專利名稱：制造薄膜集成電路和元件襯底的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制造能存儲(chǔ)大量信息的薄膜集成電路和其中制造了該薄膜集成電路的元件襯底的方法。
背景技術(shù)：
近年來，在需要自動(dòng)識(shí)別的所有領(lǐng)域，如有價(jià)證券和貨物管理領(lǐng)域，對(duì)于有無接觸數(shù)據(jù)通信能力的具有IC芯片的卡或具有IC芯片的標(biāo)簽的需求增大了?？紤]應(yīng)用，由于大部分IC卡或IC標(biāo)簽在使用后要被丟棄，因此需要以低成本制造此種IC卡或IC標(biāo)簽。對(duì)于用硅晶片形成的IC芯片，尤其需要降低成本。
作為這種IC芯片的應(yīng)用，IC芯片放置在動(dòng)物的一部分上，并用于控制傳染性疾病和保證牲畜安全管理的質(zhì)量。類似地，出售具有IC芯片的蔬菜，在該IC芯片上存儲(chǔ)生產(chǎn)者、產(chǎn)地、殺蟲劑的使用等等信息，用于蔬菜的安全管理。
作為另一個(gè)應(yīng)用，提出了IC芯片安裝在有價(jià)證券上以防止其濫用，并且當(dāng)有價(jià)證券回到規(guī)則管理人員后，使得有價(jià)證券能重新使用(參考文獻(xiàn)1日本專利特開No.2001-260580)。
用硅晶片形成的IC芯片的成本減小已接近極限。然而，IC芯片應(yīng)用的多樣性和對(duì)IC芯片的需求預(yù)期會(huì)增大，需要進(jìn)一步減小成本。
在制造過程中處理極薄的IC芯片是復(fù)雜的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種結(jié)構(gòu)和能以很低成本制造產(chǎn)品的簡(jiǎn)單容易的工藝。
考慮到上述目的，薄膜集成電路(也稱作IDF(ID柔性)芯片)形成在具有絕緣表面的襯底(絕緣襯底)上方，與絕緣襯底隔開，進(jìn)一步轉(zhuǎn)移到另一絕緣襯底(也稱作置換襯底)。本發(fā)明的一個(gè)特點(diǎn)是在分離步驟中，防止IDF芯片彼此分離。
通過分離絕緣襯底能夠制造極薄IDF芯片。在從絕緣襯底分離后，IDF芯片可以轉(zhuǎn)移到置換襯底。這里置換襯底優(yōu)選為具有柔性的襯底(下文中也稱作柔性襯底)。在某些情況下，如上所述的把IDF芯片(包括在制造過程中的IDF芯片)的元件轉(zhuǎn)移到另一個(gè)襯底被稱作“轉(zhuǎn)移”。柔性襯底通常是便宜的，使得IDF芯片的成本減小。另外，能重復(fù)使用絕緣襯底。因此，使得IDF芯片的成本進(jìn)一步減小。
特別地，根據(jù)本發(fā)明，通過去除形成在絕緣襯底上的金屬膜和在金屬膜上含有金屬的氧化物、氮化物或氮氧化物(在下文中也統(tǒng)一稱作反應(yīng)物)，而把絕緣襯底分離。對(duì)于金屬，能使用從W、Ti、Ta、Mo、Nd、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os和Ir中選擇的元素或包含這些元素作為其主要成分的合金材料或化合物材料。對(duì)于氧化物、氮化物或氮氧化物，在使用W、Mo或W和Mo的混合物作為金屬膜的情況下，使用W、Mo或者其混合物的氧化物、氮化物或氮氧化物。對(duì)于金屬膜，能夠使用金屬的單層結(jié)構(gòu)，或者具有反應(yīng)物的膜，或者其疊層結(jié)構(gòu)。
用于去除金屬膜的方法包括使用蝕刻劑(包括氣體或液體)的化學(xué)去除法和施加壓力的物理去除法。化學(xué)去除法和物理去除法可以彼此結(jié)合。由于通過蝕刻劑去除具有單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)的金屬膜，這種層可以稱作分離層。由于能夠抑制殘留物等的產(chǎn)生，優(yōu)選使用蝕刻劑化學(xué)地去除分離層。
注意，化學(xué)法和物理法可以在本發(fā)明中彼此結(jié)合以去除分離層。
為了去除分離層，在形成在分離層上的層中提供溝槽以到達(dá)分離層，換句話說，以暴露分離層。然后，通過引入蝕刻劑到溝槽去除分離層。
可以使用包括鹵化物的氣體或液體用作蝕刻劑。典型地，可以使用包括氟化鹵的氣體或液體，例如，ClF3(三氟化氯)可以用作氟化鹵。
當(dāng)天線分開形成然后粘貼到IDF芯片時(shí)，粘貼要被提供天線的襯底(稱為天線襯底)。其后，可以去除分離層。在這種情況下，為天線襯底提供開口并將其粘貼到提供有IDF芯片和溝槽的絕緣襯底；然后，通過把蝕刻劑引入到開口和溝槽中去除分離層。由于IDF芯片被天線襯底保持而被固定。因此，天線能粘附到集成IDF芯片而不彼此分離。
作為防止IDF芯片彼此分離的另一種手段，有一種方法是在形成溝槽(未去除區(qū)被稱為連接區(qū))的同時(shí)，形成在IDF芯片之間的絕緣膜或者導(dǎo)電膜的一部分未被去除。在這種情況下，通過從溝槽引入的蝕刻劑去除分離層。然而，由于IDF芯片通過連接區(qū)彼此連接，因此IDF芯片是集成的而不是彼此分離的。隨后，如果必要可以形成天線。
其中具有如上所述制造的IDF芯片的元件襯底的一個(gè)特征是具有設(shè)有其間具有分離層的多個(gè)薄膜集成電路的絕緣襯底，設(shè)置在絕緣襯底的對(duì)面的天線襯底，其中天線襯底設(shè)有天線和開口，在薄膜集成電路之間提供溝槽以與開口對(duì)應(yīng)。
具有另外結(jié)構(gòu)的元件襯底的一個(gè)特征是具有設(shè)有其間具有分離層的多個(gè)薄膜集成電路的絕緣襯底，與絕緣襯底相對(duì)設(shè)置的天線襯底，其中多個(gè)薄膜集成電路通過連接區(qū)集成，天線襯底設(shè)有天線和開口，在薄膜集成電路之間提供與開口對(duì)應(yīng)的溝槽，開口提供在薄膜集成電路中。
分離層優(yōu)選具有金屬膜和在金屬膜上的具有金屬的氧化物、氮化物或氮氧化物的疊層結(jié)構(gòu)。在使用W、Mo或W和Mo的混合物作為金屬膜的金屬的情況下，分離層的一個(gè)示例是W、Mo或W和Mo的混合物及其氧化物、氮化物或氮氧化物的疊層結(jié)構(gòu)。
由于金屬膜或具有金屬的反應(yīng)物的蝕刻速率高，在本發(fā)明中能以短的時(shí)間制造IDF芯片。進(jìn)一步，在本發(fā)明中除了蝕刻金屬膜或具有金屬的反應(yīng)物的化學(xué)方法之外，也可以使用物理方法。因此，能在短時(shí)間內(nèi)更簡(jiǎn)單和容易地制造IDF芯片。能去除絕緣襯底且IDF芯片能置換到便宜的柔性襯底，并且能再次使用絕緣襯底。因此，IDF芯片能以低的成本制造。
根據(jù)本發(fā)明，能在彼此不分離的條件下制造IDF芯片。因此，在制造期間不必?fù)?dān)心裝置的排氣系統(tǒng)被IDF芯片阻塞。能夠減小處理極小的IDF芯片的復(fù)雜性。由于應(yīng)力，在大襯底上形成的薄IDF芯片可能彎曲。然而，由于能彼此連接地制造IDF芯片，能防止彎曲。在IDF芯片之間提供連接的方法能增強(qiáng)防止彎曲的效應(yīng)。如上所述，本發(fā)明能提供一種用于制造IDF芯片的簡(jiǎn)單和容易的方法。


圖1A和1B示出了制造薄膜晶體管集成電路的步驟。
圖2A至2C示出了制造薄膜晶體管集成電路的步驟。
圖3A至3C示出了制造薄膜晶體管集成電路的步驟。
圖4A至4C示出了制造薄膜晶體管集成電路的步驟。
圖5A至5C示出了制造薄膜晶體管集成電路的步驟。
圖6A至6C示出了制造薄膜晶體管集成電路的步驟。
圖7A和7B示出了制造天線的步驟。
圖8A至8C示出了制造薄膜晶體管集成電路的步驟。
圖9A至9C示出了制造薄膜晶體管集成電路的步驟。
圖10A至10C示出了制造薄膜晶體管集成電路的步驟。
圖11A至11C示出了制造薄膜晶體管集成電路的步驟。
圖12A至12C示出了制造薄膜晶體管集成電路的步驟。
圖13A至13C示出了制造薄膜晶體管集成電路的步驟。
圖14A至14E示出了制造薄膜晶體管集成電路的步驟。
圖15A和15B示出了安裝有薄膜晶體管集成電路的物品。
圖16A至16C示出了安裝有薄膜晶體管集成電路的物品。
圖17A和17B示出了安裝有薄膜晶體管集成電路的物品。
圖18A和18B分別示出了安裝有薄膜晶體管集成電路的物品和IDF芯片和讀取器/寫入器的電路結(jié)構(gòu)。
圖19A和19B示出了具有薄膜集成電路的彎曲物品。
圖20A和20B示出了制造薄膜集成電路的步驟。
圖21A和21B示出了制造薄膜集成電路的步驟。
圖22A至22C示出了薄膜集成電路的模式。
圖23A和23B示出了制造薄膜集成電路的步驟。
圖24示出了薄膜集成電路的制造裝置。
圖25A至25D示出了制造薄膜集成電路的步驟。
圖26A和26B示出了制造薄膜集成電路的步驟。
圖27示出了安裝有薄膜集成電路的物品。
圖28示出了安裝有薄膜集成電路的物品。
圖29示出了安裝有薄膜集成電路的物品。
圖30是示出了使用ClF3時(shí)鎢和氧化鎢蝕刻速率比較的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中參考附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。本發(fā)明不局限于下面的描述。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易知道，在不脫離本發(fā)明的目的和范圍的條件下，本發(fā)明的模式和細(xì)節(jié)可以做多種改變。因此，本發(fā)明并不局限于下列實(shí)施方式的描述。注意到在用于示出實(shí)施方式的圖中，相同的參考數(shù)字表示相同部分和具有類似功能的部分，重復(fù)的描述被省略。
(實(shí)施方式1)在這個(gè)實(shí)施方式中，描述了在粘貼天線襯底之后，去除金屬膜的方式，該金屬膜是分離層和具有金屬的反應(yīng)物。
如圖1A中所示，金屬膜102、具有半導(dǎo)體膜作為有源區(qū)的薄膜晶體管(也稱作TFT)層103依次形成在絕緣襯底100上方。此外，具有金屬的反應(yīng)物在金屬膜102上方形成?？梢允褂帽∧ぞw管形成多個(gè)IDF芯片104。雖然下面將要描述TFT層的詳細(xì)結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體膜形成為厚0.2μm或更薄，典型地為40nm至170nm，且優(yōu)選為50nm至150nm。
由于具有極薄的半導(dǎo)體膜作為有源區(qū)，可以把IDF芯片制造得比使用硅晶片制成的芯片更薄。IDF芯片的具體厚度為0.3μm至3μm，典型地大約為2μm。
然后，溝槽105形成在IDF芯片之間邊界處的TFT層103上。通過切片、劃片、使用掩膜的蝕刻等形成溝槽105。形成溝槽105以具有暴露分離層的深度。由于反應(yīng)物形成在分離層上，形成溝槽105以暴露反應(yīng)物。注意到溝槽105沒有必要形成在IDF芯片之間的每個(gè)邊界處，但是它可以相隔一定距離地形成在IDF芯片之間的邊界處。
如圖21A中所示，開口108可以形成在IDF芯片中的TFT層103中。開口108需要形成在TFT層103中，除了包括在薄膜晶體中的半導(dǎo)體膜形成的區(qū)域。當(dāng)與溝槽105結(jié)合利用開口108時(shí)，能縮短去除分離層所需要的時(shí)間。因此，能減小溝槽105的尺寸。
由玻璃(如硼硅酸鋇玻璃或硼硅酸鋁玻璃)制成的襯底；石英襯底；等等能用作絕緣襯底100。另外，由合成樹脂(如塑料)或丙烯酸樹脂制成的襯底能用作具有絕緣表面的其它襯底，該塑料以聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚醚砜(PES)為代表。也能夠使用其表面上提供有氧化硅、氮化硅等的絕緣膜的金屬(如不銹鋼)、半導(dǎo)體襯底等。在使用這樣的絕緣襯底的情況下，與從圓形硅晶片取出芯片的情況對(duì)比，對(duì)母襯底形狀的限制更小。因此，能得到IDF芯片成本的減小。
對(duì)于金屬膜102，能使用從W、Ti、Ta、Mo、Nd、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os和Ir選出的元素、或者包含這些元素作為其主要組分的合金材料或化合物材料的單層、或者其疊層。在使用ClF3作為蝕刻氣體的情況下，由于W或Mo的蝕刻速率高，優(yōu)選使用W或Mo作為金屬。特別地，由于它具有與ClF3高的反應(yīng)速率，優(yōu)選W的氧化物-氧化鎢，這樣能在短時(shí)間內(nèi)去除分離層。
可以通過濺射方法、等離子體CVD法等形成金屬膜。在使用濺射法作為具體制造方法的情況下，可以使用金屬作為靶將金屬膜形成在絕緣襯底100上。注意，形成金屬膜以具有10nm至200nm的厚度，優(yōu)選地為50nm至75nm。氮化金屬膜，換句話說，氮化物金屬膜可以作為金屬膜形成。另外，可以在金屬膜中加入氮或氧?？梢酝ㄟ^例如在金屬膜中離子注入氮或氧將氮或氧加入金屬膜中，通過濺射方法，其中膜形成室在氮或氧氣氛中，或者使用氮化物金屬作為靶形成金屬膜。在使用金屬混合物用作金屬膜的情況下，在膜形成室中設(shè)置多個(gè)靶，如第一金屬和第二金屬，或設(shè)置第一金屬和第二金屬的合金的靶以通過濺射方法形成金屬膜。在形成W和Mo的混合物(W(x)Mo(1-x))的情況下，例如，可以使用W靶和Mo靶，或可以使用W和Mo的合金靶。
在絕緣襯底100上形成基膜以使得TFT層不被蝕刻。能夠使用包含氧或氮的絕緣膜形成基膜，該絕緣膜為例如氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNy)(x＞y)膜或氮氧化硅(SiNxOy)(x＞y)(x，y＝1，2…)膜?；た梢跃哂袉螌咏Y(jié)構(gòu)或它們的疊層結(jié)構(gòu)。
當(dāng)形成基膜時(shí)，在金屬膜表面上形成氧化物、氮化物或氮氧化物(與具有金屬的反應(yīng)物對(duì)應(yīng))。優(yōu)選將氧化物、氮化物或者氮氧化物用作分離層。這是因?yàn)檠趸?、氮化物或氮氧化物與蝕刻氣體(特別是ClF3)具有高的反應(yīng)速率，并能在短時(shí)間內(nèi)簡(jiǎn)單而容易地分離。注意到當(dāng)通過蝕刻氣體至少去除氧化物、氮化物或氮氧化物時(shí)，能進(jìn)行分離。在本發(fā)明中，分離層優(yōu)選具有金屬膜和具有金屬的反應(yīng)物的疊層結(jié)構(gòu)。
