專利名稱：用于半導(dǎo)體制造的部分注入方法
技術(shù)領(lǐng)域：
公開包括部分注入技術(shù)的用以制造半導(dǎo)體裝置的方法。
背景技術(shù)：
通常，用以制造半導(dǎo)體存儲器裝置(例如動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM))的方法由幾個單元工藝所組成。該等單元工藝包括沉積、蝕刻及注入工藝等，以及傳統(tǒng)上以一個晶片接一個晶片方式來實(shí)施。然而，很難達(dá)成均勻工藝結(jié)果。例如因?yàn)椴豢赡芫_地控制與該等單元工藝相關(guān)聯(lián)的大量變數(shù)，所以很難在晶片的整個區(qū)域上獲得疊層的均勻厚度以及蝕刻比及離子的均勻密度。因此，因不可預(yù)期或不精確地受控制工藝變數(shù)所造成的工藝錯誤是半導(dǎo)體裝置制造的固有情況。
如所預(yù)期，工藝錯誤最后破壞所要制造的半導(dǎo)體裝置的特性。舉例來說，晶體管在整個晶片上經(jīng)常無法維持一均勻臨界電壓?？v使在形成一柵極堆疊結(jié)構(gòu)前經(jīng)由一離子注入工藝的實(shí)施以在整個晶片上將該臨界電壓調(diào)整成為一致，該臨界電壓在后續(xù)工藝期間會變成不均勻，導(dǎo)致該臨界電壓在整個晶片上有不均勻的分布。
在一柵極絕緣層的后續(xù)形成中，在整個晶片上形成一具有不均勻厚度的氧化層以作為一柵極絕緣層。即使實(shí)施該離子注入工藝以給予該晶片具有一均勻臨界電壓，亦不可能在整個晶片上完成一均勻臨界電壓分布。
再者，當(dāng)形成具有輕摻雜漏極(LDD)結(jié)構(gòu)的源極/漏極區(qū)域時，在該柵極堆疊結(jié)構(gòu)的形成后先注入低密度離子，以形成源極/漏極延擴(kuò)張區(qū)域。隨后，在該柵極堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成一柵極間隔物，以及然后，注入高密度離子以形成深源極/漏極區(qū)域。然而，會有下列問題在整個晶片上以一不均勻厚度方式堆疊該柵極間隔物的氧化層及氮化層，以及甚至當(dāng)使用一回蝕刻工藝時，亦不可能完成一均勻蝕刻比。因此，該柵極間隔物在該晶片上呈現(xiàn)一不均勻厚度。當(dāng)使用該柵極間隔物作為一離子注入掩模以形成該等深源極/漏極區(qū)域時，無法避免對該晶片的部分臨界電壓產(chǎn)生不利影響。
為了解決上述不均勻工藝結(jié)果所造成的臨界電壓的不均勻分布問題，已提出一部分注入法。該部分注入法是一種在考慮后續(xù)工藝中臨界電壓的變化下將離子以不同密度注入一晶片的各區(qū)域中的方法，其中該等離子作為雜質(zhì)，亦即提供一臨界電壓調(diào)整的摻雜劑。
圖1是描述一傳統(tǒng)部分注入法的圖式。依據(jù)所要注入的摻雜劑離子的密度將一晶片100分割成多個區(qū)域。更特別地，依據(jù)一越過該晶片的中心的分界線110，將該晶片100分割成一在該分界線110的上側(cè)的上區(qū)域120及一在該分界線110的下側(cè)的下區(qū)域130。在此，應(yīng)該知道術(shù)語“上”及“下”為了有關(guān)圖1的晶片結(jié)構(gòu)的容易說明所使用，以及并非想要用以限制其間的位置關(guān)系。
將了解到當(dāng)情況需要時，可將該晶片分割成三個或更多區(qū)域。在考慮后續(xù)工藝中的臨界電壓變化下將具有不同密度的離子注入各該等分割區(qū)域(亦即，該上及下區(qū)域120及130)中。例如當(dāng)預(yù)期在后續(xù)工藝期間降低該上區(qū)域120的臨界電壓時，以相對低于在一般注入工藝中所注入的離子的正常密度大概5％的密度來注入摻雜劑離子，藉此增加該上區(qū)域120的臨界電壓。相反地，當(dāng)預(yù)期在后續(xù)工藝期間增加該下區(qū)域130的臨界電壓時，以相對高于該正常密度大概5％的密度來注入摻雜劑離子，藉此減少該下區(qū)域130的臨界電壓。盡管在后續(xù)工藝中的臨界電壓變化，此能使該晶片100的上及下區(qū)域120及130達(dá)成一均勻臨界電壓分布。
圖2是描述藉由該傳統(tǒng)部分注入法所注入的摻雜劑離子的密度分布的曲線圖。該曲線圖的橫坐標(biāo)表示該晶片100的沿著線II-II′所測量的長度，其與該晶片100的分界線110相交。該橫坐標(biāo)的原點(diǎn)表示在該圓形晶片100的周邊上的一點(diǎn)，以及該橫坐標(biāo)的右端表示該晶片100的周邊的相對點(diǎn)，其顯示為圖1中的平坦區(qū)。再者，一虛線110a表示圖1的分界線110。在該虛線110a的左側(cè)的區(qū)域表示該晶片100的上區(qū)域120，以及在該虛線110a的右側(cè)的區(qū)域表示該晶片100的下區(qū)域130。該曲線圖的縱坐標(biāo)表示一TW信號(terma-wave(TW)signal)，該TW信號與在一晶片中所注入的摻雜劑離子的密度成比例。因此，可藉由測量該TW信號以知道在該晶片100中所注入的摻雜劑離子的密度分布。從上面有關(guān)于圖1所述的說明，可清楚了解在該晶片100的上區(qū)域120中所注入的摻雜劑離子的密度相對較低，以及在該晶片100的下區(qū)域130中所注入的摻雜劑離子的密度相對較高。
雖然上述傳統(tǒng)部分注入法在該晶片的整個各區(qū)域上可去除該臨界電壓的不均勻至某種程度，但是當(dāng)調(diào)整在各該等區(qū)域間的分界線上的摻雜劑離子的密度時，會有一個限制。亦即，很難調(diào)整在圖1中所述的晶片100的分界線110附近的摻雜劑離子的密度。如在圖2的曲線圖中所清楚描述，該等摻雜劑離子的密度在該分界線110附近并非是固定的，而是慢慢地從該上區(qū)域120朝該下區(qū)域130增加。該密度的斜率以在圖2的曲線圖的虛線110a附近的一虛線200來表示，其中該虛線110a對應(yīng)于該晶片100的分界線110。該虛線200僅依據(jù)在該晶片100中所注入的摻雜劑離子的密度來決定，以及無法自由地被調(diào)整。將可容易了解，該虛線200的斜率在該分界線110附近應(yīng)該較高，以便在該分界線110所分割的各區(qū)域中的晶體管的特性間達(dá)成有大的差異。相反地，當(dāng)希望減少該等晶體管的特性間的差異時，該虛線200的斜率在該分界線110附近應(yīng)該是較低的。然而，該傳統(tǒng)部分注入法無法提供對該虛線200的斜率(亦即，該等摻雜劑離子的密度)的自由調(diào)整。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，公開一種部分注入法，其能允許在一分界線附近所注入的摻雜劑離子的密度分布的自由調(diào)整，以及能將一晶片分割成為對應(yīng)于所要測量的半導(dǎo)體裝置的物理特性的多個區(qū)域。
