專利名稱：器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用光刻裝置的器件制造方法。
背景技術(shù)：
光刻裝置是一種將期望圖案加到襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。光刻裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，諸如掩模的構(gòu)圖部件可產(chǎn)生對應(yīng)于IC的各個(gè)層的電路圖案，該圖案可以成像在具有輻射敏感材料(抗蝕劑)層的襯底(硅晶片)的目標(biāo)部分上(例如包括一個(gè)或者多個(gè)芯片的一部分)。一般的，單一的襯底將包含依次曝光的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)格。已知的光刻裝置包括通常所說的分檔器，其通過將全部圖案一次曝光在目標(biāo)部分上來輻射每一目標(biāo)部分；以及通常所說的掃描器，其通過在投影光束下沿給定的方向(“掃描”方向)掃描圖案同時(shí)同步掃描與該方向平行或者反平行的襯底來輻射每一目標(biāo)部分。
盡管本文中對于IC制造中的光刻裝置的使用作為具體參考，但是應(yīng)當(dāng)明白這里所描述的光刻裝置還可以有其它的應(yīng)用，例如MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))，MOEMS(微光電機(jī)械系統(tǒng))，集成光學(xué)系統(tǒng)，用于磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測圖案，液晶顯示器(LCD)，薄膜磁頭等的制造。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠理解，在像這樣的可選擇的應(yīng)用范圍內(nèi)，這里任何使用的術(shù)語“晶片”或“芯片”都可以認(rèn)為是分別與更普遍的術(shù)語“襯底”或“目標(biāo)部分”同義的?？梢栽谄毓馓幚碇盎蛑?，用例如記錄槽(一種典型地將抗蝕劑層施加到襯底上并顯影已曝光的抗蝕劑的工具)或計(jì)量器或檢測工具，對這里所述的襯底進(jìn)行處理。這里所公開的內(nèi)容可應(yīng)用于這類或其它的任何合適的襯底處理工具。此外，可以不止一次的對襯底進(jìn)行處理，例如為了制造多層IC，從而使得這里所用的術(shù)語襯底還指已經(jīng)含有多個(gè)已處理層的襯底。
這里使用的術(shù)語“輻射”和“光束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外輻射(UV)(例如具有365，248，193，157或者126nm的波長)和遠(yuǎn)紫外輻射(EUV)(例如具有5-20nm的波長范圍)，以及粒子束，如離子束或者電子束。
這里使用的術(shù)語“構(gòu)圖部件”應(yīng)廣義地解釋為能夠給投影光束的截面賦予圖案，從而在襯底的目標(biāo)部分中產(chǎn)生圖案的部件。應(yīng)注意賦予投影光束的圖案可能不完全對應(yīng)于襯底的目標(biāo)部分上的期望圖案。一般地，賦予投影光束的該圖案將與在目標(biāo)部分中形成的器件如集成電路的特殊功能層相對應(yīng)。
構(gòu)圖部件可以是透射型或反射型的。構(gòu)圖部件的例子包括掩模，可編程反射鏡陣列，和可編程LCD板。掩模在光刻工藝中是公知的，且包括諸如二進(jìn)制型、交替相移型、和衰減相移型等掩模類型，以及各種混合掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的一個(gè)例子利用微小反射鏡的矩陣排列，其中的每個(gè)反射鏡都能夠獨(dú)立地傾斜從而在不同方向反射入射的輻射光束；按照這種方式，能對反射光束進(jìn)行構(gòu)圖。在每個(gè)構(gòu)圖部件的示例中，支承結(jié)構(gòu)可以是例如那些能根據(jù)需要固定或移動(dòng)的，以及那些能確保構(gòu)圖部件處于例如相對于投影系統(tǒng)的期望位置的框架或工作臺。術(shù)語“刻線板”或“掩?！痹谶@里的任何使用都可以認(rèn)為是與更普遍的術(shù)語“構(gòu)圖部件”同義的。
