專利名稱：光刻裝置和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻裝置和器件制造方法。
背景技術(shù)：
光刻裝置是一種將所需圖案應(yīng)用于基底通常是基底靶部上的裝置。光刻裝置可以用于例如集成電路(ICs)的制造。在這種情況下，構(gòu)圖部件，或者可稱為掩?；蚍謩澃蹇梢杂糜诋a(chǎn)生對應(yīng)于IC一個單獨層的電路圖案，該圖案可以被傳送到基底(例如硅晶片)的靶部上(例如包括一部分，一個或者幾個管芯)。通常是通過成像在涂覆于基底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來傳送圖案。一般地，單一的基底將包含相繼進行構(gòu)圖的相鄰靶部的網(wǎng)格。已知的光刻裝置包括所謂的步進器，其中通過將整個圖案一次曝光到靶部上而輻射每一靶部，已知的光刻裝置還包括所謂的掃描器，其中通過在輻射光束下沿給定的方向(“掃描”方向)掃描所述圖案，并同時沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底來輻射每一靶部。還可以把圖案壓印在基底上將圖案從構(gòu)圖部件傳送到基底。
有人已經(jīng)提議將光刻投影裝置中的基底浸入具有相對高的折射率的液體中，如水，從而填充投影系統(tǒng)的最后一個元件與基底之間的空間。由于曝光輻射在液體中具有更短的波長，所以這樣做使得能夠?qū)Ω〉奶卣鬟M行成像。(液體的作用也可以認(rèn)為是增加了系統(tǒng)的有效數(shù)值孔徑(NA)以及增加了焦深。)也有人建議使用其它浸液，包括其中含有懸浮的固體微粒(如石英)的水。
但是，將基底或基底和基底臺浸沒在液體浴槽(例如參見美國專利US4,509,853，在此將該文獻整體引入作為參考)中表示在掃描曝光過程中必須加速大體積的液體。這就需要附加的或功率更大的電動機，并且液體中的紊流可能導(dǎo)致不期望的和不可預(yù)料的結(jié)果。
提出的一種用于液體供給系統(tǒng)的技術(shù)方案是僅在基底的局部區(qū)域上以及投影系統(tǒng)的最后一個元件和基底(通?；拙哂斜韧队跋到y(tǒng)的最后一個元件更大的表面區(qū)域)之間提供液體。在PCT專利申請WO99/49504中公開了一種已經(jīng)提出的布置成用于該方案的方式，在此將該文獻整體引入作為參考。如圖2和3所示，通過至少一個入口IN將液體提供到基底上，優(yōu)選地沿基底相對于最后一個元件的移動方向，以及在投影系統(tǒng)下方通過之后從至少一個出口OUT去除液體。也就是說，當(dāng)沿-X方向在該最后一個元件下方掃描基底時，在該最后一個元件的+X方向提供液體，在-X側(cè)接收。圖2示出了示意性的布置，其中通過入口IN提供液體，通過與低壓源相連接的出口OUT在元件的另一側(cè)接收。在圖2的說明中，沿基底相對于最后一個元件的移動方向提供液體，盡管可以不必這樣。定位成圍繞最后一個元件的入口和出口的各種定向和數(shù)量都是可能的，圖3示出了一個實例，其中圍繞最后一個元件以規(guī)則圖案提供了在任一側(cè)的四組入口和出口。
在圖2、3和4的液體供給系統(tǒng)(下文將更加詳細地論述)中，液體的流動相對于基底平行于或反平行于投影系統(tǒng)的掃描方向。這意味著必須隨著掃描方向的改變同步地改變流動方向。這種流動方向的改變可能在浸液中導(dǎo)致紊流，這可能增加氣泡、污染物的形成以及在基底表面沉積顆粒。另一方面圖5的液體供給系統(tǒng)具有圍繞著密封元件的同心周邊(如圓形)隔開的液體供給口和排放口。這樣可以得到帶角度的對稱的液體流動，其不需要相對于投影系統(tǒng)隨著基底的移動方向的改變而改變。然而，利用這種類型的布置，可能不能完全地更新容器10的中心區(qū)域，從而可能導(dǎo)致在投影系統(tǒng)的路徑中聚集顆粒污染物和氣泡。

發(fā)明內(nèi)容
