專利名稱：半導(dǎo)體晶片及其檢查方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片及其檢查方法，是有關(guān)具備以晶片狀態(tài)進(jìn)行檢查用的位置對(duì)準(zhǔn)圖形的半導(dǎo)體晶片、以及以晶片狀態(tài)檢查該半導(dǎo)體晶片的檢查方法的技術(shù)。
背景技術(shù)：
以往對(duì)晶片狀態(tài)的半導(dǎo)體元件的電氣特性檢查或由老化(burn in)引起的潛在不合格品的分選檢查(篩選)，采用具備多個(gè)探針的探測(cè)卡進(jìn)行。半導(dǎo)體晶片中，形成多個(gè)半導(dǎo)體元件的同時(shí)，設(shè)有以晶片狀態(tài)進(jìn)行檢查用的位置對(duì)準(zhǔn)圖形。
圖25放大示出以往的半導(dǎo)體晶片的一部分，是示出設(shè)置在一個(gè)半導(dǎo)體元件的位置對(duì)準(zhǔn)圖形的圖。
圖25中，形成在半導(dǎo)體晶片1的半導(dǎo)體元件2利用具備多個(gè)探針3的探測(cè)卡對(duì)其內(nèi)部電路進(jìn)行探測(cè)檢查。
該探測(cè)檢查中，對(duì)形成在半導(dǎo)體晶片1的半導(dǎo)體元件2作個(gè)別檢查，或?qū)Χ鄠€(gè)半導(dǎo)體元件2，例如2～16個(gè)同時(shí)作檢查。
各半導(dǎo)體元件2上形成有多個(gè)電極端4，將這些電極端4中相鄰的一對(duì)電極端4的一組用作位置對(duì)準(zhǔn)圖形5。該位置對(duì)準(zhǔn)圖形5用于探測(cè)卡的各探針3與半導(dǎo)體元件2的各電極端4的位置對(duì)準(zhǔn)。
探測(cè)卡中，使多個(gè)探針3分別與各電極端4接觸之際，用位置對(duì)準(zhǔn)圖形5，由電氣手段檢測(cè)各探針3對(duì)各電極端4是否位于適當(dāng)?shù)奈恢谩Ｔ谖恢脤?duì)準(zhǔn)不適當(dāng)時(shí)，為再設(shè)定各探針3與各電極4的位置對(duì)準(zhǔn)，使用位置對(duì)準(zhǔn)圖形5。
以下詳述該位置對(duì)準(zhǔn)圖形5的功能。下面，為與位置對(duì)準(zhǔn)圖形5不包含的其他電極端相區(qū)別，以構(gòu)成位置對(duì)準(zhǔn)圖形5的一對(duì)電極端作為電極端9和導(dǎo)通部電極端12進(jìn)行說(shuō)明。
位置對(duì)準(zhǔn)圖形5由第1電極端部6與第2電極端部7構(gòu)成。第1電極端部6由形成環(huán)形的檢測(cè)部電極端8、連接于半導(dǎo)體元件2的內(nèi)部電路的電極端9、及連接檢測(cè)部電極端8與電極端9的配線10構(gòu)成。
第2電極端部7由不連接半導(dǎo)體元件2的內(nèi)部電路或外部端的導(dǎo)通部電極端12構(gòu)成，導(dǎo)通部電極端12通過(guò)絕緣的間隙11形成在第1電極端部6的檢測(cè)部電極端8的內(nèi)側(cè)。
半導(dǎo)體元件2由保護(hù)膜覆蓋，除去保護(hù)膜的一部分在對(duì)應(yīng)于電極端4的位置形成開(kāi)口13。在一個(gè)開(kāi)口13中露出第1電極端6的檢測(cè)部電極端8與第2電極端7的導(dǎo)通部電極端12，在另一個(gè)開(kāi)口13中露出第1電極端部6的電極端9。
下面說(shuō)明探測(cè)器測(cè)試中，用位置對(duì)準(zhǔn)圖形5檢測(cè)探測(cè)卡的各探針3與半導(dǎo)體元件2的各電極端4的位置對(duì)準(zhǔn)是否合適的方法。
使探測(cè)卡的各探針3分別接觸半導(dǎo)體元件2的各電極端4。這時(shí)，使加上不同電壓的2根探針3各自接觸第1電極端部6的電極端9與第2電極端部7的導(dǎo)通部電極端12。然后，監(jiān)視流過(guò)兩探針3之間的電流。
雙方的探針3對(duì)電極端9與導(dǎo)通部電極端12位于適當(dāng)?shù)奈恢蒙希乙粋€(gè)探針3不從導(dǎo)通部電極端12脫開(kāi)，只接觸導(dǎo)通部電極端12時(shí)，只觀測(cè)在兩探針3間電極端9的內(nèi)部輸出信號(hào)。
利用該觀測(cè)結(jié)果，判定探測(cè)卡的各探針3各自適當(dāng)?shù)亟佑|半導(dǎo)體元件2的各電極端4。
雙方的探針3對(duì)電極端9與導(dǎo)通部電極端12位于不適當(dāng)?shù)奈恢蒙?，且一個(gè)探針3從導(dǎo)通部電極端12脫開(kāi)，接觸到第1電極端6的檢測(cè)部電極端8時(shí)，成雙方探針3接觸第1電極端部6的狀態(tài)，兩探針3間觀測(cè)到混入了電極端9的內(nèi)部輸出信號(hào)以外的信號(hào)。
利用該觀測(cè)結(jié)果，判定探測(cè)卡的各探針3各自不適當(dāng)?shù)亟佑|半導(dǎo)體元件2的各電極端4。
圖26示出以往的其他的位置對(duì)準(zhǔn)圖形的構(gòu)成圖。
圖26中，位置對(duì)準(zhǔn)圖形5設(shè)在形成在半導(dǎo)體晶片1的半導(dǎo)體元件2與半導(dǎo)體元件2之間的劃線15上。該位置對(duì)準(zhǔn)圖形5由排成一排配置的三個(gè)電極端4與連接它們的配線16構(gòu)成，形成中央的電極端4的大小比兩側(cè)的電極端4的更小。形成在半導(dǎo)體元件2的保護(hù)膜的開(kāi)口13為相應(yīng)于兩側(cè)的電極端4和中央的電極端4的大小的形狀。
下面說(shuō)明探測(cè)測(cè)試中使用該位置對(duì)準(zhǔn)圖形5的方法。使探測(cè)卡的各探針3各自接觸半導(dǎo)體元件2的各電極端4。這時(shí)，3根探針3各自接觸兩側(cè)的電極端4與中央的電極端4。然后，在兩側(cè)的電極端4上加上電壓，監(jiān)視中央的電極端4的電氣信號(hào)。
中央的探針3不脫開(kāi)中央的電極端4，且3根探針3各自對(duì)兩側(cè)的電極端4和中央的電極端4在適當(dāng)?shù)奈恢蒙辖佑|時(shí)，可根據(jù)中央的探針3觀測(cè)電氣信號(hào)。
利用該觀測(cè)結(jié)果，判定探測(cè)卡的各探針3各自適當(dāng)?shù)亟佑|半導(dǎo)體元件2的各電極端4。
中央的探針3脫開(kāi)中央的電極端4時(shí)，不能從中央的探針3觀測(cè)電氣信號(hào)。
利用該觀測(cè)結(jié)果，判定探測(cè)卡的各探針3各自不適當(dāng)?shù)亟佑|半導(dǎo)體元件2的各電極端4。
作為先行的技術(shù)文獻(xiàn)，日本國(guó)的公開(kāi)特許公報(bào)有1.特開(kāi)平5-343487號(hào)公報(bào)2.特開(kāi)平6-045419號(hào)公報(bào)根據(jù)技術(shù)動(dòng)向和成本方面的要求，在一片半導(dǎo)體晶片中形成多的半導(dǎo)體元件的技術(shù)增加了重要性。因此，通過(guò)半導(dǎo)體元件的內(nèi)部電路的微細(xì)化同時(shí)使電極端間的尺寸狹窄，或者在電極端的正下面或接近的位置的下層部配設(shè)電路元件，來(lái)縮小半導(dǎo)體元件的面積。
其結(jié)果，在晶片狀態(tài)下的電氣特性檢查或老化引起的檢查中，使探針的前端接觸半導(dǎo)體元件的電極端之際，易引起探針的前端因脫開(kāi)電極端的位置而接觸半導(dǎo)體元件。
電極端露出于覆蓋半導(dǎo)體元件的非導(dǎo)體層的開(kāi)口中。因此，當(dāng)探針的前端從電極端偏移時(shí)，探針就會(huì)破壞開(kāi)口周圍的非導(dǎo)體層，或者會(huì)因集中于探針前端的載荷，破壞位于電極端下層的電路元件。
另外，為在晶片狀態(tài)下的電氣特性檢查或老化引起的檢查中使用探測(cè)卡，存在以下的課題。
其一是，使探測(cè)卡的探針接觸電極端之際，探針產(chǎn)生塑性變形。另外，相對(duì)于電極端與探針前端部的接觸面積而言，電極端的面積十分大，因此，因接觸時(shí)加在探針上的壓力引起探針的前端部在電極端上滑動(dòng)，不能將探針的前端部正確地對(duì)準(zhǔn)電極端的中心位置。
其結(jié)果，隨著檢查的進(jìn)行，電極端中的探針的前端部的接觸位置變位到從電極端的中心脫開(kāi)的方向。最后，探針的前端部接觸從保護(hù)膜的開(kāi)口中露出的電極端脫開(kāi)的位置，即位于開(kāi)口周圍的保護(hù)膜上。因此成為保護(hù)摸破壞，或嚴(yán)重時(shí)影響電氣特性的原因。
檢測(cè)并除去這種外觀上或可靠性上的不合格品的方法，現(xiàn)行中只能進(jìn)行在需要許多工時(shí)的顯微鏡下的目視檢查或由高價(jià)的外觀檢查裝置來(lái)檢查。
而且，用外觀檢查不能查出的不合格品，例如比電極端更下層的非導(dǎo)體層發(fā)生的微小的缺陷引起的不合格品，對(duì)電氣特性帶來(lái)影響的不合格品，一直留到電氣特性檢查工序，存在為除去該不合格品需要工時(shí)的問(wèn)題。
另外，用具有多個(gè)探針的探測(cè)卡的現(xiàn)行檢查中，電極端與探針接觸時(shí)，對(duì)探針的細(xì)的前端部加上非常大的集中載荷。例如，當(dāng)在20μmφ的探針的前端部加上5g的載荷時(shí)，其壓力相當(dāng)于1600kg/cm2。
因此，在半導(dǎo)體元件的電極端的正下面的下層部，或鄰近位置的下層部的非導(dǎo)體層上形成電路元件時(shí)，對(duì)非導(dǎo)體層與電路元件產(chǎn)生破壞或微小缺陷，使半導(dǎo)體元件的電氣特性變壞。因此，存在成品率下降，制造成本難以降低的問(wèn)題。
另外，以晶片狀態(tài)進(jìn)行老化引起的檢查時(shí)使探針接觸電極端的狀態(tài)下，當(dāng)在長(zhǎng)時(shí)間中保持高溫氣氛時(shí)，一般用鎢系材料的探針與電極端的接觸部位進(jìn)行氧化。因此，電阻增加，穩(wěn)定的檢查變得困難。
