專利名稱：有機電致顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示器件及其制造方法，并尤其涉及有機電致發(fā)光器件(OELD)及制造該OELD的方法。
背景技術(shù)：
過去，許多顯示器件應用陰極射線管(CRT)顯示圖像。但是，各類平板顯示器如液晶顯示(LCD)器件、等離子體顯示板(PDP)器件、場發(fā)射顯示(FED)器件、以及電致發(fā)光顯示(ELD)器件等目前正發(fā)展為CRT的替代品。在這些各類平板顯示器中，PDP器件具有顯示尺寸大的優(yōu)勢，但它也有重量重和功耗高的缺點。同樣，LCD器件具有外形薄和功耗低的優(yōu)勢，但也具有顯示尺寸小的劣勢。但是，OELD器件是具有響應時間快、亮度高和寬視角優(yōu)勢的發(fā)光顯示器。
圖1是按照現(xiàn)有技術(shù)的OELD器件的電路示意圖。
如圖1所示，柵線“GL”沿第一方向延伸，而彼此分離的數(shù)據(jù)線“DL”和電源線“PSL”沿垂直于第一方向的第二方向延伸。該柵線“GL”、數(shù)據(jù)線“DL”和電源線“PSL”限定了子像素區(qū)“SP”。
開關(guān)薄膜晶體管“SwT”設(shè)置于柵線“GL”和數(shù)據(jù)線“DL”的交叉部分作為尋址元件。存儲電容“Cst”連接到開關(guān)薄膜晶體管“SwT”和電源線“PSL”上。驅(qū)動薄膜晶體管“DrT”連接到存儲電容“Cst”和電源線“PSL”上作為電流源元件。有機電致(EL)二極管“E”連接到驅(qū)動薄膜晶體管“DrT”上。
當將正向電流施加給有機EL二極管“E”時，電子和空穴復合以通過在提供空穴的陽極和提供電子的陰極之間的P(陽)-N(陰)結(jié)產(chǎn)生電子-空穴對。因為該電子-空穴對具有低于單獨電子和空穴的能量，因此在復合和單獨的電子-空穴對之間存在能量差，從而由于該能量差而發(fā)光。
通常，在陣列基板上既形成包括開關(guān)和驅(qū)動薄膜晶體管的陣列元件又形成有機EL二極管，并且該陣列基板和封裝基板粘結(jié)。因此，降低了OELD器件的生產(chǎn)效率。例如，在生產(chǎn)后確定陣列元件和有機發(fā)光二極管其中之一具有缺陷時，則該陣列基板是不可接受的并因此會降低該OELD器件的生產(chǎn)效率。
為了解決這個問題，提出了雙面板型OELD，其中陣列元件和有機EL二極管形成在不同的基板上。
圖2所示為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的雙面板型OELD器件的截面圖，并且圖3所述為圖2的雙面板型OELD的數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域的截面圖。
如圖2和3所示，第一和第二基板1和71彼此間隔一定距離設(shè)置。在兩個基板1和71中，限定了用于顯示圖像的顯示區(qū)域“DA”和圍繞該顯示區(qū)域“DA”的非顯示區(qū)域“NA”。密封圖案93在非顯示區(qū)域“NA”粘接第一基板1和第二基板71。在第一基板1的子像素區(qū)域“SP”中設(shè)置包括驅(qū)動薄膜晶體管“Tr”和開關(guān)薄膜晶體管(未示出)的陣列元件。在子像素區(qū)域“SP”的第二基板71上設(shè)置有機EL二極管“E”。該有機EL二極管“E”包括依次設(shè)置于第二基板71內(nèi)表面的第一電極75、有機發(fā)光層87和第二電極90。有機發(fā)光層87包括位于各個子像素區(qū)“SP”的紅(R)、綠(G)和藍(B)有機發(fā)光層87a、87b和87c。在每個子像素區(qū)“SP”設(shè)置第二電極90。鈍化層45覆蓋具有驅(qū)動薄膜晶體管“Tr”的基板1并具有暴露漏極35的漏接觸孔47。在每個像素區(qū)域“SP”的鈍化層45上設(shè)置連接電極55并且連接電極55通過漏接觸孔47連接到漏極35上。連接圖案91在每個子像素區(qū)“SP”連接連接電極55和第二電極90。位于柵絕緣層14上的半導體層20包括有源層20a和歐姆接觸層20b。
在非顯示區(qū)域“NA”的柵焊盤區(qū)域“GPA”，在和柵電極9和柵線(未示出)的同一層設(shè)置柵焊盤電極11。該柵焊盤電極11由和柵極9一樣的材料構(gòu)成。在非顯示區(qū)域“NA”的數(shù)據(jù)盤區(qū)域“DPA”，在柵絕緣層14上與源極33和漏極35以及、數(shù)據(jù)線(未示出)的同一層上設(shè)置數(shù)據(jù)焊盤38。在鈍化層45上設(shè)置柵焊盤電極端子57和數(shù)據(jù)焊盤電極端子60并且兩個端子分別通過柵焊盤接觸孔49和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔51與柵焊盤電極11和數(shù)據(jù)焊盤電極38接觸。該柵數(shù)據(jù)焊盤端子57和數(shù)據(jù)焊盤端子60由和連接電極55一樣的材料構(gòu)成。
為了提高連接電極55和連接圖案91之間以及連接圖案91和第二電極90之間的的界面屬性和接觸電阻，連接電極55、連接圖案91和第二電極90由同樣材料構(gòu)成。當?shù)诙姌O90用作陰極，該第二電極90由具有低功函的鋁(Al)構(gòu)成。因此，該連接電極55和連接圖案91也由鋁(Al)構(gòu)成。
鋁暴露于空氣中的時候，會被腐蝕。因為設(shè)置于由密封圖案93封裝的顯示區(qū)域“DA”中，因此由鋁(Al)構(gòu)成的連接電極55、連接圖案91和第二電極90不容易受到腐蝕。換句話說，通過密封圖案93環(huán)繞的第一和第二基板之間的空間處于真空條件下或者充滿惰性氣體。但是，由與連接電極55同一材料，即鋁，構(gòu)成的柵焊盤端子57和數(shù)據(jù)焊盤端子60暴露于空氣中。因此，柵焊盤端子57和數(shù)據(jù)焊盤端子60容易受到腐蝕。
此外，通常柵焊盤電極11和數(shù)據(jù)焊盤電極38由具有低電阻率的材料構(gòu)成以防止信號延遲，諸如鋁(Al)、鋁合金(AlNd)、鋁(Al)/鉬(Mo)和鋁合金(AlNd)/鉬(Mo)，他們在暴露于空氣中時都容易受到腐蝕，即使柵焊盤端子57和數(shù)據(jù)焊盤端子60沒有形成在柵和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域“GPA”和“DPA”中時。特別地，即使在柵焊盤電極11和數(shù)據(jù)焊盤電極38具有上層由鉬(Mo)構(gòu)成并且下層由鋁(Al)或者鋁合金(AlNd)構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)時，由于上層在形成接觸孔47、49和51的過程中上層和鈍化層45一起受到蝕刻，因此下層會暴露于空氣中并受到腐蝕。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種OELD器件及制造該OELD器件的方法，其能夠基本上克服因現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點帶來的一個或多個問題。
