專利名稱：Ic芯片、天線以及它們的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有天線以便以無(wú)線的方式雙向接收、發(fā)送、或傳輸數(shù)據(jù)的IC芯片(比如無(wú)線芯片、無(wú)線IC、RFIC、或IC標(biāo)簽)以及這種IC芯片的制造方法。此外，本發(fā)明涉及一種用于IC芯片的、能以無(wú)線的方式雙向接收、發(fā)送、或傳輸數(shù)據(jù)的天線以及這種天線的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，對(duì)具有無(wú)線傳輸數(shù)據(jù)功能的IC(比如無(wú)線標(biāo)簽、IC標(biāo)簽、或非接觸IC卡)進(jìn)行了積極的開發(fā)。IC標(biāo)簽和非接觸IC卡都需要一種用于無(wú)線傳輸數(shù)據(jù)的天線。
存在內(nèi)置天線和外部天線兩種，內(nèi)置天線直接形成于IC芯片之上，而外部天線則形成于與IC芯片不同的基材上。外部天線線圈是天線的主流，因?yàn)樗^大所以它能夠擴(kuò)展通信距離。
作為一種制造外部天線的方法，使用蝕刻的方法、印刷方法等都是已知的。對(duì)于蝕刻這種情況，通過(guò)光刻處理和蝕刻處理，可以使金屬箔(比如通過(guò)汽相沉積或裱糊而形成于塑料基片之上的銅或鋁)形成想要的形狀。對(duì)于印刷這種情形，通過(guò)像絲網(wǎng)印刷方法這樣的技術(shù)，將導(dǎo)電聚合物印刷在膜狀基材上并使其形成天線線圈的形狀。

發(fā)明內(nèi)容
用作天線的引線形成于絕緣基材上。從電阻的觀點(diǎn)看，該引線需要幾十納米的厚度。因此，因引線而導(dǎo)致的不均勻性變得相當(dāng)大，這對(duì)天線的密封模式或裝有天線的產(chǎn)品本身的模式帶來(lái)了限制。此外，外來(lái)雜質(zhì)變得很容易混入天線的各引線之間。結(jié)果，電學(xué)特性和制造成品率都很容易下降。為了解決這樣的問(wèn)題，在天線的各引線之間的凹陷部分，填充絕緣材料，以使該天線的表面變平滑。
作為形成絕緣材料的方法，有一種用CVD方法等來(lái)沉積無(wú)機(jī)絕緣膜的方法；然而，很難只在各引線之間的凹陷部分上選擇性地沉積無(wú)機(jī)絕緣膜。因此，需要一種不同的處理過(guò)程，比如回蝕方法。此外，有一種涂敷有機(jī)樹脂材料的方法；然而，問(wèn)題在于連接端變得很難形成或者天線的靈敏度下降了，這是因?yàn)橐€具有幾十納米的厚度并且需要使有機(jī)樹脂膜更厚。
對(duì)于外部天線這種情況，另外需要將天線安裝到集成電路上這一過(guò)程。結(jié)果，必需的材料或器件增多了，這是成本得不到降低的因素之一。
考慮到上述內(nèi)容，本發(fā)明的目的是提供一種具有平整表面且不帶有因引線而導(dǎo)致的臺(tái)階的天線以及具有這種天線的IC芯片。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種有利于天線的制造且還有利于將天線安裝到集成電路上的IC芯片以及這種IC芯片的制造方法。
本發(fā)明的IC芯片是通過(guò)使層疊體卷起來(lái)而形成的，而該層疊體則是通過(guò)至少使條狀或線狀導(dǎo)電膜、第一樹脂膜、集成電路以及第二樹脂膜層疊在一起而形成的，使得第二樹脂膜靠外面，其中條狀或線狀導(dǎo)電膜電連接到集成電路。
本發(fā)明的IC芯片的表面覆蓋有第一和第二樹脂膜。第一和第二樹脂膜最好由相同材料制成的膜來(lái)形成，因?yàn)榈谝缓偷诙渲た梢跃哂邢嗤臒崤蛎浵禂?shù)。
在本發(fā)明的IC芯片中，兩層或更多層導(dǎo)電膜以及兩層或更多層集成電路都可以形成于上述層疊體中。在這種情況下，樹脂膜可以被插入導(dǎo)電膜之間、集成電路之間、或?qū)щ娔ず图呻娐分g。此外，可以將該層疊體卷起來(lái)，使得樹脂膜在前面。
一種用于制造本發(fā)明的IC芯片的方法，包括如下步驟使層疊體卷起來(lái)，該層疊體是通過(guò)使導(dǎo)電膜、第一樹脂膜、多個(gè)集成電路以及第二樹脂膜層疊在一起而形成的，或者該層疊體是通過(guò)使集成電路、第一樹脂膜、條狀或線狀導(dǎo)電膜以及第二樹脂膜層疊在一起而形成的，使得第二樹脂膜靠外面；在導(dǎo)電膜電連接到集成電路的情況下，通過(guò)使第一樹脂膜和第二樹脂膜軟化，使層疊體固定成卷筒形；以及沿著使一卷層疊體看起來(lái)處于橫截面中的方向，切割該層疊體。
在上述用于制造IC芯片的方法中，導(dǎo)電膜是片狀的。
在上述用于制造IC芯片的方法中，導(dǎo)電膜是按線或條來(lái)形成的。
根據(jù)本發(fā)明用于制造IC芯片的方法，兩層或更多層導(dǎo)電膜以及兩層或更多層集成電路可以都形成于層疊體中。在這種情況下，樹脂膜可以被插入導(dǎo)電膜之間、集成電路之間、或?qū)щ娔ず图呻娐分g。此外，使層疊體卷起來(lái)，使得樹脂膜變?yōu)楸砻妗?br> 本發(fā)明的天線是通過(guò)使層疊體卷起來(lái)而形成的，而該層疊體則是通過(guò)使至少一層樹脂膜和至少一層條狀或線狀導(dǎo)電膜層疊在一起而形成的。此外，本發(fā)明的天線是通過(guò)使層疊體卷起來(lái)而形成的，而該層疊體則是通過(guò)使樹脂膜和條狀或線狀導(dǎo)電膜層疊在一起而形成的，其中除導(dǎo)電膜的連接部分以外導(dǎo)電膜的表面均被樹脂膜覆蓋。
根據(jù)本發(fā)明，兩層或更多層導(dǎo)電膜可以被層疊在天線中。在這種情況下，樹脂膜可以被插入導(dǎo)電膜之間、集成電路之間、或?qū)щ娔ず图呻娐分g。當(dāng)使用多個(gè)樹脂膜時(shí)，這些樹脂膜最好是用相同的材料制成，以便具有相同的熱膨脹系數(shù)。
一種用于制造天線的方法，包括如下步驟使層疊體卷起來(lái)，該層疊體是通過(guò)使樹脂膜和導(dǎo)電膜層疊在一起而形成的；通過(guò)使樹脂膜軟化，來(lái)固定樹脂膜和導(dǎo)電膜；以及沿著使一卷導(dǎo)電膜看起來(lái)處于橫截面中的方向，切割該層疊體。
在上述用于制造天線的方法中，導(dǎo)電膜是片狀的。在上述用于制造天線的方法中，通過(guò)在一對(duì)條狀或線狀第一圖案之間平行地排列多個(gè)條狀或線狀第二圖案，便形成了導(dǎo)電膜。
