專利名稱：基板處理裝置以及基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種對(duì)基板進(jìn)行處理的基板處理裝置以及基板處理方法。
背景技術(shù)：
為了對(duì)半導(dǎo)體基板、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板等的各種基板進(jìn)行各種處理，使用了基板處理裝置。
在這樣的基板處理裝置中，一般對(duì)一張基板連續(xù)的進(jìn)行多個(gè)不同的處理。JP特開2003-324139號(hào)公報(bào)所記載的基板處理裝置，是由分度器部、反射防止膜用處理部、抗蝕膜用處理部、顯影處理部以及接口部構(gòu)成。相鄰于接口部而配置有與基板處理裝置分開獨(dú)立的作為外部裝置的曝光裝置。
在上述的基板處理裝置中，從分度器部搬入的基板，在反射防止膜用處理部以及抗蝕膜用處理部中進(jìn)行了反射防止膜的形成以及抗蝕膜的涂敷處理之后，經(jīng)由接口部被搬送到曝光裝置中。在曝光裝置中，對(duì)基板上的抗蝕膜進(jìn)行曝光處理之后，基板經(jīng)由接口部被搬送到顯影處理部中。通過在顯影處理部中對(duì)基板上的抗蝕膜進(jìn)行顯影處理，而形成抗蝕劑圖形之后，基板被搬送到分度器部。
近年來，伴隨著器件的高密度化以及高集成化，抗蝕劑圖形的微細(xì)化成為重要的課題。在以往的一般的曝光裝置中，通過將標(biāo)線的圖形經(jīng)由投影透鏡縮小投影在基板上而進(jìn)行曝光處理。可是，在這樣的以往的曝光裝置中，因?yàn)槠毓鈭D形的線寬由曝光裝置的光源的波長決定，所以抗蝕劑圖形的微細(xì)化受到了限制。
因此，作為可將曝光圖形進(jìn)一步微細(xì)化的投影曝光方法，提出了浸液法(例如參考國際公開第99/49504號(hào)手冊(cè))。在國際公開第99/49504號(hào)手冊(cè)的投影曝光裝置中，投影光學(xué)系統(tǒng)和基板之間充滿液體，能夠使基板表面的曝光用光短波長化。由此，可使曝光圖形進(jìn)一步微細(xì)化。
可是，上述的國際公開第99/49504號(hào)手冊(cè)的投影曝光裝置中，由于在基板和液體接觸的狀態(tài)下進(jìn)行曝光處理，因此，基板以附著液體的狀態(tài)從曝光裝置搬出。因此，在上述JP特開2003-324139號(hào)公報(bào)所記載的基板處理裝置中，將如上述國際公開第99/49504號(hào)手冊(cè)中所記載的采用浸液法的曝光裝置作為外部裝置而設(shè)置時(shí)，附著在從曝光裝置搬出的基板上的液體滴落在基板處理裝置內(nèi)，而可能會(huì)發(fā)生基板處理裝置電氣系統(tǒng)的異常等動(dòng)作不良。
還有，由于曝光處理后的水滴殘留物、以及來自基板上的有機(jī)膜的稀出物等，基板被污染，從而，在以后的處理工序中可能會(huì)發(fā)生基板的處理不良。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種基板處理裝置以及基板處理方法，可以防止曝光裝置中附著在基板上的液體造成的動(dòng)作不良。
本發(fā)明另外的目的在于提供一種基板處理裝置，可以防止由于曝光處理后的基板的污染而發(fā)生的基板的處理不良。
(1)本發(fā)明的一方面的基板處理裝置，相鄰于曝光裝置而配置，其中，具有處理部，其用于對(duì)基板進(jìn)行處理；交接部，其用于在處理部和曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接，處理部包含有進(jìn)行基板的干燥的第一處理單元，交接部包含有在處理部和曝光裝置之間搬送基板的搬送裝置，搬送裝置將從曝光裝置搬出的基板搬送到第一處理單元。
該基板處理裝置中，在處理部中對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定處理之后，基板由搬送裝置被搬送到曝光裝置。在曝光裝置中對(duì)基板進(jìn)行曝光處理之后，基板由搬送裝置被搬送到第一處理單元。在第一處理單元中對(duì)基板進(jìn)行干燥之后，基板由搬送裝置被搬送到處理部。
如此，曝光處理之后的基板，在第一處理單元中干燥之后被搬送到處理部。此時(shí)，即使在曝光裝置中液體附著在基板上，也可以防止該液體滴落在基板處理裝置內(nèi)部。其結(jié)果，能夠防止基板處理裝置的動(dòng)作不良。
(2)第一處理單元，還可以通過向基板上供給惰性氣體，而對(duì)基板進(jìn)行干燥處理。此時(shí)，因使用惰性氣體，故能夠防止對(duì)于基板上膜的化學(xué)影響的同時(shí)能確實(shí)地使基板干燥。
(3)也可以是交接部還包含有對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定的處理的第二處理單元以及暫時(shí)裝載基板的裝載部，搬送裝置包括在處理部、第二處理單元以及裝載部之間搬送基板的第一搬送單元；在裝載部、曝光裝置以及第一處理單元之間搬送基板的第二搬送單元，第二搬送單元將從曝光裝置搬出的基板搬送到第一處理單元。
此時(shí)，在處理部中對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定處理之后，基板由第一搬送單元被搬送到第二處理單元。在第二處理單元中對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定處理之后，基板由第一搬送單元被搬送到裝載部。然后，基板由第二搬送單元從裝載部被搬送到曝光裝置。在曝光裝置中對(duì)基板進(jìn)行曝光處理之后，基板由第二搬送單元被搬送到第一處理單元。在第一處理單元中對(duì)基板進(jìn)行干燥之后，基板由第二搬送單元被搬送到裝載部。然后，基板由第一搬送單元從裝載部被搬送到處理部。
如此，曝光處理之后的基板，在第一處理單元中干燥之后被搬送到裝載部。此時(shí)，即使在曝光裝置中液體附著在基板上，也可以防止該液體滴落在基板處理裝置內(nèi)部。其結(jié)果，能夠防止基板處理裝置的動(dòng)作不良。
(4)也可以是第二搬送單元具有保持基板的第一以及第二保持部，第二搬送單元從裝載部向曝光裝置搬送基板時(shí)，以及從第一處理單元向裝載部搬送基板時(shí)，由第一保持部保持基板，從曝光裝置向第一處理單元搬送基板時(shí)，由第二保持部保持基板。
此時(shí)，第一保持部在搬送曝光處理之前以及干燥處理之后的沒有附著液體的基板的情況下使用，而第二保持部在搬送曝光處理之后的附著液體的基板的情況下使用。由此，液體不會(huì)附著于第一保持部。還有，干燥處理后的基板是由第一保持部搬送，因此能夠防止液體附著在干燥處理后的基板上。
(5)也可以是第二保持部設(shè)置在第一保持部的下方。此時(shí)，即使從第二保持部以及被其所保持的基板滴下液體，液體也不會(huì)附著在第一保持部以及被其保持的基板上。由此，能夠確實(shí)地防止液體附著在干燥處理后的基板上。
(6)也可以是第二處理單元包括對(duì)基板的周邊部進(jìn)行曝光的邊緣曝光部。此時(shí)，在邊緣曝光部中對(duì)基板的周邊部進(jìn)行曝光處理。
(7)也可以是處理部還包括在曝光裝置進(jìn)行曝光處理之前，在基板上形成由感光材料構(gòu)成的感光膜的第三處理單元。
此時(shí)，在曝光裝置中將曝光圖形形成在感光性膜上之后，由第一處理單元對(duì)基板進(jìn)行干燥。由此，能夠防止感光性材料的成分被溶解于曝光時(shí)附著在基板上的液體中。由此，能夠防止形成在感光性膜上的曝光圖形被變形。其結(jié)果，能夠防止基板的處理不良。
(8)也可以是第一處理單元在對(duì)基板進(jìn)行干燥之前還對(duì)基板進(jìn)行清洗。
此時(shí)，從曝光裝置向第一處理單元搬送附著液體的基板的期間，即使環(huán)境中的灰塵附著在基板上，也可以確實(shí)地除去該附著物。由此，能夠確實(shí)地防止基板的處理不良。
(9)也可以是第一處理單元包括基本保持裝置，其大致水平保持基板；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置，其使由基板保持裝置保持的基板以垂直于該基板的軸為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；清洗液供給部，其將清洗液供給到由基板保持裝置保持的基板上；惰性氣體供給部，其在由清洗液供給部向基板上供給清洗液之后，向基板上供給惰性氣體。
在該第一處理單元中，基板由基板保持裝置被保持成大致水平，且基板通過旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置而以垂直于該基板的軸為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。還有，由清洗液供給部供給清洗液到基板上，接著，由惰性氣體供給部供給惰性氣體。
此時(shí)，使基板旋轉(zhuǎn)的同時(shí)清洗液被供給到基板上，因此，基板上的清洗液由離心力移動(dòng)到基板周邊部而飛散。從而，能夠確實(shí)地防止被清洗液除去了的灰塵等的附著物殘留在基板上。還有，使基板旋轉(zhuǎn)的同時(shí)惰性氣體被供給到基板上，因此，可以高效率的排除對(duì)基板進(jìn)行清洗后殘留在基板上的清洗液。由此，能夠確實(shí)地防止基板上殘留灰塵等的附著物的同時(shí)，能夠確實(shí)地使基板干燥。其結(jié)果，能夠確實(shí)地防止基板的處理不良。
(10)也可以是惰性氣體供給部以使由清洗液供給部供給到基板上的清洗液從基板上的中心部向外側(cè)移動(dòng)來使上述清洗液從基板上排除的方式，供給惰性氣體。
此時(shí)，能夠防止清洗液殘留在基板上的中心部，因此，能夠確實(shí)地防止在基板的表面發(fā)生干燥后的水斑。由此，能夠確實(shí)地防止基板的處理不良。
(11)也可以是第一處理單元還具有沖洗液供給部，該沖洗液供給部在由清洗液供給部供給清洗液之后，且在由惰性氣體供給部供給惰性氣體之前，向基板上供給沖洗液。
此時(shí)，能夠由沖洗液確實(shí)地沖洗清洗液，因此能夠更加確實(shí)地防止灰塵等的附著物殘留在基板上。
(12)也可以是惰性氣體供給部以使由沖洗液供給部供給到基板上的沖洗液從基板上的中心部向外側(cè)移動(dòng)來使上述沖洗液從基板上排除的方式，供給惰性氣體。
此時(shí)，能夠防止沖洗液殘留在基板上的中心部，因此能夠確實(shí)地防止在基板的表面發(fā)生干燥后的水斑。由此，能夠確實(shí)地防止基板的處理不良。
(13)也可以是處理部包括藥液處理單元，其對(duì)基板進(jìn)行藥液處理；熱處理單元，其對(duì)基板進(jìn)行熱處理。
此時(shí)，在藥液處理單元中對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定的藥液處理，而在熱處理單元中對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定的熱處理。曝光處理后的基板，在第一處理單元中干燥之后被搬送到藥液處理單元以及熱處理單元，因此，即使在曝光裝置中液體附著在基板上，該液體也不會(huì)滴落在藥液處理單元以及熱處理單元中。
