專利名稱：藥液的評估方法、鑒定方法及半導體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導體制造工序中使用的藥液的評估方法、藥液的鑒定方法以及半導體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
液體的質(zhì)量保證是通過對液體中顆粒的尺寸及其數(shù)量進行控制來實現(xiàn)的。顆粒的尺寸及其數(shù)量，可以用液體中顆粒計數(shù)器來進行測量(計測)(參見日本特開平9-2739987號公報)。液體中顆粒計數(shù)器可以對尺寸位于一定范圍內(nèi)的顆粒的數(shù)量進行測量。然而，對液體中的微小顆粒進行測量是非常困難的。由此，對于液體中存在的所有尺寸的顆粒來說，想要測量其數(shù)量是很不容易的。
表1是表示液體的質(zhì)量保證的數(shù)表的一個例子。由于這是抗蝕劑制造者制成的，所以顯示的是抗蝕劑溶液的質(zhì)量保證。
表1

在表1中表示出了對3種批號抗蝕劑的顆粒數(shù)量的測量值。通常，液體的質(zhì)量保證，如表1所示，對多個顆粒尺寸范圍(在表1中是大于等于0.2微米并小于0.3微米以及大于等于0.3微米的兩個范圍)，規(guī)定其允許的顆粒數(shù)量(允許個數(shù))。在表1中給出的實例中，大于等于0.2微米并小于0.3微米的顆粒數(shù)量可以允許達到10個，大于等于0.3微米的顆粒數(shù)量允許到達2個。
抗蝕劑制造者可以基于表1，選擇可以進行出售的批編號。表1表明，批編號1和批編號2的溶液對于兩個顆粒尺寸范圍的任何一個，其測量得到的顆粒數(shù)量(測量個數(shù))都在允許個數(shù)之內(nèi)，而批編號3的溶液則超過了允許個數(shù)。因此，在溶液合格與否的判斷結(jié)果中，批編號1和批編號2的溶液是良，批編號3的溶液是不良，所以可以出售批編號為1和批編號為2的抗蝕劑溶液。
用戶可以從抗蝕劑制造者那里購入如上判斷結(jié)果為良的抗蝕劑溶液。然而，即使使用的是判斷為良的抗蝕劑溶液，也很難保證總是能夠大幅度降低抗蝕圖形上的缺陷，比如說短路類的缺陷和開口類的缺陷等等。對于含有低電介質(zhì)材料的溶液，含有強電介質(zhì)材料的溶液等的其他藥液也存在同樣的問題。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明一個方面提供的一種藥液的評估方法，可以包括通過測量方式求出關(guān)于液體中的粒子的與每種上述粒子的大小相對應(yīng)的粒子數(shù)量；基于用上述測量方式求出的與每種上述粒子的大小相對應(yīng)的粒子數(shù)量，用函數(shù)表現(xiàn)上述液體中的粒子的大小和與上述大小對應(yīng)的粒子數(shù)量之間的關(guān)系；以及基于上述函數(shù)來評估在上述液體中的粒子中其大小在測量限度以下的粒子的影響。
根據(jù)本發(fā)明一個方面提供的一種藥液的鑒定方法，可以包括通過測量方式求出關(guān)于液體中的粒子的與每種上述粒子的大小相對應(yīng)的粒子數(shù)量；基于用上述測量方式求出的與每種上述粒子的大小相對應(yīng)的粒子數(shù)量，用函數(shù)表現(xiàn)上述液體中的粒子的大小和與上述大小對應(yīng)的粒子數(shù)量之間的關(guān)系；基于上述函數(shù)來評估在上述液體中的粒子中其大小在測量限度以下的粒子的影響，判斷上述液體的良好與否(合格與否)；以及通過對上述液體的良好與否的判斷，對于判斷上述液體為良(良好)的場合，鑒定上述液體作為藥液使用。
