專利名稱：發(fā)光器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常情況下，用作生長(zhǎng)氮化鎵(GaN)的襯底藍(lán)寶石(Al2O3)由于其本身在制造使用氮化鎵的器件時(shí)的非導(dǎo)電性以及低導(dǎo)熱性，使得在制造和驅(qū)動(dòng)上述器件的過(guò)程中產(chǎn)生了很多的問(wèn)題。
為了解決這些問(wèn)題，制造器件時(shí)用LLO(激光剝離)處理去除藍(lán)寶石襯底。為了去除藍(lán)寶石襯底，首先要將氮化鎵薄膜結(jié)合到由具有高傳導(dǎo)性和優(yōu)良導(dǎo)熱性的硅(Si)或者砷化鎵(GaAs)制成的晶片、或金屬板上。
如上所述，如果晶片或者金屬板結(jié)合到GaAs薄膜上，有可能GaAs薄膜會(huì)部分破裂或者在其中產(chǎn)生一些裂紋。
減少氮化鎵薄膜的這種破裂和裂紋的擴(kuò)散的廣泛使用的一種方法是蝕刻氮化鎵薄膜的一部分并將它結(jié)合到藍(lán)寶石的表面上。
然而，由于是在蝕刻以后自然地發(fā)生的步驟，氮化鎵薄膜結(jié)合時(shí)產(chǎn)生空隙。因此常常采用以各種材料對(duì)孔隙進(jìn)行填充并隨后進(jìn)行結(jié)合處理的方法。
圖1a至1e為制造氮化鎵器件的常規(guī)方法的截面示意圖。如圖1a中所示，在藍(lán)寶石襯底10的上表面上形成包括多個(gè)器件的薄膜層11，各器件具有N-GaN層、活性層和P-GaN層。
這里，該器件為如發(fā)光二極管的器件。
之后，薄膜層11經(jīng)選擇性蝕刻，從而該多個(gè)器件11a彼此分離(圖1b)。
這時(shí)，由于蝕刻處理，器件11a之間被蝕刻的區(qū)域變成由器件11a限定和包圍的溝槽20。
隨后，在各該多個(gè)器件11a的頂部形成P金屬層12(圖1c)。
接著，用粘合材料13將載體襯底14結(jié)合于該多個(gè)器件的各頂部上形成的P金屬層12上(圖1d)。
上述載體襯底14由選自包括硅樹脂、砷化鎵、銅或鋁的組中的一種制成。
然后，通過(guò)進(jìn)行LLO處理工序分離藍(lán)寶石襯底10(圖1e)。
這里產(chǎn)生了一個(gè)問(wèn)題，由于開槽20內(nèi)沒有填入粘合材料13，所以，因氮化鎵和空氣之間由LLO處理工序中產(chǎn)生的熱量導(dǎo)致膨脹的熱膨脹系數(shù)不同，如圖1e所示，器件上產(chǎn)生了裂紋25。
圖2a至2h為氮化鎵器件另一種常規(guī)加工方法的截面示意圖。如圖2a中所示，在藍(lán)寶石襯底10的上表面上形成薄膜層11，該薄膜層包括多個(gè)器件，各器件具有N-GaN層、活性層和P-GaN層；這里，該器件為如發(fā)光二極管的器件。
之后，薄膜層11經(jīng)過(guò)選擇性蝕刻，各器件彼此分離開來(lái)，從而在各器件11a之間通過(guò)蝕刻形成溝槽20(圖2b)。
隨后，在各該多個(gè)器件11a的表面上形成P金屬層12，溝槽20由易于去除的材料30進(jìn)行填充(圖2c)。
這里，易于去除的材料30是環(huán)氧樹脂、感光性樹脂、聚酰亞胺和電介質(zhì)中的任何一種。
隨后，在各該多個(gè)器件11a頂部形成的P金屬層12上沉積金屬粘合層33，且在載體襯底35的底部上沉積金屬粘合層34，然后，通過(guò)金屬粘合層33，34之間的粘力將P金屬層12和載體襯底35粘合到一起(圖2d)。
這里，金屬粘合層33，34由熔點(diǎn)約在350℃的AuSn制成。載體襯底35置于P金屬層12的上表面上，而后以高于金屬粘合層33，34的熔點(diǎn)的溫度下熔化，從而P金屬層12和載體襯底35互相結(jié)合在一起。
之后，經(jīng)LLO處理分離藍(lán)寶石襯底10，并除去溝槽20中填充的材料30(圖2e)。
此后，該多個(gè)器件11a和溝槽20進(jìn)行清潔，并通過(guò)蝕刻將各該多個(gè)器件11a部分去除(圖2f)。
這里，該多個(gè)器件11a被去除的區(qū)域?yàn)榕c形成P金屬層12的區(qū)域相對(duì)的器件區(qū)域。
除了該多個(gè)器件11a的頂面被部分去除的部分外，形成裹繞該多個(gè)器件11a并填充溝槽20的鈍化膜18，然后，在該多個(gè)器件11a的頂面沒有形成鈍化膜18的部分上形成N金屬層15(圖2g)。
