專利名稱：采用斜坡型激光束的硅結(jié)晶方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及硅結(jié)晶的方法，特別涉及一種采用具有斜坡型橫截面的激光的硅結(jié)晶方法。
背景技術(shù)：
由于液晶顯示器件輕、薄、短、小并且具有突出的便攜性因此得到廣泛的應(yīng)用。隨著視頻顯示器件對于高速操作特性需求的提高，對于具有高速操作特性的視頻顯示器件的研究工作正在不斷進步。
當(dāng)前正在進行高速液晶視頻顯示器件的研究工作。多數(shù)研究工作集中于決定液晶顯示器件操作特性的開關(guān)器件的操作速度的改進上。
通常薄膜晶體管(TFT)用作液晶顯示器件的開關(guān)器件。該TFT的操作速度主要取決于構(gòu)成溝道的硅薄膜的性能。
典型地，使用非晶硅作為TFT的溝道層。非晶硅具有弱電遷移率。因此，正在進行應(yīng)用和傳統(tǒng)非晶硅比具有幾十倍到幾百倍的高電遷移率的多晶硅的研究。
多晶硅具有最多100cm2/Vsec的電遷移率，并因此和具有0.1cm2/Vsec到0.2cm2/Vsec的非晶硅比較具有非常好的操作速度。
形成多晶硅的通常方法包括結(jié)晶非晶硅薄膜。結(jié)晶非晶硅薄膜的實施例包括在爐中加熱非晶硅。但是，該方法的問題在于結(jié)晶速度很慢。而且，使用玻璃基板作為液晶顯示器件的基板，并因為玻璃基板在高于600℃的溫度會發(fā)生變形，在高于600℃的溫度執(zhí)行結(jié)晶的加熱方法不能用于采用玻璃作為基板的結(jié)晶非晶硅。
為了克服這個問題，發(fā)明了激光結(jié)晶的方法。該激光結(jié)晶的方法包括通過向小區(qū)域照射高強度的激光瞬態(tài)熔融非晶硅層來實現(xiàn)結(jié)晶。
激光結(jié)晶方法允許在低于玻璃轉(zhuǎn)化溫度的溫度進行結(jié)晶。將參照圖1簡單說明采用激光結(jié)晶的方法進行非晶硅的結(jié)晶。
圖1所示為照射在非晶硅上的激光能量密度和產(chǎn)生的結(jié)晶顆粒尺寸之間的關(guān)系曲線。如圖1所示，非晶硅的結(jié)晶根據(jù)入射激光能量的強度可以分為第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域。
第一區(qū)域為局部熔融區(qū)域，照射在非晶硅上的激光能力強度僅熔融了非晶硅層的表面。在照射后，在第一區(qū)域該非晶硅的表面部分熔融，從而在結(jié)晶工序后在非晶硅的表面上形成小晶粒。
第二區(qū)域為接近完全熔融區(qū)，該激光能量的強度高于第一區(qū)域的激光能量，并幾乎能完全熔融該非晶硅。在幾乎完全熔融后，該剩余的晶核用作晶體生長的籽晶，從而形成和第一區(qū)域比較具有增加的晶體生長的晶粒。但是，形成在第二區(qū)的晶粒不均勻。第二區(qū)域比第一區(qū)還要窄。
第三區(qū)域為完全熔融區(qū)，從而照射和第二區(qū)域比較具有增加強度的激光能量以完全熔融非晶硅層。在完全熔融非晶硅層后，通過冷卻步驟執(zhí)行結(jié)晶工序，使其同質(zhì)成核，從而形成由細致而且均勻的晶粒形成的多晶硅層。
在多晶硅的制造方法中，通過采用第二區(qū)域的能量密度控制激光束的數(shù)量和交迭度以形成均勻大而且粗糙的晶粒。
通常使用受激準(zhǔn)分子激光器作為光源并且激光強度在圖1的第二區(qū)域內(nèi)的結(jié)晶方法以下稱之為準(zhǔn)分子激光退火(ELA)。
在采用ELA方法的結(jié)晶工序中，由于強烈的激光直接照射在非晶硅層的表面但是相對較弱的激光照射在非晶硅層的下部，該表面完全熔融，但是下部沒有完全熔融。因此該沒有熔融的硅用作籽晶并圍繞籽晶開始進行結(jié)晶；因此形成大小不一的晶體。
另一方面，如果照射在硅層上的激光能量強度到達第三區(qū)域，在照射區(qū)域的非晶硅完全熔融，并且不存在晶體可以圍繞其生長的晶核。