在根據(jù)本發(fā)明用于制造天線的方法中，可以通過(guò)樹脂膜來(lái)層疊兩層或更多層導(dǎo)電膜。在這種情況下，使層疊體卷起來(lái)，使得樹脂膜變?yōu)楸砻妗?br> 因?yàn)樵诒景l(fā)明的IC芯片中導(dǎo)電膜和樹脂膜是卷起來(lái)的，所以用作天線的導(dǎo)電膜的凹陷部分可以填充有樹脂膜，所以外來(lái)雜質(zhì)不會(huì)混入天線的各引線之間。此外，該IC芯片的頂部表面和底部表面都是平的。因此，IC芯片變得很容易安裝到產(chǎn)品上。另外，可以在不影響產(chǎn)品美觀的情況下，將帶有天線的IC芯片安裝到產(chǎn)品上。
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)切割卷曲的層疊體(其中集成電路和導(dǎo)電膜彼此電連接)這一極其簡(jiǎn)單的方法，便可以制造帶有天線的IC芯片。因此，可以按制造過(guò)程的順序，來(lái)執(zhí)行天線的制造過(guò)程以及將天線安裝到集成電路上的過(guò)程。此外，根據(jù)本發(fā)明，可以很容易地制造安裝有天線且具有平整的頂面和底面的IC芯片。
因?yàn)樵诒景l(fā)明的天線中導(dǎo)電膜和樹脂膜是卷起來(lái)的，所以用作天線的導(dǎo)電膜的凹陷部分可以用樹脂膜來(lái)填充。因此，天線的頂面和底面都是平的。
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)使導(dǎo)電膜和樹脂膜卷起來(lái)再切割該卷筒這一極其簡(jiǎn)單的方法，便可以形成天線。根據(jù)本發(fā)明的制造方法，用作天線的導(dǎo)電膜的凹陷部分可以用樹脂膜來(lái)填充。因此，根據(jù)本發(fā)明，天線的頂面和底面都是平的，因?yàn)橛米魈炀€的導(dǎo)電膜的凹陷部分可以用樹脂膜來(lái)填充，并且可以防止外來(lái)雜質(zhì)混入該天線的各引線之間。因?yàn)樘炀€的兩個(gè)表面都具有相同的形狀，所以可以很容易執(zhí)行將天線安裝到集成電路上的過(guò)程。此外，集成電路可以安裝到天線的兩個(gè)表面上。


圖1是示出了用于制造帶天線的IC芯片的方法的解釋說(shuō)明圖(實(shí)施方式1)；圖2A和2B是集成電路的頂視圖和橫截面圖(實(shí)施方式1)；圖3是示出了用于制造帶天線的IC芯片的方法的解釋說(shuō)明圖(實(shí)施方式1)；圖4是示出了帶天線的IC芯片的外部的透視圖(實(shí)施方式1)；圖5是示出了帶天線的IC芯片的橫向截面的圖(實(shí)施方式1)；圖6是示出了用于制造帶天線的IC芯片的方法的解釋說(shuō)明圖(實(shí)施方式1)；圖7是示出了用于制造帶天線的IC芯片的方法的解釋說(shuō)明圖(實(shí)施方式2)；圖8是導(dǎo)電膜的頂視圖(實(shí)施方式2)；圖9是示出了用于制造帶天線的IC芯片的方法的解釋說(shuō)明圖(實(shí)施方式2)；圖10是示出了帶天線的IC芯片的外部的透視圖(實(shí)施方式1)；圖11是示出了帶天線的IC芯片的橫向截面的圖(實(shí)施方式2)；圖12是示出了用于制造天線的方法的解釋說(shuō)明圖(實(shí)施方式3)；圖13是示出了用于制造天線的方法的解釋說(shuō)明圖(實(shí)施方式3)；圖14是示出了天線的外部的透視圖(實(shí)施方式3)；圖15A和15B是示出了用于制造帶天線的IC芯片的方法的解釋說(shuō)明圖(實(shí)施方式3)；圖16A和16B是示出了帶天線的IC芯片的外部的透視圖(實(shí)施方式3)圖17是示出了用于制造天線的方法的解釋說(shuō)明圖(實(shí)施方式4)；圖18是導(dǎo)電膜的頂視圖(實(shí)施方式4)；圖19是示出了用于制造天線的方法的解釋說(shuō)明圖(實(shí)施方式4)；圖20是示出了天線的外部的透視圖(實(shí)施方式4)；圖21是示出了天線的橫向截面的透視圖(實(shí)施方式4)；圖22A-22E是示出了用于制造柔性集成電路的方法的解釋說(shuō)明圖(實(shí)施方式5)；圖23A-23D是示出了用于制造柔性集成電路的方法的解釋說(shuō)明圖(實(shí)施方式5)；圖24A-24C是示出了用于制造柔性集成電路的方法的解釋說(shuō)明圖(實(shí)施方式6)；圖25A-25E是示出了使用無(wú)線芯片的產(chǎn)品的解釋說(shuō)明圖(實(shí)施方式7)；圖26是示出了一種使用無(wú)線芯片的系統(tǒng)的解釋說(shuō)明圖(實(shí)施方式7)；以及圖27是示出了一種使用無(wú)線芯片的系統(tǒng)的解釋說(shuō)明圖(實(shí)施方式7)。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施方式1在下面的實(shí)施方式中，將對(duì)本發(fā)明進(jìn)行解釋。應(yīng)該理解，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不背離本發(fā)明的本質(zhì)特征的精神的情況下，關(guān)于材料、尺寸、制造方法等的各種變化和修改都是很明顯的，或者各種實(shí)施方式中有關(guān)上述這些的各種組合也是很明顯的。
在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D1-6來(lái)解釋用于制造帶天線的IC芯片的方法。
準(zhǔn)備用于形成天線引線的片狀導(dǎo)電膜11、多個(gè)集成電路12以及用于將天線固定到集成電路上的樹脂膜13、14。如圖1所示，按順序地層疊了導(dǎo)電膜11、樹脂膜13、集成電路12以及樹脂膜14。
作為導(dǎo)電膜11，可以使用銅、鋁等金屬箔。天線的線寬是根據(jù)導(dǎo)電膜11的厚度來(lái)最后限定的。導(dǎo)電膜可以形成90-150微米的厚度。
圖2A是樹脂膜14上所形成的集成電路12的頂視圖。圖2B是圖2A所示集成電路12沿A-A’線截取的橫截面圖。多個(gè)集成電路12形成于樹脂膜14上。集成電路12形成條形或線形，以便最終卷起來(lái)。用于連接天線的連接部分15被設(shè)置在集成電路12的兩端。在本實(shí)施方式中，半球形凸塊被用作連接部分15；然而，它并不限于該形狀。例如，可以使用尖角的楔形凸塊。