(14)本發(fā)明的另一方面的基板處理方法，是在相鄰于曝光裝置而配置的、具有處理部、搬送裝置以及第一處理單元的基板處理裝置中對(duì)基板進(jìn)行處理的方法，其中，包括通過處理部對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定的處理的工序；通過搬送裝置將由處理部處理過的基板搬送到曝光裝置的工序；通過搬送裝置將從曝光裝置搬出的基板搬送到第一處理單元的工序；通過第一處理單元對(duì)基板進(jìn)行干燥的工序；通過搬送裝置將由第一處理單元干燥過的基板搬送到處理部的工序。
該基板處理方法中，在處理部對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定處理之后，基板由搬送裝置搬送到曝光裝置。在曝光裝置中對(duì)基板進(jìn)行曝光處理之后，基板由搬送裝置搬送到第一處理單元。在第一處理單元中對(duì)基板進(jìn)行干燥之后，基板由搬送裝置搬送到處理部。
如此，曝光處理之后的基板，在第一處理單元中干燥之后被搬送到處理部。此時(shí)，即使在曝光裝置中液體附著在基板上，也可以防止該液體滴落在基板處理裝置內(nèi)部。其結(jié)果，能夠防止基板處理裝置的動(dòng)作不良。
(15)也可以是在通過搬送裝置將基板搬送到第一處理單元的工序之后，且在由第一處理單元對(duì)基板進(jìn)行干燥的工序之前，還包括由第一處理單元對(duì)基板進(jìn)行清洗的工序。
此時(shí)，在第一處理單元中對(duì)曝光后的基板進(jìn)行清洗，因此，將曝光時(shí)附著液體的基板從曝光裝置搬送到第一處理單元期間，即使環(huán)境中的灰塵附著在基板上，也可以確實(shí)地除去其附著物。由此，能夠確實(shí)地防止基板的處理不良。
(16)本發(fā)明的另一方面的基板處理裝置，相鄰于曝光裝置而配置，其中，具有處理部，其用于對(duì)基板進(jìn)行處理；交接部，其用于在處理部和曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接，處理部包括通過向基板供給含有液體以及氣體的混合流體的流體噴嘴而對(duì)基板進(jìn)行清洗的第一處理單元，交接部包括在處理部和曝光裝置之間搬送基板的搬送裝置，搬送裝置將從曝光裝置搬出的基板搬送到第一處理單元。
該基板處理裝置中，在處理部中對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定處理之后，基板由搬送裝置搬送到曝光裝置。在曝光裝置中對(duì)基板進(jìn)行曝光處理之后，基板由搬送裝置搬送到第一處理單元。在第一處理單元中對(duì)基板進(jìn)行清洗之后，基板由搬送裝置搬送到處理部。
如此，對(duì)曝光處理之后的基板，在第一處理單元中進(jìn)行清洗處理之后被搬送到處理部。在第一處理單元中，由流體噴嘴向基板供給含有氣體以及液體的混合流體。
此時(shí)，從流體噴嘴噴射出的混合氣體中含有微細(xì)液滴，因此，即使是在基板表面存在凹凸的情況下，也可以通過微細(xì)液滴除去附著在凹凸上的污垢。由此，能夠確實(shí)地除去基板表面上的污垢。還有，在基板上的膜不易浸濕的情況下，也通過微細(xì)液滴除去基板表面的污垢，因此能夠確實(shí)地除去基板表面上的污垢。由這些結(jié)果，能夠防止由于曝光處理后的基板的污染而發(fā)生的基板的處理不良。
另外，通過調(diào)整氣體的流量，能夠容易地調(diào)節(jié)對(duì)基板進(jìn)行清洗時(shí)的清洗能力。由此，若基板上的膜具有易損的特性的情況下，可以通過減弱清洗能力而防止基板上的膜破損。還有，基板表面上的污垢不易除去時(shí)，可以通過增強(qiáng)清洗能力而確實(shí)地除去基板表面的污垢。如此，通過根據(jù)基板上的膜的特性以及污垢的程度調(diào)節(jié)清洗能力，而能夠防止基板上的膜的破損的同時(shí)，能夠確實(shí)地清洗基板。
(17)也可以是第一處理單元通過從流體噴嘴向基板供給含有惰性氣體以及清洗液的混合流體，而對(duì)基板進(jìn)行清洗處理。
此時(shí)，因使用了惰性氣體，而能夠防止對(duì)基板上的膜以及清洗液的化學(xué)影響的同時(shí)，能夠更加確實(shí)地除去基板表面上的污垢。其結(jié)果，能夠充分地防止由于曝光處理后的基板的污染而發(fā)生的基板的處理不良。
(18)也可以是第一處理單元，在對(duì)基板進(jìn)行清洗處理之后，對(duì)基板進(jìn)行干燥處理。
此時(shí)，曝光處理后的基板，在第一處理單元中進(jìn)行清洗以及干燥處理之后被搬送到處理部。由此，在曝光處理或者對(duì)基板進(jìn)行清洗處理時(shí)液體附著在基板上，也可以防止該液體滴落在基板處理裝置內(nèi)。其結(jié)果，能夠防止基板處理裝置電氣系統(tǒng)的異常等動(dòng)作不良。
(19)也可以是第一處理單元包括惰性氣體供給部，該惰性氣體供給部通過向基板上供給惰性氣體而對(duì)基板進(jìn)行干燥處理。此時(shí)，因使用惰性氣體，故能夠防止對(duì)于基板上膜的化學(xué)影響的同時(shí)能確實(shí)地使基板干燥。
(20)流體噴嘴也可以具有上述惰性氣體供給部的功能。此時(shí)，惰性氣體由流體噴嘴供給到基板上，而進(jìn)行對(duì)基板的干燥處理。由此，不需分別單獨(dú)設(shè)置惰性氣體供給部與流體噴嘴。其結(jié)果，能夠以簡單的構(gòu)造對(duì)基板確實(shí)地進(jìn)行清洗以及干燥處理。
(21)也可以是第一處理單元還包括基板保持裝置，其大致水平保持基板；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置，其使由基板保持裝置保持的基板以垂直于該基板的軸為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
在該第一處理單元中，基板由基板保持裝置被保持成大致水平，且基板通過旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置而以垂直于該基板的軸為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。還有，由流體噴嘴將含有惰性氣體以及清洗液的混合流體供給到基板上，接著，由惰性氣體供給部供給惰性氣體。
此時(shí)，使基板旋轉(zhuǎn)的同時(shí)清洗液被供給到基板上，因此，基板上的混合流體由離心力移動(dòng)到基板周邊部而被飛散。從而，能夠確實(shí)地防止被混合流體除去過的灰塵等的附著物殘留在基板上。還有，使基板旋轉(zhuǎn)的同時(shí)惰性氣體被供給到基板上，因此，可以高效率的排除對(duì)基板進(jìn)行清洗后殘留在基板上的混合流體。由此，能夠確實(shí)地防止基板上殘留灰塵等的附著物的同時(shí)，能夠確實(shí)地使基板干燥。其結(jié)果，能夠確實(shí)地防止基板的處理不良。
(22)也可以是第一處理單元以使從流體噴嘴供給到基板上的混合流體從基板上的中心部向外側(cè)移動(dòng)來使上述混合流體從基板上排除的方式，供給惰性氣體。
此時(shí)，能夠防止混合流體殘留在基板上的中心部，因此能夠確實(shí)地防止在基板的上表面發(fā)生干燥后的水斑。由此，能夠確實(shí)地防止基板的處理不良。
(23)也可以是第一處理單元還包括沖洗液供給部，該沖洗液供給部在從流體噴嘴供給混合流體之后，且在由惰性氣體供給部供給惰性氣體之前，向基板上供給沖洗液。
此時(shí)，能夠由沖洗液確實(shí)地沖洗混合流體，因此能夠更加確實(shí)地防止灰塵等的附著物殘留在基板上。
(24)流體噴嘴也可以具有上述清洗液供給部的功能。此時(shí)，沖洗液由流體噴嘴供給到基板上。由此，不需分別單獨(dú)設(shè)置沖洗液供給部與流體噴嘴。其結(jié)果，能夠以簡單的構(gòu)造對(duì)基板確實(shí)地進(jìn)行清洗以及干燥處理。
(25)也可以是第一處理單元以使由沖洗液供給部供給到基板上的沖洗液從基板上的中心部向外側(cè)移動(dòng)來使上述沖洗液從基板上排除的方式，供給惰性氣體。
此時(shí)，能夠防止沖洗液殘留在基板上的中心部，因此能夠確實(shí)地防止在基板的上表面發(fā)生干燥后的水斑。由此，能夠確實(shí)地防止基板的處理不良。
(26)也可以是流體噴嘴具有流通液體的液體流路；流通氣體的氣體流路；與液體流路連通并開口的液體噴射口；以及氣體噴射口，其設(shè)置在液體噴射口的附近，同時(shí)與氣體流路連通并開口。
此時(shí)，液體流通液體流路并從液體噴射口噴射出的同時(shí)，氣體流通氣體流路并從氣體噴射口噴射出，而在流體噴嘴的外部液體與氣體混合。從而，形成霧狀的混合流體。
如此，混合流體是通過液體與氣體在流體噴嘴的外部混合而生成的。由此，不需在流體噴嘴的內(nèi)部設(shè)置液體與氣體混合的空間。其結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)流體噴嘴的小型化。
(27)本發(fā)明的另一方面的基板處理方法，是在相鄰于曝光裝置而配置的、具有處理部、搬送裝置以及第一處理單元的基板處理裝置中對(duì)基板進(jìn)行處理的方法，其中，包括通過處理部對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定的處理的工序；通過搬送裝置將由處理部處理過的基板搬送到曝光裝置的工序；通過搬送裝置將從曝光裝置搬出的基板搬送到第一處理單元的工序；在第一處理單元中，通過將含有液體以及氣體的混合流體供給到基板的流體噴嘴，對(duì)基板進(jìn)行清洗的工序；通過搬送裝置將由第一處理單元清洗過的基板搬送到處理部的工序。
該基板處理裝置中，在處理部中對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定處理之后，基板由搬送裝置搬送到曝光裝置。在曝光裝置中對(duì)基板進(jìn)行曝光處理之后，基板由搬送裝置搬送到第一處理單元。在第一處理單元中對(duì)基板進(jìn)行清洗之后，基板由搬送裝置搬送到處理部。
如此，對(duì)曝光處理之后的基板在第一處理單元中進(jìn)行清洗處理之后被搬送到處理部。在第一處理單元中，由流體噴嘴向基板供給含有氣體以及液體的混合流體。
此時(shí)，從流體噴嘴噴射出的混合氣體中含有微細(xì)液滴，因此，即使是在基板表面存在凹凸的情況下，也可以通過微細(xì)液滴除去附著在凹凸上的污垢。由此，能夠確實(shí)地除去基板表面上的污垢。還有，在基板上的膜不易浸濕的情況下，也通過微細(xì)液滴除去基板表面的污垢，因此能夠確實(shí)地除去基板表面上的污垢。由這些結(jié)果，能夠防止由于曝光處理后的基板的污染而發(fā)生的基板的處理不良。
另外，通過調(diào)整氣體的流量，能夠容易地調(diào)節(jié)對(duì)基板進(jìn)行清洗時(shí)的清洗能力。由此，若基板上的膜具有易損的特性的情況下，可以通過減弱清洗能力而防止基板上的膜破損。還有，基板表面上的污垢不易除去時(shí)，可以通過增強(qiáng)清洗能力而確實(shí)地除去基板表面的污垢。如此，通過根據(jù)基板上的膜的特性以及污垢的程度調(diào)節(jié)清洗能力，而能夠防止基板上的膜破損的同時(shí)，能夠確實(shí)地清洗基板。
(28)也可以是在由第一處理單元對(duì)基板進(jìn)行清洗的工序之后，且在通過搬送裝置將由第一處理單元清洗過的基板搬送到處理部的工序之前，還包括由第一處理單元對(duì)基板進(jìn)行干燥的工序。
