專利名稱：液晶顯示器件及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及應(yīng)用于顯示器件的薄膜晶體管基板，尤其涉及一種薄膜晶體管基板及其適合簡(jiǎn)化制造工藝的制造方法。而且，本發(fā)明還提出采用這種薄膜晶體管基板及其適合簡(jiǎn)化制造工藝的制造方法的一種液晶顯示面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)一般是用電場(chǎng)控制具有介電各向異性的液晶的光透射比來顯示圖像。為此，LCD面板包括采用液晶單元矩陣顯示圖像的液晶顯示面板和用來該驅(qū)動(dòng)液晶顯示面板的驅(qū)動(dòng)電路。
參見圖1，現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示面板包括彼此接合的濾色片基板10和薄膜晶體管基板20，在兩個(gè)基板之間注入液晶24。
濾色片基板10包括依次設(shè)置于上玻璃基板2上的黑矩陣4，濾色片6和公共電極8。黑矩陣4以矩陣形式設(shè)置在上玻璃基板2上。黑矩陣4將上玻璃基板2的面積劃分成包含濾色片6的多個(gè)單元區(qū)域，并且防止相鄰單元之間的光發(fā)生干擾和外部光的反射。濾色片6被置于由黑矩陣4限定的單元區(qū)域內(nèi)，相鄰單元之間的紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)濾色片交替排列發(fā)出紅、綠、藍(lán)色的光。公共電極8由整個(gè)涂敷于在濾色片6上的透明導(dǎo)電層形成，并且提供作為驅(qū)動(dòng)液晶24的參考電壓的一個(gè)公共電壓Vcom。此外，還可以在濾色片6和公共電極8之間提供一個(gè)覆蓋層(未表示)來平滑濾色片6。
薄膜晶體管基板20包括為在下玻璃基板12上由柵線14與數(shù)據(jù)線16交叉限定的各個(gè)單元設(shè)置的薄膜晶體管18和像素電極22。薄膜晶體管18響應(yīng)來自柵線14的柵信號(hào)向像素電極22提供來自數(shù)據(jù)線16的數(shù)據(jù)信號(hào)。由透明導(dǎo)電層形成的像素電極2218向液晶24提供來自薄膜晶體管數(shù)據(jù)信號(hào)。
由像素電極22上的數(shù)據(jù)信號(hào)和公共電極8上的公共電壓Vcom形成的電場(chǎng)將具有介電各向異性的液晶24旋轉(zhuǎn)，控制液晶24的光透射比來實(shí)現(xiàn)灰度級(jí)。
此外，液晶顯示面板還可以包括用來固定濾色片基板10和薄膜晶體管基板20之間盒間隙的襯墊料(未示出)。
在液晶顯示面板中，通過多次掩模工序形成濾色片基板10和薄膜晶體管基板20。一次掩模工序包括諸如薄膜沉積(涂覆)，清潔，光刻，蝕刻，光刻膠剝離和檢查工序等許多工序。
由于薄膜晶體管基板的制造包括半導(dǎo)體制造工序并需要多個(gè)掩模工序，液晶顯示面板的制造成本會(huì)因制造工藝的復(fù)雜性而增大。為此，研制出本發(fā)明的薄膜晶體管基板以減少掩模工序的數(shù)量。

發(fā)明內(nèi)容
為此，本發(fā)明涉及到一種液晶顯示器件及其制造方法，其能夠基本上消除由于現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)和局限產(chǎn)生的一個(gè)或多個(gè)問題。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于提供了一種薄膜晶體管基板及其制造方法，以及采用這種基板及其簡(jiǎn)化制造工藝的制造方法的液晶顯示面板。
以下要說明本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)，一部分可以從說明書中看出，或者是通過對(duì)本發(fā)明的實(shí)踐來學(xué)習(xí)。采用說明書及其權(quán)利要求書和附圖中具體描述的結(jié)構(gòu)就能實(shí)現(xiàn)并達(dá)到本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)。
為了按照本發(fā)明的意圖實(shí)現(xiàn)上述目的和其他優(yōu)點(diǎn)，以下要具體和廣泛地說明，一種液晶顯示器件包括第一和第二基板；第一基板上的柵線；與柵線交叉以限定像素區(qū)的數(shù)據(jù)線，在柵線和數(shù)據(jù)線之間具有柵絕緣層；在貫穿像素區(qū)內(nèi)的柵絕緣層的一個(gè)像素孔內(nèi)由透明導(dǎo)電薄膜形成的像素電極；以及一個(gè)薄膜晶體管，它包括柵極、源極、漏極，以及在源極和漏極之間溝道限定的半導(dǎo)體層，其中的半導(dǎo)體層與包括數(shù)據(jù)線、源極以及漏極的源極和漏極金屬圖形重疊；并且其中的漏極從半導(dǎo)體層凸向像素電極的內(nèi)側(cè)以連接到像素電極。
按照本發(fā)明的另一方面，制造液晶顯示器件的一種方法包括在第一基板上形成柵線和連接到柵線的柵極的第一掩模工序；第二掩模工序，包括在柵線和柵極上形成柵絕緣層和半導(dǎo)體層，然后限定貫穿像素區(qū)內(nèi)的柵絕緣層和半導(dǎo)體層的像素孔，并且在像素孔內(nèi)形成一個(gè)像素電極；以及第三掩模工序，包括形成數(shù)據(jù)線與柵線交叉以在第一基板上限定該像素區(qū)、源極和漏極的源極和漏極金屬圖形，并且暴露半導(dǎo)體圖形的有源層以在源極和漏極之間限定溝道。
應(yīng)該意識(shí)到以上對(duì)本發(fā)明的概述和下文的詳細(xì)說明都是解釋性的描述，都是為了進(jìn)一步解釋所要求保護(hù)的發(fā)明。


所包括的用來便于理解本發(fā)明并且作為本申請(qǐng)一個(gè)組成部分的附圖表示了本發(fā)明的實(shí)施方式，連同說明書一起可用來解釋本發(fā)明的原理。