集成電路12主要由電源單元以及具有CPU和存儲(chǔ)器的邏輯單元組成。電源單元由下列組成整流電路，用于產(chǎn)生電源，其信號(hào)被天線接收；保留體積，用于保持所產(chǎn)生的電源；等等。邏輯單元由下列組成解調(diào)電路，用于對(duì)接收到的信號(hào)進(jìn)行解調(diào)；時(shí)鐘電路，用于產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)；識(shí)別/測(cè)定電路，用于識(shí)別各個(gè)代碼或測(cè)定；用于產(chǎn)生信號(hào)的存儲(chǔ)器控制器，所產(chǎn)生的信號(hào)被用于利用接收到的信號(hào)從存儲(chǔ)器中讀出數(shù)據(jù)；編碼電路，用于對(duì)從存儲(chǔ)器中讀出的數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼；調(diào)制電路，用于將編碼后的信號(hào)疊加于接收到的信號(hào)之上；以及用于保存數(shù)據(jù)的掩碼ROM。
作為一種制造集成電路12的方法，可以形成這樣一種方法，即，由有機(jī)TFT、非晶TFT(薄膜晶體管)、微晶TFT(薄膜晶體管)等構(gòu)成的集成電路直接形成于樹脂膜14上；或者可以使用這樣一種方法，即，主要由基片(而非樹脂膜14，它可以是玻璃基片或石英基片)上的結(jié)晶硅TFT(薄膜晶體管)構(gòu)成的集成電路與用于制造集成電路的基片是彼此分開的，然后，分開的集成電路被固定到樹脂膜14上。后一種方法將在實(shí)施方式5和6中給予描述。
集成電路12形成于樹脂膜14上；然而，可以使用柔性基片來(lái)替代樹脂膜14。作為柔性基片，可以使用由塑料制成的膜，比如PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二酯)、或PES(聚醚砜)；或由合成樹脂制成的膜，比如丙烯酸。
作為樹脂膜13、14，使用了下文將描述的通過(guò)施加能量(比如熱或紫外線)使其軟化而后再次硬化的樹脂，以便將導(dǎo)電膜11連接到集成電路12。通常，可以使用熱塑性樹脂膜和熱熔片。在包括本實(shí)施方式在內(nèi)的下列實(shí)施方式中，使用熱塑性樹脂膜的示例被用于樹脂膜13、14。
可將膜狀基材用作所述熱塑性樹脂膜，所述基材是例如，聚烯烴樹脂，如聚乙烯、聚丙烯或聚甲基戊烯；乙烯基共聚物，例如氯乙烯、乙酸乙烯酯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、偏二氯乙烯、聚乙烯醇縮丁醛或聚乙烯醇；丙烯酸樹脂；聚酯樹脂；聚氨酯樹脂；纖維素樹脂，例如纖維素、乙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素、醋酸丙酸纖維素或乙基纖維素；苯乙烯樹脂，例如聚苯乙烯或丙烯腈-苯乙烯共聚物。
如圖3所示，通過(guò)將導(dǎo)電膜11、樹脂膜13、集成電路12和樹脂膜14層疊在一起而形成的層疊體被卷起來(lái)，使得樹脂膜14在外面。在這種情況下，該層疊體在芯中最好不具有空腔。因此，在使導(dǎo)電膜11卷一次或多次而形成芯之后，再使該層疊體卷起來(lái)。在圖3中，導(dǎo)電膜11只卷了一次；然而，卷曲的次數(shù)并不限于此。用作芯的膜并不限于導(dǎo)電膜11；層疊體中所包括的任何膜都是可以使用的。最好使用導(dǎo)電膜11的原因是，導(dǎo)電膜11比樹脂膜13、14更硬并且可以很容易卷起來(lái)，因?yàn)樗幌窦呻娐?2那樣具有復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。通過(guò)將能量加到卷起來(lái)的層疊體上，便使樹脂膜13、14軟化了，并且隨后又再次硬化。因此，構(gòu)成層疊體的膜彼此粘在一起，固定成卷曲形狀。
因?yàn)樵诒緦?shí)施方式中樹脂膜13、14是用熱塑性樹脂制成的，所以在預(yù)定的溫度下加熱該層疊體以使樹脂膜13、14軟化。在樹脂膜13、14已軟化的狀態(tài)中，使層疊體在壓力下接合，所以導(dǎo)電膜11物理連接到集成電路12的連接部分15。因?yàn)榧訜嵋孕纬删砬膶盈B體，所以樹脂膜13、14最好由具有相同熱膨脹系數(shù)的膜構(gòu)成。
如圖3所示，通過(guò)使樹脂膜13、14硬化，層疊體被固定成卷曲形狀。此時(shí)，導(dǎo)電膜11和集成電路12彼此電連接，因?yàn)閷?dǎo)電膜11和連接部分15彼此物理接觸。在本實(shí)施方式中，該卷筒的橫截面是矩形；然而，它并不限于此。也可以使用圓形、卵形、三角形、多邊形等。
如圖3所示，通過(guò)使用切片機(jī)或線狀鋸，沿橫向(卷曲的導(dǎo)電膜11等看起來(lái)處于橫截面中的那個(gè)方向)切割層疊體，以形成IC芯片17。在圖3中，虛線表示切割位置。當(dāng)切割層疊體時(shí)，導(dǎo)電膜11、樹脂膜13、14被切割，使得集成電路12不被切割。
圖4是IC芯片17的外部圖。圖5是被橫向切割的IC芯片17的橫截面圖。如圖5所示，導(dǎo)電膜11是卷起來(lái)的，并且通過(guò)卷曲起點(diǎn)和末點(diǎn)處的連接部分15而電連接到集成電路12，因此，導(dǎo)電膜11用作天線。
如圖4所示，IC芯片17的表面大部分都被樹脂膜13、14覆蓋著。導(dǎo)電膜11暴露于IC芯片17的頂面和底面(對(duì)應(yīng)于切割面)，并且因卷形導(dǎo)電膜11而導(dǎo)致的凹陷部分是用樹脂膜13、14來(lái)填充的。因此，IC芯片17的頂面和底面是平的。
因?yàn)閷?dǎo)電膜11暴露于IC芯片17的頂面和底面，所以最好像圖6所示那樣用兩個(gè)膜18來(lái)封住IC芯片17。因此，IC芯片17變得很容易處理，并且導(dǎo)電膜11的惡化可以被抑制。作為膜18，最好使用熱塑性樹脂制成的膜。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，可以在形成天線的同時(shí)使天線和集成電路彼此電連接，所以過(guò)程變得簡(jiǎn)化了，并且制造所需的材料和制造設(shè)備都可以減少。
實(shí)施方式2在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D7-11解釋一種用于制造IC芯片的方法。本實(shí)施方式是實(shí)施方式1的修改示例，并且還是預(yù)先將用作天線的導(dǎo)體形成預(yù)定的形狀的示例。
如圖8所示，多個(gè)條形或線形導(dǎo)電膜31形成于樹脂膜13上。像實(shí)施方式1那樣，準(zhǔn)備集成電路12以及用于將天線固定到集成電路上的樹脂膜13、14。
導(dǎo)電膜31是這樣形成的將銅或鋁制成的金屬箔貼到樹脂膜13的表面上；或者用濺射方法或汽相沉積方法在樹脂膜13上沉積一層銅或鋁的導(dǎo)電膜，并且將所獲得的導(dǎo)電膜蝕刻成線形或條形。或者，通過(guò)印刷方法(比如絲網(wǎng)印刷方法)或噴墨方法，在樹脂膜13的表面上印刷或繪制條形或線形導(dǎo)電樹脂，便可以形成導(dǎo)電膜31。作為具有導(dǎo)電膜31的基片，可以使用由上述材料制成的柔性基片，來(lái)替代樹脂膜13。
