專利名稱：溶劑去除裝置以及溶劑去除方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種溶劑去除裝置以及溶劑去除方法。
背景技術(shù)：
公知有一種在基板上形成均一膜厚的薄膜(例如光致抗蝕劑膜)的技術(shù)。
在形成該薄膜的過程中，需要使在基板上涂布的被膜干燥。作為該干燥方法，公知一種對(duì)于被膜整體進(jìn)行加熱使之干燥的方法。
然而在這樣的以往方法中，由于被膜中含有的溶劑(液體)，從表面迅速氣化，產(chǎn)生與內(nèi)部的密度差，因此會(huì)因?qū)α鲗?dǎo)致膜表面的平坦度降低。
并且，因流動(dòng)導(dǎo)致沒有充分發(fā)揮自動(dòng)找平(平滑化)的作用，膜厚分布變得惡劣，尤其，與基板的中央部相比由于邊緣部的干燥速度較快，因此基板的中央部與邊緣部(端部)附近的膜厚差增大。并且存在的問題在于，液體材料內(nèi)的成分均一性也會(huì)降低，產(chǎn)生膜質(zhì)量的不穩(wěn)定。
而且，公知一種在減壓條件下，通過對(duì)在基板上涂布的液體材料進(jìn)行烘焙(熱處理)，從而使被膜的流動(dòng)性消失的方法(例如參照專利文獻(xiàn)1)。
然而，在這樣的以往方法中，一旦減壓度較高則會(huì)引起急劇的溶劑干燥，會(huì)使抗蝕劑的材料特性改變，有破壞薄膜表面之虞。
專利文獻(xiàn)1特開平8-194316號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠使在工件中設(shè)置的被膜的膜厚均一的溶劑去除裝置以及溶劑去除方法。
這樣的目的是通過下述發(fā)明實(shí)現(xiàn)的。
本發(fā)明的溶劑去除裝置，其特征在于，具有
工件支持機(jī)構(gòu)，其對(duì)設(shè)置含有膜材料和溶劑的液狀的膜形成用材料的被膜的工件進(jìn)行支持；氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，其向上述工件的中央部導(dǎo)入脫溶劑去除用的氣體；限制機(jī)構(gòu)，其按照上述氣體從上述工件的中央部向邊緣部流動(dòng)呈放射狀那樣，對(duì)該氣體的流動(dòng)進(jìn)行限制，通過上述限制機(jī)構(gòu)，對(duì)上述氣體的流動(dòng)進(jìn)行限制，同時(shí)從上述被膜中將上述溶劑去除。
這樣，便能夠使在工件中設(shè)置的被膜的膜厚均一。
本發(fā)明的溶劑去除裝置中，上述限制機(jī)構(gòu)，具備將來自上述氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)的氣體導(dǎo)入的開口，具有按照與上述工件對(duì)置那樣配置的對(duì)置板，優(yōu)選上述氣體，沿著在上述對(duì)置板與上述工件之間形成的流路流動(dòng)。
這樣，便能夠容易且確切地促進(jìn)氣體從中央部向邊緣部的流動(dòng)(限制)。
本發(fā)明的溶劑去除裝置中，優(yōu)選上述對(duì)置板，在俯視中按照將上述工件覆蓋的方式構(gòu)成。
這樣，便能夠使氣體散布在工件的大約整個(gè)面。
本發(fā)明的溶劑去除裝置中，優(yōu)選上述限制機(jī)構(gòu)，具有流動(dòng)促進(jìn)機(jī)構(gòu)，其通過使上述工件的中央部與邊緣部的壓力差增大從而促進(jìn)上述放射狀的氣體的流動(dòng)。
這樣，便能夠更加確切地制作氣體的流動(dòng)。
本發(fā)明的溶劑去除裝置中，優(yōu)選向上述工件的中央部導(dǎo)入的氣體中，含有上述溶劑。
這樣，便能夠容易防止工件的尤其中央部的過分干燥。
本發(fā)明的溶劑去除裝置中，優(yōu)選具有檢測(cè)機(jī)構(gòu)，其對(duì)從上述工件的中央部到邊緣部為止的給定位置中、上述氣體中的上述溶劑的濃度進(jìn)行檢測(cè)；和流量調(diào)整機(jī)構(gòu)，其基于上述檢測(cè)機(jī)構(gòu)的檢測(cè)結(jié)果對(duì)向上述工件的中央部導(dǎo)入的氣體的流量進(jìn)行調(diào)整。
這樣，便能夠?qū)怏w中的溶劑的濃度進(jìn)行檢測(cè)，并且，能夠?qū)怏w的流量進(jìn)行調(diào)整。
本發(fā)明的溶劑去除裝置中，優(yōu)選上述流量調(diào)整機(jī)構(gòu)，按照在上述氣體到達(dá)上述工件的邊緣部附近時(shí)，由氣化后的上述溶劑使上述氣體成為飽和狀態(tài)而保持的最大流量的方式，對(duì)導(dǎo)入上述工件的中央部的氣體的流量進(jìn)行調(diào)整。
這樣，便能夠使氣體的利用效率提高。
優(yōu)選本發(fā)明的溶劑去除裝置中，具有檢測(cè)機(jī)構(gòu)，其對(duì)從上述工件的中央部至邊緣部為止的給定位置中、上述氣體中的上述溶劑的濃度進(jìn)行檢測(cè)；比例調(diào)整機(jī)構(gòu)，其基于上述檢測(cè)機(jī)構(gòu)的檢測(cè)結(jié)果，對(duì)向上述工件的中央部導(dǎo)入的氣體中含有的溶劑的比例進(jìn)行調(diào)整。
這樣，便能夠?qū)ζ潴w中的溶劑的濃度進(jìn)行檢測(cè)，并且，能夠?qū)怏w中含有的溶劑的比例進(jìn)行調(diào)整。
本發(fā)明的溶劑去除裝置，優(yōu)選上述比例調(diào)整機(jī)構(gòu)，按照當(dāng)上述氣體到達(dá)上述工件的邊緣部附近時(shí)，從由上述溶劑使上述氣體處于不飽和狀態(tài)，變成由氣化后的上述溶劑使上述氣體處于飽和狀態(tài)那樣，對(duì)被導(dǎo)入上述工件的中央部的氣體中含有的溶劑的比例進(jìn)行調(diào)整。
這樣，便能夠使溶劑的利用效率提高。