在附圖中圖1為表示現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示面板結(jié)構(gòu)的示意性透視圖；圖2所示為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的部分薄膜晶體管基板的平面圖；圖3是沿圖2中II-II’，III-III’和IV-IV’線提取的薄膜晶體管基板的截面圖；圖4所示為采用圖3所示薄膜晶體管基板的液晶顯示面板的數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域的截面圖；圖5A和圖5B所示分別為在按照本發(fā)明實(shí)施方式的薄膜晶體管基板制造方法中第一掩模工序的平面圖和截面圖；圖6A和6B所示分別為在按照本發(fā)明實(shí)施方式的薄膜晶體管基板制造方法中第二掩模工序的平面圖和截面圖；圖7A到7C為用來具體解釋第二掩模工序的截面圖；圖8A和8B所示分別為在按照本發(fā)明實(shí)施方式的薄膜晶體管基板制造方法中第三掩模工序的平面圖和截面圖；圖9A到9D是用來具體解釋第三掩模工序的截面圖；圖10所示為按照本發(fā)明第二實(shí)施方式的部分薄膜晶體管基板的平面圖；圖11是沿圖10中II-II’，III-III’和IV-IV’線提取的薄膜晶體管基板的截面圖；圖12所示為按照本發(fā)明第三實(shí)施方式的部分薄膜晶體管基板的平面圖；圖13是沿圖12中II-II’，III-III’和IV-IV’線提取的薄膜晶體管基板的截面圖；圖14所示為按照本發(fā)明第四實(shí)施方式的部分薄膜晶體管基板的平面圖；圖15是沿圖14中II-II’，III-III’和IV-IV’線提取的薄膜晶體管基板的截面圖；圖16A和圖16B是用來解釋按照本發(fā)明另一實(shí)施方式的保護(hù)膜制造方法的截面圖；以及圖17A和圖17B是用于解釋在采用按照本發(fā)明實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的液晶顯示面板的制造方法中保護(hù)膜的制造方法的截面圖。
具體實(shí)施例方式
以下將詳細(xì)參考附圖所示的實(shí)施例來說明本發(fā)明的實(shí)施方式。
以下，將通過參考圖2到圖17B詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。
圖2所示為按照本發(fā)明第一實(shí)施方式的部分薄膜晶體管基板的平面圖，而圖3A和圖3B是沿圖2中II-II’，III-III’和IV-IV’線提取的薄膜晶體管基板的截面圖。
參照2和圖3，薄膜晶體管基板包括按照彼此交叉且其中間具有柵絕緣層144的方式形成在下基板142上的柵線102和數(shù)據(jù)線104，連接到接近各個(gè)交叉點(diǎn)的柵線102和數(shù)據(jù)線104的薄膜晶體管106，以及設(shè)置在由交叉結(jié)構(gòu)所限定的像素區(qū)內(nèi)的像素電極118。此外，薄膜晶體管基板還包括設(shè)在像素電極118與柵線102之間重疊部位的存儲(chǔ)電容120，連接到柵線102的柵焊盤126，以及連接到數(shù)據(jù)線104的數(shù)據(jù)焊盤134。
薄膜晶體管106響應(yīng)提供給柵線102的掃描信號(hào)允許提供給數(shù)據(jù)線104的像素信號(hào)充入像素電極118并且儲(chǔ)存。為此，薄膜晶體管106包括連接到柵線102的柵極108，連接到數(shù)據(jù)線104的源極110，與源極110位置相對(duì)并且連接到像素電極118的漏極112，與柵極108重疊且中間有柵絕緣層144的一個(gè)有源層114以在源極110和漏極112之間設(shè)置一溝道，以及在溝道區(qū)之外形成在有源層114上的一個(gè)歐姆接觸層116，其與源極110和漏極112形成歐姆接觸。
此外，半導(dǎo)體層115包括有源層114和與數(shù)據(jù)線104重疊的歐姆接觸層116。
一個(gè)像素孔170貫穿由交叉的柵線102和數(shù)據(jù)線104限定的像素區(qū)內(nèi)的柵絕緣層144。像素電極118與像素孔170內(nèi)的柵絕緣層144的邊緣接界并且處在暴露的基板142上。因此，將像素電極118連接到從薄膜晶體管196朝像素孔170內(nèi)側(cè)突出的漏極112上。像素電極118儲(chǔ)存由薄膜晶體管106提供的像素信號(hào)為電荷以相對(duì)于濾色片基板(未表示)上的公共電極產(chǎn)生電位差。該電位差使位于薄膜晶體管基板和濾色片基板之間的液晶因介電各向異性發(fā)生旋轉(zhuǎn)，并且控制從光源(未表示)穿過液晶、電極118和濾色片基板的光量。
存儲(chǔ)電容120形成為連接到像素電極118的上存儲(chǔ)電極122與部分前級(jí)柵線102重疊，其間具有柵絕緣層144。上存儲(chǔ)電極122與部分前級(jí)柵線102重疊并且朝像素孔170的內(nèi)側(cè)突出以連接到像素電極118。具有有源層114和歐姆接觸層116的半導(dǎo)體層115還與上存儲(chǔ)電極112和柵絕緣層144重疊。存儲(chǔ)電容120能夠穩(wěn)定保持充入像素電極118的像素信號(hào)。
柵線102通過柵焊盤126從柵極驅(qū)動(dòng)器接收掃描信號(hào)。柵焊盤126包括由柵線102伸出的下柵焊盤電極128和設(shè)在貫穿柵絕緣層144的第一接觸孔130連接到下柵焊盤電極128的上柵焊盤電極132。上柵焊盤電極132連同像素電極118一起由透明導(dǎo)電層形成，并且與圍繞第一接觸孔130的柵絕緣層144的邊緣接界。
