專利名稱：用以減低浸入式光刻系統(tǒng)中移動所導致的擾動的系統(tǒng)與方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種光刻系統(tǒng)，尤其是涉及一種用以避免浸入式光刻系統(tǒng)的像差之方法與系統(tǒng)。
背景技術：
使用透鏡系統(tǒng)與折反射系統(tǒng)的光刻被廣泛地使用于供電路圖案之印刷的半導體制造工業(yè)。光刻的實際限制假設其成像發(fā)生所經(jīng)歷之媒介為空氣。該實際限制由方程式1加以定義Λ=λ4·n·NA]]>(方程式1)其中λ為入射光的波長，NA為該投影光學系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，而n為該媒介的折射系數(shù)(其中當使用離軸照射時，使用4藉以替代2)。介于最終透鏡組件以及基底表面之間的氣體接口將該光學系統(tǒng)的最大分辨率限制為小于1.0的數(shù)值孔徑。
因此，藉由引入一液體于該投影光學系統(tǒng)的一最終透鏡組件與代成像的一基底之間，則折射率n會改變。如此使得以光源一較低的有效波長而達成增加的分辨率是可行的。舉例而言，浸入式光刻有效地將157nm光源減低至115nm的波長(以n＝1.365為例)，以現(xiàn)今工業(yè)上慣用之相同光刻工具而達成數(shù)個關鍵層的印刷是可行的。
同理地，浸入式光刻可將193nm的光刻向下推至145nm(針對n＝1.33為例)。因此，435nm、405nm、365nm、248nm、193nm以及157nm工具均可被使用，以有效地達成較佳分辨率并且“延伸”可使用的波長。因此，可以避免大量CaF2、硬質(zhì)薄膜、氮氣清除等等的需求。再者，藉由液體浸沒的使用可以增加焦深，舉例而言，其對于LCD面板的制造而言是相當有用的。
然而，盡管浸入式光刻極為看好，但仍存在數(shù)個問題，截至目前為止其減慢浸入式光刻系統(tǒng)的進展。目前浸入式光刻系統(tǒng)的問題之一在于藉由該浸入液體的該基底移動產(chǎn)生擾動，例如氣泡及孔蝕。如此降低該投影光學系統(tǒng)與該基底之間折射率的同構型，且造成在曝光時的像差。此像差可以藉由減緩藉由該浸入液體的該基底移動而減輕。然而，對于目前標準而言，如此非常足夠地妨礙高生產(chǎn)率。
因此，需要一種用以減低像差的方法與系統(tǒng)，該像差藉由該浸入液體的一基底移動所導致。

發(fā)明內(nèi)容一基底與浸入液體之間的移動所造成的擾動，可以藉由將該投影光學系統(tǒng)(也稱為POS)的出射光學組件與該基底，以及位于二者間的浸入液體結合為一單一的可移動單元而避免。該出射組件可以具有屈光力或者是不具有屈光力，其依據(jù)分辨率之增加、焦深之增加或者兩者是否為所需要的而定。
浸入式光刻系統(tǒng)中的POS可以藉由一動態(tài)的軸向補償群組再加上圖案產(chǎn)生器、光學群組以及可移動基底單元而增加。為了要補償由于軸向?qū)ΨQ的偏向所造成的像差，該動態(tài)的軸向補償群組提供POS光學應變的連續(xù)校正。在該基底與該可移動光學單元之間由浸入液體所填入的空間可以動態(tài)地控制，以提供適當?shù)墓ぷ骶嚯x。
于一實施例中，該可移動的基底單元使用于全場階躍與掃描曝光。該可移動的基底單元包含具有屈光力的一全場光學組件。
于另一實施例中，該可移動的基底單元使用于全場階躍曝光。該可移動的基底單元包含具有屈光力的一子場光學組件，用以減低補償。
于又另一實施例中，該可移動的基底單元使用于全場階躍與掃描曝光。該可移動的基底單元包含不具屈光力的一全場光學組件。當焦深被增加而分辨率不被增加時，可以使用此實施例。

本發(fā)明的許多觀點可以參考以下的圖式而更加清楚的了解。相關圖式并未依比例繪制，其作用僅在清楚表現(xiàn)本發(fā)明有關原理。此外，使用數(shù)字來表示圖式中相對應的部分。
圖1為一方塊圖，用以說明根據(jù)本發(fā)明一實施例的曝光系統(tǒng)。
