專利名稱：芯片電阻器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及各種電子設(shè)備所使用的芯片電阻器及其制造方法。
背景技術(shù)：
在以往的芯片電阻器(Chip Resistor)中，為了通過擴大電阻體的面積及延長電阻體的長度來提高耐脈沖(Pulse)特性等負(fù)荷特性，如圖16所示，在氧化鋁(Alumina)等的方形基片1的相對置的邊之間，形成1對表面電極2，使得相對于連結(jié)此相對置的邊的方向的方形基片1的中心線、其中之一和另一個互相處于相反側(cè)，然后，形成與這1對表面電極2電連接的迂回曲折的電阻體3。
如上所述的以往的芯片電阻器，由于1對表面電極2的寬度被做成約為相對置的邊的長度的一半以下，因此，在形成電阻體3時，可以利用沒有表面電極2的區(qū)域來形成電阻體3，由此，可以謀求電阻體3的面積的擴大和電阻體3的長度的延長，從而提高其耐脈沖特性等負(fù)荷特性。
另外，作為與此申請的發(fā)明相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)信息，例如，專利文獻(xiàn)1(日本專利公開公報特開平9-205004號)、專利文獻(xiàn)2(日本專利公開公報特開2002-203702號)已為公知。
在如上所述的以往的芯片電阻器中，如圖17所示，利用具有介于1次分割槽4a和2次分割槽4b而被設(shè)成格子狀的多個方形基片1的片狀基片(sheet substrate)1a，通過印刷、濺射(Spatter)等形成多個表面電極2和電阻體3。然而，在這樣一般的芯片電阻器的制造方法中，當(dāng)在通過印刷、濺射等形成表面電極2或電阻體3時產(chǎn)生了位置偏離，如圖17所示，表面電極2會偏離1次分割槽4a，即方形基片1的相對置的邊，在這種狀態(tài)下，若通過將片狀基片1a沿著1次分割槽4a進(jìn)行分割而得到多個長條狀基片1b，并且如圖18所示，在方形基片1的相對置的端面形成端面電極5時，會出現(xiàn)表面電極2和端面電極5無法電連接的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述以往技術(shù)所存在的問題，其目的在于提供一種即使在通過印刷、濺射等形成多個表面電極或電阻體時產(chǎn)生了位置偏差，表面電極和端面電極也能夠可靠地進(jìn)行電連接的芯片電阻器及其制造方法。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所提供的芯片電阻器包括形成在方形基片的相對置的兩個邊部，相對于沿著連結(jié)該兩個邊部的方向延伸的方形基片的中心線互相位于相反一側(cè)的1對表面電極；形成在上述方形基片上、與上述1對表面電極電連接的電阻體；和形成在上述方形基片的相對置的兩個邊部的端面、并與上述1對表面電極電連接的1對端面電極，其中，在上述方形基片的相對置的兩個邊部、在連結(jié)這兩個邊部的方向上與上述1對表面電極相對應(yīng)的位置分別形成虛設(shè)電極。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于在方形基片的相對置的兩個邊部，在相對于沿著與連結(jié)這兩個邊部的方向相垂直的方向延伸的方形基片的中心線與1對表面電極相對稱的位置上形成1對虛設(shè)電極，所以，在分割成多個方形基片之前的片狀基片的狀態(tài)下，在方形基片的相對置的兩個邊部所形成的表面電極和在相鄰的方形基片的相對置的兩個邊部形成的虛設(shè)電極，介于1次分割槽而被連續(xù)地形成。由此，使用具有介于1次分割槽和2次分割槽而被設(shè)成格子狀的多個方形基片的片狀基片，在通過印刷、濺射等而形成多對表面電極、虛設(shè)電極或者多個電阻體時，即使表面電極的形成位置偏離，表面電極偏離1次分割槽即方形基片的相對置的兩個端部，也由于與表面電極連續(xù)形成的虛設(shè)電極落在1次分割槽上，所以，當(dāng)以該1次分割槽從片狀基片中分割出多個長條狀基片后，在長條狀基片的相對置的端面形成端面電極時，可介于虛設(shè)電極而將表面電極和端面電極可靠地進(jìn)行電連接。而且，由于端面電極不只是被涂敷在表面電極上，也被涂敷在虛設(shè)電極上，因此，端面電極和電極的貼緊力比端面電極和基片的貼緊力大，與只在表面電極上涂敷端面電極相比，端面電極的貼緊力可以得到提高。
而且，本發(fā)明還提供另一種芯片電阻器，包括在方形基片的相對置的兩個邊部，沿著這兩個邊部的延伸方向形成的1對表面電極；和形成在上述方形基片上、與這些表面電極的一部分電連接、并且接近各表面電極的其余部分的電阻體；其中，在上述方形基片上，以橫跨上述各表面電極的大小形成覆蓋上述電阻體的玻璃層(Glass Coat)和覆蓋該玻璃層的樹脂層(Resin Coat)。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于表面電極和電阻體之間被玻璃層覆蓋，所以，即使表面電極由銀系材料構(gòu)成，也可以抑制在它們之間發(fā)生電遷移(Electrical Migration)。而且，還由于玻璃層被樹脂層覆蓋，所以，在制造和使用中通過該樹脂層可以防止玻璃層上出現(xiàn)裂縫(Crack)，從而能夠更有效地抑制電遷移的發(fā)生。
而且，本發(fā)明還提供一種芯片電阻器的制造方法，包括使用具有介于1次分割槽和2次分割槽而被設(shè)成格子狀的多個方形基片上的片狀基片，在該片狀基片的方形基片的相對置的1次分割槽的內(nèi)側(cè)，相對于沿著連結(jié)相對置的1次分割槽的方向延伸的方形基片的中心線、在互相相反的位置上形成1對表面電極的工序；在上述片狀基片的方形基片的相對置的1次分割槽內(nèi)側(cè)，相對于沿著與連結(jié)相對置的1次分割槽的方向相垂直的方向延伸的方形基片的中心線與1對表面電極相對稱的位置上形成1對虛設(shè)電極的工序；在上述方形基片上形成與上述1對表面電極電連接的電阻體的工序；以及在沿著1次分割槽將上述片狀基片進(jìn)行分割而得到的長條狀基片的相對置的端面上、形成與上述表面電極電連接的端面電極的工序，其中，上述表面電極形成工序和虛設(shè)電極形成工序同時進(jìn)行，以使表面電極和虛設(shè)電極介于1次分割槽而分別與相鄰的方形基片中的虛設(shè)電極和表面電極電連接。
