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表面覆有無機半導(dǎo)體納米薄膜的瓷或玻璃絕緣子的制作方法

文檔序號:6862412閱讀:236來源:國知局
專利名稱:表面覆有無機半導(dǎo)體納米薄膜的瓷或玻璃絕緣子的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種高壓絕緣子及其串元件,具體的說是一種高壓瓷或玻 璃絕緣子。
技術(shù)背景高壓瓷或玻璃絕緣子主要應(yīng)用于各種高壓輸變電路中高壓導(dǎo)線與桿 塔間的絕緣。長期以來,絕緣子一直存在著污閃現(xiàn)象,已經(jīng)嚴重影響高 壓輸變電路的安全生產(chǎn),給國民經(jīng)濟帶來重大影響,并且隨著經(jīng)濟快速 增長導(dǎo)致環(huán)境污染日益嚴重。目前國內(nèi)外絕緣子的防污閃措施從技術(shù)上 可分為下述幾類(1)機械地增加絕緣子爬電距離,如增加絕緣子串中 的絕緣子片數(shù)、采用大爬距絕緣子等。(2)根據(jù)空氣動力學(xué)原理設(shè)計出 防污造型的絕緣子,如雙傘、三傘型、鐘罩型(Fog型)絕緣子等。上述 這些技術(shù)不同程度地提高了絕緣子防污閃性能,但還不能杜絕污閃發(fā)生。 因此,如何不斷提高絕緣子的耐污閃性能依然是電力部門一直追求的目 標之一。 實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種表面覆有無機半導(dǎo)體納米薄膜的瓷或玻璃絕 緣子,它具備防污閃功能。本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的它包括由瓷或玻璃鋼材料制成的絕緣子 體,其特征在于在絕緣子體表面覆有一層厚度和顆粒大小都為納米尺寸的無 機半導(dǎo)體納米薄膜。較之已有技術(shù)而言,本實用新型通過在普通瓷或玻璃絕緣子的外表面上增 加一層厚度和顆粒大小都為納米尺寸的無機半導(dǎo)體薄膜材料, 一方面利用半導(dǎo) 體薄膜相對較絕緣材料低的表面電阻率,使使用過程中產(chǎn)生的漏電電流可加 熱絕緣子表面,促使其表面水分蒸發(fā),從而阻斷污閃電流通路以達到防污 閃目的;另一方面利用半導(dǎo)體材料較低的介電常數(shù)及其納米結(jié)構(gòu)特性,可 減少表面靜電積累進而減少絕緣子傘裙靜電吸附灰塵,同時可使整串絕緣
子表面電壓分布更為均勻,減少局部高壓產(chǎn)生閃絡(luò),進而提高防污閃性能, 從而保證高電壓輸配電系統(tǒng)的安全運行。此外,該無機半導(dǎo)體納米薄膜因 具備納米級厚度和粒子尺寸,使用時漏電電流較小,電損也較小,且無需 高溫焙燒。

圖l是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。標號說明l絕緣子體,2無機半導(dǎo)體納米薄膜。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖詳述本實用新型。如圖1所示,本實用新型包括由瓷或玻璃鋼材料制成的絕緣子體1,其特征 在于在絕緣子體1表面覆有一層厚度和顆粒大小都為納米尺寸的無機半導(dǎo)體 納米薄膜2,由此制成了由瓷或玻璃鋼與無機半導(dǎo)體納米薄膜的復(fù)合結(jié)構(gòu)的瓷或 玻璃絕緣子。實施例一上述的無機半導(dǎo)體納米薄膜由二氧化鈦、氧化鐵和氧化鋅三種 無機半導(dǎo)體材料的一種或幾種組成。實施例二上述的無機半導(dǎo)體納米薄膜由二氧化鈦、氧化鐵和氧化鋅三種無機半導(dǎo)體材料中的一種與Si02、八1203或Zr02三種氧化物材料中的一種復(fù)合而成。本實用新型所提供的表面覆有無機半導(dǎo)體納米薄膜的瓷或玻璃絕緣子利用 半導(dǎo)體薄膜的半導(dǎo)體特性和納米結(jié)構(gòu)特性,通過其表面產(chǎn)生的漏電電流、抗靜 電吸附及均表面電壓分布等作用,而具備防污閃功能,從而保證高電壓輸 配電系統(tǒng)的安全運行,具有較大的推廣應(yīng)用價值。
權(quán)利要求1.一種表面覆有無機半導(dǎo)體納米薄膜的瓷或玻璃絕緣子,包括由瓷或玻璃鋼材料制成的絕緣子體,其特征在于在絕緣子體(1)表面覆有一層厚度和顆粒大小都為納米尺寸的無機半導(dǎo)體納米薄膜(2)。
專利摘要本實用新型公開了一種表面覆有無機半導(dǎo)體納米薄膜的瓷或玻璃絕緣子,它包括由瓷或玻璃鋼材料制成的絕緣子體,其特征在于在絕緣子體表面覆有一層厚度和顆粒大小都為納米尺寸的無機半導(dǎo)體納米薄膜。本實用新型利用半導(dǎo)體薄膜的半導(dǎo)體特性和納米結(jié)構(gòu)特性,通過其表面產(chǎn)生的漏電電流、抗靜電吸附及均表面電壓分布等作用,而具備防污閃功能,從而保證高電壓輸配電系統(tǒng)的安全運行。
文檔編號H01B17/00GK201041761SQ20052009919
公開日2008年3月26日 申請日期2005年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月1日
發(fā)明者付賢智, 平 劉, 孫立新, 廖福旺, 戴文新, 倩 施, 曾文琳, 韓 林, 王緒緒, 蔡鴻賢, 宇 邵, 旬 陳 申請人:福州大學(xué);福建省電力試驗研究院;福建和盛集團有限公司
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