專利名稱：多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體激光裝置，尤其涉及一種能夠降低低輸出半導(dǎo)體激光二極管的工作電流、同時(shí)向高輸出半導(dǎo)體激光二極管提供足夠的共振長(zhǎng)度的多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置。
背景技術(shù)：
通常的半導(dǎo)體激光裝置包括用于電流注入的p型和n型包覆層(clad layer)；和設(shè)置于包覆層之間的活性層，光子的感應(yīng)發(fā)光基本發(fā)生在該層中。由于通常的半導(dǎo)體激光裝置的上包覆層形成為脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)，因而改善了電流注入效率，與此同時(shí)，脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)起到了用作從活性層發(fā)出的光的波導(dǎo)的作用。
近來(lái)隨著CD-RW和DVD-RW的普及，在本技術(shù)領(lǐng)域中需要能夠振蕩兩種或多種不同波長(zhǎng)的激光的多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置。尤其是，包括雙波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置的多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置越來(lái)越多地被用作既能運(yùn)行具有相對(duì)較低數(shù)據(jù)密度的CD播放器、又能運(yùn)行具有相對(duì)較高數(shù)據(jù)密度的DVD播放器的光源。例如，通過(guò)將以780nm發(fā)光的半導(dǎo)體激光二極管(以下簡(jiǎn)稱“LD”)和以650nm發(fā)光的半導(dǎo)體LD集成在單個(gè)襯底上來(lái)制得多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置。在這樣的多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置中，各種波長(zhǎng)的激光的最大輸出是不同的。
根據(jù)傳統(tǒng)的多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置，由于用于各種波長(zhǎng)的光的波導(dǎo)具有直線結(jié)構(gòu)(即，直線形結(jié)構(gòu))，要求低輸出的LD的共振長(zhǎng)度等于要求高輸出的LD的共振長(zhǎng)度。因此，存在的問(wèn)題是，要求低輸出的LD的工作電流會(huì)不可避免地增加。
圖1a和圖1b分別是傳統(tǒng)的多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置的截面圖和平面圖。
參考圖1a和圖1b，傳統(tǒng)的多波長(zhǎng)(在此為雙波長(zhǎng))半導(dǎo)體激光裝置包括形成在同一個(gè)襯底11上的第一LD A和第二LD B。第一LD A和第二LD B通過(guò)裝置隔離區(qū)域I在電學(xué)和光學(xué)上相互隔開(kāi)，并且被設(shè)置成發(fā)射具有不同輸出的第一和第二波長(zhǎng)的光。例如，第一LD由基于AlGaInP的半導(dǎo)體制成，并發(fā)射波長(zhǎng)為650nm的高輸出激光，而第二LD由基于AlGaAs的半導(dǎo)體制成，并發(fā)射波長(zhǎng)為780nm的低輸出激光。
第一LD A包括順序形成在襯底11上的第一導(dǎo)電型包覆層12a、活性層13a、第二導(dǎo)電型上包覆層14a、和蝕刻終止層15a。與第一LD A類似，第二LD B包括順序形成在襯底11上的第一導(dǎo)電型包覆層12b、活性層13b、第二導(dǎo)電型上包覆層14b、和蝕刻終止層15b。另外，第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)30a和第二脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)30b形成在各自的疊層上。第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)30a包括形成在蝕刻終止層15a上的第二導(dǎo)電型上包覆層16a、第二導(dǎo)電型覆蓋層17a和第二導(dǎo)電型接觸層18a。用于阻擋電流分散的電流阻擋層21a形成在第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)30a的周圍。同樣地，第二脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)30b包括形成在蝕刻終止層15b上的第二導(dǎo)電型包覆層16b、第二導(dǎo)電型覆蓋層17b、和第二導(dǎo)電型接觸層18b。用于阻擋電流分散的電流阻擋層21b形成在第二脊結(jié)構(gòu)30b的周圍。
如圖1b所示，第一LD A和第二LD B各自的作為激光的波導(dǎo)的脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)30a和30b具有直線結(jié)構(gòu)。從而，第一LD A和第二LDB具有相同的共振長(zhǎng)度L。此時(shí)，由于的電流密度增加，在高輸出LD中會(huì)發(fā)生如增益飽和及破壞性光學(xué)損害(COD)等不利的現(xiàn)象。為了防止這些現(xiàn)象，高輸出LD(例如，第一LD)要求具有至少600μm的較大共振長(zhǎng)度。然而，如果將第一LD A的大共振長(zhǎng)度L應(yīng)用于低輸出LD(例如，第二LD B)，那么，低輸出LD B不必要的大共振長(zhǎng)度將導(dǎo)致工作電流高于低輸出LD工作所需的工作電流。