當(dāng)在金屬膜表面上形成氧化物、氮化物或氮氧化物時(shí)，在某些情況下引起了化學(xué)狀態(tài)的改變。在形成例如具有W的氧化膜的情況下，引起了氧化鎢(WOx(x＝2至3))化合價(jià)的改變。因此，能使氧化物、氮化物或氮氧化物進(jìn)入能通過物理方法容易地分離的狀態(tài)。通過把物理方法與化學(xué)方法結(jié)合，能在短時(shí)間內(nèi)簡(jiǎn)單而容易地進(jìn)行去除。
對(duì)于用于形成作為反應(yīng)物的氧化物的方法，能通過利用包括硫酸、鹽酸或硝酸水溶液或硫酸、鹽酸或硝酸和過氧化氫溶液或臭氧水的混合物的水溶液的處理形成薄氧化物膜。作為另一種方法，可以在氧氣氛中通過等離子體處理，利用臭氧的氧化處理，或者使用無塵爐在200℃至350℃下加熱形成薄氧化膜，所述臭氧通過在含氧氣氛中進(jìn)行紫外線輻照產(chǎn)生。
通過如上所述地選擇包括在上述分離層中的反應(yīng)物和金屬膜，可以控制蝕刻速率。特別地，由于它具有與ClF3高的反應(yīng)速率且能在短時(shí)間內(nèi)去除分離層，優(yōu)選W氧化物的氧化鎢。
天線襯底111設(shè)有多個(gè)天線112并且適當(dāng)?shù)卦O(shè)有開口113，天線112具有預(yù)定形狀。開口為圓形(與所謂的孔對(duì)應(yīng))、矩形(與所謂的縫隙對(duì)應(yīng))等等。另外，形成開口以與溝槽105交疊。
利用粘結(jié)劑等將絕緣襯底100粘貼在天線襯底111上。各向異性導(dǎo)體、超聲波粘結(jié)劑、或其中分散有導(dǎo)體的紫外硬化樹脂可以用作粘結(jié)劑。
如圖1B中所示，在天線襯底粘附到絕緣襯底的情況下，將蝕刻劑115引入到開口和溝槽中以去除分離層。包含氟化鹵的氣體或液體可以用作蝕刻劑。
在去除分離層后，分離絕緣襯底。然后，通過切片、劃片或激光切割方法切割每個(gè)IDF芯片。可以通過使用被玻璃襯底吸收的激光，如CO2激光，切割每個(gè)IDF芯片。這樣切割的IDF芯片可以具有5mm見方(25mm2)或更小的面積，優(yōu)選為0.3mm見方(0.09mm2)至4mm見方(16mm2)。
在切割每個(gè)IDF芯片后，可以利用有機(jī)樹脂(如環(huán)氧樹脂)覆蓋IDF芯片的周圍，如側(cè)面。因此，IDF芯片被從外部保護(hù)了且變得容易攜帶。
可以在沒有絕緣襯底情況下完成本發(fā)明的IDF芯片并且可以將其安裝在許多物品上。因此，可以減小IDF的厚度和重量。在其上安裝有本發(fā)明的IDF芯片的物品中不容易發(fā)現(xiàn)該芯片，并且不會(huì)引起外形毀損。
可以安裝分別轉(zhuǎn)移到置換襯底的IDF芯片。置換襯底優(yōu)選為柔性襯底。由合成樹脂(如塑料)或丙烯酸樹脂制成的襯底可以用作柔性襯底，該塑料以聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚醚砜(PES)為代表。
熱硬化樹脂、紫外硬化樹脂、環(huán)氧樹脂、樹脂添加劑、雙面膠帶(two-sided tape)等可以用作粘貼柔性襯底的粘合劑劑。優(yōu)選把導(dǎo)體分散在上述粘合劑中的樹脂材料中，以為IDF芯片傳導(dǎo)電流。
作為把IDF芯片轉(zhuǎn)移到柔性襯底的結(jié)果，與沒有柔性襯底的狀態(tài)相比，能提高IDF芯片的抗斷強(qiáng)度。轉(zhuǎn)移到柔性襯底的IDF芯片與形成在絕緣襯底上的IDF芯片相比，能制造得輕、薄和有彈性。
分離的絕緣襯底100可以重復(fù)使用。因此，能得到IDF芯片成本的減小。在重復(fù)使用的情況下，優(yōu)選在形成溝槽時(shí)控制切片、劃片等，不破壞絕緣襯底100。然而，即使當(dāng)絕緣襯底被破壞時(shí)，通過以涂覆法、小滴釋放法等形成有機(jī)樹脂或無機(jī)膜，可以進(jìn)行平坦化處理。注意到小滴釋放法是用于選擇性地釋放(噴灑)合成物的小滴(也稱作點(diǎn))的方法，該方法根據(jù)其方式也稱作噴墨法，該合成物混合有導(dǎo)電膜、絕緣膜等的材料。
IDF芯片具有0.2μm或更薄的半導(dǎo)體膜作為有源區(qū)，且該芯片非常薄，不像使用硅晶片形成的芯片。為了增加這樣薄的IDF芯片的強(qiáng)度，可以采用如上所述的轉(zhuǎn)移到柔性襯底的方法。這樣的薄、輕或非常柔性的IDF芯片比使用硅晶片形成的芯片更難于損壞。
與使用硅晶片形成的芯片相比，IDF芯片沒有波吸收的危險(xiǎn)且具有良好的信號(hào)接收能力。由于IDF芯片不具有硅晶片，它能透射光。
注意，在這個(gè)實(shí)施例中描述了把IDF芯片粘貼到天線上的情況；然而，可以直接在IDF芯片上形成天線。在那樣的情況下，可以通過使用絕緣襯底防止IDF芯片的分離，其中沒有形成天線而是形成天線襯底。因此，可以得到本發(fā)明的效果。
另外，IDF芯片不局限于安裝有天線的形式。特別地，IDF芯片包括安裝有天線(也稱作RFID標(biāo)簽)的無接觸IDF芯片、沒有安裝天線的、具有連接到外部電源的端子的接觸IDF芯片、以及非接觸型和接觸型結(jié)合的混和IDF芯片。
在這個(gè)實(shí)施方式中描述非接觸IDF芯片，但是它也可以是接觸IDF芯片或混和IDF芯片。這是因?yàn)?，即使在沒有天線的接觸IDF芯片的情況下，通過不使用天線襯底而使用其上沒有形成天線的絕緣襯底，也可以防止IDF芯片的分離，并且能得到本發(fā)明的效果。
當(dāng)使用絕緣襯底以這種方式形成IDF芯片時(shí)，與把芯片從圓形硅晶片中取出的情況相比，對(duì)母襯底形狀的限制更小。因此，可以提高IDF芯片的產(chǎn)量，并能實(shí)施大規(guī)模生產(chǎn)。例如，將使用具有12英寸直徑硅晶片的情況下的芯片數(shù)量與使用具有730×920mm2尺寸的玻璃襯底的情況下的數(shù)量相比較。前者，硅晶片，面積約為73000mm2，而后者，玻璃襯底，面積為約672000mm2。玻璃襯底是硅襯底的約9.2倍。具有約672000mm2面積的玻璃襯底，不考慮切割余量，可以設(shè)有大約672000個(gè)1mm見方的IDF芯片，為硅襯底上數(shù)量的約9.2倍。由于使用具有730×920mm2尺寸的玻璃襯底的IDF芯片的大規(guī)模生產(chǎn)，能夠比使用具有12英寸硅襯底的情況下以更少的步驟實(shí)現(xiàn)，資本投資量能減小到三分之一。因此，能減小IDF芯片的成本。通過減小單位成本，單位價(jià)格很低的IDF芯片能產(chǎn)生巨大的利益。
另外，可以重復(fù)使用絕緣襯底；這樣，能減小成本。因此，本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)的通過打磨硅晶片變薄的IC芯片更低的成本。
實(shí)施方式2在這個(gè)實(shí)施例中描述了選擇性地形成溝槽，部分地留下在IDF芯片之間的絕緣膜、導(dǎo)電膜等的方式。
如圖8A中所示，在絕緣襯底100上依次形成作為分離層的金屬膜102、和TFT層103，由此形成多個(gè)類似于實(shí)施方式1的IDF芯片104。進(jìn)一步，對(duì)于分離層，在金屬膜102上形成具有金屬的反應(yīng)物。注意，以下將描述TFT層的細(xì)節(jié)。
由于在IDF芯片之間邊界處形成的溝槽105是選擇性地形成的，絕緣膜、導(dǎo)電膜等剩余在IDF芯片之間的邊界處。這樣的在IDF芯片之間的邊界處的絕緣膜、導(dǎo)電膜等被稱作連接區(qū)106。注意到連接區(qū)106起到連接要被連接的IDF芯片的作用，并可以具有僅絕緣膜或?qū)щ娔さ膯螌咏Y(jié)構(gòu)或者層疊結(jié)構(gòu)。
如圖21B中所示，可以在IDF芯片的TFT層103中形成開口108。需要在TFT層103中形成開口，除了包括在薄膜晶體管中的半導(dǎo)體膜形成的區(qū)域。當(dāng)開口108與溝槽105結(jié)合利用時(shí)，可以縮短去除分離層所需要的時(shí)間。因此，可以減小溝槽105的尺寸。
如圖8B中所示，將蝕刻劑115引入到溝槽105中以去除分離層?？梢允褂冒ǚu的氣體或液體作為蝕刻劑，如實(shí)施方式1中一樣。
這時(shí)，調(diào)節(jié)反應(yīng)時(shí)間和引入量，以便也去除形成在連接區(qū)106下的分離層。當(dāng)引入蝕刻劑時(shí)，連接區(qū)下的分離層退去以被去除。因此，可以分離絕緣襯底100；然而，由于IDF芯片通過連接區(qū)106彼此連接在一起，因此它們沒有彼此分離。
如實(shí)施方式1中一樣，分離的絕緣襯底100可以再次使用。
此后，如圖8C中所示，如果必要可形成天線。在這個(gè)實(shí)施方式中粘貼形成在天線襯底111上的天線112。這時(shí)，可以不為天線襯底提供開口。這是因?yàn)槲g刻劑的引入已經(jīng)完成了。
此后，通過切片、劃片或激光切割法切割I(lǐng)DF芯片。IDF芯片可以通過使用激光切割，該激光可以被玻璃襯底吸收，如CO2激光。與實(shí)施方式1中一樣，可以利用有機(jī)樹脂(如環(huán)氧樹脂)覆蓋IDF芯片的周圍，如側(cè)面。
在這個(gè)實(shí)施方式中描述了非接觸IDF芯片，但它也可以是接觸IDF芯片或混和IDF芯片。這是因?yàn)?，即使在沒有天線的接觸IDF芯片的情況下，也可以通過不使用天線襯底，而使用其上沒有形成天線的絕緣襯底阻止IDF芯片的分離并能得到本發(fā)明的效果。
在這個(gè)實(shí)施方式中，可以在不轉(zhuǎn)移到置換襯底的條件下，完成IDF芯片。因此，可以減小IDF芯片的厚度和重量，并且安裝它的物品在總體厚度和重量上也能減小。與實(shí)施方式1中一樣，IDF芯片可以轉(zhuǎn)移到置換襯底。作為把IDF芯片轉(zhuǎn)移到置換襯底的結(jié)果，可以增加IDF芯片的抗斷強(qiáng)度。
實(shí)施方式3在這個(gè)實(shí)施方式中描述了，將在實(shí)施方式1中描述的設(shè)有開口的天線襯底粘貼到在實(shí)施方式2中描述的在IDF芯片之間的邊界處設(shè)有連接區(qū)的絕緣襯底的方式。
如圖20A中所示，在絕緣襯底100上依次形成作為分離層的金屬膜102和TFT層103。進(jìn)一步，對(duì)于分離層，在金屬膜102上形成具有金屬的反應(yīng)物。與實(shí)施方式2中一樣，選擇性地形成溝槽105以在IDF芯片104之間具有連接區(qū)106。
此后，與實(shí)施方式1中一樣，粘貼提設(shè)有天線112和開口113的天線襯底111。此時(shí)，粘貼天線襯底以便把開口113定位到溝槽105。
如圖20B中所示，把蝕刻劑115引入到開口和溝槽中。然后，去除分離層(金屬膜和具有金屬的反應(yīng)物)，并可以分離絕緣襯底100。這時(shí)，由于IDF芯片被固定并通過連接區(qū)和天線襯底彼此連接，IDF芯片不會(huì)彼此分離。
在這個(gè)實(shí)施方式中描述了在粘貼天線襯底后，引入蝕刻劑的情況；然而，可以在粘貼天線襯底前，引入蝕刻劑。由于IDF芯片通過連接區(qū)彼此連接，即使在那種情況下，可以分離絕緣襯底而不彼此分離IDF芯片不。
此后，通過切片、劃片或激光切割方法切割每個(gè)IDF芯片?？梢酝ㄟ^使用被玻璃襯底吸收的激光(如CO2激光)切割每個(gè)IDF芯片。
此后，與實(shí)施方式1一樣，可以利用有機(jī)樹脂(如環(huán)氧樹脂)覆蓋IDF芯片的周圍，如側(cè)面。
在這個(gè)實(shí)施方式中，可以在不轉(zhuǎn)移到置換襯底的條件下，完成IDF芯片。然而，與實(shí)施方式1中一樣，IDF芯片可以轉(zhuǎn)移到置換襯底。作為把IDF芯片轉(zhuǎn)移到置換襯底的結(jié)果，可以增加IDF芯片的抗斷強(qiáng)度。
實(shí)施例實(shí)施例1在這個(gè)實(shí)施例中描述了在實(shí)施方式1中所述方式的具體方法。
圖2A是在絕緣襯底100上形成12個(gè)IDF芯片的情況下的頂視圖，圖2B是從圖2A的實(shí)線a-b的截面圖。
如圖2B中所示，形成在絕緣襯底100上的TFT層包括薄膜晶體管128n和128p，每個(gè)晶體管都具有絕緣膜、圖形化成所希望形狀的半導(dǎo)體膜124、用作柵絕緣膜(下文中稱作柵絕緣膜)的絕緣膜125、形成在柵絕緣膜上用作柵電極(下文中稱作柵電極)的導(dǎo)電膜126，其中TFT層與絕緣襯底100之間有金屬膜102和具有金屬的反應(yīng)物50。半導(dǎo)體膜包括溝道形成區(qū)和雜質(zhì)區(qū)(包括源區(qū)、漏區(qū)、GOLD區(qū)和LDD區(qū))，且根據(jù)加入的雜質(zhì)元素的導(dǎo)電性，可以分成n溝道薄膜晶體管128n和p溝道薄膜晶體管128p。半導(dǎo)體膜也包括形成的連接到每個(gè)雜質(zhì)區(qū)的布線130。
在這個(gè)實(shí)施例中，W用作金屬膜；然而，可以使用上述的另一材料。
在這個(gè)實(shí)施例中，絕緣膜可以具有疊層結(jié)構(gòu)且具有第一絕緣膜121、第二絕緣膜122和第三絕緣膜123。例如，氧化硅膜用作第一絕緣膜；氧氮化硅膜作為第二絕緣膜；氧化硅膜作為第三絕緣膜。
半導(dǎo)體膜124可以是非晶半導(dǎo)體、非晶狀態(tài)和結(jié)晶狀態(tài)混合的半非晶硅(SAS)、微晶硅半導(dǎo)體和結(jié)晶半導(dǎo)體的任何一種，其中在微晶半導(dǎo)體中可以觀察到0.5nm至20nm的晶體顆粒在非晶半導(dǎo)體中。
在使用能夠承受薄膜形成工藝溫度的襯底的情況下，例如，石英襯底，通過CVD方法等可以在襯底上形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜。
在這個(gè)實(shí)施例中，非晶半導(dǎo)體膜形成并被熱處理以形成結(jié)晶化的結(jié)晶半導(dǎo)體膜?？梢圆捎眉訜釥t、激光輻照、代替激光光源利用從燈發(fā)出光的輻照(在下文中稱作燈退火)或者它們的結(jié)合用于熱處理。