此時(shí)，曝光處理之后的基板，在第一處理單元中被進(jìn)行清洗以及干燥處理之后被搬送到處理部。由此，即使在曝光處理中或者對(duì)基板的清洗處理中液體附著在基板上，也可以防止該液體滴落在基板處理裝置內(nèi)部。其結(jié)果，能夠防止基板處理裝置電氣系統(tǒng)的異常等的動(dòng)作不良。還有，通過清洗之后對(duì)基板進(jìn)行干燥處理，防止環(huán)境中的灰塵等附著在基板上，因此，能夠防止基板的污染。由此，能夠防止基板的處理不良。


圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式的基板處理裝置的平面圖；圖2是從+X方向觀察圖1中的基板處理裝置的側(cè)視圖；圖3是從-X方向觀察圖1中的基板處理裝置的側(cè)視圖；圖4是用于說明干燥處理單元的結(jié)構(gòu)的圖；圖5A～圖5C是用于說明干燥處理單元的動(dòng)作的圖；圖6是將清洗處理用噴嘴與干燥處理用噴嘴設(shè)置成一體時(shí)的示意圖；圖7是表示干燥處理用噴嘴的其他例子的示意圖；圖8A～圖8C是用于說明使用圖7中的干燥處理用噴嘴時(shí)的基板的干燥處理方法的圖；圖9是表示干燥處理用噴嘴的其他例子的示意圖；圖10是表示干燥處理單元的其他例子的示意圖；圖11是用于說明使用圖10中的清洗處理單元時(shí)的基板的干燥處理方法的圖；圖12是用于說明接口用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)以及動(dòng)作的圖；圖13是表示清洗以及干燥處理中使用的2流體噴嘴的內(nèi)部構(gòu)造的一個(gè)例子的縱向剖視圖；圖14A～圖14C是用于說明使用圖13中的2流體噴嘴時(shí)的基板的干燥處理方法的圖。
具體實(shí)施例方式
下面，針對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式的基板處理裝置，使用附圖進(jìn)行說明。在下面的說明中，所謂基板是指半導(dǎo)體基板、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用基板、光掩模用玻璃基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板等。
(1)第一實(shí)施方式
(1-1)基板處理裝置的結(jié)構(gòu)圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式的基板處理裝置的平面圖。
在圖1以后的各圖中，為了明確其位置關(guān)系，均標(biāo)有表示相互垂直的X方向、Y方向、以及Z方向的箭頭。X方向以及Y方向在水平面內(nèi)相互垂直，Z方向相當(dāng)于垂直方向。此外，在各方向中，將箭頭指向的方向設(shè)為+方向，其相反的方向設(shè)為-方向。另外，將以Z方向?yàn)橹行牡男D(zhuǎn)方向設(shè)為θ方向。
如圖1所示，基板處理裝置500包括分度器部9、反射防止膜用處理部10、抗蝕膜用處理部11、干燥/顯影處理部12以及接口部13。曝光裝置14與接口部13相鄰配置。在曝光裝置14中，通過浸液法對(duì)基板W進(jìn)行曝光處理。
下面，將每一個(gè)分度器部9、反射防止膜用處理部10、抗蝕膜用處理部11、干燥/顯影處理部12以及接口部13稱為處理部。
分度器部9包括控制各處理部動(dòng)作的主控制器(控制部)30、多個(gè)搬運(yùn)器裝載臺(tái)60以及分度器機(jī)械手IR。在分度器機(jī)械手IR設(shè)置了用于交接基板W的手部RH。
反射防止膜用處理部10包括反射防止膜用熱處理部100、101、反射防止膜用涂敷處理部70以及第一中央機(jī)械手CR1。反射防止膜用涂敷處理部70，隔著第一中央機(jī)械手CR1與反射防止膜用熱處理部100、101相對(duì)向而設(shè)置。在第一中央機(jī)械手CR1，上下設(shè)置有用于交接基板W的手部RH1、CRH2。
在分度器部9和反射防止膜用處理部10之間設(shè)置有隔離環(huán)境用的隔斷壁15。在該隔斷壁15上，上下接近設(shè)置有基板裝載部PASS1、PASS2，該基板裝載部PASS1、PASS2用于在分度器部9和反射防止膜用處理部10之間進(jìn)行基板W的交接。上側(cè)的基板裝載部PASS1在將基板W從分度器部9搬送到反射防止膜用處理部10時(shí)使用，而下側(cè)的基板裝載部PASS2在將基板W從反射防止膜用處理部10搬送到分度器部9時(shí)使用。
另外，在基板裝載部PASS1、PASS2中設(shè)置有檢測出有無基板W的光學(xué)式的傳感器(未圖示)。由此，在基板裝載部PASS1、PASS2可以進(jìn)行有無裝載基板W的判定。另外，在基板裝載部PASS1、PASS2設(shè)有被固定設(shè)置的多個(gè)支撐銷。此外，上述光學(xué)式的傳感器以及支撐銷，也同樣設(shè)置在如后所述的基板裝載部PASS3～PASS10上。
抗蝕膜用處理部11包括抗蝕膜用熱處理部110、111、抗蝕膜用涂敷處理部80以及第二中央機(jī)械手CR2?？刮g膜用涂敷處理部80隔著第二中央機(jī)械手CR2與抗蝕膜用熱處理部110、111相對(duì)向而設(shè)置。在第二中央機(jī)械手CR2，上下設(shè)置了用于交接基板W的手部CRH3、CRH4。
在反射防止膜用處理部10和抗蝕膜用處理部11之間設(shè)置有隔離環(huán)境用的隔斷壁16。在該隔斷壁16上，上下接近設(shè)置有基板裝載部PASS3、PASS4，該基板裝載部PASS3、PASS4用于在反射防止膜用處理部10和抗蝕膜用處理部11之間進(jìn)行基板W的交接。上側(cè)的基板裝載部PASS3在將基板W從反射防止膜用處理部10搬送到抗蝕膜用處理部11時(shí)被使用，而下側(cè)的基板裝載部PASS4在將基板W從抗蝕膜用處理部11搬送到反射防止膜用處理部10時(shí)使用。
干燥/顯影處理部12包括顯影用熱處理部120、121、顯影處理部90、干燥處理部95以及第三中央機(jī)械手CR3。顯影用熱處理部121相鄰于接口部13，如后所述，具備有基板裝載部PASS7、PASS8。顯影處理部90以及干燥處理部95，隔著第三中央機(jī)械手CR3與顯影用熱處理部120、121相對(duì)向而設(shè)置。在第三中央機(jī)械手CR3，上下設(shè)置了用于交接基板W的手部CRH5、CRH6。
在抗蝕膜用處理部11和干燥/顯影處理部12之間設(shè)置有隔離環(huán)境用的隔斷壁17。在該隔斷壁17，上下接近設(shè)置了基板裝載部PASS5、PASS6，該基板裝載部PASS5、PASS6用于在抗蝕膜用處理部11和干燥/顯影處理部12之間進(jìn)行基板W的交接。上側(cè)的基板裝載部PASS5在將基板W從抗蝕膜用處理部11搬送到干燥/顯影處理部12時(shí)使用，而下側(cè)的基板裝載部PASS6在將基板W從干燥/顯影處理部12搬送到抗蝕膜用處理部11時(shí)被使用。
接口部13包括第四中央機(jī)械手CR4、緩沖貯存器SBF、接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR以及邊緣曝光部EEW。另外，在邊緣曝光部EEW的下側(cè)設(shè)置有后面所述的返回緩沖貯存器部RBF1、基板裝載部PASS9、PASS10以及返回緩沖貯存器部RBF2。在第四中央機(jī)械手CR4，上下設(shè)置了用于交接基板W的手部CRH7、CRH8。
接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR具有用于交接基板W的手部H5以及手部H6。接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR，在基板裝載部PASS9與曝光裝置14之間、曝光裝置14與干燥處理部95之間以及干燥處理部95與基板裝載部PASS10之間進(jìn)行基板W的交接。有關(guān)接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的詳細(xì)內(nèi)容，后面再敘述。
在本實(shí)施方式的基板處理裝置500中，沿Y方向依次并排設(shè)置有分度器部9、反射防止膜用處理部10、抗蝕膜用處理部11、干燥/顯影處理部12以及接口部13。
圖2是從+X方向觀察圖1中的基板處理裝置500的側(cè)視圖。
在反射防止膜用處理部10的反射防止膜用涂敷處理部70(參照?qǐng)D1)，上下層疊配置有3個(gè)涂敷單元BARC。各涂敷單元BARC具有以水平姿勢吸附保持基板W并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤71以及向被保持在旋轉(zhuǎn)卡盤71上的基板W供給反射防止膜的涂敷液的供給噴嘴72。
在抗蝕膜用處理部11的抗蝕膜用涂敷處理部80(參照?qǐng)D1)，上下層疊配置有3個(gè)涂敷單元RES。各涂敷單元RES具有以水平姿勢吸附保持基板W并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤81以及向被保持在旋轉(zhuǎn)卡盤81上的基板W供給抗蝕膜的涂敷液的供給噴嘴82。
在干燥/顯影處理部12，上下層疊配置有顯影處理部90以及干燥處理部95。在顯影處理部90，上下層疊配置有3個(gè)顯影處理單元DEV。各顯影處理單元DEV具有以水平姿勢吸附保持基板W并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤91以及向被保持在旋轉(zhuǎn)卡盤91上的基板W供給顯影液的供給噴嘴92。
還有，在干燥處理部95，上下層疊配置有2個(gè)干燥處理單元DRY。在該干燥處理單元DRY中，進(jìn)行基板W的清洗以及干燥處理。關(guān)于干燥處理單元DRY的詳細(xì)內(nèi)容，后面再敘述。
在接口部13，上下層疊配置有2個(gè)邊緣曝光部EEW、返回緩沖貯存器部RBF1、基板裝載部PASS9、PASS10以及返回緩沖貯存器部RBF2，同時(shí)配置有第四中央機(jī)械手CR4(參照?qǐng)D1)以及接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR。各邊緣曝光部EEW具有以水平姿勢吸附保持基板W并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤98以及對(duì)被保持在旋轉(zhuǎn)卡盤98上的基板W的周邊進(jìn)行曝光的光照射器99。
圖3是從-X方向觀察圖1中的基板處理裝置500的側(cè)視圖。
在反射防止膜用處理部10的反射防止膜用熱處理部100，上下層疊配置有2個(gè)附帶交接部的熱處理單元PHP(以下簡稱為熱處理單元)與3個(gè)加熱板HP，而在反射防止膜用熱處理部101，上下層疊配置有2個(gè)粘合強(qiáng)化劑涂敷處理部AHL以及4個(gè)冷卻板CP。另外，在反射防止膜用熱處理部100、101，在最上部分別配置有控制熱處理單元PHP、加熱板HP、粘合強(qiáng)化劑涂敷處理部AHL以及冷卻板CP的溫度的局部控制器LC。