本發(fā)明的溶劑去除裝置中，優(yōu)選上述檢測(cè)機(jī)構(gòu)，對(duì)在上述工件的邊緣部附近的上述氣體中的上述溶劑的濃度進(jìn)行檢測(cè)。
這樣，便能夠?qū)ぜ倪吘壊扛浇臍怏w中的溶劑的濃度進(jìn)行檢測(cè)。
本發(fā)明的溶劑去除裝置中，優(yōu)選具備氣室，其容納上述工件，對(duì)其內(nèi)部的氣氛的條件進(jìn)行管理。
這樣，由于能夠使工件周邊的氣氛(環(huán)境)成為所望的氣氛，因此能夠制造膜厚更加均一的工件。
本發(fā)明的溶劑去除裝置中，具有減壓機(jī)構(gòu)，其使上述氣室內(nèi)成為減壓狀態(tài)，優(yōu)選一邊對(duì)上述氣室內(nèi)進(jìn)行減壓，同時(shí)氣體從上述工件的中央部向邊緣部流動(dòng)后從上述被膜中將上述溶劑去除。
這樣，便能夠促進(jìn)薄膜的干燥。
本發(fā)明的溶劑去除裝置中，具有加熱機(jī)構(gòu)，其對(duì)上述工件進(jìn)行加熱，
優(yōu)選一邊由上述加熱機(jī)構(gòu)對(duì)上述工件進(jìn)行加熱，同時(shí)氣體從上述工件的中央部向邊緣部流動(dòng)后從上述被膜中將上述溶劑去除。
這樣，便能夠促進(jìn)薄膜的干燥。
本發(fā)明的溶劑去除裝置中，優(yōu)選具有被膜形成機(jī)構(gòu)，其在上述工件中形成上述被膜，這樣，由于能夠在溶劑去除裝置中形成液狀的膜形成用材料的被膜，因此在工件中形成被膜之后，在進(jìn)行從被膜中去除溶劑的動(dòng)作(作業(yè))時(shí)，不需要另外進(jìn)行工件的供給除去材料或?qū)?zhǔn)。這樣，可削減作業(yè)工序數(shù)量，實(shí)現(xiàn)吞吐率(生產(chǎn)能率)的提高。并且，能夠使系統(tǒng)整體變得小型化。
本發(fā)明的溶劑去除方法，其特征在于，具有將具有由含膜材料與溶劑的液狀的膜形成用材料形成的被膜的工件設(shè)置在處理位置的工序；使氣體從所述工件的中央部向邊緣部流動(dòng)，同時(shí)將所述溶劑從所述被膜去除的工序。
這樣，便能夠使在工件中設(shè)置的被膜的膜厚變得均一。
本發(fā)明的溶劑去除方法，是一種采用本發(fā)明的溶劑去除裝置從上述被膜中將上述溶劑去除的溶劑去除方法，其特征在于，具有由所述工件支持機(jī)構(gòu)支持所述工件的工序；使氣體從所述工件的中央部向邊緣部流動(dòng)，同時(shí)將所述溶劑從所述被膜去除的工序。
這樣，便能夠使在工件中設(shè)置的被膜的膜厚變得均一。


圖1為表示本發(fā)明的溶劑去除裝置的實(shí)施方式的剖面?zhèn)让鎴D。
圖2為表示本發(fā)明的溶劑去除裝置的實(shí)施方式的剖面?zhèn)让鎴D。
圖3為表示圖1中的基臺(tái)、對(duì)置板、排氣口的位置關(guān)系的平面圖。
圖4為說明本發(fā)明的溶劑去除裝置中的薄膜形成工序的剖面?zhèn)让鎴D。
圖5為說明本發(fā)明的溶劑去除裝置中的溶劑去除工序的剖面?zhèn)让鎴D。
圖6為表示第1控制方法的流程圖。
圖7為表示第2控制方法的流程圖。
圖中1-溶劑去除裝置，12-控制機(jī)構(gòu)，13、14-密封部件，2-氣室，21-內(nèi)部空間，22-上壁，23-基臺(tái)，231-加熱器，232-上面，24-對(duì)置板，241-開口，25-側(cè)壁，26-流出口，27-氣體傳感器，28-排氣口，29-下壁，3-氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，31-氣體導(dǎo)入管，32a、32b-管道，33-混合單元，34-質(zhì)量流，35-泵，36-氣缸，37-質(zhì)量流，38-材料源，4-被膜形成機(jī)構(gòu)，6-旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，61-旋轉(zhuǎn)軸，62-主體部，7-流路，9-流動(dòng)促進(jìn)機(jī)構(gòu)，90-排氣管，91-流路開閉機(jī)構(gòu)，P-泵，W-基板。
具體實(shí)施例方式
以下，基于附圖所示的適當(dāng)?shù)膶?shí)施方式對(duì)本發(fā)明的溶劑去除裝置以及溶劑去除方法詳細(xì)進(jìn)行說明。
圖1以及圖2為表示本發(fā)明的溶劑去除裝置的實(shí)施方式的側(cè)面圖，圖3為表示圖1中的基臺(tái)、對(duì)置板、排氣口的位置關(guān)系的平面圖。另外以下，為了方便說明，將圖1、2中的上側(cè)叫做“上”、下側(cè)叫做“下”、左側(cè)叫做“左”、右側(cè)叫做“右”。
如圖1所示，溶劑去除裝置1，具有氣室(減壓槽)2、氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)3、被膜形成機(jī)構(gòu)(分配單元)4、基臺(tái)(工件支持機(jī)構(gòu))23、與基板23對(duì)置的對(duì)置板24、側(cè)壁25、對(duì)基板23進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(變位機(jī)構(gòu))6、流動(dòng)加速機(jī)構(gòu)9、和控制機(jī)構(gòu)12。
以下，關(guān)于這些各個(gè)構(gòu)成要素依次進(jìn)行說明。
該溶劑去除裝置1，是一種通過含膜材料(例如光致抗蝕劑等抗蝕劑材料)和溶劑的液狀膜形成用材料(吐出液)，從作為在其表面形成(設(shè)置)給定圖形被膜的工件的基板W中將無用溶劑去除(使被膜干燥)的裝置。
另外，以下，將無用溶劑的去除結(jié)束后的膜材料稱作“薄膜”。