圖2為一方塊圖，用以說明根據(jù)本發(fā)明另一實施例的曝光系統(tǒng)。
圖3為一方塊圖，用以說明根據(jù)本發(fā)明又另一實施例的曝光系統(tǒng)。
圖4為一流程圖，用以說明根據(jù)本發(fā)明一實施例的方法。
圖5為一方塊圖，用以說明典型的浸入式光刻系統(tǒng)。
本發(fā)明的其它特點、目的以及優(yōu)點將詳細描述如下且伴隨著圖式而更加清楚敘述，其中在所有的圖式中，相似之參考數(shù)字標明相同或類似的組件。某個部件第一次出現(xiàn)的附圖通常用相應的附圖標記的最左邊的數(shù)字表示。
具體實施方式本發(fā)明的一些較佳實施例將詳細描述如下。然而，除了如下描述外，本發(fā)明還可以廣泛地在其它的實施例施行，且本發(fā)明的范圍并不受實施例之限定，其以要求保護的專利范圍為準。
光刻是一種用以制造在基底表面上的特征之制程。此種基底可以包含使用于制造平面面板顯示器(例如LCD面板)、半導體晶圓、電路板、多種集成電路、打印頭、宏觀/納米流體基底以及其它裝置的基底。在光刻制程的期間，藉由位于光刻裝置中的曝光裝置，將基底階段所配置的一基底曝光至投影在該基底表面上的一影像。
此投影的影像對于沉積在該基底表面上的一層(例如光刻膠)，產(chǎn)生特性上的改變。這些改變對應至在曝光期間投影至該基底的特征。在曝光步驟之后，可以蝕刻該層或者其它方式，以產(chǎn)生一圖案化層。該圖案對應至在曝光期間投影至該基底的特征。接著，該圖案化層用以移除或更進一步地處理位于該基底下方結構層(例如導電層、半導電層或絕緣層)的曝光部分。再接著，連同其它步驟重復此制程，直至所想要的特征已形成于該基底的表面上或不同層之中。
階躍與掃描技術與具有較窄成像狹縫的投影光學系統(tǒng)(POS)相結合而作用。每次個別的場被掃描至該基底上，而不是每次曝光整個基底。此伴隨著同時地移動該基底與標線片，以使得在掃描期間該成像狹縫穿過該場而被移動。接著，該基底階段必須異步地在數(shù)個場曝光之間階躍，以提供待曝光至整個基底表面上的多份標線圖案。在此方式中，投影至該基底上之影像的品質(zhì)是最大化的。
在浸入式光刻系統(tǒng)中，液體被注入至該POS出射窗口與該基底表面之間的空間。圖5為一方塊圖，用以說明典型的浸入式光刻系統(tǒng)500。系統(tǒng)500包含一圖案產(chǎn)生器502、一POS 504以及一基底506。為了要完整地曝光基底506，基底506相對于POS504移動。浸入液體508填入位于基底506與出射POS組件510之間的空間。當基底506移動時，浸入液體508通常經(jīng)由該空間而被環(huán)行。由于基底506關于浸入液體508的移動所造成的擾動，浸入液體508的折射率在整個液體并非定值的。折射率的擾動產(chǎn)生在曝光圖案中的像差。
根據(jù)本發(fā)明，在光刻系統(tǒng)的浸入液體內(nèi)的擾動可以藉由至少一光學組件與該基底，以及位于二者間的浸入液體而形成一單一的可移動單元而減低。圖1為一方塊圖，用以說明根據(jù)本發(fā)明一實施例的曝光系統(tǒng)100。曝光光束102藉由在通過圖1延伸的直線加以表示。曝光光束102可以是具有一波長的激光，該波長不在可見光區(qū)域內(nèi)，例如紫外光波長。本發(fā)明的應用實例使用包含248nm、193nm以及157nm的波長，然而并不限于此。再者，舉例而言，曝光光束102可藉由一脈沖式激光或連續(xù)波激光而產(chǎn)生。曝光系統(tǒng)100包含一圖案產(chǎn)生器群組104、一動態(tài)軸向補償群組106、一光學群組108以及一可移動基底單元110。
圖案產(chǎn)生器群組104包含一圖案產(chǎn)生器112以及一光學群組114。舉例而言，圖案產(chǎn)生器112可以是一標線片或一空間光調(diào)制器(SLM)，已知的SLM例如一數(shù)字微反射鏡裝置(DMD)、反射式液晶顯示器(LCD)、光柵式光閥(GLV)或是其它裝置。圖案產(chǎn)生器112將一曝光圖案注入至曝光光束102。光學群組114為POS的一部分。光學群組114更進一步地調(diào)節(jié)曝光光束102中的光線，用以藉由系統(tǒng)100引導且聚焦曝光光束102。