因此，有利的是例如提供一種液體供給系統(tǒng)，其能夠連續(xù)地進行操作，而不管基底相對于投影系統(tǒng)的掃描方向的變化，同時確保貯液器的完全更新。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種光刻投影裝置，其布置成使用投影系統(tǒng)把圖案從構(gòu)圖部件投影到基底上，同時相對于投影系統(tǒng)沿第一方向掃描基底，其包括布置成將液體提供到投影系統(tǒng)和基底之間的空間的液體供給系統(tǒng)，該液體供給系統(tǒng)包括液體供給口和液體排放口，該液體供給口和排放口設(shè)置在所述空間的相對側(cè)上，使得液體沿基本上與第一方向垂直的方向流過空間。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種器件制造方法，包括通過供給口把液體提供到光刻投影裝置的投影系統(tǒng)和基底之間的空間，供給口位于空間的第一側(cè)；通過位于空間中與第一側(cè)相對的第二側(cè)上的排放口去除液體，使得液體沿基本上與掃描方向垂直的方向流過空間；以及使用投影系統(tǒng)，把帶圖案的輻射光束透過液體投影到基底上，同時相對于投影系統(tǒng)沿掃描方向掃描基底。


現(xiàn)在僅僅通過實例的方式，參考隨附的示意圖描述本發(fā)明的各個實施方案，附圖中相應(yīng)的參考標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的光刻裝置；圖2和3示出了一種在光刻投影裝置中使用的液體供給系統(tǒng)；圖4示出了另一種在光刻投影裝置中使用的液體供給系統(tǒng)；圖5示出了另一種在光刻投影裝置中使用的液體供給系統(tǒng)；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施方案的液體供給系統(tǒng)；圖7以平面示出了圖6的實施方案。
具體實施例方式
圖1示意性地表示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的光刻裝置。該裝置包括-照明系統(tǒng)(照明器)IL，其配置成調(diào)節(jié)輻射光束PB(例如UV輻射或DUV輻射)。
-支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，其配置成支撐構(gòu)圖部件(例如掩模)MA，并與用于依照某些參數(shù)將該構(gòu)圖部件精確定位的第一定位裝置PM連接；-基底臺(例如晶片臺)WT，其構(gòu)造成保持基底(例如涂敷抗蝕劑的晶片)W，并與用于依照某些參數(shù)將基底精確定位的第二定位裝置PW連接；以及-投影系統(tǒng)(例如折射投影透鏡系統(tǒng))PL，其配置成將通過構(gòu)圖部件MA賦予給輻射光束PB的圖案投影到基底W的靶部C(例如包括一個或多個管芯)上。
照明系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如包括用于引導(dǎo)、整形或者控制輻射的折射、反射、磁性的、電磁的、靜電的或其它類型的光學(xué)部件，或者其任意組合。
支撐結(jié)構(gòu)支撐也就是承受構(gòu)圖部件的重量。它以一種方式保持構(gòu)圖部件，該方式取決于構(gòu)圖部件的定向、光刻裝置的設(shè)計以及其它條件，例如構(gòu)圖部件是否保持在真空環(huán)境。支撐結(jié)構(gòu)可以使用機械、真空、靜電或其它夾緊技術(shù)來保持構(gòu)圖部件。支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺，例如所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動的。支撐結(jié)構(gòu)可以確保構(gòu)圖部件例如相對于投影系統(tǒng)位于所需的位置。這里任何術(shù)語“分劃板”或者“掩?！钡氖褂每梢哉J(rèn)為與更普通的術(shù)語“構(gòu)圖部件”同義。
這里使用的術(shù)語“構(gòu)圖部件”應(yīng)廣義地解釋為能夠給輻射光束在其截面賦予圖案從而在基底的靶部中形成圖案的任何裝置。應(yīng)該注意，賦予給輻射光束的圖案可以不與基底靶部中的所需圖案精確一致，例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征。一般地，賦予給輻射光束的圖案與在靶部中形成的器件如集成電路的特殊功能層相對應(yīng)。
構(gòu)圖部件可以是透射或者反射型的。構(gòu)圖部件的示例包括掩模，可編程反射鏡陣列，以及可編程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二進制型、交替相移型、和衰減相移型的掩模類型，以及各種混合掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的一個示例采用微小反射鏡的矩陣排列，每個反射鏡能夠獨立地傾斜，從而沿不同的方向反射入射的輻射光束。傾斜的反射鏡可以在由反射鏡矩陣反射的輻射光束中賦予圖案。