本發(fā)明的優(yōu)點在于提供了一種可以防止焊盤區(qū)域受到腐蝕并改善生產(chǎn)率的OELD器件及其制造方法。
本發(fā)明的附加優(yōu)點和特征將在后面的描述中得以闡明，通過以下描述，將使它們對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在某種程度上顯而易見，或者可通過實踐本發(fā)明來認識它們。本發(fā)明的這些和其他優(yōu)點可通過書面描述及其權(quán)利要求以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和得到。
為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點，按照本發(fā)明的目的，作為具體和廣義的描述，一種有機電致發(fā)光顯示器件包括彼此相對并具有多個子像素區(qū)域的第一和第二基板；位于第一基板上柵線；在第一基板上和柵線交叉以限定子像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；連接到柵線和數(shù)據(jù)線的陣列元件；連接到陣列元件上并設(shè)置于子像素區(qū)域的連接電極；電連接到柵線上具有上層和下層的柵焊盤電極；電連接到數(shù)據(jù)線上具有上層和下層的數(shù)據(jù)焊盤電極；以及位于第二基板上的電致發(fā)光二極管，其中所述柵焊盤電極和數(shù)據(jù)焊盤電極的上層具有分別暴露柵焊盤電極下層和數(shù)據(jù)焊盤電極下層的柵焊盤接觸孔和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔。
在另一方面，用于制造電致顯示器件的方法包括在第一基板上形成柵線、位于柵線一端的柵焊盤電極和數(shù)據(jù)焊盤電極，柵線、柵焊盤電極和數(shù)據(jù)焊盤電極各具有上下兩層；形成覆蓋柵線和柵焊盤電極以及數(shù)據(jù)焊盤電極的柵絕緣層；在柵絕緣層上形成與柵線交叉以限定子像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；形成連接到柵線和數(shù)據(jù)線的陣列元件；在陣列元件上形成鈍化層；在子像素區(qū)鈍化層上形成連接電極；暴露柵焊盤電極的下層和數(shù)據(jù)焊盤電極的下層；在第二基板上形成電致發(fā)光二極管；以及粘結(jié)第一和第二基板。
在本發(fā)明的另一方面，一種電致發(fā)光器件包括具有包含陣列元件的第一基板，該陣列元件包括柵線、與柵線交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線、位于像素區(qū)域的至少一個薄膜晶體管(TFT)、柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤；以及具有電連接到TFT上的電致發(fā)光二極管的第二基板，其中柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤具有多層結(jié)構(gòu)并且柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的暴露部分包括耐腐蝕的導電材料。
應該理解，上面的概括性描述和下面的詳細描述都是示意性和解釋性的，意欲對本發(fā)明的權(quán)利要求提供進一步的解釋。


本申請所包含的附圖用于進一步理解本發(fā)明，其與說明書結(jié)合并構(gòu)成說明書的一部分，所述附圖表示本發(fā)明的實施方式并與說明書一起解釋本發(fā)明的原理，在附圖中圖1示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OELD的電路示意圖；圖2示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的雙面板型OELD器件的截面圖；圖3示出了圖2中的雙面板型OELD的數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域的截面圖；圖4A示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的雙面板型OELD的截面圖；圖4B示出了圖4A中OELD器件的數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域的截面圖；
圖5A示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的雙面板型OELD器件的截面圖；圖5B為圖5A的OELD器件的數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域的截面圖；圖6所示為根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的雙面板型OELD器件的平面示意圖；圖7和8所示為沿圖6的VII-VII和VIII-VIII線提取的截面圖；以及圖9A到9H和圖10A到10H表示根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的雙面板型OELD器件第一基板的制造方法的截面圖，該截面圖是沿圖6的VII-VII和VIII-VIII線提取的。
具體實施例方式
下面將詳細說明在附圖中給出實施例的本發(fā)明的實施方式。
圖4A示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的雙面板型OELD的截面圖；而圖4B示出了圖4A中OELD器件的數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域的截面圖。
圖4A和4B所示，雙面板型OELD器件包括彼此相對并間隔一定距離的第一基板101和第二基板171。在兩個基板101和171中，限定顯示區(qū)域“DA”和圍繞顯示區(qū)域“DA”的非顯示區(qū)域“NA”。密封圖案193設(shè)置于非顯示區(qū)域中并環(huán)繞顯示區(qū)域“DA”。
在第二基板171的內(nèi)表面設(shè)置有機電致發(fā)光(EL)二極管“E”。該有機EL二極管“E”包括順序設(shè)置于第二基板171內(nèi)表面的第一電極175、有機發(fā)光層187和第二電極190。