在離開光學群組114之后，曝光光束102進入動態(tài)軸向補償群組106。在常規(guī)的曝光系統(tǒng)中，在POS中最后的組件并不移動，且曝光光束沿著一固定路徑(曝光光軸)行進。在圖1的實施例中(將于下述加以說明)，舉例而言，基底單元110水平地及/或垂直地移動。此產(chǎn)生基底單元110的屈光力(optical power)所導致的一些光軸曲率。動態(tài)軸向補償群組106針對軸向?qū)ΨQ的偏向所導致的像差而校正。在動態(tài)軸向補償群組106中的這些透鏡是群組一起的，如圖1所示。即使如此，本領域技術人員可以知道，在實際的實施方式中也可以分開及/或結合進一或二個光學群組114、108。在動態(tài)軸向補償群組106中的這些透鏡可以移動(例如移位、轉(zhuǎn)動、傾斜等等)，以提供任一軸向位移的適當補償。此移動可以依據(jù)基底單元110中預期的移動，或是一反饋系統(tǒng)的結果。
接著，曝光光束102通過光學群組108，POS的一部分且更進一步地調(diào)節(jié)和聚焦用于基底曝光的光束。曝光光束102持續(xù)至可移動基底單元110。
可移動基底單元110包含一透鏡陣列116、浸入液體118以及一基底120，所有的組件共同地移動。透鏡陣列116與基底120可以彼此附接，或是不附接。來自光學群組108的曝光光束102通過透鏡陣列116與浸入液體118，以將其圖案曝光至該基底120上。在典型的浸入系統(tǒng)中，POS的出射透鏡與浸入液體相接觸。該出射透鏡通常為非常巨大的透鏡，例如碗形透鏡。在圖1的實施例中，與浸入液體118接觸的POS出射組件為透鏡陣列116。透鏡陣列116可以具有較低的屈光力，如此使得最小校正將會是動態(tài)軸向補償群組106所需的。額外的光學裝置可以新增至光學群組114及/或108，以抵銷透鏡陣列116的任何弱點。
系統(tǒng)100為一種全場階躍與掃描系統(tǒng)。因此，在一掃描制程中，該基底上的整個場被曝光。一旦該場的掃描完成時，系統(tǒng)100階躍至下一場。舉例而言，每一場可以是25～32mm。如圖1所示，在透鏡陣列116的個別透鏡(例如透鏡122)可以與該場大致相同的尺寸。因此，每一場將經(jīng)由透鏡陣列116中的單一透鏡而被掃描，每一場具有各自所有的透鏡。該階躍與掃描方法的其它變動，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，對于本領域技術人員而言是顯然可知的。
雖然也可以使用較大或較小的尺寸，透鏡陣列116與基底120之間的間隙可以約為50μm。對于193nm的光刻而言，由于其在193nm是相當?shù)責o損耗的，可以使用水(例如去離子水)。任何本領域技術人員可以知道，也可以使用其它液體，例如環(huán)辛烷、Foemblin油以及全氟聚醚PFPE流體。對于157nm的光刻而言，在該液體內(nèi)的損耗是一個關鍵。這傾向于透鏡陣列116與該基底120之間需要較小的間隙。就157nm光刻的例子而言，透鏡陣列116與該基底120之間的間隙可以是50μm或更小。
舉例而言，浸入液體層118可藉由一封閉環(huán)(圖未示)而保持。一封閉環(huán)可以形成一容器的邊緣或側(cè)邊，透鏡陣列116與基底120形成該容器的相對面。另外可選擇地，附著力可被用來保持一定量之浸入液體。浸入液體可以位于基底120或透鏡陣列116的表面上，其依據(jù)系統(tǒng)100的方向性而定(透鏡陣列116是否位于基底120上方或下方)。由于表面張力的關系，該容積量的浸入液體118將被一起保持于一表面上，而另一表面接觸浸入液體118凹凸面。