數(shù)據(jù)線104通過數(shù)據(jù)焊盤134從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(未表示)接收像素信號(hào)。數(shù)據(jù)焊盤134是由貫穿柵絕緣層144的第二接觸孔138內(nèi)的透明導(dǎo)電層連同上柵焊盤電極132形成的。數(shù)據(jù)焊盤134的第二接觸孔138延伸到以與部分?jǐn)?shù)據(jù)線104重疊。因此，數(shù)據(jù)線104從半導(dǎo)體層115朝第二接觸孔138內(nèi)側(cè)突出，使得數(shù)據(jù)線104連接到數(shù)據(jù)焊盤134的延伸部位。
在這種情況下，數(shù)據(jù)線104因缺少保護(hù)膜而暴露在外。為了防止數(shù)據(jù)線104被暴露并且氧化，如圖4所示將數(shù)據(jù)焊盤134的延伸部位和數(shù)據(jù)線104的連接部位定位在由密封劑320密封的區(qū)域內(nèi)。密封區(qū)內(nèi)的數(shù)據(jù)線104被涂覆下定向膜312，保護(hù)數(shù)據(jù)線104不會(huì)氧化。
參照?qǐng)D4，通過密封劑320將涂覆有下定向膜312的薄膜晶體管基板與涂覆有上定向膜310的濾色片基板300彼此接合，通過被密封劑320密封的兩個(gè)基板之間的盒間隙形成有液晶。上、下定向膜310和312在兩個(gè)基板的圖像顯示區(qū)內(nèi)涂覆有一種有機(jī)絕緣材料。密封劑320處在不會(huì)接觸到上、下定向膜310和312的位置，對(duì)兩個(gè)基板有較好的粘結(jié)。因此，將設(shè)置于薄膜晶體管基板上的數(shù)據(jù)線104連同源極110和漏極112一起定位于由密封劑320密封的區(qū)域內(nèi)，使得數(shù)據(jù)線104可以通過下定向膜312以及形成在密封區(qū)域內(nèi)的液晶得到充分的保護(hù)。
如上所述，在按照本發(fā)明第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板中，通過采用光刻膠的蝕刻工序形成包括像素電極118，上柵焊盤電極132和數(shù)據(jù)焊盤140的透明導(dǎo)電圖形以限定貫穿柵絕緣層144的像素孔170及接觸孔130和138。因此，為了實(shí)現(xiàn)與包圍相應(yīng)孔的柵絕緣層144的邊緣接界，在基板142上設(shè)置透明導(dǎo)電圖形。
此外，以類似柵絕緣層144的方式形成半導(dǎo)體層115，然后在形成包括數(shù)據(jù)線104，源極110，漏極112和上存儲(chǔ)電極122的源極/漏極金屬圖形時(shí)去除暴露部分。而且，在形成的源極/漏極金屬圖形時(shí)，暴露有源層114以限定薄膜晶體管106的溝道。因此，半導(dǎo)體層115具有僅形成在源極110和漏極112之間的溝道部位和源極/漏極金屬圖形與柵絕緣層144之間重疊部位上的溝道。暴露的有源層114的表面層124是受到等離子體處理的表面，因此溝道的有源層114可以通過表面層124氧化為SiO2來得到保護(hù)。
具有所述結(jié)構(gòu)的按照本發(fā)明第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板可以按以下三輪掩模工序形成。
圖5A和圖5B分別是在按照本發(fā)明實(shí)施方式的薄膜晶體管基板制造方法中用來說明第一掩模工序的平面圖和截面圖。
用第一掩模工序在下基板142上形成包括柵線102，連接到柵線102的柵極108，和下柵焊盤電極128的柵金屬圖形。
更具體地說，通過諸如濺射等淀積技術(shù)在下基板142上形成柵金屬層。柵金屬層采用金屬材料形成的單層，例如Mo，Ti，Cu，AlNd，Al，Cr，Mo合金Cu合金或Al合金等等，或是采取至少雙層的疊層結(jié)構(gòu)，例如有Al/Cr，Al/Mo，Al(Nd)/Al，Al(Nd)/Cr，Mo/Al(Nd)/Mo，Cu/Mo，Ti/Al/(Nd)/Ti，Mo/Al，Mo/Ti/Al(Nd)，Cu合金/Mo，Cu合金/Al，Cu合金/Mo合金，Cu合金/Al合金，Al/Mo合金，Mo合金/Al，Al合金/Mo合金，Mo合金/Al合金，Mo/Al合金，Cu/Mo合金或Cu/Mo(Ti)等等。然后通過采用第一掩模的光刻工序和蝕刻工序?qū)沤饘賹訕?gòu)圖，從而形成包括柵線102，柵極108和下柵焊盤電極128的柵極金屬圖形。
圖6A和6B分別是在按照本發(fā)明實(shí)施方式的薄膜晶體管基板制造方法中用來說明第二掩模工序的平面圖和截面圖，而圖7A到7C是用來具體解釋第二掩模工序的截面圖。
在包括柵金屬圖形的下基板142上形成柵絕緣層144，有源層114和歐姆接觸層116。通過采用第二掩模工序限定貫穿柵絕緣層144的像素孔170和第一和第二接觸孔130和138。而且，在相應(yīng)的孔內(nèi)形成包括像素電極118，上柵焊盤電極132和數(shù)據(jù)焊盤電極134的透明導(dǎo)電圖形。
參照?qǐng)D7A，在包括柵金屬圖形的下基板142上通過采用PECVD等淀積技術(shù)依次形成柵絕緣層144及包括有源層114和歐姆接觸層116的半導(dǎo)體層115。這里，柵絕緣層144是用諸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等無機(jī)絕緣材料形成的，而有源層114和歐姆接觸層116是由非晶硅或摻雜有n+或P+雜質(zhì)的非晶硅形成的。
隨后，通過采用第二掩模按光刻工序在歐姆接觸層116上形成第一光刻膠圖形200，并且通過采用第一光刻膠圖形200作為掩模的蝕刻工序形成像素孔170及第一和第二接觸孔130和138。像素孔170及第一和第二接觸孔130和138貫穿從歐姆接觸層116延伸到柵絕緣層144的區(qū)域。半導(dǎo)體層115和柵絕緣層144發(fā)生過刻蝕使得將像素孔170及第一和第二接觸孔130和138的邊緣位于第一光刻膠圖形200邊沿的內(nèi)側(cè)和下面，從而下切第一光刻膠圖形200。像素孔170及第二接觸孔138暴露基板142，而第一接觸孔130暴露出下柵焊盤電極128和下柵焊盤電極128邊沿上的基板142。