作為對(duì)策，為防止接觸部位的氧化，在惰性氣體氛圍中進(jìn)行老化，由于大量使用惰性氣體，故存在增大制造成本的問(wèn)題。
本發(fā)明的目的在于，對(duì)電極端的正下面的下層部或鄰近位置的下層部非導(dǎo)體層中具備電路元件的高集成半導(dǎo)體元件進(jìn)行檢查，即晶片狀態(tài)下進(jìn)行的電氣特性檢查或老化引起的潛在不合格品分選檢查(篩選)，使提高效率，并通過(guò)具備位置對(duì)準(zhǔn)圖形，在使用具有多個(gè)的碰撞電極的接觸器進(jìn)行檢查中，提供能使各碰撞電極和與其對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體元件的電極端沒(méi)有位置偏移地接觸的半導(dǎo)體晶片及其檢查方法。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述課題，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片，在其上形成多個(gè)半導(dǎo)體元件與位置對(duì)準(zhǔn)圖形，所述位置對(duì)準(zhǔn)圖形由形成在所述晶片上的下層絕緣層、導(dǎo)體層及上層絕緣層構(gòu)成，檢測(cè)部電極端與導(dǎo)通部電極端形成在所述導(dǎo)體層上，所述檢測(cè)部電極端與導(dǎo)通部電極端通過(guò)導(dǎo)通手段導(dǎo)通，所述上層絕緣層具有檢測(cè)部開(kāi)口與導(dǎo)通部開(kāi)口，所述導(dǎo)通部開(kāi)口中露出所述導(dǎo)通部電極端，所述檢測(cè)部開(kāi)口中所述檢測(cè)部電極端沿所述檢測(cè)部開(kāi)口的開(kāi)口邊緣部分地露出，同時(shí)所述下層絕緣層露出于除去所述檢測(cè)部電極端以外的區(qū)域中。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片，在所述檢測(cè)部電極端上形成所述下層絕緣層露出的貫通孔，在包圍貫通孔形成的所述檢測(cè)部開(kāi)口中，所述檢測(cè)部電極端沿所述檢測(cè)部開(kāi)口的開(kāi)口邊緣環(huán)形地露出。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片，在所述檢測(cè)部電極端的多處以規(guī)定間隔配置一排所述貫通孔，各貫通孔的尺寸以一定比率不同。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片，所述檢測(cè)部開(kāi)口做成方形，所述檢測(cè)部電極端沿所述檢測(cè)部開(kāi)口的開(kāi)口邊緣的一邊部分地露出。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片，在其上形成多個(gè)半導(dǎo)體元件與位置對(duì)準(zhǔn)圖形，所述位置對(duì)準(zhǔn)圖形由形成在所述晶片上的下層絕緣層、導(dǎo)體層及上層絕緣層構(gòu)成，多個(gè)檢測(cè)部電極端與多個(gè)導(dǎo)通部電極端形成在所述導(dǎo)體層上，成組的所述檢測(cè)部電極端與所述導(dǎo)通部電極端通過(guò)導(dǎo)通手段導(dǎo)通，所述上層絕緣層具有多個(gè)所述檢測(cè)部電極端一起露出的一個(gè)檢測(cè)部開(kāi)口與多個(gè)所述導(dǎo)通部電極端各自個(gè)別地露出的多個(gè)導(dǎo)通部開(kāi)口，所述檢測(cè)部開(kāi)口做成方形，所述檢測(cè)部開(kāi)口中多個(gè)的所述檢測(cè)部電極端各自沿所述檢測(cè)部開(kāi)口的開(kāi)口邊緣的各邊部分地露出，同時(shí)所述下層絕緣層露出于除去所述檢測(cè)部電極端以外的區(qū)域中。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片，在其上形成多個(gè)半導(dǎo)體元件與位置對(duì)準(zhǔn)圖形，所述位置對(duì)準(zhǔn)圖形由形成在所述晶片上的下層絕緣層、導(dǎo)體層及上層絕緣層構(gòu)成，多個(gè)檢測(cè)部電極端與多個(gè)導(dǎo)通部電極端形成在所述導(dǎo)體層上，成組的所述檢測(cè)部電極端與所述導(dǎo)通部電極端通過(guò)導(dǎo)通手段導(dǎo)通，所述上層絕緣層具有多個(gè)所述檢測(cè)部電極端一起露出的一個(gè)檢測(cè)部開(kāi)口與多個(gè)所述導(dǎo)通部電極端各自個(gè)別地露出的多個(gè)導(dǎo)通部開(kāi)口，所述檢測(cè)部開(kāi)口中多個(gè)的所述檢測(cè)部電極端環(huán)形地且以同心地隔開(kāi)規(guī)定間隔多重地露出，同時(shí)所述下層絕緣層露出于除去所述檢測(cè)部電極端以外的區(qū)域中。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片，導(dǎo)通所述檢測(cè)部電極端與導(dǎo)通部電極端的所述導(dǎo)通手段由所述導(dǎo)體層構(gòu)成。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片，在所述位置對(duì)準(zhǔn)圖形的所述下層絕緣層上形成接觸孔，在所述接觸孔中配置連接配線，導(dǎo)通所述檢測(cè)部電極端與所述導(dǎo)通部電極端的所述導(dǎo)通手段由所述連接配線構(gòu)成。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片，在其上形成多個(gè)半導(dǎo)體元件與位置對(duì)準(zhǔn)圖形，所述位置對(duì)準(zhǔn)圖形由形成在所述晶片上的下層絕緣層、導(dǎo)體層及上層絕緣層構(gòu)成，檢測(cè)部電極端與導(dǎo)通部電極端形成在所述導(dǎo)體層上，所述檢測(cè)部電極端與導(dǎo)通部電極端中的一方電極端連接接地配線，另一方電極端連接輸入電路線或成浮置狀態(tài)，所述上層絕緣層具有開(kāi)口，所述開(kāi)口中所述導(dǎo)通部電極端露出，同時(shí)所述檢測(cè)部電極端沿所述開(kāi)口的開(kāi)口邊緣部分地露出，且所述下層絕緣層露出于除去所述導(dǎo)通部電極端和所述檢測(cè)部電極端以外的區(qū)域中。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的檢查方法，是對(duì)形成多個(gè)半導(dǎo)體元件和位置對(duì)準(zhǔn)圖形的半導(dǎo)體晶片，利用具備多個(gè)碰撞電極的接觸器進(jìn)行老化檢查或電氣特性檢查的方法，在使所述半導(dǎo)體元件和所述位置對(duì)準(zhǔn)圖形的各電極端與所述接觸器的各碰撞電極分別接觸的位置對(duì)準(zhǔn)工序中，電氣檢測(cè)配置在所述半導(dǎo)體晶片內(nèi)的至少2處的所述位置對(duì)準(zhǔn)圖形的各電極端與所述接觸器具備的位置對(duì)準(zhǔn)用的碰撞電極的位置偏差信息并進(jìn)行監(jiān)視。
根據(jù)本發(fā)明，對(duì)于形成高度進(jìn)步的構(gòu)成的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體晶片，在晶片狀態(tài)下進(jìn)行老化檢查或電氣的特性檢查時(shí)，通過(guò)用位置對(duì)準(zhǔn)圖形，可維持正確的位置關(guān)系使半導(dǎo)體晶片的電極端與接觸器的碰撞電極接觸，可避免電極端的集中載荷，實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)、高效率、低價(jià)格的檢查。


圖1A示出本發(fā)明的第1實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體晶片的平面圖。
圖1B示出在晶片狀態(tài)下檢查該半導(dǎo)體晶片的接觸器的平面圖。
圖2示出該實(shí)施形態(tài)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形的平面圖。
圖3示出在同一實(shí)施形態(tài)中，半導(dǎo)體晶片與接觸器正常接觸時(shí)的圖1A的A-A箭頭斷面圖。
圖4示出在同一實(shí)施形態(tài)中，半導(dǎo)體晶片與接觸器發(fā)生位置偏差接觸時(shí)的圖1A的A-A箭頭斷面圖。
圖5示出該實(shí)施形態(tài)的晶片狀態(tài)檢查中用監(jiān)視法的檢查前的工藝流圖。
圖6示出本發(fā)明的第2實(shí)施形態(tài)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形的平面圖。
圖7為圖6的B-B箭頭斷面圖。
圖8為該實(shí)施形態(tài)中電氣檢測(cè)位置對(duì)準(zhǔn)用的電路圖。
圖9示出本發(fā)明的第3實(shí)施形態(tài)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形的平面圖。
圖10示出本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形的平面圖。
圖11示出本發(fā)明的第5實(shí)施形態(tài)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形的平面圖。
圖12示出本發(fā)明的第6實(shí)施形態(tài)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形的平面圖。
