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用于多管芯背光照明二極管的模塊組件的制作方法

文檔序號:6856506閱讀:132來源:國知局
專利名稱:用于多管芯背光照明二極管的模塊組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明通常涉及醫(yī)學(xué)成像系統(tǒng),更具體地涉及計算機(jī)斷層攝影術(shù)(CT)。雖然該應(yīng)用主題主要應(yīng)用于X射線系統(tǒng),本發(fā)明還可用于其它成像設(shè)備中。
背景技術(shù)
現(xiàn)代CT掃描器典型地采用數(shù)千個X射線探測器將X射線能量轉(zhuǎn)換成電信號。典型的探測器可包括附著到半導(dǎo)體光電二極管陣列上的閃爍體陣列,半導(dǎo)體光電二極管探測其前表面上的光或其它電離輻射。有些儀器具有可配置的探測器,其中可合并來自多個獨立光電二極管的信號電流以在單個放大器通道中進(jìn)一步處理。這種設(shè)置允許使用外部控制電開關(guān)(場效應(yīng)管或FET)改變各像素的探測面積。用于電連接到 FET上的焊盤典型位于光電二極管的一端或兩端,且全部像素陣列必需從陣列中心引導(dǎo)到FET近旁的一邊或兩邊。
隨著陣列內(nèi)元件數(shù)目的增加,引線和焊盤的密度在光電二極管陣列邊緣附近增加到難以達(dá)到的高水平。這對使用頂面觸點可制成的引線和焊盤的數(shù)目與尺寸有某些物理限制。采用現(xiàn)有的引線連接和硅處理技術(shù),只可實現(xiàn)每0.625mm像素不超過40-50個切片(在CT臺架等中心處測量)。
在此描述的方法和設(shè)備可至少部分解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
在一個方面,提供一種計算機(jī)斷層攝影成像掃描器模塊,其包括多個閃爍體,與閃爍體光學(xué)耦合的多個背光照明光電二極管,具有多個基底導(dǎo)電體的多層基底,光電二極管與多個基底導(dǎo)電體電耦合,其中多個基底導(dǎo)體中的每一個連接到不同的一個背光照明光電二極管上,以及具有多個撓性導(dǎo)電體的撓性電纜,基底與該多個撓性導(dǎo)電體電耦合,其中多個撓性導(dǎo)電體中的每一個連接到多層基底的不同輸出端上。
在另一方面,提供一種成像系統(tǒng),其包括X射線源和定位成接收該X射線源發(fā)射的X射線的X射線探測器模塊。該探測器模塊包括面對X射線源的多個閃爍體,與閃爍體光學(xué)耦合的多個背光照明光電二極管,與多個背光照明光電二極管電耦合的多層基底,以及與多層基底電耦合的撓性電纜。
在又一方面,提供一種方法。該方法包括從閃爍體接收光子,將光子轉(zhuǎn)換成電信號,通過多層基底傳輸該電信號,以及通過多層撓性電路傳輸該電信號。
還在另一方面,提供一種用于將背光照明二極管附著到多層基底的方法,該方法包括將立柱塊通過引線焊接到背光照明二極管的表面,將粘合劑放置到多層基底的表面上,將帶有立柱塊的表面相對于多層基底上帶有粘合劑的表面對準(zhǔn),將背光照明二極管和基底加熱到粘合劑固化溫度,以及向背光照明二極管和基底之間形成的間隙進(jìn)行底層填料(underfilling)。
在另一方面,提供一種用于將撓性電路附著到基底上的方法。該方法包括將焊料塊放置到多層基底的表面上,將軟熔(reflow)封裝劑放置到撓性電路表面上,使多層基底表面與焊料塊表面對準(zhǔn),將撓性電路和基底加熱到焊料軟熔溫度。


圖1是CT成像系統(tǒng)實施例的示意圖。
圖2是圖1所示系統(tǒng)的示意框圖。
圖3示出已知探測器模塊陣列。
圖4示出圖3所示的已知探測器模塊。
圖5示出將背光照明二極管陣列放置在基底上的情形。
圖6示出基底和背光照明二極陣列之間的鍵合連接。
圖7示出基底和撓性電路之間的鍵合連接。
圖8示出撓性電路上犧牲墊(Sacrificial pads)的平面圖。
圖9示出附著到基底上的撓性電路,帶有由犧牲墊的位置限定的撓曲的彎曲線。
具體實施例方式
在此提供用于成像系統(tǒng)(例如但不限于計算機(jī)斷層攝影(CT)系統(tǒng))的射線探測方法和設(shè)備。參照

該設(shè)備和方法,其中在全部附圖中類似的標(biāo)號指示相同的元件。這樣的附圖是用來解釋說明的而非起限制作用的,因此,所包含的附圖便于解釋本發(fā)明的設(shè)備和方法的示范性實施例。