在采用激光輻照的情況下，可以使用連續(xù)波激光器(CW激光器)或脈沖波激光器(脈沖激光)；可以使用Ar激光器、Ar激光器、準(zhǔn)分子激光器、YAG激光器、Y2O3激光器、YVO4激光器、YLF激光器、YAlO3激光器、玻璃激光器、紅寶石激光器、變石激光器、Ti藍(lán)寶石激光器、銅蒸氣激光器、金蒸氣激光器?？梢酝ㄟ^用上述激光的基波和基波的二次或四次諧波輻照而得到具有大晶粒尺寸的晶體。例如，可以使用NdYVO4激光器(基波為1064nm)的二次諧波(532nm)或三次諧波(355nm)。此時(shí)，激光的能量強(qiáng)度需要為約0.01MW/cm2至100MW/cm2(優(yōu)選，0.1MW/cm2至10MW/cm2)。然后，激光輻照以約10cm/秒至2000cm/秒的掃描速度進(jìn)行。
例如，使用如圖23A中所示的光學(xué)系統(tǒng)和CW激光器進(jìn)行結(jié)晶化。首先，通過光學(xué)系統(tǒng)291拉長(zhǎng)從激光振蕩器290發(fā)射的CW激光束，并將其處理成線性形狀。具體地，當(dāng)激光束經(jīng)過包括在光學(xué)系統(tǒng)291中的圓柱形透鏡或凸透鏡時(shí)，可以把激光束處理成線性形狀。優(yōu)選把激光束處理成具有長(zhǎng)軸長(zhǎng)度為200μm至350μm的光斑。
然后，處理成線性形狀的激光束經(jīng)過檢流計(jì)鏡293(galvanometermirror)和fθ透鏡294進(jìn)入半導(dǎo)體膜124。此時(shí)，調(diào)節(jié)線性激光以在半導(dǎo)體膜上形成具有預(yù)定尺寸的激光斑282。另外，該fθ棱鏡294能使得激光斑282在輻照物體的表面上保持恒定形狀，而不管檢流計(jì)鏡的角度。
在此時(shí)，用于控制電流計(jì)鏡296擺動(dòng)的裝置(控制裝置)振動(dòng)檢流計(jì)鏡，換句話說，改變鏡的角度。激光斑282在一個(gè)方向上移動(dòng)(例如，在圖中的X軸方向)(向外)。例如，當(dāng)檢流計(jì)鏡以半圓擺動(dòng)時(shí)，激光斑以一定寬度在半導(dǎo)體膜上的X軸方向上移動(dòng)。
然后，通過XY臺(tái)295在Y軸方向上移動(dòng)半導(dǎo)體膜。以同樣的方式通過檢流計(jì)鏡在半導(dǎo)體膜上在X軸方向上移動(dòng)激光斑(返回)。隨著激光束的來回移動(dòng)，激光斑沿著路徑283移動(dòng)以在整個(gè)半導(dǎo)體膜上進(jìn)行激光退火。
如圖23B中所示，在薄膜晶體管上進(jìn)行激光退火，以使得載流子流動(dòng)方向281和激光束到長(zhǎng)軸的移動(dòng)方向(掃描方向)是同一方向。例如，在具有如圖23B中所示那樣的形狀的半導(dǎo)體膜230的情況下，將在半導(dǎo)體膜中形成的源區(qū)230(s)、溝道形成區(qū)230(c)和漏區(qū)230(d)設(shè)置成平行于激光束到長(zhǎng)軸的移動(dòng)方向(掃描方向)。因此，可以減小或消除載流子通過的晶粒邊界；因此，可以改善薄膜晶體管的遷移率。
另外，激光可以對(duì)半導(dǎo)體膜具有入射角θ(0°＜θ＜90°)。因此，可以防止激光干涉。
可以利用基波的連續(xù)波激光和諧波的連續(xù)波激光輻照半導(dǎo)體膜，或者可以利用基波的連續(xù)波激光和諧波的脈沖波激光輻照半導(dǎo)體膜。通過利用多種激光輻照，可以補(bǔ)充能量。
在脈沖波激光的情況下，脈沖激光可以以這樣的重復(fù)頻率振動(dòng)，使得下一個(gè)脈沖的激光在融化半導(dǎo)體膜之后且固化半導(dǎo)體膜之前發(fā)射。這使得能夠在掃描方向上得到順序生長(zhǎng)的晶粒。換句話說，有可能以重復(fù)頻率的下限使用脈沖束，該下限設(shè)定成比融化的半導(dǎo)體膜固化所需的時(shí)間短。
實(shí)際上使用的是具有10MHz或更大的重復(fù)頻率的脈沖束，其重復(fù)頻率比通常使用的脈沖束的幾十至幾百Hz的頻率更高。
可以在惰性氣體氛圍(如稀有氣體或氮?dú)?中進(jìn)行該激光輻照。由于激光輻照，這樣可以消除半導(dǎo)體表面的粗糙度，并防止由界面態(tài)密度變化引起的閾值的變化。
微晶半導(dǎo)體膜可以通過使用SiH4和F2，或SiH4和H2制備，然后利用上述用于結(jié)晶化的激光輻照。
在使用加熱爐作為另一熱處理的情況下，在500℃至550℃的溫度下加熱非晶半導(dǎo)體膜2至20小時(shí)。此時(shí)，可以在500℃至550℃的范圍內(nèi)多級(jí)地設(shè)定溫度，以逐漸地到達(dá)更高溫度。這是因?yàn)樵诮Y(jié)晶化期間可以進(jìn)行所謂的脫氫以減小膜粗糙度，這是因?yàn)榉蔷О氚雽?dǎo)體膜的氫等在第一低溫加熱步驟中被釋放。當(dāng)加速結(jié)晶化的金屬元素，例如Ni，進(jìn)一步形成在非晶半導(dǎo)體膜上時(shí)，可以降低加熱溫度，這是優(yōu)選的。即使在使用這樣的金屬元素的情況下，也可以在600℃至950℃的高溫下進(jìn)行加熱。
然而，在形成金屬元素的情況下，擔(dān)心金屬元素可能不利地影響半導(dǎo)體元件的電性能。這樣，需要吸氣步驟以減少或去除所述金屬元素。例如，可以使用非晶半導(dǎo)體膜作為吸氣接收器(gettering sink)，實(shí)施該步驟以俘獲金屬元素。
可選擇地，可以直接形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜。在這種情況下，通過利用加熱或使用等離子體可以在形成表面上直接形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜，等離子體使用如GeF4或F2的氟基氣體和如SiH4或Si2H6的硅烷基氣體。在直接形成如上所述的結(jié)晶半導(dǎo)體膜和需要高溫處理的情況下，可以優(yōu)選使用高度耐熱的石英襯底。
通過上述任何一種方法形成的半導(dǎo)體膜比利用硅晶片形成的芯片包含更多的氫。特別地，可以形成包含1×1019/cm3至1×1022/cm3，優(yōu)選1×1019/cm3至5×1020/cm3氫的半導(dǎo)體膜。氫可以提供所謂的缺陷終止效應(yīng)，該效應(yīng)減少了半導(dǎo)體膜中的缺陷。另外，氫可以增加IDF芯片的柔性。
進(jìn)一步，通過使得在IDF芯片中被圖形化的半導(dǎo)體膜的區(qū)域比率為1％至30％，可防止由于彎曲應(yīng)力導(dǎo)致的薄膜晶體管的損壞或分離。
該具有半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管具有0.35V/dec或更小，優(yōu)選0.25V/dec至0.09V/dec的亞閾值系數(shù)(S值)。另外，該薄膜晶體管具有10cm2V/sec或更高的遷移率。
當(dāng)使用這樣的TFT形成19級(jí)的環(huán)形振蕩器時(shí)，在3V至5V的電源電壓下，它的重復(fù)頻率是1MHz或更大，優(yōu)選為100MHz或更大。在3V至5V的電源電壓下，反相器每級(jí)的延遲時(shí)間是26ns，優(yōu)選為0.26ns或更小。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，可以得到TFT的功能，但是優(yōu)選形成第一層間絕緣膜127和第二層間絕緣膜129。利用第一層間絕緣膜中的氫，可以修復(fù)半導(dǎo)體膜的損壞、缺陷等等。換句話說，可以得到由于氫引起的缺陷的終止效應(yīng)。包含氧或氮的絕緣膜，如氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNy)(x＞y)膜、或氮氧化硅(SiNxOy)(x＞y)(x，y＝1，2…)膜可以用作第一層間絕緣膜。
通過第二層間絕緣膜可以改善平坦性。有機(jī)材料或無機(jī)材料可以用作第二層間絕緣膜。聚酰亞胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、抗蝕劑、苯并環(huán)丁烯、硅氧烷或聚硅氮烷可以用作有機(jī)材料。硅氧烷對(duì)應(yīng)于包括Si-O-Si鍵的樹脂。通過硅(Si)和氧(O)的鍵構(gòu)造硅氧烷的骨架結(jié)構(gòu)。作為取代基，使用包含至少氫的有機(jī)基團(tuán)(例如烷基或芳族烴)?？蛇x擇地，可以使用氟代團(tuán)。進(jìn)一步，可以使用至少包含氫的有機(jī)基團(tuán)和氟代團(tuán)作為取代基。通過把包括具有硅(Si)和氮(N)鍵的聚合物材料的液體材料用作開始材料，形成聚硅氮烷。包括氧或氮的絕緣膜，如氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNy)(x＞y)膜或氮氧化硅(SiNxOy)(x＞y)(x，y＝1，2…)膜可以用作無機(jī)材料。另外，上述的絕緣膜的疊層結(jié)構(gòu)可以用作第二層間絕緣膜。當(dāng)通過使用有機(jī)材料形成第二層間絕緣膜時(shí)，改善了平坦性，然而有機(jī)材料吸收濕氣和氧氣。為了防止有機(jī)材料吸收濕氣和氧氣，優(yōu)選在具有有機(jī)材料的絕緣膜上形成具有無機(jī)材料的絕緣膜。當(dāng)包含氮的絕緣膜用作無機(jī)材料時(shí)，可以防止堿金屬離子如Na的進(jìn)入。
更優(yōu)選地，提供第四絕緣膜131以覆蓋布線130。由于安裝有IDF芯片的物品經(jīng)常被裸手觸摸，擔(dān)心堿金屬離子(如Na)的擴(kuò)散。因此，優(yōu)選在IDF芯片的頂表面上形成第四絕緣膜。包括氧或氮的絕緣膜，如氧化硅(SiOx)膜，氮化硅(SiNx)膜，氧氮化硅(SiOxNy)(x＞y)膜或氮氧化硅(SiNxOy)(x＞y)(x，y＝1，2…)膜可以用作第四絕緣膜。典型地，優(yōu)選使用氮氧化硅(SiNxOy)膜。這是因?yàn)楫?dāng)使用包含氮的絕緣膜，如氮氧化硅膜時(shí)，可以阻止諸如Na的堿金屬離子的進(jìn)入。
因此，在IDF芯片104之間形成溝槽105?？梢酝ㄟ^切片、劃片、利用掩模的蝕刻等形成溝槽105。通常采用利用切片裝置(切片機(jī))的刀片切片法用于切片。刀片是其中嵌入了金剛石拋光顆粒的研磨石，并具有約30μm至50μm的寬度。通過快速地旋轉(zhuǎn)刀片分離TFT層。金剛石劃片法、激光劃片法等用作劃片。在蝕刻情況下，在通過曝光步驟形成掩模圖案和顯影步驟后，可以通過干蝕刻、濕蝕刻等分離TFT層。在干蝕刻中，可以使用氣體等離子體法。由此，在IDF芯片之間形成溝槽。
注意到?jīng)]有必要在IDF芯片之間的每個(gè)邊界處形成溝槽，但是可以在IDF芯片之間的邊界處相隔一定距離地形成。
隨后，如圖3A至3C中所示粘貼天線襯底。圖3A是粘貼有天線襯底111的頂視圖，圖3B是圖3A的實(shí)線a-b的截面圖。
包括分散導(dǎo)體140的各向異性導(dǎo)體141可以用作粘貼手段。該各向異性導(dǎo)體可以電學(xué)地連接IDF芯片的連接端到天線連接端，這是因?yàn)槊總€(gè)連接端的厚度，通過壓力把導(dǎo)體彼此連接。由于在導(dǎo)體間保持足夠的距離，除了連接端的區(qū)域保持非導(dǎo)電性。除了各向異性導(dǎo)體，可以使用其中分散有導(dǎo)體的超聲波粘接劑、紫外硬化樹脂、雙面膠帶等粘貼天線襯底。
天線襯底111設(shè)有天線112和開口113。天線的位置對(duì)應(yīng)于IDF芯片。如圖3B中所示，開口113的位置對(duì)應(yīng)于溝槽105。下面描述天線和開口的詳細(xì)制造步驟。
在這個(gè)實(shí)施例中，在天線之間的每個(gè)邊界處形成開口；然而，他們可以相隔一定距離地形成在邊界處。進(jìn)一步，在這個(gè)實(shí)施例中也描述了圓形開口的情形；然而，形狀不局限于此。該開口可以形成，例如縫隙形狀。如上所述，可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)置溝槽105和開口113的形狀和位置。
隨后，如圖4A至4C中所示，通過引入包含氟化鹵的氣體或液體作為蝕刻劑去除分離層(金屬膜和反應(yīng)物)。這里，使用低壓CVD裝置去除分離層，如圖24中所示，在下列條件下氣體，ClF3(三氟化氯)；溫度350℃；流量，300sccm；壓強(qiáng)，6Torr；和時(shí)間3小時(shí)。然而，條件并不局限與此。圖24中示出的低壓CVD裝置具有鐘形瓶(jar)89，其能夠?qū)Χ鄠€(gè)絕緣襯底100進(jìn)行處理。ClF3115通過氣體引入管引入，不需要的氣體通過排氣管92排出。此時(shí)，由于IDF芯片通過天線襯底彼此連接在一起，IDF芯片不可能被抽到排氣管92。進(jìn)一步，可以在低壓CVD裝置的側(cè)面上提供加熱裝置，如加熱器91。
圖4A是示出了引入包含氟化鹵的氣體或液體以去除分離層的狀態(tài)的頂視圖，圖4B是圖4A中實(shí)線a-b的截面圖。
圖4B示出了把包含氟化鹵的氣體或液體引入開口113和溝槽105的狀態(tài)。當(dāng)使用加熱裝置在100℃至300℃的溫度下進(jìn)行處理時(shí)，可以增加反應(yīng)速率。因此，可以減小ClF3氣體的消耗并可以縮短反應(yīng)時(shí)間。
通過以這個(gè)方式引入蝕刻劑分離層逐漸退去。然后，如箭頭所示可以分離和去除絕緣襯底。
確定蝕刻劑、氣體流量、溫度等，以使得TFT的每一層不被蝕刻。使用包含氧或氮的絕緣膜作為基膜。由于分離層和基膜之間的反應(yīng)速率差別很大，意味著選擇性高，可以很容易地去除分離層，同時(shí)IDF芯片受到保護(hù)。在這個(gè)實(shí)施例中，由于基膜和保護(hù)膜，很難通過ClF3蝕刻TFT層，該保護(hù)膜提供在TFT層和暴露在側(cè)面的層間絕緣膜、柵絕緣膜、布線等的邊緣部分的上面和下面。
注意，ClF3可以通過氯和氟在200℃或更高的溫度下通過反應(yīng)產(chǎn)生。在某些情況下ClF3(沸點(diǎn)11.75℃)可以是液體，這取決于反應(yīng)場(chǎng)的溫度。在那樣的情況下，也可以使用ClF3作為包含氟化鹵的液體進(jìn)行濕蝕刻。