圖13示出本發(fā)明的第7實(shí)施形態(tài)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形的平面圖。
圖14示出本發(fā)明的第8實(shí)施形態(tài)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形的平面圖。
圖15示出本發(fā)明的第9實(shí)施形態(tài)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形的平面圖。
圖16示出本發(fā)明的第10實(shí)施形態(tài)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形的平面圖。
圖17示出本發(fā)明的第11實(shí)施形態(tài)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形的平面圖。
圖18示出本發(fā)明的第12實(shí)施形態(tài)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形的平面圖。
圖19示出有關(guān)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片內(nèi)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形的配置的實(shí)施例1的平面圖。
圖20示出有關(guān)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片內(nèi)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形的配置的實(shí)施例2的平面圖。
圖21示出有關(guān)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片內(nèi)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形的配置的實(shí)施例3的平面圖。
圖22示出有關(guān)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片內(nèi)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形的配置的實(shí)施例4的平面圖。
圖23示出有關(guān)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片內(nèi)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形的配置的實(shí)施例5的平面圖。
圖24示出有關(guān)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片內(nèi)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形的配置的實(shí)施例6的平面圖。
圖25示出用于以往的半導(dǎo)體晶片狀態(tài)下的檢查時(shí)的位置對(duì)準(zhǔn)的圖形的構(gòu)成圖。
圖26示出用于以往的半導(dǎo)體晶片狀態(tài)下的檢查時(shí)的位置對(duì)準(zhǔn)的圖形的構(gòu)成圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照

本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。
實(shí)施形態(tài)1圖1A示出本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體晶片的平面圖。圖1B為在晶片狀態(tài)下檢查該半導(dǎo)體元件的接觸器的平面圖。
圖1A中，半導(dǎo)體晶片21具備多個(gè)半導(dǎo)體元件22、形成在各半導(dǎo)體元件22之間的劃片用的劃線23、形成在劃線23內(nèi)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形25，半導(dǎo)體元件22中形成與外部連接的電極端24。
位置對(duì)準(zhǔn)圖形25是對(duì)晶片狀態(tài)的半導(dǎo)體晶片21進(jìn)行老化檢查或電氣特性檢查時(shí)使用的圖形。本實(shí)施例中，在直角交叉的劃線23的各線上形成多個(gè)位置對(duì)準(zhǔn)圖形25。
圖1B中，接觸器30是對(duì)晶片狀態(tài)的半導(dǎo)體晶片21進(jìn)行老化檢查或電氣特性檢查用的檢查工具。為同時(shí)檢查多個(gè)半導(dǎo)體元件或全部半導(dǎo)體元件，接觸器30在基板上具備多個(gè)碰撞電極21。檢查時(shí)，接觸器30面對(duì)半導(dǎo)體晶片配置，多個(gè)碰撞電極31各自與各半導(dǎo)體元件22的各電極端24和位置對(duì)準(zhǔn)圖形25接觸。
用接觸器30檢查半導(dǎo)體晶片1內(nèi)的各半導(dǎo)體元件2時(shí)，有必要確認(rèn)接觸器30的各碰撞電極31與半導(dǎo)體元件22的各電極端24以正常的位置關(guān)系接觸，然后進(jìn)行檢查。
圖1中，接觸器30是方形的，但也可以是圓形或多邊形的。
圖2示出位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的平面圖。圖3和圖4示出圖1A所示半導(dǎo)體晶片的A-A箭頭斷面圖中使半導(dǎo)體晶片21與接觸器30接觸的狀態(tài)圖，圖3示出半導(dǎo)體晶片21的位置對(duì)準(zhǔn)圖形25與接觸器30的碰撞電極31以正常的位置關(guān)系接觸的情況，圖4示出半導(dǎo)體晶片21的位置對(duì)準(zhǔn)圖形25與接觸器30的碰撞電極31以位置偏差的不正常的位置關(guān)系接觸的情況。
圖2～圖4中，半導(dǎo)體晶片21在下層絕緣層32之上形成導(dǎo)體層33，在導(dǎo)體層33之上形成上層絕緣層34。
位置對(duì)準(zhǔn)圖形25，在下層絕緣層32之上具有由導(dǎo)體層33構(gòu)成的檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39。檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39在一個(gè)連續(xù)的導(dǎo)電層33上形成各自的區(qū)域，導(dǎo)電層33以其自身構(gòu)成使檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39導(dǎo)通的導(dǎo)通手段。檢測(cè)部電極端38的區(qū)域中，導(dǎo)體層33上設(shè)有貫通孔40。
上層絕緣層34覆蓋下層絕緣層32和導(dǎo)體層33，上層絕緣層34中設(shè)有方形開(kāi)口的檢測(cè)部開(kāi)口35a與導(dǎo)通部開(kāi)口35b。
檢測(cè)部開(kāi)口35a中，檢測(cè)部電極端38部分地露出，檢測(cè)部電極端38的露出部沿檢測(cè)部開(kāi)口35a的開(kāi)口邊緣形成環(huán)形。另外，檢測(cè)部開(kāi)口35a中，貫通孔40位于中央，通過(guò)不存在導(dǎo)體層33的貫通孔40露出下層絕緣層32。導(dǎo)通部開(kāi)口35b中，導(dǎo)通部電極端39方形地露出。
如圖3所示，半導(dǎo)體晶片21與接觸器30在正常位置關(guān)系配置的狀態(tài)中，對(duì)應(yīng)于檢測(cè)部開(kāi)口35a的碰撞電極31，位于檢測(cè)部開(kāi)口35a的中央部，對(duì)著檢測(cè)部電極端38不存在的貫通孔40，成為與檢測(cè)部電極端38的區(qū)域的導(dǎo)電層33不接觸的狀態(tài)。導(dǎo)通部開(kāi)口35b對(duì)應(yīng)的碰撞電極31接觸到導(dǎo)通部電極端39的區(qū)域的導(dǎo)電層33。
該狀態(tài)中，雙方的碰撞電極端31、31間為非導(dǎo)通。因此，利用與接觸器30接觸的測(cè)試器檢測(cè)出雙方的碰撞電極31、31之間處于非導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，對(duì)其結(jié)果，可判定為半導(dǎo)體晶片21與接觸器30處于正常的位置關(guān)系配置的狀態(tài)。例如，通過(guò)將電壓加于電極31、31間，檢測(cè)這時(shí)流過(guò)的電流值，電氣判定是否位于正常的位置關(guān)系是可能的。
如圖4所示，半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的相對(duì)位置發(fā)生偏移，雙方在不正常位置關(guān)系配置的狀態(tài)中，對(duì)應(yīng)于檢測(cè)部開(kāi)口35a的碰撞電極31，不位于檢測(cè)部開(kāi)口35a的中央部，在偏離貫通孔40中心的位置對(duì)著貫通孔40，成為與檢測(cè)部電極端38的區(qū)域的導(dǎo)電層33接觸的狀態(tài)。導(dǎo)通部開(kāi)口35b對(duì)應(yīng)的碰撞電極31接觸到導(dǎo)通部電極端39的區(qū)域的導(dǎo)電層33。
這種狀態(tài)中，檢測(cè)開(kāi)口35a中檢測(cè)部電極端38接觸的碰撞電極31與導(dǎo)通部開(kāi)口35b導(dǎo)通部電極端39接觸的碰撞電極31通過(guò)導(dǎo)電層33導(dǎo)通。