在抗蝕膜用處理部11的抗蝕膜用熱處理部110，上下層疊配置有6個(gè)熱處理單元PHP，而在抗蝕膜用熱處理部111，上下層疊配置有4個(gè)冷卻板CP。另外，在抗蝕膜用熱處理部110、111，在最上部分別配置有控制熱處理單元PHP以及冷卻板CP的溫度的局部控制器LC。
在干燥/顯影處理部12的顯影用熱處理部120，上下層疊配置有4個(gè)加熱板HP以及4個(gè)冷卻板CP，而在顯影用熱處理部121，上下層疊配置有4個(gè)熱處理單元PHP、基板裝載部PASS7、PASS8、1個(gè)熱處理單元PHP以及冷卻板CP。另外，在顯影用熱處理部120、121，在最上部分別配置有控制熱處理單元PHP、加熱板HP以及冷卻板CP的溫度的局部控制器LC。
(1-2)基板處理裝置的動(dòng)作下面對(duì)于本實(shí)施方式的基板處理裝置500的動(dòng)作進(jìn)行說明。
在分度器部9的搬運(yùn)器裝載臺(tái)60上，搬入多層容納有多張基板W的搬運(yùn)器C。分度器機(jī)械手IR，使用手部IRH取出被容納在搬運(yùn)器C中的未處理的基板W。然后，分度器機(jī)械手IR一邊沿±X方向移動(dòng)一邊沿±θ方向旋轉(zhuǎn)移動(dòng)，將未處理的基板W轉(zhuǎn)載到基板裝載部PASS1。
在本實(shí)施方式中，采用FOUP(front opening unified pod前開式統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)箱)作為搬運(yùn)器C，但并不限于此，也可以使用SMIF(Standard MechanicalInterFace標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面)盒或?qū)⑷菁{基板W曝露在外部空氣中的OC(opencassette開放式盒子)。進(jìn)一步，在分度器機(jī)械手IR、第一～第四中央機(jī)械手CR1～CR4以及接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR，使用分別相對(duì)于基板W直線滑動(dòng)而進(jìn)行手部的進(jìn)退動(dòng)作的直動(dòng)型搬送機(jī)械手，但并不限于此，也可以使用通過關(guān)節(jié)動(dòng)作進(jìn)行直線的手部進(jìn)退動(dòng)作的多關(guān)節(jié)型機(jī)械手。
被轉(zhuǎn)載到基板裝載部PASS1上的未處理的基板W，由反射防止膜用處理部10的第一中央機(jī)械手CR1的手部CRH1接受。第一中央機(jī)械手CR1，通過手部CRH1將基板W搬入到反射防止膜用熱處理部100、101。
然后，第一中央機(jī)械手CR1，通過手部CRH2從反射防止膜用熱處理部100、101取出熱處理過的基板W，并搬入到反射防止膜用涂敷處理部70。在該反射防止膜用涂敷處理部70中，為了減少曝光時(shí)產(chǎn)生的駐波和光暈，通過涂敷單元BARC而在光致抗蝕膜的下部涂敷形成反射防止膜。
然后，第一中央機(jī)械手CR1，通過手部CRH1從反射防止膜涂敷處理部70取出涂敷處理過的基板W，搬入到反射防止膜用熱處理部100、101中。接著，第一中央機(jī)械手CR1，通過手部CRH2從反射防止膜用熱處理部100、101取出熱處理過的基板W，轉(zhuǎn)載到基板裝載部PASS3上。
被轉(zhuǎn)載到基板裝載部PASS3上的基板W，由抗蝕膜用處理部11的第二中央機(jī)械手CR2的手部CRH3接受。第二中央機(jī)械手CR2，通過手部CRH3將基板W搬入到抗蝕膜用熱處理部110、111中。
然后，第二中央機(jī)械手CR2，通過手部CRH4從抗蝕膜用熱處理部110、111取出熱處理過的基板W，并搬入到抗蝕膜用涂敷處理部80。在該抗蝕膜用涂敷處理部80中，通過涂敷單元RES在涂敷形成了反射防止膜的基板W上涂敷形成光致抗蝕膜。
然后，第二中央機(jī)械手CR2，通過手部CRH3從抗蝕膜用涂敷處理部80取出涂敷處理過的基板W，搬入到抗蝕膜用熱處理部110、111中。接著，第二中央機(jī)械手CR2，通過手部CRH4從抗蝕膜用熱處理部110、111取出熱處理過的基板W，并轉(zhuǎn)載到基板裝載部PASS5上。
被轉(zhuǎn)載到基板裝載部PASS5上的基板W，由顯影處理部12的第三中央機(jī)械手CR3的手部CRH5接受。第三中央機(jī)械手CR3，通過手部CRH5將基板W轉(zhuǎn)載到基板裝載部PASS7上。被轉(zhuǎn)載到基板裝載部PASS7上的基板W，由接口部13的第四中央機(jī)械手CR4的手部CRH7接受。第四中央機(jī)械手CR4，通過手部CRH7將基板W搬入到邊緣曝光部EEW。在該邊緣曝光部EEW中，對(duì)基板W的周邊部實(shí)施曝光處理。
接著，第四中央機(jī)械手CR4，通過手部CRH8從邊緣曝光部EEW取出邊緣曝光處理過的基板W。然后，第四中央機(jī)械手，通過手部CRH7從顯影用熱處理部121的冷卻板CP接受冷卻后的基板W的同時(shí)，通過手部CRH8將上述邊緣曝光處理過的基板W搬入到顯影用熱處理部121的冷卻板CP。然后，第四中央機(jī)械手CR4，通過手部CRH7將上述冷卻后的基板W轉(zhuǎn)載到基板裝載部PASS9上。
被轉(zhuǎn)載到基板裝載部PASS9上的基板W，通過接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR被搬入到曝光裝置14中。在曝光裝置14中對(duì)基板W實(shí)施了曝光處理后，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR將基板W搬送到干燥處理單元DRY。在干燥處理單元DRY中對(duì)基板W實(shí)施了清洗以及干燥處理后，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR將基板W轉(zhuǎn)載到基板裝載部PASS10上。此外，關(guān)于接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的詳細(xì)內(nèi)容在后面敘述。
被轉(zhuǎn)載到基板裝載部PASS10上的基板W，由接口部13的第四中央機(jī)械手CR4的手部CRH8接受。第四中央機(jī)械手CR4，通過手部CRH8將基板W搬入到干燥/顯影處理部12的顯影用熱處理部121。在顯影用熱處理部121中，對(duì)基板W進(jìn)行熱處理。然后，第四中央機(jī)械手CR4，通過手部CRH8從顯影用熱處理部121取出基板W，并轉(zhuǎn)載到基板裝載部PASS8上。
被轉(zhuǎn)載到基板裝載部PASS8上的基板W，由干燥/顯影處理部12的第三中央機(jī)械手CR3的手部CRH6接受。第三中央機(jī)械手CR3，通過手部CRH6將基板W搬入到顯影處理部90。在顯影處理部90中，對(duì)已被曝光的基板W實(shí)施顯影處理。
然后，第三中央機(jī)械手CR3，通過手部CRH5從顯影處理部90取出顯影處理過的基板W，并搬入到顯影用熱處理部120。
接著，第三中央機(jī)械手CR3，通過手部CRH6從顯影用熱處理部120取出熱處理后的基板W，并轉(zhuǎn)載到被設(shè)置在抗蝕膜用處理部11上的基板裝載部PASS6上。
此外，由于故障等而在顯影處理部90中暫時(shí)無法進(jìn)行基板W的顯影處理時(shí)，可以在顯影用熱處理部121對(duì)基板W實(shí)施了熱處理以后，將基板W暫時(shí)容納保管在接口部13的返回緩沖貯存器部RBF1中。
被轉(zhuǎn)載到基板裝載部PASS6上的基板W，通過抗蝕膜用處理部11的第二中央機(jī)械手CR2的手部CRH4而被轉(zhuǎn)載到基板裝載部PASS4上。被轉(zhuǎn)載到基板裝載部PASS4上的基板W，通過反射防止膜用處理部10的第一中央機(jī)械手CR1的手部CRH2而被轉(zhuǎn)載到基板裝載部PASS2上。
被轉(zhuǎn)載到基板裝載部PASS2上的基板W，通過分度器部9的分度器機(jī)械手IR而被容納在搬運(yùn)器C中。由此，結(jié)束了基板處理裝置對(duì)基板W的各種處理。
(1-3)干燥處理單元在此，關(guān)于上述干燥處理單元DRY，利用附圖進(jìn)行詳細(xì)的說明。
(1-3a)干燥處理單元的結(jié)構(gòu)首先，說明干燥處理單元DRY的結(jié)構(gòu)。圖4是用于說明干燥處理單元DRY的結(jié)構(gòu)的圖。
如圖4所示，干燥處理單元DRY具有旋轉(zhuǎn)卡盤621，該旋轉(zhuǎn)卡盤621用于水平保持基板W的同時(shí)，以通過基板W中心的垂直的旋轉(zhuǎn)軸為中心使基板W旋轉(zhuǎn)。
旋轉(zhuǎn)卡盤621固定在通過卡盤旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)636而旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)軸625的上端。還有，在旋轉(zhuǎn)卡盤621上形成有吸氣路徑(未圖示)，通過在旋轉(zhuǎn)卡盤621上裝載有基板W的狀態(tài)下排除吸氣路徑內(nèi)的空氣，而將基板W的下表面真空吸附在旋轉(zhuǎn)卡盤621上，從而能夠?qū)⒒逡运阶藙荼３帧?br> 在旋轉(zhuǎn)卡盤621的外側(cè)設(shè)有第一旋轉(zhuǎn)馬達(dá)660。在第一旋轉(zhuǎn)馬達(dá)660上連接有第一旋轉(zhuǎn)軸661。還有，第一臂部662以向水平方向延伸的方式連接在第一旋轉(zhuǎn)軸661上，在第一臂部662的前端設(shè)置有清洗處理用噴嘴650。
通過第一旋轉(zhuǎn)馬達(dá)660使第一旋轉(zhuǎn)軸661旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，第一臂部662也轉(zhuǎn)動(dòng)，清洗處理用噴嘴650移動(dòng)到被旋轉(zhuǎn)卡盤621保持的基板W的上方。
以穿過第一旋轉(zhuǎn)馬達(dá)660、第一旋轉(zhuǎn)軸661以及第一臂部662的內(nèi)部的方式設(shè)置有清洗處理用供給管663。清洗處理用供給管663通過閥Va以及閥Vb連接到清洗液供給源R1以及沖洗液供給源R2上。通過控制該閥Va、Vb的開啟與閉合，能夠進(jìn)行供給到清洗處理用供給管663的處理液的選擇以及供給量的調(diào)整。在圖4的結(jié)構(gòu)中，通過開啟閥Va，能夠向清洗處理用供給管663供給清洗液，而通過開啟閥Vb，能夠向清洗處理用供給管663供給沖洗液。
對(duì)清洗處理用噴嘴650，通過清洗處理用供給管663而從清洗液供給源R1或者沖洗液供給源R2供給清洗液或者沖洗液。由此，能夠向基板W的表面供給清洗液或者沖洗液。作為清洗液，采用了例如純水、純水中溶解了絡(luò)合物(進(jìn)行過離子化的)的液體或者氟類藥液等。作為沖洗液，采用了例如純水、碳酸水、含氫水、電解離子水以及HFE(氫氟醚)中的任一種。
在旋轉(zhuǎn)卡盤621的外側(cè)，設(shè)有第二旋轉(zhuǎn)馬達(dá)671。在第二旋轉(zhuǎn)馬達(dá)671上連接有第二旋轉(zhuǎn)軸672。還有，第二臂部673以向水平方向延伸的方式連接在第二旋轉(zhuǎn)軸672上，在第二臂部673的前端設(shè)置有干燥處理用噴嘴670。