在下面的過(guò)程中，像實(shí)施方式1那樣，形成帶天線的IC芯片，以此用作無(wú)線芯片。如圖7所示，按順序地形成導(dǎo)電膜31、樹脂膜13、集成電路12以及樹脂膜14，從而形成層疊體。在這種情況下，導(dǎo)電膜31和集成電路12按順序地形成于樹脂膜13和14上，所以導(dǎo)電膜31和集成電路12排列在相同的方向上并且一一對(duì)應(yīng)。
使上述層疊體卷起來(lái)，使得樹脂膜14用作外表面。像實(shí)施方式1那樣，層疊體中的任何一種膜最好被卷成芯，這樣，層疊體不會(huì)在芯中具有空腔。就像實(shí)施方式1那樣，以導(dǎo)電膜31卷曲多次而形成的芯為中心，使層疊體卷起來(lái)。另一種膜也可以用作芯。加熱卷起的層疊體，以使樹脂膜13、14軟化。在樹脂膜13、14軟化的狀態(tài)中，層疊體因壓力而接合，所以導(dǎo)電膜31物理連接到集成電路12的連接部分15。樹脂膜13、14再次硬化，因此，可以獲得如圖9所示的卷起的層疊體。在本實(shí)施方式中，卷筒的橫截面是矩形；然而，它并不限于此。該橫截面可以是圓形、卵形、三角形、多邊形等。
然后，通過(guò)使用切片機(jī)、線狀鋸等，沿橫向(卷曲的導(dǎo)電膜31看起來(lái)處于橫截面中的那個(gè)方向)切割被固定成卷筒形的層疊體。虛線表示切割位置。當(dāng)切割層疊體時(shí)，只有樹脂膜13和14被切割，而導(dǎo)電膜31和集成電路12都沒有被切割。
圖10是IC芯片37的外部圖。圖11是被橫向切割的IC芯片37的橫截面圖。如圖11所示，導(dǎo)電膜31是卷起來(lái)的，并且通過(guò)卷曲起點(diǎn)和末點(diǎn)處的連接部分15而電連接到集成電路12。因此，導(dǎo)電膜31用作天線。
如圖10所示，根據(jù)本實(shí)施方式，針對(duì)IC芯片37，使用這樣一種制造方法，即，導(dǎo)電膜31和集成電路12與樹脂膜13、14一起卷起來(lái)，并且隨后進(jìn)行切割。因卷形導(dǎo)電膜31和集成電路12而導(dǎo)致的凹陷部分是用樹脂膜13、14來(lái)填充的，因此，IC芯片37的頂面和底面是平的。
此外，IC芯片37的整個(gè)表面都可以被樹脂膜13、14覆蓋，所以與實(shí)施方式1中的IC芯片17相比，IC芯片37具有更高的機(jī)械強(qiáng)度并且很容易處理。如有必要，IC芯片37也可以像實(shí)施方式1那樣用膜來(lái)密封。在這種情況下，最好使用熱固性樹脂作為這種膜。因?yàn)閷?dǎo)電膜31預(yù)先形成條形或線形且其寬度比IC芯片37要窄，所以IC芯片37的表面可以被樹脂膜13、14覆蓋。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，可以在形成天線的同時(shí)使天線和集成電路彼此電連接，所以過(guò)程變得簡(jiǎn)化了，并且制造所需的材料和制造設(shè)備都可以減少。
在實(shí)施方式1和2中，層疊體是卷起來(lái)的，所以用作天線的導(dǎo)電膜在外面，而集成膜則在內(nèi)部。然而，導(dǎo)電膜和集成膜的層疊順序可以相反，并且層疊體可以卷起來(lái)從而使得集成電路在外部而用作天線的導(dǎo)電膜在內(nèi)部。
在實(shí)施方式1和2中，用作天線的導(dǎo)電膜11、31以及樹脂膜13、14可以形成足以使層疊體卷起來(lái)的厚度。例如，各厚度被設(shè)置為1-500微米。在實(shí)施方式1和2中，天線的線寬取決于導(dǎo)電膜11、31的厚度。因此，通過(guò)將導(dǎo)電膜11、31的厚度減小到30-100微米，或進(jìn)一步減小到1-30微米，便可以獲得具有薄線寬的天線，這是通過(guò)常規(guī)方式很難獲得的。根據(jù)樹脂膜13、14的厚度，可以改變天線之間的節(jié)距。樹脂膜13、14通常形成30-50微米的厚度。然而，通過(guò)進(jìn)一步使樹脂膜13、14的厚度減小到1-30微米，便可以很容易地制造一種其天線引線之間的節(jié)距較窄的IC芯片。
在實(shí)施方式1和2中，用作天線的一分層導(dǎo)電膜以及一分層的集成電路是分別形成的。兩個(gè)或更多個(gè)分層的導(dǎo)電膜以及兩個(gè)或更多個(gè)分層的集成電路都可以分別形成。在這種情況下，導(dǎo)電膜和集成電路并不按特定的順序進(jìn)行層疊。這些膜是至少要層疊的，使得樹脂膜被插入導(dǎo)電膜之間、集成電路之間、或?qū)щ娔ず图呻娐分g；或者當(dāng)層疊體卷起來(lái)時(shí)，樹脂膜變?yōu)楸砻?。在這種情況下，使用兩層或更多層集成電路，并非所有集成電路層都必然具有連接到導(dǎo)電膜的連接部分。此外，并非所有集成電路層都必然是條形或線形。
實(shí)施方式3在本實(shí)施方式中，將參照?qǐng)D12-16B來(lái)解釋用于制造天線的方法以及用于制造IC芯片的方法。
像圖12所示那樣，制備并層疊片狀導(dǎo)電膜41和樹脂膜42。導(dǎo)電膜41是用于形成天線引線的導(dǎo)體。作為導(dǎo)電膜41，可以使用由樹脂(比如塑料)制成的柔性基片，此處銅、鋁等金屬箔緊密附著于其表面上，或者通過(guò)汽相沉積或粘合接合，使銅或鋁等導(dǎo)電膜緊密附著于其表面上。
樹脂膜42用作粘合劑，能將導(dǎo)電膜41形成卷筒形，并且還用作天線的基片。作為樹脂膜42，使用這樣的樹脂，通過(guò)施加能量(比如熱或紫外線)使該樹脂軟化，然后使其再次硬化。通常，就像實(shí)施方式1和2那樣，使用熱塑性樹脂膜或熱熔片。在本實(shí)施方式中，使用熱塑性樹脂膜作為樹脂膜42。
如圖13所示，由導(dǎo)電膜41和樹脂膜42組成的層疊體是卷起來(lái)的，使得樹脂膜42在外面。在本實(shí)施方式中，該卷筒的橫截面是矩形；然而，它并不限于此。該橫截面可以是圓形、卵形、三角形、多邊形等。較佳地，該層疊體在芯中不具有空腔。因此，在使導(dǎo)電膜41卷一次或卷多次而形成芯之后，使該層疊體卷起來(lái)。
通過(guò)在預(yù)定的溫度下進(jìn)行加熱，使樹脂膜42軟化，然后，又使其硬化。因此，使導(dǎo)電膜41和樹脂膜42疊在一起，從而固定成卷形。
如圖13所示，通過(guò)使用切片機(jī)、線狀鋸等，沿橫向(卷曲的導(dǎo)電膜41看起來(lái)處于橫截面中的那個(gè)方向)切割該卷曲的層疊體，以形成片狀或芯片狀的天線45。在圖13中，虛線表示切割位置。