在某些已知的CT成像系統(tǒng)結(jié)構(gòu)中,放射源投射出扇形射線束,其經(jīng)過準(zhǔn)直以后位于笛卡爾坐標(biāo)系統(tǒng)的X-Y平面內(nèi),通常被稱為“成像平面”。放射束穿過被成像物體,如患者。該射線束被物體衰減后撞擊到射線探測器陣列上。探測器陣列接收的衰減的射線束的強(qiáng)度取決于物體對放射束的衰減。陣列的每個探測器元件生成單獨的電信號,該電信號是在該探測器位置處的射線束衰減的量度。分別獲取來自全部探測器的衰減的量度以生成透射分布。
在第三代CT系統(tǒng)中,放射源和探測器陣列與臺架一起在成像平面內(nèi)繞被成像物體轉(zhuǎn)動,從而放射束與物體相交形成的角度恒定地改變。在一個臺架角度來自探測器陣列一組放射衰減量度(即投影數(shù)據(jù))被稱用“視圖”。物體的“掃描”包括在放射源和探測器旋轉(zhuǎn)一周期間在不同臺架角度或觀察角度獲得的一組視圖。
在軸向掃描中,處理投影數(shù)據(jù)以重建對應(yīng)于穿過物體拍攝的二維切片的圖像。用于從一組投影數(shù)據(jù)重建圖像的方法在現(xiàn)有技術(shù)中被稱為濾波反投影技術(shù)。該處理將來自掃描的衰減測量轉(zhuǎn)換成被稱為“CT數(shù)”或“亨斯菲爾德單位(Hounsfield units)”的整數(shù),其用于控制顯示設(shè)備上對應(yīng)像素的亮度。
為減少總掃描時間,可進(jìn)行“螺旋”掃描。為進(jìn)行“螺旋”掃描,在獲取規(guī)定數(shù)目的切片的數(shù)據(jù)期間,移動患者。這種系統(tǒng)從扇形射線束螺旋掃描產(chǎn)生單螺旋線。該由扇形射線束繪制的螺旋線產(chǎn)生投影數(shù)據(jù),從該投影數(shù)據(jù)可重建每個規(guī)定切片中的圖像。
如在此所使用的,以單數(shù)形式和以詞語“一”陳述的元件或步驟應(yīng)當(dāng)理解為不排除復(fù)數(shù)個所述元件或步驟,除非明確地陳述了這種排除。此外,參考本發(fā)明的“一個實施例”意思不是被解釋為排除其它實施例的存在,這些其它實施例也并入了所述的特征。
同樣,如在此所使用的,短語“重建圖像”意思不是排除本發(fā)明的實施例,其中生成表示圖像的數(shù)據(jù)但不生成可觀看的圖像。因此,在此所采用的術(shù)語“圖像”泛指可觀看圖像和表示可觀看的圖像的數(shù)據(jù)。然而,許多實施例生成(或配置成生成)至少一個可觀看圖像。
圖1是CT成像系統(tǒng)10的示意圖。圖2是圖1所示系統(tǒng)10的示意框圖。在該示范性實施例中,計算機(jī)斷層攝影(CT)成像系統(tǒng)10示出為包括代表“第三代”CT成像系統(tǒng)的臺架12。臺架12具有放射源14,放射源14向臺架12對側(cè)的探測器陣列18投射錐形X射線束16。
探測器陣列18由包括多個探測器元件20的多個探測器行(圖1和2中未示出)形成,探測器元件20共同檢測穿過物體(如內(nèi)科患者22)的投射的X射線束。每個探測元件20產(chǎn)生表示撞擊射線束強(qiáng)度并因此表示射線束穿過物體或患者22時的衰減的電信號。具有多切片探測器18的成像系統(tǒng)10能夠提供表示物體22體積的多個圖像。多個圖像中的每個圖像對應(yīng)于體積的單獨的“切片”。切片的“厚度”或孔徑取決于探測器行的厚度。
在獲得放射投影數(shù)據(jù)的掃描期間,臺架12和安裝在其上的部件繞旋轉(zhuǎn)中心24旋轉(zhuǎn)。圖2只示出單行探測器元件20(即,探測器行)。然而,多切片探測器陣列18包括多個平行的探測器元件20的探測器行,以使在掃描期間可同時獲得對應(yīng)于多個準(zhǔn)平行或平行切片的投影數(shù)據(jù)。
由CT系統(tǒng)10的控制機(jī)構(gòu)26支配臺架12的旋轉(zhuǎn)和放射源14的操作。控制機(jī)構(gòu)26包括給放射源14提供電源和定時信號的放射控制器28,以及控制臺架12旋轉(zhuǎn)速度和位置的臺架電機(jī)控制器30??刂茩C(jī)構(gòu)26中的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)(DAS)32從探測器元件20采樣模擬數(shù)據(jù)并將該數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號以供后續(xù)處理。圖像重建器34從DAS 32接收采樣的和數(shù)字化的放射數(shù)據(jù)并進(jìn)行高速圖像重建。重建的圖像作為輸入被施加到計算機(jī)36,計算機(jī)36將該圖像存儲在大容量存儲裝置38中。
