專利名稱：改進的側向外延法的制作方法
技術領域：
本發(fā)明揭示改進的側向外延法(Epitaxy Lateral Overgrowth，縮寫為ELO、LEO、或LEOG)，屬于半導體電子技術領域。
背景技術：
目前，工業(yè)上，氮化鎵基LED生長在藍寶石襯底上。但是，存在以下不足之處，氮化鎵基外延層和藍寶石之間的晶格常數有極大的失配，該失配造成氮化鎵外延層內的缺陷，因而降低外延層的質量。為了降低缺陷密度，提高生長在藍寶石襯底上的氮化鎵外延層的質量，ELO方法被采用。
在先的ELO方法的工藝步驟包括利用金屬有機物化學氣相淀積(MOCVD)、液相外延(LPE)、分子束外延(MBE)、低壓分子束外延(LPMBE)、PECVD、和HVPE，等，在生長襯底上層疊氮化鎵外延層，在氮化鎵外延層上層疊掩膜層，蝕刻掩膜層以形成氮化鎵窗口和掩膜層條，繼續(xù)生長氮化鎵外延層，直到覆蓋掩膜層條。如此得到的氮化鎵外延層的缺陷密度降低了幾個數量級。
雖然ELO方法提高了生長于其上的氮化鎵外延層的質量，但是，在先的ELO方法的不足之處在于，在氮化鎵外延層中存在空洞(voids)，高溫下易變形，造成器件擊穿，等。
因此，需要改進在先的ELO方法，克服上述提到的在先的ELO方法的缺點。

發(fā)明內容
本發(fā)明揭示改進的ELO方法，克服上述提到的ELO方法的缺點。改進的ELO方法的一個具體實施實例的主要工藝步驟如下在生長襯底上，生長第一氮化鎵外延層。在第一氮化鎵外延層上層疊掩膜層，蝕刻掩膜層形成氮化鎵窗口和掩膜層條。生長第二氮化鎵外延層，覆蓋掩膜層條，在第二氮化鎵外延層上層疊反射/歐姆/應力緩沖層或導電的反射/歐姆/應力緩沖層，鍵合絕緣或導電支持襯底(導電支持襯底的暴露的一面上層疊電極)，剝離上述生長襯底、第一氮化鎵外延層、掩膜層條、和第二氮化鎵外延層中帶有空洞的部分，第二氮化鎵外延層中沒有空洞的部分暴露，進行熱處理。
生長氮化鎵外延層并在其上層疊掩膜層和蝕刻掩膜層的工藝步驟可以重復多次[R.Liu，等，2005中國(廈門)國際半導體照明論壇，112頁]，見圖3。
當采用低熔點金屬鍵合支持襯底時，不需要應力緩沖層。導電硅晶片和金屬(包括合金)薄膜或其它導電材料可以被選用作為導電支持襯底。硅晶片的導熱性能優(yōu)于藍寶石，可以用于大功率氮化鎵基LED。硅晶片和氮化鋁陶瓷可以被選用作為絕緣支持襯底。選用氮化鋁陶瓷作為絕緣支持襯底的好處是(1)與氮化鎵基層的熱漲系數的失配小，無需應力緩沖層；(2)氮化鋁陶瓷的導熱率優(yōu)于硅晶片。
本發(fā)明的目的和能達到的各項效果如下(1)本發(fā)明的目的是提供改進的ELO方法，克服上述提到的現(xiàn)有的ELO方法的缺點(例如，存在空洞，易變形，易被擊穿，等)。
(2)由于下面的原因，改進的ELO方法提供的氮化鎵基外延層具有高質量生長襯底、第一氮化鎵外延層、掩膜層、和第二氮化鎵外延層中帶有空洞的部分被剝離，在隨后進行熱處理時，由于對第二氮化鎵外延層中沒有空洞的部分的晶格的外界束縛力不再存在，氮化鎵外延層回復到正常晶體結構，晶格缺陷進一步降低。
(3)層疊反射/歐姆/應力緩沖層以減輕后續(xù)生長氮化鎵基器件(包括LED)時熱漲系數的失配的應力，還可以增加氮化鎵基LED的光取出效率。
(4)本發(fā)明使用具有高導熱率的硅晶片或其它材料作為支持襯底，熱傳導效率高。
本發(fā)明和它的特征及效益將在下面的詳細描述中更好的展示。


圖1a和圖1b展示在先的ELO工藝的第一個具體實施實例的示意圖。
圖2a展示本發(fā)明的改進的ELO工藝流程的第一個具體實施實例。