在第二基板171的整個內(nèi)表面上設(shè)置第一電極175。在第一電極175上形成第一和第二絕緣圖案177和178。隔離體181形成在第一絕緣圖案177上并設(shè)置于相鄰的子像素區(qū)域“SP”之間，并在第二絕緣圖案178上形成襯墊料184。該襯墊料184具有比隔離體181更高的高度使得第二電極190與連接電極155接觸。該有機發(fā)光層187包括紅(R)、綠(G)和藍(B)發(fā)光層187a、187b和187c。有機發(fā)光層187設(shè)置于各子像素區(qū)域“SP”并由隔離體181環(huán)繞。此外，位于有機發(fā)光層187上的第二電極190設(shè)置于各子像素區(qū)域“SP”中并由隔離體181環(huán)繞。
在OELD器件技術(shù)中，術(shù)語陽極和陰極可以互換使用并且陽極通常由具有功函比陰極材料的功函更高的材料構(gòu)成。因此，第一電極175在OELD器件中既可以用作陰極也可以用作陰極。并且在第一電極175用作陰極時，第二電極190用作陽極。在第一和第二電極175和190分別用作陽極和陰極時，第一電極175具有比第一電極190更高的功函。在該情況，第一電極175由諸如氧化銦錫(ITO)和氧化鋅錫(IZO)的透明導電材料構(gòu)成并且第二電極190由諸如堿金屬、堿土金屬、鋁(Al)、鋁合金(AlNd)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)及其合金等的不透明導電材料構(gòu)成?？蛇x擇地，第一和第二電極175和190可以分別由不透明的導電材料和透明的導電材料構(gòu)成。
在每個子像素區(qū)域“SP”的第二基板171的內(nèi)表面設(shè)置襯墊料184。該襯墊料184具有比隔離體181更高的高度使得第二電極190與第一基板101上的連接電極155接觸。通過襯墊料184分離每個子像素區(qū)域“SP”的有機發(fā)光層187。此外，第二電極190在子像素區(qū)域是連續(xù)的并且包括位于有機發(fā)光層187上的第一部分和覆蓋襯墊料184的第二部分。由于襯墊料187而突出的第二部分與連接電極155接觸。
盡管在圖中未示出，但是柵線、與柵線交叉的數(shù)據(jù)線和電源線在第一基板101的內(nèi)表面上限定子像素區(qū)域“SP”。此外，在第一基板101的內(nèi)表面上設(shè)置包括驅(qū)動薄膜晶體管“Tr”和開關(guān)薄膜晶體管(未示出)的陣列元件。該驅(qū)動薄膜晶體管“Tr”包括第一基板101上的柵極109、覆蓋柵極109的柵絕緣層114、位于柵絕緣層114上的半導體層120以及位于半導體層120上的源極133和漏極135。該半導體層120包括有源層120a和歐姆接觸層120b。設(shè)置鈍化層145以覆蓋陣列元件和數(shù)據(jù)線。該連接電極155設(shè)置于子像素區(qū)域“SP”的鈍化層145上并且通過漏接觸孔147與漏極135接觸。
在第一基板101的非顯示區(qū)“NA”中，分別在柵線和數(shù)據(jù)線的末端設(shè)置柵焊盤電極111和數(shù)據(jù)焊盤電極138。在柵焊盤電極11上，設(shè)置具有柵焊稩接觸孔149的柵絕緣層114和鈍化層145。在數(shù)據(jù)焊盤電極138上，設(shè)置具有數(shù)據(jù)焊盤接觸孔151的鈍化層145。柵焊盤電極端子157和數(shù)據(jù)焊盤電極端子160設(shè)置在鈍化層145上并分別通過柵焊盤接觸孔149和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔151與柵焊盤電極111和數(shù)據(jù)焊盤電極138接觸。
考慮到連接電極155和第二電極190之間的界面屬性和接觸電阻，將與第二電極190接觸的連接電極155可以由和第二電極190一樣的材料構(gòu)成。該連接電極155和第二電極190可以由諸如鋁(Al)、鋁合金(AlNd)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)及其合金構(gòu)成。
暴露于空氣中的柵焊盤電極端子157和數(shù)據(jù)焊盤電極端子160由具有諸如氧化銦錫(ITO)和氧化鋅錫(IZO)的耐腐蝕的透明導電材料構(gòu)成。
圖5A示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的雙面板型OELD器件的截面圖。圖5B為圖5A的OELD器件的數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域的截面圖。除了柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的結(jié)構(gòu)以外，第二實施方式的OELD器件和第一實施方式的OELD器件類似。因此，這里將省略與第一實施方式相似部分的詳細說明。
如圖5A和5B所示，柵焊盤電極端子257和數(shù)據(jù)焊盤電極端子260具有雙層結(jié)構(gòu)。柵焊盤電極端子257和數(shù)據(jù)焊盤電極端子260的下層257a和260a可以由與連接電極255和第二電極290一樣的材料構(gòu)成。換句話說，下層257a和260a可以由諸如鋁(Al)和鋁合金(AlNd)等具有低功函的導電材料構(gòu)成。柵焊盤電極端子257和數(shù)據(jù)焊盤電極端子260的上層257b和260b由具有諸如氧化銦錫(ITO)和氧化鋅錫(IZO)的耐腐蝕的透明導電材料構(gòu)成。通過在易于受到腐蝕的下層257a和260a上形成耐腐蝕的上層257b和260b可以最小化或者避免柵焊盤電極端子257和數(shù)據(jù)焊盤電極端子260受到腐蝕。柵焊盤電極端子257和數(shù)據(jù)焊盤電極端子260設(shè)置在鈍化層245上并分別通過柵焊盤接觸孔249和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔251與柵焊盤電極211和數(shù)據(jù)焊盤電極238接觸。驅(qū)動薄膜晶體管“Tr”包括第一基板201上的柵極209、覆蓋柵極209的柵絕緣層214、位于柵絕緣層214上的半導體層220以及位于半導體層220上的源極233和漏極235。該半導體層220包括有源層220a和歐姆接觸層220b。設(shè)置鈍化層245以覆蓋陣列元件和數(shù)據(jù)線。該連接電極255設(shè)置于子像素區(qū)域“SP”的鈍化層245上并且通過漏接觸孔247與漏極235接觸。在第二基板271的整個內(nèi)表面上設(shè)置第一電極275。在第一電極275上形成第一和第二絕緣圖案277和278。隔離體281形成在第一絕緣圖案277上并設(shè)置于相鄰的子像素區(qū)域“SP”之間，并在第二絕緣圖案278上形成襯墊料284。該襯墊料284具有比隔離體281更高的高度使得第二電極290與連接電極255接觸。該有機發(fā)光層287包括紅(R)、綠(G)和藍(B)發(fā)光層287a、287b和287c。密封圖案293設(shè)置于非顯示區(qū)域中并環(huán)繞顯示區(qū)域“DA”。