隨后，經(jīng)過(guò)劃片處理和切斷處理把多個(gè)器件11a彼此分離為件(圖2h)。
圖3a至3h為氮化鎵器件再一種常規(guī)的加工過(guò)程的截面示意圖。在藍(lán)寶石襯底10的上表面上形成包括多個(gè)器件的薄膜層11，各器件具有N-GaN層、活性層和P-GaN層(圖3a)。
之后，如中所示，薄膜層11經(jīng)過(guò)選擇性蝕刻，該多個(gè)器件彼此分離開來(lái)，從而通過(guò)蝕刻在器件11a之間形成溝槽20(圖3b)。
隨后，在各該多個(gè)器件11a的頂部形成P金屬層12，且溝槽20由易于去除的材料30進(jìn)行填充(圖3c)。
這里，易于去除的材料30指的是容易通過(guò)蝕刻處理除去的材料。
上述圖3a至3c所描述的過(guò)程與圖2a至2c所描述的過(guò)程相同。
其后，在該多個(gè)器件11a上形成的填充材料30上和P金屬層12頂部沉積晶種金屬層40(seed metal layer)，再在晶種金屬層40上沉積金屬載體層41(圖3d)。
之后，經(jīng)LLO處理分離藍(lán)寶石襯底10，并除去溝槽20中填充的材料30(圖3e)。
此后，該多個(gè)器件11a和溝槽20被清潔，并通過(guò)蝕刻處理，各該多個(gè)器件11a被部分去除(圖3f)。
這里，該多個(gè)器件11a的被去除的區(qū)域?yàn)榕c形成P金屬層12的區(qū)域相對(duì)的器件區(qū)域。
除了該多個(gè)器件11a的頂面被部分去除的部分外，形成裹繞該多個(gè)器件11a并填充溝槽20的鈍化膜18，然后，在該多個(gè)器件11a頂面沒有形成鈍化膜18的部分上形成N金屬層15(圖3g)。
隨后，經(jīng)過(guò)劃片處理和切斷處理把該多個(gè)器件11a彼此分離成件(圖3h)。
上述圖2a至2h的第二種方法與圖3a至3h的第三種方法所有處理非常相似。與上述第一種方法相比較而言，第二和第三種方法中的溝槽由易于去除的材料進(jìn)行了填充，且金屬層相互粘結(jié)以保證緊密結(jié)合，顯著降低了可能在粘合過(guò)程中產(chǎn)生的細(xì)微空隙的發(fā)生。但是，出現(xiàn)裂紋的問(wèn)題仍然存在。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在解決上述問(wèn)題。因此，本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光器件及其制造方法，其中LLO(激光剝離(laser lift off))處理使用由生長(zhǎng)過(guò)程生成的厚金屬膜，空隙的發(fā)生率因金屬之間的緊密結(jié)合顯著降低，從而可降低裂紋的發(fā)生率。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種發(fā)光器件及其制造方法，其中金屬填充在器件的分離過(guò)程形成的溝槽區(qū)域中，從而保護(hù)該器件并確保了良好的散熱。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種發(fā)光器件及其制造方法，其中在器件形成薄膜層的傾斜側(cè)壁上形成反射膜，從而可以減少通過(guò)部件側(cè)表面的光損失，提高了光性能。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)現(xiàn)目的的第一個(gè)方面，提供了一種發(fā)光器件，包括具有傾斜側(cè)壁，并包括N半導(dǎo)體層、活性層和P半導(dǎo)體層的器件結(jié)構(gòu)；上述器件結(jié)構(gòu)上形成的P電極焊接層(electrode pad layer)；上述P電極焊接層上形成的反射金屬膜；裹繞上述器件結(jié)構(gòu)、P電極焊接層、反射金屬膜和反射金屬膜頂部的一部分的鈍化層；裹繞鈍化層的晶種金屬層；裹繞晶種金屬層和反射金屬膜的金屬層；和在所述器件結(jié)構(gòu)的底部上形成的N電極焊接層。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)現(xiàn)目的的第二個(gè)方面，提供了一種發(fā)光器件，包括金屬層；在上述金屬層上形成的反射金屬膜；在該反射金屬膜上形成的第一電極焊接層；形成于該第一電極焊接層上，并具有N-GaN層、活性層和P-GaN層的器件形成薄膜；形成于該器件形成薄膜頂部的一部分上的第二電極焊接層；和裹繞該器件形成薄膜及第二電極焊接層側(cè)面的鈍化層。