根據(jù)本發(fā)明一個方面提供的一種藥液的鑒定方法，可以包括利用液體中顆粒計數(shù)器，求出關(guān)于液體中的粒子的與每種上述粒子的大小相對應(yīng)的粒子數(shù)量；用指數(shù)函數(shù)或者冪函數(shù)來表示上述(微)粒子的大小和與其對應(yīng)的粒子數(shù)量之間的關(guān)系；將上述指數(shù)函數(shù)的系數(shù)以及上述冪函數(shù)的冪中的至少一個和預(yù)定值進行比較；以及通過將上述指數(shù)函數(shù)的系數(shù)以及上述冪函數(shù)的冪中的至少一個和預(yù)定值進行的比較，在上述系數(shù)小于預(yù)定值的場合，鑒定上述液體為作為在規(guī)定的半導體制造工序中使用的藥液。
根據(jù)本發(fā)明一個方面提供的一種半導體裝置的制造方法，可以包括通過將根據(jù)本發(fā)明一個方面提供的該藥液的鑒定方法所鑒定的能夠作為藥液使用的抗蝕劑溶液涂敷在被處理基板上，以形成抗蝕膜；對上述抗蝕膜的一部分進行選擇性的曝光；以及通過對上述一部分進行了選擇性曝光的上述抗蝕膜進行顯影，形成抗蝕圖形。
根據(jù)本發(fā)明一個方面提供的一種半導體裝置的制造方法，可以包括在被處理基板上形成包括開口區(qū)域的抗蝕圖形；以及通過將根據(jù)本發(fā)明一個方面提供的該藥液的鑒定方法鑒定的能夠作為藥液使用的開口區(qū)域縮小材料溶液涂敷在上述抗蝕圖形上，使上述開口區(qū)域縮小材料溶液和上述抗蝕圖形發(fā)生反應(yīng)，縮小上述抗蝕圖形的上述開口區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明一個方面提供的一種半導體裝置的制造方法，可以包括通過將根據(jù)本發(fā)明一個方面提供的該藥液的鑒定方法所鑒定的能夠作為藥液使用的含有低電介質(zhì)材料的溶液涂敷在被處理基板上，形成低電介質(zhì)涂敷膜；在上述低電介質(zhì)涂敷膜上，通過光刻處理，形成掩膜圖形；以及通過用上述掩膜圖形作為掩膜對上述低電介質(zhì)涂敷膜進行選擇性的蝕刻，形成低電介質(zhì)圖形。
根據(jù)本發(fā)明一個方面提供的一種半導體裝置的制造方法，可以包括通過將根據(jù)本發(fā)明一個方面提供的該藥液的鑒定方法所鑒定的能夠作為藥液使用的含有強電介質(zhì)材料的溶液涂敷在被處理基板上，形成強電介質(zhì)涂敷膜；在上述強電介質(zhì)涂敷膜上，通過光刻處理形成掩膜圖形；以及通過用上述掩膜圖形作為掩膜對上述強電介質(zhì)涂敷膜進行選擇性的蝕刻，形成強電介質(zhì)圖形。


圖1是表示抗蝕劑溶液中的顆粒尺寸和個數(shù)的測量結(jié)果以及預(yù)測結(jié)果的示意圖；圖2是表示晶片上的缺陷數(shù)量和指數(shù)函數(shù)的冪(冪數(shù)，ベき數(shù))之間的關(guān)系的示意圖；圖3是表示晶片上的缺陷數(shù)量和冪函數(shù)的冪之間的關(guān)系的示意圖；圖4A～4D是表示作為第1實施例的半導體裝置的制造方法的截面圖；圖5A～5C是表示作為第2實施例的半導體裝置的制造方法的截面圖；圖6是表示作為第2實施例的半導體裝置的制造方法的變形例的截面圖；圖7A～7C是表示作為第3實施例的半導體裝置的制造方法的截面圖；圖8A～8C是表示作為第4實施例的半導體裝置的制造方法的截面圖。
具體實施例方式
下面，參照附圖對本發(fā)明的實施例進行說明。
(第1實施例)本發(fā)明的發(fā)明人用與表1所示的批編號1～3相同的抗蝕劑溶液制成抗蝕圖形?？刮g圖形用如下的方法制成。
在晶片上涂敷抗蝕劑溶液形成涂敷膜，接著對上述涂敷膜進行曝光處理，然后對進行了該曝光處理后的涂敷膜進行顯影處理，通過該方法，制成抗蝕圖形。