在上述的第一和第二實施方式中，使用具有諸如氧化銦錫(ITO)和氧化鋅錫(IZO)的耐腐蝕的透明導電材料來防止柵焊盤電極和數(shù)據(jù)焊盤電極在空氣條件下受到腐蝕。為了形成該防腐層，需要額外的掩模工序。
以下，將詳細說明不通過附加的掩模工序就可以最小化或者防止柵焊盤或數(shù)據(jù)焊盤受到腐蝕的OELD器件。
圖6所示為根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的雙面板型OELD器件的平面示意圖。
如圖6所示，該OELD器件具有設(shè)置有多個子像素區(qū)域“SP”的顯示區(qū)域“DA”以及設(shè)置有施加驅(qū)動信號的柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的非顯示區(qū)域“NA”。通過柵線305和數(shù)據(jù)線330彼此交叉限定子像素區(qū)域“SP”。
盡管在圖6中未示出，在每個子像素區(qū)“SP”中，在第一基板上設(shè)置包括開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動薄膜晶體管的陣列元件，在與第一基板相對的第二基板上設(shè)置包括第一電極、有機發(fā)光層和第二電極的有機EL二極管。
柵線305沿第一方向延伸到非顯示區(qū)域“NA”的柵焊盤區(qū)域“GPA”，在柵焊盤區(qū)域“GPA”中柵線305的末端設(shè)置柵焊盤電極309。
數(shù)據(jù)線330沿和第一方向交叉的第二方向延伸到顯示區(qū)域“DA”和非顯示區(qū)域“NA”之間的邊界區(qū)域。數(shù)據(jù)鏈接線307與數(shù)據(jù)線330間隔一定距離并在非顯示區(qū)域“NA”沿第二方向延伸，并且在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域“DPA”中數(shù)據(jù)鏈接線307的末端設(shè)置數(shù)據(jù)焊盤電極338。該數(shù)據(jù)鏈接線307和數(shù)據(jù)焊盤電極338由和數(shù)據(jù)線305一樣的材料構(gòu)成。
數(shù)據(jù)鏈接線307通過延伸貫穿顯示區(qū)域“DA”和非顯示區(qū)域“NA”之間的邊界區(qū)域的鏈接圖案356與數(shù)據(jù)線330連接。為了連接數(shù)據(jù)線330和數(shù)據(jù)鏈接線307，該鏈接圖案356通過第一鏈接接觸孔352與數(shù)據(jù)線330的末端接觸并通過第二鏈接接觸孔353與數(shù)據(jù)鏈接線307的另一末端接觸。一部分鏈接圖案356位于密封圖案393的下面并且其他部分鏈接圖案356由密封圖案393圍繞，并因此鏈接圖案356沒有暴露在空氣中。換句話說，該鏈接圖案356受到密封圖案393的輪廓的包圍。因此，由于通過密封圖案393圍繞的第一基板和第二基板之間的空間為真空條件或者充滿惰性氣體，所以鏈接圖案356不會受到腐蝕。
圖7和8所示為沿圖6的VII-VII和VIII-VIII線提取的截面圖。除了柵和數(shù)據(jù)焊盤的層迭結(jié)構(gòu)以及數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)鏈接線的鏈接結(jié)構(gòu)以外，該第三實施方式的OELD器件和第一以及第二實施方式一樣。因此，省略與第一和第二實施方式相似部件的詳細說明。
如圖7和圖8所示，在第一基板301的顯示區(qū)域“DA”中，在每個子像素“SP”中設(shè)置包括驅(qū)動薄膜晶體管“Tr”和開關(guān)薄膜晶體管(未示出)的陣列元件。該驅(qū)動薄膜晶體管“Tr”包括第一基板301內(nèi)表面上的柵極309、位于柵極309上的柵絕緣層314、位于柵絕緣層314上的半導體層320以及位于半導體層320上的源極333和漏極335。在具有驅(qū)動薄膜晶體管“Tr”的整個第一基板301上設(shè)置鈍化層345。
在第一基板301的非顯示區(qū)域“NA”的柵焊盤區(qū)域“GPA”，柵焊盤電極311延伸自柵線(圖6的305)并設(shè)置于柵線的一端。此外，連接到數(shù)據(jù)線330的數(shù)據(jù)鏈接線307設(shè)置于非顯示區(qū)域“NA”并且數(shù)據(jù)焊盤電極338延伸自數(shù)據(jù)鏈接線307并設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域“DPA”中數(shù)據(jù)鏈接線307的一端。數(shù)據(jù)鏈接線307和數(shù)據(jù)焊盤電極338由和柵線以及柵焊盤電極311一樣的材料構(gòu)成并和柵線以及柵焊盤電極311設(shè)置于同一層。
柵線、柵焊盤電極311、數(shù)據(jù)鏈接線307和數(shù)據(jù)焊盤電極338至少具有兩層。柵線、數(shù)據(jù)鏈接線307、柵焊盤電極311和數(shù)據(jù)焊盤電極338的下層307a、311a和338a由具有諸如氧化銦錫(ITO)和氧化鋅錫(IZO)的耐腐蝕的透明導電材料構(gòu)成。上層307b、311b和338b由諸如鋁(Al)或者鋁合金(AlNd)等具有低電阻率的導電材料構(gòu)成。盡管圖7和圖8示出具有單層結(jié)構(gòu)的上層307b、311b和338b，但是該上層也可以具有諸如鋁(Al)/鉬(Mo)或者鋁合金(AlNd)/鉬(Mo)的雙層結(jié)構(gòu)。
在柵線、數(shù)據(jù)鏈接線307、柵焊盤電極311和數(shù)據(jù)焊盤電極338上順序設(shè)置柵絕緣層314和鈍化層345。在柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域“GPA”和“DPA”，該柵絕緣層314和鈍化層345具有分別暴露柵焊盤電極311和數(shù)據(jù)焊盤電極338的柵焊盤接觸孔349和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔351。具體地說，去除柵焊盤電極311和數(shù)據(jù)焊盤電極338的上層311b和338b以形成柵焊盤接觸孔349和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔351使得下層311a和338a通過該柵焊盤接觸孔349和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔351暴露。因為上層311b和338b容易受到腐蝕并且下層311a和338a耐腐蝕，蝕刻該上層311b和338b以暴露下層311a和338a。因此，可以最小化或者避免柵焊盤電極311和數(shù)據(jù)焊盤電極338受到腐蝕。