圖14是天線45的外部圖。通過(guò)硬化的樹脂膜42，導(dǎo)電膜41被定形成卷形或線圈形。在天線45的頂面和底面(這些表面是切割面)上，因卷形導(dǎo)電膜而導(dǎo)致的凹陷部分是用樹脂膜42來(lái)填充的，因此，頂面和底面都是平的。因此，因外來(lái)物質(zhì)滲入天線引線之間而導(dǎo)致的污染可以得到抑制。此外，關(guān)于將天線安裝到IC芯片等上形狀的限制可以得到減弱。因?yàn)榫韯?dòng)的起點(diǎn)變?yōu)樘炀€的連接部分(下文將對(duì)此進(jìn)行描述)，所以通過(guò)使導(dǎo)電膜41卷一次或卷多次而形成芯的過(guò)程會(huì)產(chǎn)生使連接部分的面積增大的效果。因?yàn)榫韯?dòng)的末點(diǎn)也變?yōu)樘炀€的連接部分(下文會(huì)描述)，所以通過(guò)在卷動(dòng)的末點(diǎn)僅使導(dǎo)電膜41卷成芯(就像卷動(dòng)的起點(diǎn)那樣)，便可以增大連接部分的面積。
如圖15A所示，通過(guò)將集成電路46安裝到天線45上，便形成了帶天線的IC芯片47，該芯片用作無(wú)線芯片。當(dāng)集成電路46被安裝到天線45上時(shí)，導(dǎo)電膜41的卷動(dòng)起點(diǎn)或末點(diǎn)附近電連接到天線45。在集成電路46電連接到天線45的情況下，使用不使樹脂膜42變形的材料，比如導(dǎo)電膏、導(dǎo)電膜等。
本實(shí)施方式的天線45具有形狀一樣的頂面和底面(反面和背面)，所以不需要用于限定反面和背面的對(duì)準(zhǔn)過(guò)程，這使安裝過(guò)程更容易。此外，如圖15B所示，集成電路46可以被安裝在天線45的兩側(cè)。通過(guò)將集成電路46安裝到天線45的兩側(cè)，可以獲得冗余。此外，可以增大能夠處理的信息量，同時(shí)不必增大無(wú)線芯片的專用面積。另外，無(wú)線芯片能夠?qū)⒁粋€(gè)集成電路46所接收或檢測(cè)的信息發(fā)送到另一個(gè)集成電路46。
如圖16所示，所獲得的IC芯片47是用兩個(gè)膜48密封的。因此，IC芯片47變得很容易處理，并且惡化可以得到抑制，因?yàn)閷?dǎo)電膜41暴露于天線45的頂面和底面。作為膜48，最好使用由熱固性樹脂制成的膜。
實(shí)施方式4在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D17-21，解釋用于制造天線的方法。
如圖17所示，預(yù)定形狀的導(dǎo)電膜51形成于樹脂膜52上。作為樹脂膜52，使用與實(shí)施方式3中的樹脂膜42相同的膜。
導(dǎo)電膜51是用作天線的導(dǎo)體。為了使導(dǎo)電膜51形成預(yù)定的形狀，將銅或鋁制成的金屬箔貼到樹脂膜52的表面上；或者，通過(guò)濺射方法或汽相沉積方法在樹脂膜52上沉積銅或鋁的導(dǎo)電膜，并且所獲得的導(dǎo)電膜被蝕刻。此外，通過(guò)印刷方法(比如絲網(wǎng)印刷方法)或噴墨方法，可以在樹脂膜52的表面上印刷或繪制條形或線形導(dǎo)電樹脂，從而形成導(dǎo)電膜51。
圖18是用于示出導(dǎo)電膜51的頂視圖。導(dǎo)電膜51由多個(gè)線形或條形導(dǎo)電膜53以及線形或條形的導(dǎo)電膜54、54’共同組成，且導(dǎo)電膜54、54’還用作各天線的連接部分。即，導(dǎo)電膜51的形狀是這樣一種圖案，其中多個(gè)線形或條形的圖案平行排列在一對(duì)線形或條形導(dǎo)電膜之間。
天線可以根據(jù)與實(shí)施方式3相同的方式來(lái)制造。如圖19所示，層疊體是通過(guò)使導(dǎo)電膜51和樹脂膜52疊在一起而形成的，所以樹脂膜52在外面。在這種情況下，層疊體最好在芯中沒有空腔。因此，在使導(dǎo)電膜51的導(dǎo)電膜54卷一次或卷多次而形成芯之后，使層疊體卷起來(lái)。在本實(shí)施方式中，該卷筒的橫截面是矩形；然而，該橫截面可以形成任意形狀，比如圓形、卵形、三角形或多邊形。
然后，在預(yù)定溫度下加熱該層疊體，以使樹脂膜52軟化。樹脂膜52隨后硬化，并且可以獲得像圖19所示那樣固定成卷形的層疊體。
通過(guò)使用切片機(jī)或線狀鋸，沿橫向(卷曲的導(dǎo)電膜51看起來(lái)處于橫截面中的那個(gè)方向)切割卷曲的層疊體，以形成片狀或芯片狀的IC芯片55。在圖19中，虛線表示切割位置。當(dāng)切割層疊體時(shí)，樹脂膜52以及導(dǎo)電膜51的導(dǎo)電膜54、54’被切割，而導(dǎo)電膜51的導(dǎo)電膜53不被切割。因?yàn)榫韯?dòng)是從導(dǎo)電膜54開始的，所以它用作天線的連接部分。因此，通過(guò)使導(dǎo)電膜54卷一次或卷多次而形成芯的過(guò)程會(huì)產(chǎn)生使連接部分的面積增大的效果。因?yàn)榫韯?dòng)的末點(diǎn)也變?yōu)樘炀€的連接部分，所以作為卷動(dòng)末點(diǎn)的導(dǎo)電膜54’最好也像導(dǎo)電膜54那樣通過(guò)卷一次或卷多次而形成芯。
圖20是天線55的外部圖。圖21是示出了被橫向切割的天線的橫截面圖。如圖21所示，通過(guò)硬化的樹脂膜52，使導(dǎo)電膜51的導(dǎo)電膜53定形成卷形或線圈形，從而用作天線。
如圖20所示，除了卷動(dòng)的起點(diǎn)和末點(diǎn)暴露于天線55的頂面和底面的位置以外，天線55均被樹脂膜52覆蓋。暴露的部分是導(dǎo)電膜54、54’，并且用作天線的連接部分。如上所述，除了用作連接部分的導(dǎo)電膜54、54’以外，天線55整個(gè)都被樹脂膜52密封住。此外，天線55的優(yōu)點(diǎn)在于其頂面和底面都是平的，因?yàn)闃渲?2填充了導(dǎo)電膜51之間的間隙。因此，天線55的優(yōu)點(diǎn)還在于它具有高機(jī)械強(qiáng)度且很容易處理。此外，對(duì)安裝的形狀的限制也減少了。
這歸因于以下事實(shí)用作天線主體的導(dǎo)電膜53被定形成線形或條形且比天線55的厚度要??；此外，形成導(dǎo)電膜54、54’，使得導(dǎo)電膜51暴露于任何切割表面。
天線55具有形狀相同的頂面和底面(反面和背面)。因此，不需要用于限定反面和背面的對(duì)準(zhǔn)過(guò)程，這導(dǎo)致安裝過(guò)程很容易。此外，IC可以被安裝到天線55的兩側(cè)上。
通過(guò)使用本實(shí)施方式中的天線55，像實(shí)施方式3那樣將IC芯片安裝到一個(gè)表面或兩個(gè)表面上，以形成帶天線的IC芯片，該芯片可以用作無(wú)線芯片。根據(jù)需要，用熱固性樹脂制成的膜來(lái)密封住所獲得的天線芯片。