在測量各個抗蝕膜上每1cm2大小處的缺陷數(shù)量(缺陷密度)的同時，求出可以允許的缺陷密度。該結(jié)果在表2中示出。而且，上述缺陷密度的測量，可以采用公知的光學測量方法進行。
表2

在表2中，對于批編號1和批編號3的場合，測量得到的缺陷密度(測量缺陷密度)沒有達到允許缺陷密度，但是批編號2的場合卻超過了允許缺陷密度。因此，在晶片合格與否的判斷結(jié)果中，批編號1和批編號3的場合是良，批編號2的場合是不良。另一方面，在表1中如上所述批編號1和批編號2的場合是良，批編號3的場合是不良。換句話說，對于抗蝕劑制造者一方判斷為良的批編號2，用戶一方的判斷結(jié)果為不良，由此可以看出兩者的判斷結(jié)果不一致。
如這個例子所示，在抗蝕劑制造者一方進行的溶液合格與否判斷中判斷為良的批編號、和用戶一方進行的晶片合格與否判斷中判斷為良的批編號不相一致的場合，抗蝕劑制造者一方需要作出相當大的賠償，另一方面，用戶一方也會產(chǎn)生很大的損失。
本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，小于0.2微米的顆粒的影響，也就是說超過液體顆粒計數(shù)器等測量儀器(計測儀器)的測量極限(能夠測量的最小微粒直徑)的微小顆粒，是造成即使使用抗蝕劑制造者一方判斷為良的抗蝕劑溶液，也不一定能夠大幅度降低抗蝕圖形上的缺陷的原因。下面，對以此為背景的實施例進行說明。
本實施例的藥液的鑒定方法包括采用液體中顆粒計數(shù)器，求出關(guān)于液體中的粒子的每種上述粒子大小(對應(yīng))的粒子數(shù)量的工序；用指數(shù)函數(shù)或者冪函數(shù)來表示上述微粒子的大小和與其對應(yīng)的粒子數(shù)量之間的關(guān)系的函數(shù)表示工序；將上述指數(shù)函數(shù)的系數(shù)以及上述冪函數(shù)的冪中的至少一個系數(shù)和預(yù)定值進行比較的比較工序；以及在上述比較工序中，對于上述系數(shù)小于預(yù)定值的場合，鑒定上述液體為在預(yù)定的半導體制造工序中使用的藥液的鑒定工序。
這里所用的指數(shù)函數(shù)可以用下述公式表示。
P＝P0+Ae-Zα(公式1)而且，冪函數(shù)可以用下述公式表示。
P＝P0’+A’Z-α’(公式2)其中，Z是顆粒的大小(粒子尺寸)，P是顆粒的個數(shù)(粒子數(shù)量)，A以及A’是系數(shù)，α(在實施例中是指數(shù)函數(shù)的冪)、α’是冪。
上述藥液的鑒定方法，不是基于特定大小的微粒數(shù)量來判斷藥液的良好與否，而是通過將微粒數(shù)量用公式1、公式2那樣的微粒尺寸的指數(shù)函數(shù)或者冪函數(shù)來表示的方式，先進行從微小尺寸到大尺寸的粒子數(shù)量的預(yù)測，然后再用表示粒子數(shù)量相對粒子尺寸的變化率的指數(shù)函數(shù)或者冪函數(shù)的系數(shù)以及冪α或α’來進行判斷。
換句話說就是，可以通過根據(jù)位于可以測量區(qū)域(用測量裝置可以測量的范圍)的微粒的大小和與其對應(yīng)的微粒數(shù)量，用相對粒子尺寸的粒子數(shù)量的變化率，對位于不可測量的區(qū)域的粒子數(shù)量進行預(yù)測的方式，提高對藥液合格與否的判斷精度。
由于α(或者α’)大的場合粒子的增加率就大，所以隨著粒子尺寸變小粒子數(shù)量也會變多，從而會在晶片上出現(xiàn)較多缺陷。
另一方面、由于α(或者α’)小的場合粒子的增加率就小，所以即使粒子尺寸減小粒子數(shù)量也不會有比較多的增加，因此在晶片上也幾乎不會產(chǎn)生缺陷。
下面，對本實施例進行進一步說明。
這里，對在ArF抗蝕處理中使用的ArF抗蝕劑溶液的鑒定方法進行具體的說明。