而且，當(dāng)增加共振長(zhǎng)度L以阻止在高輸出LD中發(fā)生COD時(shí)，能夠在單個(gè)晶片上制得的多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置的數(shù)量將減少?？紤]到這些問(wèn)題，當(dāng)前采用的是將半導(dǎo)體激光裝置的寬度W減小的方法。但是，由于不論半導(dǎo)體激光裝置的寬度多小，長(zhǎng)度L仍然保持不變，所以無(wú)法非常有效地提高生產(chǎn)率。而且，在后序的步驟中加工余量變差，且由于寬度W小而容易發(fā)生機(jī)械損壞。

發(fā)明內(nèi)容
因此，考慮到以上問(wèn)題提出本發(fā)明，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光二極管，包括集成在單個(gè)襯底上的高輸出LD和低輸出LD，其中，低輸出LD在維持恒定的有效共振長(zhǎng)度的同時(shí)具有減小的工作電流，且裝置的整體尺寸減小，提高了裝置的生產(chǎn)率。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的以上目的，提供了一種多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置，包括襯底，具有被分成第一區(qū)域和第二區(qū)域的頂面；高輸出LD，包括順序形成在襯底的第一區(qū)域上的第一導(dǎo)電型包覆層、活性層、和包括具有第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)的上部的第二導(dǎo)電型包覆層；以及低輸出LD，包括順序形成在襯底的第二區(qū)域上的第一導(dǎo)電型包覆層、活性層、和包括具有第二脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)的上部的第二導(dǎo)電型包覆層，其中，第一和第二脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)以其兩端彼此相對(duì)向兩端延伸的方式形成，第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)在兩個(gè)或多個(gè)彎曲位置彎曲，第二脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)是直線的。
彎曲部分的彎曲角優(yōu)選在20°～160°的范圍內(nèi)。至少一個(gè)彎曲部分的的一側(cè)或兩側(cè)可以是曲線。第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)可以具有由彎曲部分重疊的部分。此時(shí)，重疊部分之間的距離優(yōu)選不小于10μm，以保證當(dāng)形成第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)時(shí)有足夠的加工余量。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在位于高輸出LD中的彎曲部分的外側(cè)的第一導(dǎo)電型包覆層、活性層和第二導(dǎo)電型包覆層中形成有狹長(zhǎng)形狀的反射鏡。在這種情況下，第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)鄰近反射鏡的底面具有比第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)的其他底面更小的寬度?？梢栽讵M長(zhǎng)形狀的反射鏡的橫截面上形成介電膜，以防止空氣氧化或雜質(zhì)入侵。
而且，高輸出LD的第二導(dǎo)電型包覆層包括在第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)下面形成的第二導(dǎo)電型下包覆層和在第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)中形成的第二導(dǎo)電型上包覆層。高輸出LD還可以包括形成在第二導(dǎo)電型下包覆層和上包覆層之間的蝕刻終止層。蝕刻終止層可以形成在第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)的正下方。
本發(fā)明提供了一種改進(jìn)的多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置，它包括集成在同一個(gè)襯底上的高輸出LD和低輸出LD，其中，高輸出LD具有足夠的共振長(zhǎng)度，低輸出LD具有減小的工作電流，并且增加了裝置的集成度，使得裝置的生產(chǎn)率得以提高。為此，高輸出LD的脊?fàn)畈▽?dǎo)在兩個(gè)或多個(gè)彎曲位置彎曲，而低輸出LD的脊?fàn)畈▽?dǎo)是直線形的。


通過(guò)下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，可以更清楚地明白本發(fā)明的上述各種目的、特征和其他優(yōu)勢(shì)，在附圖中圖1a和圖1b分別是傳統(tǒng)多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置的截面圖和平面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置的平面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置的平面圖；圖4a和圖4b分別是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體激光裝置的局部透視圖和局部平面圖；圖5a和圖5b分別是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體激光裝置的局部透視圖和局部平面圖；以及圖6a和圖6b分別是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體激光裝置的局部透視圖和局部平面圖。
具體實(shí)施例方式