一種公開的部分注入法以不同密度將摻雜劑離子注入在一晶片中藉由一分界線所界定的多個區(qū)域中，該多個區(qū)域包括第一及第二區(qū)域，該方法包括界定第一注入?yún)^(qū)，該第一注入?yún)^(qū)是該第一區(qū)域除了該第一區(qū)域的靠近該分界線的一特定部分以外的剩余部分，界定一第二注入?yún)^(qū)，該第二注入?yún)^(qū)是該第二區(qū)域除了該第二區(qū)域的靠近該分界線的一特定部分以外的剩余部分，及界定一第三注入?yún)^(qū)，該第三注入?yún)^(qū)是該晶片除了該第一及第二注入?yún)^(qū)以外的剩余部分；以及以第一密度將摻雜劑離子注入該第一注入?yún)^(qū)，以不同于第一密度的第二密度將摻雜劑離子注入該第二注入?yún)^(qū)，及以第三密度將摻雜劑離子注入該第三注入?yún)^(qū)，該第三密度是一位于該第一密度與第二密度間的中間值。
優(yōu)選地，該第一注入?yún)^(qū)可以具有一小于該第一區(qū)域一半的面積或更優(yōu)選具有該第一區(qū)域約98％的面積。
優(yōu)選地，該第二注入?yún)^(qū)可以具有一小于該第二區(qū)域一半的面積或更優(yōu)選地具有該第二區(qū)域約98％的面積。
優(yōu)選地，在該第一注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第一密度可以低于在該第三注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第三密度，以及在該第二注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第二密度可以高于在第三注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第三密度。
優(yōu)選地，該第一密度可以低于該第三密度約5％，以及該第二密度可以高于該第三密度約5％。
優(yōu)選地，在該第一與該第二區(qū)域間的分界線可以形成用以垂直地或水平地將該晶片分為二等分。
優(yōu)選地，在該第一與該第二區(qū)域間的分界線可以形成用以將該晶片分割成一中心區(qū)域及一周邊區(qū)域。
另一種公開的部分注入法以不同密度將摻雜劑離子注入在一晶片中藉由一圓形分界線所界定的一中心區(qū)域及一周邊區(qū)域中，該方法包括界定一在一水平線的上側(cè)的第一區(qū)域及一在該水平線的下側(cè)的第二區(qū)域，該水平線是該圓形分界線的一切線；以第一密度注入摻雜劑離子至一第一注入?yún)^(qū)，該第一注入?yún)^(qū)是該第一區(qū)域除了該第一區(qū)域的靠近該水平線的一特定部分以外的剩余部分，以不同于第一密度的第二密度注入摻雜劑離子至一第二注入?yún)^(qū)，該第二注入?yún)^(qū)是該第二區(qū)域除了該第二區(qū)域的靠近該水平線的一特定部分以外的剩余部分，及以第三密度注入摻雜劑離子至一第三注入?yún)^(qū)，該第三注入?yún)^(qū)是該晶片除了該第一及該第二注入?yún)^(qū)以外的剩余部分，第三密度是一位于該第一與第二密度間的中間值；以及重復(fù)地注入該等離子，同時間歇地在360°的角度范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)該晶片。
優(yōu)選，可以實(shí)施該等離子的重復(fù)注入，同時間歇地旋轉(zhuǎn)該晶片，直到使該晶片旋轉(zhuǎn)超過至少360°的角度范圍為止。
優(yōu)選，在該等摻雜劑離子的注入期間可以間歇地使該晶片旋轉(zhuǎn)小于180°的角度。
優(yōu)選，該第一注入?yún)^(qū)可以具有該第一區(qū)域的約98％的面積。
優(yōu)選，該第二注入?yún)^(qū)可以具有該第二區(qū)域的約98％的面積。
優(yōu)選，在該第一注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第一密度可以低于在該第三注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第三密度，以及在該第二注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第二密度可以高于在該第三注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第三密度。
優(yōu)選，該第一密度可以低于該第三密度約5％，以及該第二密度可以高于該第三密度約5％。
另一種部分注入法以不同密度將摻雜劑離子注入在一晶片中藉由一分界線所界定的多個區(qū)域中，該多個區(qū)域包括第一及第二區(qū)域，該方法包括界定一第一注入?yún)^(qū)，該第一注入?yún)^(qū)占據(jù)該第一區(qū)域的部分及該第二區(qū)域的靠近該分界線的一特定部分，及界定一等于該第二區(qū)域的第二注入?yún)^(qū)；以及以第一密度注入摻雜劑離子至該第一注入?yún)^(qū)，及以不同于第一密度的第二密度注入摻雜劑離子至該第二注入?yún)^(qū)。
優(yōu)選，該第一注入?yún)^(qū)可以具有該第一區(qū)域的約110％的面積。
優(yōu)選，在該第一注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第一密度可以低于在該第二注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第二密度。
優(yōu)選，該第一密度可以低于該第二密度約5％。
優(yōu)選，在該第一注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第一密度可以高于在該第二注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第二密度。
優(yōu)選，該第一密度可以高于該第二密度約5％。
另一種部分注入法以不同密度將摻雜劑離子注入在一晶片中藉由一圓形分界線所界定的一中心區(qū)域及一周邊區(qū)域中，該方法包括界定一在一水平線的上側(cè)的第一區(qū)域及一在該水平線的下側(cè)的第二區(qū)域，該水平線是該圓形分界線的一切線；界定一第一注入?yún)^(qū)，該第一注入?yún)^(qū)占據(jù)該第一區(qū)域的部分及該第二區(qū)域的靠近該分界線的一特定部分，及界定一等于該第二區(qū)域的第二注入?yún)^(qū)；以第一密度注入摻雜劑離子至該第一注入?yún)^(qū)，及以不同于第一密度的第二密度注入摻雜劑離子至該第二注入?yún)^(qū)；以及重復(fù)地注入該等離子，同時間歇地在360°的角度范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)該晶片。
優(yōu)選，可以實(shí)施該等離子的重復(fù)注入，同時間歇地旋轉(zhuǎn)該晶片，直到使該晶片旋轉(zhuǎn)超過至少360°的角度范圍為止。
優(yōu)選，在該等摻雜劑離子的注入期間可以間歇地使該晶片旋轉(zhuǎn)小于180°的角度。