因此，利用與接觸器30接觸的測(cè)試器檢測(cè)出雙方的碰撞電極31之間處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，對(duì)其結(jié)果，可判定為半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的相對(duì)位置發(fā)生偏移，雙方處于不正常的位置關(guān)系配置的狀態(tài)。
這樣一來(lái)，在形成在半導(dǎo)體晶片21的多個(gè)位置對(duì)準(zhǔn)圖形25中，通過(guò)電氣檢測(cè)，監(jiān)視半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的相對(duì)位置處于正常的位置關(guān)系，或處于不正常的位置關(guān)系，可得到半導(dǎo)體晶片21與接觸器30相對(duì)的位置偏移方向、其位置偏移的大小程度、半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的相對(duì)傾斜角度大小的程度等的信息。
例如，本實(shí)施形態(tài)中，由于在直角交叉的各劃線23上形成多個(gè)位置對(duì)準(zhǔn)圖形25，故在一處的位置對(duì)準(zhǔn)圖形25中檢測(cè)出正常的位置關(guān)系，其他的位置對(duì)準(zhǔn)圖形25中檢測(cè)出不正常的位置關(guān)系時(shí)，可判定為半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的相對(duì)位置關(guān)于繞垂直于半導(dǎo)體晶片21的軸發(fā)生偏移。
通過(guò)應(yīng)用這種監(jiān)視法，在使用有碰撞電極31的接觸器30檢查晶片狀態(tài)的半導(dǎo)體元件時(shí)，使各碰撞電極31與半導(dǎo)體元件22的電極端24沒(méi)有位置偏移地接觸，實(shí)施檢查。
圖5示出本發(fā)明的第1實(shí)施形態(tài)的檢查順序的工藝流程圖。在以晶片狀態(tài)檢查半導(dǎo)體元件22的檢查方法中，包含將被檢查物的半導(dǎo)體晶片21置于探測(cè)臺(tái)上的工序43，以光學(xué)方式進(jìn)行半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)的工序44，使接觸器30的多個(gè)碰撞電極31各自接觸半導(dǎo)體晶片21的各電極端24的位置對(duì)準(zhǔn)工序45，確認(rèn)各碰撞電極31與各電極端24的相對(duì)的位置對(duì)準(zhǔn)精度、判定是否合適的位置精度判定工序46，投向檢查裝置的工序47，調(diào)整半導(dǎo)體元件22與接觸器30的相對(duì)位置關(guān)系的位置調(diào)整工序48，以及檢查半導(dǎo)體元件22的電氣特性的檢查開(kāi)始工序49。
位置調(diào)整工序48是在位置精度判定工序46中判定位置對(duì)準(zhǔn)精度為不合格時(shí)進(jìn)行的工序，將各電極端24與各碰撞電極31的相對(duì)的位置關(guān)系再設(shè)定為正常的位置關(guān)系。這種再設(shè)定的操作，根據(jù)位置對(duì)準(zhǔn)圖形25與接觸器30的接觸狀態(tài)得到的電氣信號(hào)作為再設(shè)定用的信息來(lái)進(jìn)行。經(jīng)過(guò)位置調(diào)整工序48，可實(shí)現(xiàn)各電極端24與各碰撞電極31的正確位置對(duì)準(zhǔn)。
然后，在位置調(diào)整工序48之后，返回使位置對(duì)準(zhǔn)圖形25與接觸器30接觸的位置對(duì)準(zhǔn)工序45。接著在位置精度判定工序46判定為位置對(duì)準(zhǔn)精度合格后，經(jīng)投向檢查裝置的工序47進(jìn)入檢查開(kāi)始工序49。
實(shí)施形態(tài)2下面說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施形態(tài)。圖6示出位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的平面圖。圖7是圖6中的B-B箭頭斷面圖。
圖6和圖7中，位置對(duì)準(zhǔn)圖形25具備以導(dǎo)體層形成在下層絕緣層32之上的矩形導(dǎo)通部電極端39。和除去導(dǎo)通部電極端39的一邊以外，包圍導(dǎo)通部電極端39的周圍設(shè)置的檢測(cè)部電極端38，導(dǎo)通部電極端39與檢測(cè)部電極端38隔開(kāi)空間。也可用SiN等的絕緣膜埋入該空間。
覆蓋下層絕緣層32和導(dǎo)體層33形成的上層絕緣層34，在檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39的上方設(shè)置方形的開(kāi)口35。開(kāi)口35中導(dǎo)通部電極端39全部露出，同時(shí)檢測(cè)部電極端38沿開(kāi)口35的開(kāi)口邊緣部分地露出，且在除去導(dǎo)通部電極端39和檢測(cè)部電極端38的區(qū)域露出下層絕緣層32。
另外，檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39分別連接到接地配線55與輸入電路配線56。利用該構(gòu)成，位置對(duì)準(zhǔn)工序中電氣檢測(cè)半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的相對(duì)位置偏移，對(duì)后述的內(nèi)部電路施加電壓。使導(dǎo)通部電極端39為浮置狀態(tài)也是可能的。另外也可以將電極端39與電極端38分別連接接地配線55與輸入電路配線56。
本實(shí)施形態(tài)中，也可將半導(dǎo)體元件22的電極端24用作導(dǎo)通部電極端39，或可單設(shè)置導(dǎo)通部電極端39。導(dǎo)通部電極端39為方形，但不限于此。另外，也可在檢測(cè)部電極端38的開(kāi)放的一邊側(cè)，上層絕緣層34設(shè)置直到與導(dǎo)通部電極端39的一端接觸的位置。這樣，縮小位置對(duì)準(zhǔn)圖形25表面的凹凸。
圖8示出電氣檢測(cè)半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)用的電路的一例的電路圖。
檢查時(shí)，將設(shè)置于接觸器30的互相導(dǎo)通的一對(duì)碰撞電極31、31配置在開(kāi)口35。這種狀態(tài)下，雙方的碰撞電極31、31接觸到導(dǎo)通部電極端39時(shí)，接地配線55與輸入電路配線56維持非導(dǎo)通狀態(tài)。因此，通過(guò)檢測(cè)出沒(méi)有對(duì)內(nèi)部電路的輸入，可判定為半導(dǎo)體晶片21與接觸器30處于正常的位置關(guān)系。
另外，在一方的碰撞電極31接觸檢測(cè)部電極端38，另一方碰撞電極接觸導(dǎo)通部電極端39時(shí)，通過(guò)雙方中的一方碰撞電極31導(dǎo)通接地配線55與輸入電路配線56。因此，通過(guò)檢測(cè)對(duì)內(nèi)部電路的輸入，判定為半導(dǎo)體晶片21與接觸器30處于不正常位置對(duì)準(zhǔn)的狀態(tài)。
實(shí)施形態(tài)3下面說(shuō)明本發(fā)明的第3實(shí)施形態(tài)。圖9示出位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的平面圖。圖9中，位置對(duì)準(zhǔn)圖形25具備導(dǎo)體層形成在下層絕緣層32上的方形導(dǎo)通部電極端39，和在導(dǎo)通部電極端39的一邊隔開(kāi)空間地相對(duì)的檢測(cè)部電極端38。
覆蓋下層絕緣層32和導(dǎo)體層33形成的上層絕緣層34，在檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39的上方設(shè)置開(kāi)口35。開(kāi)口35中，導(dǎo)通部電極端39與檢測(cè)部電極端38一起從開(kāi)口35的開(kāi)口邊緣部分地露出，檢測(cè)部電極端38沿開(kāi)口35的邊緣的一邊露出，且在除導(dǎo)通部電極端39和檢測(cè)部電極端38以外的區(qū)域，露出下層絕緣層32。導(dǎo)通部電極端39與檢測(cè)部電極端38相比，露出充分大的面積。
與第2實(shí)施形態(tài)同樣，檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39分別連接接地配線55與輸入電路配線56，在位置對(duì)準(zhǔn)工序中電氣檢測(cè)半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的相對(duì)位置偏移，對(duì)內(nèi)部電路加上電壓。也可使導(dǎo)通部電極端39為浮置狀態(tài)。
實(shí)際上位置對(duì)準(zhǔn)使用時(shí)，組合使用2個(gè)位置對(duì)準(zhǔn)圖形25，雙方中的一方位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的形態(tài)不同。例如，一方的位置對(duì)準(zhǔn)圖形25中導(dǎo)通部電極端39位于右邊，檢測(cè)部電極端38位于左邊時(shí)，另一方的位置對(duì)準(zhǔn)圖形25中導(dǎo)通部電極端39位于左邊，檢測(cè)部電極端38位于右邊。
半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的相對(duì)的位置對(duì)準(zhǔn)是正常的位置關(guān)系或不是正常的位置關(guān)系的判斷，與第2實(shí)施形態(tài)同樣地進(jìn)行。