針對各種的效應(例如變焦)，該容積量的浸入液體118需要被加以調(diào)整。一封閉環(huán)可以具有入口及/或出口，用以調(diào)整該浸入液體118的容積量。該封閉環(huán)也可以具有額外的儲存槽，用以容納新增的液體。反饋感應器可以包含于浸入液體118內(nèi)，用以校正任何誤差(例如距離或焦距上的誤差)。在典型的光刻系統(tǒng)中，用以維持投影光學裝置與一基底間之位準間隙的大多數(shù)量測裝置也可以用在基底單元110之中，這些量測裝置例如干涉計或電容量計。浸入液體的外部也可以使用空氣壓力計。
另外需要加以說明的是，當該基底的曝光需要干曝光時，該液體可以完全地移除。對于干曝光而言，一或二個光學群組114與108需要相應地調(diào)整(例如焦距、球面像差、數(shù)值孔徑的減少等等)。
在曝光期間，圖案產(chǎn)生器112與可移動基底單元110二者相對于曝光光束102而移動。圖案產(chǎn)生器移動與基底單元移動二者間的速度比率依據(jù)系統(tǒng)的倍率而定。舉例而言，假如系統(tǒng)100的倍率為4，圖案產(chǎn)生器112的移動速度相較于可移動基底單元110，則為4倍。當可移動基底單元110移動時，動態(tài)軸向補償群組也移動，以說明移動透鏡陣列116所產(chǎn)生的軸向變化。透鏡陣列116、浸入液體118以及基底120并不改變相對于彼此的位置。因此，基底120的掃描移動不會造成在該液體之中的任何擾動，且減低該浸入液體所導致的整體歪曲。
圖2為一方塊圖，用以說明根據(jù)本發(fā)明第二實施例的曝光系統(tǒng)200。圖案產(chǎn)生器群組204、動態(tài)軸向補償群組206以及光學群組208之中的組件分別對應至系統(tǒng)100中的圖案產(chǎn)生器群組104、動態(tài)軸向補償群組106以及光學群組108。同樣地，可移動基底單元210包含一光學功率透鏡陣列212、浸入液體216以及一基底218。
系統(tǒng)200是一階躍系統(tǒng)，而不是一階躍與掃描系統(tǒng)。因此，系統(tǒng)200將每一場分為數(shù)個子場，而不是在階躍之前透過一整體場而一條線一條線地掃描。系統(tǒng)200階躍至每一子場，且將該整體子場曝光而不需掃描。由于該全場并不在一曝光中成像，圖案產(chǎn)生器220也需要加以移動。
為了容納較小的子場，透鏡陣列212包含一組透鏡，例如透鏡214。透鏡214大約接近一子場的尺寸。由于在透鏡陣列212中的這些透鏡小于該場尺寸，不具有較多的軸向位移。因此，軸向位移補償群組206將不需要如系統(tǒng)100移動那樣多。由于場尺寸之故，需要較少的軸向補償，每一子場透鏡的屈光力可以比在系統(tǒng)100中的屈光力較高些。透鏡陣列212的屈光力將主要由這些子場來回移動所欲之品質(zhì)而限制。除此之外，系統(tǒng)200的實施方式與系統(tǒng)100所述的實施方式相類似。
圖3為一方塊圖，用以說明根據(jù)本發(fā)明第三實施例的曝光系統(tǒng)300。系統(tǒng)300為一全場階躍與掃描系統(tǒng)。圖案產(chǎn)生器群組304、軸向位移補償群組306以及光學群組308之中的組件分別對應至系統(tǒng)100中的圖案產(chǎn)生器群組104、動態(tài)軸向補償群組106以及光學群組108?；讍卧?10包含不具屈光力的一平板316，而不是包含與浸入液體318相接觸的一透鏡陣列。舉例而言，一透鏡陣列可能已增加的任何屈光力可以取代為包含于光學群組308之中。
使用平板316來替代透鏡陣列使得此實施例輕易地加入至預先存在的系統(tǒng)中。用于曝光所需的所有光學裝置可以結合進光學群組314與308之中，而不需將任何光學裝置與可移動基底單元310相分隔。再者，由于在平板316中不具屈光力，光軸將不被移開。因此，在圖3的實施例中，軸向位移補償群組306的使用將是可選擇的。對于使用于預先存在系統(tǒng)而言，由于該基底將位于距POS中的出射透鏡一不同的距離，主要的改變將是POS的倍率。除此之外，系統(tǒng)300的實施方式與系統(tǒng)100所述的實施方式相類似。