參照?qǐng)D7B，通過諸如濺射等淀積技術(shù)在設(shè)有第一光刻膠圖形200的基板142上整體地形成透明導(dǎo)電層117。透明導(dǎo)電層117是由ITO，TO，IZO或ITZO等形成的。因此，在像素孔170內(nèi)形成像素電極118；在第一接觸孔130內(nèi)形成上柵焊盤電極132；并且在第二接觸孔138內(nèi)形成數(shù)據(jù)焊盤134。透明導(dǎo)電圖形在接近像素孔170及第一和第二接觸孔130和138邊沿的第一光刻膠圖形200的邊沿上留有一個(gè)開口。而且，沿著像素孔170及第一和第二接觸孔130和138的邊沿形成透明導(dǎo)電圖形以與圍繞相應(yīng)孔的柵絕緣層144接界。因此，在去除涂敷有透明導(dǎo)電薄膜117的第一光刻膠圖形200的剝離工序中就便于剝離器滲透到第一光刻膠圖形200和歐姆接觸層116之間，從而改善剝離效率。
參照?qǐng)D7C，通過剝離工序去除圖7B中所示的涂敷有透明導(dǎo)電薄膜117的第一光刻膠圖形200。
圖8A和8B分別是在按照本發(fā)明實(shí)施方式的薄膜晶體管基板制造方法中用來說明第三掩模工序的平面圖和截面圖，而圖9A到9D是用來具體解釋第三掩模工序的截面圖。
在具有半導(dǎo)體層115和透明導(dǎo)電圖形的下基板142上通過第三掩模工序形成包括數(shù)據(jù)線104，源極110，漏極112和存儲(chǔ)電極122的源極/漏極金屬圖形。并且，去除沒有與源極/漏極金屬圖形重疊的半導(dǎo)體層115，并且暴露出源極110和漏極112之間的有源層114，從而限定薄膜晶體管106的溝道。通過采用諸如衍射曝光掩?；虬肷{(diào)掩模的局部透射掩模的單掩模工序形成源極/漏極金屬圖形和薄膜晶體管106的溝道。
參照?qǐng)D9A，通過諸如濺射等淀積技術(shù)在包括半導(dǎo)體層115和透明導(dǎo)電圖形的下基板142上形成源極/漏極金屬層。源極/漏極金屬層采用金屬材料形成的單層，例如Mo，Ti，Cu，AlNd，Al，Cr，Mo合金Cu合金或Al合金等等，或是采取至少雙層的疊層結(jié)構(gòu)，例如有Al/Cr，Al/Mo，Al(Nd)/Al，Al(Nd)/Cr，Mo/Al(Nd)/Mo，Cu/Mo，Ti/Al/(Nd)/Ti，Mo/Al，Mo/Ti/Al(Nd)，Cu合金/Mo，Cu合金/Al，Cu合金/Mo合金，Cu合金/Al合金，Al/Mo合金，Mo合金/Al，Al合金/Mo合金，Mo合金/Al合金，Mo/Al合金，Cu/Mo合金或Cu/Mo(Ti)等等。
隨后，在源極/漏極金屬層上通過采用局部透射掩模的光刻工藝形成包括具有不同厚度的光刻膠圖形210A和210B的第二光刻膠圖形210。局部透射掩模包括遮擋紫外線的遮擋部，采用縫隙圖形衍射紫外線或者通過移相材料局部透射紫外線的局部透射部，以及完全透射紫外線的一個(gè)完全透射部。通過采用具有局部透射掩模的光刻工序形成包括不同厚度的光刻膠圖形210A和210B的以及孔徑部分。在這種情況下，比較厚的第一光刻膠圖形210A被設(shè)置在與局部透射掩模的遮擋部分重疊的遮擋區(qū)P1上；比光刻膠圖形210A要薄的光刻膠圖形210B被設(shè)置在與局部透射部重疊的局部暴露區(qū)P2上；而孔徑部分被設(shè)置在與完全透射部重疊的完全透射區(qū)P3上。
而且，通過采用第二光刻膠圖形210B的蝕刻工序?qū)υ礃O/漏極金屬層構(gòu)圖，從而提供包括數(shù)據(jù)線104，漏極112，以及源極110和存儲(chǔ)電極122的源極/漏極金屬圖形。通過濕法蝕刻工藝對(duì)源極/漏極金屬層構(gòu)圖，使源極/漏極金屬圖形與第二光刻膠圖形210相比具有過度蝕刻結(jié)構(gòu)。漏極112和下存儲(chǔ)電極122從半導(dǎo)體層115和柵絕緣層144的重疊部位朝像素孔170的內(nèi)側(cè)突出連接到像素電極118。這里，下存儲(chǔ)電極122與前級(jí)柵線102的一部分重疊，中間有半導(dǎo)體層115和柵絕緣層144，從而提高存儲(chǔ)電容120。數(shù)據(jù)線104還從半導(dǎo)體層115和柵絕緣層144的重疊部位突出進(jìn)入第二接觸孔138以連接到數(shù)據(jù)焊盤134。
參照?qǐng)D9B，對(duì)通過第二光刻膠圖形210暴露的半導(dǎo)體層115進(jìn)行蝕刻，使半導(dǎo)體層115僅存于其與第二光刻膠圖形210重疊的區(qū)域內(nèi)。利用第二光刻膠圖形210作為掩模的干法蝕刻工藝蝕刻暴露的半導(dǎo)體層115。因此，半導(dǎo)體層115遺留在與光刻膠圖形210重疊的區(qū)域內(nèi)以用于形成源極/漏極金屬圖形，并因此其與源極/漏極金屬圖形重疊。而且，半導(dǎo)體層115的邊沿從源極/漏極金屬圖形的下面突出。因此，源極/漏極金屬圖形以階梯形狀覆蓋的半導(dǎo)體層115。
參照?qǐng)D9C，通過采用氧氣等離子體減薄光刻膠圖形210A的厚度，并且去除光刻膠圖形210B。這種灰化工藝可以結(jié)合用于刻蝕暴露后的半導(dǎo)體層115的干法蝕刻工藝中，并且可以在同一腔室內(nèi)執(zhí)行。此外，通過灰化光刻膠圖形210A的蝕刻工藝去除暴露后的源極/漏極金屬圖形和歐姆接觸層116。由此將源極110和漏極112彼此斷開，并且通過暴露電極之間的有源層114來實(shí)現(xiàn)具有溝道的薄膜晶體管106。
而且，通過采用氧(O2)等離子體的表面處理工藝暴露的有源層114的表面氧化為SiO2。由此，可以通過氧化為SiO2的表面層124保護(hù)限定薄膜晶體管106的溝道的有源層114。
參照?qǐng)D9D，通過剝離工藝去除圖9C中所示的光刻膠圖形210A。
如上所述，按照本發(fā)明第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板制造方法能夠通過三步掩模工藝減少工序的數(shù)量。