實(shí)施形態(tài)4下面說(shuō)明本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)。圖10示出位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的平面圖。
圖10中，位置對(duì)準(zhǔn)圖形25具備導(dǎo)體層形成在下層絕緣層32上的矩形導(dǎo)通部電極端39，和隔開(kāi)空間、包圍導(dǎo)通部電極端39的，對(duì)著導(dǎo)通部電極端39的四邊的檢測(cè)部電極端38。
覆蓋下層絕緣層32和導(dǎo)體層33形成的上層絕緣層34，在檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39的上方設(shè)有開(kāi)口35。開(kāi)口35中，導(dǎo)通部電極端39全部露出，檢測(cè)部電極端38沿開(kāi)口35的開(kāi)口邊緣環(huán)形地部分露出，且除去導(dǎo)通部電極端39和檢測(cè)部電極端38的區(qū)域，露出下層絕緣層32。
與第2實(shí)施形態(tài)同樣，檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39分別連接接地配線55與輸入電路配線56。也可使導(dǎo)通部電極端39為浮置狀態(tài)。
半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的相對(duì)的位置對(duì)準(zhǔn)是正常的位置關(guān)系或不是正常的位置關(guān)系的判斷，與第2實(shí)施形態(tài)同樣地進(jìn)行。
實(shí)施形態(tài)5下面說(shuō)明本發(fā)明的第5實(shí)施形態(tài)。圖11示出位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的平面圖。
圖11中，位置對(duì)準(zhǔn)圖形25具備形成在下層絕緣層32上的檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39，檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39以一個(gè)連續(xù)的導(dǎo)體層33形成，導(dǎo)體層33的自身構(gòu)成導(dǎo)通檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39的導(dǎo)通手段。
覆蓋下層絕緣層32和導(dǎo)體層33形成的上層絕緣層34，設(shè)有方形的檢測(cè)部開(kāi)口35a和導(dǎo)通部開(kāi)口35b。
檢測(cè)部開(kāi)口35a中，檢測(cè)部電極端38的導(dǎo)電層33的一部分只從開(kāi)口35a的開(kāi)口邊緣的一邊側(cè)露出，在除去檢測(cè)部電極端38的部分，露出下層絕緣層32。導(dǎo)通部開(kāi)口35b中導(dǎo)通部電極端39的導(dǎo)電層33方形地露出。
半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)正常或不正常的判斷，與第1實(shí)施形態(tài)同樣地進(jìn)行。
實(shí)施形態(tài)6下面說(shuō)明本發(fā)明的第6實(shí)施形態(tài)。圖12示出位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的平面圖。圖12中，位置對(duì)準(zhǔn)圖形25具備形成在下層絕緣層32之上的檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39，檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39以不連續(xù)的導(dǎo)體層33各別地形成。
在下層絕緣層32的接觸孔中配置下層連接配線60，檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39經(jīng)構(gòu)成導(dǎo)通手段的下層連接配線60相連。
覆蓋下層絕緣層32和導(dǎo)體層33形成的上層絕緣層34，設(shè)有方形的檢測(cè)部開(kāi)口35a和導(dǎo)通部開(kāi)口35b。
檢測(cè)部開(kāi)口35a中，檢測(cè)部電極端38部分地露出，檢測(cè)部電極端38的露出部沿檢測(cè)部開(kāi)口35a的開(kāi)口邊緣形成環(huán)形。另外，檢測(cè)部開(kāi)口35a中，貫通孔40位于中央部，通過(guò)導(dǎo)體層33不存在的貫通孔40露出下層絕緣層32。導(dǎo)通部開(kāi)口35b中導(dǎo)通部電極端39方形地露出。
半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)正?；虿徽５呐袛?，與第1實(shí)施形態(tài)同樣地進(jìn)行。
實(shí)施形態(tài)7下面說(shuō)明本發(fā)明的第7實(shí)施形態(tài)。圖13示出位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的平面圖。圖13中，位置對(duì)準(zhǔn)圖形25具備形成在下層絕緣層32之上的檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39。檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39在一個(gè)連續(xù)的導(dǎo)體層33中形成各自的區(qū)域，導(dǎo)電層33以其自身形成使檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39導(dǎo)通的導(dǎo)通手段。檢測(cè)部電極端38的區(qū)域中，導(dǎo)體層33設(shè)有貫通孔40。
覆蓋下層絕緣層32和導(dǎo)體層33形成的上層絕緣層34，設(shè)有方形的檢測(cè)部開(kāi)口35a和導(dǎo)通部開(kāi)口35b。
檢測(cè)部開(kāi)口35a中，檢測(cè)部電極端38部分地露出，檢測(cè)部電極端38的露出部沿檢測(cè)部開(kāi)口35a的開(kāi)口邊緣形成環(huán)形。另外，檢測(cè)部開(kāi)口35a中，通過(guò)導(dǎo)體層33不存在的貫通孔40露出下層絕緣層32。導(dǎo)通部開(kāi)口35b中導(dǎo)通部電極端39方形地露出。
檢測(cè)部開(kāi)口35a的中央部，與檢測(cè)部電極端38隔開(kāi)空間設(shè)置凸部61。該凸部61以上層絕緣層34、或?qū)щ妼?3，或者其他層形成也可。另外，凸部61的高度使與導(dǎo)電層33相同，從而與接觸器30的碰撞電極31的接觸良好，半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)正常或不正常的判斷，與第1實(shí)施形態(tài)同樣地進(jìn)行。
實(shí)施形態(tài)8下面說(shuō)明本發(fā)明的第8實(shí)施形態(tài)。圖14示出位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的平面圖。圖14中，位置對(duì)準(zhǔn)圖形25具備形成在下層絕緣層32之上的檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39。檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39在一個(gè)連續(xù)的導(dǎo)體層33中形成各自的區(qū)域，導(dǎo)電層33以其自身形成使檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39導(dǎo)通的導(dǎo)通手段。
檢測(cè)部電極端38的區(qū)域中，導(dǎo)體層33設(shè)有多個(gè)貫通孔40。多個(gè)貫通孔40形成各自以一定比率不同大小的矩形，各貫通孔40的中心大致對(duì)準(zhǔn)開(kāi)口35的中心線。
覆蓋下層絕緣層32和導(dǎo)體層33形成的上層絕緣層34，設(shè)有方形的檢測(cè)部開(kāi)口35a和導(dǎo)通部開(kāi)口35b。
檢測(cè)部開(kāi)口35a中，檢測(cè)部電極端38部分地露出，檢測(cè)部電極端38的露出部沿檢測(cè)部開(kāi)口35的開(kāi)口邊緣形成環(huán)形。另外，檢測(cè)部開(kāi)口35a中，通過(guò)導(dǎo)體層33不存在的貫通孔40露出下層絕緣層32。導(dǎo)通部開(kāi)口35b中，方形地露出導(dǎo)通部電極端39。
半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)正?；虿徽５呐袛?，與第1實(shí)施形態(tài)同樣地進(jìn)行。
這時(shí)，通過(guò)在多個(gè)貫通孔40的各個(gè)中配置接觸器30的碰撞電極31，便可在半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)中知道位置偏移的大小。
例如，某種大小以上的各貫通孔40中碰撞電極31與檢測(cè)部電極端38為不接觸，而在其以下大小的各貫通孔40中碰撞電極31與檢測(cè)部電極端38接觸時(shí)，根據(jù)該接觸發(fā)生的貫通孔40的大小，可推定位置偏移的大小程度。
實(shí)施形態(tài)9下面說(shuō)明本發(fā)明的第9實(shí)施形態(tài)。圖15示出位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的平面圖。圖15中，位置對(duì)準(zhǔn)圖形25具備形成在下層絕緣層32之上的多個(gè)檢測(cè)部電極端38與多個(gè)導(dǎo)通部電極端39。