根據(jù)該制造方法，由于包括在上述片狀基片的方形基片的相對置的1次分割槽的內(nèi)側(cè)，相對于沿著與連結(jié)相對置的1次分割槽的方向相垂直的方向延伸的方形基片的中心線、在與上述1對表面電極相對稱的位置上形成1對虛設(shè)電極的工序，并且上述表面電極和虛設(shè)電極同時形成，使表面電極和虛設(shè)電極介于1次分割槽而分別與相鄰的方形基片中的虛設(shè)電極和表面電極電連接，所以，在分割成多個方形基片之前的片狀基片的狀態(tài)下，在片狀基片的方形基片的相對置的1次分割槽的內(nèi)側(cè)所形成的表面電極、和在相鄰的方形基片的相對置的1次分割槽的內(nèi)側(cè)所形成的虛設(shè)電極，介于1次分割槽而被連續(xù)地形成。由此，使用具有介于1次分割槽和2次分割槽而被設(shè)成格子狀的多個方形基片上的片狀基片，在通過印刷、濺射等而形成多對表面電極、虛設(shè)電極或者多個電阻體時，即使表面電極的形成位置偏離，表面電極偏離1次分割槽，也由于與表面電極連續(xù)形成的虛設(shè)電極落在1次分割槽上，所以，當(dāng)以該1次分割槽從片狀基片中分割出多個長條狀基片后，在長條狀基片的相對置的端面形成端面電極時，可介于虛設(shè)電極而將表面電極和端面電極可靠地進(jìn)行電連接。而且，由于端面電極不只是被涂敷在表面電極上，也被涂敷在虛設(shè)電極上，因此，端面電極和電極的貼緊力比端面電極和基片的貼緊力大，與只在表面電極上涂敷端面電極相比較，端面電極的貼緊力可以得到提高。
而且，本發(fā)明還提供另一種芯片電阻器的制造方法，包括使用具有介于1次分割槽和2次分割槽而被設(shè)成格子狀的多個方形基片上的片狀基片，通過在橫跨該片狀基片的1次分割槽的區(qū)域形成電極，在片狀基片的方形基片的相對置的1次分割槽的內(nèi)側(cè)，形成沿著1次分割槽延伸的1對表面電極的工序；在上述方形基片上形成與上述1對表面電極的一部分電連接、并接近各表面電極的其他部分的電阻體的工序；在上述片狀基片的方形基片上，以橫跨上述各表面電極的大小形成覆蓋上述電阻體的玻璃層和覆蓋該玻璃層的樹脂層的工序；以及在沿著1次分割槽將上述片狀基片分割而得到的長條狀基片的相對置的端面上、形成與上述表面電極電連接的端面電極的工序。
根據(jù)該制造方法，由于表面電極和電阻體之間被玻璃層覆蓋，因此，即使表面電極由銀系材料構(gòu)成，也可以抑制在它們之間發(fā)生電遷移。而且，還由于玻璃層被樹脂層覆蓋，所以，在制造和使用中通過該樹脂層可以防止玻璃層上出現(xiàn)裂縫，從而能夠更有效地抑制電遷移的發(fā)生。


圖1是本發(fā)明的第一實施例的芯片電阻器的俯視圖。
圖2是在該芯片電阻器的制造過程中所使用的片狀基片的俯視圖。
圖3是在該芯片電阻器的制造過程中產(chǎn)生了表面電極的印刷偏差時的片狀基片的俯視圖。
圖4是從圖3的狀態(tài)分割成的單片基片的俯視圖。
圖5(a)、(b)是表示該芯片電阻器的電阻體的其他的圖案例的俯視圖。
圖6是本發(fā)明的第一實施例的芯片電阻器的變形例的俯視圖。
圖7是本發(fā)明的第二實施例的芯片電阻器的俯視圖。
圖8是在該芯片電阻器的制造過程中所使用的片狀基片的俯視圖。
圖9是在該芯片電阻器的制造過程中產(chǎn)生了表面電極的印刷偏差時的片狀基片的俯視圖。
圖10是從圖9的狀態(tài)分割成的單片基片的俯視圖。
圖11(a)、(b)是表示該芯片電阻器中的電阻體的其他的圖案例的俯視圖。
圖12是本發(fā)明的第二實施例中的芯片電阻器的變形例的俯視圖。
圖13是本發(fā)明的第三實施例的芯片電阻器的俯視圖。
圖14是在該芯片電阻器的制造過程中所使用的片狀基片的俯視圖。
圖15(a)、(b)、(c)是本發(fā)明的第三實施例中的芯片電阻器的變形例的俯視圖。
圖16是以往的芯片電阻器的俯視圖。
圖17是在該芯片電阻器的制造過程中產(chǎn)生了表面電極的印刷偏差時的片狀基片的俯視圖。
圖18是從圖14狀態(tài)中分割成的單片基片的俯視圖。
具體實施例方式
(第一實施例)以下，對本發(fā)明的第一實施例進(jìn)行說明。
圖1是本發(fā)明的第一實施例的芯片電阻器的俯視圖。
在圖1中，11是由氧化鋁構(gòu)成的方形基片，該方形基片11的平面形狀為長方形。12是形成在上述方形基片11的表面的相對置的兩個邊部，相對于連結(jié)方形基片11的相對置的兩個邊部的方向、即方形基片11的較長方向的中心線互相位于相反一側(cè)的1對表面電極，這對表面電極12，通過用以銀為主要成分的電極糊劑(Electrode Paste)進(jìn)行絲網(wǎng)印刷(Screen Print)，經(jīng)850℃燒結(jié)而成。13是在上述方形基片11表面的相對置的兩個邊部，相對于與連結(jié)上述方形基片11的相對置的兩個邊部的方向相垂直的方向，即方形基片11的較短方向的中心線、與上述1對表面電極12相對稱的位置上所形成的1對虛設(shè)電極(DummyElectrode)，這對虛設(shè)電極13與上述1對表面電極12的寬度和長度相同，并且與上述1對表面電極12同時，通過用以銀為主要成分的電極糊劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，經(jīng)850℃燒結(jié)而成。14是在方形基片11的表面形成的、橫跨上述1對表面電極12之間、并與其電連接的電阻體，該電阻體14，通過用以氧化釕(Oxidation Ruthenium)為主要成分的電阻糊劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，經(jīng)850℃燒結(jié)而成。上述電阻體14，具有迂回曲折部15，蜿蜒曲折地橫跨在上述1對表面電極12之間。16是形成在上述方形基片11表面的相對置的兩個邊部的端面、與上述1對表面電極12及1對虛設(shè)電極13電連接的1對端面電極，這對端面電極16，通過用含有銀和環(huán)氧樹脂的端面電極材料進(jìn)行涂覆，在200℃時硬化而形成。
圖2所示意的是上述本發(fā)明的第一實施例中的芯片電阻器的制造過程中所使用的片狀基片的俯視圖。
圖2所示的片狀基片11a，通過在其單面或者雙面，以格子狀形成多條用于分割成長條狀基片的1次分割槽11b和用于分割成單片狀基片的2次分割槽11c，從而具有介于該1次分割槽11b和2次分割槽11c而被設(shè)成格子狀的多個方形基片11。
下面，參照圖2對本發(fā)明第一實施例的芯片電阻器的制造方法進(jìn)行說明。
首先，在圖2所示的片狀基片11a的方形基片11的相對置的1次分割槽11b的內(nèi)側(cè)，相對于與連結(jié)方形基片11的相對置的1次分割槽11b的方向、即與方形基片11的較長方向相垂直的方向、也就是方形基片11的較短方向的中心線、在對稱的位置上，通過用以銀為主要成分的電極糊劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，并經(jīng)850℃燒結(jié)而同時形成1對表面電極12和1對虛設(shè)電極13。此時，上述1對表面電極12被形成在相對于連結(jié)方形基片11的相對置的1次分割槽11b的方向，即方形基片11的較長方向的中心線互相位于相反一側(cè)的位置上，而上述1對虛設(shè)電極13也被形成在相對于連結(jié)方形基片11的相對置的1次分割槽11b的方向，即方形基片11的較長方向的中心線互相位于相反一側(cè)的位置。由此，在該片狀基片11a的狀態(tài)下，如圖2所示，在片狀基片11a的方形基片11的相對置的1次分割槽11b的內(nèi)側(cè)所形成的表面電極12和在相鄰的方形基片11的相對置的1次分割槽11b的內(nèi)側(cè)所形成的虛設(shè)電極13，介于1次分割槽11b而被連續(xù)地形成，并可電連接。