優(yōu)選，該第一注入?yún)^(qū)可以具有該第一區(qū)域的約110％的面積。
優(yōu)選，在該第一注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第一密度可以低于在該第二注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第二密度。
優(yōu)選，在該第一注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第一密度可以高于在該第二注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第二密度。


從下面配合附圖的詳細(xì)說明可更加清楚了解所公開的方法的上述及其它特征以及優(yōu)點(diǎn)，其中圖1是說明一傳統(tǒng)部分注入法的圖式；圖2是描述藉由一傳統(tǒng)部分注入法所注入的摻雜劑離子的密度分布的曲線圖；圖3是說明依據(jù)第一公開方法的一部分注入法的圖式；圖4是描述藉由依據(jù)第一公開方法的部分注入法所注入的摻雜劑離子的密度分布的曲線圖；圖5是說明第一公開方法的一替代部分注入法的圖式；圖6a至6d是說明依據(jù)第二公開方法的一部分注入法的圖式；圖7是描述藉由依據(jù)第二公開方法的部分注入法所注入的摻雜劑離子的密度分布的曲線圖；圖8是說明依據(jù)第三公開方法的一部分注入法的圖式；圖9是藉由依據(jù)第三公開方法的部分注入法所注入的摻雜劑離子的密度分布的曲線圖；圖10是說明依據(jù)第三公開方法的一替代部分注入法的圖式；圖11是說明依據(jù)第三公開方法在一分界線附近的密度分布的調(diào)整的曲線圖；圖12a至12d是說明依據(jù)第四公開方法的一部分注入法的圖式；圖13是描述藉由依據(jù)第四公開方法的部分注入法所注入的摻雜劑離子的密度分布的曲線圖；以及圖14a至14d是說明第四公開方法的一替代部分注入法的圖式。
具體實(shí)施例方式
在下面描述中，應(yīng)該知道術(shù)語“上”及“下”為了有關(guān)附圖的晶片結(jié)構(gòu)的容易說明所使用，以及并非想要用以限制其間的位置關(guān)系。
圖3是說明依據(jù)第一公開方法的一部分注入法的圖式。將一晶片300依據(jù)所要注入的摻雜劑離子的密度分割成多個區(qū)域。更特別地，依據(jù)一越過該晶片的中心的分界線310，將該晶片300分割成一在該分界線310的上側(cè)的第一區(qū)域320及一在該分界線310的下側(cè)的第二區(qū)域330。當(dāng)然，自然地可了解到本實(shí)施例依據(jù)越過該晶片300的中心的分界線310將該晶片300等分成該第一及該第二區(qū)域320及330，然而此僅是示范用，以及當(dāng)情況需要時，可向上或向下移置該分界線310。在另一情況中，該分界線310可以朝垂直方向而非圖1所示的水平方向延伸，或者可以傾斜地設(shè)置。
在將該晶片300分割成該第一及第二區(qū)域320及330之后，在該第一區(qū)域320的部分中界定一第一注入?yún)^(qū)350。該第一注入?yún)^(qū)350具有一藉由在該第一區(qū)域320的靠近該分界線310的一特定部分中所注入的摻雜劑離子的密度分布所決定的面積。在本實(shí)施例中，該第一注入?yún)^(qū)350的面積是該第一區(qū)域320的面積的約98％。在此，該第一區(qū)域320的剩余面積對應(yīng)于靠近該分界線310的特定部分。更特別地，依據(jù)位于該分界線310上方的虛線340，將該第一區(qū)域320分割成一在該虛線340的下側(cè)的靠近該分界線310的區(qū)及一在該虛線340的上側(cè)的與該分界線310隔開的區(qū)。使用在該虛線340的上側(cè)的與該分界線310隔開的區(qū)以作為該第一注入?yún)^(qū)350。
同樣地，在該第二區(qū)域330的部分中界定一第二注入?yún)^(qū)370。該第二注入?yún)^(qū)370具有一藉由在該第二區(qū)域330的靠近該分界線310的一特定部分中所注入的摻雜劑離子的密度分布所決定的面積。在本實(shí)施例中，該第二注入?yún)^(qū)370的面積是該第二區(qū)域330的面積的約98％。在此，該第二區(qū)域330的剩余面積對應(yīng)于靠近該分界線310的特定部分。更特別地，依據(jù)位于該分界線310下側(cè)的虛線360，將該第二區(qū)域330分割成一在該虛線360的上側(cè)的靠近該分界線310的區(qū)及一在該虛線360的下側(cè)的與該分界線310隔開的區(qū)。使用在該虛線360的下側(cè)的與該分界線310隔開的區(qū)以作為該第二注入?yún)^(qū)370。
該晶片300的除了該第一及第二注入?yún)^(qū)350及370以外的靠近分界線310的剩余部分界定一第三注入?yún)^(qū)380。亦即，該第三注入?yún)^(qū)380以預(yù)定的距離從該分界線310延伸至該第一及第二區(qū)域320及330。
在依據(jù)該分界線310界定該第一及第二注入?yún)^(qū)350及370(藉由排除靠近該分界線310的特定部分來界定)以及在該第三注入?yún)^(qū)380(作為該排除部分)后，藉由一離子注入掩模對該第一、第二及第三注入?yún)^(qū)350、370及380實(shí)施一用于臨界電壓調(diào)整的離子注入工藝。傳統(tǒng)上，相繼在該第一、第二及第三注入?yún)^(qū)350、370及380實(shí)施離子注入工藝。在本實(shí)施例中，以正常密度將摻雜劑離子注入該第三注入?yún)^(qū)380，同時以低于及高于該正常密度的不同密度將摻雜劑離子分別注入該第一及第二注入?yún)^(qū)350及370。在此，在該第三注入?yún)^(qū)380中所注入的摻雜劑離子的正常密度對應(yīng)于在一般注入工藝而非一部分注入的情況中所注入的摻雜劑離子的密度。
作為一用于臨界電壓調(diào)整的離子注入工藝的范例，當(dāng)希望增加該第一區(qū)域320的臨界電壓以超過一預(yù)定水平及減少該第二區(qū)域330的臨界電壓以低于一預(yù)定水平時，該第一區(qū)域320需要補(bǔ)償在后續(xù)工藝中其臨界電壓的減少，同時該第二區(qū)域330需要補(bǔ)償在后續(xù)工藝中其臨界電壓的增加。對此，在該第一注入?yún)^(qū)350中所注入的摻雜劑離子的密度必須低于在該第三注入?yún)^(qū)380所注入的摻雜劑離子的正常密度。相反地，在該第二注入?yún)^(qū)370中所注入的摻雜劑離子的密度必須高于在該第三注入?yún)^(qū)380所注入的摻雜劑離子的正常密度。更特別地，雖然可依據(jù)所期望臨界電壓值來改變所注入的摻雜劑離子的密度，但是決定在該第一注入?yún)^(qū)350中所注入的摻雜劑離子的密度低于在該第三注入?yún)^(qū)380中所注入的摻雜劑離子的密度約5％，同時決定在該第二注入?yún)^(qū)370中所注入的摻雜劑離子的密度高于在該第三注入?yún)^(qū)380中所注入的摻雜劑離子的密度約5％。藉由使用上述部分注入法以實(shí)施該離子注入工藝，可由改變該第一及第二注入?yún)^(qū)350及370的面積中的至少一者來調(diào)整該分界線310附近的摻雜劑離子的密度分布。