這里所用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括折射光學(xué)系統(tǒng)，反射光學(xué)系統(tǒng)、反折射光學(xué)系統(tǒng)、磁性光學(xué)系統(tǒng)、電磁光學(xué)系統(tǒng)和靜電光學(xué)系統(tǒng)，或其任何組合，如適合于所用的曝光輻射，或者適合于其他方面，如使用浸液或使用真空。這里任何術(shù)語“投影透鏡”的使用可以認(rèn)為與更普通的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。
如這里指出的，該裝置是透射型(例如采用透射掩模)。另外，該裝置可以是反射型(例如采用上面提到的可編程反射鏡陣列，或采用反射掩模)。
光刻裝置可以具有兩個(雙臺)或者多個基底臺(和/或兩個或者多個掩模臺)。在這種“多臺式”裝置中，可以并行使用這些附加臺，或者可以在一個或者多個臺上進行準(zhǔn)備步驟，而一個或者多個其它臺用于曝光。
參考圖1，照明器IL接收來自輻射源SO的輻射光束。輻射源和光刻裝置可以是獨立的機構(gòu)，例如當(dāng)輻射源是受激準(zhǔn)分子激光器時。在這種情況下，不認(rèn)為輻射源是構(gòu)成光刻裝置的一部分，輻射光束借助于光束輸送系統(tǒng)BD從源SO傳輸?shù)秸彰髌鱅L，所述輸送系統(tǒng)包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器。在其它情況下，輻射源可以是光刻裝置的組成部分，例如當(dāng)源是汞燈時。源SO和照明器IL，如果需要連同光束輸送系統(tǒng)BD一起可以被稱作輻射系統(tǒng)。
照明器IL可以包括調(diào)節(jié)裝置AD，用于調(diào)節(jié)反射光束的角強度分布。一般地，至少可以調(diào)節(jié)在照明器光瞳平面上強度分布的外和/或內(nèi)徑向范圍(通常分別稱為σ-外和σ-內(nèi))。此外，照明器IL可以包括各種其它部件，如積分器IN和聚光器CO。照明器可以用于調(diào)節(jié)輻射光束，從而該光束在其橫截面上具有所需的均勻度和強度分布。
反射光束PB入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(如掩模臺MT)上的構(gòu)圖部件(如掩模MA)上，并由構(gòu)圖部件進行構(gòu)圖。橫向穿過掩模MA后，輻射光束PB通過投影系統(tǒng)PL，該投影系統(tǒng)將光束聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如干涉測量器件、線性編碼器或電容傳感器)的輔助下，可以精確地移動基底臺WT，從而例如在反射光束PB的光路中定位不同的靶部C。類似地，例如在從掩模庫中機械取出掩模MA后或在掃描期間，可以使用第一定位裝置PM和另一個位置傳感器(圖1中未明確示出)使掩模MA相對于光束PB的光路精確定位。一般地，借助于長行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位)，可以實現(xiàn)掩模臺MT的移動，其中長行程模塊和短行程模塊構(gòu)成第一定位裝置PM的一部分。類似地，借助于長行程模塊和短行程模塊可以實現(xiàn)基底臺WT的移動，其中長行程模塊和短行程模塊構(gòu)成第二定位裝置PW的一部分。在步進器(與掃描裝置相對)的情況下，掩模臺MT可以只與短行程致動裝置連接，或者固定?？梢允褂醚谀?zhǔn)標(biāo)記M1、M2和基底對準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2對準(zhǔn)掩模MA與基底W。盡管如所示出的基底對準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)指定的靶部，他們可以設(shè)置在各個靶部(這些標(biāo)記是公知的劃線對準(zhǔn)標(biāo)記)之間的空間中。類似地，其中在掩膜MA上提供了超過一個管芯的情況下，可以在各個管芯之間設(shè)置掩膜對準(zhǔn)標(biāo)記。
所示的裝置可以按照下面模式中的至少一種使用1.在步進模式中，掩模臺MT和基底臺WT基本保持不動，賦予輻射光束的整個圖案被一次投影到靶部C上(即單次靜態(tài)曝光)。然后沿X和/或Y方向移動基底臺WT，使得可以曝光不同的靶部C。在步進模式中，曝光區(qū)的最大尺寸限制了在單次靜態(tài)曝光中成像的靶部C的尺寸。