此外，該鈍化層345具有暴露數(shù)據(jù)線330一端的第一鏈接接觸孔352，并且該鈍化層345和柵絕緣層314具有暴露數(shù)據(jù)鏈接線307另一端的第二鏈接接觸孔353，并因此鏈接圖案356分別通過第一和第二鏈接接觸孔352和353連接數(shù)據(jù)線330和數(shù)據(jù)鏈接線307。因此，該數(shù)據(jù)線330通過鏈接圖案356連接到數(shù)據(jù)鏈接線307上。
一部分鏈接圖案356位于密封圖案393的下面并且其他部分的鏈接圖案356由密封圖案393圍繞。暴露于通過密封圖案393圍繞的第一基板和第二基板之間的空間的其他部分鏈接圖案356由于該空間處于真空狀態(tài)或填充有惰性氣體所以不會腐蝕。同時，位于密封圖案393下方的部分鏈接圖案356由于密封圖案393不與外部空氣接觸所以也不會腐蝕。因此，沒有暴露于空氣中的鏈接圖案356可以由具有低電阻率的導電材料構(gòu)成，盡管該材料易腐蝕。
如上所述，在第三實施方式中，該柵焊盤電極和數(shù)據(jù)焊盤電極具有耐腐蝕的下層，并且該下層暴露于空氣條件中。此外，由于密封圖案保護該鏈接圖案不與空氣條件接觸。因此，可以最小化或者防止柵焊盤電極和數(shù)據(jù)焊盤電極受到腐蝕。
圖9A到9H和圖10A到10H表示根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的雙面板型OELD器件第一基板的制造方法的截面圖，該截面圖是沿圖6的VII-VII和VIII-VIII線提取的。
如圖9A和圖10A所示，在第一基板301上沉積諸如氧化銦錫(ITO)和氧化鋅錫(IZO)的耐腐蝕的第一導電材料以形成第一層(下層)。隨后，在第一層上沉積具有低電阻率的第二導電材料以形成第二層(上層)。該第二層具有由鋁(Al)、鋁合金(AlNd)、銅(Cu)、鉬(Mo)和鈦(Ti)構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)，或者由至少兩種上述材料構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。
執(zhí)行掩模工序(即，光刻工序)以構(gòu)圖第一和第二層，該掩模工序包括在第一和第二層上沉積光刻膠、通過掩模曝光、顯影光刻膠、蝕刻第一和第二層并且剝離或者灰化殘余光刻膠。通過該掩模工序，形成柵線(圖6的305)、延伸自柵線的柵極309、位于柵焊盤區(qū)域(GPA)的柵焊盤電極311、位于非顯示區(qū)域(NA)的數(shù)據(jù)鏈接線307、以及位于數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域“DPA”的數(shù)據(jù)焊盤電極338。每條柵線、數(shù)據(jù)鏈接線307、柵極309、柵焊盤電極311、數(shù)據(jù)焊盤電極338均具有構(gòu)圖的第一層(下層)307a、309a、311a、338a以及構(gòu)圖的第二層(上層)307b、309b、311b、338b。
如圖9B和圖10B所示，在具有柵極309的整個基板301上沉積無機絕緣材料以形成柵絕緣層314。該無機絕緣材料可以為二氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)其中之一。
如圖9C和圖10C所示，在柵絕緣層314上順序沉積非晶硅(a-Si)和摻雜非晶硅(n+a-Si)并通過掩模工序構(gòu)圖以形成半導體層320。該半導體層320包括非晶硅的有源層320a和摻雜非晶硅的歐姆接觸層320b。
如圖9D和圖10D所示，在具有半導體層320的基板上沉積第三導電材料并通過掩模工序構(gòu)圖以形成數(shù)據(jù)線330以及源極333和漏極335。該第三導電材料可以為鋁(Al)、鋁合金(AlNd)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、銅(Cu)和銅合金其中之一。此外，數(shù)據(jù)線330以及源極333和漏極335具有由至少兩種上述材料構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。在顯示區(qū)域“DA”中該數(shù)據(jù)線330與柵線交叉以限定子像素區(qū)域“SP”。彼此間隔一定距離的源極333和漏極335與其下面的歐姆接觸層320b接觸。該柵極309、柵絕緣層314、半導體層320和源極333和漏極335形成驅(qū)動薄膜晶體管“Tr”。盡管在圖中未示出，開關(guān)薄膜晶體管與該驅(qū)動薄膜晶體管同時形成并和驅(qū)動薄膜晶體管“Tr”具有相似結(jié)構(gòu)。
如圖9E和圖10E所示，在具有數(shù)據(jù)線330的整個基板301上沉積有機絕緣材料或者無機絕緣材料以形成鈍化層345。該有機絕緣材料為苯并環(huán)丁烯(BCB)和感光丙烯酸(photo acrylic)其中之一，并且該有機絕緣材料為二氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)其中之一。該鈍化層345通過掩模進行構(gòu)圖以形成暴露漏極335的漏接觸孔347和暴露數(shù)據(jù)線330一端的第一鏈接接觸孔352。此外，柵絕緣層314和鈍化層345一起構(gòu)圖以形成暴露柵焊盤電極311的柵焊盤接觸孔349、暴露數(shù)據(jù)焊盤電極338的數(shù)據(jù)焊盤接觸孔351以及暴露數(shù)據(jù)鏈接線307另一端的數(shù)據(jù)焊盤接觸孔351。
如圖9F和圖10F所示，在鈍化層345上沉積第四導電材料，在第四導電材料上沉積光刻膠。該第四導電材料包括用于第二電極(圖7的390)的材料，諸如具有低功函的鋁(Al)和鋁合金(AlNd)。對光刻膠執(zhí)行曝光和顯影工序以形成光刻膠圖案359。然后，通過光刻膠圖案359構(gòu)圖第四導電材料層以形成通過漏接觸孔與漏接觸孔347接觸的連接電極355、以及通過第一和第二鏈接接觸孔352和353分別與數(shù)據(jù)線330和數(shù)據(jù)鏈接線307接觸的鏈接圖案356。該光刻膠359仍然保留在鏈接電極355和鏈接圖案356上。
如圖9G和10G所示，通過保留在連接電極355和鏈接圖案356上的光刻膠圖案359，執(zhí)行干法蝕刻或者濕法蝕刻。通過蝕刻工序，去除通過柵焊盤接觸孔349和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔351暴露的柵焊盤電極311和數(shù)據(jù)焊盤電極338的第二層(上層)311b和338b，并因此暴露柵焊盤電極311和數(shù)據(jù)焊盤電極338的第一層(下層)311a和338a。換句話說，通過蝕刻工序去除具有低電阻率并易于受到腐蝕的第二層311b和338b，并暴露耐腐蝕的第一層311a和338a。