圖4是描述藉由依據(jù)第一公開方法的部分注入法所注入的摻雜劑離子的密度分布的曲線圖。該曲線圖的橫坐標(biāo)表示沿著一與該晶片300的分界線310相交的線所測量的該晶片300的長度。在橫坐標(biāo)的中心的零值對應(yīng)于該晶片300的分界線310，以及該零值的左及右側(cè)分別表示該晶片300的第一及第二區(qū)域320及330。該曲線圖的橫坐標(biāo)表示一TW信號，其與在該晶片300中所注入的摻雜劑離子的密度成比例。
如圖4所示，相較于圖2所示的傳統(tǒng)部分注入法，使用圖3的部分注入法以注入該等摻雜劑離子的結(jié)果可發(fā)現(xiàn)在該晶片300的分界線310附近的摻雜劑離子的密度快速地改變。亦即，一用以表示在該分界線310附近的摻雜劑離子的密度分布的虛線400的斜率是較高的。該虛線400的斜率可藉由改變該第一及第二注入?yún)^(qū)350及370的面積中的至少一者來調(diào)整。例如當(dāng)希望增加該虛線400的斜率時，藉由朝該分界線310移置該等虛線340及360中的至少一者來增加該第一及第二注入?yún)^(qū)350及370的面積中的至少一者，其中該等虛線340及360界定該第一及第二注入?yún)^(qū)350及370的邊界。相反地，當(dāng)希望減少該虛線400的斜率時，藉由遠(yuǎn)離該分界線310移置該等虛線340及360中的至少一者來減少該第一及第二注入?yún)^(qū)350及370的面積中的至少一者。
圖5是說明第一公開方法的一替代部分注入法的圖式。
相較于有關(guān)圖3所述的公開方法，依據(jù)一圓形分界線310a將一晶片300a分割成第一及第二區(qū)域。亦即，該第一區(qū)域是一在該圓形分界線310a內(nèi)部的晶片300a的中心區(qū)域，以及該第二區(qū)域是一在該圓形分界線310a外部的晶片300a的周邊區(qū)域。在此情況中，在一從該分界線310a向內(nèi)移置有一預(yù)定距離的圓形虛線340a內(nèi)界定一第一注入?yún)^(qū)350a，以及在一從該分界線310a向外移置有一預(yù)定距離的圓形虛線360a外界定一第二注入?yún)^(qū)370a。一在該第一與第二注入?yún)^(qū)350a及370a間的區(qū)是一第三注入?yún)^(qū)380a。除了上述差別以外，上述替代實(shí)施例相似于圖3的第一實(shí)施例，以及因此，為了簡化起見將省略其詳細(xì)說明。
圖6a至6d是說明依據(jù)第二公開方法的一部分注入法的圖式。該部分注入法包含離子幾次的注入，同時旋轉(zhuǎn)一晶片600。首先，將該晶片600依據(jù)所要注入的摻雜劑離子的密度分割成多個區(qū)域。在本實(shí)施例中，依據(jù)一圓形分界線610將該晶片600分割成第一及第二區(qū)域。該晶片600的第一區(qū)域是一在該分界線610外側(cè)的周邊區(qū)域620，以及該晶片600的第二區(qū)域是一在該分界線610內(nèi)側(cè)的中心區(qū)域630。
接下來，將該晶片600定位至一標(biāo)準(zhǔn)位置。該標(biāo)準(zhǔn)位置如圖6a所示，其中該晶片600的一平坦區(qū)610在該晶片的最下位置。在此方位中，在一從一標(biāo)準(zhǔn)虛線610a(作為該圓形分界線610的一切線)向上平行地移置有一預(yù)定距離的第一虛線640的上側(cè)界定一第一注入?yún)^(qū)650?？蓻Q定該第一注入?yún)^(qū)650的面積為在該第一虛線640的上側(cè)的區(qū)域的面積的約98％。同樣地，在一從該標(biāo)準(zhǔn)虛線610a(作為該圓形分界線610的一切線)向下平行地移置有一預(yù)定距離的第二虛線660的下側(cè)界定一第二注入?yún)^(qū)670。亦可決定該第二注入?yún)^(qū)670的面積為在該第二虛線660的下側(cè)的區(qū)域的面積的約98％。在此情況中，該晶片600的除了該第一及第二注入?yún)^(qū)650及670以外的靠近該標(biāo)準(zhǔn)虛線610a的剩余部分界定一第三注入?yún)^(qū)680。亦即，該第三注入?yún)^(qū)680以預(yù)定距離從該標(biāo)準(zhǔn)虛線610a延伸至該第一及第二區(qū)。
在界定該第一、第二及第三注入?yún)^(qū)650、670及680之后，藉由一離子注入掩模對該第一、第二及第三注入?yún)^(qū)650、670及680相繼地實(shí)施一用于臨界電壓調(diào)整的第一離子注入工藝。在此情況中，以一正常密度在該第三注入?yún)^(qū)680中注入摻雜劑離子，同時以高于及低于該正常密度的不同密度分別在該第一及第二注入?yún)^(qū)650及670中注入摻雜劑離子。在此，在該第三注入?yún)^(qū)680中所注入的離子的正常密度對應(yīng)于在一般注入工藝而非該部分注入工藝的情況中所注入的摻雜劑離子的密度。
作為一用于臨界電壓調(diào)整的離子注入工藝的范例，當(dāng)希望增加該第一區(qū)域620的臨界電壓以超過一預(yù)定水平及減少該第二區(qū)域630的臨界電壓以低于一預(yù)定水平時，該第一區(qū)域620需要補(bǔ)償在后續(xù)工藝中其臨界電壓的減少，同時該第二區(qū)域630需要補(bǔ)償在后續(xù)工藝中其臨界電壓的增加。對此，在該第一注入?yún)^(qū)650中所注入的摻雜劑離子的密度必須低于在該第三注入?yún)^(qū)680所注入的摻雜劑離子的正常密度。相反地，在該第二注入?yún)^(qū)670中所注入的摻雜劑離子的密度必須高于在該第三注入?yún)^(qū)680所注入的摻雜劑離子的正常密度。更特別地，雖然可依據(jù)所期望臨界電壓值來改變所注入的摻雜劑離子的密度，但是決定在該第一注入?yún)^(qū)650中所注入的摻雜劑離子的密度低于在該第三注入?yún)^(qū)680中所注入的摻雜劑離子的密度約5％，同時決定在該第二注入?yún)^(qū)670中所注入的摻雜劑離子的密度高于在該第三注入?yún)^(qū)680中所注入的摻雜劑離子的密度約5％。
參考圖6b，在完成該第一離子注入工藝之后，使該晶片600順時針(圖6a中的箭頭r1所示)旋轉(zhuǎn)90°，促使該平坦區(qū)601處于該晶片600的最左位置。在此方位中，在相同于該第一離子注入工藝的工藝條件下實(shí)施一第二離子注入工藝。亦即，在該第一、第二及第三注入?yún)^(qū)650、670及680中相繼地注入摻雜劑離子。決定在該第一注入?yún)^(qū)650中所注入的摻雜劑離子的密度低于在該第三注入?yún)^(qū)680中所注入的摻雜劑離子的密度約5％，同時決定在該第二注入?yún)^(qū)670中所注入的摻雜劑離子的密度高于在該第三注入?yún)^(qū)680中所注入的摻雜劑離子的密度約5％。