其次，在方形基片11的表面，通過用氧化釕系的電阻糊劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，并經(jīng)850℃燒結(jié)而形成具有迂回曲折部15的指定形狀的電阻體14，使其橫跨上述1對表面電極12之間，并可電連接。
另外，在電阻體14上形成迂回曲折部15，也可以通過在方形基片11上形成了電阻體14之后實施激光(Laser)加工，在電阻體14上形成調(diào)整槽(Trimming Groove)來進(jìn)行。
其次，形成含有玻璃的第1保護膜，覆蓋上述電阻體14的全部(未圖示)，之后，介于第1保護膜(未圖示)，用激光加工對電阻體14施加調(diào)整槽來進(jìn)行電阻體14的電阻值修正。該電阻值修正是通過邊進(jìn)行4端子電阻值測量邊用激光加工在電阻體14上施加調(diào)整槽而進(jìn)行的。此時，在上述發(fā)明的第一實施例中，通過同時形成1對表面電極12和1對虛設(shè)電極13，在片狀基片11a的方形基片11的相對置的1次分割槽11b的內(nèi)側(cè)所形成的表面電極12和在相鄰的方形基片11的相對置的1次分割槽的內(nèi)側(cè)所形成的虛設(shè)電極13，可介于1次分割槽11b而被連續(xù)地形成，并且電連接，因此，在圖2的狀態(tài)下，由于可使4端子電阻值測量端子與1對表面電極12和1對虛設(shè)電極13接觸來進(jìn)行電阻值測量，所以4端子電阻值測量端子的接觸面積也取得較大，由此，可獲得能夠可靠地進(jìn)行4端子電阻值測量的效果。
其次，通過絲網(wǎng)印刷形成含有環(huán)氧樹脂的第2保護膜，覆蓋上述第1保護膜(未圖示)的全部和表面電極12的一部分(未圖示)。
其次，通過將片狀基片11a沿著1次分割槽11b進(jìn)行分割而分割出多個長條狀基片11d，然后，在該長條狀基片11d的端面涂敷含有銀和環(huán)氧樹脂的端面電極材料，形成與上述表面電極12及虛設(shè)電極13電連接的端面電極16。
其次，通過將上述長條狀基片11d沿著2次分割槽11c進(jìn)行分割而分割出如圖1所示的單片基片11e，然后，通過在該單片基片11e的端面電極16上實施鍍鎳(Nickel)(未圖示)和鍍錫(Tinning)(未圖示)，即可以制造出如圖1所示的那樣的芯片電阻器。
在如上所述的本發(fā)明的第一實施例中，由于在上述片狀基片11a的方形基片11的相對置的1次分割槽11b的內(nèi)側(cè)，相對于與連結(jié)上述方形基片11的相對置的1次分割槽11b的方向、即方形基片11的較長方向相垂直的方向、也就是方形基片11的較短方向的中心線，與上述1對表面電極12相對稱的位置上形成1對虛設(shè)電極13，并且上述表面電極12和虛設(shè)電極13同時形成，使介于1次分割槽11b而分別與相鄰的方形基片11中的虛設(shè)電極13和表面電極12電連接，因此，在分割成多個方形基片11之前的片狀基片11a的狀態(tài)下，在片狀基片11a的方形基片11的相對置的1次分割槽11b的內(nèi)側(cè)所形成的表面電極12和在相鄰的方形基片11的相對置的1次分割槽11b的內(nèi)側(cè)所形成的虛設(shè)電極13，介于1次分割槽11b而被連續(xù)地形成。由此，使用具有介于1次分割槽11b和2次分割槽11c而被設(shè)成格子狀的多個方形基片11的片狀基片11a，在通過絲網(wǎng)印刷形成多對表面電極12、虛設(shè)電極13、或者多個電阻體14時，例如，如圖3所示，即使表面電極12的印刷位置偏離，表面電極12偏離1次分割槽11b，也由于與表面電極12連續(xù)形成的虛設(shè)電極13落在1次分割槽11b上，所以，當(dāng)用該1次分割槽11b從片狀基片11a中分割出多個長條狀基片11d后，在長條狀基片11d的相對置的端面形成端面電極16時，如圖4所示，可獲得介于虛設(shè)電極13而將表面電極12和端面電極16可靠地進(jìn)行電連接的效果。
而且，由于表面電極12和虛設(shè)電極13介于1次分割槽11b而連續(xù)地形成，所以在進(jìn)行電阻體14的電阻值測量時，4端子電阻值測量端子的接觸面積可取得較大，因此，可獲得能夠可靠地進(jìn)行4端子電阻值測量的效果。
圖5(a)、(b)所示意的是上述本發(fā)明的第一實施例所示的芯片電阻器的電阻體14的其他的圖案例。如圖5(a)所示，電阻體14并不一定非得要有迂回曲折部15，而且，如圖5(b)所示，迂回曲折部15的形狀也可能有多種。
另外，在上述本發(fā)明的第一實施例中，是在形成表面電極12、虛設(shè)電極13時，用以銀為主要成分的電極糊劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，經(jīng)850℃燒結(jié)而成，而在形成電阻體14時，用氧化釕系的電阻糊劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，經(jīng)850℃燒結(jié)而成，但是，這些表面電極12、虛設(shè)電極13、電阻體14的形成方法并不只限定于此，也可用由濺射等構(gòu)成的金屬薄膜形成表面電極12、虛設(shè)電極13、電阻體14，在這種情況下，也能獲得與上述本發(fā)明的第一實施例同樣的效果。
圖6是本發(fā)明的第一實施例的芯片電阻器的變形例的俯視圖。此圖6與上述本發(fā)明的第一實施例中的圖1的不同點在于，將1對表面電極12形成在方形基片11的表面的相對置的兩個邊部，相對于連結(jié)方形基片11相對置的兩個邊部的方向、即方形基片11的較短方向的中心線互相位于相反一側(cè)，并且將1對虛設(shè)電極13形成在方形基片11的表面的相對置的兩個邊部，相對于與連結(jié)方形基片11的相對置的兩個邊部的方向相垂直的方向、即方形基片11的較長方向的中心線，與上述1對表面電極12相對稱的位置上，然后形成電阻體14，使其橫跨上述1對表面電極12之間、且被電連接，進(jìn)而，在上述方形基片11的表面的相對置的兩個邊部的端面形成1對端面電極16，使上述1對表面電極12及1對虛設(shè)電極13電連接。該變形例也能獲得與上述本發(fā)明的第一實施例同樣的效果。
(第二實施例)以下，對本發(fā)明的第二實施例進(jìn)行說明。
圖7是本發(fā)明的第二實施例的芯片電阻器的俯視圖。