通過第二旋轉(zhuǎn)馬達(dá)671而第二旋轉(zhuǎn)軸672旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，第二臂部673轉(zhuǎn)動(dòng)，干燥處理用噴嘴670移動(dòng)到被旋轉(zhuǎn)卡盤621保持的基板W的上方。
以穿過第二旋轉(zhuǎn)馬達(dá)671、第二旋轉(zhuǎn)軸672以及第二臂部673的內(nèi)部的方式設(shè)置有干燥處理用供給管674。干燥處理用供給管674通過閥Vc連接到惰性氣體供給源R3。通過控制該閥Vc的開啟與閉合，能夠調(diào)整供給到干燥處理用供給管674的惰性氣體的供給量。
對(duì)干燥處理用噴嘴670，通過干燥處理用供給管674而從惰性氣體供給源R3供給惰性氣體。由此，能夠向基板W的表面供給惰性氣體。作為惰性氣體例如采用氮?dú)?N2)。
向基板W的表面供給清洗液以及沖洗液時(shí)，清洗處理用噴嘴650位于基板W的上方，而向基板W的表面供給惰性氣體時(shí)，清洗處理用噴嘴650退避到規(guī)定的位置。
還有，向基板W的表面供給清洗液或者沖洗液時(shí)，干燥處理用噴嘴670退避到規(guī)定的位置，而向基板W的表面供給惰性氣體時(shí)，干燥處理用噴嘴670位于基板W的上方。
保持于旋轉(zhuǎn)卡盤621的基板W被容納在處理杯623中。在處理杯623的內(nèi)側(cè)設(shè)有筒狀的間隔壁633。還有，以包圍旋轉(zhuǎn)卡盤621的周圍的方式形成有用于排出基板W的處理中使用過了的處理液(清洗液或沖洗液)的排液空間631。進(jìn)而，以包圍排液空間631的方式在處理杯623與間隔壁633之間形成了用于回收基板W的處理中使用過的處理液的回收液空間632。
在排液空間631連接有用于將處理液導(dǎo)向排液處理裝置(未圖示)的排液管634，而在回收空間632連接有用于將處理液導(dǎo)向回收處理裝置(未圖示)的回收管635。
在處理杯623的上方設(shè)有用于防止來自基板W的處理液向外側(cè)飛散的防護(hù)裝置624。該防護(hù)裝置624形成為相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸625旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的形狀。在防護(hù)裝置624的上端部的內(nèi)面，以環(huán)狀形成有截面為“く”字狀的排液引導(dǎo)槽641。
還有，在防護(hù)裝置624下端部的內(nèi)面形成有由向外側(cè)下方傾斜的傾斜面構(gòu)成的回收液引導(dǎo)部642。在回收液引導(dǎo)部642的上端附近，形成有用于容納處理杯623的間隔壁633的間隔壁容納槽643。
在該防護(hù)裝置624上設(shè)有由滾珠絲杠機(jī)構(gòu)等構(gòu)成的防護(hù)裝置升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)。防護(hù)裝置升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)使防護(hù)裝置624在回收位置與排液位置之間上下動(dòng)作，上述回收位置是指回收液引導(dǎo)部642與被旋轉(zhuǎn)卡盤621保持的基板W的外周端面相對(duì)向的位置，而上述排液位置是指排液引導(dǎo)槽641與被旋轉(zhuǎn)卡盤621保持的基板W的外周端面相對(duì)向的位置。在防護(hù)裝置624位于回收位置(如圖4所示的防護(hù)裝置的位置)時(shí)，從基板W向外側(cè)飛散的處理液由回收液引導(dǎo)部642引導(dǎo)到回收液空間632中，并通過回收管635而被回收。另一方面，在防護(hù)裝置624位于排液位置時(shí)，從基板W向外側(cè)飛散的處理液由排液引導(dǎo)槽641引導(dǎo)到排液空間631中，并通過排液管634被排出。通過以上的結(jié)構(gòu)，進(jìn)行處理液的排出以及回收。
(1-3b)干燥處理單元的動(dòng)作接著，關(guān)于具有上述結(jié)構(gòu)的干燥處理單元DRY的處理動(dòng)作進(jìn)行說明。此外，下面所說明的干燥處理單元DRY的各構(gòu)成要件的動(dòng)作，是由圖1中的主控制器30控制的。
首先，搬入基板W時(shí)，防護(hù)裝置624下降的同時(shí)，圖1中的接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR將基板W裝載到旋轉(zhuǎn)卡盤621上。被裝載在旋轉(zhuǎn)卡盤621上的基板W由旋轉(zhuǎn)卡盤621吸附保持。
接著，防護(hù)裝置624移動(dòng)到上述的排液位置的同時(shí)，清洗處理用噴嘴650移動(dòng)到基板W的中心部上方。然后，旋轉(zhuǎn)軸625轉(zhuǎn)動(dòng)，伴隨著該轉(zhuǎn)動(dòng)，被保持在旋轉(zhuǎn)卡盤621上的基板W也旋轉(zhuǎn)。然后，清洗液從清洗處理用噴嘴650噴射到基板W的上表面。由此，進(jìn)行對(duì)基板W的清洗。此外，向基板W的清洗液的供給，也可以使用2流體噴嘴的柔性噴射(ソフトスプレ一)方式。有關(guān)使用2流體噴嘴情況的干燥處理單元DRY的例子，在第2實(shí)施方式中進(jìn)行說明。
經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，清洗液的供給被停止，而從清洗處理用噴嘴650噴射出沖洗液。由此，基板W上的清洗液被沖洗掉。
再經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，旋轉(zhuǎn)軸625的旋轉(zhuǎn)速度降低。由此，通過基板W的旋轉(zhuǎn)而被甩掉的沖洗液的量減少，如圖5A所示，在基板W的表面全體上形成沖洗液的液層L。此外，也可以停止旋轉(zhuǎn)軸625的旋轉(zhuǎn)而在基板W的表面全體上形成液層L。
本實(shí)施方式中，在清洗液的供給以及沖洗液的供給上采用了共用清洗液處理用噴嘴650的結(jié)構(gòu)，以使從清洗液處理液噴嘴650能夠供給清洗液以及沖洗液中的任一種，但是，也可以采用分別分開清洗液供給用的噴嘴與沖洗液供給用的噴嘴的結(jié)構(gòu)。
還有，供給沖洗液時(shí)，為了不使沖洗液回流到基板W的下表面，也可以從未圖示的防沖洗(バツクリンス)用噴嘴向基板W的背面供給純水。
此外，清洗基板W的清洗液采用純水時(shí)，不需供給沖洗液。
接著，停止沖洗液的供給，清洗處理用噴嘴650退避到規(guī)定的位置的同時(shí)，干燥處理用噴嘴670移動(dòng)到基板W的中心部上方。然后，從干燥處理用噴嘴670噴射出惰性氣體。由此，如圖5B所示，基板W的中心部的沖洗液移動(dòng)到基板W的周邊部，而變成只在基板W的周邊部存在液體層L的狀態(tài)。
接著，旋轉(zhuǎn)軸625(參考圖4)的轉(zhuǎn)速加快的同時(shí)，如圖5C所示，干燥處理用噴嘴670從基板W的中心部上方逐漸地移動(dòng)到周邊部上方。由此，基板W的液層L受到很大的離心力作用的同時(shí)，對(duì)基板W的表面全體吹附惰性氣體，從而能夠確實(shí)地除去基板W上的液層L。結(jié)果，能夠?qū)錡確實(shí)地進(jìn)行干燥。
接著，惰性氣體的供給被停止，干燥處理用噴嘴670退避到規(guī)定的位置的同時(shí)，旋轉(zhuǎn)軸625的旋轉(zhuǎn)停止。然后，防護(hù)裝置624下降的同時(shí)，圖1中的接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR將基板W從干燥處理單元DRY搬出。由此，結(jié)束在干燥處理單元DRY中的處理動(dòng)作。
此外，清洗以及干燥處理中的防護(hù)裝置624的位置，優(yōu)選根據(jù)處理液的回收或者排液的必要性適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行變更。
(1-3c)干燥處理單元的其他例子另外，如圖4所示的干燥處理單元DRY中，清洗處理用噴嘴650以及干燥處理用噴嘴670是分別獨(dú)立設(shè)置的，但是，如圖6所示，也可以將清洗處理用噴嘴650與干燥處理用噴嘴670設(shè)置成一體。這種情況下，清洗處理或者干燥處理基板W時(shí)，無需將清洗處理用噴嘴650以及干燥處理用噴嘴670分別單獨(dú)移動(dòng)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的簡單化。
還有，也可以取代干燥處理用噴嘴670而使用如圖7所示那樣的干燥處理用噴嘴770。
圖7中的干燥處理用噴嘴770，向垂直下方延伸的同時(shí)，具有從側(cè)面向斜下方延伸的分支管771、772。在干燥處理用噴嘴770的下端以及分支管771、772的下端，形成有噴射惰性氣體的氣體噴射口770a、770b、770c。從各噴射口770a、770b、770c，分別如圖7中的箭頭所示，向垂直下方以及傾斜下方噴射惰性氣體。也就是說，干燥處理用噴嘴770，以向下方擴(kuò)大噴射范圍的方式噴射惰性氣體。
在此，采用干燥處理用噴嘴770時(shí)，干燥處理單元DRY通過以下說明的動(dòng)作進(jìn)行對(duì)基板W的干燥處理。
圖8是說明使用干燥處理用噴嘴770時(shí)的基板W的干燥處理方法用的圖。
首先，根據(jù)圖6中說明的方法，在基板W的表面形成了液層L以后，如圖8A所示，再將干燥處理用噴嘴770移動(dòng)到基板W的中心部上方。然后，從干燥處理用噴嘴770噴射惰性氣體。由此，如圖8B所示，基板W中心部的沖洗液移動(dòng)到周邊部，而成為只在基板W的周邊部存在液層L的狀態(tài)。此外，此時(shí)，使干燥處理用噴嘴770接近基板W的表面，以便能夠確實(shí)地使存在于基板W的中心部的沖洗液移動(dòng)。
接著，旋轉(zhuǎn)軸625(參考圖4)的轉(zhuǎn)速提升的同時(shí)，如圖8C所示，干燥處理用噴嘴770移動(dòng)到上方。由此，很大的離心力作用于基板W上的液層L的同時(shí)，基板W上的被噴射惰性氣體的范圍被擴(kuò)大。結(jié)果，能夠確實(shí)地除去基板W上的液層L。此外，通過使第二旋轉(zhuǎn)軸672上下升降，干燥處理用噴嘴770能夠上下移動(dòng)，而第二旋轉(zhuǎn)軸672的上下升降，是通過設(shè)置在圖4中的第二旋轉(zhuǎn)軸672上的旋轉(zhuǎn)軸升降機(jī)構(gòu)(未圖示)進(jìn)行的。
還有，也可以取代干燥處理用噴嘴770而使用如圖9所示的干燥處理用噴嘴870。圖9中的干燥處理用噴嘴870，具有向下方直徑逐漸變大的噴射口870a。從該噴射口870a，如圖9中的箭頭所示，向垂直下方以及傾斜下方噴射惰性氣體。就是說，干燥處理用噴嘴870，如同圖7中的干燥處理用噴嘴770，也向下方擴(kuò)大噴射范圍而噴射出惰性氣體。從而，采用干燥處理用噴嘴870時(shí)，也能通過與采用干燥處理用噴嘴770時(shí)同樣的方法進(jìn)行基板W的干燥處理。
還有，也可以取代如圖4所示的干燥處理單元DRY而使用如圖10所示的干燥處理單元DRYa。