參考圖6c，在完成該第二離子注入工藝之后，使該晶片600順時針(圖6b中的箭頭r2所示)旋轉(zhuǎn)90°，促使該平坦區(qū)601處于該晶片600的最上位置。在此方位中，在相同于該第一及第二離子注入工藝的工藝條件下實(shí)施一第三離子注入工藝。
參考圖6d，在完成該第三離子注入工藝之后，使該晶片600順時針(圖6c中的箭頭r3所示)旋轉(zhuǎn)90°，促使該平坦區(qū)601處于該晶片600的最右位置。在此方位中，在相同于該第一、第二及第三離子注入工藝的工藝條件下實(shí)施一第四離子注入工藝。
在完成該第四離子注入工藝之后，使該晶片600順時針(圖6d中的箭頭r4所示)旋轉(zhuǎn)90°，促使該平坦區(qū)601回到該晶片600的原始最下位置。應(yīng)該了解到雖然本實(shí)施例已描述該晶片600只旋轉(zhuǎn)360°的角度范圍，但是可藉由重復(fù)地旋轉(zhuǎn)該晶片600以實(shí)施該第一至第四離子注入工藝。再者，取代間歇地以90°間隔旋轉(zhuǎn)該晶片600，可以使該晶片600旋轉(zhuǎn)小于90°或旋轉(zhuǎn)于90°與180°之間。相應(yīng)地，離子注入工藝的數(shù)目自然是以與該晶片600的旋轉(zhuǎn)角度成比例關(guān)系增加或減少。
圖7是描述藉由依據(jù)第二公開方法的部分注入法所注入的摻雜劑離子的密度分布的曲線圖。將了解到在該晶片600的第一區(qū)域620中所注入的摻雜劑離子的密度高于在該晶片600的第二區(qū)域630中所注入的摻雜劑離子的密度。依據(jù)界定該第一及第二注入?yún)^(qū)650及670(亦即，從該標(biāo)準(zhǔn)虛線610a至該第一及第二虛線640及660的距離)的方式來決定該虛線700的斜率(表示在該第一與第二區(qū)域620及630間的界面上(亦即，在該分界線610的附近)的摻雜劑離子的密度分布)。在該第一或第二虛線640或660與該標(biāo)準(zhǔn)虛線610a間的距離越短，則該等虛線700的斜率越高。相反地，在該第一或第二虛線640或660與該標(biāo)準(zhǔn)虛線610a間的距離越遠(yuǎn)，則該等虛線700的斜率越低。
圖8是說明依據(jù)第三公開方法的一部分注入法的圖式。將一晶片800依據(jù)所要注入的摻雜劑離子的密度分割成多個區(qū)域。更特別地，依據(jù)一越過該晶片的中心的分界線810，將該晶片800分割成一在該分界線810的上側(cè)的第一區(qū)域820及一在該分界線810的下側(cè)的第二區(qū)域830。一第一注入?yún)^(qū)850占據(jù)該第一區(qū)域820的部分及該第二區(qū)域830的一靠近該分界線810的特定部分。該第一注入?yún)^(qū)850的邊界藉由虛線840來表示。該第一注入?yún)^(qū)850的面積依據(jù)在該分界線810附近的摻雜劑離子的密度分布來決定。在本實(shí)施例中，決定該第一注入?yún)^(qū)850的面積為該第一區(qū)域820的面積的約110％。一第二注入?yún)^(qū)860具有相等于該第二區(qū)域830的面積。因此，該第一注入?yún)^(qū)850的部分與該第二注入?yún)^(qū)860的部分重疊，藉此產(chǎn)生一重疊區(qū)855。該重疊區(qū)855位于靠近該分界線810的第二區(qū)域830中。
在界定該第一及第二注入?yún)^(qū)850及860之后，藉由一離子注入掩模在該第一注入?yún)^(qū)850中先注入摻雜劑離子，以及隨后，將摻雜劑離子注入該第二注入?yún)^(qū)860中。結(jié)果，將離子兩次注入該第一及第二注入?yún)^(qū)850及860的重疊區(qū)855中。在此情況中，在該第一注入?yún)^(qū)850中所注入的摻雜劑離子的密度低于在該第二注入?yún)^(qū)860中所注入的摻雜劑離子的密度。在本實(shí)施例中，在該第一及第二注入?yún)^(qū)850及860中所注入的摻雜劑離子間的密度差為約5％。
圖9是藉由依據(jù)第三公開方法的部分注入法所注入的摻雜劑離子的密度分布的曲線圖。將了解到在該第一區(qū)域820中所注入的摻雜劑離子的密度低于該第二區(qū)域830中所注入的摻雜劑離子的密度。再者，因?yàn)樵谠摰谝患暗诙^(qū)域820及830在該分界線810的附近重疊的狀態(tài)下實(shí)施該離子注入工藝，所以一虛線900的斜率(表示在該分界線810附近的摻雜劑離子的密度分布)相對較低。當(dāng)希望降低該虛線900的斜率時，應(yīng)該增加該第一及第二注入?yún)^(qū)850及860的重疊區(qū)855的面積。
圖10是說明依據(jù)第三公開方法的一替代部分注入法的圖式。將一晶片1000依據(jù)所要注入的摻雜劑離子的密度分割成多個區(qū)域。更特別地，依據(jù)一越過該晶片的中心的分界線1010，將該晶片1000分割成一在該分界線1010的上側(cè)的第一區(qū)域1020及一在該分界線1010的下側(cè)的第二區(qū)域1030。一第一注入?yún)^(qū)1050具有相等于該第一區(qū)域1020的面積。一第二注入?yún)^(qū)1060占據(jù)該第二區(qū)域1030的部分及該第一區(qū)域1020的一靠近該分界線1010的特定部分。該第二注入?yún)^(qū)1060的邊界藉由虛線1040來表示。該第二注入?yún)^(qū)1060的面積依據(jù)在該分界線1010附近的摻雜劑離子的密度分布來決定。在本實(shí)施例中，決定該第二注入?yún)^(qū)1060的面積為該第二區(qū)域1030的面積的約110％。因此，該第二注入?yún)^(qū)1060的部分與該第一注入?yún)^(qū)1050的部分重疊，藉此產(chǎn)生一重疊區(qū)1055。該重疊區(qū)1055位于靠近該分界線1010的第一區(qū)域1020中。
在界定該第一及第二注入?yún)^(qū)1050及1060之后，藉由一離子注入掩模在該第一注入?yún)^(qū)1050中先注入摻雜劑離子，以及隨后，將摻雜劑離子注入該第二注入?yún)^(qū)1060中。結(jié)果，將離子兩次注入該第一及第二注入?yún)^(qū)1050及1060的重疊區(qū)1055中。在此情況中，在該第一注入?yún)^(qū)1050中所注入的摻雜劑離子的密度低于在該第二注入?yún)^(qū)1060中所注入的摻雜劑離子的密度。在本實(shí)施例中，在該第一及第二注入?yún)^(qū)1050及1060中所注入的摻雜劑離子間的密度差為約5％。藉由使用上述部分注入法實(shí)施該離子注入工藝所獲得的摻雜劑離子的密度分布相似于圖9的曲線所示者。