在圖7中，21是由氧化鋁構(gòu)成的方形基片，該方形基片21的平面形狀為長方形。22是形成在上述方形基片21表面的相對置的兩個邊部，相對于連結(jié)方形基片21的相對置的兩個邊部的方向、即方形基片21的較長方向的中心線互相位于相反一側(cè)的1對表面電極，這對表面電極22，通過用以銀為主要成分的電極糊劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，經(jīng)850℃燒結(jié)而成。23是在上述方形基片21表面的相對置的兩個邊部，相對于與連結(jié)上述方形基片21的相對置的兩個邊部的方向，即方形基片21的較長方向相垂直的方向、也就是方形基片21的較短方向的中心線與上述1對表面電極22相對稱的位置上形成的1對虛設(shè)電極，這對虛設(shè)電極23，其寬度與上述1對表面電極22的寬度相同，且其長度與上述1對表面電極22的長度相比縮短，構(gòu)成比1對表面電極22小的形狀，并且與上述1對表面電極22同時用以銀為主要成分的電極糊劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，經(jīng)850℃燒結(jié)而成。為此，上述1對表面電極22的每個，在方形基片21的較長方向比上述各虛設(shè)電極23更伸出到內(nèi)側(cè)。24是在方形基片21的表面形成的、橫跨上述1對表面電極22之間、并與其電連接的電阻體，該電阻體24，通過用以氧化釕為主要成分的電阻糊劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，經(jīng)850℃燒結(jié)而成。上述電阻體24，具有迂回曲折部25，蜿蜒曲折地橫跨在上述1對表面電極22之間。26是形成在上述方形基片21表面的相對置的兩個邊部的端面、與上述1對表面電極22及1對虛設(shè)電極23電連接的1對端面電極，這對端面電極26，通過用含有銀和環(huán)氧樹脂的端面電極材料進(jìn)行涂覆，在200℃時硬化而形成。并且，這對端面電極26，通過向方形基片21上表面的兩端部卷起而形成，可覆蓋其形狀比1對表面電極22還小的1對虛設(shè)電極23。而且，端面電極26覆蓋虛設(shè)電極23的實質(zhì)上全部，例如，90～100％是最理想的。
圖8所示意的是在上述本發(fā)明的第二實施例的芯片電阻器的制造過程中所采用的片狀基片的俯視圖。
圖8所示的片狀基片21a，通過在其單面或者雙面，以格子狀形成多條用于分割成長條狀基片的1次分割槽21b和用于分割成單片狀基片的2次分割槽21c，從具有介于該1次分割槽21b和2次分割槽21c而被設(shè)成格子狀的多個方形基片21。
下面，參照圖8對本發(fā)明第二實施例中的芯片電阻器的制造方法進(jìn)行說明。
首先，在圖8所示的片狀基片21a的方形基片21的相對置的1次分割槽21b的內(nèi)側(cè)，相對于與連結(jié)方形基片21的相對置的1次分割槽21b的方向、即方形基片21的較長方向相垂直的方向、也就是方形基片21的較短方向的中心線，在對稱的位置上，通過用以銀為主要成分的電極糊劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，并經(jīng)850℃燒結(jié)而同時形成1對表面電極22和1對虛設(shè)電極23。此時，上述1對表面電極22被形成在相對于連結(jié)方形基片21的相對置的1次分割槽21b的方向，即方形基片21的較長方向的中心線互相位于相反一側(cè)的位置上，而上述1對虛設(shè)電極23也被形成在相對于連結(jié)方形基片21的相對置的1次分割槽21b的方向，即方形基片21的較長方向的中心線互相處于相反一側(cè)的位置上。由此，在該片狀基片21a的狀態(tài)下，如圖8所示，在片狀基片21a方形基片21的相對置的1次分割槽21b的內(nèi)側(cè)所形成的表面電極22和在相鄰的方形基片21的相對置的1次分割槽的內(nèi)側(cè)所形成的虛設(shè)電極23，介于1次分割槽21b而被連續(xù)地形成，并可電連接。
其次，在方形基片21的表面，通過用氧化釕系的電阻糊劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，并經(jīng)850℃燒結(jié)而形成具有迂回曲折部25的指定形狀的電阻體24，使其橫跨上述1對表面電極22之間，并可電連接。
接著，形成含有玻璃的第1保護膜，覆蓋上述電阻體24的全部(未圖示)，之后，介于第1保護膜(未圖示)，用激光加工對電阻體24施加調(diào)整槽來進(jìn)行電阻體24的電阻值修正。該電阻值修正是通過邊進(jìn)行4端子電阻值測量邊用激光加工在電阻體24上施加調(diào)整槽而進(jìn)行的。此時，在上述發(fā)明的第二實施例中，通過同時形成1對表面電極22和1對虛設(shè)電極23，在片狀基片21a的方形基片21的相對置的1次分割槽21b的內(nèi)側(cè)所形成的表面電極22和在相鄰的方形基片21的相對置的1次分割槽21b的內(nèi)側(cè)所形成的虛設(shè)電極23，可介于1次分割槽21b而被連續(xù)地形成，并且電連接，因此，在圖8的狀態(tài)下，4端子電阻值測量端子的接觸面積也可取得較大，由此，可獲得能夠可靠地進(jìn)行4端子電阻值測量的效果。
其次，通過絲網(wǎng)印刷形成含有環(huán)氧樹脂的第2保護膜，覆蓋上述第1保護膜(未圖示)的全部和表面電極22的一部分(未圖示)。
其次，通過將片狀基片21a沿著1次分割槽21b進(jìn)行分割而分割出多個長條狀基片21d，然后，在該長條狀基片21d的端面涂敷含有銀和環(huán)氧樹脂的端面電極材料，形成與上述表面電極22及虛設(shè)電極23電連接的端面電極26。此時，端面電極26，通過向長條狀基片21b上表面的兩端部卷起而形成，實質(zhì)上可覆蓋其形狀比1對表面電極22小的1對虛設(shè)電極23的全部。
其次，通過將上述長條狀基片21d沿著2次分割槽21c進(jìn)行分割而分割出如圖7所示的單片基片21e，然后，通過在該單片基片21e的端面電極26上實施鍍鎳(未圖示)和鍍錫(未圖示)，即可以制造出像圖7所示的那樣的芯片電阻器。
在如上所述的本發(fā)明的第二實施例中，由于在上述片狀基片21a的方形基片21的相對置的1次分割槽21b的內(nèi)側(cè)，相對于與連結(jié)上述方形基片21的相對置的1次分割槽21b的方向，即方形基片21的較長方向相垂直的方向，也就是方形基片21的較短方向的中心線、與上述1對表面電極22相對稱的位置上形成1對虛設(shè)電極23，并且上述表面電極22和虛設(shè)電極23同時形成，使介于1次分割槽21b而分別與相鄰的方形基片21中的虛設(shè)電極23和表面電極22電連接，因此，在分割成多個方形基片21之前的片狀基片21a的狀態(tài)下，在片狀基片11a的方形基片21的相對置的1次分割槽21b的內(nèi)側(cè)所形成的表面電極22和在相鄰的方形基片21的相對置的1次分割槽21b的內(nèi)側(cè)所形成的虛設(shè)電極23，介于1次分割槽21b而被連續(xù)地形成。由此，使用具有介于1次分割槽21b和2次分割槽21c而被設(shè)成格子狀的多個方形基片21的片狀基片21a，在采用絲網(wǎng)印刷形成多對表面電極22、虛設(shè)電極23、或者多個電阻體24時，例如，如圖9所示，即使表面電極22的印刷位置偏離，表面電極22偏離了1次分割槽21b，也由于與表面電極22連續(xù)形成的虛設(shè)電極23落在1次分割槽21b上，所以，當(dāng)用該1次分割槽21b從片狀基片21a中分割出多個長條狀基片21d后，在長條狀基片21d的相對置的端面形成端面電極26時，如圖10所示，可獲得介于虛設(shè)電極23而將表面電極22和端面電極26可靠地進(jìn)行電連接的效果。