這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括折射光學(xué)系統(tǒng)，反射光學(xué)系統(tǒng)，和反折射系統(tǒng)，以作為對于所用曝光輻射，或其它像浸漬液體或真空的使用這類的因素的適合的示例。術(shù)語“透鏡”在這里的任何使用都可以認(rèn)為是與更普遍的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義的。
照射系統(tǒng)也可以包括各種類型的光學(xué)元件，包括用于引導(dǎo)，成形，或控制輻射的投影光束的折射，反射，和反折射光學(xué)元件，以及以下所提到的，整體地或單個(gè)地稱作“透鏡”的這類元件。
光刻裝置可以是一類具有兩個(gè)(雙級)或多個(gè)襯底臺(和/或兩個(gè)或多個(gè)掩模臺)的裝置。在這類“多級”設(shè)備中，可以并行使用輔助臺，或者當(dāng)一個(gè)或多個(gè)其它的臺用于曝光時(shí)在一個(gè)或多個(gè)臺上執(zhí)行準(zhǔn)備步驟。
光刻裝置也可以是一類其中的襯底浸漬在具有相對較高的折射率的液體如水中的裝置，從而填充投影系統(tǒng)的最終元件與襯底之間的間隙。浸漬液體也可以加到光刻裝置的其它間隙中，例如，掩模和投影系統(tǒng)的第一元件之間的間隙。浸漬技術(shù)是本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的那些例如為了增加投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑的技術(shù)。
盡管為了確保在曝光期間襯底的定位盡可能的準(zhǔn)確已經(jīng)做了相當(dāng)大的努力，但是仍然存在定位誤差。這些在分檔器中可以為約10-20nm，或在掃描器中可以為約5-10nm，且一般在全部重疊預(yù)計(jì)約100-500nm內(nèi)是可以接受的。許多情況下，襯底上部件的絕對位置的重要性是小于重疊誤差(即，一層關(guān)于其上面和下面的層定位時(shí)產(chǎn)生的誤差)的重要性的，這些情況下，殘余定位誤差(residual positioning error)是可以接受的。然而，在襯底的兩個(gè)面上都能制造部件的需求日益增長，而且在許多情況下位于襯底正面的部件能與其背面的部件精確地對準(zhǔn)是很重要的。這使得在絕對定位的精確性上的要求更加嚴(yán)格，因?yàn)椴考恼婧捅趁嬷g的重疊誤差可能高達(dá)絕對定位誤差的兩倍。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的器件制造方法，包括在襯底的第一面的第一系列目標(biāo)部分上投影至少一個(gè)圖案；關(guān)于一個(gè)軸旋轉(zhuǎn)該襯底；且在該襯底的第二面的第二系列目標(biāo)部分上投影至少一個(gè)圖案，其中該第二系列目標(biāo)部分對應(yīng)于第一系列目標(biāo)部分。在投影至少一個(gè)圖案到第二系列目標(biāo)部分期間的襯底的相對移動(dòng)是關(guān)于在投影至少一個(gè)圖案到第一系列目標(biāo)部分期間的襯底的相對移動(dòng)的軸的鏡像。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的器件制造方法，包括在襯底的第一面的n個(gè)目標(biāo)部分的每一個(gè)上從1到n依次轉(zhuǎn)印圖案，以及在襯底的第二面的n個(gè)目標(biāo)部分的每一個(gè)上從1到n依次轉(zhuǎn)印圖案。對于從1到n中的每個(gè)i，第一面上的第i個(gè)目標(biāo)部分基本上與第二面上的第i個(gè)目標(biāo)部分直接相對。


現(xiàn)在根據(jù)其中的相應(yīng)的附圖標(biāo)記對應(yīng)相應(yīng)的部分的示意圖，通過示例對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，其中圖1描述了用于執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法的光刻裝置。