圖11是說明依據(jù)第三公開方法在該分界線附近的密度分布的調(diào)整的曲線圖?？烧{(diào)整在該晶片的分界線附近的摻雜劑離子的密度分布，以提供一具有最低斜率的虛線1101、一具有中間斜率的虛線1102及一具有最高斜率的虛線1103。可藉由改變該第一及第二注入?yún)^(qū)的重疊區(qū)的面積來調(diào)整該虛線1102的斜率。該第一及第二注入?yún)^(qū)的重疊區(qū)的面積越大，則用以表示摻雜劑離子的密度分布的虛線的斜率越低。當(dāng)該第一及第二注入?yún)^(qū)重疊有一大面積時，獲得最低斜率的虛線1101，然而該第一及第二注入?yún)^(qū)重疊有一小面積時，獲得最高斜率的虛線1103。
圖12a至12d是說明依據(jù)第四公開方法的一部分注入法的圖式。相似于先前所述的第二實(shí)施例，依據(jù)第四公開方法的部分注入法包含在一晶片1200的旋轉(zhuǎn)期間的多個離子注入工藝。在本實(shí)施例中，將該晶片1200依據(jù)所要注入的摻雜劑離子的密度分割成多個區(qū)域。亦即，依據(jù)一圓形分界線1210，將該晶片1200分割成第一及第二區(qū)域。該晶片1200的第一區(qū)域是一在該圓形分界線1210外的周邊區(qū)域1220，以及該晶片1200的第二區(qū)域是一在該圓形分界線1210內(nèi)的中心區(qū)域1230。
接下來，將該晶片1200的一平坦區(qū)1201定位在最下位置。在此方位中，在一從一標(biāo)準(zhǔn)虛線1210a(作為該圓形分界線1210的一切線)向上平行地移置有一預(yù)定距離的虛線1240的上側(cè)界定一第一注入?yún)^(qū)1250。在該標(biāo)準(zhǔn)虛線1210a的下側(cè)界定一第二注入?yún)^(qū)1260。
在界定該第一及第二注入?yún)^(qū)1250及1260之后，藉由一離子注入掩模在該第一及第二注入?yún)^(qū)1250及1260中實(shí)施一用于臨界電壓調(diào)整的第一離子注入工藝。將該第一離子注入工藝分割成一相關(guān)聯(lián)于該第一注入?yún)^(qū)1250的離子注入步驟及一相關(guān)聯(lián)于該第二注入?yún)^(qū)1260的離子注入步驟。將具有不同密度的摻雜劑離子注入該第一及第二注入?yún)^(qū)1250及1260。決定在該第一注入?yún)^(qū)1250中所注入的摻雜劑離子的密度低于在該第二注入?yún)^(qū)1260中所注入的摻雜劑離子的密度。更特別地，雖然可依據(jù)期望臨界電壓值改變所注入的摻雜劑離子的密度，但是在該第一及第二注入?yún)^(qū)1250及1260中所注入的摻雜劑離子的密度差為約5％。
參考圖12b，在完成該第一離子注入工藝之后，使該晶片1200順時針(圖12a中的箭頭r1所示)旋轉(zhuǎn)90°，促使該平坦區(qū)1201處于該晶片1200的最左位置。在此方位中，在相同于該第一離子注入工藝的工藝條件下實(shí)施一第二離子注入工藝。亦即，將該等摻雜劑離子注入該第一及第二注入?yún)^(qū)1250及1260，以便在該第一注入?yún)^(qū)1250中所注入的摻雜劑離子的密度低于在該第二注入?yún)^(qū)1260所注入的摻雜劑離子的密度約5％。
參考圖12c，在完成該第二離子注入工藝之后，使該晶片1200順時針(圖12b中的箭頭r2所示)旋轉(zhuǎn)90°，促使該平坦區(qū)1201處于該晶片1200的最上位置。在此方位中，在相同于該第一及第二離子注入工藝的工藝條件下實(shí)施一第三離子注入工藝。
參考圖12d，在完成該第三離子注入工藝之后，使該晶片1200順時針(圖12c中的箭頭r3所示)旋轉(zhuǎn)90°，促使該平坦區(qū)1201處于該晶片1200的最右位置。在此方位中，在相同于該第一、第二及第三離子注入工藝的工藝條件下實(shí)施一第四離子注入工藝。
在完成該第四離子注入工藝之后，使該晶片1200順時針(圖12d中的箭頭r4所示)旋轉(zhuǎn)90°，促使該平坦區(qū)1201回到其原始最下位置。應(yīng)該了解到雖然本實(shí)施例已描述該晶片1200只旋轉(zhuǎn)360°的角度范圍，但是可藉由重復(fù)地旋轉(zhuǎn)該晶片1200以實(shí)施該第一至第四離子注入工藝。再者，取代間歇地以90°間隔旋轉(zhuǎn)該晶片1200，可以使該晶片1200旋轉(zhuǎn)小于90°或旋轉(zhuǎn)于90°與180°之間。相應(yīng)地，離子注入工藝的數(shù)目自然是以與該晶片1200的旋轉(zhuǎn)角度成比例關(guān)系增加或減少。
圖13是描述藉由依據(jù)第四公開方法的部分注入法所注入的摻雜劑離子的密度分布的曲線圖。一起參考圖12a至12d，可了解到在該晶片1200的第一區(qū)域1220中的摻雜劑離子的密度高于在該第二區(qū)域1230中的摻雜劑離子的密度。依據(jù)界定該第一及第二注入?yún)^(qū)1250及1260的方式及該標(biāo)準(zhǔn)虛線1210a至該虛線1240間的距離(亦即，該第一及第二注入?yún)^(qū)1250及1260的重疊區(qū)的面積)來決定虛線1300的斜率(表示在該第一與第二區(qū)域1220及1230間的界面上(亦即，在該分界線1210附近)的摻雜劑離子的密度分布)。在該第一及第二注入?yún)^(qū)1250及1260的重疊區(qū)的面積越小，則該等虛線1300的斜率越高。相反地，在該第一及第二注入?yún)^(qū)1250及1260的重疊區(qū)的面積越大，則該等虛線1300的斜率越低。
圖14a至14d是說明第四公開方法的一替代部分注入法的圖式。除了界定第一及第二注入?yún)^(qū)1450及1460的方式以外，依據(jù)第四公開方法的部分注入法相似于圖12a至12d所述的部分注入法。更特別地，依據(jù)一圓形分界線1410，將該晶片1400分割成一第一區(qū)域1420及一第二區(qū)域1430，其中該第一區(qū)域1420是一在該分界線1410外的周邊區(qū)域，以及該第二區(qū)域1430是一在該分界線1410內(nèi)的中心區(qū)域。
接下來，將該晶片1400的一平坦區(qū)1401定位在其最下位置。在此方位中，在一標(biāo)準(zhǔn)虛線1440(作為該圓形分界線1410的一切線)的上側(cè)界定一第一注入?yún)^(qū)1450。在一從該標(biāo)準(zhǔn)虛線1440(作為該圓形分界線1410的一切線)向上平行地移置有一預(yù)定距離的虛線1410a的下側(cè)界定一第二注入?yún)^(qū)1460。
在界定該第一及第二注入?yún)^(qū)1450及1460之后，藉由一離子注入掩模在該第一及第二注入?yún)^(qū)1450及1460中實(shí)施一用于臨界電壓調(diào)整的第一離子注入工藝。將該第一離子注入工藝分割成一相關(guān)聯(lián)于該第一注入?yún)^(qū)1450的離子注入步驟及一相關(guān)聯(lián)于該第二注入?yún)^(qū)1460的離子注入步驟。以不同密度將離子注入該第一及第二注入?yún)^(qū)1450及1460。亦即，決定在該第一注入?yún)^(qū)1450中所注入的摻雜劑離子的密度低于在該第二注入?yún)^(qū)1460中所注入的摻雜劑離子的密度。更特別地，雖然可依據(jù)期望臨界電壓值改變所注入的摻雜劑離子的密度，但是在該第一及第二注入?yún)^(qū)1450及1460中所注入的摻雜劑離子的密度差為約5％。