而且，在上述本發(fā)明的第二實施例中，由于表面電極22和虛設(shè)電極23介于1次分割槽21b而被連續(xù)地形成，所以在進(jìn)行電阻體24的電阻值測量時，4端子電阻值測量端子的接觸面積可取得較大，因此，可獲得能夠可靠地進(jìn)行4端子電阻值測量的效果。
而且，在上述本發(fā)明的第二實施例中，由于上述虛設(shè)電極23的形狀比表面電極22小，即寬度與表面電極22相同，而長度比表面電極22短，所以，可確保電阻體24的面積和電阻體24的長度增大虛設(shè)電極23的形狀變小的那部分，由此，可獲得提高耐脈沖特性等的負(fù)荷特性的效果。
而且，在上述本發(fā)明的第二實施例中，由于其形狀比表面電極22小的虛設(shè)電極23實質(zhì)上全部被向長條狀基片21b上表面的兩端部卷起而形成的端面電極26覆蓋，所以，上述虛設(shè)電極23被隱蔽起來，由此，可獲得在檢查等時不會出現(xiàn)檢查裝置把虛設(shè)電極23誤認(rèn)為是表面電極22的效果。
圖11(a)、(b)所示意的是上述本發(fā)明的第二實施例所示的芯片電阻器的電阻體24的其他的圖案例。如圖11(a)所示，電阻體24并不一定非得要有迂回曲折部25，再如圖11(b)所示，迂回曲折部25的形狀也可有多種。
而且，在上述本發(fā)明的第二實施例中，采用了為了使虛設(shè)電極23的形狀比表面電極22小，而讓虛設(shè)電極23的寬度與表面電極22的寬度相同、長度比表面電極22的長度短的其形狀比表面電極22小的虛設(shè)電極23，但并不僅僅局限于此，除此以外，例如在采用不僅僅是長度比表面電極22的長度短，而且寬度也比表面電極22的寬度要窄的虛設(shè)電極23時，也能得到與上述本發(fā)明的第二實施例同樣的效果。
而且，在上述本發(fā)明的第二實施例中，雖然在形成表面電極22、虛設(shè)電極23時，用以銀為主要成分的電極糊劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，經(jīng)850℃燒結(jié)而成，而在形成電阻體24時，用氧化釕系的電阻糊劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，經(jīng)850℃燒結(jié)而成，但是，這些表面電極22、虛設(shè)電極23、電阻體24的形成方法并不只限定于此，也可用由濺射等構(gòu)成的金屬薄膜形成表面電極22、虛設(shè)電極23、電阻體24，在這種情況下也同樣能獲得與上述本發(fā)明第二實施例同樣的效果。
圖12是本發(fā)明的第二實施例的芯片電阻器的變形例的俯視圖。圖12與上述本發(fā)明的第二實施例中的圖7的不同點在于，將1對表面電極22形成在方形基片21的表面的相對置的兩個邊部，相對于連結(jié)方形基片21的相對置的兩個邊部方向、即方形基片21的較短方向的中心線互相位于相反一側(cè)，并且將1對虛設(shè)電極23形成在方形基片21的表面的相對置的兩個邊部，相對于與連結(jié)方形基片21的相對置的兩個邊部的方向相垂直的方向、即方形基片21的較長方向的中心線，與上述1對表面電極22相對稱的位置上，然后形成電阻體24，使其橫跨上述1對表面電極22之間、且被電連接，進(jìn)而，在上述方形基片21的表面的相對置的兩個邊部的端面形成1對端面電極26，使上述1對表面電極22及1對虛設(shè)電極23電連接。該變形例也能獲得與上述本發(fā)明的第二實施例同樣的效果。
(第三實施例)以下，對本發(fā)明的第三實施例進(jìn)行說明。
圖13是本發(fā)明的第三實施例的芯片電阻器的俯視圖。
在圖13中，31是由氧化鋁構(gòu)成的方形基片，該方形基片31的平面形狀為長方形。32是在上述方形基片31的表面的相對置的兩個邊部，沿著這兩個邊部的延伸方向、即方形基片31的較短方向形成的1對表面電極，這對表面電極32，通過用以銀為主要成分的電極糊劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，經(jīng)850℃燒結(jié)而成。34是在方形基片31的表面形成的、橫跨上述1對表面電極32之間、并與其電連接的電阻體，該電阻體34，通過用以氧化釕為主要成分的電阻糊劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，經(jīng)850℃燒結(jié)而成。上述電阻體34，具有迂回曲折部35，蜿蜒曲折地橫跨在上述1對表面電極的一部分的彼此之間、即位于方形基片31的對角方向的部分的彼此之間，迂回曲折部35具有電位差，接近上述表面電極32的另一部分、即除了位于上述對角方向的那部分的一部分。37是以橫跨上述1對表面電極32的大小覆蓋上述電阻體34的玻璃層，該玻璃層37，通過用硼硅酸鉛系的玻璃糊劑(Glass Paste)進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，經(jīng)600～850℃燒結(jié)而成。
即玻璃層37一直覆蓋到1對表面電極的內(nèi)側(cè)的端部。36是形成在上述方形基片31表面的相對置的兩個邊部的端面、與上述1對表面電極32電連接的1對端面電極，這對端面電極36，通過用含有銀和環(huán)氧樹脂的端面電極材料進(jìn)行涂覆，在200℃時硬化而形成。
圖14所示意的是在上述本發(fā)明的第三實施例的芯片電阻器的制造過程中所使用的片狀基片的俯視圖。
圖14所示的片狀基片31a，通過在其單面或者雙面，以格子狀形成多條用于分割成長條狀基片的1次分割槽31b和用于分割成單片狀基片的2次分割槽31c，從而具有介于該1次分割槽31b和2次分割槽31c而被設(shè)成格子狀的多個方形基片31。
下面，參照圖14對本發(fā)明第三實施例中的芯片電阻器的制造方法進(jìn)行說明。
首先，在橫跨圖14所示的片狀基片31a的1次分割槽31b的區(qū)域，通過用以銀為主要成分的電極糊劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，經(jīng)850℃燒結(jié)，在片狀基片31a的方形基片31的相對置的1次分割槽31b的內(nèi)側(cè)，形成沿著1次分割槽31b延伸的1對表面電極32。
