專利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及一種顯示裝置及其制造方法，特別是涉及一種在各像素具有接受電流的提供并發(fā)光的發(fā)光組件、依據(jù)柵極信號選擇各像素的像素選擇用晶體管、及依據(jù)經(jīng)由前述像素選擇用晶體管所提供的顯示信號將電流提供到前述發(fā)光組件的驅(qū)動用晶體管的顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，使用有機電致發(fā)光(Organic Electro Luminescence以下稱“有機EL”)組件的有機EL顯示裝置已取代CRT及LCD的顯示裝置而受到矚目，特別是作為驅(qū)動有機EL組件的開關(guān)組件正研究開發(fā)一種具備有薄膜晶體管(Thin Film Transistor以下稱“TFT”)的有機EL顯示裝置。
圖8顯示該有機EL顯示裝置的一像素的等效電路圖。在實際的有機EL顯示面板中，將該像素配置成n行m列的矩陣狀。
提供柵極信號Gn的柵極信號線50與提供顯示信號的漏極信號線60相互交叉。在這兩根信號線的交叉點附近配置有有機EL組件70；用以驅(qū)動該有機EL組件70的驅(qū)動用TFT80；及用以選擇像素的像素選擇用TFT10。
在驅(qū)動用TFT80的源極，從電源線90提供有正電源電壓PVdd。而且，其漏極連接在有機EL組件70的陽極71。
通過將柵極信號線50連接在像素選擇用TFT10的柵極提供柵極信號Gn，且在漏極10d連接漏極信號線60，并提供顯示信號Dm。像素選擇用TFT10的源極10s連接在驅(qū)動用TFT80的柵極。在此，柵極信號Gn從未示出的垂直驅(qū)動電路輸出。顯示信號Dm從未示出的水平驅(qū)動電路輸出。
有機EL組件70由陽極71、陰極72、及形成在該陽極71與陰極72之間的發(fā)光組件層(未示出)所構(gòu)成。在陰極72提供有負(fù)電源電壓CV。在驅(qū)動用TFT80的驅(qū)動用TFT80柵極連接有保持電容Cs。保持電容Cs是通過保持對應(yīng)于顯示信號Dm的電荷，用以在一幀期間保持顯示像素的顯示信號而設(shè)置。
以下說明前述構(gòu)成的EL顯示裝置的動作。柵極信號Gn在一水平期間成為高電平時，像素選擇用TFT10會導(dǎo)通。于是，顯示信號Dm從漏極信號線60經(jīng)由像素選擇用TFT10施加在驅(qū)動用TFT80的柵極，且保持在保持電容Cs。
而且，對應(yīng)于提供到該柵極的顯示信號Dm，驅(qū)動用TFT80的電導(dǎo)會變化，對應(yīng)該電導(dǎo)的驅(qū)動電流會經(jīng)由驅(qū)動用TFT80提供到有機EL組件70，而使有機EL組件70點亮。對應(yīng)于提供到該柵極的顯示信號Dm，驅(qū)動用TFT80呈不導(dǎo)通狀態(tài)時，電流不會流通于驅(qū)動用TFT80，因此有機EL組件70會熄滅。
(專利文獻(xiàn)1)日本特開2002-175029號公報發(fā)明內(nèi)容發(fā)明所要解決的課題然而，像素選擇用TFT10必須對應(yīng)于柵極信號Gn以高速進(jìn)行切換(開關(guān)動作，switching)，相對于此，驅(qū)動用TFT80并未被要求高速的切換，反而在與像素選擇用TFT10同樣地制作時，會對色階顯示造成不良影響。亦即，有機EL顯示裝置的色階顯示通過驅(qū)動用TFT80的電流控制而進(jìn)行，但當(dāng)驅(qū)動用TFT80的電流驅(qū)動能力較大時，會有難以進(jìn)行電流量的控制的問題。