首先，相對制作90nmL/S圖形、110nm孔圖形(ホ-ルパタ-ン)、90nm孤立圖形所使用的各種抗蝕劑溶液，采用液體中顆粒計數(shù)器(可以測量的最小微粒直徑＝0.15微米)，來獲取液體中的微粒尺寸和微粒數(shù)量之間的關(guān)系。
按照使微粒尺寸為0.15～0.17微米、0.17～0.19微米、……、等等，以0.02微米為單位，測量各個范圍內(nèi)的微粒數(shù)量。
圖1是表示采用液體中顆粒計數(shù)器測量得到的與抗蝕劑溶液中的顆粒尺寸對應(yīng)的顆粒個數(shù)的測量結(jié)果，以及通過公式(1)對該測量結(jié)果實施擬合，對小于可以測量的最小微粒直徑的微粒數(shù)量進行預(yù)測的預(yù)測結(jié)果的示意圖。在圖1中，空白色圓圈○表示上述測量結(jié)果(實測值)。實線表示包括著上述預(yù)測結(jié)果的、表示顆粒尺寸與顆粒數(shù)量的關(guān)系的函數(shù)。該函數(shù)是y＝0.2+87.272e-19.246X(y是顆粒的個數(shù)、x是顆粒的尺寸)。
上述抗蝕劑溶液的冪是α＝19.245，此時的相關(guān)系數(shù)R2＝0.9979，具有非常良好的擬合精度。
采用這種方式，對各種抗蝕劑溶液依次進行冪α的計算。而且，在擬合的時候可以對(公式1)的A進行適當?shù)母淖?，以使得R2為0.99(相當于對液體中顆粒進行基線校正的操作)。
接著，利用這些抗蝕劑溶液在晶片(被處理基板)上形成抗蝕圖形?？刮g圖形可以按照如下的方式形成。首先，在Si基板上形成用于防止在曝光的時候進行反射的反射防止膜。接著，在反射防止膜上形成抗蝕膜。隨后，進行與各抗蝕膜的用途相匹配的圖形轉(zhuǎn)印，通過顯影的方法得到抗蝕圖形。在顯影之后充分進行漂洗處理，以避免產(chǎn)生該處理引起的缺陷。
接著，對形成抗蝕圖形的晶片分別進行缺陷檢查。對檢測出的缺陷進一步進行分類，確定可視為由抗蝕劑材料引起的缺陷，按圖形面積求出每1cm2的缺陷數(shù)量n。
按照這種方式求出的缺陷數(shù)量n和依據(jù)制作中使用的抗蝕劑溶液中顆粒的測量值而計算出的α之間的關(guān)系，表示在圖2中。根據(jù)圖2可以發(fā)現(xiàn)，表示抗蝕劑溶液中顆粒的數(shù)量的冪α(x軸)和每單位面積的缺陷數(shù)量(y軸)之間具有良好的關(guān)系(2次式)。
這里給出的曲線沒有按照抗蝕劑的用途區(qū)別來描繪，而且描述的是溶液過濾(溶液提煉中使用的過濾器和溶液提煉方法)不同時的各種情況。也就是說，圖2表明，只要是樹脂類中同類的材料，可以采用幾乎不依賴感光劑、溶解抑制基的種類和其比率的一種關(guān)系來進行表示。
相對器件(設(shè)備)允許的每單位面積的抗蝕膜缺陷個數(shù)，可以用圖2所示的關(guān)系，確定出在抗蝕劑溶液中需要的冪α的值，采用這種方式，在選擇抗蝕劑溶液的階段就可以容易地判斷其是否適于器件制作。
下面，對于每單位面積允許的抗蝕膜缺陷個數(shù)＜0.5個/cm2的器件的適用例子進行說明。
根據(jù)圖2可知，對上述器件可以適用的抗蝕劑溶液的冪α為α≤24。另一方面，不采用這種手法進行控制的場合中的檢測基準為0.15～0.18微米、0.18～0.20微米的微粒數(shù)量分別是小于等于40個/ml、20個/ml。
采用按照在先技術(shù)位于規(guī)格內(nèi)外以及按照本實施例位于規(guī)格內(nèi)外的抗蝕劑溶液，實施圖形成形時的晶片上的缺陷數(shù)量以及合格與否，在表3中列出。
表3