圖10所示的干燥處理單元DRYa與圖4所示的干燥處理單元DRY的不同之處如下。
圖10所示的干燥處理單元DRYa中，在旋轉(zhuǎn)卡盤621的上方設(shè)有中心部具有開口的圓板狀的遮斷板682。從臂部688的前端附近向垂直下方的方向設(shè)有支撐軸689，而在該支撐軸689的下端，以與被旋轉(zhuǎn)卡盤621所支撐的基板W的上表面相對(duì)向的方式安裝有遮斷板682。
在支撐軸689的內(nèi)部，插入經(jīng)過連通到遮斷板682的開口的氣體供給路徑690。氣體供給路徑690中被供給例如氮?dú)?N2)。
在臂部688上連接有遮斷板升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)697以及遮斷板旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)698。遮斷板升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)697使遮斷板682在接近被旋轉(zhuǎn)卡盤621保持的基板W的上表面的位置與從旋轉(zhuǎn)卡盤621向上方離開的位置之間上下移動(dòng)。
如圖10所示的干燥處理單元DRYa中，對(duì)基板W進(jìn)行干燥處理時(shí)，如圖11所示，在使遮斷板682接近基板W的狀態(tài)下，對(duì)基板W與遮斷板682之間的間隙從氣體供給路徑690供給惰性氣體。此時(shí)，因?yàn)槟軌驈幕錡的中心部向周邊部高效率地供給惰性氣體，因此能夠確實(shí)地除去基板W上的液層L。
還有，上述實(shí)施方式中，在干燥處理單元DRY，根據(jù)旋轉(zhuǎn)干燥方法實(shí)施了基板W的干燥處理，但是，也可以通過減壓干燥方法、風(fēng)刀干燥方法等其他的干燥方法，對(duì)基板W實(shí)施干燥處理。
另外，上述實(shí)施方式中，在形成了沖洗液的液層L的狀態(tài)下，從干燥處理用噴嘴670供給惰性氣體，但是，在沒有形成沖洗液的液層L的情況或者不使用沖洗液的情況下，也可以旋轉(zhuǎn)基板W而一旦甩掉液層之后，立即從干燥處理用噴嘴670供給惰性氣體而使基板W完全干燥。
(1-3d)干燥處理單元的效果如上所述，本實(shí)施方式的基板處理裝置500中，在曝光裝置14中對(duì)基板W進(jìn)行曝光處理之后，在干燥處理單元DRY中實(shí)施對(duì)基板W的干燥處理。此時(shí)，曝光處理時(shí)附著在基板W上的液體，在干燥處理單元DRY中被除去。由此，可以防止基板W從干燥處理單元DRY被搬送到接口部13、干燥/顯影處理部12、抗蝕膜用處理部11、反射防止膜用處理部10以及分度器部9時(shí)，向基板處理裝置500內(nèi)部滴下液體。結(jié)果，能夠防止基板處理裝置500的動(dòng)作不良。
還有，在干燥處理單元DRY中，通過一邊旋轉(zhuǎn)基板W一邊從基板W的中心部向周邊部噴射惰性氣體，對(duì)基板W進(jìn)行干燥處理。此時(shí)，能夠確實(shí)地除去基板W上的清洗液以及沖洗液，因此能夠確實(shí)地防止環(huán)境中的灰塵附著在清洗后的基板W上。由此，能夠確實(shí)地防止對(duì)基板W的污染的同時(shí)，能夠防止在基板W表面發(fā)生干燥后的水斑。
還有，由于能夠確實(shí)防止在清洗后的基板W上殘留清洗液以及沖洗液，因此能夠確實(shí)地防止基板W從干燥處理單元DRY被搬送到顯影處理部90的過程中，抗蝕劑的成分被清洗液以及沖洗液溶解。由此，能夠防止形成在抗蝕膜上的曝光圖形的變形。結(jié)果是能確實(shí)防止顯影處理時(shí)的線寬精度的降低。
另外，在干燥處理單元DRY中，在對(duì)基板W的干燥處理之前進(jìn)行基板W的清洗處理。此時(shí)，在曝光時(shí)被附著上液體的基板W從曝光裝置14被搬送到干燥處理單元DRY的過程中，即使環(huán)境中的灰塵附著在該基板W上，也能確實(shí)地除去該附著物。
這些的結(jié)果是，能夠確實(shí)地防止基板W的處理不良。
(1-4)接口用搬送機(jī)構(gòu)接著，針對(duì)接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR進(jìn)行說明。圖12是用于說明接口用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)IFR的結(jié)構(gòu)以及動(dòng)作的圖。
(1-4a)接口用搬送機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)以及動(dòng)作首先，針對(duì)接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如圖12所示，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的可動(dòng)臺(tái)21與絲杠22螺合。絲杠22向X方向延伸而被支撐臺(tái)23可旋轉(zhuǎn)地支撐。在絲杠22的一端部設(shè)置有馬達(dá)M1，通過該馬達(dá)M1絲杠22旋轉(zhuǎn)，而使可動(dòng)臺(tái)21在±X方向上水平移動(dòng)。
另外，手部支撐臺(tái)24以在±θ方向上可旋轉(zhuǎn)且在±Z軸方向上可升降的方式搭載在可動(dòng)臺(tái)21上。手部支撐臺(tái)24經(jīng)由旋轉(zhuǎn)軸25與可動(dòng)臺(tái)21內(nèi)的馬達(dá)M2連接，通過該馬達(dá)M2，手部支撐臺(tái)24旋轉(zhuǎn)。在手部支撐臺(tái)24，可以進(jìn)退地上下設(shè)置有以水平姿勢保持基板W的兩個(gè)手部H5、H6。
接著，針對(duì)接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的動(dòng)作進(jìn)行說明。接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的動(dòng)作，是由圖1的主控制器30控制的。
首先，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR，在圖12的位置A，使手部支撐臺(tái)24旋轉(zhuǎn)的同時(shí)沿+Z方向上升，而使上側(cè)的手部H5進(jìn)入到基板裝載部PASS9。在基板裝載部PASS9中，若手部H5接受基板W，則接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR使手部H5從基板裝載部PASS9后退，并使手部支撐臺(tái)24沿-Z方向下降。
接著，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR沿-X方向移動(dòng)，在位置B使手部支撐臺(tái)24旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，并使手部H5進(jìn)入到曝光裝置14的基板搬入部14a(參考圖1)。將基板W搬入到基板搬入部14a之后，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR使手部H5從基板搬入部14a后退。
接著，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR使下側(cè)的手部H6進(jìn)入到曝光裝置14的基板搬出部14b(參考圖1)。在基板搬出部14b中，若手部H6接受曝光處理后的基板W，則接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR使手部H6從基板搬出部14b后退。
然后，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR沿+X方向移動(dòng)，在位置A使手部支撐臺(tái)24旋轉(zhuǎn)的同時(shí)沿+Z方向上升，使手部H6進(jìn)入到2個(gè)中之一的干燥處理單元DRY。將基板W搬入到干燥處理單元DRY之后，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR使手部H6從干燥處理單元DRY后退。
接著，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR使手部支撐臺(tái)24沿±Z方向上升或者下降，使手部H5進(jìn)入到2個(gè)中的另一個(gè)干燥處理單元DRY。在干燥處理單元DRY中，若手部H5接受干燥處理后的基板W，則接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR使手部H5從干燥處理單元DRY后退。
接著，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR使手部支撐臺(tái)24旋轉(zhuǎn)的同時(shí)沿±Z方向上升或者下降，使手部H5進(jìn)入到基板裝載部PASS10，并將基板W轉(zhuǎn)載到基板裝載部PASS10上。
此外將基板W從基板裝載部PASS9搬送到曝光裝置14時(shí)，在曝光裝置14不能接受基板W的情況下，基板W暫時(shí)被容納保管在緩沖貯存器SBF中。
還有，將基板W從曝光裝置14搬送到干燥處理單元DRY中時(shí)，在干燥處理單元DRY不能接受基板W的情況下，基板W被容納保管在返回緩沖貯存器RBF2中。
(1-4b)接口用搬送機(jī)構(gòu)的效果如上所述，在本實(shí)施方式中，將基板W從基板裝載部PASS9搬送到曝光裝置14時(shí)以及從干燥處理單元DRY搬送到基板裝載部PASS10時(shí)，使用接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的手部H5，而將基板W從曝光裝置14搬送到干燥處理單元DRY時(shí)，使用手部H6。即，在曝光處理之后有液體附著的基板W的搬送使用手部H6，而沒有液體附著的基板W的搬送使用手部H5。由此，基板W的液體不會(huì)附著在手部H5上。
另外，手部H6設(shè)置在手部H5的下方，所以液體即使從手部H6以及被其保持的基板W滴下，液體也不會(huì)附著在手部H5以及被其保持的基板W上。
這些的結(jié)果是，可以確實(shí)防止液體附著在干燥處理后的基板W上，所以可更加確實(shí)地防止由于液體滴到基板處理裝置內(nèi)造成的基板處理裝置的動(dòng)作不良。
(1-4c)第一實(shí)施方式的變形例此外，在本實(shí)施方式中，通過1臺(tái)接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR，進(jìn)行從基板裝載部PASS9到曝光裝置14的搬送、從曝光裝置14到干燥處理單元DRY的搬送以及從干燥處理單元DRY到基板裝載部PASS10的搬送，但是也可以使用多個(gè)接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR進(jìn)行基板W的搬送。
還有，干燥處理單元DRY的數(shù)量也并非限定在2個(gè)，也可以根據(jù)各處理部的處理速度適當(dāng)進(jìn)行變更。