混合著氮的ClF3等氣體可以用作包含氟化鹵的另一氣體。
蝕刻劑不局限于ClF3或氟化鹵，只要它蝕刻分離層且不蝕刻基膜即可。例如，可以使用包含氟的等離子體氣體如CF4、SF6、NF3或F2。強(qiáng)堿性溶液，如四甲基氫氧化銨(tetrathylammonium hydroxide，TMAH)可以用作另一蝕刻劑，也可以使用HF溶液等。
在利用包含氟化鹵的氣體(如ClF3)化學(xué)地去除分離層的情況下，分離層和基膜的結(jié)合不局限于上述材料，只要被選擇性蝕刻的材料用作分離層，且不被蝕刻的材料用作基膜即可。
即使當(dāng)如上所述去除絕緣膜時(shí)，IDF芯片通過天線襯底彼此連接。之后，通過切片、劃片或激光切割法切割I(lǐng)DF芯片，由此完成IDF芯片。然后，IDF芯片可以安裝在物品上。熱硬化樹脂、紫外硬化樹脂、環(huán)氧樹脂、樹脂添加劑、雙面膠帶等等可以用作用于安裝的粘結(jié)劑。
雖然IDF芯片可以根據(jù)上述步驟完成，但可以如圖5A至5C中所示，粘附柔性襯底。圖5A是示出了利用粘結(jié)劑151粘貼柔性襯底150的狀態(tài)的頂視圖，圖5B是圖5A中的實(shí)線a-b的截面圖。
由合成樹脂如上述塑料或丙烯酸樹脂制造的襯底可以用作柔性襯底。在這個(gè)實(shí)施例中，可以使用由塑料制造的襯底。
通過將IDF芯片轉(zhuǎn)移到柔性襯底上，可以提高IDF芯片的抗斷強(qiáng)度。
通過如圖6A至6C中所示的切片、劃片或激光切割法切割I(lǐng)DF芯片，由此完成形成在柔性襯底上的IDF芯片。圖6A是示出了被切割的IDF芯片狀態(tài)的頂視圖，圖6B是圖6A的實(shí)線a-b的截面圖。
由此形成的IDF芯片可以安裝在物品上。熱固性樹脂、紫外硬化樹脂、環(huán)氧樹脂、樹脂添加劑、雙面膠帶等等可以用作用于安裝的粘結(jié)劑。
以這種方式直到完成之前還彼此連接的IDF芯片可以減小處理分離的IDF芯片的復(fù)雜性。它們可以彼此連接直到安裝在物品上之前。例如，僅僅在一個(gè)方向成一直線地切割I(lǐng)DF芯片，并將其放置在IDF芯片安裝裝置上，然后在安裝在物品上的同時(shí)在其它方向上切割I(lǐng)DF芯片。這使得有可能減小處理分離的IDF芯片的復(fù)雜度，并容易安裝IDF芯片。
雖然沒有示出，可以利用樹脂或包含氮的絕緣膜覆蓋IDF芯片用于保護(hù)，特別地，優(yōu)選用它們覆蓋IDF芯片的側(cè)面。保護(hù)IDF芯片提高了IDF芯片的便攜性。樹脂或包含氮的絕緣膜可以由與要被安裝IDF芯片的物品相同的材料制成。
在這個(gè)實(shí)施例中，使用各向異性導(dǎo)體以“面向下”的方式安裝IDF芯片，其中IDF芯片的連接端面向天線，如上所述；然而，IDF芯片可以以“面向上”的方式安裝，其中連接端對(duì)著天線的相反方向。在以“面向上”安裝的情況下，可以使用引線鍵合方法作為把連接端連接到天線的方法。
在上文中描述的是薄膜晶體管形成在絕緣襯底上，然后分離絕緣襯底，并且優(yōu)選地，薄膜晶體管進(jìn)一步轉(zhuǎn)移到柔性襯底上的方式。然而，分離的時(shí)序或數(shù)量并不局限于這個(gè)實(shí)施例。薄膜晶體管被轉(zhuǎn)移到的位置不局限于柔性襯底。例如，薄膜晶體管可以直接轉(zhuǎn)移到要安裝IDF芯片的物品上(安裝物品)。根據(jù)轉(zhuǎn)移的次數(shù)確定以“面向上”或“面向下”的方式安裝IDF芯片。
隨后，參考圖7A和7B描述制造天線的步驟。圖7A和7B示出了在天線襯底上形成矩形地纏繞的天線的情況；然而，天線的形狀不局限于此。例如，天線可以是圓形或直線。
如硼硅酸鋇玻璃襯底或硼硅酸鋁玻璃襯底的玻璃襯底；石英襯底；或由諸如塑料的合成樹脂或丙烯酸樹脂制成的襯底可以用作天線襯底，塑料的典型代表有聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚醚砜(PES)。由于優(yōu)選天線襯底薄，優(yōu)選薄膜襯底。
如圖7A中所示，借助于噴嘴160通過小滴釋放法在天線襯底111上形成天線112。該天線可以通過以下方法中任一種形成濺射法、印刷法、電鍍法、光刻法、利用金屬掩膜的蒸發(fā)法、以及它們的結(jié)合，代替小滴釋放法。例如，通過濺射法、小滴釋放法、印刷法、光刻法或蒸發(fā)法形成第一天線，形成第二天線以使得通過電鍍法利用第一天線覆蓋第二天線，因此形成層疊的天線。由于不需要圖形化導(dǎo)電膜，優(yōu)選通過小滴釋放法或印刷法形成天線，由此減小制造步驟的數(shù)量。
另外，天線設(shè)有連接端135。由于連接端天線可以很容易地連接到薄膜集成電路。通過增加從噴嘴釋放的小滴或保持噴嘴在一個(gè)位置上，可以形成連接端。注意到不是必須要提供連接端，且它的形狀和位置并不局限于這個(gè)實(shí)施例。
天線可以由導(dǎo)電材料，如Ag(銀)、Al(鋁)、Au(金)、Cu(銅)或Pt(鉑)形成。在使用具有相對(duì)高的電阻的Al或Au的情況下，布線電阻是一個(gè)顧慮。然而，在天線占據(jù)了大面積的情況下，可以通過增厚天線或括寬天線，減小布線電阻?？梢岳镁哂械碗娮璧牟牧细采w天線，且天線可以是疊層天線。在使用諸如Cu的可以擴(kuò)散的導(dǎo)電材料的情況下，可以形成絕緣膜以覆蓋天線的形成表面和/或Cu周圍。
在這個(gè)實(shí)施例中，混合到作為溶劑的十四烷中的銀從噴嘴160釋放以形成天線。在此時(shí)，可以在天線襯底上形成由氧化鈦(TiOx)制成的基膜以改善Ag的粘附性。
更優(yōu)選地，在形成后對(duì)天線施加壓力以改善平坦性。因此，天線可以變薄。也可以提供加熱裝置和加壓裝置，并且在這種情況下可以同時(shí)進(jìn)行加壓處理和加熱處理。當(dāng)在使用小滴釋放方法中需要時(shí)，加熱處理可以與用于去除溶劑的加熱處理結(jié)合。
另外，可以在天線襯底上形成溝槽(凹槽)，且天線可以形成在溝槽中。由于天線可以形成在溝槽中，天線襯底和天線可以變薄。
進(jìn)一步，可以在天線襯底的兩側(cè)上形成天線。在那種情況下，通過與上述方法類似的方法，可以在天線襯底的另一側(cè)上形成天線。因此，可以延長(zhǎng)天線長(zhǎng)度，這能增加通訊距離。
部分天線可以形成在天線襯底的另一側(cè)上，這取決于連接端的放置。例如，當(dāng)如圖1A和1B中所示盤繞天線時(shí)，根據(jù)連接端的設(shè)置，天線的一部分與天線的另一部分交叉變得必要。在此時(shí)，絕緣體需要被插入以便天線不短路。然而，天線襯底可以用作絕緣體。
隨后，如圖7B中所示，在天線襯底中形成開口113?？梢晕锢淼鼗蚧瘜W(xué)地形成開口。在物理地形成開口的情況下，可以使用激光。另外，為了容易地形成開口，可以進(jìn)行加熱，可以通過粘附熱的針或類似物到天線襯底中，而形成開口。在化學(xué)地形成開口的情況下，可以使用如干蝕刻或濕蝕刻的蝕刻方法。
開口形狀不局限于圓形，也可以是矩形等。
在這個(gè)實(shí)施例中描述了粘附天線到IDF芯片的情況；然而，天線可以直接形成在IDF芯片上。例如，天線可以形成在與布線130同樣的層中。
在這個(gè)實(shí)施例中描述了非接觸IDF芯片；然而，它可以是接觸IDF芯片或混和IDF芯片。
在這個(gè)實(shí)施例中IDF芯片和天線襯底被描述得較厚，以使得該實(shí)施例容易理解。然而，它們實(shí)際上形成得非常薄。
實(shí)施例2在這個(gè)實(shí)施例中描述在實(shí)施方式2中描述的方式的具體方法。
圖9A是在絕緣襯底100上的12個(gè)IDF芯片的頂視圖，圖9B是圖9A的實(shí)線e-f的截面圖，圖9C是圖9A的實(shí)線g-h的截面圖，其經(jīng)過連接區(qū)106。注意到與實(shí)施例1一樣，在這個(gè)實(shí)施例中W用作金屬膜。
如圖9B中所示，在絕緣襯底100上形成金屬膜102和具有金屬的反應(yīng)物50作為分離層。薄膜晶體管128n和128p形成在絕緣襯底100上，二者之間有金屬膜102和具有金屬的反應(yīng)物50，每個(gè)晶體管具有基膜、圖形化成所希望形狀的半導(dǎo)體膜124、柵絕緣膜125和柵電極126。另外，提供布線130以連接到包括在半導(dǎo)體膜中的雜質(zhì)區(qū)。
基膜可以具有層疊結(jié)構(gòu)。這里，與實(shí)施例1一樣，基膜具有第一絕緣膜121，第二絕緣膜122和第三絕緣膜123。
如實(shí)施例1中，可以形成包含1×1019/cm3至1×1022/cm3的氮，優(yōu)選地，1×1019/cm3至5×1020/cm3的半導(dǎo)體膜，不像使用硅晶片形成的芯片。氫可以提供所謂的缺陷終止效應(yīng)，其減少了在半導(dǎo)體膜中的缺陷。進(jìn)一步，在半導(dǎo)體膜中的氫可以增加IDF芯片的柔性。
進(jìn)一步，通過使得在IDF芯片中的圖形化的半導(dǎo)體膜的面積比率為1％至30％，可以阻止由于薄膜晶體管的彎曲應(yīng)力產(chǎn)生的損壞或分離。
另外，與實(shí)施例1一樣，可以提供第一層間絕緣膜127和第二層間絕緣膜129。更優(yōu)選地，可以提供第四絕緣膜131以覆蓋布線130。
隨后，在這個(gè)實(shí)施例中選擇性地形成溝槽105以留下連接區(qū)106。與實(shí)施例1中一樣，溝槽105可以通過切片、劃片、利用掩模蝕刻等形成。如圖9C中所示，在選擇性地形成溝槽105以留下連接區(qū)106的情況下，在通過曝光步驟和顯影步驟形成掩模圖案之后，可以通過干蝕刻、濕蝕刻等形成溝槽。在干蝕刻中，可以使用大氣等離子體法。
在通過干蝕刻、濕蝕刻等形成溝槽的情況下，根據(jù)連接區(qū)的布置和形狀，可以調(diào)節(jié)諸如溝槽蝕刻時(shí)間的條件。短時(shí)間的蝕刻可以減小對(duì)其它薄膜的影響。
因此，形成在IDF芯片之間的溝槽沒有必要形成在IDF芯片之間的每個(gè)邊界處，但是可以相隔一定距離地形成在IDF芯片之間的邊界處。
隨后，如圖10A至10C中所示，通過引入蝕刻劑去除作為分離層的金屬膜102和反應(yīng)物50。圖10A是示出了通過引入包含氟化鹵的氣體或液體去除分離層的狀態(tài)的頂視圖，圖10B是圖10A的實(shí)線e-f的截面圖，以及圖10C是圖10A的實(shí)線g-h的截面圖，其跨過連接區(qū)106。
如圖10B中所示，把包含氟化鹵的氣體或液體引入溝槽105中。在這個(gè)實(shí)施例中，與實(shí)施例1一樣，使用ClF3(三氟化氯)作為氟化鹵。
當(dāng)處理溫度為100℃至300℃時(shí)，可以增加反應(yīng)速率。從而，可以減小ClF3氣的消耗并可以縮短處理時(shí)間。
通過引入蝕刻劑逐漸退去分離層。然后，可以如箭頭所示去除絕緣襯底。
設(shè)置蝕刻劑、氣體流量、溫度等使得TFT的每一層不被蝕刻。在這個(gè)實(shí)施例中使用的ClF3選擇性地去除了分離層，而由于基膜和保護(hù)膜，TFT的每一層很難通過ClF3蝕刻，該基膜和保護(hù)膜提供在TFT層和在側(cè)面上暴露的層間絕緣膜、柵絕緣膜、布線等的邊緣部分上面和下面。
即使當(dāng)去除絕緣襯底時(shí)，IDF芯片通過連接區(qū)彼此連接。因此，IDF芯片沒有彼此分離。
隨后，通過切片、劃片或激光切割法切割I(lǐng)DF芯片。然后，IDF芯片可以安裝在物品上。
雖然根據(jù)上述步驟可以完成IDF芯片，但可以將柔性襯底粘附到其上，如圖11A至11C中所示。圖11A是示出了利用粘接劑151粘附柔性襯底150的狀態(tài)的頂視圖，圖11B是從圖11A的實(shí)線e-f的截面圖，圖11C是從圖11A的實(shí)線g-h的截面圖，其跨過連接區(qū)106。
由合成樹脂如上述的塑料或丙烯酸樹脂制成的襯底可以用作柔性襯底。在這個(gè)實(shí)施例中，使用由塑料制成的襯底。熱固性樹脂、紫外硬化樹脂、環(huán)氧樹脂、樹脂添加劑，雙面膠帶等可以用作用于粘附柔性襯底的粘接劑。通過把IDF芯片轉(zhuǎn)移到柔性襯底，可以提高IDF芯片的抗斷強(qiáng)度。
隨后如圖12A至12C中所示粘貼天線襯底。圖12A是粘附了天線襯底111的頂視圖，圖12B是從圖12A的實(shí)線e-f的截面圖，和圖12C是從圖12B的實(shí)線g-h的截面圖，其跨過連接區(qū)106。
與實(shí)施例1中一樣，天線襯底111在對(duì)應(yīng)于IDF芯片的位置設(shè)有天線112。天線的詳細(xì)制造步驟可參照實(shí)施例1。在這個(gè)實(shí)施例中，分離了絕緣襯底100；由此，在天線襯底中可以不形成開口。
在此時(shí)，利用各向異性導(dǎo)體141把IDF芯片104和天線112彼此粘貼在一起。替代使用各向異性導(dǎo)體，可以使用超聲波粘接劑、紫外硬化樹脂、雙面膠帶等粘貼IDF芯片和天線。
在這個(gè)實(shí)施例中，IDF芯片使用各向異性導(dǎo)體以“面向下”方式安裝，其中IDF芯片的連接區(qū)面向天線，如上所述；然而，與實(shí)施例1一樣，IDF芯片可以以“面向下”的方式安裝，其中連接區(qū)面對(duì)天線的相反方向。
其后，如圖13A至13C中所示，通過切片、劃片或激光切割法切割I(lǐng)DF芯片，由此完成在柔性襯底上形成的IDF芯片。圖13A是示出了切割的IDF芯片的狀態(tài)的頂視圖，圖13B是從圖13A的實(shí)線e-f的截面圖，和圖13C是從圖13A的實(shí)線g-h的截面圖，其跨過了連接區(qū)106。
這樣的IDF芯片可以安裝在物品上。熱固性樹脂、紫外硬化樹脂、環(huán)氧樹脂、樹脂粘接劑、雙面膠帶等可以用作用于安裝的粘接劑。
雖然沒有示出，可以利用樹脂和包含氮的絕緣膜覆蓋IDF芯片用于保護(hù)。特別地，IDF芯片的側(cè)面優(yōu)選利用樹脂覆蓋。樹脂或包含氮的絕緣膜可以由與要安裝IDF芯片的物品相同的材料制成。
上文中描述的是薄膜晶體管形成在絕緣襯底上，然后分離絕緣襯底的方式，并且優(yōu)選地，薄膜晶體管可以進(jìn)一步轉(zhuǎn)移到柔性襯底上。然而，分離的時(shí)序或數(shù)量并不局限于這個(gè)實(shí)施例。另外，薄膜晶體管轉(zhuǎn)移到的位置不局限于柔性襯底，它可以是安裝物品。以“面向上”或“面向下”方式的IDF芯片的安裝根據(jù)置換的數(shù)量而確定。