根據(jù)表3可知如下內(nèi)容。首先，相對于使用抗蝕劑A、C時的晶片檢測是不合格的，按照在先技術(shù)進行藥液檢測時的結(jié)果是合格的，從中可以看出在先技術(shù)對晶片缺陷的預(yù)測是不充分的。與此相對的是，采用本實施例進行的合格與否判斷的結(jié)果是不合格，這與晶片檢測結(jié)果是一致的。
另一方面，使用抗蝕劑E時的晶片檢測是合格的，然而按照在先技術(shù)進行藥液檢測時的結(jié)果是不合格的，從中可以看出在先技術(shù)對晶片缺陷的預(yù)測是不充分的。與此相對的是，采用本實施例進行的合格與否判斷的結(jié)果是合格的，其與晶片檢測結(jié)果是一致的。
上述結(jié)果表明，在采用在先技術(shù)的方法時，會出現(xiàn)因為使用晶片檢測結(jié)果為不合格的抗蝕劑藥液而降低生產(chǎn)率，或者沒有使用晶片檢測結(jié)果為合格的抗蝕劑藥液等而產(chǎn)生浪費等問題。
與此相對的是，采用本實施例，可以使藥液檢測結(jié)果與晶片檢測結(jié)果非常一致，從而可知這是一種具有不會出現(xiàn)使用預(yù)先未檢測出的不良藥液而降低生產(chǎn)率，且不會導致合格藥品被淘汰的異的判斷基準的檢測方法。
通過使用采用這種方式判斷為合格的藥液，可以避免由于藥液判斷失誤導致的生產(chǎn)率的下降，從而可以采用不會出現(xiàn)合格藥品被淘汰的高生產(chǎn)率來形成抗蝕圖形，得到高可靠性的半導體元件。
作為包括縮小采用本實施例的方法形成的抗蝕圖形的開口區(qū)域的工序的半導體裝置的制造方法，可以是如下所述的方法。
首先如圖4A所示，在晶片11上形成包括開口區(qū)域13的抗蝕圖形12。
接著如圖4B所示，在晶片11以及抗蝕圖形12上涂敷包含有開口區(qū)域縮小材料的藥液14，以便如圖4C所示，通過使包含有上述開口區(qū)域縮小材料的藥液14和抗蝕圖形12發(fā)生反應(yīng)，縮小開口區(qū)域13，形成開口區(qū)域13’。
隨后如圖4D所示，除去未參與和抗蝕圖形12之間的反應(yīng)的開口區(qū)域縮小材料。
在這樣的開口區(qū)域縮小方法中，通過將本實施例的鑒定方法適用于包含有上述開口區(qū)域縮小材料的藥液14，能夠使抗蝕圖形12的開口區(qū)域按照所期望的方式縮小。采用這種方式，可以在高可靠性條件下形成更微細的圖形。具體而言，可以形成細微孔圖形以及間隔圖形，從而可以大幅度改善在接觸孔形成工序和間隔圖形中埋設(shè)布線工序中的開口不良現(xiàn)象的出現(xiàn)。
如果舉例來說，上述包含有開口區(qū)域縮小材料的藥液，可以采用東京應(yīng)化工業(yè)的專利3485183、3485182、3476082、3476081、3476080號等等所記述的圖形微細化用覆蓋形成材料以及在圖形微細化用覆蓋形成處理中使用的材料，和由クラリアント公司所公開的Resolution EnhancementLithography Assisted by Chemical Shrink材料(也被稱為RELACS材料)。
圖1中的具體實例，表示的是擬合公式采用如(公式1)示出的指數(shù)函數(shù)時的例子，然而也可以使用如(公式2)所示的冪函數(shù)。對于該場合，與圖2相當?shù)膱D，可以形成為如圖3所示那樣的圖。對于使用冪函數(shù)的場合，也可以由器件允許的抗蝕膜缺陷密度求出冪α’的上限(α’ulimit)，首先使用液體中顆粒計數(shù)器對在處理中使用的藥液進行測量，選擇根據(jù)測量值求出的冪α’比α’ulimit小的藥液在處理中使用，從而也能夠保持高生產(chǎn)率。此外，還可以使用除了指數(shù)函數(shù)以及冪函數(shù)之外的函數(shù)。