圖2b展示圖2a的工藝流程的示意圖。
圖2c到圖2e展示采用圖2a的工藝流程生產的層疊在支持襯底上的氮化鎵外延層的三個具體實施實例。
圖3a和圖3b展示在先的ELO工藝的第二個具體實施實例的示意圖。
圖4a展示本發(fā)明的改進的ELO工藝流程的第二個具體實施實例。
圖4b展示圖4a的工藝流程的示意圖。
圖4c到圖4e展示采用圖4a的工藝流程生產的層疊在支持襯底上的氮化鎵外延層的三個具體實施實例。
具體實施實例和發(fā)明的詳細描述雖然本發(fā)明的具體化實施實例將會在下面被描述，但下列各項描述只是說明本發(fā)明的原理，而不是局限本發(fā)明于下列各項具體化實施實例的描述。
注意下列各項在本發(fā)明中，(1)在圖中和描述中，相同的數字代表相同的工藝流程或相同的結構。
(2)生長襯底的材料是從一組材料中選出，該組材料包括，但不限于藍寶石，硅，氧化鋅，碳化硅，氮化鎵，氮化鋁，鋰鋁氧(LiAlO2)，鋰鎵氧(LiGaO2)，氮化硼，等。其中，生長襯底的晶格面包括，但不限于c-平面，a-平面，m-平面，r-平面，等。
(3)層疊氮化鎵外延層的方法是從一組方法中選出，該組方法包括，但不限于MOCVD，MBE，LPMBE，HVPE，LPE，PECVD，等。
(4)掩膜層的材料是從一組金屬和電介質材料中選出，該組材料包括，但不限于二氧化硅(SiO2)，氮化硅(SiNx)，鎢(W)，等。
(5)蝕刻掩膜層以形成氮化鎵窗口和掩膜層條。氮化鎵窗口和掩膜層條的形狀，包括，但不限于，條型，環(huán)型，等。氮化鎵窗口的寬度可以是，但不限于，1微米到50微米。掩膜層條的寬度可以是，但不限于，1微米到50微米。掩膜層條的厚度可以是，但不限于，0.1微米到0.5微米。
(6)反射/歐姆/應力緩沖層的結構包括單層或多層結構，每層的材料是從一組材料中選出，該組材料包括，但不限于分布布拉格反射器(DBR)；金，銠，鎳，鉑，鈀，等高反射率的金屬及其組合，組合包括，但不限于，鎳/金(Ni/Au)，鈀/金(Pd/Au)，鈀/鎳(Pd/Ni)；銦，錫，銀，鎘，金錫等金屬或合金。層疊反射/歐姆/應力緩沖層的方法包括，但不限于，真空蒸鍍，真空濺鍍，化學鍍，電鍍，外延生長，等。
(7)導電支持襯底的材料包括，但不限于導電硅晶片，導電金屬或合金薄膜，導電薄膜。鍵合的方法包括，但不限于金屬鍵合，真空蒸鍍，真空濺鍍，化學鍍，電鍍，等。
(8)絕緣支持襯底的材料包括，但不限于，硅晶片，氮化鋁陶瓷，等。鍵合的方法包括，金屬鍵合，等。
(9)剝離生長襯底的方法包括，但不限于，精密機械研磨/拋光，選擇性濕法或干法蝕刻，加熱熔化分離，激光剝離，及它們的組合(例如，精密機械研磨生長襯底到一定的厚度，例如10微米，然后采用濕法或干法蝕刻剩余部分)。
(11)剝離生長襯底、第一氮化鎵外延層、掩膜層、和第二氮化鎵外延層帶有空洞的部分，等，直到第二氮化鎵外延層的沒有空洞的部分暴露(12)熱處理。此時造成缺陷的第一氮化鎵外延層、掩膜層、和第二氮化鎵外延層帶有空洞的部分已被剝離，造成缺陷的外力已不存在，第二氮化鎵外延層中沒有空洞的部分回復到正常晶體結構，晶格缺陷密度進一步降低。
圖1a和圖1b展示在先的ELO方法的第一個具體實施實例的工藝流程的示意圖。在先的ELO方法是成熟的工藝。
圖1a中，第一氮化鎵外延層102層疊在生長襯底101上。第一掩膜層層疊在第一氮化鎵外延層102上。蝕刻第一掩膜層以形成第一氮化鎵窗口104和第一掩膜層條103。在第一氮化鎵窗口104，第二氮化鎵外延層105垂直向上生長，長到與第一掩膜層條103相平時，除繼續(xù)垂直向上生長，開始水平生長。