計算機(jī)36還通過具有鍵盤的控制臺40接收來自操作者的命令和掃描參數(shù)。連帶的陰極射線管顯示器42允許操作者從計算機(jī)36觀察重建的圖像和其它數(shù)據(jù)。計算機(jī)36使用操作者所提供的命令和參數(shù)向DAS 32、放射控制器28和臺架電機(jī)控制器30提供控制信號和信息。另外,計算機(jī)36操作控制電動臺46的臺電機(jī)控制器44以將患者22定位到臺架12中。特別地,臺46只將患者22的一部分移過臺架開口48。
在一個實施例中,計算機(jī)36包括裝置50,例如軟盤驅(qū)動器、CD-ROM驅(qū)動器、DVD驅(qū)動器、磁性光盤(MOD)裝置、或者用于從計算機(jī)可讀介質(zhì)52讀取指令和/或數(shù)據(jù)的包括如以太網(wǎng)裝置的網(wǎng)絡(luò)連接裝置的任何其它數(shù)字裝置計算機(jī)可讀介質(zhì)52諸如軟盤、CD-ROM、DVD、或者如網(wǎng)絡(luò)或因特網(wǎng)的其它數(shù)字源,以及還待開發(fā)的數(shù)字部件。在另一個實施例中,計算機(jī)36執(zhí)行存儲在固件(未示出)中指令。通常,在圖2所示的DAS32、重建器34和計算機(jī)36中的至少一個的處理器被編程以執(zhí)行以下描述的過程。當(dāng)然,該方法不限于在CT系統(tǒng)10中實施,而是可與許多其它類型和變型的成像系統(tǒng)連同使用。在一個實施例中,計算機(jī)36被編程以執(zhí)行在此所描述的功能,因此,如此處所使用的術(shù)語“計算機(jī)”不僅僅限于現(xiàn)有技術(shù)中稱為計算機(jī)的那些集成電路,而是泛指計算機(jī)、處理器、微控制器、微計算機(jī)、可編程邏輯控制器、專用集成電路和其它可編程電路。雖然此處描述的方法是在醫(yī)學(xué)環(huán)境中描述的,企圖是非醫(yī)學(xué)成像系統(tǒng)也能從本發(fā)明獲得益處,如那些在工業(yè)環(huán)境中或運(yùn)輸環(huán)境中典型地采用的系統(tǒng),例如但不限于用于機(jī)場或其它運(yùn)輸中心的行李掃描CT系統(tǒng)。
如圖3和4所示,已知的探測器陣列118包括多個探測器模塊組件150(也稱為探測器模塊),每個模塊包括探測器元件120陣列。每個探測器模塊150包括高密度光電傳感器陣列152和位于光電傳感器陣列152上并接近光電傳感器陣列152的多維閃爍體陣列154。具體地,閃爍體陣列154包括多個閃爍體156,而光電傳感器陣列152包括光電二極管158、開關(guān)設(shè)備160和解碼器162。在閃爍體元件之間的狹小空間中填充諸如充有二氧化鈦的環(huán)氧樹脂的材料。光電二極管158為單個的光電二極管,或者光電二極管158為多維二極管陣列。在硅基底上擴(kuò)散、沉積或形成光電二極管158。如在現(xiàn)有技術(shù)所公知的,閃爍體陣列154被定位在光電二極管158上面或接近光電二極管158。光電二極管158光耦合到閃爍體陣列154,并具有用于傳輸信號的電輸出線,該信號代表由閃爍體陣列154輸出的光。每個光電二極管158產(chǎn)生獨立的低電平模擬輸出信號,該信號為閃爍體陣列154的特定閃爍體的射線束衰減的量度。例如,光電二極管輸出線(在圖3或4中未示出)可物理地位于模塊120一側(cè)或模塊120的多側(cè)。如圖4所示,光電二極管的輸出位于光電二極管陣列的對側(cè)。
如圖3所示,探測器陣列118包括57個探測器模塊150。每個探測器模塊150包括光電傳感器陣列152和典型的匹配閃爍體陣列154。因此,陣列118被分割成16行和912列(16×57個模塊),在目前的技術(shù)中,其允許隨著臺架12的每次旋轉(zhuǎn)沿Z軸同時收集直到例如N=16個切片的數(shù)據(jù),其中Z軸是臺架的旋轉(zhuǎn)軸。
開關(guān)設(shè)備160為多維半導(dǎo)體開關(guān)陣列。開關(guān)設(shè)備160被耦合在光電傳感器陣列152和DAS 32之間。在一個實施例中,開關(guān)設(shè)備160包括兩個半導(dǎo)體開關(guān)陣列164和166。開關(guān)陣列164和166各包括多個布置成多維陣列的場效應(yīng)管(FET)(未示出)。每個FET包括電連接到各發(fā)光二極管輸出線之一的輸入端、輸出端和控制端(未示出)。FET輸出端和控制端連接到通過撓性電纜168電連接到DAS 32的線路上。具體地,約半數(shù)光電二極管輸出線電連接到開關(guān)164的每個FET輸入線上,而另一半光電二極管的輸出線電連接到開關(guān)166的FET輸入線上。撓性電纜168從而電耦合到光電傳感器陣列152,例如通過從皮線168到開關(guān)設(shè)備160,以及從開關(guān)設(shè)備160和解碼器162到光電二極管158的導(dǎo)線連接。