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)現(xiàn)目的的第三個(gè)方面，提供了一種發(fā)光器件的制造方法，包括下列步驟在襯底的上表面上形成包括多個(gè)器件的薄膜層，各器件具有N半導(dǎo)體層、活性層和P半導(dǎo)體層；對(duì)該薄膜層進(jìn)行選擇性蝕刻，從而該多個(gè)器件彼此分離并具有以預(yù)定傾斜角相對(duì)于襯底傾斜的側(cè)壁；隨后在各該多個(gè)器件上形成P電極焊接層和反射金屬膜；形成裹繞器件、P電極焊接層、反射金屬膜和除反射金屬膜的頂部部分外的襯底頂面的鈍化層，并在反射金屬膜透過(guò)鈍化層暴露的頂部部分上和鈍化層上形成晶種金屬層；在晶種金屬層上沉積金屬層；通過(guò)LLO(激光剝離)處理將襯底與器件分離；局部蝕刻并去除器件、鈍化層、晶種金屬層和金屬層與襯底接觸的區(qū)域；在各器件底部形成N電極焊接層；經(jīng)切割過(guò)程將各器件彼此分離。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)現(xiàn)目的的第四個(gè)方面，提供了一種發(fā)光器件的制造方法，包括以下步驟在襯底的上表面上形成包括多個(gè)器件的薄膜層，各器件具有N-GaN層、活性層和P-GaN層；在薄膜層上順序沉積P金屬層、反射金屬膜和金屬層；通過(guò)LLO(激光剝離)處理將襯底與薄膜層分離；對(duì)薄膜層進(jìn)行選擇性蝕刻以將各器件彼此分離；在各該多個(gè)器件上形成N金屬層，并形成裹繞該多個(gè)器件的鈍化層；及經(jīng)由切割處理將各器件彼此分離。


本發(fā)明上述和其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對(duì)優(yōu)選實(shí)施方式的說(shuō)明將更為清楚，附圖中圖1a至1e為氮化鎵器件常規(guī)制造方法的截面示意圖。
圖2a至2h為氮化鎵器件另一種常規(guī)制造方法的截面示意圖。
圖3a至3h為氮化鎵器件再一種常規(guī)制造方法的截面示意圖。
圖4a至4i為本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光器件制造過(guò)程的截面示意圖。
圖5為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例所制造的發(fā)光器件截面圖。
圖6a至6f為本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光器件制造過(guò)程的截面示意圖。
具體實(shí)施例方式
下文中將參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖4a至4i為本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光器件制造過(guò)程的截面示意圖。在藍(lán)寶石襯底100的上表面上形成的包括多個(gè)器件的薄膜層110，各器件具有N-GaN層、活性層和P-GaN層(圖4a)。
這里，薄膜層110的結(jié)構(gòu)與N-GaN層、活性層和P-GaN層一層壓一層的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)相同。
此外，上述包括各具有N-GaN層、活性層和P-GaN層的多個(gè)器件的薄膜層110可以在藍(lán)寶石襯底100或其它材料制成的襯底上形成。
隨后，如圖4b所示，對(duì)薄膜層110進(jìn)行選擇性蝕刻，從而多個(gè)器件111彼此分離，并具有各以預(yù)定的角度(α)相對(duì)于藍(lán)寶石襯底100傾斜的側(cè)壁。
經(jīng)過(guò)圖4b所示的分離過(guò)程，該多個(gè)器件111互相分離，且蝕刻的區(qū)域形成溝槽。
優(yōu)選傾斜角(α)范圍是45度至65度。
與垂直切割面相比，這種器件的傾斜切割面有助于材料膜的生長(zhǎng)。
此外，如果從光學(xué)的角度考慮在器件的傾斜蝕刻面上形成反射膜，則反射膜在該蝕刻面上形成可得到傾斜的反射膜。