如圖9H和10H所示，通過剝離和灰化工序去除光刻膠圖案(圖9G和10G的359)。
通過上述的工序，可以制造根據(jù)第三實施方式的雙面板型OELD器件的第一基板。
參照圖7和8說明雙面板型OELD器件的第二基板的制造方法。
如圖7和8所示，在整個第二基板371上形成第一電極375。該第一電極375由諸如具有高功函的氧化銦錫(ITO)和氧化鋅錫(IZO)的透明導電材料構(gòu)成。當?shù)谝浑姌O375具有比第二電極390更高的功函時，該第一和第二電極375和390分別用作陽極和陰極。
在第一電極375上沉積無機絕緣材料并且進行構(gòu)圖以形成第一和第二絕緣圖案377和378。在相鄰子像素區(qū)域“SP”之間形成該第一絕緣圖案377，并在子像素區(qū)域“SP”內(nèi)形成第二絕緣圖案378。
在具有第一和第二絕緣圖案377和378的基板371上沉積有機絕緣材料并構(gòu)圖以形成隔離體381和襯墊料384。在第一絕緣層圖案377上形成該隔離體381，并在第二絕緣圖案378上形成襯墊料384。襯墊料384具有比隔離體381更高的高度使得第二電極390與連接電極355接觸。
為了形成具有不同高度的隔離體381和襯墊料384，可以使用衍射曝光方法和半色調(diào)曝光方法。例如，在用作隔離體381和襯墊料384的有機絕緣材料上沉積光刻膠。然后，對于光刻膠執(zhí)行衍射曝光和半色調(diào)曝光以分別形成對應于第一和第二絕緣圖案377和378的第一和第二光刻膠圖案，并去除除第一和第二光刻膠圖案之外的光刻膠部分。第二光刻膠圖案具有比第一光刻膠圖案更高的高度。然后，去除通過第一和第二光刻膠圖案暴露的有機絕緣材料以在第一和第二光刻膠圖案下分別形成第一和第二有機絕緣圖案。然后，通過剝離和灰化工序去除第一光刻膠圖案。盡管去除了第一光刻膠圖案，但是第二光刻膠圖案被部分地去除并在第二有機絕緣圖案上保留下來。然后，以預定厚度部分地去除第一有機絕緣圖案。然而，由于第二光刻膠圖案所以沒有去除第二有機絕緣圖案。因此，第二有機絕緣圖案具有高于第一絕緣圖案的高度。然后，去除第二光刻膠圖案。通過上述的工序，分別形成對應于第一和第二有機絕緣圖案的隔離體381和襯墊料384。
在形成隔離體381和襯墊料384后，順序涂敷紅(R)、綠(G)和藍(B)有機發(fā)光材料以在各自子像素區(qū)域“SP”形成紅(R)、綠(G)和藍(B)有機發(fā)光層387a、387b和387c。如果通過采用遮光板(shadow mask)的蒸發(fā)方法而不是涂敷方法形成該有機發(fā)光層387，則可以不形成隔離體381和第一絕緣圖案377。
然后，在各子像素區(qū)域“SP”的有機發(fā)光層387上形成第二電極390。通過該隔離體381分離第二電極390。第二電極390在子像素區(qū)域“SP”中為連續(xù)的并且包括位于有機發(fā)光層387上的第一部分和覆蓋襯墊料384的第二部分。由于襯墊料384而突出的第二部分與連接電極355接觸。當?shù)诙姌O390用作陰極時，其由比第一電極375具有更低功函的鋁(Al)和鋁合金(AlNd)構(gòu)成。
盡管在圖中未示出，當該第一和第二電極375和390分別用作陰極和陽極時，在第一電極375和有機發(fā)光層387之間順序形成空穴注入層和空穴傳輸層，在第二電極390和有機發(fā)光層387之間形成電子注入層和電子傳輸層。
沿著第一和第二基板301和371的其中之一的邊緣部分形成密封圖案393。在真空條件或者惰性氣體條件下，第一和第二基板301和371用密封圖案393粘結(jié)在一起使得在襯墊料384上的第二電極390的突出部分與連接電極355接觸。因此，可以制造雙面板型OELD器件。
在上述的OELD器件中，具有耐腐蝕特性的導電材料用于暴露于空氣中的柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤層。因此，可以最小化或者防止柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤受到腐蝕。
很明顯，本領(lǐng)域技術(shù)人員可對本發(fā)明進行修改和變化。因此，本發(fā)明意欲覆蓋落入本發(fā)明權(quán)利要求及其等效范圍內(nèi)的各種修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種有機電致顯示器件，包括彼此相對并具有多個子像素區(qū)域的第一和第二基板；位于所述第一基板上的柵線；在所述第一基板上和所述柵線交叉以限定所述子像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；連接到所述柵線和數(shù)據(jù)線的陣列元件；連接到所述陣列元件上并設(shè)置于所述子像素區(qū)域中的連接電極；電連接到所述柵線上并具有上層和下層的柵焊盤電極；電連接到所述數(shù)據(jù)線上并具有上層和下層的數(shù)據(jù)焊盤電極，所述數(shù)據(jù)焊盤電極和柵焊盤電極設(shè)置于同一層；以及位于所述第二基板上的電致發(fā)光二極管，其中所述柵焊盤電極和數(shù)據(jù)焊盤電極的上層具有分別暴露出所述柵焊盤電極的下層和所述數(shù)據(jù)焊盤電極的下層的柵焊盤接觸孔和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述下層由具有耐腐蝕特性的導電材料構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其特征在于，所述下層包括透明導電材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述上層包括鋁、鋁合金、銅、鉬和鈦其中之一。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述上層具有多層結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，還包括連接到所述數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)鏈接線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其特征在于，還包括連接所述數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)鏈接線的鏈接圖案，所述鏈接圖案和連接電極設(shè)置于同一層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其特征在于，還包括用于粘結(jié)所述第一基板和第二基板的密封圖案，其中所述鏈接圖案由所述密封圖案的輪廓圍繞。