圖10所示為按照本發(fā)明第二實(shí)施方式的部分薄膜晶體管基板的平面圖，圖11是沿圖10中II-II’，III-III’和IV-IV’線提取的薄膜晶體管基板的截面圖。
除了數(shù)據(jù)焊盤234具有和柵焊盤126相同的垂直結(jié)構(gòu)之外，圖10和圖11所示的薄膜晶體管基板具有與圖2和圖3所示的薄膜晶體管基板相同的元件；并且其還包括用來連接從數(shù)據(jù)焊盤234延伸到數(shù)據(jù)線104的數(shù)據(jù)連接線250的接觸電極252。因而省略了對(duì)圖2和圖3中出現(xiàn)的相同元件的描述。
參照?qǐng)D10和圖11，數(shù)據(jù)焊盤234包括設(shè)置在基板142上的下數(shù)據(jù)焊盤電極236和設(shè)置在第二接觸孔238內(nèi)的上數(shù)據(jù)焊盤電極240，第二接觸孔238貫穿柵絕緣層144暴露出下數(shù)據(jù)焊盤電極236，并且類似柵焊盤126連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極236。
從數(shù)據(jù)焊盤234的下電極236延伸出的數(shù)據(jù)連接線250與數(shù)據(jù)線104重疊并且通過貫穿柵絕緣層144的第三接觸孔254暴露。數(shù)據(jù)連接線250通過第三接觸孔254內(nèi)的接觸電極252連接到數(shù)據(jù)線104。
下數(shù)據(jù)焊盤電極236和數(shù)據(jù)連接線250連同下柵焊盤電極128一起均由第一掩模工序產(chǎn)生。第二和第三接觸孔238和254連同第一接觸孔130一起由第二掩模工序形成的。在第二掩模工序中，上數(shù)據(jù)焊盤電極240和接觸電極252連同上柵焊盤電極132分別形成在第二和第三接觸孔238和254內(nèi)。在這種情況下，上數(shù)據(jù)焊盤電極240和接觸電極252與柵絕緣層144的邊沿接界，并且圍繞第二和第三接觸孔238和254。
此外，數(shù)據(jù)線104位于通過密封劑密封區(qū)域內(nèi)，使其可以通過涂敷于其上的定向膜或是在密封區(qū)域內(nèi)形成的液晶得到保護(hù)。為此，將數(shù)據(jù)線104連接到數(shù)據(jù)連接線250的接觸電極252應(yīng)位于密封區(qū)域內(nèi)。
圖12所示為按照本發(fā)明第三實(shí)施方式的部分薄膜晶體管基板平面圖，圖13是沿圖12中II-II’，III-III’和IV-IV’線提取的薄膜晶體管基板的截面圖。
除了上數(shù)據(jù)焊盤電極240和接觸孔252是整體地形成在沿著數(shù)據(jù)連接線250延伸的第二接觸孔238內(nèi)之外，圖12和圖13所示的薄膜晶體管基板具有與圖10和圖11所示的薄膜晶體管基板相同的元件。因而省略了對(duì)圖10和圖11中出現(xiàn)的相同元件的描述。
參照?qǐng)D12和圖13，數(shù)據(jù)焊盤234的第二接觸孔238沿著數(shù)據(jù)連接線250按照與數(shù)據(jù)線104重疊的方式延伸。因此，上數(shù)據(jù)焊盤電極240和接觸電極252按一體結(jié)構(gòu)形成在第二接觸孔238內(nèi)并連接到數(shù)據(jù)線104。上數(shù)據(jù)焊盤電極240和接觸電極252與圍繞第二接觸孔238的柵絕緣層144的邊緣接界。
圖14表示按照本發(fā)明第四實(shí)施方式的部分薄膜晶體管基板的平面圖，圖15是沿圖14中II-II’，III-III’和IV-IV’線提取的薄膜晶體管基板的截面圖。
除了還包括一個(gè)處于柵焊盤區(qū)126和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)234外側(cè)的保護(hù)膜150之外，圖14和圖15所示的薄膜晶體管基板具有與圖12和圖13所示的薄膜晶體管基板相同的元件。因而省略了對(duì)圖14和圖15中出現(xiàn)的相同元件的描述。
參照?qǐng)D14和圖15，在具有源極/漏極金屬圖形的基板142上形成保護(hù)膜150使得在設(shè)有柵焊盤126和數(shù)據(jù)焊盤134的焊盤區(qū)上是開口的?？梢杂妙愃茤沤^緣層144的無機(jī)絕緣薄膜形成保護(hù)膜150。作為選擇，保護(hù)膜150可以通過用丙烯酸有機(jī)化合物，BCB(苯丙環(huán)丁烯)或PFCB(過氟化環(huán)丁烷)等等形成。
用第四掩模工序或是類似要在最上層形成的定向膜的圖章印刷技術(shù)形成保護(hù)膜150。而且，在基板142的整個(gè)表面上形成保護(hù)膜150，然后在基板142粘結(jié)到濾色片基板后，通過采用定向膜作為掩模的蝕刻工序或采用濾色片基板作為掩模板的蝕刻工序在焊盤區(qū)域去除保護(hù)膜150。
首先，在采用第四掩模工序時(shí)，首先在設(shè)置有源極/漏極金屬圖形的整個(gè)基板142上形成保護(hù)膜150。在這種情況下可以用PECVD，旋轉(zhuǎn)涂敷或非旋轉(zhuǎn)涂敷技術(shù)形成保護(hù)膜150。此外，通過采用第四掩模的光刻工序和蝕刻工序?qū)ΡＷo(hù)膜150構(gòu)圖。
第二，可以用圖章印刷技術(shù)僅在焊盤區(qū)外側(cè)的陣列區(qū)上印刷保護(hù)膜150，該技術(shù)是一種在其上面形成定向膜的方法。換句話說，通過在設(shè)置有源極/漏極金屬圖形的基板142上對(duì)準(zhǔn)橡膠掩模形成保護(hù)膜150，然后用圖章印刷技術(shù)僅在焊盤區(qū)外側(cè)的陣列區(qū)上印刷一種絕緣材料。