因此，從該器件所發(fā)射的光經(jīng)由該反射膜反射而后在器件上方射出。
于是，由于本發(fā)明可以減少側(cè)面的光損失，故而提高了光性能。
即，如圖4b所示，優(yōu)選該器件具有N半導(dǎo)體層寬于P半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)。
接著，在各該多個(gè)器件表面上順序形成電極焊接層120和反射金屬膜130(圖4c)。
這里，P電極焊接層120形成于薄膜層110的P-GaN層的頂部上。
這時(shí)，為了確保電阻性接觸，P電極焊接層120由選自包括Ni/Au、Ru/Au、ITO、Pd/Au和Pd/Ni的組的任何一種制成。
這里，Ni/Au指Ni層和Au層順序上下疊加的電極焊接點(diǎn)。
另外，反射金屬膜130由包括鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)和銠(Rh)中的至少一種的合金制成。
隨后，除反射金屬膜130頂部的部分以外，形成鈍化層140以裹繞器件111、P電極焊接點(diǎn)120、反射金屬膜130和藍(lán)寶石襯底100的上表面，且晶種金屬層150形成在反射金屬膜頂部通過(guò)鈍化層140暴露的部分上和鈍化層140上(圖4d)。
鈍化層140由二氧化硅(SiO2)或四氮化三硅(Si3N4)制成，或者HR(高反射)材料，如二氧化鈦(TiO2)、氮化硅(SiN)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鉭(Ta2O3)等，制成。
采用HR膜的鈍化不僅保護(hù)器件，而且在絕緣器件的同時(shí)反射光，從而降低了光學(xué)器件的光損失。
另外，晶種金屬層150由鉭(Ta)、鈦鎢(TiW)、鉭鎢(TaW)、銅(Cu)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、金(Au)和鉻(Cr)中的任何一種制成。
此外，晶種金屬層150生長(zhǎng)為具有30-300μm的厚度，比其它金屬層相對(duì)厚些，以便保護(hù)分離的器件免受LLO處理中產(chǎn)生的應(yīng)力的影響，并利于散熱。
隨后，在晶種金屬層150上沉積金屬層160(圖4e)。
之后，通過(guò)LLO處理，將藍(lán)寶石襯底100與器件分離(圖4f)。
因而，在圖4f所示的過(guò)程中，金屬層160填充于各個(gè)器件之間的下凹區(qū)域，即溝槽區(qū)域中。
其后，對(duì)器件111、鈍化層140、晶種金屬層150和金屬層160與藍(lán)寶石襯底100接觸的區(qū)域進(jìn)行蝕刻并局部去除(圖4g)。
隨后，在各器件111上形成N電極焊接層170(圖4h)。
最后，經(jīng)過(guò)如劃片處理和切斷處理的切割過(guò)程將各器件111彼此分離開來(lái)(圖4i)。
如圖5所示，通過(guò)進(jìn)行上述方法按照本發(fā)明的第一實(shí)施例制造的發(fā)光器件包括具有傾斜的側(cè)壁并包括N半導(dǎo)體層、活性層和P半導(dǎo)體層的器件結(jié)構(gòu)112；形成于上述器件結(jié)構(gòu)112上的P電極焊接層120；形成于P電極焊接層120上的反射金屬膜130；裹繞器件結(jié)構(gòu)112、P電極焊接層120、反射金屬膜130和反射金屬膜頂部的一部分的鈍化膜140；裹繞鈍化層140的晶種金屬層150；裹繞晶種金屬層150和反射金屬膜130的金屬層160；和形成于上述器件結(jié)構(gòu)112的底部上的N電極焊接層170。
優(yōu)選半導(dǎo)體層為為氮化鎵(GaN)層。
此外，優(yōu)選鈍化層140具有距所述器件結(jié)構(gòu)、P電極焊接層和反射金屬膜的側(cè)面的預(yù)定厚度。
圖6a至6f為按照本發(fā)明第二實(shí)施例發(fā)光器件制造方法的截面示意圖。在藍(lán)寶石襯底100的上表面上形成包括多個(gè)器件的薄膜層110，各器件具有N-GaN層、活性層和P-GaN層構(gòu)成(圖6a)。
之后，薄膜層110上相繼沉積作為P電極焊接層的P金屬層210、反射金屬膜220和金屬層230(圖6b)。
隨后，經(jīng)過(guò)LLO處理藍(lán)寶石襯底100與薄膜層110分離(圖6c)。