以下將參考附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。然而，可以容易地對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作出多種修改，并且本發(fā)明的范圍不局限于以下實(shí)施例。提供這些實(shí)施例是為了使本技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明。在附圖中，為了清楚的目的，元件的形狀和尺寸被放大，并且，相同的元件即使在不同的附圖中描繪，也使用相同的附圖標(biāo)號(hào)表示。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的雙波長(zhǎng)半導(dǎo)體裝置的平面圖。參考圖2，左區(qū)域和右區(qū)域分別對(duì)應(yīng)于高輸出LD和低輸出LD。高輸出LD中形成了在兩個(gè)彎曲位置處彎曲的脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130a，低輸出LD中直線形成有不具有彎曲部分的脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130b(即，脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130b是直線形的)。因此，高輸出LD的脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130a的長(zhǎng)度大于低輸出LD的脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130b的長(zhǎng)度。由于脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130a和130b用作從下面的活性層發(fā)射的激光的波導(dǎo)，因而脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度與各個(gè)半導(dǎo)體激光二極管的共振長(zhǎng)度一致。從而，高輸出LD的共振長(zhǎng)度大于低輸出LD的共振長(zhǎng)度。
高輸出LD的脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130a在彎曲部分之間的彎曲角優(yōu)選為20°至160°。當(dāng)彎曲角小于20°時(shí)，很難確保高輸出LD有足夠的共振長(zhǎng)度。同時(shí)，當(dāng)彎曲角大于160°時(shí)，不利的是，無(wú)法確保用于精確形成脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130a的圖樣的加工余量(process margin)。彎曲部分可以在一側(cè)或兩側(cè)以恒定曲率彎曲。
如圖2所示，因?yàn)楦咻敵鯨D的脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130a有兩個(gè)彎曲部分，所以高輸出LD的共振長(zhǎng)度可以足夠大，并且高輸出操作過(guò)程中產(chǎn)生的如COD的問(wèn)題可以被解決。相反，低輸出LD的脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130b直線形成而沒(méi)有任何彎曲部分，所以可將其設(shè)計(jì)成具有最佳共振長(zhǎng)度。從而，直線脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130b降低了低輸出LD的工作電流。
而且，因?yàn)楦咻敵鯨D的脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130a是彎曲的，所以半導(dǎo)體激光裝置的整個(gè)長(zhǎng)度L1很小。即，可以充分地保證高輸出操作所需的高輸出LD的共振長(zhǎng)度，同時(shí)，與傳統(tǒng)半導(dǎo)體激光裝置相比，半導(dǎo)體激光裝置的整體長(zhǎng)度可以被顯著地減小。從而，每個(gè)單位晶片上生產(chǎn)的裝置的數(shù)量增加。而且，因?yàn)椴恍枰獪p少單位LD的寬度W1即可以實(shí)現(xiàn)足夠的裝置產(chǎn)量，所以可以防止傳統(tǒng)半導(dǎo)體激光裝置中加工余量變差的問(wèn)題。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置的平面圖。除了高輸出LD的脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)131a具有由彎曲部分重疊的部分以外，圖3所示的多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置與圖2所示的相同。低輸出LD的脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)131b是直線的，但是脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)131a具有兩個(gè)或多個(gè)彎曲部分。從而，半導(dǎo)體激光裝置可以減小低輸出LD的工作電流，同時(shí)保證足夠的高輸出LD的共振長(zhǎng)度。另外，因?yàn)榘雽?dǎo)體激光裝置可以減小裝置的整個(gè)長(zhǎng)度L2而不用減小裝置的寬度W2，所以它可以阻止加工余量的劣化，從而提高了裝置的生產(chǎn)率。
然而，如圖3所示，由于高輸出LD的脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)131a具有由彎曲部分重疊的部分，因而重疊部分之間的距離可能會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題。即，當(dāng)距離M太小時(shí)，實(shí)現(xiàn)小距離的工藝非常困難，當(dāng)使脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)圖案化時(shí)無(wú)法保證足夠的加工余量，且不能完成精確的蝕刻?？紤]到這些困難，距離M優(yōu)選設(shè)置為10μm或更大。