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其特征在于，所述鏈接圖案的一部分位于所述密封圖案下面。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其特征在于，位于由所述密封圖案圍繞的第一基板和第二基板之間的空間處于真空條件或者充滿惰性氣體條件。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其特征在于，還包括位于所述柵線上的柵絕緣層和位于所述數(shù)據(jù)線上的鈍化層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其特征在于，所述柵絕緣層和鈍化層為具有和所述柵焊盤電極和數(shù)據(jù)焊盤電極的上層一起的柵焊盤接觸孔和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其特征在于，所述鈍化層具有暴露所述數(shù)據(jù)線的第一鏈接接觸孔，并且所述柵絕緣層和鈍化層具有暴露所述數(shù)據(jù)鏈接線的第二鏈接接觸孔，所述鏈接圖案分別通過所述第一和第二鏈接接觸孔與所述數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)鏈接線接觸。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其特征在于，所述鈍化層具有暴露所述陣列元件的漏接觸孔，所述連接電極通過所述漏接觸孔和所述陣列元件接觸。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述陣列元件包括開關(guān)薄膜晶體管和連接到連接電極的驅(qū)動薄膜晶體管。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述電致發(fā)光二極管包括依次設(shè)置于所述第二基板上的第一電極、發(fā)光層和第二電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的器件，其特征在于，還包括子像素區(qū)域中位于第一電極上的襯墊料，所述襯墊料具有第一高度使覆蓋所述襯墊料的部分第二電極和連接電極接觸。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的器件，其特征在于，還包括位于所述相鄰子像素之間的第一電極上的隔離體，所述隔離體具有低于第一高度的第二高度。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的器件，其特征在于，所述第二電極包括堿金屬和堿土金屬其中之一。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的器件，其特征在于，所述第二電極和連接電極由具有比第一電極的功函低的功函的導電材料構(gòu)成。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的器件，其特征在于，所述連接電極包括鋁、鋁合金、銅、鉬和鈦其中之一。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的器件，其特征在于，所述第一電極由包括氧化銦錫和氧化鋅錫的透明導電材料構(gòu)成。
23.一種用于制造電致顯示器件的方法，包括在第一基板上形成柵線、位于柵線一端的柵焊盤電極和數(shù)據(jù)焊盤電極，所述柵線、柵焊盤電極和數(shù)據(jù)焊盤電極均具有上層和下層；形成覆蓋柵線和柵焊盤電極以及數(shù)據(jù)焊盤電極的柵絕緣層；在柵絕緣層上形成與柵線交叉以限定子像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；形成連接到柵線和數(shù)據(jù)線的陣列元件；在陣列元件上形成鈍化層；在子像素區(qū)內(nèi)的鈍化層上形成連接電極；暴露柵焊盤電極和數(shù)據(jù)焊盤電極的下層；在第二基板上形成電致發(fā)光二極管；以及粘結(jié)第一和第二基板。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，所述形成連接電極的步驟包括沉積導電材料并且在導電材料上沉積光刻膠；構(gòu)圖所述光刻膠以形成光刻膠圖案；以及通過所述光刻膠圖案構(gòu)圖所述導電材料。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，所述暴露柵焊盤電極的下層和數(shù)據(jù)焊盤電極的下層的步驟包括在形成連接電極前構(gòu)圖所述鈍化層和柵絕緣層以形成分別暴露柵焊盤電極上層和數(shù)據(jù)焊盤電極上層的柵焊盤電極孔和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔；以及在形成連接電極后通過光刻膠圖案蝕刻柵焊盤電極的上層和數(shù)據(jù)焊盤電極的上層。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，還包括在暴露柵焊盤電極的下層和數(shù)據(jù)焊盤電極的下層后去除光刻膠圖案的步驟。
27.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，所述下層由具有耐腐蝕的導電材料構(gòu)成。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，所述下層包括透明導電材料。
29.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，所述上層包括鋁、鋁合金、銅、鉬和鈦其中之一。
30.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，所述上層具有多層結(jié)構(gòu)。
31.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，還包括在形成所述柵線的同一工序中形成連接到數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)鏈接線。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其特征在于，還包括在形成連接電極的同一工序中形成連接到數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)鏈接線上的鏈接圖案。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，通過密封圖案粘結(jié)第一基板和第二基板，并且所述鏈接圖案由密封圖案的輪廓圍繞。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，所述鏈接圖案的一部分位于所述密封圖案下方。