2.在掃描模式中，當(dāng)賦予輻射光束的圖案被投影到靶部C時(即單次動態(tài)曝光)，同步掃描掩模臺MT和基底臺WT?；着_WT相對于掩模臺MT的速度和方向通過投影系統(tǒng)PL的放大(縮小)和圖像反轉(zhuǎn)特性來確定。在掃描模式中，曝光區(qū)的最大尺寸限制了在單次動態(tài)曝光中靶部的寬度(沿非掃描方向)，而掃描移動的長度確定了靶部的高度(沿掃描方向)。
3.在其他模式中，當(dāng)賦予輻射光束的圖案被投影到靶部C上時，掩模臺MT基本保持不動，支撐可編程構(gòu)圖部件，同時移動或掃描基底臺WT。在該模式中，一般采用脈沖輻射源，并且在每次移動基底臺WT之后，或者在掃描期間兩個相繼的輻射脈沖之間根據(jù)需要更新可編程構(gòu)圖部件。這種操作模式可以容易地應(yīng)用于采用可編程構(gòu)圖部件的無掩模光刻中，所述可編程構(gòu)圖部件是如上面提到的可編程反射鏡陣列型。
還可以采用上述使用模式的組合和/或變化，或者采用完全不同的使用模式。
圖4示出了另一種使用局部液體供給系統(tǒng)的濕浸式光刻技術(shù)方案。通過位于投影系統(tǒng)PL的任何一側(cè)上兩個凹槽入口IN提供液體，然后從入口IN徑向外側(cè)布置的多個分立的出口OUT去除液體。入口IN和OUT可以布置在一個板中，板的中心有一個孔，通過該孔可以投射投影光束?？梢酝ㄟ^位于投影系統(tǒng)PL的一側(cè)上的一個凹槽入口IN提供液體，然后從位于投影系統(tǒng)PL的另一側(cè)上的多個分立的出口OUT去除液體，從而在投影系統(tǒng)PL和基底W之間形成液體薄膜的流動。所用入口IN和出口OUT的組合的選擇取決于基底W的移動方向(其它入口IN和出口OUT的組合未起作用)。
已經(jīng)提出的另一種使用局部液體供給系統(tǒng)的濕浸式光刻技術(shù)方案是提供具有密封元件的液體供給系統(tǒng)，該密封元件沿著投影系統(tǒng)的最后一個元件和基底臺之間的空間的至少一部分邊界延伸。密封元件相對于投影系統(tǒng)在XY平面基本上是靜止的，但是在Z方向(光軸方向)可以有一些相對移動。從而在密封元件和基底的表面之間形成密封。在一個實施方案中，密封是非接觸式密封，例如氣封。在美國專利申請No.US10/705,783中公開了使用氣封的這種系統(tǒng)，在此將其全文引入作為參考，如圖5所示。
如圖5所示，容器10給基底在投影系統(tǒng)的成像區(qū)域周圍形成非接觸的密封，使得液體被限定成填充基底表面和投影系統(tǒng)的最后一個元件之間的空間。容器由定位在投影系統(tǒng)PL的最后一個元件的下方并圍繞其的密封元件12形成。使液體流入投影系統(tǒng)下面的空間并進入到密封元件12中。密封元件12稍微延伸到投影系統(tǒng)的最后一個元件上方，液體水平升高到該最后一個元件上方，從而提供了一個液體緩沖器。密封元件12具有一內(nèi)周邊，其在上端部優(yōu)選非常符合投影系統(tǒng)或其最后一個元件的形狀，例如可以是圓形。在底部，該內(nèi)周邊非常接近成像區(qū)域的形狀，例如是矩形，當(dāng)然也可以不必是這種形狀。
液體由密封元件12的底部和基底W的表面之間的氣封16限定在容器中。該氣封可由氣體形成，氣體例如是空氣或合成氣體或N2或惰性氣體，其可通過入15在壓力下提供到密封元件12和基底之間的間隙，然后通過第一出口14抽出。如此布置氣體入口15上的過壓力、第一出口14上的真空水平以及間隙的幾何尺寸，使得存在向內(nèi)限定液體的高速氣流。
在歐洲專利申請案No.03257072.3中，公開了一種雙或二臺濕浸式光刻裝置的思想。這種裝置具有兩個支撐基底的臺。不使用浸液在第一位置用一個臺進行水準(zhǔn)測量，而在第二位置使用一個臺進行曝光，在第二位置提供了浸液?；蛘?，該這種僅有一個臺。
圖6以截面的形式示出了本發(fā)明實施方案的液體供給系統(tǒng)，而圖7以平面的形式示出了該液體供給系統(tǒng)。該液體供給系統(tǒng)包括一個形式為環(huán)狀的(盡管它也可以是不同的形狀)圍繞投影系統(tǒng)PL的最后一個元件FLE之間的空間的密封元件20。它包括設(shè)置在密封元件12的一側(cè)上的液體供給口21和在另一側(cè)上的一個或多個抽出口或排放口22。如此定位供給口和排放口使得浸液沿基本上與掃描方向垂直的方向(如雙頭箭頭所示)流過空間的中部(如圖7中的單頭箭頭所示)。液體被密封元件和基底之間狹窄的間隙限定在空間中，這就限制了液體流出。漏出的這種液體通過抽取裝置23去除，同時氣刀24可向內(nèi)引導(dǎo)保留在基底上的任何液體薄膜。抽取裝置23可以僅抽出液體或者抽出液體和氣體(兩相)。