在實(shí)施方式3和4中，用作天線的導(dǎo)電膜41、51以及樹脂膜42、52可以形成足以使層疊體卷起來(lái)的厚度。例如，各厚度均被設(shè)為1-500微米。在實(shí)施方式3和4中，天線的線寬取決于導(dǎo)電膜41、51的厚度。因此，通過(guò)使導(dǎo)電膜41、51的厚度減小到30-100微米，或進(jìn)一步減小到1-30微米，便可以獲得具有薄線寬的天線，這是通過(guò)常規(guī)方式很難獲得的。根據(jù)樹脂膜42、52的厚度，可以改變各天線之間的節(jié)距。樹脂膜42、52通常形成30-50微米的厚度。然而，通過(guò)進(jìn)一步使樹脂膜42、52的厚度減小到1-30微米，便可以很容易制造其引線之間的節(jié)距較窄的天線。
實(shí)施方式5在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D22A-23D，解釋用于制造柔性集成電路12的方法的示例。當(dāng)然，所獲得的集成電路可以被用作實(shí)施方式3、4中裝有天線的集成電路。
準(zhǔn)備用于制造集成電路100的基片101。因?yàn)樵诨?01上所制造的薄膜集成電路100會(huì)與集成電路100分開，所以基片101可以重復(fù)使用。作為基片101，最好使用石英基片。作為基片101，可以使用玻璃基片，石英基片、金屬基片、或不銹鋼基片，這些基片在其表面上都具有絕緣膜；具有耐熱性的塑料基片，能夠忍受制造過(guò)程中的處理溫度；等等。
在基片101上，形成了用作剝離膜102的薄膜。剝離膜102具有使集成電路100和基片101粘在一起的功能。在完成集成電路100之后，在不影響集成電路100的情況下除去剝離膜102。
如圖22A、22B所示，在形成集成電路100的區(qū)域內(nèi)，通過(guò)光刻方法或蝕刻方法，形成了用作剝離膜102的薄膜。圖22B是基片101的頂視圖，而圖22A則是圖22B沿虛線B-B’截取的橫截面圖。
在圖22B中，剝離膜102中由虛線指示的矩形區(qū)域最終具有集成電路100。有這樣一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，即，通過(guò)對(duì)剝離膜102進(jìn)行初步蝕刻以除去不需要的部分，從而很容易除去剝離膜102。如果沒有這個(gè)需要，則剝離膜102可以保留在基片101的整個(gè)表面上而不進(jìn)行蝕刻。
作為用作剝離膜102的薄膜，可以使用由下列材料制成的單層膜鎢、鉬、鈦、鉭、鈮、鎳、鈷、鋯、鋅、釕、銠、鉛、鋨、銥、或硅等元素；以上述元素為其主要成分的合金材料；或以上述元素為其主要成分的化合物材料?；蛘?，可以使用由選自上述單層膜的膜組成的層疊膜。含硅的層的結(jié)晶結(jié)構(gòu)可以是非晶結(jié)構(gòu)、微晶結(jié)構(gòu)、或多晶結(jié)構(gòu)中的任一種。作為一種沉積用作剝離膜102的薄膜的方法，可以使用像濺射方法或等離子體CVD方法這樣的已知沉積方法。
作為剝離膜102，可以使用由下列材料制成的單層膜鎢，鉬，鎢和鉬的混合物，鎢或鉬的氧化物，鎢或鉬的氮化物，鎢或鉬的氧氮化物，鎢和鉬的混合物的氧化物，鎢和鉬的混合物的氮化物，或者鎢和鉬的混合物的氧氮化物?；蛘撸部梢允褂糜蛇x自上述單層膜的膜組成的多層膜。鎢和鉬的混合物對(duì)應(yīng)于鎢和鉬的合金。鎢的氧化物可以被稱為氧化鎢。
如果通過(guò)在鎢層上層疊氧化鎢層從而形成剝離膜102，則可以實(shí)現(xiàn)這樣一種現(xiàn)象，即，當(dāng)氧化硅膜形成于鎢層頂面上時(shí)在氧化硅膜和鎢層之間的界面處形成了含氧化鎢的層。如果形成鎢的氮化物作為第二層，則形成了氮化硅膜。如果形成鎢的氧氮化物作為第二層，則形成了氧氮化硅膜。在這種情況下，氧化硅膜、氮化硅膜和氧氮化硅膜都可以用作絕緣膜103，下文會(huì)對(duì)此進(jìn)行描述。
如圖22C所示，形成絕緣膜103，以便經(jīng)由剝離膜102覆蓋基片101的頂面。絕緣膜103用作基膜和阻擋膜，用于防止雜質(zhì)的滲入。例如，形成氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜構(gòu)成的單層膜或多層膜，并以之作為絕緣膜103。
下文將解釋用多層膜來(lái)形成絕緣膜103的示例。形成兩層氧氮化硅膜，它們具有不同的氮、硅和氧的組成比例。與氧氮化硅膜的頂層相比，氧氮化硅膜的底層具有更大的氮含量。對(duì)于三層結(jié)構(gòu)的情況，形成氧化硅膜并作為從頂部算起的第一層，形成具有不同組成比例的氧氮化硅膜并作為第二和第三層，其中在基片一側(cè)形成其氮含量比其它膜要大的膜。
如圖22D所示，通過(guò)在絕緣膜103上形成晶體管、電容器、電阻等，便形成了具有期望的功能的集成電路。在圖22D中，粗率地示出了由n溝道型薄膜晶體管105和p溝道型薄膜晶體管106組成的反相器。
如圖22E所示，形成了絕緣膜107，用于覆蓋由n溝道型薄膜晶體管105和p溝道型薄膜晶體管106組成的集成電路。絕緣膜107是由絕緣膜的單層或?qū)盈B層構(gòu)成的，該絕緣膜由無(wú)機(jī)材料或有機(jī)材料制成。最好形成絕緣膜107，使得因薄膜晶體管而導(dǎo)致的集成電路不均勻性可以被平整化。因此，至少一層絕緣膜107最好由下列材料構(gòu)成有機(jī)樹脂膜，比如丙烯酸、聚酰亞胺、或聚酰胺；或無(wú)機(jī)材料制成的絕緣膜，比如通過(guò)涂敷溶液而形成的SOG膜。
如圖23A和23B所示，層疊材料(包括剝離膜102上所形成的絕緣膜103)被蝕刻，使得剝離膜102露出來(lái)從而使各個(gè)集成電路100彼此分隔開。圖23B是基片101的頂視圖，而圖23A是圖23B中沿虛線B-B’截取的橫截面圖。
然后，除去剝離膜102。在本實(shí)施方式中，剝離膜102被蝕刻掉了。如果剝離膜102由上述材料構(gòu)成，則含鹵素氟化物或鹵間化合物的氣體或液體可以被用作蝕刻劑。例如，可以使用三氟化氯ClF3)氣體。如圖23C所示，通過(guò)對(duì)剝離膜102進(jìn)行蝕刻，使集成電路100從基片101上分離并剝離。結(jié)果，集成電路100本身具有柔韌性。
如圖23D所示，基片110被固定到集成電路100的一個(gè)表面，該集成電路100已從基片101上分離。基片110是一種柔性基片，并且對(duì)應(yīng)于實(shí)施方式1、2中的樹脂膜14(參照?qǐng)D2等)。在本實(shí)施方式中，基片110被固定到絕緣膜103的一側(cè)；然而，基片110也可以被固定到絕緣膜107這一側(cè)。如圖2所示，條形或線形集成電路100平行排列在基片110上。