圖1b中，第二氮化鎵外延層繼續(xù)向上生長，并從第一掩膜層條103的兩邊相向水平生長，直到在第一掩膜層條103的上方相遇，繼續(xù)向上生長，形成空洞107和第二氮化鎵外延層頂部層106。
圖2a展示本發(fā)明的改進的ELO方法的第一個具體實施實例的工藝流程圖。
工藝流程201準備生長襯底。生長襯底的材料是從一組材料中選出，該組材料包括，但不限于藍寶石，硅，氧化鋅，碳化硅，氮化鎵，氮化鋁，鋰鋁氧(LiAlO2)，鋰鎵氧(LiGaO2)，氮化硼，等。其中，生長襯底的晶格面包括，但不限于c-平面，a-平面，m-平面，r-平面，等。
工藝流程202層疊第一氮化鎵外延層在生長襯底的一面上。
工藝流程203層疊第一掩膜層，蝕刻第一掩膜層以形成第一氮化鎵窗口和第一掩膜層條。第一掩膜層的材料包括，但不限于，二氧化硅(SiO2)，氮化硅(SiNx)，鎢(W)，等。第一氮化鎵窗口和第一掩膜層條的形狀，包括，但不限于，條型，環(huán)型，等。第一氮化鎵窗口的寬度可以是，但不限于，1微米到50微米。第一掩膜層條的寬度可以是，但不限于，1微米到50微米。第一掩膜層條的厚度可以是，但不限于，0.1微米到0.5微米。
工藝流程204層疊第二氮化鎵外延層或導電氮化鎵外延層在第一氮化鎵窗口和第一掩膜層條上，直到覆蓋第一掩膜層條，并且第二氮化鎵外延層或導電氮化鎵外延層的頂部中沒有空洞。
工藝流程201到工藝流程204與在先的ELO方法的工藝流程相同。
工藝流程205層疊反射/歐姆/應力緩沖層或導電反射/歐姆/應力緩沖層在第二氮化鎵外延層或導電氮化鎵外延層上。反射/歐姆/應力緩沖層的結構包括單層或多層結構，每層的材料是從一組材料中選出，該組材料包括，但不限于分布布拉格反射器(DBR)；金，銠，鎳，鉑，鈀，等高反射率的金屬及其組合，組合包括，但不限于，鎳/金(Ni/Au)，鈀/金(Pd/Au)，鈀/鎳(Pd/Ni)；銦，錫，銀，鎘，金錫等金屬或合金。層疊反射/歐姆/應力緩沖層的方法包括，但不限于，真空蒸鍍，真空濺鍍，化學鍍，電鍍，外延生長，等。
工藝流程206鍵合導電或絕緣的支持襯底在反射/歐姆/應力緩沖層上。絕緣的支持襯底的材料包括，但不限于，硅晶片，氮化鋁陶瓷，等。層疊的方法包括，但不限于，晶片鍵合，等。當選用熱漲系數與氮化鎵類似的材料為支持襯底時，例如，氮化鋁陶瓷，不需要應力緩沖層。導電的支持襯底的材料包括，但不限于，導電硅晶片，導電金屬或合金薄膜，導電薄膜。鍵合的方法包括，金屬薄膜/晶片鍵合，真空蒸鍍，真空濺鍍，化學鍍，電鍍，等。
工藝流程207剝離生長襯底、第一氮化鎵外延層、第一掩膜層條、和第二氮化鎵外延層或導電氮化鎵外延層中的帶有空洞的部分。第二氮化鎵外延層或導電氮化鎵外延層中的沒有空洞的部分暴露。剝離生長襯底的方法包括，但不限于，精密機械研磨/拋光，選擇性濕法或干法蝕刻，加熱熔化分離，激光剝離，及它們的組合工藝流程208。熱處理。進行熱處理時，因為造成第二氮化鎵外延層或導電氮化鎵外延層中沒有空洞的部分的缺陷的第一氮化鎵外延層、第一掩膜層條、和第二氮化鎵外延層或導電氮化鎵外延層中的帶有空洞的部分已被剝離，在第二氮化鎵外延層內造成缺陷的外力已不存在，因此，第二氮化鎵外延層或導電氮化鎵外延層中沒有空洞的部分的缺陷密度進一步降低。