其后，隨著冷卻在非晶硅內(nèi)隨意形成晶核，并且晶體圍繞晶核生長。因此，形成的晶粒形狀很小。
但是，如果在完全熔融區(qū)通過采用激光并利用具有特定尺寸的激光掩模執(zhí)行結(jié)晶，則沒有熔融的非晶硅層用作籽晶，并橫向結(jié)晶。當(dāng)通過采用具有開口的激光掩模將激光照射在非晶硅層上時，因為位于側(cè)面的固態(tài)非晶硅層比非晶硅層下面的絕緣層具有更高的熱導(dǎo)率，因此在激光照射完成后兩個側(cè)面也就是沒有受到激光照射的非晶硅層馬上冷卻。
因此，由激光能量熔融的非晶硅通過采用在其側(cè)面未熔融的非晶硅作為晶核經(jīng)歷晶粒生長。此時，晶粒在橫向方向上以規(guī)則圖形結(jié)晶。因此，該橫向生長的結(jié)晶材料在中心產(chǎn)生一個晶界以形成大晶粒。
因為晶粒橫向生長將上述結(jié)晶方法稱為連續(xù)橫向結(jié)晶(SLS)。該橫向生長晶粒的尺寸通常為1-2μm。
然而通過通常激光退火產(chǎn)生的晶粒為幾十mm，通過上述SLS結(jié)晶獲得的晶粒尺寸為幾μm。因此，具有上述晶粒尺寸的多晶硅適用于實現(xiàn)大電子遷移率的開關(guān)器件中。
在考慮通過連續(xù)橫向結(jié)晶生長的最大晶粒尺寸時，如果在兩個側(cè)面執(zhí)行連續(xù)橫向結(jié)晶，則可以獲得晶粒僅有一個晶界的結(jié)晶體，并且結(jié)晶尺寸較大。
圖2所示為在側(cè)面橫向結(jié)晶并在形成于中心的一個晶界相遇的SLS結(jié)晶硅。
但是，因為在一個基板上具有液晶顯示器件的驅(qū)動元件和像素元件的整體型液晶顯示器件的發(fā)展，因此對于制造具有快速操作特性的多晶硅的需求應(yīng)運而生。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種采用斜坡型激光束進行硅結(jié)晶的方法，它能夠基本上消除由現(xiàn)有技術(shù)的限制和不足引起的一個或多個問題。
本發(fā)明的優(yōu)點在于在制造用于高速操作的液晶顯示器件中通過連續(xù)橫向結(jié)晶執(zhí)行結(jié)晶的同時增加要生長的多晶硅的尺寸。具體地，本發(fā)明的優(yōu)點在于通過采用斜坡型激光束執(zhí)行連續(xù)橫向結(jié)晶提高了單位時間的結(jié)晶速度，該斜坡型激光束具有用于連續(xù)橫向結(jié)晶的激光束的傾斜上沿剖面(ramp upper endprofile)。
本發(fā)明的附加優(yōu)點和特征將在后面的描述中得以闡明，通過以下描述，將使它們在某種程度上顯而易見，或者可通過實踐本發(fā)明來認識它們。本發(fā)明的這些目的和優(yōu)點可通過書面描述及其權(quán)利要求以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和得到。
為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點，按照本發(fā)明的目的，作為具體和廣義的描述，一種結(jié)晶方法，包括在基板上形成非晶硅層；通過由具有沿掃描方向降低的斜坡型橫截面的激光束照射非晶硅層形成第一結(jié)晶區(qū)域；以及通過在掃描方向上移動預(yù)定長度以與由第一結(jié)晶形成的第一結(jié)晶區(qū)域局部重疊執(zhí)行第二結(jié)晶。
本發(fā)明的另一方面，一種制造液晶顯示器件的方法，包括在基板上形成非晶硅層；第一結(jié)晶步驟，通過由具有沿掃描方向上降低的斜坡型橫截面的激光束照射非晶硅層形成不對稱的第一結(jié)晶區(qū)域；以及第二結(jié)晶步驟，通過沿掃描方向移動激光束照射激光束以重疊部分第一結(jié)晶區(qū)域；并通過重復(fù)第一結(jié)晶步驟和第二結(jié)晶步驟結(jié)晶整個非晶硅層。