因此，以往為了抑制驅(qū)動用TFT80的電流驅(qū)動能力，考慮將其溝道長度設(shè)定為較長。然而，在該設(shè)計中，由于驅(qū)動用TFT80的圖案尺寸會變大，且驅(qū)動用TFT80的形成區(qū)域不會透光，因此，會存在因其圖案尺寸變大而造成像素的開口率(有效發(fā)光面積相對于像素的整個面積的比率)降低的問題。
解決問題的手段因此，本發(fā)明的主要特征如下所述。亦即，本發(fā)明的顯示裝置具備多個像素，各像素具有接受電流的供給并發(fā)光的發(fā)光組件；依據(jù)柵極信號選擇各像素的像素選擇用晶體管；及依據(jù)經(jīng)由前述像素選擇用晶體管所提供的顯示信號將電流提供到前述發(fā)光組件的驅(qū)動用晶體管；再者，前述像素選擇用晶體管具有由半導(dǎo)體材料所構(gòu)成的第一主動層；及夾著第一柵極絕緣層形成在該第一主動層上的第一柵極電極；前述驅(qū)動用晶體管具有由半導(dǎo)體材料所構(gòu)成的第二主動層；及夾著第二柵極絕緣層形成在該第二主動層上的第二柵極電極；前述第二主動層具有與前述第一主動層不同的膜厚，且構(gòu)成前述第二主動層的前述半導(dǎo)體材料的平均結(jié)晶粒徑比構(gòu)成前述第一主動層的前述半導(dǎo)體材料的平均結(jié)晶粒徑更小。
本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的該顯示裝置具有多個像素，各像素具有接受電流的供給并發(fā)光的發(fā)光組件；依據(jù)柵極信號選擇各像素的像素選擇用晶體管；及依據(jù)經(jīng)由前述像素選擇用晶體管所提供的顯示信號將電流提供到前述發(fā)光組件的驅(qū)動用晶體管；其制造方法具有在絕緣性基板上的整個面堆積第一非晶硅層的步驟；選擇性去除前述像素選擇用晶體管的形成區(qū)域的第一非晶硅層的步驟；通過在絕緣性基板上的整個面堆積第二非晶硅層，而在前述像素選擇用晶體管的形成區(qū)域形成前述第二非晶硅層，在前述驅(qū)動用晶體管的形成區(qū)域，于第一非晶硅層上層積前述第二非晶硅層的步驟；對第一及第二非晶硅層照射激光，而對這些非晶硅層施以退火處理，使這些非晶硅層結(jié)晶化的步驟；將經(jīng)結(jié)晶化的第一及第二非晶硅層予以圖案化，以形成前述像素選擇用晶體管的第一主動層及前述驅(qū)動用晶體管的第二主動層的步驟；在前述第一及第二主動層上，分別形成第一及第二柵極絕緣層的步驟；及在前述第一及第二柵極絕緣層上，分別形成第一及第二柵極電極的步驟。
發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置及其制造方法，驅(qū)動用MOS晶體管的主動層的結(jié)晶粒徑比像素選擇用晶體管的主動層的結(jié)晶粒徑小，因此驅(qū)動用MOS晶體管的載流子遷移率會比像素選擇用晶體管的遷移率小，因而相對地可將驅(qū)動用MOS晶體管的溝道長度設(shè)計為較短，而可使其圖案尺寸變小。由此，可提升像素的開口率。像素的開口率提升時，每一像素的發(fā)光亮度也會變大，也可使發(fā)光組件的發(fā)光效率具充裕度。而且，由于驅(qū)動用MOS晶體管的主動層的結(jié)晶粒徑會變小，因此也可使閾值等電氣特性的均一性提升。


圖1是本發(fā)明實施例的有機EL顯示裝置的一像素的平面圖案圖。
圖2(a)、(b)是本發(fā)明實施例的有機EL顯示裝置的制造方法的剖視圖。
圖3(a)、(b)是本發(fā)明實施例的有機EL顯示裝置的制造方法的剖視圖。
圖4(a)、(b)是用以說明本發(fā)明實施例的有機EL顯示裝置的其它制造方法的剖視圖。
圖5(a)、(b)是用以說明本發(fā)明實施例的有機EL顯示裝置的其它制造方法的剖視圖。
圖6是顯示硅平均結(jié)晶粒徑與激光能量密度的關(guān)系的實驗結(jié)果的圖。