其次，在方形基片31的表面，通過用氧化釕系的電阻糊劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，并經(jīng)850℃燒結(jié)而形成具有迂回曲折部35的指定形狀的電阻體34，使該電阻體34橫跨上述1對表面電極32的對角方向，并可電連接。
其次，用硼硅酸鉛系的玻璃糊劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，經(jīng)600～850℃燒結(jié)而形成玻璃層37，使其既覆蓋上述電阻體34的全部，又以表面電極32的幅寬覆蓋上述1對表面電極32在方形基片31上的內(nèi)側(cè)端部，然后，通過絲網(wǎng)印刷形成含有環(huán)氧樹脂的樹脂層，覆蓋整個上述玻璃層37(未圖示)。
其次，通過將片狀基片31a沿著1次分割槽31b進(jìn)行分割而分割出多個長條狀基片31d，然后，在該長條狀基片31d的端面涂敷含有銀和環(huán)氧樹脂的端面電極材料，形成與上述表面電極32電連接的端面電極36。
其次，通過將上述長條狀基片31d沿著2次分割槽31c進(jìn)行分割而分割出如圖13所示的單片基片31e，然后，通過在該單片基片31e的端面電極36的表面上鍍鎳(未圖示)和鍍錫(未圖示)，即可以制造出如圖13所示那樣的芯片電阻器。
在如上所述的本發(fā)明的第三實施例中，由于在方形基片31的相對置的兩個邊部，沿著這兩個邊部的延伸方向形成1對表面電極，因此，在分割成多個方形基片31之前的片狀基片31a的狀態(tài)下，在方形基片31的相對置的兩個邊部所形成的表面電極32，介于1次分割槽31b而被連續(xù)地形成。由此，使用具有介于1次分割槽31b和2次分割槽31c而被設(shè)成格子狀的多個方形基片31上的片狀基片31a，在通過印刷或濺射等形成多對表面電極32或多個電阻體34時，即使表面電極32的形成位置偏離了正常的位置，也由于表面電極32落在1次分割槽31b上，所以，當(dāng)用該1次分割槽31b從片狀基片31a中分割出多個長條狀基片31d后，在長條狀基片31d的相對置的端面形成端面電極36時，表面電極32和端面電極36能夠可靠地電連接。而且，還由于端面電極36以較大的面積與表面電極32連接，因而與以往相比可以提高端面電極36的貼緊力。而且，由于表面電極32和電阻體之間能完全被玻璃層37覆蓋，濕氣無法介入，所以，即使上述1對表面電極32是由對于芯片電阻器來說常見的銀系材料構(gòu)成，且樹脂保護層的貼緊性、耐濕性為不充分，也可以抑制在潮濕的環(huán)境中負(fù)荷使用時表面電極32的銀在與電阻體34之間引起電遷移。而且，由于玻璃層被樹脂層覆蓋，所以在制造和使用中通過該樹脂層可以防止玻璃層出現(xiàn)裂縫，從而能夠更有效地抑制電遷移的發(fā)生。
圖15(a)～(c)所示意的是上述本發(fā)明的第三實施例所示的芯片電阻器的電阻體24的其他的圖案例。如圖15(a)所示，電阻體24未必一定是橫跨在上述1對表面電極32的方形基片31的對角方向的那一部分的彼此之間，也可以橫跨在方形基片31的較長方向上相對置的那一部分的彼此之間。
而且，如圖15(b)、(c)所示，上述本發(fā)明的第一實施例或第二實施例中的芯片電阻器也可適用于第三實施例。這種情況下，以橫跨1對虛設(shè)電極33的大小來設(shè)定玻璃層37就可以。即、用玻璃層37覆蓋虛設(shè)電極33與電阻體34相對置的部分。這樣做也與上述本發(fā)明的第三實施例同樣，能夠抑制虛設(shè)電極33和電阻體34之間發(fā)生電遷移。
(總結(jié))
如上所述，本發(fā)明所提供的芯片電阻器包括形成在方形基片的相對置的兩個邊部，相對于沿著連結(jié)該兩個邊部的方向延伸的方形基片的中心線互相位于相反一側(cè)的1對表面電極；形成在上述方形基片上、與上述1對表面電極電連接的電阻體；和形成在上述方形基片的相對置的兩個邊部的端面、并與上述1對表面電極電連接的1對端面電極，其中，在上述方形基片的相對置的兩個邊部、在連結(jié)這兩個邊部的方向上與上述1對表面電極相對應(yīng)的位置分別形成虛設(shè)電極。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于在方形基片的相對置的兩個邊部，在相對于沿著與連結(jié)這兩個邊部的方向相垂直的方向延伸的方形基片的中心線與1對表面電極相對稱的位置上形成1對虛設(shè)電極，所以，在分割成多個方形基片之前的片狀基片的狀態(tài)下，在方形基片的相對置的兩個邊部所形成的表面電極和在相鄰的方形基片的相對置的兩個邊部形成的虛設(shè)電極，介于1次分割槽而被連續(xù)地形成。由此，使用具有介于1次分割槽和2次分割槽而被設(shè)成格子狀的多個方形基片的片狀基片，在通過印刷或濺射等而形成多對表面電極、虛設(shè)電極或者多個電阻體時，即使表面電極的形成位置偏離，表面電極偏離1次分割槽即方形基片的相對置的兩個端部，也由于與表面電極連續(xù)形成的虛設(shè)電極落在1次分割槽上，所以，當(dāng)以該1次分割槽從片狀基片中分割出多個長條狀基片后，在長條狀基片的相對置的端面形成端面電極時，可介于虛設(shè)電極而將表面電極和端面電極可靠地進(jìn)行電連接。而且，由于端面電極不只是被涂敷在表面電極上，也被涂敷在虛設(shè)電極上，因此，端面電極和電極的貼緊力比端面電極和基片的貼緊力大，與只在表面電極上涂敷端面電極相比，端面電極的貼緊力可以得到提高。
上述芯片電阻器，最好是上述1對表面電極的每一個，在連結(jié)上述方形基片的相對置的兩個邊部的方向，比上述各虛設(shè)電極更伸出至內(nèi)側(cè)。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于1對虛設(shè)電極的形狀比1對表面電極的形狀小，因此可以確保電阻體的面積和電阻體的長度增大虛設(shè)電極形狀變小的那部分。
上述芯片電阻器，最好是上述1對端面電極，被形成在上述方形基片的相對置的兩個邊部的端面，從該端面向方形基片的上表面卷起，通過該端面電極，上述各虛設(shè)電極實質(zhì)上全部被覆蓋。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于其形狀比1對表面電極小的1對虛設(shè)電極實質(zhì)上全部被向長條狀基片上表面的兩端卷起而形成的端面電極覆蓋，所以上述1對虛設(shè)電極被隱蔽起來，由此，可以獲得在檢查等時不會出現(xiàn)檢查裝置把虛設(shè)電極誤認(rèn)為是表面電極的效果。
上述芯片電阻器，最好是在上述方形基片上，以橫跨上述各虛設(shè)電極的大小形成覆蓋上述電阻體的玻璃層和覆蓋該玻璃層的樹脂層。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于在虛設(shè)電極和電阻體之間覆蓋了玻璃層，所以，即使虛設(shè)電極是由銀系材料構(gòu)成，并且虛設(shè)電極與電阻體接近，也可以抑制在它們之間發(fā)生電遷移。而且，還由于玻璃層被樹脂層覆蓋，因此在制造和使用中通過該樹脂層可以防止玻璃層發(fā)生裂縫，從而能夠更有效地抑制電遷移的發(fā)生。