圖2b展示本發(fā)明的改進的ELO方法的工藝流程201到工藝流程206所生產的層疊在支持襯底上的第二氮化鎵外延層或導電氮化鎵外延層的示意圖。第一氮化鎵外延層212層疊在生長襯底211上，第一氮化鎵窗口和第一掩膜層條213形成在第一氮化鎵外延層212上，第二氮化鎵外延層214層疊在第一氮化鎵窗口和第一掩膜層條213上，反射/歐姆/應力緩沖層215層疊在第二氮化鎵外延層214上，支持襯底216層疊在反射/歐姆/應力緩沖層215上。
然后，進行工藝流程207，剝離生長襯底211、第一氮化鎵外延層212、第一氮化鎵窗口和第一掩膜層條213、和第二氮化鎵外延層214的帶有空洞的部分。第二氮化鎵外延層214的沒有空洞的部分暴露。進行工藝流程208。
注意，(1)支持襯底可以是導電的或絕緣的。(3)反射/歐姆/應力緩沖層可以是導電的或絕緣的。(4)第二氮化鎵外延層可以是導電的或絕緣的。
圖2c展示利用圖2a的改進的ELO方法所制造的產品的第一個具體實施實例。該具體實施實例由工藝流程201到208制造。在此例子中，反射/歐姆/應力緩沖層215層疊在絕緣支持襯底217和第二氮化鎵外延層的沒有空洞的部分218之間。
圖2d展示利用圖2a的改進的ELO方法所制造的產品的第二個具體實施實例。該具體實施實例由工藝流程201到208制造。在此例子中，反射/歐姆/應力緩沖層219是導電的，第二氮化鎵外延層的沒有空洞的部分220是導電的。導電反射/歐姆/應力緩沖層219層疊在絕緣支持襯底217和導電第二氮化鎵外延層的沒有空洞的部分220之間。
圖2e展示利用圖2a的改進的ELO方法所制造的產品的第三個具體實施實例。該具體實施實例由工藝流程201到208制造。在此例子中，反射/歐姆/應力緩沖層219是導電的，第二氮化鎵外延層220是導電的。導電反射/歐姆/應力緩沖層219層疊在導電支持襯底221和導電第二氮化鎵外延層的沒有空洞的部分220之間。
圖3a和圖3b展示在先的ELO方法的第二個具體實施實例的工藝流程的示意圖。在先的EL0方法是成熟的工藝。
圖3a中，第一氮化鎵外延層212層疊在生長襯底211上。第一掩膜層層疊在第一氮化鎵外延層212上。蝕刻第一掩膜層以形成第一氮化鎵窗口和第一掩膜層條213。在第一氮化鎵窗口，第二氮化鎵外延層214垂直向上生長，長到與第一掩膜層條213相平時，除繼續(xù)垂直向上生長，開始水平生長。第二氮化鎵外延層繼續(xù)向上生長，并從第一掩膜層條213的兩邊相向水平生長，直到在第一掩膜層條213的上方相遇，繼續(xù)向上生長，形成空洞和第二氮化鎵外延層頂部層301。
層疊第二掩膜層在第二氮化鎵外延層頂部層301上。蝕刻第二掩膜層以形成第二氮化鎵窗口和第二掩膜層條303。
圖3b展示在第二氮化鎵窗口，第三氮化鎵外延層302垂直向上生長，長到與第二掩膜層條303相平時，除繼續(xù)垂直向上生長，開始水平生長。第三氮化鎵外延層繼續(xù)向上生長，并從第二掩膜層條303的兩邊相向水平生長，直到在第二掩膜層條303的上方相遇，繼續(xù)向上生長，形成空洞和第三氮化鎵外延層頂部層304。
圖4a展示本發(fā)明的改進的ELO方法的第二個具體實施實例的工藝流程圖。
工藝流程401到403與改進的ELO方法的第一個具體實施實例的工藝流程201到203相同。
工藝流程404與工藝流程204基本相同，不同之處是工藝流程404只層疊第二氮化鎵外延層，沒有層疊導電第二氮化鎵外延層。
工藝流程405和406重復工藝流程403和404。
工藝流程401到406與在先的ELO方法的第二個具體實施實例的工藝流程相同。
工藝流程407到410與改進的ELO方法的第一個具體實施實例的工藝流程205到208相同。
