去在所述區(qū)域的所述薄阻擋材料層。
48.根據(jù)權(quán)利要求40的方法，還包括在所述襯底和所述疊層的第一級間介質(zhì)層之間形成阻擋材料層的步驟。
49.根據(jù)權(quán)利要求48的方法，其中步驟a還包括在每個像素的所述光敏元件上的所述襯底中形成絕緣材料結(jié)構(gòu)的步驟，所述方法還包括在與每個像素的所述形成的絕緣材料結(jié)構(gòu)對應(yīng)的區(qū)域選擇除去所述襯底上的所述阻擋材料層的一部分。
全文摘要
一種圖像傳感器(20)及制造方法，其中該傳感器包括銅(Cu)金屬化級(135a，135b)，允許結(jié)合較薄的級間介質(zhì)疊層(130a－130c)以導(dǎo)致象素陣列(100)顯示增加的光敏感性。圖像傳感器包括具有最小厚度的阻擋金屬層(132a，132b)的結(jié)構(gòu)，阻擋金屬層經(jīng)過傳感器陣列中的每個象素的光路，或者具有從每個象素的光路選擇除去的阻擋金屬層的一部分(50)，從而最小化反射率。即，通過進行各種阻擋或單掩模方法，在陣列中的每個象素的光路的位置完全除去阻擋金屬層的一部分。在另一個實施例中，可以通過自對準(zhǔn)沉積在Cu金屬化上形成阻擋金屬層(142)。
文檔編號H01L29/04GK101088165SQ200580044500
公開日2007年12月12日 申請日期2005年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月23日
發(fā)明者J·W·阿基森, J·P·甘比諾, M·D·賈菲, R·K·萊迪, R·J·拉斯?fàn)? A·K·斯坦珀 申請人:國際商業(yè)機器公司