第三，通過采用設(shè)置于其上面的定向膜的蝕刻工序去除焊盤區(qū)的保護(hù)膜150。更具體地，如圖16A所示，在整個(gè)基板142上形成保護(hù)膜150，并采用圖章印刷方法在保護(hù)膜150上形成定向膜152。隨后，如圖16B所示，通過采用定向膜152作為掩模的蝕刻工序去除焊盤區(qū)上的保護(hù)膜150。
第四，通過采用濾色片基板作為掩模的蝕刻工序去除焊盤區(qū)上的保護(hù)膜150。更具體地，如圖17A所示，通過密封劑320將設(shè)置有保護(hù)膜150并在其上具有下定向膜312的薄膜晶體管基板粘結(jié)到具有上定向膜310的濾色片基板300上。接著，如圖17B所示，通過采用濾色片基板300作為掩模的蝕刻工序去除焊盤區(qū)上的保護(hù)膜150。在這種情況下，位于焊盤區(qū)上的保護(hù)膜150通過采用等離子的蝕刻工序去除，或者通過將薄膜晶體管基板與濾色片基板300接合后的液晶顯示面板浸入一個(gè)充滿蝕刻劑的蝕刻容器內(nèi)，去除焊盤區(qū)上的保護(hù)膜150。
如上所述，按照本發(fā)明，通過采用局部透射掩模的單步掩模工序同時(shí)對(duì)半導(dǎo)體層和柵絕緣層構(gòu)圖以提供多個(gè)具有不同深度的孔，并且通過采用掩模工序中光刻膠圖形的剝離工序在多個(gè)孔內(nèi)提供透明導(dǎo)電圖形。
此外，按照本發(fā)明，在形成源極/漏極金屬圖形時(shí)對(duì)和柵絕緣層同時(shí)構(gòu)圖的半導(dǎo)體層再次構(gòu)圖以消除其暴露部位，并且暴露源極和漏極之間的有源層來限定薄膜晶體管的溝道。因此，僅在薄膜晶體管的溝道和源極/漏極金屬圖形與柵絕緣層的重疊部位存在半導(dǎo)體層。
此外，按照本發(fā)明，保護(hù)膜具有通過印刷技術(shù)、第四掩模工序、采用定向膜作為掩模的蝕刻工序、或者采用濾色片基板作為掩模的蝕刻工序等提供的開口焊盤區(qū)因此，通過四步掩模工序可以使按照本發(fā)明的薄膜晶體管基板制造方法得到簡(jiǎn)化，從而降低材料成本，設(shè)備成本，并且提高生產(chǎn)率。
對(duì)于熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明做出各種變型和改進(jìn)。因此，本發(fā)明意欲覆蓋所有落入本發(fā)明所附權(quán)利要求及其等效物所限定的范圍內(nèi)的本發(fā)明的變型和改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器件，包括第一和第二基板；第一基板上的柵線；數(shù)據(jù)線，與柵線交叉來限定像素區(qū)，在柵線和數(shù)據(jù)線之間具有柵絕緣層；像素電極，由透明導(dǎo)電薄膜形成在貫穿像素區(qū)內(nèi)的柵絕緣層的像素孔內(nèi)；以及薄膜晶體管，它包括源極，漏極，以及在源極和漏極之間限定溝道的半導(dǎo)體層；其中所述半導(dǎo)體層與包括數(shù)據(jù)線，源極和漏極的源極和漏極金屬圖形重疊；并且其中漏極從半導(dǎo)體層向像素電極的內(nèi)側(cè)延伸以連接到像素電極。
2.按照權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征是，還包括連接到像素電極的存儲(chǔ)電極，所述存儲(chǔ)電極與具有柵絕緣層的柵線重疊以形成存儲(chǔ)電容。
3.按照權(quán)利要求2所述的液晶顯示器件，其特征是半導(dǎo)體層還與存儲(chǔ)電極和柵絕緣層重疊；并且存儲(chǔ)電極從其與半導(dǎo)體層重疊的位置向像素孔突出并連接到像素電極。
4.按照權(quán)利要求3所述的液晶顯示器件，其特征是，所述漏極和存儲(chǔ)電極在像素電極上方彼此連接。
5.按照權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征是，進(jìn)一步包括連接到至少柵線和數(shù)據(jù)線之一的焊盤；其中所述焊盤包括位于第一基板上的下焊盤電極；貫穿柵絕緣層暴露下焊盤電極的接觸孔；以及位于接觸孔內(nèi)連接到下焊盤電極的上焊盤電極。
6.按照權(quán)利要求5所述的液晶顯示器件，其特征是，所述下焊盤電極連接到柵線。
7.按照權(quán)利要求5所述的液晶顯示器件，其特征是，進(jìn)一步包括數(shù)據(jù)連接線，從下焊盤電極延伸出來并與數(shù)據(jù)線重疊；以及接觸電極，位于貫穿柵絕緣層的第二接觸孔內(nèi)用于暴露數(shù)據(jù)連接線，從而將數(shù)據(jù)連接線連接到數(shù)據(jù)線上。
8.按照權(quán)利要求7所述的液晶顯示器件，其特征是，將具有沿著數(shù)據(jù)連接線延伸的上焊盤電極的接觸孔所述第二接觸孔成為一體，并且所述上焊盤電極與接觸電極成為一體。
9.按照權(quán)利要求7所述的液晶顯示器件，其特征是，包括像素電極、上焊盤電極和接觸電極的透明導(dǎo)電圖形與包圍相應(yīng)孔的柵絕緣層接界。
10.按照權(quán)利要求7所述的液晶顯示器件，其特征是，在第一基板與第二基板實(shí)現(xiàn)接合時(shí)，所述數(shù)據(jù)線接觸到接觸電極的區(qū)域位于由密封劑密封的區(qū)域內(nèi)。
11.按照權(quán)利要求8所述的液晶顯示器件，其特征是，在第一基板與第二基板實(shí)現(xiàn)接合時(shí)，所述數(shù)據(jù)線接觸到接觸電極的區(qū)域位于由密封劑密封的區(qū)域內(nèi)。
12.按照權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征是，進(jìn)一步包括位于貫穿柵絕緣層的接觸孔內(nèi)連接到數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)焊盤，其中，數(shù)據(jù)焊盤與包圍該接觸孔的柵絕緣層接界。
13.按照權(quán)利要求12所述的液晶顯示器件，其特征是，在第一基板與第二基板實(shí)現(xiàn)接合時(shí)，所述數(shù)據(jù)線位于由被密封劑密封的區(qū)域內(nèi)。