圖7是顯示硅平均結(jié)晶粒徑與激光能量密度的關(guān)系的模式圖。
圖8是顯示公知的有機EL顯示裝置的一像素的等效電路圖。
具體實施例方式
其次，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明實施例。圖1為有機EL顯示裝置的一像素的平面圖案圖。實際的有機EL顯示面板中，該像素配置在n行m列的矩陣。另外，圖2及圖3為像素選擇用TFT1與驅(qū)動用TFT85的構(gòu)造及其制造方法的剖視圖。而且有機EL顯示裝置的一像素的等效電路圖與圖8完全相同。
首先詳細(xì)說明本實施例的有機EL顯示裝置的像素構(gòu)造。如圖1所示，提供柵極信號Gn的柵極信號線50向行方向延伸，提供顯示信號的漏極信號線60向列方向延伸，這些信號線相互立體交叉。柵極信號線50由鉻層或鉬層所構(gòu)成，漏極信號線60由上層的鋁層等所構(gòu)成。
像素選擇用TFT10在玻璃基板等透明絕緣性基板100上，在夾著緩沖層101而形成的多晶硅層所構(gòu)成的第一主動層110上，形成第一柵極絕緣層104A，在該第一柵極絕緣層104A上，形成從柵極信號線50延伸的2個柵極電極51、52，而形成雙柵極構(gòu)造。在柵極電極51、52形成有層間絕緣層105(參照圖3(b))。
另外，該像素選擇用TFT10的源極10d經(jīng)由觸點(contact)16連接在漏極信號線60。構(gòu)成像素選擇用TFT10的漏極10s的多晶硅層延伸在保持電容區(qū)域，并隔著電容絕緣膜與該上層的保持電容線11重疊，在該重疊部分形成有保持電容Cs。且從像素選擇用TFT10的漏極10s延伸的多晶硅層經(jīng)由鋁配線連接在驅(qū)動用TFT85的柵極電極20。
該驅(qū)動用TFT85在玻璃基板等的透明絕緣性基板100上，夾著緩沖層101而形成的多晶硅層所構(gòu)成的第二主動層111上，形成第二柵極絕緣層104B，在該第二柵極絕緣層104B上，形成由鉻層或鉬層所構(gòu)成的柵極電極20。驅(qū)動用TFT85由共通輸入有柵極電極20的兩個并聯(lián)晶體管85A、85B所構(gòu)成，各并聯(lián)晶體管85A、85B的共通源極經(jīng)由觸點連接在提供正電源電壓PVdd的電源線90。又，并聯(lián)晶體管85A、85B的共通漏極經(jīng)由觸點連接在有機EL組件70的陽極71。在柵極電極20上形成有第二柵極絕緣層104B。
在此，第二主動層111由層積的二層多晶硅層102P、103P所構(gòu)成。上層的多晶硅層103P是如后述與構(gòu)成第一主動層110的多晶硅層同時堆積而成的，因此與該多晶硅層具有相同膜厚。因此，第二主動層111形成為與下層的多晶硅層102P的膜厚程度的厚度。第二主動層111的平均結(jié)晶粒徑比第一主動層110的平均結(jié)晶粒徑小。
其次，說明像素選擇用TFT10及驅(qū)動用TFT85的構(gòu)造的制造方法。首先，如圖2(a)所示，通過化學(xué)氣相沉積(CVD，Chemical VaporDeposition)法等將由氮化硅膜(Si3N4)及二氧化硅膜(SiO2)所構(gòu)成的緩沖膜101形成在絕緣性基板100上的整個面。然后，利用CVD法將第一非晶硅層102堆積在該緩沖膜101上的整個面。
其次，如圖2(b)所示，選擇性蝕刻像素選擇用TFT10的形成區(qū)域的第一非晶硅層102并將其予以去除。另一方面，驅(qū)動用TFT85的形成區(qū)域的第一非晶硅層102未被蝕刻而保留原狀。
其次，如圖3(a)所示，通過CVD法將第二非晶硅層103堆積在絕緣性基板100上的整個面。由此，在像素選擇用TFT10的形成區(qū)域，僅有第二非晶硅層103形成在緩沖層103上。另一方面，在驅(qū)動用TFT85的形成區(qū)域在第一非晶硅層102上層積第二非晶硅層103。然后，進(jìn)行非晶硅的脫水處理。