圖2描述了用于在分步-重復(fù)模式中執(zhí)行正面曝光的襯底和移動(dòng)圖案。
圖3描述了圖2的襯底及其用于背面曝光的移動(dòng)圖案。
圖4和5是用于解釋在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法中，定位誤差如何結(jié)合以達(dá)到零或接近零的重疊誤差的視圖。
圖6描述了用于在掃描模式中執(zhí)行正面曝光的襯底和移動(dòng)圖案。
圖7描述了圖6的襯底及其用于背面曝光的移動(dòng)圖案。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的實(shí)施例包括能用于減少襯底反面上的器件之間的重疊誤差的器件制造方法。
圖1示意性地描述了可以用于執(zhí)行本發(fā)明的方法的光刻裝置。該裝置包括用于提供輻射的投影光束PB(例如UV輻射或DUV輻射)的照射系統(tǒng)(照明器)IL。
第一支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，用于支撐構(gòu)圖部件(例如掩模)MA，并與用于將該構(gòu)圖部件相對于物件PL精確定位的第一定位部件PM連接；襯底臺(例如晶片臺)WT，用于保持襯底(例如涂敷抗蝕劑的晶片)W，并與用于將襯底相對于物件PL精確定位的第二定位部件PW連接；和投影系統(tǒng)(例如折射投影透鏡)PL，用于將構(gòu)圖部件MA賦予投影光束PB的圖案成像在襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一個(gè)或多個(gè)芯片)上。
如這里所述，該裝置是透射型的(例如使用透射掩模)。但是可供選擇地，該裝置也可以是反射型的(例如使用如上所述的可編程反射鏡陣列)。
照明器IL從輻射源SO接受輻射光束。該光源與該光刻裝置可以是獨(dú)立的構(gòu)件，例如當(dāng)光源為準(zhǔn)分子激光器時(shí)。在這種情況下，不認(rèn)為該光源是構(gòu)成光刻裝置的一部分，且借助于包括例如適合的導(dǎo)向鏡和/或光束擴(kuò)展器的光束傳送系統(tǒng)BD，輻射光束從光源SO到達(dá)照明器IL。其它情況下該光源可以是該裝置整體的一部分，例如當(dāng)光源為汞燈時(shí)。該光源SO和該照明器IL，以及如果需要的話，加上光束傳送系統(tǒng)BD一起稱作輻射系統(tǒng)。
照明器IL可以包括用于調(diào)整光束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整裝置AM。一般能夠調(diào)整照明器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少外部徑向范圍和/或內(nèi)部徑向范圍(通常分別稱為σ-外部和σ-內(nèi)部)。此外，照明器IL一般還包括其它各種元件，例如積分器IN和聚光器CO。這種照明器提供一種經(jīng)調(diào)整處理的在其橫截面具有預(yù)期的均勻性和強(qiáng)度分布的輻射光束，稱作投影光束PB。
投影光束PB入射到保持在載物臺MT上的構(gòu)圖裝置MA上。穿過掩模MA后，投影光束PB穿過透鏡PL，其將光束聚焦于襯底W的目標(biāo)部分C上。借助于第二定位部件PW和位置傳感器IF(如電容傳感器，干涉測量設(shè)備和/或線性編碼器)，能夠很精確地移動(dòng)襯底臺WT，例如在光束PB的路徑中定位不同的目標(biāo)部分C。類似地，例如在從掩模庫中機(jī)械取出掩模后或在掃描期間，可以使用第一定位部件PM和其它位置傳感器(圖1中未明確示出)將掩模MA相對于光束PB的光路進(jìn)行精確定位。一般地，借助于構(gòu)成定位部件PM和PW的一部分的長沖程模塊(粗略定位)和短沖程模塊(精確定位)，可以實(shí)現(xiàn)載物臺MT和WT的移動(dòng)。然而，在分檔器中(與掃描器相對)，掩模臺MT只能與短沖程致動(dòng)裝置連接或者固定。使用掩模對準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2，對準(zhǔn)掩模MA和襯底W。