14.按照權(quán)利要求1的所述液晶顯示器件，其特征是，所述薄膜晶體管的溝道包括經(jīng)等離子體表面處理氧化的表面層。
15.按照權(quán)利要求1的所述液晶顯示器件，其特征是，所述半導(dǎo)體層及所述源極和漏極金屬圖形具有階梯形狀。
16.按照權(quán)利要求5所述的液晶顯示器件，其特征是，進(jìn)一步包括位于第一基板上在焊盤區(qū)具有開口的保護(hù)膜。
17.按照權(quán)利要求16所述的液晶顯示器件，其特征是，進(jìn)一步包括保護(hù)膜上的一個(gè)定向膜。
18.按照權(quán)利要求17所述的液晶顯示器件，其特征是，所述保護(hù)膜是由與定向膜相同的圖形形成的。
19.按照權(quán)利要求12所述的液晶顯示器件，其特征是，進(jìn)一步包括第一基板上的一個(gè)保護(hù)膜，其在焊盤區(qū)上具有開口。
20.按照權(quán)利要求19所述的液晶顯示器件，其特征是，進(jìn)一步包括保護(hù)膜上的定向膜。
21.按照權(quán)利要求20所述的液晶顯示器件，其特征是，所述保護(hù)膜是用和定向膜相同的圖形形成的。
22.按照權(quán)利要求5所述的液晶顯示器件，其特征是，進(jìn)一步包括第一基板上的保護(hù)膜，所述保護(hù)膜和第二基板具有相同的圖形，并且在焊盤區(qū)上具有開口。
23.按照權(quán)利要求12所述的液晶顯示器件，其特征是，進(jìn)一步包括第一基板上的一個(gè)保護(hù)膜，所述保護(hù)膜和第二基板具有相同的圖形，并且在焊盤區(qū)上具有開口。
24.按照權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征是，進(jìn)一步包括第一和第二基板之間的液晶層。
25.一種制造液晶顯示器件的方法，包括提供第一和第二基板；在第一基板上形成柵線和連接到柵線的柵極的第一掩模工序；第二掩模工序，包括在柵線和柵極上形成柵絕緣層并形成半導(dǎo)體層，然后限定一個(gè)貫穿像素區(qū)內(nèi)的柵絕緣層和半導(dǎo)體層的像素孔，并且在像素孔內(nèi)形成一個(gè)像素電極；以及第三掩模工序，包括形成使數(shù)據(jù)線與柵線交叉限定該像素區(qū)的源極和漏極金屬圖形、第一基板上的源極和漏極，并且暴露半導(dǎo)體圖形的有源層以在源極和漏極之間限定一個(gè)溝道。
26.按照權(quán)利要求25所述的方法，其特征是，所述第三掩模工序還包括將除溝道內(nèi)及其與源極和漏極金屬圖形和柵絕緣層的重疊部位之外的半導(dǎo)體層去除。
27.按照權(quán)利要求26所述的方法，其特征是，所述第三掩模工序包括在第一基板上形成源極和漏極金屬圖形，其包括數(shù)據(jù)線和與源極構(gòu)成整體的漏極；蝕刻通過源極和漏極金屬圖形暴露的半導(dǎo)體層；以及暴露出源極和漏極之間的有源層以限定一個(gè)溝道。
28.按照權(quán)利要求26所述的方法，其特征是，所述第三掩模工序包括在第一基板上形成源極和漏極金屬圖形；在源極和漏極金屬圖形上形成具有不同厚度的光刻膠圖形；采用光刻膠圖形對(duì)源極和漏極金屬圖形構(gòu)圖以形成包括數(shù)據(jù)線和與源極構(gòu)成整體的漏極的源極和漏極金屬圖形；蝕刻通過光刻膠圖形暴露的半導(dǎo)體層；以及通過光刻膠圖形暴露源極和漏極之間的有源層以形成溝道。
29.按照權(quán)利要求25所述的方法，其特征是，所述第三掩模工序還包括形成一個(gè)與柵線重疊的存儲(chǔ)電極以形成存儲(chǔ)電容并且連接到像素電極。
30.按照權(quán)利要求25所述的方法，其特征是半導(dǎo)體層還與存儲(chǔ)電極和柵絕緣層重疊；并且漏極和存儲(chǔ)電極從其半導(dǎo)體層重疊的位置向像素孔突出連接到像素電極。
31.按照權(quán)利要求25所述的方法，其特征是，所述漏極和存儲(chǔ)電極在像素電極上方彼此連接。
32.按照權(quán)利要求25所述的方法，其特征是第一掩模工序還包括形成連接到柵線的下焊盤電極；并且第二掩模工序還包括形成暴露下焊盤電極的接觸孔，并在接觸孔內(nèi)形成連接到下焊盤電極的上焊盤電極。
33.按照權(quán)利要求25所述的方法，其特征是第一掩模工序還包括在第一基板上形成數(shù)據(jù)連接線和連接到數(shù)據(jù)線的下焊盤電極；并且第二掩模工序還包括形成所述第一和第二接觸孔以暴露出下焊盤電極和數(shù)據(jù)連接線，并在相應(yīng)的接觸孔內(nèi)形成連接到下焊盤電極的上焊盤電極和連接到數(shù)據(jù)連接線和數(shù)據(jù)線的接觸電極。
34.按照權(quán)利要求33所述的方法，其特征是，所述上焊盤電極沿著數(shù)據(jù)連接線延伸的第一接觸孔與第二接觸孔成為一體，而所述上焊盤電極與接觸電極成為一體。
35.按照權(quán)利要求33所述的方法，其特征是，所述像素電極，上焊盤電極和接觸電極中至少一個(gè)與包圍相應(yīng)孔的柵絕緣層接界。
36.按照權(quán)利要求33所述的方法，其特征是，在第一基板與第二基板接合時(shí)，數(shù)據(jù)線和接觸電極之間的接觸區(qū)域位于由密封劑密封的區(qū)域內(nèi)。
37.按照權(quán)利要求32所述的方法，其特征是，所述像素電極，上焊盤電極和接觸電極中至少一個(gè)與包圍相應(yīng)孔的柵絕緣層接界。
38.按照權(quán)利要求32所述的方法，其特征是，在第一基板與第二基板接合時(shí)，數(shù)據(jù)線和接觸電極之間的接觸區(qū)域位于由密封劑密封的區(qū)域內(nèi)。
39.按照權(quán)利要求25所述的方法，其特征是，第二掩模工序還包括形成貫穿半導(dǎo)體層和柵絕緣層并且與數(shù)據(jù)線重疊的一個(gè)接觸孔；并且在接觸孔內(nèi)形成連接到數(shù)據(jù)線的焊盤。