圖4a和圖4b分別是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體激光裝置的局部透視圖和局部平面圖。圖4a和圖4b示出了在高輸出LD的脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)中形成的彎曲部分的基本形狀。
參考圖4a，n型(第一導(dǎo)電型)包覆層12、活性層13、p型(第二導(dǎo)電型)下包覆層14和蝕刻終止層15順序形成在襯底11上。具有兩個(gè)彎曲部分的脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130a形成在疊層上。P型(第二導(dǎo)電型)上包覆層包括在脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130a中。蝕刻終止層15存在于除了脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130a正下方的區(qū)域以外的其他區(qū)域中。當(dāng)蝕刻形成脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130a時(shí)，可能除去蝕刻終止層15，只留下脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130a正下方的區(qū)域。
在半導(dǎo)體激光裝置的另一實(shí)施例中，通過(guò)干法蝕刻在高輸出LD的脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130a的外側(cè)形成狹長(zhǎng)形狀的反射鏡。反射鏡有助于在彎曲位置反射的激光沿脊?fàn)畈▽?dǎo)傳播。
圖5a和圖5b分別是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的雙波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置的局部透視圖和局部平面圖。參考圖5a和圖5b，狹長(zhǎng)形狀的反射鏡40形成在高輸出LD的脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130a的外側(cè)。具體來(lái)說(shuō)，通過(guò)選擇性地干蝕刻位于脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130a外側(cè)的蝕刻終止層15、p型下包覆層14a、活性層12和n型包覆層11來(lái)形成反射鏡40。
形成在彎曲部分的外側(cè)的狹長(zhǎng)形反射鏡40能夠使激光沿著脊?fàn)畈▽?dǎo)在彎曲部分更精確地反射。反射鏡40的這個(gè)功能與以恒定角度反射和彎曲傳播路徑的玻璃鏡的功能相同。因此，可以這樣設(shè)計(jì)反射鏡40，使反射鏡40的位置和形狀與能夠反射沿著位于彎曲位置上的脊?fàn)畈▽?dǎo)傳播的激光的玻璃鏡的位置和形狀相同。如圖5b所示，反射鏡40位于彎曲部分的外側(cè)，與連接到各個(gè)彎曲部分的直線形成相同的角度，并且具有延伸的矩形狹長(zhǎng)形狀。
形成反射鏡40后，由反射鏡40暴露的橫截面部分，即，蝕刻終止層15、p型下包覆層14、活性層13、和n型包覆層14的部分可能在空氣中被氧化或被雜質(zhì)入侵。由于這些原因，可以在反射鏡40的橫截面上形成介電薄膜來(lái)解決這些問(wèn)題，并保護(hù)反射鏡40的橫截面。
圖6a和圖6b分別是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體激光裝置的局部透視圖和局部平面圖。除了第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)鄰近反射鏡41的底面的寬度小于第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)的其他底面外，圖6a和圖6b中示出的半導(dǎo)體激光裝置具有與圖5a和圖5b所示的相同的結(jié)構(gòu)。因此，狹長(zhǎng)形狀的反射鏡41在一個(gè)彎曲部分的外側(cè)、鄰近一個(gè)彎曲部分的位置上形成。另外，在反射鏡41的橫截面上形成介電薄膜以防止橫截面在空氣中氧化并抑制雜質(zhì)入侵。
圖6a和圖6b中所示的半導(dǎo)體激光裝置的特征在于，脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130鄰近反射鏡41的底面的寬度小于脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)130的其他底面的寬度。為此，當(dāng)蝕刻形成反射鏡41時(shí)，沿著蝕刻終止層15、p型下包覆層14、活性層13、和n型包覆層12蝕刻脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)的彎曲部分的一部分。這樣，當(dāng)在彎曲部分的外側(cè)圖案化形成反射鏡41時(shí)，可以更加穩(wěn)定地保證加工余量。
雖然本文中已經(jīng)參考前述實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求限定，從而，本領(lǐng)域中的技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離所附權(quán)利要求中披露的本發(fā)明的技術(shù)精神的情況下，可以進(jìn)行各種替換、修改和變化。