根據(jù)實(shí)施方式1、2中所解釋的過(guò)程，通過(guò)使用基片110上的柔性集成電路100，便可以制造帶天線的IC芯片。在薄膜晶體管的一般制造過(guò)程中，或者在將集成電路100移動(dòng)到基片110上之后，形成了到集成電路100的天線的連接部分。
作為基片110，可以使用除樹脂膜14以外的柔性基片，用于制造IC芯片。例如，可以使用纖維材料(比如紙)制成的膜、基材膜(聚酯、聚酰胺、無(wú)機(jī)沉積膜、紙等)、粘性合成樹脂膜(丙烯酸合成樹脂、環(huán)氧合成樹脂等)。
實(shí)施方式6在實(shí)施方式5中，用蝕刻劑將剝離膜102完全蝕刻掉，以使集成電路100從基片101上剝離(參照?qǐng)D23C)。在本實(shí)施方式中，將解釋在未完全除去剝離膜102從而使剝離膜102的一部分仍然保留的情況下停止蝕刻的示例。
在圖23A所示的處理之后，如圖24A所示，在剝離膜102的一部分仍然保留的情況下停止蝕刻。
如圖24B所示，基片121被固定到絕緣膜107這一側(cè)。然后，通過(guò)從外部施加機(jī)械力(比如氣體的風(fēng)壓或超聲波)，來(lái)剝離集成電路100，使其與基片101分開。盡管圖24B示出了從集成電路100中完全除去剝離膜102，但是剝離膜102可以仍然留在集成電路100這一側(cè)。
基片121被固定到集成電路100的絕緣膜103這一側(cè)或絕緣膜107這一側(cè)，而集成電路100可從基片101上剝離并分離。
圖24C示出了將基片121固定到絕緣膜103這一側(cè)的示例?；?21對(duì)應(yīng)于實(shí)施方式1和2中的樹脂膜14。當(dāng)然，除樹脂膜14以外的柔性基片都可以用作基片121。
實(shí)施方式7在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D25A-27解釋了使用帶天線的IC芯片(無(wú)線芯片)的產(chǎn)品以及它的用途。
例如，IC芯片可以通過(guò)粘貼到下列物品上而得到應(yīng)用紙幣，硬幣，證券，無(wú)記名債券，證件(比如圖25A所示的駕照或居住證)，包裝容器(比如包裝紙或圖25B所示的瓶子)，記錄介質(zhì)(比如圖25C所示的DVD軟件或錄像磁帶)，交通工具(比如圖25D所示的自行車)，日用品(比如圖25E所示的包或眼鏡)。此外，像食品、衣服、生活用品、或電器等各種產(chǎn)品都可以具有IC芯片。上述電器表示液晶顯示設(shè)備、EL顯示設(shè)備、電視設(shè)備(也被稱為TV、TV接收機(jī)或電視接收機(jī))、手機(jī)等。圖25A-25E中的各個(gè)標(biāo)號(hào)200是指無(wú)線芯片。
通過(guò)貼在產(chǎn)品表面上或嵌入產(chǎn)品中，便可以將IC芯片固定到產(chǎn)品上。例如，IC芯片可以被嵌入書的紙張中，或被嵌入有機(jī)樹脂制成的包裝用物中。對(duì)于紙幣、硬幣、證券、無(wú)記名債券、證件等而言，IC芯片可以被貼到產(chǎn)品的表面上或被嵌入產(chǎn)品中。因?yàn)楸景l(fā)明的無(wú)線芯片具有平整的表面，所以該無(wú)線芯片可以被安裝到產(chǎn)品上，同時(shí)不對(duì)其設(shè)計(jì)造成破壞。
通過(guò)為包裝容器、記錄介質(zhì)、日用品、食品、衣服、生活用品、電器等提供無(wú)線芯片，便可以使檢測(cè)系統(tǒng)或出租商店中所用的系統(tǒng)的效率得以提高。
圖26和27示出了一種通過(guò)使用無(wú)線芯片來(lái)控制產(chǎn)品的檢測(cè)或分布的系統(tǒng)的示例。如圖26所示，讀取器/寫入器211被設(shè)置在具有顯示部分的便攜終端210(比如手機(jī))的側(cè)面。另一方面，將無(wú)線芯片216設(shè)置到產(chǎn)品215上?？梢詷?gòu)建這樣一種系統(tǒng)，當(dāng)讀取器/寫入器295被置于無(wú)線芯片216之上時(shí)，在便攜終端210的顯示部分上，可以顯示產(chǎn)品215的原材料、原產(chǎn)地、銷售過(guò)程等信息。
如圖27所示，無(wú)線芯片221被預(yù)先設(shè)置到待檢測(cè)的產(chǎn)品220上。通過(guò)將讀取器/寫入器223設(shè)置在傳動(dòng)帶輸送機(jī)222的側(cè)面，產(chǎn)品220的檢測(cè)可以通過(guò)讀取器/寫入器223很容易地進(jìn)行。檢測(cè)結(jié)果可以通過(guò)讀取器/寫入器223被寫入無(wú)線芯片221中。
權(quán)利要求
1.一種IC芯片，其中通過(guò)使至少導(dǎo)電膜、第一樹脂膜、集成電路和第二樹脂膜疊在一起而形成的層疊體被卷了起來(lái)，使得所述第二樹脂膜在外面；其中所述導(dǎo)電膜電連接到所述集成電路。
2.一種IC芯片，其中通過(guò)使至少導(dǎo)電膜、第一樹脂膜、集成電路和第二樹脂膜疊在一起而形成的層疊體被卷了起來(lái)，使得所述第二樹脂膜在外面；其中所述導(dǎo)電膜電連接到所述集成電路，并且所述導(dǎo)電膜的表面被所述第一樹脂膜和所述第二樹脂膜覆蓋。
3.一種IC芯片，其中通過(guò)使至少集成電路、第一樹脂膜、導(dǎo)電膜和第二樹脂膜疊在一起而形成的層疊體被卷了起來(lái)，使得所述第二樹脂膜在外面；其中所述導(dǎo)電膜電連接到所述集成電路。
4.一種IC芯片，其中通過(guò)使至少集成電路、第一樹脂膜、導(dǎo)電膜和第二樹脂膜疊在一起而形成的層疊體被卷了起來(lái)，使得所述第二樹脂膜在外面；其中所述導(dǎo)電膜電連接到所述集成電路，并且所述導(dǎo)電膜的表面被所述第一樹脂膜和所述第二樹脂膜覆蓋。
5.一種IC芯片，其中通過(guò)使至少導(dǎo)電膜、第一樹脂膜、集成電路和第二樹脂膜疊在一起而形成的層疊體被卷了起來(lái)，使得所述第二樹脂膜在外面，并且沿著使一卷層疊體呈現(xiàn)為橫截面的方向?qū)λ鰧盈B體進(jìn)行切割；其中所述導(dǎo)電膜電連接到所述集成電路。
6.一種IC芯片，其中通過(guò)使至少導(dǎo)電膜、第一樹脂膜、集成電路和第二樹脂膜疊在一起而形成的層疊體被卷了起來(lái)，使得所述第二樹脂膜在外面，并且沿著使一卷層疊體呈現(xiàn)為橫截面的方向?qū)λ鰧盈B體進(jìn)行切割；其中切割表面由所述第一樹脂膜和所述第二樹脂膜組成，并且所述導(dǎo)電膜電連接到所述集成電路。
7.一種IC芯片，其中通過(guò)使至少集成電路、第一樹脂膜、導(dǎo)電膜和第二樹脂膜疊在一起而形成的層疊體被卷了起來(lái)，使得所述第二樹脂膜在外面，并且沿著使一卷層疊體呈現(xiàn)為橫截面的方向?qū)λ鰧盈B體進(jìn)行切割；其中所述導(dǎo)電膜電連接到所述集成電路。