在本實施例中使用的液體中顆粒計數(shù)器，只要是一種能夠測量液體中的微粒的裝置，本發(fā)明對其并沒有特別的限定。如果舉例來說，可以是具有能夠利用基于Mie散射的檢測結(jié)果的分析方法來實施計算處理的機構(gòu)的裝置，也可以是具有能夠利用多普勒效果的分析方法來實施計算處理的機構(gòu)的裝置。
(第2實施例)圖5A～5C是表示第2實施例的半導體裝置的制造方法的截面圖。
本實施例的半導體裝置的制造方法包括將采用第1實施例提供的方式鑒定為能夠作為藥液使用的抗蝕劑溶液涂敷在晶片(被處理基板)21上，形成抗蝕膜22(第1涂敷膜)的工序(圖5A)；對抗蝕膜22的一部分22’進行選擇性曝光的工序(圖5B)；以及對抗蝕膜22進行顯影，形成抗蝕圖形22p(圖5C)的工序。晶片21上包含有作為諸如被加工對象的絕緣膜和導電膜。
在對一部分實施選擇性曝光后的抗蝕膜22進行顯影而形成抗蝕圖形22p的工序中，可以除去抗蝕膜22中進行了選擇性曝光的部分，也可以除去沒有進行選擇性曝光的部分，以形成抗蝕圖形。圖5C是表示按前一方式實施時的例子。
如果采用本實施例，可以在幾乎完全不會形成短路(抗蝕圖形連接)和開口不良等缺陷的狀態(tài)下形成抗蝕圖形，進而可以大大提高通過掩膜加工方式形成抗蝕圖形的絕緣膜和布線的可靠性。
在此，在抗蝕膜22的曝光中使用的光束(曝光光束)可以為紫外(UV)線、遠紫外(DUV)線、真空紫外(VUV)線、諸如EUV等的X光線、諸如電子射線和離子光束等的帶電粒子射線等等?？刮g膜22的材料可以為能夠使用被上述曝光光線感光的任何材料。
而且，對抗蝕膜22實施的去除，可以通過采用諸如堿性顯影液、有機顯影液等的濕式顯影方式，或是采用反應(yīng)性離子的蝕刻方式等等實施。
此外，對于在抗蝕膜22和晶片21之間設(shè)置有反射防止膜和導電膜的場合，含有反射防止材料的溶液和含有導電材料的溶液最好也采用經(jīng)第1實施例鑒定的藥液。類似地，對于在抗蝕膜22上設(shè)置有反射防止膜和導電膜的場合，含有反射防止材料的溶液和含有導電材料的溶液最好也采用經(jīng)第1實施例鑒定的藥液。
而且如圖6所示，對于在抗蝕圖形22p形成之后，在抗蝕圖形22p上形成第2涂敷膜23的場合，含有第2涂敷膜材料的溶液最好也采用經(jīng)過第1實施例提供的方式所鑒定過的藥液。
(第3實施例)圖7A～7C是表示作為第3實施例的半導體裝置的制造方法的截面圖。
第3實施例的半導體裝置的制造方法包括將采用第1實施例鑒定為能夠作為藥液使用的含有低電介質(zhì)材料的溶液涂敷在晶片(被處理基板)31上以形成低電介質(zhì)涂敷膜32的工序(圖7A)；在低電介質(zhì)涂敷膜32上，通過光刻處理形成掩膜圖形33的工序(圖7B)；以及將掩膜圖形33作為掩膜，對低電介質(zhì)涂敷膜32進行選擇性的蝕刻，來形成低電介質(zhì)圖形32P的工序(圖7C)。
如果采用本實施例，可以在幾乎完全不會產(chǎn)生開路(絕緣膜連接)和開口不良的缺陷和絕緣性能低下等缺陷的狀態(tài)下形成低電介質(zhì)圖形32P(絕緣膜圖形)，進而可以制成具有高可靠性的半導體器件。
(第4實施例)圖8A～8C是表示作為第4實施例的半導體裝置的制造方法的截面圖。
第4實施例的半導體裝置的制造方法包括將采用由第1實施例鑒定為能夠作為藥液使用的含有強電介質(zhì)材料的溶液涂敷在晶片(被處理基板)41上，以形成強電介質(zhì)涂敷膜42的工序(圖8A)；在強電介質(zhì)涂敷膜42上，通過光刻處理形成掩膜圖形43的工序；以及將掩膜圖形43作為掩膜，對強電介質(zhì)涂敷膜42進行選擇性的蝕刻，來形成強電介質(zhì)圖形42p的工序。
如果采用本實施例，可以在幾乎完全不會產(chǎn)生短路(抗蝕圖形連接)和開口不良等缺陷和增加電阻的狀態(tài)下形成強電介質(zhì)圖形42p(絕緣膜圖形)，進而可以制成具有高可靠性的半導體器件。