成組的檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39在一個(gè)連續(xù)的導(dǎo)體層33中形成各自的區(qū)域，導(dǎo)電層構(gòu)成的配線部62構(gòu)成導(dǎo)通手段分別連接導(dǎo)各通部電極端39與各檢測(cè)部電極端38。這里，4組導(dǎo)通部電極端39與檢測(cè)部電極端38配置在大致直線上的位置。各檢測(cè)部電極端38相互間空間上被分離，各導(dǎo)通部電極端39相互間空間上被分離。
覆蓋下層絕緣層32和導(dǎo)體層33形成的上層絕緣層34，設(shè)有方形的一個(gè)檢測(cè)部開(kāi)口35a和多個(gè)導(dǎo)通部開(kāi)口35b。
檢測(cè)部開(kāi)口35a中，多個(gè)檢測(cè)部電極端38一起露出，且各檢測(cè)部電極端38各自沿檢測(cè)部開(kāi)口35a的開(kāi)口邊緣的各邊部分地露出，同時(shí)除檢測(cè)部電極端38以外的區(qū)域性中露出下層絕緣層32。在多個(gè)導(dǎo)通部開(kāi)口35b各自中，露出導(dǎo)通部電極端39。
半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)正?；虿徽５呐袛?，與第1實(shí)施形態(tài)同樣地進(jìn)行。
這時(shí)這時(shí)，通過(guò)在檢測(cè)部開(kāi)口35a和各導(dǎo)通部開(kāi)口35b中配置接觸器30的碰撞電極31，便可在半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)中知道位置偏移的方向。
例如，檢測(cè)部開(kāi)口35a中，接觸器30的碰撞電極31接觸位于紙面上的上方位置的檢測(cè)部電極端38時(shí)，導(dǎo)通了與該檢測(cè)部電極端38相同導(dǎo)電層33構(gòu)成的導(dǎo)通部電極端39接觸的碰撞電極31和與所述檢測(cè)部電極端38接觸的碰撞電極31。
因此，根據(jù)導(dǎo)通的碰撞電極31的組合，可判定配置在檢測(cè)部開(kāi)口35a的碰撞電極31接觸到哪個(gè)位置的檢測(cè)部電極端38。從而知道半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的相對(duì)位置的位置偏移方向。
實(shí)施形態(tài)10
下面說(shuō)明本發(fā)明的第10實(shí)施形態(tài)。圖16示出位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的平面圖。圖16中，位置對(duì)準(zhǔn)圖形25具備形成在下層絕緣層32之上的3組檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39。
覆蓋下層絕緣層32形成的上層絕緣層34，設(shè)有方形的一個(gè)檢測(cè)部開(kāi)口35a和多個(gè)導(dǎo)通部開(kāi)口35b。
檢測(cè)部開(kāi)口35a中露出的各檢測(cè)部電極端38，中央部具有貫通孔40，沿檢測(cè)部開(kāi)口35a的開(kāi)口邊緣環(huán)形地露出，相互間隔開(kāi)空間同心地配置。檢測(cè)部開(kāi)口35a中除檢測(cè)部電極端38以外的區(qū)域露出下層絕緣層32。
最外周的檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39組成的一組，檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39由一個(gè)連續(xù)的導(dǎo)體層33形成。導(dǎo)通部電極端39在其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通部開(kāi)口35b矩形地露出。
其他2組，各自的導(dǎo)通部電極端39在其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通部開(kāi)口35b矩形地露出，各導(dǎo)通部電極端39經(jīng)構(gòu)成導(dǎo)通手段的下層連接配線60，分別連接到中間的檢測(cè)部電極端38或最內(nèi)周的檢測(cè)部電極端38。
半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)正?；虿徽５呐袛?，與第1實(shí)施形態(tài)同樣地進(jìn)行。
這時(shí)，通過(guò)在檢測(cè)部開(kāi)口35a和各導(dǎo)通部開(kāi)口35b中配置接觸器30的碰撞電極31，便可在半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)中知道位置偏移的大小程度。
例如，檢測(cè)部開(kāi)口35a中，接觸器30的碰撞電極31接觸最內(nèi)周的檢測(cè)部電極端38時(shí)，導(dǎo)通了與該檢測(cè)部電極端38導(dǎo)通的導(dǎo)通部電極端39接觸的碰撞電極31和與最內(nèi)周的檢測(cè)部電極端38接觸的碰撞電極31。
因此，根據(jù)導(dǎo)通的碰撞電極31的組合，可判定配置在檢測(cè)部開(kāi)口35a的碰撞電極31接觸到哪個(gè)位置的檢測(cè)部電極端38。從而知道半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的相對(duì)位置的位置偏移大小的程度。
實(shí)施形態(tài)11下面說(shuō)明本發(fā)明的第11實(shí)施形態(tài)。圖17示出位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的平面圖。圖17中，位置對(duì)準(zhǔn)圖形25具備形成在下層絕緣層32之上的2組檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39，各組的檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39由一個(gè)連續(xù)的導(dǎo)體層33形成。
覆蓋下層絕緣層32形成的上層絕緣層34，設(shè)有方形的一個(gè)檢測(cè)部開(kāi)口35a和多個(gè)導(dǎo)通部開(kāi)口35b。
檢測(cè)部開(kāi)口35a中，各組的檢測(cè)部電極端38從檢測(cè)開(kāi)口35a的邊緣的相對(duì)的邊側(cè)部分地露出，除檢測(cè)部電極端38以外的區(qū)域中露出下層絕緣層32。各導(dǎo)通部開(kāi)口35b中各導(dǎo)通部電極端39方形地露出，左右對(duì)稱地形成2組檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39。
半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)正?；虿徽５呐袛?，與第1實(shí)施形態(tài)同樣地進(jìn)行。
這時(shí)，通過(guò)在檢測(cè)部開(kāi)口35a和各導(dǎo)通部開(kāi)口35b中配置接觸器30的碰撞電極31，便可在半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)中知道位置偏移的方向。
例如，檢測(cè)部開(kāi)口35a和各導(dǎo)通部開(kāi)口35b中，接觸器30的碰撞電極31接觸位于紙面上的右方位置的檢測(cè)部電極端38時(shí)，導(dǎo)通了與該檢測(cè)部電極端38相同導(dǎo)電層33構(gòu)成的導(dǎo)通部電極端39接觸的碰撞電極31和與所述檢測(cè)部電極端38接觸的碰撞電極31。
因此，根據(jù)導(dǎo)通的碰撞電極31的組合，可判定配置在檢測(cè)部開(kāi)口35a的碰撞電極31接觸到哪個(gè)位置的檢測(cè)部電極端38。從而知道半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)中，左右兩方向的位置偏移的方向。
實(shí)施形態(tài)12下面說(shuō)明本發(fā)明的第12實(shí)施形態(tài)。圖18示出位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的平面圖。圖18中，位置對(duì)準(zhǔn)圖形25具備形成在下層絕緣層32之上的4組檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39，各組的檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39由一個(gè)連續(xù)的導(dǎo)體層33形成。
覆蓋下層絕緣層32形成的上層絕緣層34，設(shè)有方形的一個(gè)檢測(cè)部開(kāi)口35a和多個(gè)導(dǎo)通部開(kāi)口35b。
檢測(cè)部開(kāi)口35a中，各組的檢測(cè)部電極端38從檢測(cè)開(kāi)口35a的開(kāi)口邊緣的4邊的各自的邊側(cè)露出，除檢測(cè)部電極端38以外的區(qū)域中露出下層絕緣層32。各導(dǎo)通部開(kāi)口35b中各導(dǎo)通部電極端39方形地露出，十字形地形成4組檢測(cè)部電極端38與導(dǎo)通部電極端39。
半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)正常或不正常的判斷，與第1實(shí)施形態(tài)同樣地進(jìn)行。