所述的裝置可以按照以下的優(yōu)選模式來使用1.在步進(jìn)模式中，掩模臺MT和襯底臺WT基本保持不動(dòng)，整個(gè)被賦予到投影光束的圖案一次性地(即單一靜態(tài)曝光)投影到目標(biāo)部分C上。然后將襯底臺WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，以使不同的目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光區(qū)域的最大尺寸限制了在單一靜態(tài)曝光中成像的目標(biāo)部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，將掩模臺MT和襯底臺WT同步掃描，同時(shí)，將被賦予到投影光束的圖案投影到目標(biāo)部分C上(即單一動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于掩模臺MT的速度和方向由投影系統(tǒng)PL的放大(縮小)特性和圖像反轉(zhuǎn)特性確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動(dòng)態(tài)曝光中的目標(biāo)部分的寬度(非掃描方向上)，而掃描動(dòng)作的長度決定了目標(biāo)部分的高度(掃描方向上)。
3.在其他模式中，具有可編程構(gòu)圖部件的掩模臺MT基本保持不動(dòng)，并且在將被賦予投影光束的圖案投影到目標(biāo)部分C上時(shí)，移動(dòng)或者掃描襯底臺WT。在該模式下，通常采用脈沖輻射源，并且在每次將襯底臺WT移動(dòng)之后或者在掃描期間相繼的輻射脈沖之間，將可編程構(gòu)圖部件按要求更新?？梢匀菀椎貙⑦@種操作模式應(yīng)用于利用可編程構(gòu)圖部件，例如上面所述的可編程反射鏡陣列的無掩模光刻中。
也可以將上述模式組合和/或變化使用，或者使用完全不同的模式。
在許多情況下，發(fā)現(xiàn)定位誤差對于載物臺的移動(dòng)速度和/或方向是系統(tǒng)和特征的，這樣的話，如果所有的部件層使用相同的載物臺移動(dòng)次序來成像，則每一層中的定位誤差將具有相同或相似的量值和方向，且因此將減小重疊誤差。
圖2顯示了在步進(jìn)模式中將要曝光一系列目標(biāo)部分C1-Cn的正面FS上的晶片W。為做到這點(diǎn)，該襯底沿曲折路徑移動(dòng)，從而使得投影系統(tǒng)的成像區(qū)域沿著矢量Vfs所指示的路徑傳遞，隨著襯底在每個(gè)目標(biāo)部分的停留來執(zhí)行曝光。當(dāng)該正面的一層或所有層都完成曝光時(shí)，為了在背面BS上曝光目標(biāo)部分C1’-Cn’，襯底W按照箭頭(旋轉(zhuǎn)的方向無關(guān))所示繞著A軸旋轉(zhuǎn)(翻轉(zhuǎn))。該彎曲路徑用于執(zhí)行圖3中矢量Vbs所示的這些曝光。矢量Vbs是襯底繞A軸旋轉(zhuǎn)的矢量Vfs的鏡像。
正面和背面圖像的重疊誤差(Δe)等于各個(gè)重疊誤差efs和ebs之差，，從而Δe＝efs-ebs(1)正面和背面重疊誤差是各自的移動(dòng)的函數(shù)，Mfs和Mbs因此為efs＝f(Vfs)(2)ebs＝f(Vbs)(3)代入(1)得到Δe＝f(Vfs)-f(Vbs) (4)然而由于彎曲圖案的旋轉(zhuǎn)以及襯底在正面和背面之間的曝光，正面和背面的移動(dòng)是相同的(在晶片的坐標(biāo)系統(tǒng)中)，從而使得Vfs＝Vbs(5)直接導(dǎo)出Δe＝f(Vfs)-f(Vbs)＝0 (6)另外，如果沒有彎曲圖案的旋轉(zhuǎn)，則Vfs＝-Vbs(7)導(dǎo)出Δe＝f(Vfs)-f(Vbs)＝f(Vfs)-f(-Vfs)＝2.f(Vfs) (8)換言之，因?yàn)橐孕D(zhuǎn)襯底來執(zhí)行背面曝光，所以坐標(biāo)系統(tǒng)也是可旋轉(zhuǎn)的，這意味著在背面曝光的圖像與在正面曝光的圖像重疊至一個(gè)高精確度級(例如，除了不依賴于移動(dòng)方向的偶然誤差和系統(tǒng)誤差之外)，如圖4和圖5所示。