應(yīng)當(dāng)理解，不僅前面的一般描述而且下面對本發(fā)明的詳細描述都是示例性和說明性的，其意欲對如權(quán)利要求書所述的本發(fā)明提供進一步說明。


所附的附圖被包括用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并結(jié)合構(gòu)成說明書的一部分，示出本發(fā)明的各種實施方式，而且與下面的描述一起用來說明本發(fā)明的原理。在附圖中圖1所示為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的激光能量密度和晶體生長顆粒尺寸之間關(guān)系的曲線圖；圖2所示為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)通過連續(xù)橫向結(jié)晶進行硅結(jié)晶的平面圖；圖3所示為根據(jù)本發(fā)明的激光束的截面圖；圖4所示為根據(jù)本發(fā)明通過激光束對硅進行連續(xù)橫向結(jié)晶的平面圖；圖5所示為根據(jù)本發(fā)明的激光結(jié)晶方法的圖形；以及圖6A和6B所示為用于比較傳統(tǒng)方法的生產(chǎn)率和本發(fā)明結(jié)晶方法的生產(chǎn)率的結(jié)晶方法的圖形。
具體實施例方式
現(xiàn)在，詳細說明本發(fā)明的各種優(yōu)選實施方式，其實施例示出在附圖中。
通過連續(xù)橫向結(jié)晶方法結(jié)晶的硅橫向形成微米尺寸的大晶粒。因此，如果將連續(xù)橫向結(jié)晶硅層用于薄膜晶體管或者其他，則可以實現(xiàn)具有單晶粒的溝道層。為了優(yōu)化本發(fā)明的結(jié)晶方法，在執(zhí)行連續(xù)橫向結(jié)晶時，通過采用一次激光照射增加生長晶體的尺寸來減少結(jié)晶整個硅層的周期。為此，用于本發(fā)明的激光束具有斜坡型截面。
用于連續(xù)橫向結(jié)晶的激光完全熔融該激光照射的非晶硅層，在采用具有完全熔融區(qū)能量密度的激光執(zhí)行結(jié)晶時，激光強度越高，橫向生長的晶粒尺寸就越大。
本發(fā)明的特征在于利用上述現(xiàn)象通過在非晶硅層上采用具有斜坡型截面的激光束非對稱地執(zhí)行連續(xù)橫向結(jié)晶。即，因為激光束具有斜坡型截面因此一側(cè)比另一側(cè)具有更強的激光密度，并且由強激光照射的硅層結(jié)晶相對更長時間并且因此晶粒變得更大。
通過采用較長的晶粒作為單位晶粒重復(fù)執(zhí)行結(jié)晶可以減少整個結(jié)晶所花費的時間。
參照圖3和圖4，將詳細說明根據(jù)本發(fā)明的連續(xù)橫向結(jié)晶的方法。
圖3所示為用于本發(fā)明的具有非對稱寬度截面的激光束的截面圖；圖3所示的X軸為對應(yīng)于用于本發(fā)明的線性激光束的寬度方向，而Y軸表示激光束的能量密度。
如圖3所示，該激光束具有斜坡型截面。
斜坡沿激光束移動的掃描方向逐漸降低。最小激光束強度Y1處于完全熔融區(qū)中。因此，單位照射中的全部激光束強度都處于完全熔融區(qū)中。因為如果激光強度高于熔融硅層的溫度時，該硅層蒸發(fā)，從而不能結(jié)晶，所以該激光束的最大強度Y2低于使硅層蒸發(fā)的強度。
如圖4所示，在采用具有開口的掩模作為過濾器將斜坡型激光束照射硅層時，則可以獲得非對稱橫向生長的多晶硅。
該多晶硅可以分為第一連續(xù)橫向多晶硅區(qū)域601和晶粒尺寸小于第一連續(xù)橫向多晶硅區(qū)域601的第二連續(xù)橫向多晶硅區(qū)域602。