以溶劑去除裝置1為對(duì)象的基板W的原材料、形狀、尺寸，沒有被特別限定，作為其原材料，能夠以例如硅(Si)基板、玻璃基板、金屬制基板、樹脂制基板、陶瓷基板等為對(duì)象。并且，基板W，呈板狀，在俯視中呈大約圓形氣室2，是一種容納基板W，可將其內(nèi)部空間21氣密性隔斷的容器，在內(nèi)部空間21，分別設(shè)置基板23、對(duì)置板24、側(cè)壁25、和氣體傳感器(檢測(cè)機(jī)構(gòu))27。
并且，氣室2中，具備調(diào)節(jié)(管理)內(nèi)部空間21的溫度以及濕度的未圖示的空調(diào)裝置。通過該空調(diào)裝置，對(duì)內(nèi)部空間21(氣室內(nèi))的氣氛條件進(jìn)行管理。
并且，氣室2，具有未圖示的開閉門(開閉板)?；錡，通過該開閉門，供給材料或者除去材料(排出材料)。
在氣室2中，分別連接有排氣管90，其向?qū)?nèi)部空間21的氣體排出的泵(流動(dòng)促進(jìn)機(jī)構(gòu))P排氣；氣體導(dǎo)入管31(氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)3)，其用于向內(nèi)部空間21導(dǎo)入作為脫溶劑去除用的氣體(處理氣體)的混合氣體導(dǎo)入。
氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)3，將混合氣體導(dǎo)入基板W的中央部。
該混合氣體中，包含與在上述基板W的表面形成的膜形成用材料中含有的溶劑(液體)共同的溶劑、或者具有對(duì)于膜形成用材料中含有的溶劑產(chǎn)生與上述共同的溶劑大約同等作用的性質(zhì)的溶劑。作為該溶劑，優(yōu)選采用高沸點(diǎn)溶劑。這里，所謂高沸點(diǎn)溶劑，是指沸點(diǎn)在110～280℃左右。
通過采用高沸點(diǎn)溶劑作為溶劑，從而能夠抑制·防止因后述的加熱器231的加熱使基板W上的溶劑迅速氣化。這樣，由于能夠使膜材料的對(duì)流為最佳，因此能夠使在基板W上設(shè)置的薄膜的膜厚變得均一。
另外，關(guān)于混合氣體后面詳細(xì)描述。
并且，向基板W的中央部導(dǎo)入的混合氣體的流量，雖依據(jù)例如所使用的基板W的尺寸、或被膜的種類、混合氣體的種類等各種條件而被適當(dāng)設(shè)定，但優(yōu)選在10～200ccm左右，更優(yōu)選在50～300ccm左右。
另外，關(guān)于該氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)3，后面詳細(xì)描述。
在氣室2的上壁22上，形成貫通孔，氣體導(dǎo)入管31，貫通該貫通孔，被設(shè)定為相對(duì)氣室2可在圖1中的上下方向移動(dòng)。在上述貫通孔中，設(shè)置密封部件(背襯)13，通過該密封部件13，將氣室2的內(nèi)部與外部隔斷，保持氣室2的氣密性。
基板23，被設(shè)置為用于支持基板W。
并且，基板23呈圓板狀，被設(shè)置為其中心部被旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)6的旋轉(zhuǎn)軸61固定的狀態(tài)。
旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)6的主體部62，被設(shè)置在氣室2的外部，旋轉(zhuǎn)軸61，處于將氣室2的底部貫通的狀態(tài)。通過在旋轉(zhuǎn)軸61插進(jìn)的貫通孔中，設(shè)置密封部件(背襯)14，從而保持氣室2的氣密性。
旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)6的主體部62，內(nèi)置未圖示的馬達(dá)、變速機(jī)等，通過旋轉(zhuǎn)軸61，對(duì)基臺(tái)23進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)。旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)6的動(dòng)作(停止/運(yùn)轉(zhuǎn)、旋轉(zhuǎn)速度、旋轉(zhuǎn)角度等)，由控制機(jī)構(gòu)12控制。
并且，基臺(tái)23的上面232(圖1中上側(cè)面)、即與對(duì)置板24對(duì)置的面，為相對(duì)水平面(水準(zhǔn)面)為大約平行的面。
在基臺(tái)23的內(nèi)部，設(shè)置將基板W加熱至所望的溫度的加熱器(加熱機(jī)構(gòu))231。
后述的溶劑去除工序(從基板W中將無用溶劑去除的工序)中，通過由加熱器231對(duì)基板W進(jìn)行加熱，從而使溶劑氣化(蒸發(fā))。
并且，通過對(duì)基板W進(jìn)行加熱，從而能夠使被膜的流動(dòng)性為最佳，這樣，容易使薄膜的厚度為均一。
這種情況下，優(yōu)選按照基板W的溫度，為30～150℃左右的方式進(jìn)行加熱，更優(yōu)選為35～80℃的方式進(jìn)行加熱。
若上述基板溫度比上述上限高，則被膜的變質(zhì)、或固化之前的時(shí)間太短。并且，若上述下限較低，則由于被膜的粘度沒有下降，因此其流動(dòng)性惡化后制造時(shí)間變長(zhǎng)，并且，有些情況下完成后的薄膜的厚度會(huì)產(chǎn)生不均。
在上面232上，形成未圖示的多個(gè)開口。
在該基臺(tái)23上，連接有未圖示的空吸泵，通過其空吸泵的動(dòng)作，在基臺(tái)23的上面232上實(shí)現(xiàn)對(duì)基板W進(jìn)行吸空。
如圖3所示，對(duì)置板24呈圓板狀，其下面(圖1中的下側(cè)面)即與基臺(tái)23對(duì)置的面為平面。
對(duì)置板24，為在俯視中將基板W覆蓋的大小，如上述，按照與基臺(tái)23對(duì)置的方式而配置。