具有屈光力組件用以與浸入液體相接觸的浸入系統(tǒng)(例如系統(tǒng)100與200)提供增強的分辨率，這是由于該系統(tǒng)的數(shù)值孔徑有效地增加。用于一浸入式光刻系統(tǒng)中的分辨率Δ可以由下述方程式給定Δ=λwctNAdry]]>(方程式2)其中λwet是該曝光光束由于浸入液體存在的有效波長，且NAdry是POS在空氣中的數(shù)值孔徑。λwet可以使用下述方程式而決定λwet=λdrynimm]]>(方程式3)其中λdry是該曝光光束的實際波長，且nimm是該浸入液體的折射率。
浸入系統(tǒng)也可以增加焦深。用于一浸入式光刻系統(tǒng)中的焦深可以由下述方程式給定DOF=λdrynimm·NAdry2]]>(方程式4)焦深可以在根據(jù)本發(fā)明的浸入系統(tǒng)中而獲得改進，且這些系統(tǒng)是否具有屈光力的基底單元與否無關。舉例而言，由于系統(tǒng)300并不包含與該浸入液體相接觸的屈光力組件，該系統(tǒng)可能無法達到增加分辨率。然而，該系統(tǒng)仍可改進曝光的焦深。增加的焦深導致在POS中其它光學裝置改進的容限，這些光學裝置例如光學群組314與308。
與圖1、2、3所示的實施例相類似的系統(tǒng)可以實施在雙掃描系統(tǒng)中(舉例而言)。在此中實施方式中，可移動基底單元100可以在一第一階段中組裝，而曝光則發(fā)生在一第二階段。然而，任何本領域技術人員可以了解到本發(fā)明也可以實施于任何單一階段或多重階段光刻系統(tǒng)中。
圖4為一流程圖，用以說明根據(jù)本發(fā)明一實施例的范例光刻方法400。在步驟402中，至少一光學組件、一容積量之浸入液體以及一基底被耦接為一單一可移動單元。該光學組件可以具有屈光力且可以是POS的出射組件，如同在系統(tǒng)100與200中。另外可選擇地，該光學組件可以不具屈光力。該光學組件、該浸入液體與該基底可以藉由光學接觸、附著力或任何本領域技術人員所熟知的其它耦接方法而耦接一起。
在步驟404中，該單一單元相對于攜有一圖案的曝光光束而移動。該單一單元被移動的速率依據(jù)所需要的該圖案的倍率而定。該移動也依據(jù)該光刻系統(tǒng)是階躍系統(tǒng)或一階躍與掃描系統(tǒng)而定。假如該光刻系統(tǒng)是階躍系統(tǒng)，該移動將包含從一位置至另一位置的階躍移動，隨后是一小段停止同時發(fā)生曝光。假如該光刻系統(tǒng)是一階躍與掃描系統(tǒng)，該移動將包含從一位置至一新位置的階躍移動，隨后是在該新位置內(nèi)的連續(xù)掃描移動。
在步驟406中，移動至少一光學補償組件，用以補償該單一單元的移動。該補償組件的移動可以包含移位、轉(zhuǎn)動與傾斜的任何組合，且并不限于此。相較于子場曝光而言，全場曝光將需要較多的補償。假如該單一單元不具屈光力，步驟406可能不需要補償且可被略過。
在步驟408中，該基底以攜有該圖案的該曝光光束加以曝光。由于該基底為該單一單元的一部分，在到達該基底表面之前，該曝光光束通過該光學組件與該浸入液體。
雖然本發(fā)明已以若干較佳實施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領域技術人員，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，可作變化和修改，因此本發(fā)明之保護范圍應以權利要求書所界定為準。
權利要求
1.一種液體浸入式光刻系統(tǒng)，包含至少一個光學組件；一基底；以及位于該至少一個光學組件與該基底之間的一容積量之浸入液體，其中該至少一個光學組件、該基底以及該容積量之浸入液體被設置以在成像期間一致地移動。
2.如權利要求1所述之液體浸入式光刻系統(tǒng)，其中該容積量之浸入液體經(jīng)由附著力而保持在該至少一個光學組件與該基底之間。