而且，本發(fā)明還提供另一種芯片電阻器，包括在方形基片的相對置的兩個邊部，沿著這兩個邊部的延伸方向形成的1對表面電極；和形成在上述方形基片上、與這些表面電極的一部分電連接、并且接近各上述表面電極的其余部分的電阻體；其中，在上述方形基片上，以橫跨上述各表面電極的大小形成覆蓋上述電阻體的玻璃層和覆蓋該玻璃層的樹脂層。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于在方形基片的相對置的兩個邊部，沿著這兩個邊部的延伸方向形成1對表面電極，所以，在分割成多個方形基片之前的片狀基片的狀態(tài)下，在方形基片的相對置的兩個邊部形成的表面電極可介于1次分割槽而被連續(xù)地形成。由此，使用具有介于1次分割槽和2次分割槽而被設(shè)成格子狀的多個方形基片上的片狀基片，在通過印刷、濺射等形成多個表面電極或多個電阻體時，即使表面電極的形成位置偏離了正常的位置，也由于表面電極落在1次分割槽上，所以，當(dāng)用該1次分割槽從片狀基片中分割出多個長條狀基片后，在長條狀基片的相對置的端面形成端面電極時，表面電極和端面電極能夠可靠地進(jìn)行電連接。而且，由于端面電極以較大的面積與表面電極連接，因而與以往相比，可以提高端面電極的貼緊力。并且，由于在表面電極和電阻體之間覆蓋了玻璃層，所以，即使表面電極是由銀系材料構(gòu)成，也可以抑制在它們之間發(fā)生電遷移。而且，由于玻璃層被樹脂層覆蓋，所以在制造和使用中通過該樹脂層可以防止玻璃層出現(xiàn)裂縫，從而能夠更有效地抑制電遷移的發(fā)生。
而且，本發(fā)明還提供一種芯片電阻器的制造方法，包括使用具有介于1次分割槽和2次分割槽而被設(shè)成格子狀的多個方形基片上的片狀基片，在該片狀基片的方形基片的相對置的1次分割槽的內(nèi)側(cè)，相對于沿著連結(jié)相對置的1次分割槽的方向延伸的方形基片的中心線、在互相相反的位置上形成1對表面電極的工序；在上述片狀基片的方形基片的相對置的1次分割槽內(nèi)側(cè)，相對于沿著與連結(jié)相對置的1次分割槽的方向相垂直的方向延伸的方形基片的中心線與1對表面電極相對稱的位置上形成1對虛設(shè)電極的工序；在上述方形基片上形成與上述1對表面電極電連接的電阻體的工序；以及在沿著1次分割槽將上述片狀基片進(jìn)行分割而得到的長條狀基片的相對置的端面上、形成與上述表面電極電連接的端面電極的工序，其中，上述表面電極形成工序和虛設(shè)電極形成工序同時進(jìn)行，以使表面電極和虛設(shè)電極介于1次分割槽而分別與相鄰的方形基片中的虛設(shè)電極和表面電極電連接。
根據(jù)該制造方法，由于包括在上述片狀基片的方形基片的相對置的1次分割槽的內(nèi)側(cè)，相對于沿著與連結(jié)相對置的1次分割槽的方向相垂直的方向延伸的方形基片的中心線、在與上述1對表面電極相對稱的位置上形成1對虛設(shè)電極的工序，并且上述表面電極和虛設(shè)電極同時形成，使表面電極和虛設(shè)電極介于1次分割槽而分別與相鄰的方形基片中的虛設(shè)電極和表面電極電連接，所以，在分割成多個方形基片之前的片狀基片的狀態(tài)下，在片狀基片的方形基片的相對置的1次分割槽的內(nèi)側(cè)所形成的表面電極、和在相鄰的方形基片的相對置的1次分割槽的內(nèi)側(cè)所形成的虛設(shè)電極，介于1次分割槽而被連續(xù)地形成。由此，使用具有介于1次分割槽和2次分割槽而被設(shè)成格子狀的多個方形基片上的片狀基片，在通過印刷、濺射等而形成多對表面電極、虛設(shè)電極或者多個電阻體時，即使表面電極的形成位置偏離，表面電極偏離1次分割槽，也由于與表面電極連續(xù)形成的虛設(shè)電極落在1次分割槽上，所以，當(dāng)以該1次分割槽從片狀基片中分割出多個長條狀基片后，在長條狀基片的相對置的端面形成端面電極時，可介于虛設(shè)電極而將表面電極和端面電極可靠地進(jìn)行電連接。而且，由于端面電極不只是被涂敷在表面電極上，也被涂敷在虛設(shè)電極上，因此，端面電極和電極的貼緊力比端面電極和基片的貼緊力大，與只在表面電極上涂敷端面電極相比較，端面電極的貼緊力可以得到提高。
而且，由于表面電極和虛設(shè)電極介于1次分割槽而被連續(xù)地形成，所以在進(jìn)行電阻體的電阻值測量時，4端子電阻值測量端子的接觸面積可取得的較大，由此，可獲得能夠可靠地進(jìn)行4端子電阻值測量的效果。
上述芯片電阻器的制造方法，最好是在上述虛設(shè)電極形成工序中，形成在連結(jié)相對置的1次分割槽的方向的尺寸被設(shè)定得比在該方向的上述表面電極的尺寸要小的虛設(shè)電極，在上述端面電極形成工序中，通過形成從上述長條狀基片的端面向其上表面卷起的端面電極，用端面電極覆蓋上述虛設(shè)電極的實質(zhì)上全部。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于虛設(shè)電極的形狀比表面電極的形狀小，所以，可以確保電阻體的面積和電阻體的長度增大虛設(shè)電極的形狀變小的那部分，由此，能夠提高耐脈沖特性等負(fù)荷特性。
并且，由于其形狀比表面電極小的虛設(shè)電極實質(zhì)上全部被向長條狀基片上表面的兩端卷起而形成的端面電極覆蓋，所以上述虛設(shè)電極會被隱蔽起來，由此，可以獲得在檢查等時不會出現(xiàn)檢查裝置把虛設(shè)電極誤認(rèn)為是表面電極的效果。
上述芯片電阻器的制造方法，最好是還包括在上述片狀基片的方形基片上，以橫跨上述各虛設(shè)電極的大小形成覆蓋上述電阻體的玻璃層和覆蓋該玻璃層的樹脂層的工序。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于在虛設(shè)電極和電阻體之間覆蓋了玻璃層，所以，即使虛設(shè)電極是由銀系材料構(gòu)成，并且虛設(shè)電極與電阻體接近，也可以抑制在它們之間發(fā)生電遷移。而且，由于玻璃層被樹脂層覆蓋，因此在制造和使用中通過該樹脂層可以防止玻璃層出現(xiàn)裂縫，從而能夠更有效地抑制電遷移的發(fā)生。
而且，本發(fā)明還提供另一種芯片電阻器的制造方法，包括使用具有介于1次分割槽和2次分割槽而被設(shè)成格子狀的多個方形基片上的片狀基片，通過在橫跨該片狀基片的1次分割槽的區(qū)域形成電極，在片狀基片的方形基片的相對置的1次分割槽的內(nèi)側(cè)，形成沿著1次分割槽延伸的1對表面電極的工序；在上述方形基片上形成與上述1對表面電極的一部分電連接、并接近各表面電極的其他部分的電阻體的工序；在上述片狀基片的方形基片上，以橫跨上述各表面電極的大小形成覆蓋上述電阻體的玻璃層和覆蓋該玻璃層的樹脂層的工序；以及在沿著1次分割槽將上述片狀基片分割而得到的長條狀基片的相對置的端面上、形成與上述表面電極電連接的端面電極的工序。