這里，對(duì)置板24與基板W(基臺(tái)23)之間的空間，為氣體流動(dòng)的流路7。優(yōu)選該流路7在圖1中上下方向的間隙(對(duì)置板24與基板W的距離)，為0.5～20mm程度，更優(yōu)選為1～5mm程度，例如2mm程度。
該對(duì)置板24，如圖3所示，在中央部具有開口241。
氣體導(dǎo)入管31的一端側(cè)(圖1中下側(cè))，可拆卸那樣插入開口241中。這樣，便將開口241的內(nèi)腔與氣體導(dǎo)入管31的內(nèi)腔聯(lián)通。
來自氣體導(dǎo)入管31的氣體，通過開口241導(dǎo)入基板W的中央部。
并且，對(duì)置板24，通過未圖示的移動(dòng)機(jī)構(gòu)可在圖1中上下方向移動(dòng)，在圖1所示的第1位置和圖2所示的第2位置(與被膜形成機(jī)構(gòu)4不產(chǎn)生干涉的位置)之間移動(dòng)。
側(cè)壁25呈圓筒狀(筒狀)。該側(cè)壁25，如圖1所示，其外徑與對(duì)置板的直徑大約相等，對(duì)對(duì)置板24的外周部進(jìn)行支持。
如圖1所示，在后述的溶劑去除工序中，對(duì)置板24，位于第1位置，即載置(保持)在側(cè)壁25上。并且，在后述的被膜形成工序(在處理位置設(shè)置工件的工序)中，在與氣體導(dǎo)入管31脫離的狀態(tài)下，位于第2位置，即，避開氣室2的上部，通過未圖示的保持機(jī)構(gòu)保持。
另外，在使對(duì)置板24在第2位置移動(dòng)時(shí)，在這之前，將對(duì)置板24與玻璃導(dǎo)入管31的連接解除。
如圖1以及圖3所示，在氣室2的下壁29，形成將氣室2內(nèi)的氣體排出的圓環(huán)狀(環(huán)狀)的排氣口(吸入口)28。
并且，在側(cè)壁25與基臺(tái)23的外周部之間設(shè)置的空間，構(gòu)成圓環(huán)狀(環(huán)狀)的流出口26，混合氣體通過流出口26被導(dǎo)向排氣口28。
流動(dòng)促進(jìn)機(jī)構(gòu)9，具有排氣管90、吸入混合氣體的泵P、在排氣管90的中途設(shè)置的流路開閉機(jī)構(gòu)(閥)91。排氣管90的一端側(cè)，其內(nèi)部與氣室2的排氣口28連接(其內(nèi)部與排氣口28聯(lián)通)，在排氣管90的另一端側(cè)，連接有泵P。
通過該泵P的動(dòng)作，被導(dǎo)入內(nèi)部空間21的混合氣體等氣體，通過排氣口28以及排氣管90被排出(排氣)至氣室2的外部。
流路開閉機(jī)構(gòu)91，能對(duì)排氣管90的流路的開合度逐步地或者連續(xù)地進(jìn)行調(diào)整，能夠?qū)臍馐?的排氣口28排出的混合氣體的流路進(jìn)行調(diào)整。
該流路開閉機(jī)構(gòu)91，基于來自控制機(jī)構(gòu)12的信號(hào)進(jìn)行動(dòng)作。
這里，由基臺(tái)23、對(duì)置板24、側(cè)壁25構(gòu)成對(duì)氣體的流動(dòng)進(jìn)行限制的限制機(jī)構(gòu)的主要部件。
限制機(jī)構(gòu)，其按照由氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)3導(dǎo)入的混合氣體，沿著流路7從基板W的中央部向邊緣部流動(dòng)呈放射狀那樣對(duì)混合氣體的流動(dòng)進(jìn)行限制。
在如后述使被膜干燥時(shí)，通過氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)3導(dǎo)入混合氣體。這時(shí)，采用泵P通過從基板W的端部側(cè)對(duì)混合氣體進(jìn)行吸入，從而基板W的中央部與邊緣部的壓力差增大，促進(jìn)混合氣體從基板W的中央部向邊緣部的流動(dòng)。
氣體傳感器27，對(duì)混合氣體中的溶劑(溶劑蒸汽)的濃度進(jìn)行檢測(cè)。該氣體傳感器27，設(shè)置在基板W的邊緣部(端部)，對(duì)基板W的附近的濃度進(jìn)行檢測(cè)。
該氣體傳感器27，與控制機(jī)構(gòu)12電連接。
如圖1以及圖2所示，溶劑去除裝置1，在被膜形成工序與溶劑去除工序中，可與被膜形成機(jī)構(gòu)4與氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)3進(jìn)行互換。該交換，是通過未圖示的機(jī)構(gòu)自動(dòng)進(jìn)行的。
如圖2所示，被膜形成機(jī)構(gòu)4，在后述的被膜形成工序中，在基板W上形成上述被膜。該被膜形成機(jī)構(gòu)4，在如圖5所示的溶劑去除工序中，處于避開給定位置的狀態(tài)。
如圖1所示，氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)3，具有氣體導(dǎo)入管31、管道32a、管道32b、混合單元33、質(zhì)量流(流量調(diào)整機(jī)構(gòu))34、泵35、氣缸36、質(zhì)量流37、材料源(儲(chǔ)存庫(kù))38。
如圖1所示，氣體導(dǎo)入管31，其一端側(cè)與開口241連接，另一端側(cè)與混合單元33連接。
管道32a，其一端側(cè)與氣缸36連接，另一端側(cè)與混合單元33連接。
管道23b，其一端側(cè)與材料源38連接，另一端側(cè)與混合單元33連接。
并且，在管道32a的混合單元33與氣缸36之間(中途)設(shè)置有質(zhì)量流34以及泵35，在管道32b的混合單元33與材料源38之間(中途)設(shè)置有質(zhì)量流37。
氣缸36，在其內(nèi)部填充氣體(以下稱作“氣缸氣體”)。
并且，作為所采用的氣缸氣體(處理氣體)，依據(jù)構(gòu)成液狀材料的材料(膜材料、溶劑等)的種類等、各種條件、或目的等適當(dāng)被設(shè)定。