如果舉例來說，強電介質(zhì)圖形42p可以使用在強電介質(zhì)電容和強電介質(zhì)存儲器中的電容中。而且如果舉例來說，構(gòu)成強電介質(zhì)圖形42p用的材料，可以是PZT(Pb(Zrx、Ti1-xO3)。
第3以及第4實施例中使用的光刻工序可以是所需要的任何可實現(xiàn)的工序。如果舉例來說，可以采用如第2實施例所示的光刻工序，也可以采用通過印模來形成圖形的刻印光刻技術(shù)。
而且，本發(fā)明并不限于上述的實施例。
在上述實施例中，是對被處理基板是晶片的場合進行舉例說明的，但是也可以采用諸如玻璃基板等的其他基板。對于被處理基板是玻璃基板的場合，半導體裝置的制造方法還可以采用諸如液晶顯示裝置(LCD)的制造方法等等。
本發(fā)明的附加優(yōu)點和變形實例對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說顯而易見。因此，本發(fā)明應(yīng)該從更寬的范圍來理解，并不限于這里舉例給出的特定說明的內(nèi)容和代表性的實施例。因而，在不脫離后附的權(quán)利要求和其等效物所描述的本發(fā)明的宗旨或者范圍的情況下，還可以對其進行各種變形。
權(quán)利要求
1.一種藥液的評估方法，包括通過測量方式求出關(guān)于液體中的粒子的與每種上述粒子的大小相對應(yīng)的粒子數(shù)量；基于用上述測量方式求出的與每種上述粒子的大小相對應(yīng)的粒子數(shù)量，用函數(shù)表現(xiàn)上述液體中的粒子的大小和與上述大小對應(yīng)的粒子數(shù)量之間的關(guān)系；以及基于上述函數(shù)來評估在上述液體中的粒子中其大小在測量限度以下的粒子的影響。
2.如權(quán)利要求1所述的藥液的評估方法，其特征在于，上述函數(shù)為P＝P0+Ae-Zα，其中，Z是粒子的尺寸，P是粒子數(shù)量，P0以及A是系數(shù)，α是指數(shù)函數(shù)的冪。
3.如權(quán)利要求2所述的藥液的評估方法，其特征在于，根據(jù)上述α的大小來判斷上述液體的良好與否。
4.如權(quán)利要求1所述的藥液的評估方法，其特征在于，上述藥液是抗蝕劑溶液、含有低電介質(zhì)材料的溶液或者含有強電介質(zhì)材料的溶液。
5.一種藥液的鑒定方法，包括通過測量方式求出關(guān)于液體中的粒子的與每種上述粒子的大小相對應(yīng)的粒子數(shù)量；基于用上述測量方式求出的與每種上述粒子的大小相對應(yīng)的粒子數(shù)量，用函數(shù)表現(xiàn)上述液體中的粒子的大小和與上述大小對應(yīng)的粒子數(shù)量之間的關(guān)系；基于上述函數(shù)來評估在上述液體中的粒子中其大小在測量限度以下的粒子的影響，判斷上述液體的良好與否；以及通過對上述液體的良好與否的判斷，對于判斷上述液體為良的場合，鑒定上述液體作為藥液使用。
6.如權(quán)利要求5所述的藥液的鑒定方法，其特征在于上述函數(shù)為P＝P0+Ae-Zα，其中，Z是粒子的尺寸，P是粒子數(shù)量，P0以及A是系數(shù)，α是指數(shù)函數(shù)的冪。
7.如權(quán)利要求6所述的藥液的鑒定方法，其特征在于，根據(jù)上述α的大小來判斷上述液體的良好與否。
8.如權(quán)利要求5所述的藥液的鑒定方法，其特征在于，上述藥液是抗蝕劑溶液、含有低電介質(zhì)材料的溶液或者含有強電介質(zhì)材料的溶液。