第一連續(xù)橫向多晶硅區(qū)域601為由較大強度的激光束部分進行照射的區(qū)域，而第二連續(xù)橫向多晶硅區(qū)域602為由較小強度的激光束部分進行照射的區(qū)域。即，由較強激光束照射的第一連續(xù)橫向多晶硅區(qū)域601具有比由較弱激光束照射的第二連續(xù)橫向多晶硅區(qū)域602更大的晶粒尺寸。
連續(xù)橫向結(jié)晶為晶體從硅中由于沒有受到激光照射而未熔融的側(cè)面開始生長從而在中心形成一晶界的結(jié)晶方法。
隨后，當(dāng)具有較強強度的激光能量照射非晶硅時，用于結(jié)晶的時間延長并因此獲得相對較大的晶體。
然后，通過將基板或者激光移動稍小于第一橫向結(jié)晶區(qū)域的長度來執(zhí)行第二結(jié)晶。晶體跟隨第一橫向結(jié)晶區(qū)域之后繼續(xù)橫向生長，從而產(chǎn)生大晶粒。即，通過分步移動激光束執(zhí)行額外激光束的照射使得某些部分和前面的結(jié)晶區(qū)域重疊。
在本發(fā)明中，由于激光束具有斜坡型截面，由單次激光照射結(jié)晶的硅的尺寸相對較大，從而減少了用于整個基板結(jié)晶的時間。
參照圖5，將詳細說明本發(fā)明的結(jié)晶工序。
圖5示出具有斜坡型截面的激光束701、用于過濾照射在基板上激光束的掩模702，以及通過激光束結(jié)晶的區(qū)域。
通過激光產(chǎn)生器形成該激光束。隨著該激光產(chǎn)生器沿掃描方向移動，或者在固定激光產(chǎn)生器的情況基板沿與掃描方向相反的反向移動，可以結(jié)晶基板上的非晶硅。在該實施方式中，出于解釋的目的假設(shè)該激光產(chǎn)生器沿掃描方向移動。
首先，如圖5所示，設(shè)置激光束產(chǎn)生器使得該激光束701的斜坡型部分沿掃描方向逐漸下降，并且將該激光束通過位于激光產(chǎn)生器的投影透鏡的外側(cè)的掩模702照射在基板上。
通過第一激光脈沖形成第一橫向結(jié)晶區(qū)域703a和第二橫向結(jié)晶區(qū)域703b。因此，通過采用側(cè)面的非晶硅作為晶體生長的籽晶沿著向中心的方向發(fā)生橫向結(jié)晶，并且晶界形成于第一激光脈沖中心的右側(cè)，從而實現(xiàn)連續(xù)橫向結(jié)晶。因此，該第一橫向結(jié)晶區(qū)域703a比第二橫向結(jié)晶區(qū)域703b相對更大。其原因在于該基板區(qū)域受到斜坡型激光束的不同能量照射。
接下來，在將激光產(chǎn)生器移動小于第一橫向結(jié)晶區(qū)域長度W的預(yù)定長度后照射第二激光脈沖。
因此，覆蓋了第一橫向結(jié)晶區(qū)域703a的某些部分(圖5的區(qū)域S)，從而再次完成了結(jié)晶。此時，由于以第一橫向結(jié)晶區(qū)域703a作為籽晶，所以在第一橫向結(jié)晶區(qū)域后進行結(jié)晶，從而形成較大晶粒。
通過重復(fù)所述的激光脈沖執(zhí)行橫向結(jié)晶可以獲得具有僅沿著一個方向生長的晶粒的接近單個的橫向晶體。
因為通過具有斜坡型截面的激光束形成橫向晶體相對較大，即，可以減少結(jié)晶整個基板所需的時間，從而提高生產(chǎn)率。
參照圖6A和圖6B，將說明通過本發(fā)明的結(jié)晶方法提高結(jié)晶速度的程度。
圖6A所示為采用具有傳統(tǒng)的均勻橫截面的激光的結(jié)晶方法(以下，稱之為均勻截面)。
參照圖6A，在通過采用具有均勻截面的激光束照射第一激光脈沖時，形成具有同樣尺寸的第一橫向結(jié)晶區(qū)域801a和第二橫向結(jié)晶區(qū)域801b。如果第一照射結(jié)晶的總長度為A，則第一和第二橫向結(jié)晶區(qū)域為A/2。
接下來，通過重疊預(yù)定區(qū)域(圖6A的O)照射第二激光脈沖。因此，在第一橫向結(jié)晶區(qū)域801a之后進一步形成結(jié)晶，從而獲得尺寸為A/2+B的橫向結(jié)晶(B為由第一次照射形成的結(jié)晶長度減去第二次照射重疊區(qū)域的長度)。通過重復(fù)上述方法可以獲得總長度為L的多晶硅。