在僅以被膜的干燥為目的的情況下，例如能夠?qū)⒌獨(dú)狻穸鹊偷目諝?干空氣)等單獨(dú)或者混合采用或者，在以被膜的干燥以及氧化為目的的情況下，例如能夠采用氧氣、氧氣濃度較高的氣體等。
并且，在以被膜的干燥以及還原為目的的情況下，例如能夠采用氨氣、氨氣濃度較高的氣體等。
泵35，為將氣缸36內(nèi)部的氣缸氣體提供給質(zhì)量流34的供給機(jī)構(gòu)。另外，泵35可省略。
質(zhì)量流34，為調(diào)節(jié)氣缸氣體的流量的裝置，該裝置，是一種不論到達(dá)質(zhì)量流34的氣缸氣體的壓力等如何，都會(huì)將恒定量的氣缸氣體提供給混合單元33的裝置。該質(zhì)量流34，與控制機(jī)構(gòu)12電連接。
材料源38，將溶劑蓄積在其內(nèi)部。作為該溶劑，優(yōu)選與上述的即在基板W上設(shè)置的膜形成用材料的溶劑相同。
質(zhì)量流37，為對(duì)來自材料源38的溶劑的流量進(jìn)行調(diào)整的裝置，該裝置，是一種不論到達(dá)質(zhì)量流37的溶劑的壓力、量等如何，都能夠?qū)⒑愣康娜軇┨峁┙o混合單元33的裝置。
該質(zhì)量流37，具備氣化器，來自材料源38的溶劑，通過該氣化器被氣化，成為蒸汽(以下稱作“溶劑蒸汽“)，被提供給混合單元33。
該質(zhì)量流37，與控制機(jī)構(gòu)12電連接。
從這些質(zhì)量流34以及質(zhì)量流37給混合單元33提供的氣缸氣體以及溶劑蒸汽，在混合單元33內(nèi)，按照其濃度分布為大約均一的那樣被混合成為混合氣體。
從混合單元33出來的混合氣體，通過氣體導(dǎo)入管31，被導(dǎo)入基板W的中央部(氣室2內(nèi))。
控制機(jī)構(gòu)12，是一種對(duì)質(zhì)量流34、37、旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)6、流路開閉機(jī)構(gòu)91等各個(gè)部分的動(dòng)作進(jìn)行控制的機(jī)構(gòu)，具有CPU(Central ProcessingUnit)，和存儲(chǔ)部，其對(duì)用于執(zhí)行溶劑去除裝置1的控制動(dòng)作的程序等各種程序以及各種數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)。圖示的構(gòu)成中，控制機(jī)構(gòu)12，被設(shè)置在氣室2的外部。
由控制機(jī)構(gòu)12和質(zhì)量流34構(gòu)成對(duì)氣缸氣體(氣體)的流量進(jìn)行調(diào)整的流量調(diào)整機(jī)構(gòu)的主要部分。
并且，由控制機(jī)構(gòu)12和質(zhì)量流37構(gòu)成對(duì)混合氣體(氣體)中含有的溶劑的比例進(jìn)行調(diào)整的比例調(diào)整機(jī)構(gòu)的主要部分。
接著，對(duì)采用溶劑去除裝置1的溶劑去除方法(從在基板W上設(shè)置的被膜中去除溶劑的方法)進(jìn)行說明。
首先，在關(guān)閉流路開閉機(jī)構(gòu)91的狀態(tài)下，打開上述開閉門(開閉板)，然后通過未圖示的搬送機(jī)構(gòu)，在基臺(tái)23上載置基板W，關(guān)閉開閉門。
通過溶劑去除裝置1具備的未圖示的基板定位裝置(省略說明)的動(dòng)作在基臺(tái)23上定位(對(duì)準(zhǔn))在給定位置時(shí)，通過上述吸入泵的動(dòng)作，基板W，被基臺(tái)23吸附、設(shè)置(支持)。
(薄膜形成工序)接著，在基板W的上側(cè)設(shè)置被膜形成機(jī)構(gòu)4，在基板W的上面滴下液狀的膜形成用材料。
接著，采用旋涂法，在基板W上形成膜形成用材料的被膜。具體來說，通過旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)6的動(dòng)作使基臺(tái)23旋轉(zhuǎn)后使膜形成用材料在基板W上擴(kuò)散至給定的膜厚，并使多余的膜形成用材料飛散后形成被膜。
接著，被膜形成機(jī)構(gòu)4避開(移動(dòng))氣室2，代替將氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)3以及對(duì)置板24設(shè)置在給定位置。
通過以上，將基板(工件)W設(shè)置在處理位置的工序便結(jié)束。
(溶劑去除工序)首先，通過由加熱器231對(duì)基板W進(jìn)行加熱，從而將在基板W上形成被膜加熱。
接著，從氣體導(dǎo)入管31將混合氣體導(dǎo)入基板W的中央部。
而且，與混合氣體的導(dǎo)入大約同時(shí)，打開流路開閉機(jī)構(gòu)91，通過泵P，從基板W的邊緣部側(cè)吸入氣室2內(nèi)的氣氛。
這里，一旦混合氣體與基板W上的被膜接觸，則通過該混合氣體，將該部分的溶劑脫離(氣化)后進(jìn)行被膜的干燥(將被膜的溶劑去除)。
這樣，首先，基板W的中央部的被膜，通過混合氣體將溶劑脫離后進(jìn)行干燥。其后，混合氣體，沿著流路7，從基板W的中央部向邊緣部流動(dòng)呈放射狀，在基板W上的被膜的溶劑，通過該氣體從中央部向邊緣部依次被去除。
隨著混合氣體與基板W的邊緣部的接近，混合氣體中含有的溶劑蒸汽的濃度逐漸增大(混合氣體中所占的溶劑蒸汽的比例漸增)。隨之，減少通過混合氣體將基板W上被膜的溶劑脫離的脫離量。
其后，混合氣體，到達(dá)基板W的外周部(邊緣部)。這時(shí)，按照因氣化后的溶劑，致使混合氣體成為飽和狀態(tài)而保持的最大流量的方式(按照混合氣體中含有的溶劑的濃度變高達(dá)到飽和狀態(tài)那樣)，對(duì)混合氣體的流量進(jìn)行控制。另外，關(guān)于該控制方法(第1控制方法)，后面詳細(xì)描述。