從以上描述可以明顯看出，本發(fā)明提供了包括集成在同一個(gè)襯底上的高輸出LD和低輸出LD的多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置，其中，高輸出LD的脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)具有兩個(gè)或多個(gè)彎曲部分，低輸出LD的脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)是直線形的。根據(jù)本發(fā)明的多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置，可以為高輸出LD提供足夠的共振長(zhǎng)度，以抑制過(guò)量的電流密度，并可以降低低輸出LD的工作電流。
另外，根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)樵诰S持高輸出LD和低輸出LD的恒定有效共振長(zhǎng)度的同時(shí)，可以減小裝置的尺寸，所以每個(gè)單位晶片可以生產(chǎn)出的裝置的數(shù)量得以增加，從而提高了生產(chǎn)率。
權(quán)利要求
1.一種多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光裝置，包括襯底，具有被分成第一區(qū)域和第二區(qū)域的頂面；高輸出LD，包括順序形成在所述襯底的所述第一區(qū)域上的第一導(dǎo)電型包覆層、活性層、和第二導(dǎo)電型包覆層，其中，所述第二導(dǎo)電型包覆層包括具有第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)的上部；以及低輸出LD，包括順序形成在所述襯底的所述第二區(qū)域上的第一導(dǎo)電型包覆層、活性層、和第二導(dǎo)電型包覆層，其中，所述第二導(dǎo)電型包覆層包括具有第二脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)的上部，其中，所述第一和第二脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)是以向彼此相對(duì)的兩端延伸的方式形成，所述第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)在兩個(gè)或更多個(gè)彎曲位置彎曲，而所述第二脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)是直線形的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)的彎曲部分形成的角度為20°至60°。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，至少一個(gè)彎曲部分的一側(cè)或兩側(cè)是曲線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)具有由彎曲部分重疊的部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述重疊部分之間的距離不小于10μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，還包括狹長(zhǎng)形狀的反射鏡，形成在位于所述高輸出LD中的彎曲部分的外側(cè)的所述第一導(dǎo)電型包覆層、所述活性層和所述第二導(dǎo)電型包覆層中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)鄰近所述反射鏡的底面的寬度小于所述第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)的其他底面的寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述反射鏡的橫截面上形成有介電薄膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述高輸出LD的所述第二導(dǎo)電型包覆層包括形成在所述第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)下面的第二導(dǎo)電型下包覆層和形成在所述第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)中的第二導(dǎo)電型上包覆層；以及，所述高輸出LD還包括形成在所述第二導(dǎo)電型下包覆層和上包覆層之間的蝕刻終止層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，所述蝕刻終止層僅在所述第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)正下方形成。
全文摘要
一種半導(dǎo)體激光裝置，包括襯底，具有被分成第一區(qū)域和第二區(qū)域的頂面；高輸出LD，包括順序形成在襯底的第一區(qū)域上的第一導(dǎo)電型包覆層、活性層和包括具有第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)的上部的第二導(dǎo)電型包覆層；以及低輸出LD，包括順序形成在襯底的第二區(qū)域上的第一導(dǎo)電型包覆層、活性層和包括具有第二脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)的上部的第二導(dǎo)電型包覆層，其中，第一和第二脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)是以向彼此相對(duì)的兩端延伸的方式形成的，第一脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)在兩個(gè)或多個(gè)彎曲位置彎曲，并且第二脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)是直線形的。
文檔編號(hào)H01S5/026GK1767285SQ20051008001
公開(kāi)日2006年5月3日 申請(qǐng)日期2005年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月29日
發(fā)明者樸鐘翼, 金裕承, 文基愿, 吳蕙蘭 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社