其后，對(duì)薄膜層110進(jìn)行選擇性蝕刻，使得該多個(gè)器件彼此分離(圖6d)。
此時(shí)，在圖6c和圖6d所示的過(guò)程之間，優(yōu)選進(jìn)行清潔處理。
隨后，在各該多個(gè)器件111上形成作為N電極焊接層的N金屬層170，并形成裹繞該多個(gè)器件111的鈍化層180(圖6e)。
這里，鈍化層180形成在除N金屬170之外的暴露區(qū)域上，且N金屬層170透過(guò)鈍化層180暴露。
最后，通過(guò)劃片處理和分?jǐn)嗵幚韺⒏髌骷?11彼此分離(圖6f)。
因此，通過(guò)進(jìn)行上述方法的本發(fā)明的第二實(shí)施例制造的發(fā)光器件包括金屬層230；形成于金屬層230上的反射金屬膜220；，形成于上述反射金屬膜220上的第一電極焊接層210；形成于第一電極焊接層上，具有N-GaN層、活性層和P-GaN層的器件形成薄膜111；形成器件形成薄膜頂部的一部分的第二電極焊接層170；和裹繞上述器件形成薄膜和第二電極焊接層側(cè)面的鈍化層180。
如上所述，本發(fā)明的發(fā)光器件具有如下優(yōu)點(diǎn)1)金屬填充在器件的分離過(guò)程所形成的溝槽區(qū)域中，從而器件可受到保護(hù)，并且具有較之傳統(tǒng)方法更優(yōu)良的散熱性。
2)由于LLO(激光剝離)處理采用由生長(zhǎng)過(guò)程生長(zhǎng)的厚金屬膜，而不是兩種異質(zhì)襯底的結(jié)合，故由于金屬間的緊密結(jié)合顯著降低了空隙的發(fā)生率，從而降低了裂紋的發(fā)生率。
3)在器件分離過(guò)程中器件的薄膜層的側(cè)壁形成為傾斜，故很容易在該器件的薄膜層的側(cè)壁上生長(zhǎng)另外的材料，且由于該器件的薄膜層的傾斜的切割平面可顯著降低光損失。
4)由于不需要額外的粘合過(guò)程，整個(gè)加工工藝可得到簡(jiǎn)化。
5)由于不需要用其它材料來(lái)填充器件間的蝕刻區(qū)域，整個(gè)加工工藝可得到簡(jiǎn)化。
如前文所述，本發(fā)明還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，用金屬填充在器件分離過(guò)程形成的溝槽區(qū)中，從而可保護(hù)器件并可確保優(yōu)良的散熱。
此外，本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，反射膜形成于器件形成薄膜的傾斜側(cè)壁上，故而可減少通過(guò)器件側(cè)面的光損失，以提高光性能。
雖然本發(fā)明是結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行描述和說(shuō)明的，但本發(fā)明并不僅限于這些實(shí)施例。本領(lǐng)域中的技術(shù)人員完全可以理解，在不背離本發(fā)明技術(shù)范圍和精神的情況下，可對(duì)本發(fā)明作出各種相應(yīng)修改和變化，因此顯而易見，這些修改和變化都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求確定的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括具有傾斜側(cè)壁，并包括N半導(dǎo)體層、活性層和P半導(dǎo)體層的器件結(jié)構(gòu)；形成于該器件結(jié)構(gòu)上的P電極焊接層；形成于上述P電極焊接層上的反射金屬膜；裹繞上述器件結(jié)構(gòu)、P電極焊接層、反射金屬膜及反射金屬膜頂部一部分的鈍化層；裹繞鈍化層的晶種金屬層；裹繞晶種金屬層和反射金屬膜的金屬層；以及形成于所述器件結(jié)構(gòu)底部的N電極焊接層。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述器件結(jié)構(gòu)側(cè)壁的傾斜角度在45度至65度的范圍內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，P電極焊接層由選自包括Ni/Au、Ru/Au、ITO、Pd/Au和Pd/Ni的組中的任何一種形成。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，反射金屬膜由包括Al、Ag、Au、Cu和Rh中的至少一種的合金制成。