而且，從絕緣性基板100的上方對第一及第二非晶硅層102、103進(jìn)行激光照射處理，藉此對這些非晶硅層施以激光退火處理。通過該激光退火處理，使第一及第二非晶硅層102、103結(jié)晶化，而形成多晶硅層。此時，像素選擇用TFT10的形成區(qū)域的非晶硅層的厚度僅為第二非晶硅層103的厚度，相對于此，驅(qū)動用TFT85的形成區(qū)域的非晶硅層的厚度是第一及第二非晶硅層102、103的厚度總合。
由于該非晶硅層的厚度的不同，驅(qū)動用TFT85的形成區(qū)域的多晶硅層的平均結(jié)晶粒徑依賴于激光退火處理時的激光能量密度，且比像素選擇用TFT10的形成區(qū)域的多晶硅層的平均結(jié)晶粒徑小。
圖6在通過激光退火處理使非晶硅層結(jié)晶化時，對于非晶硅層的幾個膜厚(40hm、43nm、46nm、49nm、55nm)顯示激光退火處理的平均結(jié)晶粒徑與激光能量密度的關(guān)系的圖。由圖可得知，關(guān)于各膜厚，激光退火處理后的平均結(jié)晶粒徑相對于激光能量密度，至特定的激光能量密度為止隨著能量密度的增加而增加，而在該特定的激光能量密度以上，隨著能量密度的增加而減少。亦即，激光退火處理后的平均結(jié)晶粒徑相對于激光能量密度以上述特定的激光能量密度描繪出具有峰值的曲線。而且，非晶硅層的膜厚增加時，該曲線朝右方向(能量密度高的方向)位移。
圖7是顯示該平均結(jié)晶粒徑與激光能量密度的關(guān)系圖。由該圖可得知，非晶硅層的膜厚T1的曲線在某能量密度E0中與非晶硅層的膜厚T2(T2＞T1)的曲線交叉。且在低激光能量密度E1(E1＜E2＝的激光能量密度范圍內(nèi)，在該同一激光能量密度E1下，具有厚的膜厚T2的非晶硅層在激光退火處理后的平均結(jié)晶粒徑較小。另一方面，在高激光能量密度E2(E2＞E0)的激光能量密度范圍內(nèi)，在該同一激光能量密度E2下，具有薄的膜厚T1的非晶硅層反而在激光退火處理后的平均結(jié)晶粒徑較小。
因此，在本實施例中，利用上述低激光能量密度范圍進(jìn)行激光照射，而使驅(qū)動用TFT85的形成區(qū)域的非晶硅層的平均結(jié)晶粒徑比像素選擇用TFT10的形成區(qū)域的非晶硅層的平均結(jié)晶粒徑小。
例如，將驅(qū)動用TFT85的形成區(qū)域的非晶硅層的厚度設(shè)定為49nm，將像素選擇用TFT10的形成區(qū)域的非晶硅層的厚度設(shè)定為43nm時，如的形成區(qū)域的非晶硅層的平均結(jié)晶粒徑在200nm以下，另一方面，像素選擇用TFT10的形成區(qū)域的非晶硅層的平均結(jié)晶粒徑在400nm左右。
其次，如圖3(b)所示，將結(jié)晶化的第一及第二非晶硅層102、103予以圖案化，以形成驅(qū)動用TFT85的主動層110、像素選擇用TFT10的主動層111。驅(qū)動用TFT85的主動層111由利用上述激光退火處理將第一及第二非晶硅層102、103予以結(jié)晶化的多晶硅層102P、103P所形成。像素選擇用TFT10的主動層110是利用上述激光退火處理將第二非晶硅層103予以結(jié)晶化而形成的。
然后，在像素選擇用TFT10的主動層110上形成第一柵極絕緣膜104A，在驅(qū)動用TFT85的主動層111上形成第二柵極絕緣膜104B。且在第一柵極絕緣膜104A上形成柵極電極51、52，在第二柵極絕緣膜104B形成柵極電極20。且在整個面形成層間絕緣層105。