應(yīng)注意，坐標(biāo)系統(tǒng)是在圖4和圖5之間旋轉(zhuǎn)。在平行于軸A的方向的定位誤差表明背面曝光和正面曝光具有相同的意義，但是因?yàn)樽鴺?biāo)系統(tǒng)的軸在晶片旋轉(zhuǎn)期間保持恒定，所以這些誤差在正面和背面曝光上也是一致的，因此產(chǎn)生最小重疊誤差。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法，也可以應(yīng)用于如圖6和7所示的掃描模式中。用于一系列襯底的掃描模式曝光的移動(dòng)圖案包括疊加在移動(dòng)圖案上的小比例曲折，例如步進(jìn)模式曝光系列的大比例曲折，如圖6中所示。在典型的方法中，大比例彎曲和小比例曲折，即總的襯底移動(dòng)反映了背面曝光，圖7中所示，從而使得相同的抵消像上述的步進(jìn)模式方法中一樣應(yīng)用。
通過確保襯底在背面曝光期間的移動(dòng)為在正面曝光期間的移動(dòng)的鏡像，與正面曝光相比，在背面曝光中為任何移動(dòng)方向的特性的定位誤差都將是反轉(zhuǎn)的，且正面和背面之間的凈重疊誤差將為零或接近零。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的至少一些方法可以因此用于在某種定位誤差的類型中無需成本、改進(jìn)機(jī)器或生產(chǎn)量即可減少重疊誤差上升。
優(yōu)選地，所有的部件層以相同的移動(dòng)圖案形成在正面，且所有形成在背面的部件層也以相同的互補(bǔ)圖案形成。然而如果有非臨界層，且那么做有益的話，可以使用不同的移動(dòng)圖案。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法可以在當(dāng)襯底靜止時(shí)每個(gè)目標(biāo)部分整體同時(shí)曝光的分檔器中使用，或者在其中的每個(gè)目標(biāo)部分在襯底的掃描移動(dòng)期間曝光的掃描器中使用。在后者所述情況下，掃描曝光之間和掃描曝光中的移動(dòng)圖案本身應(yīng)該是對于背面曝光反轉(zhuǎn)的。如果襯底的旋轉(zhuǎn)軸平行于掃描方向，則對應(yīng)于襯底的反面曝光的掃描方向?qū)⑹窍嗤摹?br> 盡管上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)明白，除了上述內(nèi)容之外本發(fā)明仍是可實(shí)行的。例如，在圖案或成像區(qū)域(例如投影透鏡)被固定時(shí)根據(jù)襯底的移動(dòng)來描述實(shí)施例，但是毫無疑問地，當(dāng)襯底靜止時(shí)圖案或成像區(qū)域(例如，投影透鏡和/或構(gòu)圖部件)移動(dòng)也是可能的。當(dāng)描述圖案通過投影來轉(zhuǎn)移時(shí)，諸如接近式曝光(proximity exposure)的轉(zhuǎn)印法法以及諸如毫微印刷(nanoimprinting)的直接法這類的其它的模式也是可以考慮的。
本發(fā)明的實(shí)施例也包括控制光刻裝置執(zhí)行如上所述方法的計(jì)算機(jī)程序(例如，一個(gè)或多個(gè)批指令或序列指令)，和以機(jī)器可讀形式存儲(chǔ)一個(gè)或多個(gè)這樣的程序的存儲(chǔ)介質(zhì)(如磁盤，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器)。這些描述并不意在限制本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種器件制造方法，包括投影至少一個(gè)圖案到襯底的第一面的第一系列目標(biāo)部分上；繞一個(gè)軸旋轉(zhuǎn)該襯底；以及投影至少一個(gè)圖案到該襯底的第二面的第二系列目標(biāo)部分上，所述的第二系列目標(biāo)部分對應(yīng)于所述的第一系列目標(biāo)部分；其中所述襯底在所述投影至少一個(gè)圖案到第二系列目標(biāo)部分期間的相對移動(dòng)是所述襯底在所述投影至少一個(gè)圖案到第一系列目標(biāo)部分期間的相對移動(dòng)關(guān)于所述軸的鏡像。