在這個(gè)實(shí)施例中描述了把天線粘貼到IDF芯片的情況；然而，天線可以直接形成在IDF芯片上。例如，天線可以形成在與布線130相同的層中。
在這個(gè)實(shí)施例中描述了非接觸IDF芯片；然而，它可以是接觸IDF芯片或混和IDF芯片。
在這個(gè)實(shí)施例中IDF芯片和天線襯底被描述得較厚，以使得實(shí)施例容易理解。然而，它們實(shí)際上形成得很薄。
實(shí)施例3在這個(gè)實(shí)施例中描述了具有與上述實(shí)施例中不同形狀的薄膜晶體管的情況。
圖25A示出了直到柵電極的形成都如上所述的實(shí)施例。注意到在這個(gè)實(shí)施例中柵電極具有TaN(氮化鉭)126a和W(鎢)126b疊層結(jié)構(gòu)。硅也可以用作另一柵電極。隨后，形成層間絕緣膜127以覆蓋柵電極。在這個(gè)實(shí)施例中，通過等離子體CVD法形成SiO2膜，其具有100nm的厚度。
隨后，利用抗蝕劑44覆蓋整個(gè)表面。通過內(nèi)蝕刻方法蝕刻和去除抗蝕劑44、層間絕緣膜127和柵絕緣層125。因此，如圖25B中所示，可以以自對(duì)準(zhǔn)方式形成側(cè)壁76。CHF3和He的混合氣可以用作蝕刻氣體。
當(dāng)在襯底的背面上形成絕緣膜而同時(shí)形成層間絕緣膜127時(shí)，優(yōu)選使用抗蝕劑44作為掩模蝕刻和去除在背面上的絕緣膜。
注意，用于形成側(cè)壁76的方法不局限于上述。例如，可以使用如圖26A和26B中所示的方法。圖26A示出了其中絕緣膜127具有兩或多層的疊層結(jié)構(gòu)的例子。絕緣膜127具有100nm厚的SiON(氧氮化硅)膜和200nm厚的LTO(低溫氧化物)膜的雙層結(jié)構(gòu)。在這個(gè)實(shí)施例中，通過等離子體CVD法形成SiON膜，作為L(zhǎng)TO膜的SiO2膜通過低壓CVD法形成。其后，通過進(jìn)行使用蝕刻劑44作為掩模的內(nèi)蝕刻，可以形成L-形和弧形側(cè)壁76。
圖26B示出了其中進(jìn)行蝕刻以在內(nèi)蝕刻時(shí)，保留柵絕緣膜125不被去除的例子。在這種情況下的絕緣膜127可以具有單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。
當(dāng)通過摻雜高濃度的n型雜質(zhì)在側(cè)壁76的下部分形成低濃度雜質(zhì)區(qū)或未摻雜偏移(off-set)區(qū)時(shí)，側(cè)壁起到掩模的作用。在上述的形成側(cè)壁的任一方法中，內(nèi)蝕刻條件可以根據(jù)低濃度雜質(zhì)區(qū)或偏移區(qū)的寬度而設(shè)定。
隨后，如圖25C中所示，新形成抗蝕劑77以覆蓋p型TFT區(qū)域，并且利用柵電極126和側(cè)壁76為掩模以高濃度加入提供n型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素78(典型地，P或As)。利用1×1013/cm2至5×1015/cm2的劑量和60keV至100keV的加速電壓進(jìn)行摻雜步驟。根據(jù)該摻雜步驟，穿過柵絕緣膜125進(jìn)行摻雜(所謂的穿過摻雜)，由此形成一對(duì)n型高濃度摻雜區(qū)79。在此時(shí)，在側(cè)壁下形成了偏移區(qū)65。
注意到在通過灰化等去除抗蝕劑77后，雜質(zhì)區(qū)可以被熱激活。例如，可以形成50nm厚的SiON膜，然后在550℃的溫度下在氮?dú)庵袩崽幚?個(gè)小時(shí)。進(jìn)一步，當(dāng)形成100nm厚的包含氫的SiNx膜并在410℃的溫度下在氮?dú)鈿夥罩刑幚硪粋€(gè)小時(shí)的情況下，可以改善結(jié)晶半導(dǎo)體膜的缺陷。這個(gè)步驟稱作氫化步驟，通過該步驟可以消除例如在結(jié)晶半導(dǎo)體中的懸掛鍵。另外，可以形成具有600nm厚度的SiON膜作為用于保護(hù)TFT的蓋層絕緣膜。注意可以在形成SiON膜后，進(jìn)行氫化步驟。在那種情況下，可以依次形成SiNx膜和SiON膜。因此，在TFT上形成了SiON、SiNx和SiON三層絕緣膜；然而，其結(jié)構(gòu)和材料并不局限于此。由于它們具有保護(hù)TFT的功能，優(yōu)選形成這些絕緣膜。然而，沒有必要一定要形成這些膜。
隨后，如圖25D中所示，在TFT上形成層間絕緣膜129。上述實(shí)施例可以被稱為層間絕緣膜的材料或制造方法。
該層疊絕緣膜129可以具有疊層結(jié)構(gòu)。換句話說，絕緣膜54可以層疊在層間絕緣膜上。該絕緣膜54可以由包含碳的膜形成，如DLC(類金剛石碳)或氮化碳(CN)?？蛇x擇地，絕緣膜54可以由氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜等形成。等離子體CVD法、濺射法等可以用作用于制造絕緣膜54的方法。
為了防止TFT層由于應(yīng)力而膜分離或破裂，可以在層間絕緣膜中混入填充物，所述應(yīng)力是由層間絕緣膜和后來要形成的布線的導(dǎo)電材料等之間的熱膨脹系數(shù)差引起的。這是因?yàn)樘畛湮锟梢钥刂茻崤蛎洝?br> 然后，在形成抗蝕劑后，通過蝕刻形成接觸孔。在那之后，形成用于連接TFT的布線130和用于連接TFT到外部天線的連接布線21。雖然使用CHF3和He的混合氣體作為蝕刻氣體以形成接觸孔，但是蝕刻氣體并不局限與此。布線130和連接布線21可以利用相同的材料同時(shí)形成，或者可以分開形成。在這個(gè)實(shí)施例中，連接到TFT的布線130將會(huì)具有五層結(jié)構(gòu)，其中通過濺射方法依次層疊Ti、TiN、Al-Si、Ti和TiN。然后，可以對(duì)其圖形化以成為布線130。
當(dāng)Si混合到Al層中時(shí)，在布線圖形化期間抗蝕劑烘烤時(shí)，可以防止小丘的產(chǎn)生。替代Si，也可以混合約0.5％的Cu。通過在Ti和TiN之間夾入Al-Si層，可以進(jìn)一步消除小丘的產(chǎn)生。注意，理想的是在圖形化中使用由無機(jī)材料(如SiON)形成的掩模。布線的材料和形成方法并不局限于此。在此時(shí)，可以在布線上提供保護(hù)膜80，并且可以在連接區(qū)中形成開口。
通過上述步驟，完成了具有TFT的IDF芯片。在這個(gè)實(shí)施例中描述了頂柵結(jié)構(gòu)；然而，也可以采用底柵(反向交錯(cuò))結(jié)構(gòu)。
如圖25D中所示，理想的是調(diào)節(jié)IDF芯片中的基膜和層間絕緣膜的厚度，以使得從半導(dǎo)體層到基膜底的距離(tunder)可以等于或近似等于從半導(dǎo)體層到層間絕緣膜頂?shù)木嚯x(tover)。通過以這樣的方式把半導(dǎo)體層設(shè)置在IDF芯片的中心，可以緩解在半導(dǎo)體層上的應(yīng)力并防止裂縫的產(chǎn)生。
然后，與上述實(shí)施例中一樣，可以形成溝槽以分離絕緣襯底，以及形成天線。
在這個(gè)實(shí)施例中描述的具有側(cè)壁的薄膜晶體管，可以與上述實(shí)施方式和上述實(shí)施例自由地結(jié)合。
實(shí)施例4在這個(gè)實(shí)施例中描述了用于制造薄膜集成電路的方法，其不同于實(shí)施例1和2中所描述的方式。
如圖14A中所示，根據(jù)實(shí)施方式2或?qū)嵤├?，制備通過連接區(qū)106連接的IDF芯片。IDF芯片設(shè)有與布線130相同的材料形成的凸起201。
另外，制備設(shè)有布線203的第二襯底202。對(duì)于第二襯底，可以使用玻璃襯底，如硼硅酸鋇玻璃襯底或硼硅酸鋁玻璃襯底；石英襯底等。由合成樹脂(如塑料)或丙烯酸樹脂制成的襯底可以用作具有絕緣表面的另一襯底，該塑料以聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚醚砜(PES)為代表。這樣的合成樹脂可以是柔性的。
如圖14B中所示，使用粘接劑204，將連接的IDF芯片粘貼到設(shè)有布線203的第二襯底202。在此時(shí)，IDF芯片粘貼到第二襯底以使得凸起201連接到布線203。各向異性導(dǎo)體可以用作粘接劑204。替代各向異性導(dǎo)體，IDF芯片可以使用超聲波粘接劑、紫外硬化樹脂、雙面膠帶等粘貼。
如圖14C中所示，通過切片、劃片或激光切割法切割I(lǐng)DF芯片。
其后，如圖14D中所示形成天線端子205。天線端子可以通過小滴釋放法、濺射法、CVD法等形成。
然后，如圖14E中所示，將設(shè)有天線112的天線襯底111粘貼到IDF芯片。上述實(shí)施方式和實(shí)施例可以作為天線或天線襯底的材料或制造方法參考。天線襯底可以由要被安裝IDF芯片的物品的材料制成。
如上所述，IDF芯片可以采用多種天線安裝形式。這個(gè)實(shí)施例的IDF芯片在連接狀態(tài)下經(jīng)受制造工藝，并對(duì)天線的安裝形式或安裝方法沒有特別的限制。
在這個(gè)實(shí)施例中描述了非接觸IDF芯片；然而，它也可以是如實(shí)施例1或2所描述的接觸IDF芯片或混和IDF芯片。
在這個(gè)實(shí)施例中IDF芯片和天線襯底被描述得較厚，以使得實(shí)施例容易理解。然而，它們實(shí)際上形成得很薄。
實(shí)施例5在這個(gè)實(shí)施例中描述IDF芯片各種形式。
如圖22A中所示，通過使用具有導(dǎo)體140的各向異性導(dǎo)體141、利用連接端(例如，其間的凸起109)，將IDF芯片104和形成在天線襯底111上的天線112彼此連接。替代各向異性導(dǎo)體，可以超聲波粘接劑、紫外硬化樹脂、雙向帶等。
如圖22B中所示，IDF芯片通過粘接劑151粘貼到柔性襯底150上。熱固性樹脂、紫外硬化樹脂、環(huán)氧樹脂、樹脂添加劑、雙面膠帶等可以用作粘接劑。
可以提供多個(gè)天線襯底。例如，在IDF芯片的兩側(cè)上提供設(shè)有天線112的天線襯底。因此，可以延長(zhǎng)天線的總長(zhǎng)度，這可以增加通訊距離。在此時(shí)，形成導(dǎo)電膜250以把在一側(cè)的天線與在另一側(cè)的天線連接。例如，在天線襯底之間通過小滴釋放方法選擇性地釋放具有導(dǎo)體的小滴以形成導(dǎo)電膜250。之后，優(yōu)選用絕緣膜251覆蓋導(dǎo)電膜250以保護(hù)導(dǎo)電膜250。
另外，用于連接一側(cè)上天線到另一側(cè)上天線的結(jié)構(gòu)不局限于這個(gè)實(shí)施例。例如，在一側(cè)上的天線和在另一側(cè)上的天線每一個(gè)都可以經(jīng)過凸起109連接到IDF芯片。
如上所述，可以完成具有天線的IDF芯片。注意，用于在本發(fā)明的IDF芯片上安裝天線的方法并不局限于這個(gè)實(shí)施例所描述的方式。例如，有在與包括在薄膜晶體管中的導(dǎo)電膜相同的層中形成天線的方式，和在IDF芯片上形成天線而不使用天線襯底的方式。
注意到本發(fā)明的IDF芯片不特別局限于在這個(gè)實(shí)施例中描述的IDF芯片的方式。換句話說，雖然在這個(gè)實(shí)施例中描述了非接觸IDF芯片，但是它也可以是IDF芯片或混和IDF芯片。
實(shí)施例6在這個(gè)實(shí)施例中描述安裝有IDF芯片的物品形式。注意，IDF芯片的安裝位置，要被安裝IDF芯片的物品的形狀和IDF芯片的數(shù)量并不局限于這個(gè)實(shí)施例中的這些。
圖15A和15B示出了把IDF芯片粘貼到食品或飲料的標(biāo)簽和把IDF芯片安裝到食品或飲料的容器上的情況，例如，啤酒瓶181。
如圖15A中所示，具有天線112的IDF芯片104通過雙面膠帶等粘貼到標(biāo)簽180上。當(dāng)標(biāo)簽本身具有粘性時(shí)，IDF芯片可以直接粘貼到粘性標(biāo)簽上。
如圖15B中所示，這樣的商品在傳送帶183等上通過讀/寫器182時(shí)；相應(yīng)地，信息被輸入或讀取?，F(xiàn)有信息可以被重寫，這取決于IDF芯片中的存儲(chǔ)器類型。
由于可以在非接觸的條件下從設(shè)有天線的IDF芯片輸入或讀出信息，可以在商品封裝在紙盒等的條件下，通過讀取/寫入器管理信息。
這樣的安裝有IDF芯片的商品可以大幅度地減小在銷售中的人力成本。并且，可以減小人為誤差。
如上所述安裝在商品上的IDF芯片中的信息范圍從涉及到產(chǎn)品或制造(如產(chǎn)地、加工者/制造者、日期等)的基本信息，到過敏信息、主要成分、廣告等。另外，信息存儲(chǔ)裝置，如條形碼或磁帶，可以用作增加信息量或改善安全性。在結(jié)合例如條形碼使用IDF芯片的情況下，它們可以根據(jù)目的優(yōu)選地使用。例如，不需要重寫的信息，如基本信息，可以輸入到條形碼中，而需要重寫的信息可以寫入IDF芯片中。
當(dāng)在包括在ID芯片中的存儲(chǔ)器中形成數(shù)據(jù)不能重寫的ROM等時(shí)，可能防止有價(jià)證券(如鈔票和支票)，和證書(如戶口、居住證、名字卡、旅行支票和護(hù)照的偽造品。
作為防盜措施的例子，描述了在包601上安裝IDF芯片602的情況。例如，如圖27中所示，IDF芯片可以安裝在包的底部或側(cè)面。由于IDF芯片極薄且小，它可以安裝而保持包有吸引力的設(shè)計(jì)。另外，IDF芯片透光；由此，它不容易被賊識(shí)別。因此，不必?fù)?dān)心IDF芯片會(huì)被賊去除。
在安裝有IDF芯片的包被偷的情況下，可以通過使用例如GPS(全球定位系統(tǒng))發(fā)現(xiàn)包的實(shí)際位置。注意到GPS系統(tǒng)是基于通過接收從GPS衛(wèi)星發(fā)送的信號(hào)發(fā)現(xiàn)的時(shí)間差確定位置的系統(tǒng)。
除了被偷竊物品，通過使用GPS，可以得到丟失財(cái)產(chǎn)或落下物品的實(shí)際位置的信息。
另外，IDF芯片可以安裝在如汽車或自行車的交通工具、表、附屬品和包等上。
圖16A示出了安裝有IDF芯片的鈔票301。在圖16A中，IDF芯片302固定在鈔票內(nèi)部，但它可以形成在表面上。這是因?yàn)镮DF芯片透光，且即使當(dāng)形成在表面上時(shí)也不妨礙印刷等。