如上所述根據(jù)本實施例，驅(qū)動用TFT85的主動層111(多晶硅層)的平均結(jié)晶粒徑比像素選擇用TFT10的主動層110(多晶硅層)的平均結(jié)晶粒徑小。因此，驅(qū)動用TFT85的主動層111內(nèi)的載流子遷移率會比像素選擇用TFT10的主動層110內(nèi)的載流子遷移率小。
其次，針對像素選擇用TFT10及驅(qū)動用TFT85的構(gòu)造的其它制造方法加以說明。首先，如圖4(a)所示，通過CVD法等將由氮化硅膜(Si3N4)及二氧化硅膜(SiO2)所構(gòu)成的緩沖膜101形成在絕緣性基板100上的整個面。然后，利用CVD法將非晶硅層120堆積在該緩沖膜101上的整個面。
其次，如圖4(b)所示，選擇性將像素選擇用TFT10的形成區(qū)域的非晶硅層120蝕刻至其膜厚的部分厚度，并使具有薄的膜厚的非晶硅層130殘留。另一方面，驅(qū)動用TFT85的形成區(qū)域的非晶硅層120未被蝕刻而以膜厚較厚的狀態(tài)直接殘留。
其次，如圖5(a)所示，從絕緣性基板100的上方對膜厚不同的非晶硅層120、130進(jìn)行激光照射處理，藉此對這些非晶硅層施以激光退火處理。通過該激光退火處理，使非晶硅層120、130結(jié)晶化，而形成多晶硅層。此時，由于該非晶硅層的厚度的不同，驅(qū)動用TFT85的形成區(qū)域的多晶硅層的平均結(jié)晶粒徑比像素選擇用TFT10的形成區(qū)域的多晶硅層的平均結(jié)晶粒徑小。
然后，如圖5(b)所示，將結(jié)晶化的非晶硅層120、130予以圖案化，以形成驅(qū)動用TFT85的主動層121、像素選擇用TFT10的主動層131。然后，在像素選擇用TFT10的主動層131上形成第一柵極絕緣膜104A，在驅(qū)動用TFT85的主動層121上形成第二柵極絕緣膜104B。且在第一柵極絕緣膜104A上形成柵極電極51、52，而在第二柵極絕緣膜104B形成柵極電極20。且在整個面形成層間絕緣層105。
其次，說明本發(fā)明的其它實施例。該實施例中，與上述實施例相反，是利用圖7的高激光能量密度E2(E2＞E0)的激光能量密度范圍。亦即，如前所述，在該高激光能量密度范圍內(nèi)，在該同一激光能量密度E2下，具有薄的膜厚T1的非晶硅層在激光退火處理后的平均結(jié)晶粒徑比具有厚的膜厚T2的非晶硅層小。
因此，將作為像素選擇用TFT10的主動層的非晶硅層形成較厚，且將作為驅(qū)動用TFT85的非晶硅層形成較薄，并以同一激光能量密度E2(E2＞E0)，對這些的非晶硅層施以激光照射的激光退火處理。其它構(gòu)造與上述實施例完全相同，且其制造方法也可直接利用上述實施例的制造方法。
亦即，為了使作為像素選擇用TFT10的主動層的非晶硅層形成較厚，且將作為驅(qū)動用TFT85的非晶硅層形成較薄，則可與上述實施例相反地，首先在整個面堆積非晶硅層，然后去除驅(qū)動用TFT85的形成區(qū)域的非晶硅層，再堆積其它的非晶硅層即可?；蛘撸紫仍谡麄€面堆積非晶硅層，然后將驅(qū)動用TFT85的形成區(qū)域的非晶硅層蝕刻至途中也可。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其具有多個像素，各像素具有接受電流的供給而發(fā)光的發(fā)光組件；依據(jù)柵極信號選擇各像素的像素選擇用晶體管；及依據(jù)經(jīng)由前述像素選擇用晶體管所提供的顯示信號將電流提供到前述發(fā)光組件的驅(qū)動用晶體管；再者，前述像素選擇用晶體管具有由半導(dǎo)體材料所構(gòu)成的第一主動層；及夾著第一柵極絕緣層而形成在該第一主動層上的第一柵極電極；前述驅(qū)動用晶體管具有由半導(dǎo)體材料所構(gòu)成的第二主動層；及夾著第二柵極絕緣層而形成在該第二主動層上的第二柵極電極；前述第二主動層具有與前述第一主動層不同的膜厚，且構(gòu)成前述第二主動層的前述半導(dǎo)體材料的平均結(jié)晶粒徑比構(gòu)成前述第一主動層的前述半導(dǎo)體材料的平均結(jié)晶粒徑更小。