該基本上垂直的流動有助于確保在最后一個投影系統(tǒng)元件FLE和基底W之間的空間中的液體被完全更新，而沒有滯流的空間。有利地，浸液的流動速度足夠高以便在曝光靶部所耗費的時間內(nèi)流過空間的液體容積等于或大于空間本身的容積。一個或多個排放口22圍繞供給口設(shè)置，使得液體中的任何氣泡都被沖走而不會聚集。在一個實施方案中，一個或多個排放口設(shè)置得盡可能靠近密封元件的中心，以便使裝置中的液體量最少化。根據(jù)一個或多個排放口22的位置，它們可以僅僅抽出液體或抽出液體和氣體。
應(yīng)該理解，供給口和排放口的準(zhǔn)確形狀、數(shù)量和尺寸可以變化，只要至少在投影光束PB的光路中形成流過曝光區(qū)EF的橫向流動，在許多情況下，大量的小開口或者單個延伸的狹縫狀開口，例如在圖像區(qū)域的中心處形成30-60°的角度的開口是合適的。
盡管在本申請中可以具體參考該光刻裝置在制造IC中的應(yīng)用，但是應(yīng)該明確理解這里描述的光刻裝置可能具有其它應(yīng)用，例如，它可用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在這種可替換的用途范圍中，這里任何術(shù)語“晶片”或者“管芯”的使用應(yīng)認(rèn)為分別可以與更普通的術(shù)語“基底”或“靶部”同義。在曝光之前或之后，可以用例如軌跡器(通常將抗蝕劑層作用于基底并將已曝光的抗蝕劑顯影的一種工具)、計量工具和/或檢驗工具對這里提到的基底進行處理。在可應(yīng)用的地方，這里的公開可應(yīng)用于這種和其他基底處理工具。另外，例如為了形成多層IC，可以對基底進行多次處理，因此這里所用的術(shù)語基底也可以指的是已經(jīng)包含多個已處理的層的基底。
這里使用的術(shù)語“輻射”和“光束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有大約365，248，193，157或者126nm的波長)。
文中出現(xiàn)的術(shù)語“透鏡”可以表示任何一個各種類型的光學(xué)部件或其組合，包括折射和反射光學(xué)部件。
盡管上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實施方案，但是應(yīng)該理解可以不同于所描述的方式實施本發(fā)明。例如，本發(fā)明可以采取計算機程序的形式，該計算機程序包含一個或多個序列的描述了上面所公開的方法的機器可讀指令，或者采用其中存儲有這種計算機程序的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲器、磁盤或光盤)。
本發(fā)明可以應(yīng)用于任何濕浸式光刻裝置，特別地但不唯一的，可以應(yīng)用于上面提到的那些類型的光刻裝置。
上面的描述是為了說明，而不是限制。因此，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是在不脫離下面描述的權(quán)利要求書的范圍的條件下，可以對所描述的發(fā)明進行各種修改。
權(quán)利要求
1.一種光刻投影裝置，其布置成使用投影系統(tǒng)把圖案從構(gòu)圖部件投影到基底上，同時相對于投影系統(tǒng)沿第一方向掃描基底，其包括布置成將液體提供到投影系統(tǒng)和基底之間的空間的液體供給系統(tǒng)，該液體供給系統(tǒng)包括液體供給口和液體排放口，該液體供給口和排放口設(shè)置在空間的相對側(cè)上，使得液體沿基本上與第一方向垂直的方向流過所述空間。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該液體供給系統(tǒng)包括布置在所述空間的第一側(cè)上的多個液體供給口和布置在所述空間的第二側(cè)上的多個液體排放口，所述第二側(cè)與所述第一側(cè)相對。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述多個供給口和多個排放口關(guān)于與第一方向垂直且穿過空間中點的平面對稱布置。