之后，混合氣體，通過流出口26以及排氣口28導(dǎo)向排氣管90，被排出至氣室2的外部。
如此便從基板W上設(shè)置的被膜中將溶劑去除。
一旦基板W的干燥結(jié)束，則停止混合氣體的導(dǎo)入，打開氣室2的開閉門，此后通過上述搬送機(jī)構(gòu)將基板W除去，供給接下來的基板W。
圖6為表示第1控制方法的流程圖。
接著，關(guān)于上述的混合氣體的流量的控制方法(第1控制方法)，參照?qǐng)D6所示的流程圖進(jìn)行說明。
首先，基于氣體傳感器27的檢測(cè)結(jié)果，判斷混合氣體是否為飽和狀態(tài)。
在混合氣體為飽和狀態(tài)的情況下(步驟S101的是)，判斷混合氣體的流量較少，通過對(duì)質(zhì)量流34進(jìn)行控制，從而使給密封單元33供給的氣缸氣體的流量(來自氣缸36的氣缸氣體的流量)增大(步驟S102)。其后，過渡至步驟S104。
另一方面，在氣體未處于飽和狀態(tài)的情況下(步驟S102的否)，判斷混合氣體的流量較多，通過對(duì)質(zhì)量流34進(jìn)行控制，從而使給密封單元33供給的氣缸氣體的流量(來自氣缸36的氣缸氣體的流量)減少(步驟S103)。其后，過渡至步驟S104。
接著，判斷給定時(shí)間是否已經(jīng)過(步驟S104)。
在給定時(shí)間已經(jīng)過的情況下(步驟S104的是)，則視為被膜的干燥結(jié)束，并結(jié)束溶劑去除工序。
另一方面，在給定時(shí)間未經(jīng)過的情況下(步驟S104的否)，則過渡至步驟S101，同樣地執(zhí)行步驟S101以后。
圖7為表示第2控制方法的流程圖。
接著，關(guān)于溶劑去除工序中的第2控制方法進(jìn)行說明。
以下，關(guān)于第2控制方法，以與上述第1控制方法(混合氣體的流量的控制方法)的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明，關(guān)于同樣的事項(xiàng)，省略其說明。
第2控制方法中，對(duì)混合氣體中含有的溶劑蒸汽(溶劑)的比例(比率)進(jìn)行控制這點(diǎn)與第1控制方法不同。
本控制方法中，混合氣體到達(dá)基板W的外周部(邊緣部)時(shí)，按照從因溶劑使混合氣體處于不飽和狀態(tài)，變成因氣化后的溶劑使混合氣體成為飽和狀態(tài)那樣(按照混合氣體中含有的溶劑的濃度變高達(dá)到飽和狀態(tài)那樣)，控制混合氣體中含有的溶劑的比例。
以下，關(guān)于第2控制方法參照?qǐng)D7所示的流程圖進(jìn)行說明。
首先，基于氣體傳感器27的檢測(cè)結(jié)果，判斷混合氣體是否處于飽和狀態(tài)(步驟S111)。
在氣體處于飽和狀態(tài)的情況下(步驟S111的是)，則判斷混合氣體中含有的溶劑蒸汽的比例較多，通過對(duì)質(zhì)量流37進(jìn)行控制，從而使向密封單元33供給的溶劑蒸汽的量減少，使混合氣體中含有的溶劑蒸汽的比例減少(步驟S112)。其后，過渡至步驟S114。
另一方面，在氣體未處于飽和狀態(tài)的情況下(步驟S111的否)，則判斷混合氣體中含有的溶劑蒸汽的比例較少，通過對(duì)質(zhì)量流37進(jìn)行控制，從而使給密封單元33供給的溶劑蒸汽的量增大，使混合氣體中含有的溶劑蒸汽的比例增大(步驟S113)。其后，過渡至步驟S 114。
接著，判斷給定時(shí)間是否已經(jīng)過(步驟S114)。
在給定時(shí)間已經(jīng)過的情況下(步驟S114的是)，則視為被膜的干燥結(jié)束，并結(jié)束溶劑去除工序。
另一方面，在給定時(shí)間未經(jīng)過的情況下(步驟S114的否)，則過渡至步驟S101，同樣地執(zhí)行步驟S101以后。
根據(jù)該第2控制方法，得到與上述第1控制方法同樣的效果。
并且，也可進(jìn)行將這些第1控制方法與第2控制方法的特征組合的控制。
如上說明，根據(jù)該溶劑去除方法，能夠使邊緣部的被膜的干燥速度比中央部慢，或者大約相等。
基板W的邊緣部，與中央部相比由于露出的部分(表面面積)較廣，因此在沒有將混合氣體吹到基板W上的被膜上的情況下，邊緣部的被膜的干燥速度比中央部的被膜的干燥速度快。
本實(shí)施方式中，如上述，隨著混合氣體與基板W的邊緣部的接近，混合氣體中所含的溶劑蒸汽的濃度漸增(混合氣體中所占的溶劑蒸汽的比例漸增)。隨之，因混合氣體使基板W上被膜的溶劑的脫離量減少。即，因混合氣體使邊緣部的被膜的每個(gè)單位面積的干燥速度，比因混合氣體使中央部的被膜的每個(gè)單位面積的干燥速度小。
其結(jié)果為，由于對(duì)基板W上的被膜整體大約均勻地(以大約均一的干燥速度)進(jìn)行干燥，因此干燥時(shí)的被膜的濃度變化率降低(變緩和)，引起溶劑或膜材料從中央部向邊緣部的移動(dòng)等。
這樣，便得到所形成的膜的平坦度較高(所形成的膜厚為大約均勻)的基板W。
并且，由于混合氣體中含有溶劑蒸汽，因此能夠適當(dāng)?shù)胤乐够錡的尤其中央部的過分干燥。
并且，因膜形成用材料的物性等，而需要對(duì)被膜的干燥速度進(jìn)行變更，但通過控制機(jī)構(gòu)12的控制，對(duì)混合氣體的流量或混合氣體中所含的溶劑蒸汽的比例進(jìn)行變更，從而可容易對(duì)被膜的干燥速度進(jìn)行變更，不用對(duì)溶劑去除裝置1的規(guī)格(硬件規(guī)格)進(jìn)行變更，便能夠得到最佳的干燥速度。
另外，根據(jù)該溶劑去除裝置1，通過設(shè)置氣體傳感器(檢測(cè)機(jī)構(gòu))27，從而對(duì)基板W的邊緣部附近的氣體濃度進(jìn)行檢測(cè)，基于該檢測(cè)結(jié)果，通過對(duì)所導(dǎo)入的混合氣體的流量或混合氣體中所含的溶劑蒸汽的濃度任意進(jìn)行變更(反饋)，從而能夠進(jìn)一步提高膜厚的均一性。并且，由于能夠使所采用的氣缸氣體以及溶劑蒸汽的使用量為最佳，因此能夠?qū)崿F(xiàn)提高氣缸氣體以及溶劑蒸汽的利用效率。