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，前述第二主動層具有比前述第一主動層更大的膜厚。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，前述第二主動層具有比前述第一主動層更小的膜厚。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，前述半導(dǎo)體材料是硅。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，構(gòu)成前述第二主動層的前述半導(dǎo)體材料的粒徑在200nm以下。
6.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的顯示裝置，其中，前述發(fā)光組件是有機電致發(fā)光組件。
7.一種顯示裝置的制造方法，該顯示裝置具有多個像素，各像素具有接受電流的提供并發(fā)光的發(fā)光組件；依據(jù)柵極信號選擇各像素的像素選擇用晶體管；及依據(jù)經(jīng)由前述像素選擇用晶體管所提供的顯示信號將電流提供到前述發(fā)光組件的驅(qū)動用晶體管；其制造方法包含在絕緣性基板上的整個面堆積第一非晶硅層的步驟；選擇性去除前述像素選擇用晶體管的形成區(qū)域的第一非晶硅層的步驟；通過在絕緣性基板上的整個面堆積第二非晶硅層，而在前述像素選擇用晶體管的形成區(qū)域形成前述第二非晶硅層，在前述驅(qū)動用晶體管的形成區(qū)域，于第一非晶硅層上層積前述第二非晶硅層的步驟；以同一的激光能量密度對第一及第二非晶硅層照射激光，并對這些非晶硅層施以退火處理，使這些非晶硅層結(jié)晶化的步驟；將經(jīng)結(jié)晶化的第一及第二非晶硅層予以圖案化，以形成前述像素選擇用晶體管的第一主動層及前述驅(qū)動用晶體管的第二主動層的步驟；在前述第一及第二主動層上，分別形成第一及第二柵極絕緣層的步驟；及在前述第一及第二柵極絕緣層上，分別形成第一及第二柵極電極的步驟。
8.一種顯示裝置的制造方法，該顯示裝置具有多個像素，各像素具有接受電流的供給并發(fā)光的發(fā)光組件；依據(jù)柵極信號選擇各像素的像素選擇用晶體管；及依據(jù)經(jīng)由前述像素選擇用晶體管所提供的顯示信號將電流提供到前述發(fā)光組件的驅(qū)動用晶體管；其制造方法包括在絕緣性基板上的整個面堆積第一非晶硅層的步驟；選擇性將前述像素選擇用晶體管的形成區(qū)域的第一非晶硅層蝕刻至其膜厚的部分厚度，以在像素選擇用晶體管的形成區(qū)域形成薄的非晶硅層，而在驅(qū)動用晶體管的形成區(qū)域殘留厚的非晶硅層的步驟；以同一的激光能量密度對前述薄的非晶硅層及厚的非晶硅層照射激光，并對這些非晶硅層施以退火處理，使這些非晶硅層結(jié)晶化的步驟；將經(jīng)結(jié)晶化的前述非晶硅層予以圖案化，以形成前述像素選擇用晶體管的第一主動層及前述驅(qū)動用晶體管的第二主動層的步驟；在前述第一及第二主動層上，分別形成第一及第二柵極絕緣層的步驟；及在前述第一及第二柵極絕緣層上，分別形成第一及第二柵極電極的步驟。
9.如權(quán)利要求7或8所述的顯示裝置的制造方法，其中，該激光能量密度設(shè)定為使構(gòu)成前述第二主動層的硅的平均結(jié)晶粒徑比構(gòu)成前述第一主動層的硅的平均結(jié)晶粒徑更小。