根據(jù)該制造方法，由于在方形基片的相對置的兩個邊部，沿著這兩個邊部的延伸方向形成1對表面電極，所以，在分割成多個方形基片之前的片狀基片的狀態(tài)下，在方形基片的相對置的兩個邊部形成的表面電極可介于1次分割槽而被連續(xù)地形成。由此，使用具有介于1次分割槽和2次分割槽而被設(shè)成格子狀的多個方形基片上的片狀基片，在通過印刷、濺射等形成多個表面電極或多個電阻體時，即使表面電極的形成位置偏離了正常的位置，也由于表面電極落在1次分割槽上，所以，當(dāng)用該1次分割槽從片狀基片中分割出多個長條狀基片后，在長條狀基片的相對置的端面形成端面電極時，表面電極和端面電極能夠可靠地進(jìn)行電連接。而且，由于端面電極以較大的面積與表面電極連接，因而與以往相比，可以提高端面電極的貼緊力。并且，由于在表面電極和電阻體之間覆蓋了玻璃層，所以，即使表面電極是由銀系材料構(gòu)成，也可以抑制在它們之間發(fā)生電遷移。而且，由于玻璃層被樹脂層覆蓋，所以在制造和使用中通過該樹脂層可以防止玻璃層出現(xiàn)裂縫，從而能夠更有效地抑制電遷移的發(fā)生。
產(chǎn)業(yè)上的利用可能性本發(fā)明的芯片電阻器，在通過印刷、濺射等形成多個表面電極或電阻體時，即使形成位置發(fā)生了偏離，表面電極和端面電極也能夠可靠地進(jìn)行電連接，并且在進(jìn)行電阻體的電阻值測量時，4端子電阻值測量端子的接觸面積也可取得較大，由此，具有能夠可靠地進(jìn)行4端子電阻值測量的效果，作為謀求提高耐脈沖特性等的負(fù)荷特性的芯片電阻器是很有價值的。
權(quán)利要求
1.一種芯片電阻器，其特征在于包括1對表面電極，形成在方形基片的相對置的兩個邊部，相對于沿著連結(jié)該兩個邊部的方向延伸的方形基片的中心線互相位于相反一側(cè)；電阻體，形成在上述方形基片上，與上述1對表面電極電連接；和1對端面電極，形成在上述方形基片的相對置的兩個邊部的端面、并與上述1對表面電極電連接，其中，在上述方形基片的相對置的兩個邊部，在連結(jié)該兩個邊部的方向上與上述1對表面電極相對應(yīng)的位置分別形成虛設(shè)電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片電阻器，其特征在于上述1對表面電極的每一個，在連結(jié)上述方形基片的相對置的兩個邊部的方向，比上述各虛設(shè)電極更伸出至內(nèi)側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片電阻器，其特征在于上述1對端面電極，形成在上述方形基片的相對置的兩個邊部的端面，從該端面向方形基片的上表面卷起，通過這些端面電極，上述各虛設(shè)電極實質(zhì)上全部被覆蓋。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的芯片電阻器，其特征在于在上述方形基板上，以橫跨上述各虛設(shè)電極的大小形成覆蓋上述電阻體的玻璃層和覆蓋該玻璃層的樹脂層。
5.一種芯片電阻器，其特征在于包括1對表面電極，在方形基片的相對置的兩個邊部，沿著這兩個邊部的延伸方向而形成；和電阻體，形成在上述方形基片上、與這些表面電極的一部分電連接，并且接近各表面電極的其他部分；其中，在上述方形基片上，以橫跨上述各表面電極的大小形成覆蓋上述電阻體的玻璃層和覆蓋該玻璃層的樹脂層。
6.一種芯片電阻器的制造方法，其特征在于包括使用具有介于1次分割槽和2次分割槽而被設(shè)成格子狀的多個方形基片的片狀基片，在該片狀基片的方形基片的相對置的1次分割槽的內(nèi)側(cè)，相對于沿著連結(jié)相對置的1次分割槽的方向延伸的方形基片的中心線在互相相反的位置上形成1對表面電極的工序；在上述片狀基片的方形基片的相對置的1次分割槽內(nèi)側(cè)，相對于沿著與連結(jié)相對置的1次分割槽的方向相垂直的方向延伸的方形基片的中心線、與1對表面電極相對稱的位置上形成1對虛設(shè)電極的工序；在上述方形基片上形成與上述1對表面電極電連接的電阻體的工序；和在沿著1次分割槽將上述片狀基片進(jìn)行分割而得到的長條狀基片的相對置的端面上、形成與上述表面電極電連接的端面電極的工序，其中，上述表面電極形成工序和虛設(shè)電極形成工序同時進(jìn)行，以使表面電極和虛設(shè)電極介于1次分割槽而分別與相鄰的方形基片中的虛設(shè)電極和表面電極電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片電阻器的制造方法，其特征在于在上述虛設(shè)電極形成工序中，形成其連結(jié)相對置的1次分割槽的方向的尺寸被設(shè)定得比該方向的上述表面電極的尺寸小的虛設(shè)電極；在上述端面電極形成工序中，通過形成從上述長條狀基片的端面向其上表面卷起的端面電極，用端面電極實質(zhì)上覆蓋上述虛設(shè)電極的全部。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的芯片電阻器的制造方法，其特征在于還包括在上述片狀基片的方形基片上，以橫跨上述各虛設(shè)電極的大小形成覆蓋上述電阻體的玻璃層和覆蓋該玻璃層的樹脂層的工序。
9.一種芯片電阻器的制造方法，其特征在于包括使用具有介于1次分割槽和2次分割槽而被設(shè)成格子狀的多個方形基片的片狀基片，通過在橫跨該片狀基片的1次分割槽的區(qū)域形成電極，在片狀基片的方形基片的相對置的1次分割槽的內(nèi)側(cè)，形成沿著1次分割槽延伸的1對表面電極的工序；在上述方形基片上形成與上述1對表面電極的一部分電連接、并接近各表面電極的其他部分的電阻體的工序；在上述片狀基片的方形基片上，以橫跨上述各表面電極的大小形成覆蓋上述電阻體的玻璃層和覆蓋該玻璃層的樹脂層的工序；和在沿著1次分割槽將上述片狀基片分割而得到的長條狀基片的相對置的端面上、形成與上述表面電極電連接的端面電極的工序。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種表面電極和端面電極能可靠地電連接的芯片電阻器及其制造方法，該芯片電阻器包括，形成在方形基片的相對置的兩個邊部，相對于沿著連結(jié)這兩個邊部的方向延伸的方形基片的中心線互相位于相反一側(cè)的1對表面電極、形成在上述方形基片上與這1對表面電極電連接的電阻體、形成在上述方形基片的相對置的兩個邊部的端面，并與上述1對表面電極電連接的1對端面電極，其中，在上述方形基片的相對置的兩個邊部，在連結(jié)這兩個邊部的方向與上述1對表面電極相對應(yīng)的位置分別形成虛設(shè)電極。
文檔編號H01C17/06GK1989578SQ20058002465
公開日2007年6月27日 申請日期2005年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月27日
發(fā)明者井關(guān)健, 有賀秀二, 中尾光明 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社