40.按照權(quán)利要求39所述的方法，其特征是，所述焊盤與包圍所述孔的柵絕緣層接界。
41.按照權(quán)利要求39所述的方法，其特征是，在第一基板與第二基板接合時(shí)，所述數(shù)據(jù)線位于由密封劑密封的區(qū)域內(nèi)。
42.按照權(quán)利要求25所述的方法，其特征是，第三掩模工序進(jìn)一步包括對(duì)薄膜晶體管的溝道進(jìn)行表面處理使表面層氧化。
43.按照權(quán)利要求26所述的方法，其特征是，所述半導(dǎo)體層和源極/漏極金屬圖形具有階梯形狀。
44.按照權(quán)利要求32所述的方法，其特征是，第二掩模工序包括在半導(dǎo)體層上形成光刻膠圖形；采用光刻膠圖形作為掩模形成像素孔和接觸孔；在光刻膠圖形上形成透明導(dǎo)電薄膜，并且在像素孔和接觸孔內(nèi)形成相應(yīng)的透明導(dǎo)電圖形；并且去除由透明導(dǎo)電薄膜形成的光刻膠圖形。
45.按照權(quán)利要求44所述的方法，其特征是，半導(dǎo)體層和柵絕緣層被過刻蝕，使得像素孔和接觸孔的邊緣位于光刻膠圖形之下。
46.按照權(quán)利要求33所述的方法，其特征是，第二掩模工序還包括在半導(dǎo)體層上形成光刻膠圖形；采用光刻膠圖形作為掩模形成像素孔和接觸孔；在光刻膠圖形上形成透明導(dǎo)電薄膜，并且在像素孔和接觸孔內(nèi)形成相應(yīng)的透明導(dǎo)電圖形；并且去除由透明導(dǎo)電薄膜形成的光刻膠圖形。
47.按照權(quán)利要求46所述的方法，其特征是，半導(dǎo)體層和柵絕緣層被過刻蝕，使得像素孔和接觸孔的邊緣位于光刻膠圖形之下。
48.按照權(quán)利要求39所述的方法，其特征是，第二掩模工序還包括在半導(dǎo)體層上形成光刻膠圖形；采用光刻膠圖形作為掩模形成像素孔和接觸孔；在光刻膠圖形上形成透明導(dǎo)電薄膜，并且在像素孔和接觸孔內(nèi)形成相應(yīng)的透明導(dǎo)電圖形；并且去除用透明導(dǎo)電薄膜形成的光刻膠圖形。
49.按照權(quán)利要求48所述的方法，其特征是，半導(dǎo)體層和柵絕緣層被過刻蝕，使得像素孔和接觸孔的邊緣位于光刻膠圖形之下。
50.按照權(quán)利要求32所述的方法，其特征是，還包括在第一基板上形成保護(hù)膜并在焊盤區(qū)域上具有開口的第四掩模工序。
51.按照權(quán)利要求33所述的方法，其特征是，還包括在第一基板上形成保護(hù)膜并在焊盤區(qū)域上具有開口的第四掩模工序。
52.按照權(quán)利要求39所述的方法，還包括在第一基板上形成一個(gè)保護(hù)膜并在焊盤區(qū)域上具有開口的第四掩模工序。
53.按照權(quán)利要求32所述的方法，其特征是，還包括在第一基板上印刷保護(hù)膜使得在焊盤區(qū)域上具有開口。
54.按照權(quán)利要求33所述的方法，其特征是，還包括在第一基板上印刷保護(hù)膜使得在焊盤區(qū)域上具有開口。
55.按照權(quán)利要求39所述的方法，其特征是，還包括在第一基板上印刷保護(hù)膜并在焊盤區(qū)域上具有開口。
56.按照權(quán)利要求32所述的方法，其特征是，還包括在具有源極和漏極金屬圖形的第一基板上形成保護(hù)膜；在保護(hù)膜上形成一個(gè)定向膜；并且通過采用定向膜作為掩模的蝕刻工序去除具有焊盤的焊盤區(qū)上的保護(hù)膜。
57.按照權(quán)利要求33所述的方法，其特征是，還包括在具有源極和漏極金屬圖形的第一基板上形成保護(hù)膜；在保護(hù)膜上形成一個(gè)定向膜；并且通過采用定向膜作為掩模的蝕刻工序去除具有焊盤的焊盤區(qū)上的保護(hù)膜。
58.按照權(quán)利要求39所述的方法，其特征是，還包括在具有源極和漏極金屬圖形的第一基板上形成保護(hù)膜；在保護(hù)膜上形成一個(gè)定向膜；并且通過采用定向膜作為掩模的蝕刻工序去除具有焊盤的焊盤區(qū)上的保護(hù)膜。
59.按照權(quán)利要求32所述的方法，其特征是，還包括在第一基板上形成保護(hù)膜；采用密封劑粘結(jié)第一和第二基板；并且采用第二基板作為掩模的蝕刻工序去除具有焊盤的焊盤區(qū)上的保護(hù)膜。
60.按照權(quán)利要求所述33的方法，其特征是，還包括在第一基板上形成保護(hù)膜；采用密封劑粘結(jié)第一和第二基板；并且采用第二基板作為掩模的蝕刻工序去除具有焊盤的焊盤區(qū)上的保護(hù)膜。
61.按照權(quán)利要求39所述的方法，其特征是，還包括在第一基板上形成保護(hù)膜；采用密封劑粘結(jié)第一和第二基板；并且采用第二基板作為掩模的蝕刻工序去除具有焊盤的焊盤區(qū)上的保護(hù)膜。
62.按照權(quán)利要求25所述的方法，其特征是，還包括在第一和第二基板之間形成液晶層。
全文摘要
一種液晶顯示器件包括第一和第二基板；第一基板上的柵線；與柵線交叉以限定像素區(qū)的數(shù)據(jù)線，在柵線和數(shù)據(jù)線之間具有柵絕緣層；在貫穿像素區(qū)內(nèi)的柵絕緣層的一個(gè)像素孔內(nèi)由透明導(dǎo)電薄膜形成的像素電極；以及一個(gè)薄膜晶體管，它包括柵極、源極、漏極，以及在源極和漏極之間溝道限定的半導(dǎo)體層，其中的半導(dǎo)體層與包括數(shù)據(jù)線，源極和漏極的源極和漏極金屬圖形重疊；并且其中的漏極從半導(dǎo)體層凸向像素電極的內(nèi)側(cè)以連接到像素電極。
文檔編號(hào)H01L29/786GK1797150SQ20051008018
公開日2006年7月5日 申請(qǐng)日期2005年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月31日
發(fā)明者安炳喆, 林柄昊, 安宰俊 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社