4.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述供給口的數(shù)量范圍是3至7。
5.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述排放口的數(shù)量范圍是3至7。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述排放口設(shè)置成比供給口更加遠離一包括基底的標(biāo)稱表面(nomina/surface)的平面。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中排放口設(shè)置成比投影系統(tǒng)的最后一個元件的最終表面更加遠離一包括基底的標(biāo)稱表面的平面。
8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述液體供給系統(tǒng)配置成以一定的供給速率把液體提供到所述空間，從而足以在基底上曝光單個靶部所耗費的時間內(nèi)完全更新該空間。
9.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該液體供給系統(tǒng)包括一配置成使液體至少部分地限定在所述空間中的元件。
10.如權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述元件包括一抽取裝置端口和一氣刀，所述抽取裝置端口配置成從所述元件和基底之間去除液體，所述氣刀配置成把氣體提供到該元件和基底之間，以便把液體朝所述空間的中心引導(dǎo)。
11.一種器件制造方法，包括通過供給口把液體提供到光刻投影裝置的投影系統(tǒng)和基底之間的空間，所述供給口位于所述空間的第一側(cè)；通過位于所述空間中與第一側(cè)相對的第二側(cè)上的排放口去除液體，使得液體沿基本上與掃描方向垂直的方向流過所述空間；以及使用投影系統(tǒng)，把帶圖案的輻射光束透過液體投影到基底上，同時相對于投影系統(tǒng)沿掃描方向掃描基底。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括通過布置在所述空間的第一側(cè)上的多個液體供給口提供液體，和從布置在所述空間的第二側(cè)上的多個液體排放口去除液體，所述第二側(cè)與所述第一側(cè)相對。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中多個供給口和多個排放口關(guān)于與掃描方向垂直且穿過所述空間中點的平面對稱布置。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述供給口的數(shù)量范圍是3至7。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述排放口的數(shù)量范圍是3至7。
16.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述排放口設(shè)置成比供給口更加遠離一包括基底的標(biāo)稱表面的平面。
17.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述排放口設(shè)置成比投影系統(tǒng)的最后一個元件的最終表面更加遠離一包括基底的標(biāo)稱表面的平面。
18.如權(quán)利要求11所述的方法，其中在基底上曝光單個靶部所耗費的時間內(nèi)把液體供給到所述空間的速度足以完全更新該空間。
19.如權(quán)利要求11所述的方法，包括使用液體供給系統(tǒng)元件使液體至少部分地限定在所述空間中。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，包括從所述元件和基底之間去除液體；以及提供氣體到該元件和基底之間，以便把液體朝所述空間的中心引導(dǎo)。
全文摘要
在掃描浸式光刻裝置中，浸液被提供到投影系統(tǒng)和基底之間的空間的一側(cè)上，并從另一側(cè)排出，使得液體的流動基本上與掃描方向垂直。
文檔編號H01L21/027GK1752851SQ20051010409
公開日2006年3月29日 申請日期2005年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月20日
發(fā)明者C·A·胡根達姆, J·H·W·賈科布斯, N·坦卡特, F·范德穆倫 申請人:Asml荷蘭有限公司