解碼器162控制開關(guān)設(shè)備160的操作以依據(jù)預(yù)期的切片數(shù)和每個切片的切片分辨率使能、禁止或組合光電二極管158的輸出。在一個實施例中,解碼器162是現(xiàn)有技術(shù)中已知的FET控制器。解碼器162包括多個耦合到開關(guān)設(shè)備160和DAS 32的輸出和控制線。具體地,解碼器輸出端電耦合到開關(guān)設(shè)備控制線以使開關(guān)設(shè)備160能夠從開關(guān)設(shè)備輸入端到開關(guān)設(shè)備輸出端傳輸固有數(shù)據(jù)。利用解碼器162,有選擇地使能、禁止或組合開關(guān)設(shè)備160內(nèi)的特定FET,以使特定光電二極管158的輸出端電連接到CT系統(tǒng)的DAS 32。解碼器162使能開關(guān)設(shè)備160,以使光電傳感器陣列152的選定的行數(shù)連接到DAS 32,導(dǎo)致選定數(shù)目切片的數(shù)據(jù)電連接到DAS 32供行處理。
如圖3和4所示,探測器模塊150被裝配到探測器陣列118中并通過軌道170和172緊固到位。圖3示出,在模塊150的基底174、撓性電纜168和安裝支架176上,軌道172已緊固到位,而軌道170將要被緊固在電纜168上。然后,將螺釘(圖3和4中未示出)穿過孔178和180并擰入軌道170的螺紋孔182內(nèi)以將模塊150緊固到位。通過對著軌道170和172加壓(或通過粘結(jié),在一個實施例中)而將安裝支架176的凸緣184保持在適當(dāng)位置上,并防止探測器模塊150“擺動”。安裝支架176還將撓性電纜168夾在基底174上,或在一個實施例中,撓性電纜168還被粘附地結(jié)合到基底174上。
然而,按常規(guī),軌跡(trace)或電路徑可僅從光電二極管陣列的任一端部引入,這對利用頂面觸點形成的軌跡和焊盤的數(shù)目和尺寸產(chǎn)生一定物理限制。對軌跡和焊盤的數(shù)目和尺寸上的物理限制可通過反轉(zhuǎn)二極管和將表面觸點設(shè)置在光電二極管陣列的背面來消除。這種技術(shù)在例如美國專利US6,707,046(即,背面照明或“背光照明”二極管)中進(jìn)行了描述。背光照明二極管陣列的每個像素直接電連接到由陶瓷或印刷線路板(PWB)等制成的基底上。基底為多層以穿過多層基底向基底的對面運(yùn)送來自光電二極管陣列的電信號。在基底的每個表面上設(shè)有可電結(jié)合的焊盤以便于相互電連接。背面連接設(shè)計無需將軌跡引入二極陣列的兩邊而且能夠無限制地在CT掃描器的Z和X維數(shù)內(nèi)鋪設(shè)(tiling)裝置。
圖5和6示出通過將背光照明二極管陣列202放置到多層基底204上而組裝成的二極管-基底組件200。在使背光照明二極管陣列202對準(zhǔn)并附著到基低204上之前,將導(dǎo)電環(huán)氧樹脂陣列206涂覆、遮蔽或施加到基底204上。將多個立柱塊208熱聲鍵合(thermosonically bonded)到背光照明二極管陣列214的形成金屬化圖案的表面上,并基本放置在陣列202的每個像素的中心內(nèi)。立柱塊208為金屬,且在一個實施例中為金。導(dǎo)電粘合劑206在基底204的表面上形成與立柱塊陣列206上的圖案216相配且相對的相同圖案。使用拾取和放置倒裝片技術(shù)(pick and place flip chip technology)來使二極管陣列202與基底204精確對準(zhǔn),并用于將立柱塊208壓到底部直到焊盤陣列216。使導(dǎo)電粘合劑按制造者的規(guī)定以所需要的時間和溫度固化。立柱塊208有利于控制背光照明二極管陣列202均勻高度,并提供用于底層填充材料210的間隙212。立柱塊208接觸貫穿接觸區(qū)域的陣列的基底204的表面且是基本等高,使得二極管陣列基本上符合基底204的相同的表面平直度。立柱塊還形成間隙212,底層填充材料210通過毛細(xì)管作用引入其中。底層填料210用于加強(qiáng)背光照明二極管陣列202和基底204之間連接。底層填料210還用于防止離子和其它污染物進(jìn)入陣列附著區(qū)域,給連接增加低信號耐用度。