9.一種藥液的鑒定方法，包括利用液體中顆粒計數(shù)器，求出關(guān)于液體中的粒子的與每種上述粒子的大小相對應(yīng)的粒子數(shù)量；用指數(shù)函數(shù)或者冪函數(shù)來表示上述粒子的大小和與其對應(yīng)的粒子數(shù)量之間的關(guān)系；將上述指數(shù)函數(shù)的系數(shù)以及上述冪函數(shù)的冪中的至少一個和預(yù)定值進行比較；以及通過將上述指數(shù)函數(shù)的系數(shù)以及上述冪函數(shù)的冪中的至少一個和預(yù)定值進行的比較，在上述系數(shù)小于預(yù)定值的場合，鑒定上述液體為作為在規(guī)定的半導體制造工序中使用的藥液。
10.如權(quán)利要求9所述的藥液的鑒定方法，其特征在于，上述指數(shù)函數(shù)為P＝P0+Ae-Zα，上述冪函數(shù)為P＝P0’+A’Z-α，其中，Z是粒子的尺寸，P是粒子數(shù)量，P0、P0’以及A，A’是系數(shù)、α是指數(shù)函數(shù)的冪，α’是冪。
11.如權(quán)利要求10所述的藥液的鑒定方法，其特征在于，根據(jù)上述α或者上述α’的大小來判斷上述液體的良好與否。
12.如權(quán)利要求9所述的藥液的鑒定方法，其特征在于，上述藥液是抗蝕劑溶液、含有低電介質(zhì)材料的溶液或者含有強電介質(zhì)材料的溶液。
13.一種半導體裝置的制造方法，包括通過將權(quán)利要求5，6，7，9，10中任意一項所述的藥液的鑒定方法所鑒定的作為藥液使用的抗蝕劑溶液涂敷在被處理基板上，以形成抗蝕膜；對上述抗蝕膜的一部分進行選擇性的曝光；以及通過對上述一部分進行了選擇性曝光的上述抗蝕膜進行顯影，形成抗蝕圖形。
14.一種半導體裝置的制造方法，包括在被處理基板上形成包括開口區(qū)域的抗蝕圖形；以及通過將用權(quán)利要求5，6，7，9，10中任意一項所述的藥液的鑒定方法鑒定的開口區(qū)域縮小材料溶液涂敷在上述抗蝕圖形上，使上述開口區(qū)域縮小材料溶液和上述抗蝕圖形發(fā)生反應(yīng)，縮小上述抗蝕圖形的上述開口區(qū)域。
15.一種半導體裝置的制造方法，包括通過將權(quán)利要求5，6，7，9，10中任意一項所述的藥液鑒定方法所鑒定的作為藥液使用的含有低電介質(zhì)材料的溶液涂敷在被處理基板上，形成低電介質(zhì)涂敷膜；在上述低電介質(zhì)涂敷膜上，通過光刻處理，形成掩膜圖形；以及通過用上述掩膜圖形作為掩膜對上述低電介質(zhì)涂敷膜進行選擇性的蝕刻，形成低電介質(zhì)圖形。
16.一種半導體裝置的制造方法，包括通過將權(quán)利要求5，6，7，9，10中任意一項所述的藥液鑒定方法所鑒定的作為藥液使用的含有強電介質(zhì)材料的溶液涂敷在被處理基板上，形成強電介質(zhì)涂敷膜；在上述強電介質(zhì)涂敷膜上，通過光刻處理形成掩膜圖形；以及通過用上述掩膜圖形作為掩膜對上述強電介質(zhì)涂敷膜進行選擇性的蝕刻，形成強電介質(zhì)圖形。
全文摘要
本發(fā)明提供的一種藥液的評估方法，包括通過測量方式求出關(guān)于液體中的粒子的與每種上述粒子的大小相對應(yīng)的粒子數(shù)量；基于用上述測量方式求出的與每種上述粒子的大小相對應(yīng)的粒子數(shù)量，用函數(shù)表現(xiàn)上述液體中的粒子的大小和與上述大小對應(yīng)的粒子數(shù)量之間的關(guān)系；以及基于上述函數(shù)來評估在上述液體中的粒子中其大小在測量限度以下的粒子的影響。
文檔編號H01L21/00GK1684227SQ200510071800
公開日2005年10月19日 申請日期2005年4月14日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月14日
發(fā)明者伊藤信一, 鹽原英志 申請人:株式會社東芝