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的器件制造方法，其中多個(gè)圖案投影到所述第一系列目標(biāo)部分上，以從多個(gè)層中建立一個(gè)器件，且其中在投影所有的所述多個(gè)圖案期間使用相同的移動(dòng)圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的器件制造方法，其中多個(gè)圖案投影到所述第二系列目標(biāo)部分上，以從多個(gè)層中建立一個(gè)器件，且其中在投影所有的所述多個(gè)圖案期間，使用所述相同的移動(dòng)圖案，所述相同的移動(dòng)圖案是在投影到第一系列目標(biāo)部分期間所使用的移動(dòng)圖案的鏡像。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的器件制造方法，其中當(dāng)襯底靜止時(shí)每個(gè)目標(biāo)部分的整體同時(shí)曝光。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的器件制造方法，其中在襯底相對于投影系統(tǒng)的掃描移動(dòng)期間曝光每個(gè)目標(biāo)部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的器件制造方法，其中在所述第二系列目標(biāo)部分的每個(gè)曝光期間的襯底的掃描移動(dòng)是在所述第一系列的對應(yīng)目標(biāo)部分的曝光期間的掃描移動(dòng)的鏡像。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的器件制造方法，其中所述軸平行于在所述掃描移動(dòng)期間所述襯底的相對運(yùn)動(dòng)的方向。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的器件制造方法，其中該軸是該襯底的直徑。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的器件制造方法，其中所述旋轉(zhuǎn)包括在所述投影至少一個(gè)圖案到襯底的第一面上的第一系列目標(biāo)部分和在所述投影至少一個(gè)圖案到襯底的第二面上的第二系列目標(biāo)部分之間，繞軸180度旋轉(zhuǎn)該襯底。
10.一種器件制造方法，包括將一個(gè)圖案從1到n順序轉(zhuǎn)移至襯底的第一面上的n個(gè)目標(biāo)部分的每一個(gè)上；和將一個(gè)圖案從1到n順序轉(zhuǎn)移至襯底的第二面的上n個(gè)目標(biāo)部分的每一個(gè)上，其中對于從1到n的每個(gè)i，第一面上的第i個(gè)目標(biāo)部分與第二面的第i個(gè)目標(biāo)部分基本直接相對。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的器件制造方法，其中所述將一個(gè)圖案轉(zhuǎn)移至第一面的n個(gè)目標(biāo)部分的每一個(gè)上和所述將一個(gè)圖案轉(zhuǎn)移至第二面的n個(gè)目標(biāo)部分的每一個(gè)上的至少一個(gè)包括在n個(gè)目標(biāo)部分的每一個(gè)上投影一個(gè)圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的器件制造方法，所述方法包括關(guān)于襯底的直徑旋轉(zhuǎn)該襯底。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的器件制造方法，所述方法包括關(guān)于襯底的直徑旋轉(zhuǎn)該襯底180度。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的器件制造方法，其中所述將一個(gè)圖案轉(zhuǎn)移至第一面的n個(gè)目標(biāo)部分的每一個(gè)上包括，對于n個(gè)目標(biāo)部分的至少一個(gè)，在所述轉(zhuǎn)移期間平行于該直徑移動(dòng)該襯底。