參考圖14b，在完成該第一離子注入工藝之后，該晶片1400順時針(圖14a中的箭頭r1所示)旋轉(zhuǎn)90°，促使該平坦區(qū)1401處于該晶片1400的最左位置。在此方位中，在相同于該第一離子注入工藝的工藝條件下實(shí)施一第二離子注入工藝。亦即，將該等摻雜劑離子注入該第一及第二注入?yún)^(qū)1450及1460，以便在該第一注入?yún)^(qū)1450中所注入的摻雜劑離子的密度低于在該第二注入?yún)^(qū)1460所注入的摻雜劑離子的密度約5％。
參考圖14c，在完成該第二離子注入工藝之后，該晶片1400順時針(圖14b中的箭頭r2所示)旋轉(zhuǎn)90°，促使該平坦區(qū)1401處于該晶片1400的最上位置。在此方位中，在相同于該第一及第二離子注入工藝的工藝條件下實(shí)施一第三離子注入工藝。
參考圖14d，在完成該第三離子注入工藝之后，該晶片1400順時針(圖14c中的箭頭r3所示)旋轉(zhuǎn)90°，促使該平坦區(qū)1401處于該晶片1400的最右位置。在此方位中，在相同于該第一、第二及第三離子注入工藝的工藝條件下實(shí)施一第四離子注入工藝。
在完成該第四離子注入工藝之后，使該晶片1400順時針(圖14d中的箭頭r4所示)旋轉(zhuǎn)90°，促使該平坦區(qū)1401回到其原始最下位置。應(yīng)該了解到雖然本實(shí)施例已描述該晶片1400只旋轉(zhuǎn)360°的角度范圍，但是可在重復(fù)地旋轉(zhuǎn)該晶片1400的同時實(shí)施該第一至第四離子注入工藝。再者，取代間歇地以90°間隔旋轉(zhuǎn)該晶片1400，可以使該晶片1400旋轉(zhuǎn)小于90°或旋轉(zhuǎn)于90°與180°之間。相應(yīng)地，離子注入工藝的數(shù)目自然是以與該晶片1400的旋轉(zhuǎn)角度成比例關(guān)系增加或減少。藉由使用上述部分注入法實(shí)施該離子注入工藝所獲得的摻雜劑離子的密度分布相似于圖9的曲線圖所示者。
如同上述明顯的描述，該等公開方法提供一種用以制造半導(dǎo)體裝置的部分注入法，其包括下列步驟將一晶片依據(jù)所注入的摻雜劑離子的密度分割成多個區(qū)域；在該晶片的各區(qū)域中界定多個離子注入?yún)^(qū)，以便使該等離子注入?yún)^(qū)與各該等區(qū)域的分界線彼此隔離或者使該等離子注入?yún)^(qū)彼此重疊；以及對各該等離子注入?yún)^(qū)域?qū)嵤╇x子注入工藝，藉此實(shí)現(xiàn)一用以表示在該晶片的各區(qū)域間的分界線附近的摻雜劑離子的密度分布的斜率的調(diào)整。
雖然已基于說明目的公開該等優(yōu)選方法，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將了解到在不脫離此公開及所附權(quán)利要求的范圍及精神內(nèi)可實(shí)施各種修改、附加及取代。
權(quán)利要求
1.一種部分注入法，以不同密度將摻雜劑離子注入在一晶片中藉由一分界線所界定的多個區(qū)域中，該多個區(qū)域包括第一及第二區(qū)域，該方法包括界定一第一注入?yún)^(qū)，該第一注入?yún)^(qū)是該第一區(qū)域除了該第一區(qū)域的靠近該分界線的一特定部分以外的剩余部分，界定一第二注入?yún)^(qū)，該第二注入?yún)^(qū)是該第二區(qū)域除了該第二區(qū)域的靠近該分界線的一特定部分以外的剩余部分，及界定一第三注入?yún)^(qū)，該第三注入?yún)^(qū)是該晶片除了該第一及第二注入?yún)^(qū)以外的剩余部分；以及以第一密度將摻雜劑離子注入該第一注入?yún)^(qū)，以不同于第一密度的第二密度將摻雜劑離子注入該第二注入?yún)^(qū)，及以位于該第一密度與第二密度間的第三密度將摻雜劑離子注入該第三注入?yún)^(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一注入?yún)^(qū)具有該第一區(qū)域的約98％的面積。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第二注入?yún)^(qū)具有該第二區(qū)域的約98％的面積。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在該第一注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第一密度低于在該第三注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第三密度，以及在該第二注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第二密度高于在第三注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第三密度。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中該第一密度低于該第三密度約5％，以及該第二密度高于該第三密度約5％。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在該第一與該第二區(qū)域間的分界線形成用以垂直地或水平地將該晶片分為二等分。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在該第一與該第二區(qū)域間的分界線形成用以將該晶片分割成一中心區(qū)域及一周邊區(qū)域。
8.一種部分注入法，以不同密度將摻雜劑離子注入在一晶片中藉由一圓形分界線所界定的一中心區(qū)域及一周邊區(qū)域中，該方法包括界定一在一水平線的上側(cè)的第一區(qū)域及一在該水平線的下側(cè)的第二區(qū)域，該水平線是該圓形分界線的一切線；以第一密度注入摻雜劑離子至一第一注入?yún)^(qū)，該第一注入?yún)^(qū)是該第一區(qū)域除了該第一區(qū)域的靠近該水平線的一特定部分以外的剩余部分，以不同于第一密度的第二密度注入摻雜劑離子至一第二注入?yún)^(qū)，該第二注入?yún)^(qū)是該第二區(qū)域除了該第二區(qū)域的靠近該水平線的一特定部分以外的剩余部分，及以該第一與第二密度間的第三密度注入摻雜劑離子至一第三注入?yún)^(qū)，該第三注入?yún)^(qū)是該晶片除了該第一及該第二注入?yún)^(qū)以外的剩余部分；以及重復(fù)地注入該等離子，同時間歇地在360°的角度范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)該晶片。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中實(shí)施該等離子的重復(fù)注入，同時間歇地旋轉(zhuǎn)該晶片，直到使該晶片旋轉(zhuǎn)超過至少360°的角度范圍為止。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中在該等摻雜劑離子的注入期間間歇地使該晶片旋轉(zhuǎn)小于180°的角度。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，其中該第一注入?yún)^(qū)具有該第一區(qū)域的約98％的面積。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，其中該第二注入?yún)^(qū)具有該第二區(qū)域的約98％的面積。