這時(shí)，通過(guò)在檢測(cè)部開(kāi)口35a和各導(dǎo)通部開(kāi)口35b中配置接觸器30的碰撞電極31，便可在半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)中知道位置偏移的方向。
例如，檢測(cè)部開(kāi)口35a中，接觸器30的碰撞電極31接觸位于紙面上的下方位置的檢測(cè)部電極端38時(shí)，導(dǎo)通了與該檢測(cè)部電極端38相同導(dǎo)電層33構(gòu)成的導(dǎo)通部電極端39接觸的碰撞電極31和與所述檢測(cè)部電極端38接觸的碰撞電極31。
因此，根據(jù)導(dǎo)通的碰撞電極31的組合，可判定配置在檢測(cè)部開(kāi)口35a的碰撞電極31接觸到哪個(gè)位置的檢測(cè)部電極端38。從而知道半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)中，在四個(gè)方向的位置偏移的方向。
實(shí)施形態(tài)13下面說(shuō)明本發(fā)明的第13實(shí)施形態(tài)。圖19示出在半導(dǎo)體晶片21內(nèi)配置位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的形態(tài)平面圖。
圖19中，各位置對(duì)準(zhǔn)圖形25配置在半導(dǎo)體元件22的配置區(qū)域內(nèi)，且劃線23的交點(diǎn)區(qū)域以外的直線區(qū)域65的至少2處。
這樣，通過(guò)將各位置對(duì)準(zhǔn)圖形25配置在半導(dǎo)體晶片21上，可高精度地實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)。
實(shí)施形態(tài)14下面說(shuō)明本發(fā)明的第14實(shí)施形態(tài)。圖20示出在半導(dǎo)體晶片21內(nèi)配置位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的形態(tài)平面圖。
圖20中，各位置對(duì)準(zhǔn)圖形25配置在半導(dǎo)體元件22的配置區(qū)域內(nèi)，且劃線23的交點(diǎn)區(qū)域66的至少2處。這樣，通過(guò)將各位置對(duì)準(zhǔn)圖形25配置在半導(dǎo)體晶片21上，可高精度地實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)。
實(shí)施形態(tài)15下面說(shuō)明本發(fā)明的第15實(shí)施形態(tài)。圖21示出在半導(dǎo)體晶片21內(nèi)配置位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的形態(tài)平面圖。
圖21中，各位置對(duì)準(zhǔn)圖形25配置在半導(dǎo)體元件22的配置區(qū)域內(nèi)，且與劃線23的交點(diǎn)區(qū)域66隔開(kāi)一定距離位置上。例如將一對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)圖形25配置在以任意點(diǎn)為原點(diǎn)，180°對(duì)稱的位置上?；蛘撸瑢⒍鄠€(gè)位置對(duì)準(zhǔn)圖形25以T字形或十字形設(shè)于以任意點(diǎn)為原點(diǎn)，繞原點(diǎn)90°的間隔的劃線23上。
然后將該位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的組合至少配置在劃線23的2個(gè)交點(diǎn)上。
這樣，通過(guò)將各位置對(duì)準(zhǔn)圖形25配置在半導(dǎo)體晶片21上，可高精度地實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)。
另外，作為位置對(duì)準(zhǔn)圖形25，通過(guò)用前面的各實(shí)施形態(tài)中所示的各種位置對(duì)準(zhǔn)圖形25，能檢測(cè)出位置偏移的方向和大小。例如，當(dāng)使用將圖14所示的位置對(duì)準(zhǔn)圖形25設(shè)置于四個(gè)方向時(shí)可檢測(cè)出位置偏移方向和大小。
實(shí)施形態(tài)16下面說(shuō)明本發(fā)明的第16實(shí)施形態(tài)。圖22示出在半導(dǎo)體晶片21內(nèi)配置位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的形態(tài)平面圖。
圖22中，各位置對(duì)準(zhǔn)圖形25配置在半導(dǎo)體元件22的配置區(qū)域至少2處的半導(dǎo)體元件22的內(nèi)部。
這樣，通過(guò)將各位置對(duì)準(zhǔn)圖形25配置在半導(dǎo)體晶片21上，可高精度地實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)。
實(shí)施形態(tài)17下面說(shuō)明本發(fā)明的第17實(shí)施形態(tài)。圖23示出在半導(dǎo)體晶片21內(nèi)配置位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的形態(tài)平面圖。
圖23中，各位置對(duì)準(zhǔn)圖形25配置在半導(dǎo)體元件22的配置區(qū)域外，周邊部67的至少2處。
這樣，通過(guò)將各位置對(duì)準(zhǔn)圖形25配置在半導(dǎo)體晶片21上，可高精度地實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)。
實(shí)施形態(tài)18下面說(shuō)明本發(fā)明的第18實(shí)施形態(tài)。圖24示出在半導(dǎo)體晶片21內(nèi)配置位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的形態(tài)平面圖。
圖24中，各位置對(duì)準(zhǔn)圖形25配置在半導(dǎo)體元件22的配置區(qū)域內(nèi)，且劃線23的直線區(qū)域中的大致兩端的位置上至少2處?；蛘?，配置在交點(diǎn)區(qū)域66、周邊部67的至少2處。
這樣，通過(guò)將各位置對(duì)準(zhǔn)圖形25配置在半導(dǎo)體晶片21上，可高精度地實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體晶片21與接觸器30的位置對(duì)準(zhǔn)。
以上，一系列的實(shí)施形態(tài)的說(shuō)明中，在說(shuō)明半導(dǎo)體晶片21內(nèi)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的配置方向與它們的組合時(shí)，示出了各位置對(duì)準(zhǔn)圖形25的檢測(cè)部電極端相互對(duì)向地配置，但即使配置在此外的方向上也能得到同樣的效果。
工業(yè)上的實(shí)用性本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片及其檢查方法，對(duì)形成在半導(dǎo)體晶片內(nèi)的半導(dǎo)體元件的諸項(xiàng)檢查的高品質(zhì)化，高效率化是有用的。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶片，其特征在于，在晶片上形成多個(gè)半導(dǎo)體元件與位置對(duì)準(zhǔn)圖形，所述位置對(duì)準(zhǔn)圖形由形成在所述晶片上的下層絕緣層、導(dǎo)體層以及上層絕緣層構(gòu)成，檢測(cè)部電極端與導(dǎo)通部電極端形成在所述導(dǎo)體層上，所述檢測(cè)部電極端與所述導(dǎo)通部電極端通過(guò)導(dǎo)通手段導(dǎo)通，所述上層絕緣層具有檢測(cè)部開(kāi)口與導(dǎo)通部開(kāi)口，所述導(dǎo)通部開(kāi)口中露出所述導(dǎo)通部電極端，所述檢測(cè)部開(kāi)口中所述檢測(cè)部電極端沿所述檢測(cè)部開(kāi)口的開(kāi)口邊緣部分地露出，同時(shí)所述下層絕緣層露出于除去所述檢測(cè)部電極端以外的區(qū)域中。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片，其特征在于，在所述檢測(cè)部電極端上形成所述下層絕緣層露出的貫通孔，在包圍貫通孔形成的所述檢測(cè)部開(kāi)口中，所述檢測(cè)部電極端沿所述檢測(cè)部開(kāi)口的開(kāi)口邊緣環(huán)形地露出。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶片，其特征在于，在所述檢測(cè)部電極端的多處以規(guī)定間隔配置一排所述貫通孔，各貫通孔的尺寸以一定比率不同。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片，其特征在于，所述檢測(cè)部開(kāi)口做成方形，所述檢測(cè)部電極端沿所述檢測(cè)部開(kāi)口的開(kāi)口邊緣的一邊部分地露出。
5.一種半導(dǎo)體晶片，其特征在于，在晶片上形成多個(gè)半導(dǎo)體元件與位置對(duì)準(zhǔn)圖形，所述位置對(duì)準(zhǔn)圖形由形成在所述晶片上的下層絕緣層、導(dǎo)體層及上層絕緣層構(gòu)成，多個(gè)檢測(cè)部電極端與多個(gè)導(dǎo)通部電極端形成在所述導(dǎo)體層上，成組的所述檢測(cè)部電極端與所述導(dǎo)通部電極端通過(guò)導(dǎo)通手段導(dǎo)通，所述上層絕緣層具有多個(gè)所述檢測(cè)部電極端一起露出的一個(gè)檢測(cè)部開(kāi)口與多個(gè)所述導(dǎo)通部電極端各自個(gè)別地露出的多個(gè)導(dǎo)通部開(kāi)口，所述檢測(cè)部開(kāi)口做成方形，所述檢測(cè)部開(kāi)口中多個(gè)的所述檢測(cè)部電極端各自沿所述檢測(cè)部開(kāi)口的開(kāi)口邊緣的各邊部分地露出，同時(shí)所述下層絕緣層露出于除去所述檢測(cè)部電極端以外的區(qū)域中。