并且，由于溶劑去除裝置1中能夠進(jìn)行被膜的形成以及干燥，因此減少了供給除去材料或定位的麻煩，這樣，便能夠?qū)崿F(xiàn)提高吞吐率(生產(chǎn)能率)。
又，通過由氣室2管理內(nèi)部空間21的溫度以及濕度，從而能夠防止溫度變化引起基板W或裝置各個(gè)部件的膨脹·收縮致使產(chǎn)生誤差。并且，能夠防止塵垢、塵土等向內(nèi)部空間21的入侵，能夠?qū)⒒錡維持干凈。
再，本發(fā)明的溶劑去除裝置以及溶劑去除方法，因其它的因素(例如，當(dāng)基板W的邊緣部側(cè)的溫度較高時(shí))，能夠使基板W上的被膜的干燥速度，在邊緣部一方較高時(shí)，也同樣對(duì)應(yīng)。
以上，雖然基于圖示的實(shí)施方式，對(duì)本發(fā)明的溶劑去除裝置以及溶劑去除方法進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并非僅限于此，各個(gè)部分的構(gòu)成，還能夠置換成具有同樣功能的任意構(gòu)成。并且，本發(fā)明中，還可以添加其它任意的構(gòu)成物。
而且，上述實(shí)施方式中，作為形成被膜的方式，雖然采用旋涂方式，但并非僅限于此，例如還可以采用DIP涂敷方式、滾涂方式、噴涂方式等。
并且，上述實(shí)施方式中，雖然采用使用加熱器(加熱板)231使被膜干燥的方法，但并非僅限于此，例如還可采用將IR(紅外線)或微波向被膜照射使被膜干燥的方法，或在內(nèi)部空間21的減壓條件下使被膜干燥的方法等。并且，也可以將它們組合使被膜干燥。
尤其，在采用上述高沸點(diǎn)溶劑的情況下，優(yōu)選溶劑去除工序中基板W的加熱，在對(duì)氣室內(nèi)進(jìn)行減壓后的狀態(tài)(減壓狀態(tài))下進(jìn)行。這樣，便能夠縮短基板的制造時(shí)間。
這種情況下，減壓的程度，即氣室2內(nèi)(加熱氣氛)的壓力，依據(jù)所采用的溶劑適當(dāng)進(jìn)行調(diào)整。這樣，便能夠進(jìn)一步提高上述效果。
并且，上述實(shí)施方式中，對(duì)置板24的形狀呈大約圓板狀，但并非僅限于此，根據(jù)所使用的基板W的形狀、或在基板W上設(shè)置的膜形成用材料的被膜的膜厚等，通過對(duì)對(duì)置板24的形狀任意進(jìn)行變更，從而使之能夠適應(yīng)各種制程。
還有，氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)3，并非限于本實(shí)施方式的構(gòu)成，例如，還可以是吸入氣室2內(nèi)的氣體(氣氛)，將其稀釋噴出那樣的構(gòu)成。
加之，上述實(shí)施方式中，雖然脫溶劑去除用的氣體，采用含有與形成在基板W的表面形成的被膜的膜形成用材料中的溶劑共同的溶劑的、氣體，但并非僅限于此，例如還可以采用僅由氣缸氣體所構(gòu)成的氣體。
還有，本發(fā)明的溶劑去除裝置中，也可以沒有被膜形成機(jī)構(gòu)。
又，本發(fā)明中作為對(duì)象的基板(工件)，并非限定于板狀的部件。
而且，本發(fā)明的溶劑去除裝置以及溶劑去除方法的用途，沒有被特別限定，可列舉采用除抗蝕劑材料之外，例如含有以下各種材料的液體(含懸浮液、乳膠等的分散液)的顯示體、半導(dǎo)體等各種電子設(shè)備的制造中的液相制程中的干燥等。
用于形成有機(jī)EL(electroluminescence)裝置中的EL發(fā)光層的熒光材料、用于形成電子放射裝置中的電極上的熒光體的熒光材料、用于形成PDP(Plasma Display Panel)裝置中的熒光體的熒光材料、用于形成電泳顯示裝置中的泳動(dòng)體的泳動(dòng)體材料、用于形成基板W的表面的圍堰的圍堰材料、各種涂層材料、用于形成電極的液狀電極材料、用于構(gòu)成2塊基板之間的微小單元間隙的間隔物的粒子材料、用于形成金屬布線的液狀金屬材料、用于形成顯微透鏡的透鏡材料、含有濾色器的濾器材料的油墨材料、形成光擴(kuò)散體的光擴(kuò)散材料。
權(quán)利要求
1.一種溶劑去除裝置，具有工件支持機(jī)構(gòu)，該機(jī)構(gòu)支持工件，在所述工件上設(shè)置有包含膜材料和溶劑的液狀的膜形成用材料的被膜；氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)，其向所述工件的中央部導(dǎo)入脫溶劑去除用的氣體；限制機(jī)構(gòu)，其按照使所述氣體從所述工件的中央部向邊緣部流動(dòng)呈放射狀那樣，對(duì)該氣體的流動(dòng)進(jìn)行限制，由所述限制機(jī)構(gòu)，對(duì)所述氣體的流動(dòng)進(jìn)行限制，同時(shí)將所述溶劑從所述被膜中去除。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溶劑去除裝置，其特征在于，所述限制機(jī)構(gòu)，具備將來自所述氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)的氣體進(jìn)行導(dǎo)入的開口，具有按照與所述工件對(duì)置的方式配置的對(duì)置板，所述氣體，沿著在所述對(duì)置板與所述工件之間形成的流路流動(dòng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的溶劑去除裝置，其特征在于，所述對(duì)置板，按照在俯視中將所述工件覆蓋的方式構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溶劑去除裝置，其特征在于，所述限制機(jī)構(gòu)，具有流動(dòng)促進(jìn)機(jī)構(gòu)，該