圖7示出附著到基底204的與背光照明二極管陣列202(未示出)相對的面上的撓性電路308。多個易熔焊料球302以與基底204的多個電輸出盤304相仿的圖案定位在基底204上。而后使用無流動(no-flow)處理填充間隙310,首先,通過使用拾取和放置設(shè)備將封裝劑312放置到撓性電路308上,將撓性電路308連接到基底204上,而后通過將組件加熱到焊料所需的規(guī)定溫度而使焊料球302流動。隨著部分焊料流加熱,封裝材料被固化。撓性電路308相應(yīng)地具有電接觸盤306的圖案,電接觸盤306的圖案與基底204上的相對的圖案304匹配。無流動處理指在連接兩個表面之前將封裝劑放置在撓性電路308上,而后加熱至焊料熔化溫度。
圖8示出配置有陣列圖案306的撓性電路308,其還配置有犧牲墊330,其縫合成在縫合部(stich)之間形成軸向間隙332。在基底(未示出)上還以與接觸盤304的圖案類似的方式定位類似的金屬化犧牲縫合部。當(dāng)撓性電路308與基底204連接時,相對的縫合部圖案提供相對的金屬化表面,其提供到少三個功能。圖9示出犧牲墊330,當(dāng)進(jìn)行后續(xù)粘合處理時其為待粘附的封裝劑提供強(qiáng)化粘合表面。犧牲墊330還用于阻止溢出犧牲墊330外的封裝劑312流。封裝劑312由凹槽334限制在其流動區(qū)域內(nèi),位置和尺寸設(shè)置成使毛細(xì)管作用在凹槽區(qū)域334內(nèi)停止。在如此限制的流中,犧牲墊330還用于限定撓性電路308的彎曲線336。軸向間隙332使在焊料塊304的加熱處理期間形成的氣體能夠釋放。
在此描述的方法和設(shè)備的一個技術(shù)效果是,其提供多層基底上的背光照明二極管和附著在基底下面的撓性電路。另一個技術(shù)效果是,在此描述的方法和設(shè)備使用多層陶瓷或印刷線路板作為基底材料。另一個技術(shù)效果是,在此描述的方法和設(shè)備使用焊料和回流封裝劑供進(jìn)行撓性附著和彎曲線控制。另一個技術(shù)效果是,在此描述方法和設(shè)備使用犧牲墊控制底層填充材料且增強(qiáng)CT探測器模塊的可靠性。
已參照優(yōu)選的實施例描述了本發(fā)明。在閱讀和理解前述詳細(xì)描述的基礎(chǔ)上,本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員可進(jìn)行更改和改變。本發(fā)明應(yīng)解釋為包括全部這些更改和改變,只要它們落入所附的權(quán)利要求書或其等同物的范圍內(nèi)。
部件列表CT系統(tǒng).................................................10臺架...................................................12放射源.................................................14錐形射線束.............................................16探測器陣列.............................................18探測器元件.............................................20物體...................................................22旋轉(zhuǎn)中心...............................................24控制機(jī)構(gòu)...............................................26放射控制器.............................................28臺架電機(jī)控制器.........................................30DAS....................................................32圖像重建器.............................................34計算機(jī).................................................36存儲裝置...............................................38控制臺.................................................40顯示器.................................................42臺電機(jī)控制器...........................................44臺.....................................................46臺架開口...............................................48裝置...................................................50計算機(jī)可讀介質(zhì).........................................52已知探測器陣列........................................118模塊..................................................120