圖4b展示本發(fā)明的利用改進的ELO方法的工藝流程401到工藝流程410(圖4a)所生產的層疊在支持襯底上的第三氮化鎵外延層或導電氮化鎵外延層的示意圖。第一氮化鎵外延層212層疊在生長襯底211上，第一氮化鎵窗口和第一掩膜層條411形成在第一氮化鎵外延層212上，第二氮化鎵外延層412層疊在第一氮化鎵窗口和第一掩膜層條411上，第二氮化鎵窗口和第二掩膜層條413形成在第二氮化鎵外延層412上，第三氮化鎵外延層414層疊在第二氮化鎵窗口和第二掩膜層條413上。反射/歐姆/應力緩沖層215層疊在第三氮化鎵外延層414上，支持襯底216層疊在反射/歐姆/應力緩沖層215上。
然后，進行工藝流程409，剝離生長襯底211、第一氮化鎵外延層212、第一氮化鎵窗口和第一掩膜層條411、第二氮化鎵外延層412，第二氮化鎵窗口和第二掩膜層條413、第三氮化鎵外延層414的帶有空洞的部分。第三氮化鎵外延層的沒有空洞的部分暴露。進行工藝流程410。
注意，(1)支持襯底可以是導電的或絕緣的。(2)反射/歐姆/應力緩沖層可以是導電的或絕緣的。(4)第三氮化鎵外延層可以是導電的或絕緣的。
圖4c展示利用圖4a的改進的ELO方法所制造的產品的第一個具體實施實例。該具體實施實例由圖4a的工藝流程401到410制造。在此例子中，反射/歐姆/應力緩沖層215層疊在絕緣支持襯底217和第三氮化鎵外延層的沒有空洞的部分415之間。
圖4d展示利用圖4a的改進的ELO方法所制造的產品的第二個具體實施實例。該具體實施實例由圖4a的工藝流程401到410制造。在此例子中，反射/歐姆/應力緩沖層是導電的，第三氮化鎵外延層是導電的。導電反射/歐姆/應力緩沖層219層疊在絕緣支持襯底217和導電第三氮化鎵外延層的沒有空洞的部分416之間。
圖4e展示利用圖4a的改進的ELO方法所制造的產品的第三個具體實施實例。該具體實施實例由圖4a的工藝流程401到410制造。在此例子中，反射/歐姆/應力緩沖層是導電的，第三氮化鎵外延層是導電的。導電反射/歐姆/應力緩沖層219層疊在導電支持襯底221和導電第三氮化鎵外延層的沒有空洞的部分416之間。
上面的具體的描述并不限制本發(fā)明的范圍，而只是提供一些本發(fā)明的具體化的例證。因此本發(fā)明的涵蓋范圍應該由權利要求和它們的合法等同物決定，而不是由上述具體化的詳細描述和實施實例決定。
權利要求
1.一種改進的側向外延方法，其工藝步驟包括，但不限于(a)層疊第一氮化鎵外延層于生長襯底上；(b)層疊第一掩膜層于所述的第一氮化鎵外延層上；(c)蝕刻所述的第一掩膜層以形成第一氮化鎵窗口和第一掩膜層條；(d)層疊第二氮化鎵外延層于所述的第一氮化鎵窗口和第一掩膜層條上；(e)層疊反射/歐姆/應力緩沖層于所述的第二氮化鎵外延層上；其中，層疊所述的反射/歐姆/應力緩沖層的方法包括，但不限于真空蒸鍍，真空濺鍍，化學鍍，電鍍，外延生長，等；(f)鍵合支持襯底于所述的反射/歐姆/應力緩沖層上；所述的鍵合的方法包括，但不限于真空蒸鍍，真空濺鍍，化學鍍，電鍍，金屬鍵合，等；(g)剝離所述的生長襯底、所述的第一氮化鎵外延層、所述的第一掩膜層條、和所述的第二氮化鎵外延層中帶有空洞的部分；第二氮化鎵外延層中的沒有空洞的部分暴露；(h)熱處理。
2.權利要求1的改進的側向外延方法，進一步包括，層疊中間媒介層在所述的生長襯底和所述的第一氮化鎵外延層之間。