3.如權利要求1所述之液體浸入式光刻系統(tǒng)，其中該至少一個光學組件與該基底相鄰于包圍該容積量之浸入液體的一容器之相對側(cè)。
4.如權利要求1所述之液體浸入式光刻系統(tǒng)，其中該容積量之浸入液體是可變的。
5.如權利要求4所述之液體浸入式光刻系統(tǒng)，其中該容積量之浸入液體是可以變動的，用以針對焦距而調(diào)整。
6.如權利要求1所述之液體浸入式光刻系統(tǒng)，還包含一補償光學系統(tǒng)，用以針對軸向位移提供補償。
7.如權利要求6所述之液體浸入式光刻系統(tǒng)，其中該補償光學系統(tǒng)包含至少一個透鏡，該透鏡具有移位、轉(zhuǎn)動或傾斜之中的至少一個能力。
8.如權利要求6所述之液體浸入式光刻系統(tǒng)，其中該補償光學系統(tǒng)為一投影光學系統(tǒng)的一部分。
9.如權利要求1所述之液體浸入式光刻系統(tǒng)，其中該至少一個光學組件為具有屈光力的一全場透鏡陣列。
10.如權利要求1所述之液體浸入式光刻系統(tǒng)，其中該至少一個光學組件為具有屈光力的一子場透鏡陣列。
11.如權利要求1所述之液體浸入式光刻系統(tǒng)，其中該至少一個光學組件不具屈光力。
12.如權利要求1所述之液體浸入式光刻系統(tǒng)，其中該至少一個光學組件為一投影光學系統(tǒng)的一出射透鏡。
13.如權利要求1所述之液體浸入式光刻系統(tǒng)，其中該容積量之浸入液體由于表面張力而停留于該基底的表面上。
14.如權利要求13所述之液體浸入式光刻系統(tǒng)，其中該至少一個光學組件的一表面與該容積量之浸入液體的一凹凸表面相接觸。
15.如權利要求1所述之液體浸入式光刻系統(tǒng)，其中該容積量之浸入液體由于表面張力而停留于該至少一個光學組件的表面上。
16.如權利要求15所述之液體浸入式光刻系統(tǒng)，其中該基底的一表面與該容積量之浸入液體的一凹凸表面相接觸。
17.一種在一基底上印刷一圖案的方法，該方法包含(a)將至少一個光學組件、一容積量之浸入液體以及該基底耦接成一個單一單元；(b)相對于攜有該圖案的一曝光光束移動該單一單元；以及(c)以該曝光光束并通過該單一單元曝光該基底。
18.如權利要求17所述之方法，還包含(d)移動至少一個光學補償組件，以補償該單一單元相對于該曝光光束的移動。
19.如權利要求18所述之方法，其中步驟(d)中的移動包含移位、傾斜或轉(zhuǎn)動之中的至少之一。
20.如權利要求17所述之方法，其中步驟(a)包含將具有屈光力的至少一個組件、該容積量之浸入液體以及該基底耦接成一個單一單元。
21.如權利要求20所述之方法，還包含(d)調(diào)整該容積量之浸入液體，以改變該曝光光束的分辨率與焦深的至少之一。
22.如權利要求17所述之方法，其中步驟(a)包含將不具屈光力的至少一個組件、該容積量之浸入液體以及該基底耦接成一個單一單元。
23.如權利要求22所述之方法，還包含(d)調(diào)整該容積量之浸入液體，以改變該曝光光束的焦深。
全文摘要
在一浸入式光刻系統(tǒng)中，一可移動基底單元由一基底與至少一光學組件，以及位于二者間的浸入液體而形成。該浸入液體與該光學組件相對于該基底共同地移動。在曝光掃描期間，該基底單元的移動減低由擾動所產(chǎn)生的折射率擾動。在動態(tài)軸向補償群組中的組件可以移動，以補償由軸向?qū)ΨQ的偏向所導致的像差，且該偏向是由于在該基底單元中該光學組件的移動所致。在該基底單元中由浸入液體所填入的空間可以被動態(tài)地控制，以提供適當?shù)墓ぷ骶嚯x。假如該基底單元中的該光學組件具有屈光力，則分辨率與焦深皆可以提高。即使假如該光學組件不具屈光力，則仍可以提高焦深。
文檔編號H01L21/027GK1740916SQ200510096718
公開日2006年3月1日 申請日期2005年8月26日 優(yōu)先權日2004年8月27日
發(fā)明者萊夫·瑞知科夫, 于利·韋拉迪米爾斯基 申請人:Asml控股股份有限公司