此時，區(qū)域B的長度為A/2*f。f為沒有被第二脈沖重疊的長度與由第一脈沖結(jié)晶的長度A/2的比值(0＜f＜1)。即，B＝A/2*f。
在關(guān)于總長度L重復(fù)結(jié)晶時，照射的總數(shù)量等于由B除總長度所得的值。
即，該脈沖總數(shù)＝L/B＝L/(A/2*f)。
相反，參照圖6B，在通過具有斜坡型界橫截面的激光束執(zhí)行結(jié)晶的本發(fā)明的結(jié)晶方法中，通過第一激光脈沖形成相對較長的第一橫向結(jié)晶區(qū)域802a和第二橫向結(jié)晶區(qū)域802b。
該第一橫向結(jié)晶區(qū)域的長度為A/2+C。這里，A為由第一激光照射結(jié)晶的總長度，而C為通過本發(fā)明的方法變長的本發(fā)明的橫向結(jié)晶區(qū)域的長度。
接下來，重疊第一橫向結(jié)晶區(qū)域的某些部分(圖6B的O)，并產(chǎn)生第二激光脈沖。
因此，在第一橫向結(jié)晶區(qū)域802a后進一步生長液晶，從而形成具有長度為B’+(A/2+C)的橫向結(jié)晶區(qū)域。
此時，B’為從第一脈沖結(jié)晶的長度減去第二脈沖重疊的長度，即，(A/2+C)-O。換句話說，(A/2+C)*f。這里，f為不與第二脈沖重疊的第一照射區(qū)域的長度和由第一脈沖結(jié)晶的長度A/2+C的比值，f在0＜f＜1范圍內(nèi)。
因此，如果關(guān)于總長度L執(zhí)行上述工序，激光脈沖的數(shù)量等于由B’除總長度所得的值。即，照射以結(jié)晶長度為L的硅層的脈沖數(shù)量等于L/B’＝L/((A/2+C)*f)。
因此，在本發(fā)明的結(jié)晶方法中，和傳統(tǒng)結(jié)晶方法比較脈沖的數(shù)量降低了L/B-L/B’。
通過以下百分數(shù)表示脈沖數(shù)量的降低L/B-L/B′L/B*100=LA2*f-L(A2+C)*fLA2*f*100=2CA+2C*100]]>此外，由以上表達式得到的脈沖減少百分比如下


因此，根據(jù)通過第一激光脈沖增加的結(jié)晶的長度C結(jié)晶時間的降低最高可達50％。
以下，將簡單說明采用本發(fā)明的結(jié)晶方法制造液晶顯示器的方法。在基板上形成緩沖層，然后在該緩沖層上形成非晶硅層。接下來，形成多晶硅薄膜晶體管可以包括步驟為采用本發(fā)明的結(jié)晶方法結(jié)晶非晶硅；通過構(gòu)圖多晶硅層形成有源層；通過等離子體化學(xué)汽相沉積方法等在有源層上形成柵絕緣層；在柵絕緣層上形成柵極；通過采用柵極作為掩模向有源層注入雜質(zhì)離子形成源區(qū)和漏區(qū)；在有源層上形成間層絕緣層；通過在間層絕緣層上涂敷導(dǎo)電層并對其構(gòu)圖形成源極和漏極；在源極和漏極上形成鈍化層；在鈍化層上形成連接到漏極的像素電極。
上述的結(jié)晶方法可以應(yīng)用于諸如CMOS的驅(qū)動元件的結(jié)構(gòu)以及薄膜晶體管的制造中。
因此，本發(fā)明不必向傳統(tǒng)的結(jié)晶方法添加任何新工序通過連續(xù)橫向結(jié)晶來減少整個硅層的結(jié)晶時間從而提高生產(chǎn)率。此外，由于使用了經(jīng)受連續(xù)橫向結(jié)晶的硅，因此可以形成具有快速操作特性的驅(qū)動元件。
對于本領(lǐng)域的熟練人員而言，很顯然可以在不脫離本發(fā)明精神或范圍下對本發(fā)明做出各種改進和修改。因此，本發(fā)明旨在涵蓋所有落入所附權(quán)利要求書及其等同物的范圍內(nèi)的對本發(fā)明的改進和修改。
權(quán)利要求