流動(dòng)促進(jìn)機(jī)構(gòu)通過使所述工件的中央部與邊緣部的壓力差增大從而促進(jìn)所述放射狀的氣體的流動(dòng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溶劑去除裝置，其特征在于，向所述工件的中央部導(dǎo)入的氣體中，含有所述溶劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溶劑去除裝置，其特征在于，具有檢測(cè)機(jī)構(gòu)，其對(duì)從所述工件的中央部到邊緣部為止的給定位置中的、所述氣體中的所述溶劑的濃度進(jìn)行檢測(cè)；和流量調(diào)整機(jī)構(gòu)，其基于所述檢測(cè)機(jī)構(gòu)的檢測(cè)結(jié)果對(duì)于向所述工件的中央部導(dǎo)入的氣體的流量進(jìn)行調(diào)整。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的溶劑去除裝置，其特征在于，所述流量調(diào)整機(jī)構(gòu)，其按照在所述氣體到達(dá)所述工件的邊緣部附近時(shí)，由氣化后的所述溶劑使所述氣體成為飽和狀態(tài)而保持的最大流量的方式，對(duì)導(dǎo)入所述工件的中央部的氣體的流量進(jìn)行調(diào)整。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溶劑去除裝置，其特征在于，具有檢測(cè)機(jī)構(gòu)，其對(duì)從所述工件的中央部至邊緣部為止的給定位置中的、所述氣體中的所述溶劑的濃度進(jìn)行檢測(cè)；和比例調(diào)整機(jī)構(gòu)，其基于所述檢測(cè)機(jī)構(gòu)的檢測(cè)結(jié)果，對(duì)于向所述工件的中央部導(dǎo)入的氣體中含有的溶劑的比例進(jìn)行調(diào)整。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的溶劑去除裝置，其特征在于，所述比例調(diào)整機(jī)構(gòu)，按照當(dāng)所述氣體到達(dá)所述工件的邊緣部附近時(shí)，從由所述溶劑使所述氣體處于不飽和狀態(tài)，變成由氣化后的所述溶劑使所述氣體處于飽和狀態(tài)的方式，對(duì)被導(dǎo)入所述工件的中央部的氣體中含有的溶劑的比例進(jìn)行調(diào)整。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的溶劑去除裝置，其特征在于，所述檢測(cè)機(jī)構(gòu)，是對(duì)于在所述工件的邊緣部附近的所述氣體中的所述溶劑的濃度進(jìn)行檢測(cè)的機(jī)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溶劑去除裝置，其特征在于，具備容納所述工件、并且其內(nèi)部的氣氛的條件被管理的氣室。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的溶劑去除裝置，其特征在于，具有減壓機(jī)構(gòu)，其使所述氣室內(nèi)成為減壓狀態(tài)，對(duì)所述氣室內(nèi)進(jìn)行減壓的同時(shí)，使氣體從所述工件的中央部向邊緣部流動(dòng)，將所述溶劑從所述被膜中去除。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溶劑去除裝置，其特征在于，具有加熱機(jī)構(gòu)，其對(duì)所述工件進(jìn)行加熱，由所述加熱機(jī)構(gòu)對(duì)所述工件進(jìn)行加熱，同時(shí)氣體從所述工件的中央部向邊緣部流動(dòng)，將所述溶劑從所述被膜中去除。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溶劑去除裝置，其特征在于，具有被膜形成機(jī)構(gòu)，其在所述工件上形成所述被膜，
15.一種溶劑去除方法，包括將具有由含膜材料與溶劑的液狀的膜形成用材料形成的被膜的工件設(shè)置在處理位置的工序；使氣體從所述工件的中央部向邊緣部流動(dòng)，同時(shí)將所述溶劑從所述被膜去除的工序。
16.一種溶劑去除方法，其使用權(quán)利要求1所述的溶劑去除裝置，將所述溶劑從所述被膜去除，其特征在于，包括由所述工件支持機(jī)構(gòu)支持所述工件的工序；使氣體從所述工件的中央部向邊緣部流動(dòng)，同時(shí)將所述溶劑從所述被膜去除的工序。
全文摘要
一種溶劑去除裝置，具有基臺(tái)(23)，其對(duì)設(shè)置含膜材料與溶劑的液狀的膜形成用材料的被膜的基板(W)進(jìn)行支持；氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)(3)，其將脫溶劑去除用的氣體導(dǎo)入基板(W)的中央部；和限制機(jī)構(gòu)，其按照氣體從基板(W)的中央部向邊緣部流動(dòng)呈放射狀那樣，對(duì)氣體的流動(dòng)進(jìn)行限制。通過限制機(jī)構(gòu)，對(duì)氣體的流動(dòng)進(jìn)行限制，同時(shí)從被膜中將溶劑去除。由此，本發(fā)明能提供使在工件中設(shè)置的被膜干燥成為均一的膜厚的溶劑去除裝置以及溶劑去除方法。
文檔編號(hào)H01L21/027GK1794099SQ20051013772
公開日2006年6月28日 申請(qǐng)日期2005年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月24日
發(fā)明者足助慎太郎 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社