探測器模塊............................................150光電傳感器陣列........................................152閃爍體陣列............................................154多個閃爍體............................................156光電二極管............................................158開關(guān)設(shè)備..............................................160解碼器................................................162開關(guān)..................................................164撓性電纜..............................................168軌道..................................................170軌道..................................................172基底..................................................174安裝支架..............................................176孔....................................................178孔....................................................180孔....................................................182凸緣..................................................184二極管-基底組件.......................................200背光照明二極管陣列....................................202多層基底..............................................204粘合劑................................................206立柱塊................................................208底層填料..............................................210間隙..................................................212背光照明二極管陣列....................................214陣列..................................................216焊料球................................................302接觸盤................................................304
陣列圖案............................................306接觸盤..............................................306撓性電路............................................308間隙................................................310封裝劑..............................................312犧牲墊..............................................330軸向間隙............................................332凹槽................................................334彎曲線..............................................33權(quán)利要求
1.一種計算機(jī)斷層攝影成像掃描器(10)模塊包括多個閃爍體(156);與所述閃爍體(156)光學(xué)耦合的多個背光照明光電二極管(202);具有多個基底導(dǎo)電體的多層基底(204),所述光電二極管(202)與該多個基底導(dǎo)電體電耦合,其中所述多個基底導(dǎo)體中的每一個連接到一個不同的所述背光照明光電二極管(202)上;和具有多個撓性導(dǎo)電體的撓性電纜(308),所述基底與該多個撓性導(dǎo)電體電耦合,其中所述多個撓性導(dǎo)電體中的每一個連接到所述多層基底(204)的不同輸出端上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模塊,其中所述多個閃爍體(156)包括二維陣列(154)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的模塊,其中所述多個背光照明二極管(202)包括與所述多個閃爍體(156)陣列對準(zhǔn)的二維陣列(214)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的模塊,其中所述多個基底導(dǎo)體包括與所述背光照明二極管(202)陣列對準(zhǔn)的二維陣列。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模塊,其中所述多個背光照明二極管(202)中的每一個包括立柱塊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的模塊,其中每個所述立柱塊包括金。
7.一種成像系統(tǒng)(10)包括X射線源(14);和定位成接收從所述源發(fā)射的X射線的X射線探測器模塊(18),所述探測器模塊包括面對所述X射線源的多個閃爍體(156);與所述閃爍體(156)光學(xué)耦合的多個背光照明光電二極管(202);與所述多個背光照明光電二極管電耦合的多層基底(204);和與所述多層基底(204)電耦合的撓性電纜(308)。
8.一種方法包括從閃爍體(156)接收光子;將所述光子轉(zhuǎn)換成電信號;通過多層基底(204)傳輸所述電信號;和通過多層撓性電路(308)傳輸所述電信號。
9.一種用于將背光照明二極管(202)附著到多層基底(204)的方法,所述方法包括將立柱塊(208)通過引線焊接到所述背光照明二極管的表面;將粘合劑(206)放置到所述多層基底的表面;將帶有所述立柱塊的表面相對于所述多層基底上帶有粘合劑的表面對準(zhǔn);將所述背光照明二極管和所述基底加熱到粘合劑固化溫度;和向所述背光照明二極管和所述基底之間形成的間隙(310)進(jìn)行底層填料。
10.一種用于將撓性電路(308)附著到多層基底(204)上的方法,包括將焊料塊(302)放置到所述多層基底的表面;將軟熔封裝劑(312)放置到所述撓性電路的表面;使所述多層基底的表面與所述焊料塊表面對準(zhǔn);將所述撓性電路和所述基底加熱到焊料軟熔溫度。
全文摘要
一種用計算機(jī)處理的斷層攝影成像掃描器(10)模塊,包括多個閃爍體(156),與閃爍體(156)光學(xué)耦合的多個背光照明光電二極管,具有多個基底導(dǎo)電體的多層基底(204),光電二極管與該多個基底導(dǎo)電體電耦合,其中多個基底導(dǎo)體中的每一個連接到一個不同的背光照明光電二極管上,以及具有多個撓性導(dǎo)電體的撓性電纜(308),該基底與該多個撓性導(dǎo)電體電耦合,其中多個撓性導(dǎo)電體中的每一個連接到多層基底的不同輸出端。
文檔編號H01L25/13GK1947660SQ20051012498
公開日2007年4月18日 申請日期2005年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月14日
發(fā)明者G·S·澤曼, B·Z·巴布, M·R·納拉亞納斯瓦米, D·M·霍夫曼, B·J·格雷夫斯 申請人:通用電氣公司
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