另外，也可以根據(jù)曝光裝置14的基板搬入部14a以及基板搬出部14b的位置，變更接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的動(dòng)作以及結(jié)構(gòu)。例如，曝光裝置14的基板搬入部14a以及基板搬出部14b處在與干燥處理部95相對(duì)向的位置時(shí)，也可以不設(shè)置圖12中的絲杠22。
(2)第二實(shí)施方式(2-1)采用2流體噴嘴的干燥處理單元第二實(shí)施方式的基板處理裝置與第一實(shí)施方式的基板處理裝置的不同之處為，在干燥處理單元DRY中，采用了如圖13所示的2流體噴嘴而取代圖4中的清洗處理用噴嘴650以及干燥處理用噴嘴670。第二實(shí)施方式的基板處理裝置的其他部分的結(jié)構(gòu)，與第一實(shí)施方式的基板處理裝置相同。
圖13是表示被使用在清洗以及干燥處理中的2流體噴嘴950的內(nèi)部構(gòu)造的一個(gè)例子的縱向剖視圖。從2流體噴嘴950，能夠選擇性地噴射氣體、液體、以及氣體與液體的混合流體。
本實(shí)施方式的2流體噴嘴950被稱為外部混合型。如圖13所示的外部混合型的2流體噴嘴950，是由內(nèi)部主體部311以及外部主體部312構(gòu)成。內(nèi)部主體部311是由例如石英等構(gòu)成，而外部主體部312是由例如PTFE(聚四氟乙烯)等的氟類樹脂構(gòu)成。
沿著內(nèi)部主體部311的中心軸形成有液體導(dǎo)入部311b。在液體導(dǎo)入部311b上安裝有圖4中的清洗處理用供給管663。由此，由清洗處理用供給管663供給的清洗液或沖洗液被導(dǎo)入到液體導(dǎo)入部311b。
在內(nèi)部主體部311的下端形成有連通到液體導(dǎo)入部311b的液體噴射口311a。內(nèi)部主體部311被插入到外部主體部312內(nèi)。此外，內(nèi)部主體部311以及外部主體部312的上端部相互接合在一起，而下端沒有接合在一起。
在內(nèi)部主體部311與外部主體部312之間，形成有圓筒狀的氣體流通部312b。在外部主體部312的下端形成有連通到氣體流通部312b的氣體噴射口312a。在外部主體部312的周壁上安裝有連通到氣體流通部312b的圖4的干燥處理用供給管674。由此，從干燥處理用供給管674供給的惰性氣體被導(dǎo)入到氣體流通部312b中。
氣體流通部312b，在氣體噴射口312a的附近，隨著向下方靠近其直徑變得更小。結(jié)果，惰性氣體的流速加快，而從氣體噴射口312a噴出。
從流體噴射口311a噴射出的清洗液與從氣體噴射口312a噴射出的惰性氣體，在2流體噴嘴950的下端附近的外部被混合，而生成含有清洗液的微細(xì)液滴的霧狀混合流體。
圖14是用于說明使用圖13的2流體噴嘴950時(shí)的基板W的干燥處理方法的圖。
首先，如圖4所示，基板W被旋轉(zhuǎn)卡盤621吸附保持，伴隨著旋轉(zhuǎn)軸625的旋轉(zhuǎn)而轉(zhuǎn)動(dòng)。此時(shí)，旋轉(zhuǎn)軸625的旋轉(zhuǎn)速度例如為約500rpm。
在該狀態(tài)下，如圖14A所示，從2流體噴嘴950向基板W的上表面噴射由清洗液以及惰性氣體組成的霧狀混合流體的同時(shí)，2流體噴嘴950從基板W的中心部上方逐漸向周邊部上方移動(dòng)。由此，從2流體噴嘴950向基板W的表面全體吹附混合流體，進(jìn)行對(duì)基板W的清洗。
從2流體噴嘴950噴射出的混合流體中含有清洗液的微細(xì)液滴，因此，即使是在基板W的表面存在凹凸的情況下，也可以通過清洗液的微細(xì)液滴除去附著在凹凸中的污垢。由此，能夠確實(shí)除去基板W表面上的污垢。還有，在基板W上的膜不易浸濕的情況下，也通過清洗液的微細(xì)液滴除去基板W表面的污垢，因此能夠確實(shí)地除去基板W表面上的污垢。
另外，通過調(diào)整惰性氣體的流量，能夠容易地調(diào)節(jié)對(duì)基板W進(jìn)行清洗時(shí)的清洗能力。由此，在基板W上的有機(jī)膜(抗蝕膜以及抗蝕劑保護(hù)膜)具有易損的特性的情況下，可以通過減弱清洗能力而防止基板W上的有機(jī)膜破損。還有，基板W表面上的污垢不易除去時(shí)，可以通過增強(qiáng)清洗能力而確實(shí)地除去基板W表面的污垢。如此，通過根據(jù)基板W上的有機(jī)膜的特性以及污垢的程度控制清洗能力，能夠防止基板W上的有機(jī)膜的破損的同時(shí)，能夠確實(shí)地清洗基板W。
接著，如圖14B所示，混合流體的供給被停止，旋轉(zhuǎn)軸625的旋轉(zhuǎn)速度降低的同時(shí)，從2流體噴嘴950向基板W上噴射沖洗液。此時(shí)，旋轉(zhuǎn)軸625的旋轉(zhuǎn)速度為例如約10rpm。由此，在基板W表面全體上形成沖洗液的液層L。此外，也可以停止旋轉(zhuǎn)軸625的旋轉(zhuǎn)而在基板W的表面全體上形成液層L。還有，采用純水作為清洗基板W的混合流體中的清洗液時(shí)，也可以不供給沖洗液。
液層L被形成以后，沖洗液的供給被停止。接著，如圖14C所示，從2流體噴嘴950向基板W噴射惰性氣體。由此，基板W的中心部的清洗液移動(dòng)到基板W的周邊部，而變成只在基板W的周邊部存在液層L的狀態(tài)。
然后，旋轉(zhuǎn)軸625的旋轉(zhuǎn)速度上升。此時(shí)，旋轉(zhuǎn)軸625的旋轉(zhuǎn)速度為例如約100rpm。由此，對(duì)基板W的液層L施加很大的離心力，從而能夠除去基板W上的液層L。其結(jié)果，基板W被干燥。
此外，除去基板W上的液層L時(shí)，也可以讓2流體噴嘴950從基板W的中心部上方向周邊部上方逐漸移動(dòng)。由此，能夠?qū)錡的表面全體噴射惰性氣體，因此能夠確實(shí)除去基板W上的液層L。其結(jié)果，能夠?qū)錡確實(shí)地進(jìn)行干燥。
(2-2)采用2流體噴嘴的干燥處理單元的其他例子此外，采用圖13的2流體噴嘴950的情況下，通過2流體噴嘴950向基板W供給沖洗液，但也可以使用另外的噴嘴向基板W供給沖洗液。
還有，采用圖13的2流體噴嘴950的情況下，在除去基板W上的液層L時(shí)，通過2流體噴嘴950向基板W供給惰性氣體，但也可以使用另外的噴嘴向基板W供給惰性氣體。
(2-3)第二實(shí)施方式的效果第二實(shí)施方式的基板處理裝置500中，在曝光裝置14中對(duì)基板W進(jìn)行曝光處理之后，在干燥處理單元DRY中實(shí)施對(duì)基板W的清洗處理。此時(shí)，曝光處理后附著在基板W上的水滴殘留物、以及來自基板上的有機(jī)膜的稀出物等，在干燥處理單元DRY中通過從2流體噴嘴950向基板W供給清洗液與惰性氣體的混合流體而被除去。
從2流體噴嘴950噴射出的混合氣體含有清洗液的微細(xì)液滴，因此，即使是在基板W的表面存在凹凸的情況，也可以通過清洗液的微細(xì)液滴除去附著在凹凸中的污垢。由此，能夠確實(shí)地除去基板W表面的污垢。還有，在基板W上的膜不易浸濕的情況下，也通過清洗液的微細(xì)液滴除去基板W表面的污垢，因此能夠確實(shí)地除去基板W表面的污垢。由這些結(jié)果，能夠防止由于曝光處理后的基板的污染造成的基板的處理不良。
另外，通過調(diào)整惰性氣體的流量，能夠容易地調(diào)節(jié)對(duì)基板W進(jìn)行清洗時(shí)的清洗能力。由此，在基板W上的有機(jī)膜(抗蝕膜以及抗蝕劑保護(hù)膜)具有易損的特性的情況下，可以通過減弱清洗能力而防止基板W上的有機(jī)膜被損壞。還有，基板W表面的污垢不易除去時(shí)，可以通過增強(qiáng)清洗能力而確實(shí)地除去基板W表面的污垢。如此，通過根據(jù)基板W上的有機(jī)膜的特性以及污垢的程度調(diào)節(jié)清洗能力，而能夠防止基板W上的有機(jī)膜的破損的同時(shí)，能夠確實(shí)地清洗基板W。
還有，干燥處理單元DRY中，對(duì)基板W進(jìn)行清洗處理之后，再進(jìn)行基板W的干燥處理。由此，供給到基板W的清洗液被除去，因此可以防止基板W從干燥處理單元DRY被輸送到接口部13、干燥/顯影處理部12、抗蝕膜用處理部11、反射防止膜用處理部10以及分度器部9時(shí)，向基板處理裝置500內(nèi)部滴下清洗液。其結(jié)果，能夠防止基板處理裝置500的動(dòng)作不良。
還有，在干燥處理單元DRY中，通過一邊旋轉(zhuǎn)基板W一邊從基板W的中心部向周邊部噴射惰性氣體，而對(duì)基板W進(jìn)行干燥處理。此時(shí)，能夠確實(shí)地除去基板W上的清洗液以及沖洗液，因此，能夠確實(shí)地防止環(huán)境中的灰塵等附著在清洗后的基板W上。由此，能夠確實(shí)地防止對(duì)基板W的污染的同時(shí)，能夠防止在基板W上表面發(fā)生干燥后的水斑。
還有，由于能夠確實(shí)防止在清洗后的基板W上殘留清洗液以及沖洗液，因此，能夠確實(shí)防止基板W從干燥處理單元DRY被搬送到顯影處理部90的過程中，抗蝕劑的成分被清洗液以及沖洗液溶解。由此，能夠防止形成在抗蝕膜上的曝光圖形變形。其結(jié)果，能確實(shí)防止顯影處理時(shí)的線寬精度的降低。
由這些結(jié)果，能夠確實(shí)地防止基板W的處理不良。
還有，第二實(shí)施方式中，采用外部混合型的2流體噴嘴950。在外部混合型的2流體噴嘴950中，混合流體是通過在2流體噴嘴950的外部混合清洗液與惰性氣體而生成的。在2流體噴嘴950的內(nèi)部，惰性氣體與清洗液各自被區(qū)分成不同的流路而流通。由此，氣體流通部312b內(nèi)不會(huì)有清洗液殘留，而能夠使惰性氣體單獨(dú)從2流體噴嘴950噴射。進(jìn)而，通過由清洗處理用供給管663供給沖洗液，能夠?qū)_洗液從2流體噴嘴950中單獨(dú)噴射。從而，能夠從2流體噴嘴950選擇性噴射混合流體、惰性氣體以及沖洗液。
還有，在采用2流體噴嘴950的情況下，不需分別單獨(dú)設(shè)置用于向基板W供給清洗液或者沖洗液的噴嘴與用于向基板W供給惰性氣體的噴嘴。由此，能夠以簡單的結(jié)構(gòu)確實(shí)地進(jìn)行對(duì)基板W的清洗以及干燥。
(3)本發(fā)明的各構(gòu)成要素與實(shí)施方式各部分的對(duì)應(yīng)本實(shí)施方式中，反射防止膜用處理部10、抗蝕膜用處理部11以及干燥/顯影處理部12相當(dāng)于處理部，接口部13相當(dāng)于交接部，干燥處理單元DRY、DRYa相當(dāng)于第一處理單元，邊緣曝光部EEW相當(dāng)于第二處理單元，涂敷單元RES相當(dāng)于第三處理單元，基板裝載部PASS9、10相當(dāng)于裝載部，第四中央機(jī)械手CR4相當(dāng)于第一搬送單元，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR相當(dāng)于第二搬送單元。
另外，手部H5相當(dāng)于第一保持部，手部H6相當(dāng)于第二保持部，涂敷單元BARC、RES以及顯影處理單元DEV相當(dāng)于藥液處理單元，熱處理單元PHP、加熱板HP以及冷卻板CP相當(dāng)于熱處理單元。