另外，除了鈔票，IDF芯片可以安裝在有價(jià)證券上。例如，它可以安裝在硬幣上。在鈔票或硬幣上安裝IDF芯片對(duì)于防止在自動(dòng)售貨機(jī)中鈔票和硬幣的偽造以及改善識(shí)別精確度是有幫助的。
圖16B示出了安裝有IDF芯片的支票311。在圖16B中，IDF芯片312提供在支票的表面上。由于IDF芯片透光，它可以提供在支票表面上。自然地，IDF芯片也可以安裝在支票內(nèi)部。
圖16C示出了安裝有IDF芯片的股票321。雖然在圖16C中，IDF芯片322固定在股票內(nèi)部，它也可以提供在其表面上。IDF芯片的尺寸、形狀和安裝位置并沒有絕對(duì)限定。然而，在包括大量信息的情況下，IDF芯片可以制造得更大。即使在這樣的情況下，IDF芯片透光；由此，無論它安裝在哪兒，它不會(huì)妨礙印刷。
可以使用包括IDF芯片的墨水印刷鈔票、支票、股票等。進(jìn)一步，當(dāng)將鈔票、支票、股票等與化學(xué)物質(zhì)混和以形成安裝有多個(gè)IDF芯片的鈔票、支票、股票等時(shí)，可以分散多個(gè)IDF芯片。由于IDF芯片可以以低成本制造，可以在鈔票、支票、股票等上安裝多個(gè)IDF芯片，而不對(duì)其制造成本產(chǎn)生負(fù)面影響。
如上所述，IDF芯片由厚度顯著減小的薄膜集成電路形成；由此，IDF芯片可以安裝在非常薄的紙狀物品上。由此，可以維持物品有吸引力的設(shè)計(jì)。另外，由于IDF芯片透光，它可以安裝在物品的表面上。
圖17A示出了安裝有IDF芯片的書331。可以在書的封面內(nèi)或表面上提供IDF芯片332?？蛇x擇地，IDF芯片可以安裝在書的任何一頁(yè)上。
圖17B示出了安裝有IDF芯片的DVD 341。IDF芯片342可以提供在DVD的包裝的內(nèi)部或表面上。自然地，IDF芯片可以安裝在產(chǎn)品，如C D或錄像帶以及DVD上。
當(dāng)IDF芯片安裝在這樣的不斷地進(jìn)行租借服務(wù)的物品上時(shí)，能在更短的時(shí)間內(nèi)更簡(jiǎn)單地進(jìn)行租借和歸還。另外，產(chǎn)品信息，如內(nèi)容、廣告、演員表等可以作為數(shù)據(jù)寫在IDF芯片中。
根據(jù)IDF芯片所粘貼物品的形狀，IDF芯片可以改變形狀到一定程度。因此，IDF芯片的應(yīng)用不局限于在這個(gè)實(shí)施例中的描述，其它多種應(yīng)用是可能的。
通過在個(gè)人所有物上安裝IDF芯片，即使當(dāng)它丟失或被偷竊，也能查找所有物的位置。
IDF芯片可以固定到用于包裝所有物的包裝紙上。進(jìn)一步，作為音頻數(shù)據(jù)的信息可以寫入IDF芯片中。在那種情況下，通過讀取器可以讀取信息，通過再現(xiàn)裝置可以聽到消息。另外，通過利用讀取器讀取數(shù)據(jù)，可以通過網(wǎng)絡(luò)提供不同的信息。
描述在商品上安裝IDF芯片用于安全管理的情況。
圖28示出了粘貼有安裝有IDF芯片612的標(biāo)簽613的肉的包裝611。IDF芯片可以安裝在標(biāo)簽的表面或內(nèi)部。在新鮮食品(如蔬菜)的情況下，IDF芯片也可以安裝在用于覆蓋新鮮食品的玻璃紙上。
IDF芯片可以存儲(chǔ)涉及產(chǎn)品的基本信息，如制造地、生產(chǎn)者、加工日期和有效期。進(jìn)一步，也可以存儲(chǔ)如關(guān)于產(chǎn)品的服務(wù)建議的應(yīng)用。由于這樣的基本信息不需要被重寫，它可以存儲(chǔ)在不能重寫的存儲(chǔ)器，如MROM中。這樣的應(yīng)用可以存儲(chǔ)在可重寫和可擦除的存儲(chǔ)器，如EEROM中。
另外，在加工前為了控制食品安全，能夠知道動(dòng)物和植物的情況是很重要的。由此，可以在動(dòng)物和植物中植入IDF芯片，在IDF芯片中的關(guān)于動(dòng)物和植物的信息可以通過讀取器得到。動(dòng)物和植物的信息可以包括繁殖地、飼養(yǎng)、飼養(yǎng)者和傳染病的感染記錄。
當(dāng)在IDF芯片中存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格時(shí)，與使用傳統(tǒng)條形碼的情況相比，產(chǎn)品能在更短的時(shí)間內(nèi)更簡(jiǎn)單地被支付。換句話說，安裝有多個(gè)IDF芯片的產(chǎn)品可以同時(shí)被支付。然而，讀取器需要具有防沖突功能以控制同時(shí)讀取多個(gè)IDF芯片的情況。
進(jìn)一步，即使當(dāng)產(chǎn)品和收銀機(jī)之間存在距離時(shí)，產(chǎn)品也可以在收銀機(jī)被支付，這取決于IDF芯片的通訊距離。另外，IDF芯片在防止入店行竊等方面是有幫助的。
此外，IDF芯片可以結(jié)合其它信息媒介(如條形碼和磁帶)使用。例如，沒有必要重寫的基本信息可以存儲(chǔ)在IDF芯片中，需要更新的信息，例如折扣或特價(jià)信息可以存儲(chǔ)在條形碼中。這是因?yàn)闂l形碼中的信息可以很容易地改變，而不像IDF芯片。
以這種方式安裝IDF芯片可以增加提供給消費(fèi)者的信息量；由此，消費(fèi)者可以很容易地購(gòu)買產(chǎn)品。
接著描述的是安裝有IDF芯片的產(chǎn)品，和為了進(jìn)行制造控制，基于IDF芯片中信息控制的制造裝置(制造機(jī)器人)。
目前，經(jīng)常制造定制的產(chǎn)品，它們是基于要被制造產(chǎn)品的定制信息在生產(chǎn)線上制造的。例如，在提供門的自由顏色選擇的汽車生產(chǎn)線上，IDF芯片安裝在每輛汽車的一部分上，根據(jù)IDF芯片中信息控制噴涂裝置。這樣，能制造定制汽車。當(dāng)安裝IDF芯片時(shí)，沒有必要預(yù)先調(diào)整要被投放生產(chǎn)線和要被噴涂成同樣顏色的汽車順序和數(shù)量。此外，沒有必要根據(jù)汽車的順序和數(shù)量設(shè)定用于控制噴涂裝置的程序。換句話說，制造裝置可以根據(jù)安裝在每輛車上的IDF芯片中的信息獨(dú)立地工作。
如上所述，IDF芯片可以應(yīng)用到很多領(lǐng)域。根據(jù)存儲(chǔ)在IDF芯片中的信息，可以得到用于制造的具體信息并在這些信息的基礎(chǔ)上控制制造裝置。
在下文中描述了使用安裝有IDF芯片622的卡621作為電子貨幣的方式。圖29示出了用卡621支付的情況。圖29也示出了收銀機(jī)623和讀取器/寫入器624。IDF芯片622存儲(chǔ)存進(jìn)卡621中的金額信息。金額信息可以通過讀取/寫入器624不接觸地讀取，并傳送到收銀機(jī)623。收銀機(jī)623驗(yàn)證存儲(chǔ)到卡621的金額大于要被支付的金額，由此進(jìn)行支付。然后，在支付后剩余錢的金額的信息被傳送到讀取/寫入器624并通過讀取/寫入器624寫入到卡621的IDF芯片622中。
注意，讀取/寫入器624可以裝配有用于輸入個(gè)人識(shí)別碼等的鍵盤625，由此可以防止卡621在沒有發(fā)現(xiàn)的情況下被第三方使用以進(jìn)行支付。
IDF芯片優(yōu)選設(shè)置在要被安裝物品(安裝物品)的中心，且優(yōu)選利用物品的材料覆蓋。因此，可以改善IDF芯片的機(jī)械強(qiáng)度。特別地，當(dāng)用D表示安裝物品的厚度時(shí)，可以設(shè)置IDF芯片的插入位置(IDF芯片的中心)X使其滿足(1/2)·D-30μm＜X＜(1/2)·D+30μm。換句話說，安裝物品的厚度是D＞60μm。
即使當(dāng)天線單獨(dú)形成時(shí)，IDF芯片優(yōu)選設(shè)置在上述位置。
如上所述，理想的是調(diào)節(jié)IDF芯片中的基膜和層間絕緣膜的厚度，以使得從半導(dǎo)體層到基膜底部的距離(tunder)等于或大約等于從半導(dǎo)體層到層間絕緣膜頂部的距離(tover)。由此，當(dāng)IDF芯片設(shè)置在物品的中心且半導(dǎo)體層設(shè)置在IDF芯片的中心時(shí)，可以減少半導(dǎo)體層上的應(yīng)力且可以防止裂縫的產(chǎn)生。
另外，IDF芯片和天線可以分開地安裝在物品上。對(duì)于安裝區(qū)域沒有限制，且當(dāng)IDF芯片和天線安裝在不同面時(shí)，增加了設(shè)計(jì)的自由度。在這種情況下天線可以直接安裝物品上。其后，天線的連接端連接到IDF芯片的連接端。在此時(shí)，它們可以利用各向異性導(dǎo)體彼此連接。
實(shí)施例7假定IDF芯片在某些情況下具有面積度量，與形成有硅晶片的芯片相比是高度柔性的；由此，需要考慮在彎曲狀態(tài)下的損壞。因此，在這個(gè)實(shí)施例中，描述了安裝有IDF芯片的鈔票的狀態(tài)。
圖19A示出了是IDF芯片安裝物品的鈔票301并且在箭頭方向280彎曲。通常地，薄膜材料易于彎曲或可以容易地在縱向方向彎曲；由此，在這個(gè)實(shí)施例中描述了在縱向方向上彎曲的情況。
在圖19B中示出了在這種狀態(tài)的IDF芯片104。IDF芯片具有多個(gè)薄膜晶體管230，并且設(shè)置薄膜晶體管以使得載流子流動(dòng)方向281與箭頭方向(彎曲方向)280垂直。換句話說，設(shè)置每個(gè)薄膜晶體管的源區(qū)230(s)、溝道形成區(qū)230(c)和漏區(qū)230(d)垂直于彎曲方向280。結(jié)果，可以防止由于彎曲應(yīng)力導(dǎo)致的薄膜晶體管的損壞和分離。
在使用利用激光輻照的結(jié)晶半導(dǎo)體膜作為半導(dǎo)體膜的情況下，也設(shè)置激光掃描方向283垂直于彎曲方向280。例如，如圖23B中所示，在以Z字形移動(dòng)激光輻照區(qū)(斑)282以結(jié)晶化整個(gè)表面的情況下，設(shè)置激光掃描方向283(主軸側(cè))平行于彎曲方向280。
通過在這樣的方向上彎曲IDF芯片，特別地，不會(huì)破壞薄膜晶體管。進(jìn)一步，在載流子方向上的晶界可以減小到最小。由此，薄膜晶體管的電學(xué)特性，特別地，遷移率可以提高。
進(jìn)一步，通過使得圖形化的半導(dǎo)體膜的面積比例為1％至30％，可以防止由于彎曲應(yīng)力導(dǎo)致的薄膜晶體管的損壞和分離。
這個(gè)實(shí)施例可以應(yīng)用到包括在非接觸IDF芯片、接觸IDF芯片和混和IDF芯片中的任何一個(gè)中的半導(dǎo)體膜。
實(shí)施例8

在這個(gè)實(shí)施例中描述使用裝配有薄膜集成電路的物品的應(yīng)用方式。
圖18A示出了信息流經(jīng)裝配有粘貼到標(biāo)簽403的IDF芯片402的藥瓶401、讀取/寫入器410、具有顯示部分421的個(gè)人計(jì)算機(jī)420等。在IDF芯片中的信息，例如，劑量、效果、副作用、過敏信息等通過讀取/寫入器輸入到個(gè)人計(jì)算機(jī)中，且該信息可以在顯示部分421中確認(rèn)。
該IDF芯片可以包括諸如商業(yè)廣告的信息，例如，主頁(yè)地址。在那種情況下，激活I(lǐng)nternet瀏覽器，并通過讀取/寫入器輸入地址；然后，可以看到主頁(yè)。通過讀取在IDF芯片中記錄的信息，與手動(dòng)輸入信息的情況相比可以避免輸入錯(cuò)誤。
借助于具有讀取器/寫入器功能的便攜電子裝置(以手機(jī)或PDA為代表)可以讀取在藥物上的信息。例如，用作蜂窩式電話430的天線431的線圈被設(shè)計(jì)成也用作讀取器/寫入器的天線。可以在手機(jī)的顯示部分432上確認(rèn)記錄在IDF芯片中的信息。
圖18B示出了IDF芯片和讀取器/寫入器的電路結(jié)構(gòu)。
首先，IDF芯片104包括天線線圈501、電容器元件502、解調(diào)電路503、調(diào)制電路504、整流電路505、微處理器506、存儲(chǔ)器507和用于對(duì)天線線圈501施加負(fù)載的開關(guān)508。這些電路和微處理器可以利用薄膜集成電路形成。存儲(chǔ)器507的數(shù)量不局限于一個(gè)，而且可以使用多個(gè)存儲(chǔ)器。
讀取器/寫入器410包括天線線圈511、調(diào)制電路512和振蕩裝置513，其有助于發(fā)送信號(hào)的產(chǎn)生。讀取器/寫入器410進(jìn)一步包括檢波、放大和調(diào)制接收信號(hào)的檢波解調(diào)電路514。由于從IDF芯片接收的信號(hào)極其弱，接收信號(hào)優(yōu)選通過濾波器等分離和放大。隨后，接收的信號(hào)傳送到門ASIC(特定用途集成電路)515。
輸入到門ASIC的數(shù)據(jù)傳送到微處理器516并被處理。如果需要，在微處理器516和存儲(chǔ)器517之間進(jìn)行信號(hào)的相互發(fā)送，由此實(shí)現(xiàn)預(yù)定的處理。在微處理器516中使用的程序、數(shù)據(jù)等存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器517中。并且，該存儲(chǔ)器可以用作處理中的操作區(qū)域。其后，可以進(jìn)行在微處理器和信號(hào)接口519之間的信號(hào)發(fā)遞。進(jìn)一步，提供用于相互信號(hào)交換的電源518。
可以在個(gè)人計(jì)算機(jī)或電話自身中提供微處理器516、存儲(chǔ)器517和信號(hào)接口519。
讀取器/寫入器可以具有防沖突功能。
進(jìn)一步，諸如手機(jī)的也可以用作讀取/寫入器的電致裝置可以包括天線線圈511、調(diào)制電路512、振蕩裝置513、檢波解調(diào)電路514、門ASIC515，、微處理器516、存儲(chǔ)器517、電源518和信號(hào)接口519。
自然地，可以在個(gè)人計(jì)算機(jī)中形成上述電路等以提供讀取/寫入器功能。
作為電子波的從門ASIC 515發(fā)送并且經(jīng)過調(diào)制電路512的信號(hào)通過在天線線圈501中的電磁感應(yīng)被轉(zhuǎn)換成AC電信號(hào)。AC電信號(hào)在解調(diào)電路503中被解調(diào)并被傳送到微處理器506。進(jìn)一步，利用在整流電路505中的AC電信號(hào)產(chǎn)生電源電壓，并供應(yīng)到微處理器506。