8.一種IC芯片，其中通過(guò)使至少集成電路、第一樹脂膜、導(dǎo)電膜和第二樹脂膜疊在一起而形成的層疊體被卷了起來(lái)，使得所述第二樹脂膜在外面，并且沿著使一卷層疊體呈現(xiàn)為橫截面的方向?qū)λ鰧盈B體進(jìn)行切割；其中切割表面由所述第一樹脂膜和所述第二樹脂膜組成，并且所述導(dǎo)電膜電連接到所述集成電路。
9.如權(quán)利要求1到8中任一項(xiàng)所述的IC芯片，其特征在于，所述IC芯片是用膜來(lái)密封的。
10.如權(quán)利要求1到8中任一項(xiàng)所述的IC芯片，其特征在于，所述第一樹脂膜和所述第二樹脂膜包括相同的材料。
11.一種用于制造IC芯片的方法，包括將通過(guò)使導(dǎo)電膜、第一樹脂膜、多個(gè)集成電路以及第二樹脂膜疊在一起而形成的層疊體卷起來(lái)，使得所述第二樹脂膜在外面；在所述導(dǎo)電膜電連接到所述集成電路的狀態(tài)下，軟化所述第一樹脂膜和所述第二樹脂膜并且定型所述層疊體；以及沿著使一卷層疊體呈現(xiàn)為橫截面的方向?qū)λ鰧盈B體進(jìn)行切割。
12.一種用于制造IC芯片的方法，包括將通過(guò)使多個(gè)集成電路、第一樹脂膜、導(dǎo)電膜以及第二樹脂膜疊在一起而形成的層疊體卷起來(lái)，使得所述第二樹脂膜在外面；在所述導(dǎo)電膜電連接到所述集成電路的狀態(tài)下，軟化所述第一樹脂膜和所述第二樹脂膜軟化并且使所述層疊體固定成卷形；以及沿著使一卷層疊體呈現(xiàn)為橫截面的方向?qū)λ鰧盈B體進(jìn)行切割。
13.如權(quán)利要求11或12所述的用于制造IC芯片的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電膜是片狀的。
14.一種用于制造IC芯片的方法，包括將通過(guò)使多個(gè)導(dǎo)電膜、第一樹脂膜、多個(gè)集成電路以及第二樹脂膜疊在一起而形成的層疊體卷起來(lái)，使得所述第二樹脂膜在外面；在所述導(dǎo)電膜電連接到所述集成電路的狀態(tài)下，軟化所述第一樹脂膜和所述第二樹脂膜軟化并且使所述層疊體固定成卷形；以及沿著使一卷層疊體呈現(xiàn)為橫截面的方向?qū)λ鰧盈B體進(jìn)行切割。
15.一種用于制造IC芯片的方法，包括將通過(guò)使多個(gè)集成電路、第一樹脂膜、多個(gè)條形或線形導(dǎo)電膜以及第二樹脂膜疊在一起而形成的層疊體卷起來(lái)，使得所述第二樹脂膜在外面；在所述多個(gè)導(dǎo)電膜電連接到所述多個(gè)集成電路之一的狀態(tài)下，軟化所述第一樹脂膜和所述第二樹脂膜并且定型所述層疊體；以及沿著使一卷層疊體呈現(xiàn)為橫截面的方向?qū)λ鰧盈B體進(jìn)行切割。
16.如權(quán)利要求11到15所述的用于制造IC芯片的方法，其特征在于，所述第一樹脂膜和所述第二樹脂膜包括相同的材料。
17.一種天線，其中通過(guò)使至少一層樹脂膜和一層導(dǎo)電膜疊在一起而形成的層疊體被卷了起來(lái)。
18.一種天線，其中通過(guò)使至少一層樹脂膜和一層導(dǎo)電膜疊在一起而形成的層疊體被卷了起來(lái)，并且除了所述導(dǎo)電膜的連接部分以外，所述導(dǎo)電膜的表面均被所述樹脂膜覆蓋。
19.一種天線，其中通過(guò)使至少一層樹脂膜和一層導(dǎo)電膜疊在一起而形成的層疊體被卷了起來(lái)，并且沿著使一卷層疊體呈現(xiàn)為橫截面的方向?qū)ζ溥M(jìn)行切割。
20.一種天線，其中通過(guò)使至少一層樹脂膜和一層導(dǎo)電膜疊在一起而形成的層疊體被卷了起來(lái)，并且沿著使一卷層疊體呈現(xiàn)為橫截面的方向?qū)ζ溥M(jìn)行切割，并且除了所述導(dǎo)電膜的連接部分以外，所述導(dǎo)電膜的表面均被所述樹脂膜覆蓋。
21.一種IC芯片，用于連接到權(quán)利要求17到20中任一項(xiàng)所述的天線。
22.如權(quán)利要求21所述的IC芯片以及所述天線均是用膜來(lái)密封的。
23.一種用于制造天線的方法，包括將通過(guò)使至少一層樹脂膜和一層導(dǎo)電膜疊在一起而形成的層疊體卷起來(lái)；使所述樹脂膜軟化，并且使所述樹脂膜和所述導(dǎo)電膜定型；以及沿著使一卷導(dǎo)電膜呈現(xiàn)為橫截面的方向?qū)λ鰧盈B體進(jìn)行切割。
24.如權(quán)利要求23所述的用于制造天線的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電膜是片狀的。
25.一種用于制造天線的方法，包括將通過(guò)使一層樹脂膜和一層導(dǎo)電膜疊在一起而形成的層疊體卷起來(lái)；在一對(duì)條形或線形的第一圖案之間平行地排列多個(gè)條形或線形的第二圖案，使得所述導(dǎo)電膜得以形成；在將所述層疊體卷起來(lái)之后使所述樹脂膜軟化，并且通過(guò)使所述樹脂膜軟化從而將所述層疊體固定成卷形；以及沿著使一卷層疊體呈現(xiàn)為橫截面的方向，在避開所述第二圖案的同時(shí)對(duì)所述層疊體進(jìn)行切割。
26.如權(quán)利要求1到4中任一項(xiàng)所述的IC芯片，其特征在于，所述導(dǎo)電膜是條形或線形的。
27.如權(quán)利要求15所述的用于制造IC芯片的方法，其特征在于，所述多個(gè)導(dǎo)電膜是條形或線形的。
28.如權(quán)利要求17或18所述的天線，其特征在于，所述導(dǎo)電膜是條形或線形的。
全文摘要
揭示了一種用于ID芯片等的天線，其天線不平坦性已被平整化；還揭示了一種具有這種帶平面的天線的IC芯片。這有利于制造帶天線的集成電路。通過(guò)使導(dǎo)電膜11、樹脂膜13、集成電路12和樹脂膜14疊在一起而形成的層疊體被卷了起來(lái)，使得樹脂膜14在外面。然后，通過(guò)加熱使樹脂膜13、14軟化，便使層疊體形成卷形。通過(guò)沿著使卷曲的導(dǎo)電膜31看起來(lái)處于橫截面中的那個(gè)方向?qū)υ摼砬膶盈B體進(jìn)行切割，便形成了由卷曲的導(dǎo)電膜11構(gòu)成的帶天線的IC芯片。
文檔編號(hào)H01L21/56GK101057327SQ20058003808
公開日2007年10月17日 申請(qǐng)日期2005年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月9日
發(fā)明者楠本直人, 鶴目卓也 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所