10.一種顯示裝置的制造方法，該顯示裝置具有多個像素，各像素具有接受電流的供給并發(fā)光的發(fā)光組件；依據(jù)柵極信號選擇各像素的像素選擇用晶體管；及依據(jù)經(jīng)由前述像素選擇用晶體管所提供的顯示信號將電流提供到前述發(fā)光組件的驅(qū)動用晶體管；其制造方法包括在絕緣性基板上的前述像素選擇用晶體管的形成區(qū)域形成第一非晶硅層的步驟；在絕緣性基板上的前述驅(qū)動用晶體管的形成區(qū)域形成具有比前述第一非晶硅層更厚的膜厚的第二非晶硅層的步驟；以同一的激光能量密度對第一及第二非晶硅層照射激光，并對這些非晶硅層施以退火處理，使這些非晶硅層結(jié)晶化的步驟；將經(jīng)結(jié)晶化的前述第一及第二非晶硅層予以圖案化，以形成前述像素選擇用晶體管的第一主動層及前述驅(qū)動用晶體管的第二主動層的步驟；在前述第一及第二主動層上，分別形成第一及第二柵極絕緣層的步驟；及在前述第一及第二柵極絕緣層上，分別形成第一及第二柵極電極的步驟；設(shè)定激光能量密度為使構(gòu)成前述第二主動層的硅的平均結(jié)晶粒徑比構(gòu)成前述第一主動層的硅的平均結(jié)晶粒徑更小。
11.一種顯示裝置的制造方法，該顯示裝置具有多個像素，各像素具有接受電流的供給并發(fā)光的發(fā)光組件；依據(jù)柵極信號選擇各像素的像素選擇用晶體管；及依據(jù)經(jīng)由前述像素選擇用晶體管所提供的顯示信號將電流提供到前述發(fā)光組件的驅(qū)動用晶體管；其制造方法具有在絕緣性基板上的前述像素選擇用晶體管的形成區(qū)域形成第一非晶硅層的步驟；在絕緣性基板上的前述驅(qū)動用晶體管的形成區(qū)域形成具有比前述第一非晶硅層更薄的膜厚的第二非晶硅層的步驟；以同一的激光能量密度對第一及第二非晶硅層照射激光，并對這些非晶硅層施以退火處理，使這些非晶硅層結(jié)晶化的步驟；將經(jīng)結(jié)晶化的前述第一及第二非晶硅層予以圖案化，以形成前述像素選擇用晶體管的第一主動層及前述驅(qū)動用晶體管的第二主動層的步驟；在前述第一及第二主動層上，分別形成第一及第二柵極絕緣層的步驟；及在前述第一及第二柵極絕緣層上，分別形成第一及第二柵極電極的步驟；設(shè)定激光能量密度為使構(gòu)成前述第二主動層的硅的平均結(jié)晶粒徑比構(gòu)成前述第一主動層的硅的平均結(jié)晶粒徑更小。
12.如權(quán)利要求7、8、10、11中任一項所述的顯示裝置的制造方法，其中，構(gòu)成前述第二主動層的硅的粒徑在200nm以下。
13.如權(quán)利要求7、8、10、11中任一項所述的顯示裝置的制造方法，其中，前述發(fā)光組件為有機電致發(fā)光組件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置及其制造方法，可使發(fā)光組件的驅(qū)動用晶體管的圖案尺寸變小，并且可提升顯示像素的開口率。驅(qū)動用TFT(85)的第二主動層(111)由層積的兩層多晶硅層(102P、103P)所構(gòu)成。上層的多晶硅層(103P)是與構(gòu)成像素選擇用TFT(10)的第一主動層(110)的多晶硅層同時堆積而成的，因此與該多晶硅層具有相同膜厚。因此，第二主動層(111)形成與下層的多晶硅層(102P)的膜厚程度的厚度。第二主動層(111)的平均結(jié)晶粒徑比第一主動層(110)的平均結(jié)晶粒徑小。因此，驅(qū)動用TFT(85)的載流子遷移率比像素選擇用TFT(10)的載流子遷移率小。由此，可實現(xiàn)驅(qū)動用TFT(85)的短溝道化。
文檔編號H01L21/20GK1681361SQ200510063259
公開日2005年10月12日 申請日期2005年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月9日
發(fā)明者山田努, 今尾和博 申請人:三洋電機株式會社