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述器件結(jié)構(gòu)為N半導(dǎo)體層寬于P半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述鈍化層由SiO2、Si3N4、TiO2、SiN、Al2O3或Ta2O3中任何一種制成。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，鈍化層形成為從所述器件結(jié)構(gòu)、P電極焊接層和反射金屬膜的側(cè)面起具有規(guī)定的厚度。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，晶種金屬層的厚度在30-300μm的范圍內(nèi)。
9.一種發(fā)光器件，包括金屬層；反射金屬膜，形成于上述金屬層上；第一電極焊接層，形成于上述反射金屬膜上；器件形成薄膜，形成于上述第一電極焊接層上，并具有N-GaN層、活性層和P-GaN層；第二電極焊接層，形成于器件形成薄膜頂部的一部分上；以及鈍化層，裹繞上述器件形成薄膜和第二電極焊接層的側(cè)面。
10.一種發(fā)光器件的制造方法，包括以下步驟在襯底的頂部表面上形成包括多個(gè)器件的薄膜層，各器件具有N半導(dǎo)體層、活性層和P半導(dǎo)體層；對(duì)薄膜層進(jìn)行選擇性蝕刻將多個(gè)器件彼此分離，該多個(gè)器件具有各以相對(duì)于襯底的預(yù)定角度傾斜的側(cè)壁；在各該多個(gè)器件上順序形成P電極焊接層和反射金屬膜；形成裹繞該器件、P電極焊接層、反射金屬膜和襯底的除反射金屬膜的頂部以外的頂部表面的鈍化層，并在反射金屬膜的頂部透過(guò)鈍化層暴露的部分上和鈍化層上形成晶種金屬層；在晶種金屬層上鍍上金屬層；通過(guò)LLO處理將襯底與器件分離；局部蝕刻，去除器件、鈍化層、晶種金屬層以及金屬層與襯底接觸的部分；在各器件的底部上形成N電極焊接層；以及通過(guò)切割處理將各個(gè)器件彼此分離。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，器件結(jié)構(gòu)為N半導(dǎo)體層寬于P半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，器件側(cè)壁的傾斜角度在45度至65度的范圍內(nèi)。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層由氮化鎵形成。
14.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述襯底為藍(lán)寶石襯底。
15.一種發(fā)光器件的制造方法，其步驟包括在襯底的頂部表面上形成包括多個(gè)器件的薄膜層，各器件具有N-GaN層、活性層和P-GaN層；在該薄膜層上順序沉積P金屬層、反射金屬膜和金屬層；通過(guò)LLO處理將襯底與薄膜層分離；對(duì)薄膜層進(jìn)行選擇性蝕刻，將各器件彼此分離；在各該多個(gè)器件上形成N金屬層并形成裹繞該多個(gè)器件的鈍化層；以及經(jīng)過(guò)切割將各個(gè)器件彼此分離。
全文摘要
本發(fā)明的發(fā)光器件及其制造方法的優(yōu)點(diǎn)在于，由于LLO(激光剝離)處理中使用由生長(zhǎng)方法得到的厚金屬膜，空隙的發(fā)生率因金屬之間的緊密結(jié)合而顯著降低，從而可以降低裂紋的發(fā)生率。另外，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，用金屬填充在由器件分離處理形成的溝槽區(qū)中，從而保護(hù)了器件并確保了良好的散熱。本發(fā)明進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)在于，反射膜形成于器件形成薄膜層的傾斜側(cè)壁上，從而可以減少器件側(cè)面的光損失，提高了光性能。
文檔編號(hào)H01L33/42GK1790757SQ20051011563
公開日2006年6月21日 申請(qǐng)日期2005年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月8日
發(fā)明者李賢宰, 河俊碩 申請(qǐng)人:Lg電子有限公司