還有，旋轉(zhuǎn)卡盤621相當(dāng)于基板保持裝置，旋轉(zhuǎn)軸625以及卡盤旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)636相當(dāng)于旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置，清洗處理用噴嘴650相當(dāng)于清洗液供給部以及沖洗液供給部，干燥處理用噴嘴670、770、870相當(dāng)于惰性氣體供給部。
另外，2流體噴嘴950相當(dāng)于流體噴嘴，液體導(dǎo)入部311b相當(dāng)于液體流路，氣體流通部312b相當(dāng)于氣體流路。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，相鄰于曝光裝置而配置，其特征在于，具有處理部，其用于對(duì)基板進(jìn)行處理；交接部，其用于在上述處理部和上述曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接，上述處理部包含有進(jìn)行基板的干燥的第一處理單元，上述交接部包含有在上述處理部和上述曝光裝置之間搬送基板的搬送裝置，上述搬送裝置將從上述曝光裝置搬出的基板搬送到上述第一處理單元。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第一處理單元通過向基板上供給惰性氣體而使基板干燥。
3.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述交接部還包含有對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定的處理的第二處理單元以及暫時(shí)裝載基板的裝載部，上述搬送裝置包括在上述處理部、上述第二處理單元以及上述裝載部之間搬送基板的第一搬送單元；在上述裝載部、上述曝光裝置以及上述第一處理單元之間搬送基板的第二搬送單元，上述第二搬送單元將從上述曝光裝置搬出的基板搬送到上述第一處理單元。
4.如權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第二搬送單元具有保持基板的第一以及第二保持部，上述第二搬送單元從上述裝載部向上述曝光裝置搬送基板時(shí)，以及從上述第一處理單元向上述裝載部搬送基板時(shí)，由上述第一保持部保持基板，從上述曝光裝置向上述第一處理單元搬送基板時(shí)，由上述第二保持部保持基板。
5.如權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第二保持部設(shè)置在上述第一保持部的下方。
6.如權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第二處理單元包含有對(duì)基板的周邊部進(jìn)行曝光的邊緣曝光部。
7.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理部還包含有第三處理單元，該第三處理單元在上述曝光裝置進(jìn)行曝光處理之前，在基板上形成由感光材料構(gòu)成的感光膜。
8.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第一處理單元在對(duì)基板進(jìn)行干燥之前還對(duì)基板進(jìn)行清洗。
9.如權(quán)利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第一處理單元包括基本保持裝置，其大致水平保持基板；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置，其使由上述基板保持裝置保持的基板以垂直于該基板的軸為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；清洗液供給部，其將清洗液供給到由上述基板保持裝置保持的基板上；惰性氣體供給部，其在由上述清洗液供給部向基板上供給清洗液之后，向基板上供給惰性氣體。
10.如權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，上述惰性氣體供給部，以使由上述清洗液供給部供給到基板上的清洗液從基板上的中心部向外側(cè)移動(dòng)來使上述清洗液從基板上排除的方式，供給惰性氣體。
11.如權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第一處理單元還具有沖洗液供給部，該沖洗液供給部在由上述清洗液供給部供給清洗液之后，且在由上述惰性氣體供給部供給惰性氣體之前，向基板上供給沖洗液。
12.如權(quán)利要求11所述的基板處理裝置，其特征在于，上述惰性氣體供給部，以使由上述沖洗液供給部供給到基板上的沖洗液從基板上的中心部向外側(cè)移動(dòng)來使上述沖洗液從基板上排除的方式，供給惰性氣體。
13.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理部包括藥液處理單元，其對(duì)基板進(jìn)行藥液處理；熱處理單元，其對(duì)基板進(jìn)行熱處理。
14.一種基板處理方法，是在相鄰于曝光裝置而配置的、具有處理部、搬送裝置以及第一處理單元的基板處理裝置中對(duì)基板進(jìn)行處理的方法，其特征在于，包括通過上述處理部對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定的處理的工序；通過上述搬送裝置將由上述處理部處理過的基板搬送到上述曝光裝置的工序；通過上述搬送裝置將從上述曝光裝置搬出的基板搬送到上述第一處理單元的工序；通過上述第一處理單元對(duì)基板進(jìn)行干燥的工序；通過上述搬送裝置將由上述第一處理單元干燥過的基板搬送到上述處理部的工序。
15.如權(quán)利要求14所述的基板處理方法，其特征在于，在通過上述搬送裝置將基板搬送到上述第一處理單元的工序之后，且在由上述第一處理單元對(duì)基板進(jìn)行干燥的工序之前，還包括由上述第一處理單元對(duì)基板進(jìn)行清洗的工序。
16.一種基板處理裝置，相鄰于曝光裝置而配置，其特征在于，具有處理部，其用于對(duì)基板進(jìn)行處理；交接部，其用于在上述處理部和上述曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接，上述處理部包括通過向基板供給含有液體以及氣體的混合流體的流體噴嘴而對(duì)基板進(jìn)行清洗的第一處理單元，上述交接部包括在上述處理部和上述曝光裝置之間搬送基板的搬送裝置，上述搬送裝置將從上述曝光裝置搬出的基板搬送到上述第一處理單元。
17.如權(quán)利要求16所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第一處理單元通過從上述流體噴嘴向基板供給含有惰性氣體以及清洗液的混合流體，對(duì)基板進(jìn)行清洗處理。
18.如權(quán)利要求16所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第一處理單元，在對(duì)基板進(jìn)行清洗處理之后，對(duì)基板進(jìn)行干燥處理。
19.如權(quán)利要求18所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第一處理單元包括惰性氣體供給部，該惰性氣體供給部通過向基板上供給惰性氣體而對(duì)基板進(jìn)行干燥處理。
20.如權(quán)利要求19所述的基板處理裝置，其特征在于，上述流體噴嘴具有上述惰性氣體供給部的功能。
21.如權(quán)利要求19所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第一處理單元還包括基板保持裝置，其大致水平保持基板；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置，其使由上述基板保持裝置保持的基板以垂直于該基板的軸為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
22.如權(quán)利要求19所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第一處理單元，以使從上述流體噴嘴供給到基板上的混合流體從基板上的中心部向外側(cè)移動(dòng)來使上述混合流體從基板上排除的方式，供給惰性氣體。
23.如權(quán)利要求19所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第一處理單元還包括沖洗液供給部，該沖洗液供給部在從上述流體噴嘴供給混合流體之后，且在由上述惰性氣體供給部供給上述惰性氣體之前，向基板上供給沖洗液。
24.如權(quán)利要求23所述的基板處理裝置，其特征在于，上述流體噴嘴具有上述沖洗液供給部的功能。
25.如權(quán)利要求23所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第一處理單元，以使由上述沖洗液供給部供給到基板上的沖洗液從基板上的中心部向外側(cè)移動(dòng)來使上述沖洗液從基板上排除的方式，供給惰性氣體。
26.如權(quán)利要求16所述的基板處理裝置，其特征在于，上述流體噴嘴具有流通液體的液體流路；流通氣體的氣體流路；與上述液體流路連通并開口的液體噴射口；以及氣體噴射口，其設(shè)置在上述液體噴射口的附近，同時(shí)與上述氣體流路連通并開口。
27.一種基板處理方法，是在相鄰于曝光裝置而配置的、具有處理部、搬送裝置以及第一處理單元的基板處理裝置中對(duì)基板進(jìn)行處理的方法，其特征在于，包括通過上述處理部對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定的處理的工序；通過上述搬送裝置將由上述處理部處理過的基板搬送到上述曝光裝置的工序；通過上述搬送裝置將從上述曝光裝置搬出的基板搬送到上述第一處理單元的工序；在上述第一處理單元中，通過將含有液體以及氣體的混合流體供給到基板的流體噴嘴，對(duì)基板進(jìn)行清洗的工序；通過上述搬送裝置將由上述第一處理單元清洗過的基板搬送到上述處理部的工序。
28.如權(quán)利要求27所述的基板處理方法，其特征在于，在由上述第一處理單元對(duì)基板進(jìn)行清洗的工序之后，且在通過上述搬送裝置將由上述第一處理單元清洗過的基板搬送到上述處理部的工序之前，還包括由上述第一處理單元對(duì)基板進(jìn)行干燥的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板處理裝置以及基板處理方法，基板處理裝置具有分度器部、反射防止膜用處理部、抗蝕膜用處理部、干燥/顯影處理部以及接口部。曝光裝置相鄰于接口部而被配置。干燥/顯影處理部具有干燥處理部。接口部具有接口用搬送機(jī)構(gòu)。在曝光裝置中對(duì)基板進(jìn)行曝光處理之后，通過接口用搬送機(jī)構(gòu)將基板搬送到干燥處理部。在干燥處理部對(duì)基板進(jìn)行清洗以及干燥。
文檔編號(hào)H01L21/677GK1773674SQ20051012044
公開日2006年5月17日 申請(qǐng)日期2005年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月10日
發(fā)明者金山幸司, 柴田修治, 奧村剛, 安田周一, 金岡雅, 宮城聰, 茂森和士 申請(qǐng)人:大日本網(wǎng)目版制造株式會(huì)社