13.如權(quán)利要求8所述的方法，其中在該第一注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第一密度低于在該第三注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第三密度，以及在該第二注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第二密度高于在該第三注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第三密度。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該第一密度低于該第三密度約5％，以及該第二密度高于該第三密度約5％。
15.一種部分注入法，以不同密度將摻雜劑離子注入在一晶片中藉由一分界線所界定的多個區(qū)域中，該多個區(qū)域包括第一及第二區(qū)域，該方法包括界定一第一注入?yún)^(qū)，該第一注入?yún)^(qū)占據(jù)該第一區(qū)域的部分及該第二區(qū)域的靠近該分界線的一特定部分，及界定一等于該第二區(qū)域的第二注入?yún)^(qū)；及以第一密度注入摻雜劑離子至該第一注入?yún)^(qū)，及以不同于第一密度的第二密度注入摻雜劑離子至該第二注入?yún)^(qū)。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中該第一注入?yún)^(qū)具有該第一區(qū)域的約110％的面積。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中在該第一注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第一密度低于在該第二注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第二密度。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中該第一密度低于該第二密度約5％。
19.如權(quán)利要求15所述的方法，其中在該第一注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第一密度高于在該第二注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第二密度。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中該第一密度高于該第二密度約5％。
21.一種部分注入法，以不同密度將摻雜劑離子注入在一晶片中藉由一圓形分界線所界定的一中心區(qū)域及一周邊區(qū)域中，該方法包括界定一在一水平線的上側(cè)的第一區(qū)域及一在該水平線的下側(cè)的第二區(qū)域，該水平線是該圓形分界線的一切線；界定一第一注入?yún)^(qū)，該第一注入?yún)^(qū)占據(jù)該第一區(qū)域的部分及該第二區(qū)域的靠近該分界線的一特定部分，及界定一等于該第二區(qū)域的第二注入?yún)^(qū)；以第一密度注入摻雜劑離子至該第一注入?yún)^(qū)，及以不同于第一密度的第二密度注入摻雜劑離子至該第二注入?yún)^(qū)；以及重復(fù)地注入該等離子，同時間歇地在360°的角度范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)該晶片。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中實(shí)施該等離子的重復(fù)注入，同時間歇地旋轉(zhuǎn)該晶片，直到使該晶片旋轉(zhuǎn)超過至少360°的角度范圍為止。
23.如權(quán)利要求21所述的方法，其中在該等摻雜劑離子的注入期間間歇地使該晶片旋轉(zhuǎn)小于180°的角度。
24.如權(quán)利要求21所述的方法，其中該第一注入?yún)^(qū)具有該第一區(qū)域的約110％的面積。
25.如權(quán)利要求21所述的方法，其中在該第一注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第一密度低于在該第二注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第二密度。
26.如權(quán)利要求21所述的方法，其中在該第一注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第一密度高于在該第二注入?yún)^(qū)中所注入的摻雜劑離子的第二密度。
全文摘要
在此公開一種用以制造半導(dǎo)體裝置的部分注入法。該方法包括以不同密度將摻雜劑離子注入在一晶片中藉由一分界線所界定的多個晶片區(qū)域中，其中該多個晶片區(qū)域包括第一及第二區(qū)域。在該方法中，界定第一、第二及第三注入?yún)^(qū)。該第一注入?yún)^(qū)是該第一區(qū)域除了該第一區(qū)域的靠近該分界線的一特定部分以外的剩余部分，該第二注入?yún)^(qū)是該第二區(qū)域除了該第二區(qū)域的靠近該分界線的一特定部分以外的剩余部分，以及該第三注入?yún)^(qū)是該晶片除了該第一及第二注入?yún)^(qū)以外的剩余部分。然后，以第一密度將摻雜劑離子注入該第一注入?yún)^(qū)，以不同于第一密度的第二密度將摻雜劑離子注入該第二注入?yún)^(qū)，以及以第三密度將摻雜劑離子注入該第三注入?yún)^(qū)，其中該第三密度是一在該第一與第二密度間的中間值。
文檔編號H01L21/265GK1835190SQ200510099040
公開日2006年9月20日 申請日期2005年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月17日
發(fā)明者盧俓奉, 孫容宣, 李民鏞 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司