3.權利要求1的改進的側向外延方法，在工藝步驟(d)之后，依次進行下述工藝步驟(1)、(2)、(3)(1)層疊第二掩膜層于所述的第二氮化鎵外延層上；(2)蝕刻第二掩膜層以形成第二氮化鎵窗口和第二掩膜層條；(3)層疊第三氮化鎵外延層于所述的第二氮化鎵窗口和第二掩膜層條上；進而，工藝步驟(e)成為層疊反射/歐姆/應力緩沖層于所述的第三氮化鎵外延層上；其中，層疊所述的反射/歐姆/應力緩沖層的方法包括，但不限于真空蒸鍍，真空濺鍍，化學鍍，電鍍，外延生長，等；工藝步驟(g)成為剝離所述的生長襯底、所述的第一氮化鎵外延層、所述的第一掩膜層條、所述的第二氮化鎵外延層、所述的第二掩膜層條、和所述的第三氮化鎵外延層中帶有空洞的部分，使得第三氮化鎵外延層中的沒有空洞的部分暴露。
4.權利要求1的改進的側向外延方法，其中，所述的生長襯底的材料是從一組材料中選出，該組材料包括，但不限于藍寶石，硅，氧化鋅，碳化硅，氮化鎵，氮化鋁，鋰鋁氧(LiAlO2)，鋰鎵氧(LiGaO2)，氮化硼，等；其中，所述的生長襯底的晶格面包括，但不限于c-平面，a-平面，m-平面，r-平面，等。
5.權利要求1的改進的側向外延方法，其中，所述的層疊第一氮化鎵外延層、層疊第二氮化鎵外延層、和層疊第三氮化鎵外延層的方法是分別從一組方法中選出，該組方法包括，但不限于金屬有機物化學氣相淀積(MOCVD)、液相外延(LPE)、分子束外延(MBE)、HVPE、低壓分子束外延(LPMBE)，PECVD，等。
6.權利要求1的改進的側向外延方法，其中，所述的反射/歐姆/應力緩沖層的結構包括單層或多層結構，每層的材料是從一組材料中選出，該組材料包括，但不限于分布布拉格反射器(DBR)；金，銠，鎳，鉑，鈀，等高反射率的金屬及其組合，組合包括，但不限于，鎳/金(Ni/Au)，鈀/金(Pd/Au)，鈀/鎳(Pd/Ni)；銦，錫，銀，鎘，金錫等金屬或合金。
7.權利要求1的改進的側向外延方法，其中，所述的第一和第二掩膜層的材料是分別從一組材料中選出，該組材料包括，但不限于金屬材料和電介質材料；所述的金屬材料和電介質材料是從一組材料中選出，該組材料包括，但不限于二氧化硅(SiO2)，氮化硅(SiNx)，鎢(W)，等。
8.權利要求1的改進的側向外延方法，其中，所述的第一和第二氮化鎵窗口和掩膜層條的形狀，包括，但不限于條型，環(huán)型，等；其中，所述的第一和第二氮化鎵窗口的寬度可以是，但不限于，1微米到100微米；所述的第一和第二掩膜層條的寬度可以是，但不限于，1微米到100微米。
9.權利要求1的改進的側向外延方法，其中，所述的支持襯底的材料是從一組材料中選出，該組材料包括，但不限于硅晶片，導電硅晶片，金屬或合金薄膜，導電薄膜，氮化鋁陶瓷片。
10.權利要求1的改進的側向外延方法，其中，所述的剝離的方法包括，但不限于精密機械研磨/拋光，選擇性蝕刻，加熱熔化分離，激光剝離，及它們的組合。
全文摘要
本發(fā)明揭示改進的ELO方法，克服ELO方法的缺點。改進的ELO方法的一個具體實施實例的主要工藝步驟如下在生長襯底上，生長第一氮化鎵外延層。在第一氮化鎵外延層上層疊掩膜層，蝕刻第一掩膜層形成第一氮化鎵窗口和第一掩膜層條。生長第二氮化鎵外延層，覆蓋第一掩膜層條，在第二氮化鎵外延層上層疊反射/歐姆/應力緩沖層或導電反射/歐姆/應力緩沖層，鍵合絕緣或導電支持襯底(導電支持襯底的暴露的一面上層疊電極)，剝離上述生長襯底、第一氮化鎵外延層、第一掩膜層條、和第二氮化鎵外延層中帶有空洞的部分，沒有空洞的第二氮化鎵外延層暴露，進行熱處理。生長氮化鎵外延層并在其上層疊掩膜層和蝕刻掩膜層的工藝步驟可以重復多次。
文檔編號H01L33/00GK1794425SQ20051012551
公開日2006年6月28日 申請日期2005年11月17日 優(yōu)先權日2005年11月17日
發(fā)明者彭暉 申請人:金芃, 彭暉