在微處理器506中，根據(jù)輸入的信號(hào)進(jìn)行各種處理。存儲(chǔ)器507不僅用于存儲(chǔ)在微處理器506中使用的程序、數(shù)據(jù)等，而且也作為處理的中操作區(qū)域。從微處理器506傳送到調(diào)制電路504的信號(hào)被調(diào)制成AC電信號(hào)。根據(jù)調(diào)制電路504中的AC電信號(hào)，開關(guān)508可以施加負(fù)載到天線線圈501。讀取/寫入器接收通過電子波施加到天線線圈501上的負(fù)載，由此隨后從微處理器506讀取信號(hào)。
在圖18B中示出的IDF芯片和讀取/寫入器的電路結(jié)構(gòu)僅僅是一個(gè)例子，本發(fā)明并不局限與此。用于傳送信號(hào)的方法并不局限于在這個(gè)實(shí)施例中描述的電磁感應(yīng)方法。也可以采用電磁耦合方法、微波方法或其它傳送方法。進(jìn)一步，本發(fā)明的IDF芯片可以具有諸如GPS的功能。
實(shí)施例9實(shí)驗(yàn)比較了利用ClF3蝕刻鎢和氧化鎢的蝕刻速率。圖30示出了在25℃、50℃、100℃和150℃的溫度下用ClF3蝕刻鎢和氧化鎢的蝕刻速率(μm/h)。
如圖30所示，氧化鎢的蝕刻速率高于鎢的蝕刻速率。換句話說，由于其高蝕刻速率，可以在短時(shí)間內(nèi)制造IDF芯片，所以優(yōu)選使用氧化鎢作為本發(fā)明的分離層。
本發(fā)明以2004年6月29日在日本專利局申請(qǐng)的日本優(yōu)先權(quán)申請(qǐng)No.2004-192250為基礎(chǔ)，這里引入其全部?jī)?nèi)容作為參考。
權(quán)利要求
1.一種用于制造薄膜集成電路的方法，包括以下步驟在絕緣襯底上形成包括金屬的金屬膜；形成包括金屬的化合物的金屬化合物層，所述化合物選自包括氧化物、氮化物和氮氧化物的組；在所述金屬化合物層上形成多個(gè)薄膜集成電路；在多個(gè)薄膜集成電路之間形成溝槽以暴露所述金屬化合物層的一部分；把具有至少一個(gè)開口的襯底粘貼到該多個(gè)薄膜集成電路上；和通過把包括氟化鹵的蝕刻材料引入到所述開口中，去除所述金屬膜和所述金屬化合物層，從而分離絕緣襯底，同時(shí)該多個(gè)薄膜集成電路通過該襯底彼此固定。
2.一種用于制造薄膜集成電路的方法，包括以下步驟在絕緣襯底上形成包括金屬的金屬膜；形成包括金屬的化合物的金屬化合物層，所述化合物選自包括氧化物、氮化物和氮氧化物的組；在所述金屬化合物層上形成多個(gè)薄膜集成電路；在多個(gè)薄膜集成電路之間形成溝槽以暴露所述金屬化合物層的一部分；把具有至少一個(gè)開口的襯底粘貼到該多個(gè)薄膜集成電路上；通過把包括氟化鹵的蝕刻材料引入到所述開口中，去除所述金屬膜和所述金屬化合物層，從而分離絕緣襯底，同時(shí)該多個(gè)薄膜集成電路通過該襯底彼此固定；和粘貼連接到柔性襯底的該多個(gè)薄膜集成電路。
3.一種用于制造薄膜集成電路的方法，包括以下步驟在絕緣襯底上形成包括金屬的金屬膜；形成包括金屬的化合物的金屬化合物層，所述化合物選自包括氧化物、氮化物和氮氧化物的組；在所述金屬化合物層上形成多個(gè)薄膜集成電路；在該多個(gè)薄膜集成電路之間選擇性地形成溝槽以暴露所述金屬化合物層的一部分，并且形成連接區(qū)，該連接區(qū)是該多個(gè)薄膜集成電路的一部分；和通過把包括氟化鹵的蝕刻材料引入到所述溝槽中，去除所述金屬膜和所述金屬化合物層，從而分離絕緣襯底，同時(shí)該多個(gè)薄膜集成電路通過連接區(qū)域彼此固定。
4.一種用于制造薄膜集成電路的方法，包括以下步驟在絕緣襯底上形成包括金屬的金屬膜；形成包括金屬的化合物的金屬化合物層，所述化合物選自包括氧化物、氮化物和氮氧化物的組；在所述金屬化合物層上形成多個(gè)薄膜集成電路；在該多個(gè)薄膜集成電路之間選擇性地形成溝槽以暴露所述金屬化合物層的一部分，并且形成連接區(qū)，該連接區(qū)是該多個(gè)薄膜集成電路的一部分；通過把包括氟化鹵的蝕刻材料引入到所述溝槽中，去除所述金屬膜和所述金屬化合物層，從而分離絕緣襯底，同時(shí)該多個(gè)薄膜集成電路通過連接區(qū)域彼此固定；和粘貼天線到所述多個(gè)連接的薄膜集成電路。
5.一種用于制造薄膜集成電路的方法，包括以下步驟在絕緣襯底上形成包括金屬的金屬膜；形成包括金屬的化合物的金屬化合物層，所述化合物選自包括氧化物、氮化物和氮氧化物的組；在所述金屬化合物層上形成多個(gè)薄膜集成電路；在該多個(gè)薄膜集成電路之間選擇性地形成溝槽以暴露所述金屬化合物層的一部分，并且形成連接區(qū)，該連接區(qū)是該多個(gè)薄膜集成電路的一部分；通過把包括氟化鹵的蝕刻材料引入到所述溝槽中，去除所述金屬膜和所述金屬化合物層，從而分離絕緣襯底，同時(shí)該多個(gè)薄膜集成電路通過連接區(qū)域彼此固定；粘貼連接到柔性襯底的該多個(gè)薄膜集成電路；和粘貼天線到該多個(gè)連接的薄膜集成電路。
6.一種用于制造薄膜集成電路的方法，包括以下步驟在絕緣襯底上形成包括金屬的金屬膜；形成包括金屬的化合物的金屬化合物層，所述化合物選自包括氧化物、氮化物和氮氧化物的組；在所述金屬化合物層上形成多個(gè)薄膜集成電路；在該多個(gè)薄膜集成電路之間選擇性地形成溝槽以暴露所述金屬化合物層的一部分，并形成連接區(qū)，該連接區(qū)是該多個(gè)薄膜集成電路的一部分；把具有至少一個(gè)開口的襯底粘貼到該多個(gè)薄膜集成電路上；和通過把包括氟化鹵的蝕刻材料引入到所述溝槽和所述開口中，去除所述金屬膜和所述金屬化合物層，從而分離絕緣襯底，同時(shí)該多個(gè)薄膜集成電路通過該襯底彼此固定。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路包括薄膜晶體管和在薄膜晶體管的上面和下面提供的含氮絕緣膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求2的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路包括薄膜晶體管和在薄膜晶體管的上面和下面提供的含氮絕緣膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求3的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路包括薄膜晶體管和在薄膜晶體管的上面和下面提供的含氮絕緣膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求4的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路包括薄膜晶體管和在薄膜晶體管的上面和下面提供的含氮絕緣膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求5的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路包括薄膜晶體管和在薄膜晶體管的上面和下面提供的含氮絕緣膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求6的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路包括薄膜晶體管和在薄膜晶體管的上面和下面提供的含氮絕緣膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造薄膜集成電路的方法，其中ClF3用作氟化鹵。
14.根據(jù)權(quán)利要求2的用于制造薄膜集成電路的方法，其中ClF3用作氟化鹵。
15.根據(jù)權(quán)利要求3的用于制造薄膜集成電路的方法，其中ClF3用作氟化鹵。
16.根據(jù)權(quán)利要求4的用于制造薄膜集成電路的方法，其中ClF3用作氟化鹵。
17.根據(jù)權(quán)利要求5的用于制造薄膜集成電路的方法，其中ClF3用作氟化鹵。
18.根據(jù)權(quán)利要求6的用于制造薄膜集成電路的方法，其中ClF3用作氟化鹵。
19.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造薄膜集成電路的方法，其中絕緣底是從包括玻璃襯底、石英襯底、由諸如塑料的合成樹脂或丙烯酸樹脂制成的襯底的組中選擇的任意一種。
20.根據(jù)權(quán)利要求2的用于制造薄膜集成電路的方法，其中絕緣襯底是從包括玻璃襯底、石英襯底、由諸如塑料的合成樹脂或丙烯酸樹脂制成的襯底的組中選擇的任意一種。
21.根據(jù)權(quán)利要求3的用于制造薄膜集成電路的方法，其中絕緣襯底是從包括玻璃襯底、石英襯底、由諸如塑料的合成樹脂或丙烯酸樹脂制成的襯底的組中選擇的任意一種。
22.根據(jù)權(quán)利要求4的用于制造薄膜集成電路的方法，其中絕緣襯底是從包括玻璃襯底、石英襯底、由諸如塑料的合成樹脂或丙烯酸樹脂制成的襯底的組中選擇的任意一種。
23.根據(jù)權(quán)利要求5的用于制造薄膜集成電路的方法，其中絕緣襯底是從包括玻璃襯底、石英襯底、由諸如塑料的合成樹脂或丙烯酸樹脂制成的襯底的組中選擇的任意一種。
24.根據(jù)權(quán)利要求6的用于制造薄膜集成電路的方法，其中絕緣襯底是從包括玻璃襯底、石英襯底、由諸如塑料的合成樹脂或丙烯酸樹脂制成的襯底的組中選擇的任意一種。
25.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造薄膜集成電路的方法，其中當(dāng)安裝物品的厚度用D表示時(shí)，薄膜集成電路的安裝位置X滿足(1/2)·D-30μm＜X＜(1/2)·D+30μm。
26.根據(jù)權(quán)利要求2的用于制造薄膜集成電路的方法，其中當(dāng)安裝物品的厚度用D表示時(shí)，薄膜集成電路的安裝位置X滿足(1/2)·D-30μm＜X＜(1/2)·D+30μm。
27.根據(jù)權(quán)利要求3的用于制造薄膜集成電路的方法，其中當(dāng)安裝物品的厚度用D表示時(shí)，薄膜集成電路的安裝位置X滿足(1/2)·D-30μm＜X＜(1/2)·D+30μm。
28.根據(jù)權(quán)利要求4的用于制造薄膜集成電路的方法，其中當(dāng)安裝物品的厚度用D表示時(shí)，薄膜集成電路的安裝位置X滿足(1/2)·D-30μm＜X＜(1/2)·D+30μm。
29.根據(jù)權(quán)利要求5的用于制造薄膜集成電路的方法，其中當(dāng)安裝物品的厚度用D表示時(shí)，薄膜集成電路的安裝位置X滿足(1/2)·D-30μm＜X＜(1/2)·D+30μm。
30.根據(jù)權(quán)利要求6的用于制造薄膜集成電路的方法，其中當(dāng)安裝物品的厚度用D表示時(shí)，薄膜集成電路的安裝位置X滿足(1/2)·D-30μm＜X＜(1/2)·D+30μm。
31.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造薄膜集成電路的方法，其中襯底具有天線。
32.根據(jù)權(quán)利要求2的用于制造薄膜集成電路的方法，其中襯底具有天線。
33.根據(jù)權(quán)利要求6的用于制造薄膜集成電路的方法，其中襯底具有天線。
34.根據(jù)權(quán)利要求4的用于制造薄膜集成電路的方法，其中天線借助于從包括各向異性導(dǎo)體、超聲粘結(jié)劑和紫外硬化樹脂的組中選出的任意一種粘貼到該薄膜集成電路。
35.根據(jù)權(quán)利要求5的用于制造薄膜集成電路的方法，其中天線借助于從包括各向異性導(dǎo)體、超聲粘結(jié)劑和紫外硬化樹脂的組中選出的任意一種粘貼到該薄膜集成電路。
36.根據(jù)權(quán)利要求31的用于制造薄膜集成電路的方法，其中天線借助于從包括各向異性導(dǎo)體、超聲粘結(jié)劑和紫外硬化樹脂的組中選出的任意一種粘貼到該薄膜集成電路。
37.根據(jù)權(quán)利要求32的用于制造薄膜集成電路的方法，其中天線借助于從包括各向異性導(dǎo)體、超聲粘結(jié)劑和紫外硬化樹脂的組中選出的任意一種粘貼到該薄膜集成電路。
38.根據(jù)權(quán)利要求33的用于制造薄膜集成電路的方法，其中天線借助于從包括各向異性導(dǎo)體、超聲粘結(jié)劑和紫外硬化樹脂的組中選出的任意一種粘貼到該薄膜集成電路。
39.根據(jù)權(quán)利要求4的用于制造薄膜集成電路的方法，其中天線通過從包括小滴釋放法、濺射法、印刷法、電鍍法、光刻法、使用金屬掩膜的蒸發(fā)法及其組合的組中選出的任何方法形成。
40.根據(jù)權(quán)利要求5的用于制造薄膜集成電路的方法，其中天線通過從包括小滴釋放法、濺射法、印刷法、電鍍法、光刻法、使用金屬掩膜的蒸發(fā)法及其組合的組中選出的任何方法形成。
41.根據(jù)權(quán)利要求31的用于制造薄膜集成電路的方法，其中天線通過從包括小滴釋放法、濺射法、印刷法、電鍍法、光刻法、使用金屬掩膜的蒸發(fā)法及其組合的組中選出的任何方法形成。
42.根據(jù)權(quán)利要求32的用于制造薄膜集成電路的方法，其中天線通過從包括小滴釋放法、濺射法、印刷法、電鍍法、光刻法、使用金屬掩膜的蒸發(fā)法及其組合的組中選出的任何方法形成。
43.根據(jù)權(quán)利要求33的用于制造薄膜集成電路的方法，其中天線通過從包括小滴釋放法、濺射法、印刷法、電鍍法、光刻法、使用金屬掩膜的蒸發(fā)法及其組合的組中選出的任何方法形成。
44.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路具有0.3μm至3μm的厚度。
45.根據(jù)權(quán)利要求2的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路具有0.3μm至3μm的厚度。
46.根據(jù)權(quán)利要求3的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路具有0.3μm至3μm的厚度。