35.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，第一基板和第二基板在真空條件或者惰性氣體條件下粘結(jié)。
36.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，還包括構(gòu)圖所述鈍化層以形成暴露數(shù)據(jù)線的第一鏈接接觸孔，并構(gòu)圖所述鈍化層和柵絕緣層以形成暴露數(shù)據(jù)鏈接線的第二鏈接接觸孔，所述鏈接圖案通過第一鏈接接觸孔和第二鏈接接觸孔分別與數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)鏈接線接觸。
37.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，還包括構(gòu)圖鈍化層以形成暴露所述陣列元件的漏接觸孔，所述鏈接電極通過所述漏接觸孔與陣列元件接觸。
38.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，所述形成陣列元件步驟包括形成開關(guān)薄膜晶體管和連接到所述連接電極的驅(qū)動薄膜晶體管。
39.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，形成所述電致發(fā)光二極管包括在第二基板上順序形成第一電極、發(fā)光層和第二電極。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于，還包括在子像素區(qū)域中第一電極上形成襯墊料，所述襯墊料具有第一高度以使覆蓋所述襯墊料的部分第二電極和連接電極接觸。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的方法，其特征在于，還包括在形成襯墊料的同一工序中形成位于所述相鄰子像素之間的第一電極上的隔離體，所述隔離體具有低于第一高度的第二高度。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，其特征在于，形成所述襯墊料和隔離體的步驟包括沉積有機絕緣材料和在有機絕緣材料上沉積光刻膠；形成第一和第二光刻膠圖案，第二光刻膠圖案高于第一光刻膠圖案；通過第一和第二光刻膠圖案蝕刻有機絕緣材料以形成位于第一光刻膠圖案下的第一有機絕緣圖案和位于第二光刻膠圖案下的襯墊料；完全去除第一光刻膠圖案并部分去除第二光刻膠圖案；以及部分去除第一有機絕緣圖案以形成隔離體。
43.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于，所述第二電極包括堿金屬和堿土金屬其中之一。
44.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于，所述第二電極和連接電極由具有比第一電極的功函低的功函的導電材料構(gòu)成。
45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于，所述連接電極包括鋁、鋁合金、銅、鉬和鈦其中之一。
46.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于，所述第一電極由包括氧化銦錫和氧化鋅錫的透明導電材料構(gòu)成。
47.一種電致發(fā)光器件，包括具有包含陣列元件、柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的第一基板，所述陣列元件包括柵線、與柵線交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線、位于像素區(qū)域的至少一個薄膜晶體管；以及具有電連接到所述薄膜晶體管上的電致發(fā)光二極管的第二基板，其中所述柵焊盤和所述數(shù)據(jù)焊盤具有多層結(jié)構(gòu)并且柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的暴露部分包括耐腐蝕的導電材料。
48.根據(jù)權(quán)利要求47所述的器件，其特征在于，所述導電材料為透明的。
49.根據(jù)權(quán)利要求47所述的器件，其特征在于，還包括連接到所述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)鏈接線，以及與所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)鏈接線連接的連接圖案。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的器件，其特征在于，還包括用于粘結(jié)所述第一和第二基板的密封圖案，其中所述鏈接圖案由所述密封圖案圍繞。
51.根據(jù)權(quán)利要求47所述的器件，其特征在于，所述電致發(fā)光二極管包括順序設(shè)置于所述第二基板上的第一電極、發(fā)光層和第二電極。
52.根據(jù)權(quán)利要求51所述的器件，其特征在于，還包括位于所述第一電極上的襯墊料，所述襯墊料與覆蓋襯墊料的部分第二電極接觸。
53.根據(jù)權(quán)利要求51所述的器件，其特征在于，所述第二電極包括堿金屬和堿土金屬其中之一。
54.根據(jù)權(quán)利要求47所述的器件，其特征在于，所述電致發(fā)光二極管經(jīng)由連接電極電連接到所述薄膜晶體管上。
55.根據(jù)權(quán)利要求54所述的器件，其特征在于，所述連接電極包括鋁、鋁合金、銅、鉬和鈦其中之一。
56.根據(jù)權(quán)利要求51所述的器件，其特征在于，所述第一電極由包括氧化鋅錫和氧化銦錫的透明導電材料構(gòu)成。
全文摘要
一種有機電致發(fā)光顯示器件包括彼此相對并具有顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域的第一和第二基板。在第一基板上形成陣列元件并在第二基板上形成電致發(fā)光二極管。該電致發(fā)光顯示器件還包括位于非顯示區(qū)域中的柵焊盤電極和數(shù)據(jù)焊盤電極。該柵焊盤電極和數(shù)據(jù)焊盤電極由具有耐腐蝕的導電材料構(gòu)成。
文檔編號H01L51/52GK1783508SQ20051011538
公開日2006年6月7日 申請日期2005年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月30日
發(fā)明者金玉姬 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社