1.一種結(jié)晶方法，包括在基板上形成非晶硅層；通過由具有沿掃描方向降低的斜坡型橫截面的激光束照射非晶硅層形成第一結(jié)晶區(qū)域；以及通過在掃描方向上移動預(yù)定長度來執(zhí)行第二結(jié)晶，從而與由第一結(jié)晶形成的第一結(jié)晶區(qū)域局部重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光束具有完全熔融照射區(qū)的能量密度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述結(jié)晶方法為連續(xù)橫向結(jié)晶方法。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，激光束的最大能量峰值部分與所述先前結(jié)晶的區(qū)域重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，由一個激光束脈沖形成的激光照射區(qū)域為非對稱的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一激光照射區(qū)域具有第一子區(qū)域和比第一子區(qū)域短的第二子區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述下一激光脈沖與第一連續(xù)橫向結(jié)晶區(qū)域重疊。
8.一種制造液晶顯示器件的方法，包括在基板上形成非晶硅層；第一結(jié)晶步驟，通過由具有沿掃描方向上降低的斜坡型橫截面的激光束照射非晶硅層形成不對稱的第一結(jié)晶區(qū)域；以及第二結(jié)晶步驟，通過沿掃描方向移動激光束來照射激光束，從而重疊部分第一結(jié)晶區(qū)域；并且通過重復(fù)第一結(jié)晶步驟和第二結(jié)晶步驟結(jié)晶整個非晶硅層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一結(jié)晶區(qū)域和第二結(jié)晶區(qū)域由第一連續(xù)橫向結(jié)晶區(qū)域和比第一連續(xù)橫向結(jié)晶區(qū)域短的第二連續(xù)橫向結(jié)晶區(qū)域構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述具有斜坡型橫截面的激光束設(shè)置于具有最大能量峰值的第一區(qū)域和具有最小能量峰值的第二區(qū)域，并且所述第一區(qū)域?qū)?yīng)于第一連續(xù)橫向結(jié)晶區(qū)域并且第二區(qū)域?qū)?yīng)于第二連續(xù)橫向結(jié)晶區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，在所述的第二結(jié)晶步驟中，所述第一區(qū)域和第二結(jié)晶區(qū)域彼此重疊。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，進一步包括通過構(gòu)圖多晶硅層形成有源層；在有源層上形成柵絕緣層；在柵絕緣層上形成柵極；形成連接到有源層的源極和漏極；以及形成連接到漏極的像素電極。
全文摘要
一種結(jié)晶方法，包括在基板上形成非晶硅層；通過由具有沿掃描方向降低的斜坡型橫截面的激光束照射非晶硅層形成第一結(jié)晶區(qū)域；通過在掃描方向上移動預(yù)定長度執(zhí)行第二結(jié)晶以與由第一結(jié)晶形成的第一結(jié)晶區(qū)域局部重疊。
文檔編號H01L21/268GK1783426SQ20051011545
公開日2006年6月7日 申請日期2005年11月3日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月4日
發(fā)明者俞載成 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社