47.根據(jù)權(quán)利要求4的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路具有0.3μm至3μm的厚度。
48.根據(jù)權(quán)利要求5的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路具有0.3μm至3μm的厚度。
49.根據(jù)權(quán)利要求6的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路具有0.3μm至3μm的厚度。
50.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路具有25mm2或更小的面積。
51.根據(jù)權(quán)利要求2的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路具有25mm2或更小的面積。
52.根據(jù)權(quán)利要求3的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路具有25mm2或更小的面積。
53.根據(jù)權(quán)利要求4的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路具有25mm2或更小的面積。
54.根據(jù)權(quán)利要求5的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路具有25mm2或更小的面積。
55.根據(jù)權(quán)利要求6的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路具有25mm2或更小的面積。
56.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路包括具有1×1019/cm3至5×1020/cm3的氫濃度的半導(dǎo)體膜。
57.根據(jù)權(quán)利要求2的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路包括具有1×1019/cm3至5×1020/cm3的氫濃度的半導(dǎo)體膜。
58.根據(jù)權(quán)利要求3的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路包括具有1×1019/cm3至5×1020/cm3的氫濃度的半導(dǎo)體膜。
59.根據(jù)權(quán)利要求4的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路包括具有1×1019/cm3至5×1020/cm3的氫濃度的半導(dǎo)體膜。
60.根據(jù)權(quán)利要求5的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路包括具有1×1019/cm3至5×1020/cm3的氫濃度的半導(dǎo)體膜。
61.根據(jù)權(quán)利要求6的用于制造薄膜集成電路的方法，其中薄膜集成電路包括具有1×1019/cm3至5×1020/cm3的氫濃度的半導(dǎo)體膜。
62.根據(jù)權(quán)利要求56的用于制造薄膜集成電路的方法，其中半導(dǎo)體膜具有0.2μm或更小的厚度。
63.根據(jù)權(quán)利要求57的用于制造薄膜集成電路的方法，其中半導(dǎo)體膜具有0.2μm或更小的厚度。
64.根據(jù)權(quán)利要求58的用于制造薄膜集成電路的方法，其中半導(dǎo)體膜具有0.2μm或更小的厚度。
65.根據(jù)權(quán)利要求59的用于制造薄膜集成電路的方法，其中半導(dǎo)體膜具有0.2μm或更小的厚度。
66.根據(jù)權(quán)利要求60的用于制造薄膜集成電路的方法，其中半導(dǎo)體膜具有0.2μm或更小的厚度。
67.根據(jù)權(quán)利要求61的用于制造薄膜集成電路的方法，其中半導(dǎo)體膜具有0.2μm或更小的厚度。
68.根據(jù)權(quán)利要求56的用于制造薄膜集成電路的方法，其中半導(dǎo)體膜包括源、漏和溝道形成區(qū)，并且垂直于安裝物品的彎曲方向形成源、漏和溝道形成區(qū)。
69.根據(jù)權(quán)利要求57的用于制造薄膜集成電路的方法，其中半導(dǎo)體膜包括源、漏和溝道形成區(qū)，并且垂直于安裝物品的彎曲方向形成源、漏和溝道形成區(qū)。
70.根據(jù)權(quán)利要求58的用于制造薄膜集成電路的方法，其中半導(dǎo)體膜包括源、漏和溝道形成區(qū)，并且垂直于安裝物品的彎曲方向形成源、漏和溝道形成區(qū)。
71.根據(jù)權(quán)利要求59的用于制造薄膜集成電路的方法，其中半導(dǎo)體膜包括源、漏和溝道形成區(qū)，并且垂直于安裝物品的彎曲方向形成源、漏和溝道形成區(qū)。
72.根據(jù)權(quán)利要求60的用于制造薄膜集成電路的方法，其中半導(dǎo)體膜包括源、漏和溝道形成區(qū)，并且垂直于安裝物品的彎曲方向形成源、漏和溝道形成區(qū)。
73.根據(jù)權(quán)利要求61的用于制造薄膜集成電路的方法，其中半導(dǎo)體膜包括源、漏和溝道形成區(qū)，并且垂直于安裝物品的彎曲方向形成源、漏和溝道形成區(qū)。
74.根據(jù)權(quán)利要求62的用于制造薄膜集成電路的方法，其中半導(dǎo)體膜包括源、漏和溝道形成區(qū)，并且垂直于安裝物品的彎曲方向形成源、漏和溝道形成區(qū)。
75.根據(jù)權(quán)利要求63的用于制造薄膜集成電路的方法，其中半導(dǎo)體膜包括源、漏和溝道形成區(qū)，并且垂直于安裝物品的彎曲方向形成源、漏和溝道形成區(qū)。
76.根據(jù)權(quán)利要求64的用于制造薄膜集成電路的方法，其中半導(dǎo)體膜包括源、漏和溝道形成區(qū)，并且垂直于安裝物品的彎曲方向形成源、漏和溝道形成區(qū)。
77.根據(jù)權(quán)利要求65的用于制造薄膜集成電路的方法，其中半導(dǎo)體膜包括源、漏和溝道形成區(qū)，并且垂直于安裝物品的彎曲方向形成源、漏和溝道形成區(qū)。
78.根據(jù)權(quán)利要求66的用于制造薄膜集成電路的方法，其中半導(dǎo)體膜包括源、漏和溝道形成區(qū)，并且垂直于安裝物品的彎曲方向形成源、漏和溝道形成區(qū)。
79.根據(jù)權(quán)利要求67的用于制造薄膜集成電路的方法，其中半導(dǎo)體膜包括源、漏和溝道形成區(qū)，并且垂直于安裝物品的彎曲方向形成源、漏和溝道形成區(qū)。
80.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造薄膜集成電路的方法，其中利用從包括切片、劃片和激光切割法的組中選擇的方法切割該多個(gè)薄膜集成電路，形成每個(gè)薄膜集成電路。
81.根據(jù)權(quán)利要求2的用于制造薄膜集成電路的方法，其中利用從包括切片、劃片和激光切割法的組中選擇的方法切割該多個(gè)薄膜集成電路，形成每個(gè)薄膜集成電路。
82.根據(jù)權(quán)利要求3的用于制造薄膜集成電路的方法，其中利用從包括切片、劃片和激光切割法的組中選擇的方法切割該多個(gè)薄膜集成電路，形成每個(gè)薄膜集成電路。
83.根據(jù)權(quán)利要求4的用于制造薄膜集成電路的方法，其中利用從包括切片、劃片和激光切割法的組中選擇的方法切割該多個(gè)薄膜集成電路，形成每個(gè)薄膜集成電路。
84.根據(jù)權(quán)利要求5的用于制造薄膜集成電路的方法，其中利用從包括切片、劃片和激光切割法的組中選擇的方法切割該多個(gè)薄膜集成電路，形成每個(gè)薄膜集成電路。
85.根據(jù)權(quán)利要求6的用于制造薄膜集成電路的方法，其中利用從包括切片、劃片和激光切割法的組中選擇的方法切割該多個(gè)薄膜集成電路，形成每個(gè)薄膜集成電路。
86.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造薄膜集成電路的方法，其中金屬是從W、Ti、Ta、Mo、Nd、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os和Ir選出的元素或包含該元素的合金材料或化合物材料。
87.根據(jù)權(quán)利要求2的用于制造薄膜集成電路的方法，其中金屬是從W、Ti、Ta、Mo、Nd、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os和Ir選出的元素或包含該元素的合金材料或化合物材料。
88.根據(jù)權(quán)利要求3的用于制造薄膜集成電路的方法，其中金屬是從W、Ti、Ta、Mo、Nd、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os和Ir選出的元素或包含該元素的合金材料或化合物材料。
89.根據(jù)權(quán)利要求4的用于制造薄膜集成電路的方法，其中金屬是從W、Ti、Ta、Mo、Nd、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os和Ir選出的元素或包含該元素的合金材料或化合物材料。
90.根據(jù)權(quán)利要求5的用于制造薄膜集成電路的方法，其中金屬是從W、Ti、Ta、Mo、Nd、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os和Ir選出的元素或包含該元素的合金材料或化合物材料。
91.根據(jù)權(quán)利要求6的用于制造薄膜集成電路的方法，其中金屬是從W、Ti、Ta、Mo、Nd、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os和Ir選出的元素或包含該元素的合金材料或化合物材料。
92.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造薄膜集成電路的方法，其中包括氟化鹵的蝕刻材料是氣體或液體。
93.根據(jù)權(quán)利要求2的用于制造薄膜集成電路的方法，其中包括氟化鹵的蝕刻材料是氣體或液體。
94.根據(jù)權(quán)利要求3的用于制造薄膜集成電路的方法，其中包括氟化鹵的蝕刻材料是氣體或液體。
95.根據(jù)權(quán)利要求4的用于制造薄膜集成電路的方法，其中包括氟化鹵的蝕刻材料是氣體或液體。
96.根據(jù)權(quán)利要求5的用于制造薄膜集成電路的方法，其中包括氟化鹵的蝕刻材料是氣體或液體。
97.根據(jù)權(quán)利要求6的用于制造薄膜集成電路的方法，其中包括氟化鹵的蝕刻材料是氣體或液體。
98.一種元件襯底，包括設(shè)有多個(gè)薄膜集成電路的絕緣襯底，其間有金屬膜和包括金屬的化合物的金屬化合物層，所述化合物從包括氧化物、氮化物和氮氧化物的組中選擇；和與絕緣襯底相對(duì)提供的襯底；其中天線襯底包括開口，和在薄膜集成電路之間提供與所述開口對(duì)應(yīng)的溝槽。
99.一種元件襯底，包括設(shè)有多個(gè)薄膜集成電路的絕緣襯底，其間有金屬膜和包括金屬的化合物的金屬化合物層，所述化合物從包括氧化物、氮化物和氮氧化物的組中選擇；和與絕緣襯底相對(duì)提供的襯底；其中該多個(gè)薄膜集成電路通過連接的區(qū)域連接，該襯底包括開口，在薄膜集成電路之間提供溝槽以與所述開口對(duì)應(yīng)，和在薄膜集成電路中提供開口。
100.如權(quán)利要求98所述的元件襯底，其中薄膜集成電路包括薄膜晶體管和在薄膜晶體管上面和下面提供的具有含氮絕緣膜的層。
101.如權(quán)利要求99所述的元件襯底，其中薄膜集成電路包括薄膜晶體管和在薄膜晶體管上面和下面提供的具有含氮絕緣膜的層。
102.如權(quán)利要求98所述的元件襯底，其中薄膜集成電路具有0.3μm至3μm的厚度。
103.如權(quán)利要求99所述的元件襯底，其中薄膜集成電路具有0.3μm至3μm的厚度。
104.如權(quán)利要求98所述的元件襯底，其中薄膜集成電路包括具有1×1019/cm3至5×1020/cm3的氫濃度的半導(dǎo)體膜。
105.如權(quán)利要求99所述的元件襯底，其中薄膜集成電路包括具有1×1019/cm3至5×1020/cm3的氫濃度的半導(dǎo)體膜。
106.如權(quán)利要求104所述的元件襯底，其中半導(dǎo)體膜具有0.2μm或更小的厚度。
107.如權(quán)利要求105所述的元件襯底，其中半導(dǎo)體膜具有0.2μm或更小的厚度。
108.如權(quán)利要求104所述的元件襯底，其中金屬是選自W、Ti、Ta、Mo、Nd、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os和Ir的元素或包含該元素的合金材料或化合物材料。
109.如權(quán)利要求105所述的元件襯底，其中金屬是選自W、Ti、Ta、Mo、Nd、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os和Ir的元素或包含該元素的合金材料或化合物材料。
全文摘要
對(duì)于使用硅晶片形成的IC芯片的應(yīng)用形式和需求有望增加，需要進(jìn)一步地減小成本。本發(fā)明的目的是提供一種能以更低成本生產(chǎn)的IC芯片的結(jié)構(gòu)和工藝。本發(fā)明的一個(gè)特征是使用金屬膜和具有金屬膜的反應(yīng)物作為分離層。金屬膜或具有金屬的反應(yīng)物的蝕刻速率高，且在本發(fā)明中除了使用蝕刻金屬膜或具有金屬的反應(yīng)物的化學(xué)方法之外，還可以使用物理方法。由此，IDF芯片可以在短時(shí)間內(nèi)簡(jiǎn)單且容易地制造。
文檔編號(hào)H01L27/13GK1734750SQ20051009137
公開日2006年2月15日 申請(qǐng)日期2005年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月29日
發(fā)明者道前芳隆, 田村友子, 鶴目卓也, 大力浩二 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所