6.一種半導(dǎo)體晶片，其特征在于，在晶片上形成多個(gè)半導(dǎo)體元件與位置對(duì)準(zhǔn)圖形，所述位置對(duì)準(zhǔn)圖形由形成在所述晶片上的下層絕緣層、導(dǎo)體層及上層絕緣層構(gòu)成，多個(gè)檢測(cè)部電極端與多個(gè)導(dǎo)通部電極端形成在所述導(dǎo)體層上，成組的所述檢測(cè)部電極端與所述導(dǎo)通部電極端通過(guò)導(dǎo)通手段導(dǎo)通，所述上層絕緣層具有多個(gè)所述檢測(cè)部電極端一起露出的一個(gè)檢測(cè)部開(kāi)口與多個(gè)所述導(dǎo)通部電極端各自個(gè)別地露出的多個(gè)導(dǎo)通部開(kāi)口，所述檢測(cè)部開(kāi)口中多個(gè)的所述檢測(cè)部電極端環(huán)形地并且以同心地隔開(kāi)規(guī)定間隔多重地露出，同時(shí)所述下層絕緣層露出于除去所述檢測(cè)部電極端以外的區(qū)域中。
7.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片，其特征在于，導(dǎo)通所述檢測(cè)部電極端與導(dǎo)通部電極端的所述導(dǎo)通手段由所述導(dǎo)體層構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片，其特征在于，在所述位置對(duì)準(zhǔn)圖形的所述下層絕緣層上形成接觸孔，在所述接觸孔中配置連接配線，導(dǎo)通所述檢測(cè)部電極端與所述導(dǎo)通部電極端的所述導(dǎo)通手段由所述連接配線構(gòu)成。
9.一種半導(dǎo)體晶片，其特征在于，在晶片上形成多個(gè)半導(dǎo)體元件與位置對(duì)準(zhǔn)圖形，所述位置對(duì)準(zhǔn)圖形由形成在所述晶片上的下層絕緣層、導(dǎo)體層及上層絕緣層構(gòu)成，檢測(cè)部電極端與導(dǎo)通部電極端形成在所述導(dǎo)體層上，所述檢測(cè)部電極端與導(dǎo)通部電極端中的一方電極端連接接地配線，另一方電極端連接輸入電路線或成浮置狀態(tài)，所述上層絕緣層具有開(kāi)口，所述開(kāi)口中所述導(dǎo)通部電極端露出，同時(shí)所述檢測(cè)部電極端沿所述開(kāi)口的開(kāi)口邊緣部分地露出，同時(shí)所述下層絕緣層在設(shè)置規(guī)定間隔并與所述導(dǎo)通部電極端對(duì)向并且除去所述導(dǎo)通部電極端和所述檢測(cè)部電極端以外的區(qū)域中露出。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體晶片，其特征在于，所述開(kāi)口中所述檢測(cè)部電極端空開(kāi)規(guī)定間隔，形成包圍所述導(dǎo)通部電極端的周圍的形狀。
11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體晶片，其特征在于，所述開(kāi)口中所述導(dǎo)通部電極端方形地露出，所述檢測(cè)部電極端空開(kāi)規(guī)定間隔，形成包圍除去所述導(dǎo)通部電極端的一邊以外的周圍的形狀。
12.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體晶片，其特征在于，所述開(kāi)口開(kāi)口成方形，所述開(kāi)口中所述檢測(cè)部電極端僅從所述開(kāi)口的一邊側(cè)部分地露出。
13.如權(quán)利要求1、2、3、4、5、6、9、10、11、12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片，其特征在于，在以任意點(diǎn)為原點(diǎn)的180°對(duì)稱的位置上，配置一對(duì)位置對(duì)準(zhǔn)圖形。
14.如權(quán)利要求1、2、3、4、5、6、9、10、11、12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片，其特征在于，以任意點(diǎn)為原點(diǎn)、繞原點(diǎn)旋轉(zhuǎn)以90°間隔，T形或十字形地配置多個(gè)位置對(duì)準(zhǔn)圖形。
15.如權(quán)利要求1、2、3、4、5、6、9、10、11、12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片，其特征在于，半導(dǎo)體晶片中的半導(dǎo)體元件的配置區(qū)域內(nèi)，在劃線的交點(diǎn)區(qū)域以外的至少2處，配置單個(gè)或多個(gè)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形。
16.如權(quán)利要求1、2、3、4、5、6、9、10、11、12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片，其特征在于，半導(dǎo)體晶片中的半導(dǎo)體元件的配置區(qū)域內(nèi)，在至少2處的劃線的交點(diǎn)區(qū)域，配置單個(gè)或多個(gè)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形。
17.如權(quán)利要求1、2、3、4、5、6、9、10、11、12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片，其特征在于，半導(dǎo)體晶片中的半導(dǎo)體元件的配置區(qū)域內(nèi)，在至少2處的半導(dǎo)體元件內(nèi)，配置單個(gè)或多個(gè)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形。
18.如權(quán)利要求1、2、3、4、5、6、9、10、11、12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片，其特征在于，半導(dǎo)體晶片中的半導(dǎo)體元件的配置區(qū)域外的周邊部，在至少2處配置單個(gè)或多個(gè)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形。
19.如權(quán)利要求1、2、3、4、5、6、9、10、11、12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片，其特征在于，在半導(dǎo)體晶片中的半導(dǎo)體元件的配置區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體元件、劃線的直線區(qū)域、劃線的交點(diǎn)區(qū)域、以及半導(dǎo)體元件的配置區(qū)域外的周邊部的任一個(gè)中的至少2處，配置單個(gè)或多個(gè)的位置對(duì)準(zhǔn)圖形。
20.一種半導(dǎo)體晶片的檢查方法，其特征在于，是對(duì)形成多個(gè)半導(dǎo)體元件和位置對(duì)準(zhǔn)圖形的半導(dǎo)體晶片，利用具備多個(gè)碰撞電極的接觸器進(jìn)行老化檢查或電氣特性檢查的方法，在使所述半導(dǎo)體元件和所述位置對(duì)準(zhǔn)圖形的各電極端與所述接觸器的各碰撞電極分別接觸的位置對(duì)準(zhǔn)工序中，電氣地檢測(cè)配置在所述半導(dǎo)體晶片內(nèi)的至少2處的所述位置對(duì)準(zhǔn)圖形的各電極端與所述接觸器具備的位置對(duì)準(zhǔn)用的碰撞電極之間的位置偏差信息并進(jìn)行監(jiān)視。
21.一種半導(dǎo)體晶片的檢查方法，其特征在于，是對(duì)形成多個(gè)半導(dǎo)體元件和位置對(duì)準(zhǔn)圖形的半導(dǎo)體晶片，利用具備多個(gè)碰撞電極的接觸器進(jìn)行老化檢查或電氣特性檢查的方法，由下列工序構(gòu)成將所述半導(dǎo)體晶片裝到探測(cè)臺(tái)上的工序，光學(xué)地進(jìn)行所述半導(dǎo)體晶片與接觸器的位置對(duì)準(zhǔn)的工序，使所述半導(dǎo)體元件和所述位置對(duì)準(zhǔn)圖形的各電極端與所述接觸器的各碰撞電極分別接觸的位置對(duì)準(zhǔn)工序，確認(rèn)所述碰撞電極與所述電極端的位置對(duì)準(zhǔn)精度并判定是否合格的工序，投入到檢查裝置的工序，在所述判定合格與否的工序中，當(dāng)位置對(duì)準(zhǔn)精度不合格時(shí)，將所述位置對(duì)準(zhǔn)圖形的各電極端與所述接觸器的各碰撞電極的相對(duì)位置再設(shè)定到正常的位置關(guān)系后，返回所述位置對(duì)準(zhǔn)工序。
全文摘要
在晶片狀態(tài)下進(jìn)行半導(dǎo)體元件的老化檢查，且防止電極端的下層電路和周邊的上層非導(dǎo)體層的破壞，形成在半導(dǎo)體晶片上的位置對(duì)準(zhǔn)圖形具有檢測(cè)部電極端與導(dǎo)通部電極端，檢測(cè)部電極端設(shè)置間隔并包圍導(dǎo)通部電極端的周圍且構(gòu)成一部分被開(kāi)放的形狀。
文檔編號(hào)H01L21/66GK1776898SQ20051012501
公開(kāi)日2006年5月24日 申請(qǐng)日期2005年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月16日
發(fā)明者高橋昌男, 中田義朗, 三村忠昭, 阪下俊彥, 福田敏行 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社