15.根據(jù)權(quán)利要求10的器件制造方法，其中所述將一個(gè)圖案轉(zhuǎn)移至第一面的n個(gè)目標(biāo)部分的每一個(gè)上包括，對于n個(gè)目標(biāo)部分的至少一個(gè)，當(dāng)該襯底靜止時(shí)將圖案曝光到目標(biāo)部分上。
16.根據(jù)權(quán)利要求10的器件制造方法，其中所述將一個(gè)圖案轉(zhuǎn)移至第一面的n個(gè)目標(biāo)部分的每一個(gè)上包括，對于n個(gè)目標(biāo)部分的至少一個(gè)，當(dāng)該襯底移動(dòng)時(shí)將圖案曝光到目標(biāo)部分上。
17.根據(jù)權(quán)利要求10的器件制造方法，其中所述將一個(gè)圖案從1到n順序轉(zhuǎn)移至襯底的第一面上的n個(gè)目標(biāo)部分的每一個(gè)上包括，在基本平行于該第一面的平面內(nèi)，在第一路徑上相對于其它襯底和圖案移動(dòng)該襯底和該圖案的至少一個(gè)，所述第一路徑包括在順序轉(zhuǎn)移的每個(gè)連續(xù)對之間的移動(dòng)，以及其中所述將一個(gè)圖案從1到n順序轉(zhuǎn)移至襯底的第二面上的n個(gè)目標(biāo)部分的每一個(gè)上包括在基本平行于該第一面的平面內(nèi)，在第二路徑上相對于其它襯底和圖案移動(dòng)該襯底和該圖案的至少一個(gè)，所述第二路徑包括在順序轉(zhuǎn)移的每個(gè)連續(xù)對之間的移動(dòng)，以及其中在該平面內(nèi)的第二路徑與其平面內(nèi)的第一路徑基本一致。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的器件制造方法，其中所述方法進(jìn)一步包括將另一個(gè)圖案從1到n順序轉(zhuǎn)移至襯底的第一面的n個(gè)目標(biāo)部分的每一個(gè)上，其中所述將另一個(gè)圖案轉(zhuǎn)移到襯底的第一面的n個(gè)目標(biāo)部分的每一個(gè)上包括，在基本平行于該第一面的平面內(nèi)，在第一路徑上相對于其它襯底和圖案移動(dòng)該襯底和該圖案的至少一個(gè)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的器件制造方法，所述方法進(jìn)一步包括以從1到n順序?qū)⒘硪粋€(gè)圖案轉(zhuǎn)移到襯底的第二面的n個(gè)目標(biāo)部分的每一個(gè)上，其中所述將另一個(gè)圖案轉(zhuǎn)移到襯底的第二面的n個(gè)目標(biāo)部分的每一個(gè)上包括，在基本平行于第一面的平面內(nèi)，在第二路徑上相對于其它基板和圖案移動(dòng)該襯底和該圖案的至少一個(gè)。
20.一種存儲(chǔ)一組機(jī)械課執(zhí)行的指令的存儲(chǔ)介質(zhì)，所述指令組描述了一種器件制造方法，包括將一個(gè)圖案以從1到n順序轉(zhuǎn)移至襯底的第一面的n個(gè)目標(biāo)部分的每一個(gè)上；以及將一個(gè)圖案以從1到n順序轉(zhuǎn)移至襯底的第二面的n個(gè)目標(biāo)部分的每一個(gè)上，其中對于從1到n的每個(gè)i，位于第一面的第i目標(biāo)部分與位于第二面的第i目標(biāo)部分基本上直接相對。
全文摘要
一種根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，制造在襯底的兩面都具有器件層的器件的方法，包括確保襯底在背面曝光期間的移動(dòng)為正面曝光期間的移動(dòng)的鏡像。因而在這類方法的應(yīng)用中，與正面曝光相比，背面曝光中的是移動(dòng)方向特性的定位誤差是反轉(zhuǎn)的，從而使得正面和背面之間的凈重疊誤差為零或近似于零。本發(fā)明的實(shí)施例可以用于在某種定位誤差的類型中無需成本、改進(jìn)機(jī)器或生產(chǎn)量即可減少重疊誤差上升。
文檔編號H01L21/027GK1690863SQ20051007175
公開日2005年11月2日 申請日期2005年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月23日
發(fā)明者A·德韋里斯 申請人:Asml荷蘭有限公司