專利名稱：發(fā)光器件、制作方法及電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及由大尺寸基底制作的一種發(fā)光器件及其制作方法。
背景技術(shù)：
一種利用場致發(fā)光元件(一種發(fā)光元件)發(fā)射光的發(fā)光器件作為具有寬視角和低功耗顯示裝置已引起了的人們注意。近幾年來，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了對(duì)這種發(fā)光器件的量產(chǎn)開發(fā)。
這種發(fā)光器件量產(chǎn)中的問題之一是用于采用大尺寸基底制作這種發(fā)光器件的技術(shù)開發(fā)。通過采用大尺寸基底，可制作大尺寸的電視機(jī)以及諸如此類的產(chǎn)品。除此之外，通過采用大尺寸基底可大量生產(chǎn)安裝在諸如峰窩電話的小型電子裝置上的小的發(fā)光器件。
但是，當(dāng)采用大尺寸基底來制作發(fā)光器件時(shí)，在加工大尺寸基底中需要大規(guī)格的加工設(shè)備。所以，要在均勻的條件下加工該基底的整個(gè)表面是困難的。當(dāng)采用由容易被充電，例如玻璃的材料制成的基底時(shí)，如果不是在均勻的條件下加工該基底的整個(gè)表面，則在等離子體等加工藝下，電荷就會(huì)容易地積累在該基底中的一部分上。當(dāng)被積累的電荷在工藝過程期間經(jīng)過元件移動(dòng)時(shí)，大量的電流經(jīng)過電荷的遷移路徑流動(dòng)，以致往往造成元件的劣化。
為了減小由于前面的靜電電荷而引起的劣化，曾試過各種方法，例如通過一層導(dǎo)電薄膜，起用于傳輸信號(hào)的輸入端連接到顯示部分的一種短環(huán)的設(shè)置。另外，在日本專利申請(qǐng)已公開平i6-75246號(hào)[專利文件1]中已提出一種提供由布線層或電容量薄膜制成的靜電電荷吸收?qǐng)D形的技術(shù)，以便減小由于靜電電荷引起的元件劣化。
但是，當(dāng)采用短環(huán)時(shí)，要防止由于在直至短環(huán)的形成的工藝過程中造成的靜民電荷引起的文件劣化是困難的。此外，在其上制作元件之后，在專利文件，所揭示的技術(shù)中，造成不需的部分，從而，不能有效地利用基底的整個(gè)表面。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種用于制作發(fā)光器件的方法，其中可減少由于在制作發(fā)光器件中造成的靜電電荷而引起的元件劣化。此外，本發(fā)明的另一目的是提供一種具有降低了缺陷的發(fā)光器件，這種缺陷是通過由于靜電電荷引起的元件劣化而造成的。
在本發(fā)明的一個(gè)方面中，用于制作發(fā)光器件的方法包括制作用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件的頂柵型晶體管的步驟。在制作這晶體管的步驟中，當(dāng)在加工半導(dǎo)體薄層時(shí)，在基底上形成以行和列延伸的第一似柵格的半導(dǎo)體薄層，并在第一似柵格的半導(dǎo)體薄層之間形成多個(gè)第二似島的半導(dǎo)體薄膜。這第二似島的半導(dǎo)體薄層起著晶體管有源層的作用。頂柵型晶體管是一種在晶體管柵極電極的形成之前形成它的有源層的晶體管。
在本發(fā)明的另一方面中，用于制作發(fā)光器件的方法包括制作用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件的晶體管的步驟。此處，該晶體管通過依次地層壓半導(dǎo)體薄層，絕緣薄層和導(dǎo)電薄層來形成的。在制作該晶體管的步驟中，在加工半導(dǎo)體薄層時(shí)，在基底上形成以行和列延伸的第一似柵格的半導(dǎo)體薄層，并在第一似柵格半導(dǎo)體薄膜之間形成各個(gè)第二似島的半導(dǎo)體薄層。該第二似島的半導(dǎo)體薄膜起著晶體管的有源層的作用。
在本發(fā)明的另一方面中，用于制作發(fā)光器件的方法包括制作用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件的頂柵型管的步驟。在制作這晶體管的步驟中，當(dāng)加工半導(dǎo)體薄層時(shí)，在基底上形成包括多個(gè)第一似島的半導(dǎo)體薄層的多個(gè)組合，并形成以行和列延伸的第二柵格的半導(dǎo)體薄層，以便包圍多個(gè)組合中的每個(gè)組合。第一似島的半導(dǎo)體薄層起著晶體管有源層的作用。
在本發(fā)明的另一方面中，用于制作發(fā)光器件的方法包括制作用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件的晶體管的步驟。此時(shí)，該晶體管通過依次地層壓半導(dǎo)體薄層，絕緣薄層和導(dǎo)電薄層來形成的。在制作這晶體管的步驟中，當(dāng)加工半導(dǎo)體薄層時(shí)，在基底上形成包括多個(gè)第一似島的半導(dǎo)體薄層的多個(gè)組合，并形成以行和列延伸的第二似柵格的半導(dǎo)體薄層，以便包圍各個(gè)組合中的每個(gè)組合。第二似柵格半導(dǎo)體薄層起著晶體管有源層的作用。
在上面提及的用于制作發(fā)光器件的方法中，還可包括把一種雜質(zhì)加到第一似柵格半導(dǎo)體薄層或多個(gè)似島的半導(dǎo)體薄層的步驟。注意，可把n-型和p-型雜質(zhì)中的一種或兩種加入其內(nèi)。
在本發(fā)明的另一方面中，一種發(fā)光器件包括具有元件組合的第一基底，該元件組合包括發(fā)光元件和晶體管，以及用密封材料附接到第一基底的第二基底，以便密封這元件組合。在第一基底中，用一層具有開口的絕緣層覆蓋元件組合，這開口被設(shè)置在包圍元件組合的半導(dǎo)體薄層中的上部分，并提供密封材料以便填入這開口中。
在本發(fā)明的另一方面中，一種發(fā)光器件包括具有元件組合的第一基底，該元件組合包括發(fā)光元件和晶體管，以及用密封材料附接到第一基底的第二基底，以便密封這元件組合。在第一基底中，用一層具有開口的絕緣層覆蓋元件組合，這開口被設(shè)置在包圍元件組合的半導(dǎo)體薄層中的上部分，使得與半導(dǎo)體薄層重疊的導(dǎo)電層從這開口暴露出來，并提供密封材料以便填入這開口中。
在本發(fā)明的另一方面中，一種發(fā)光器件包括具有元件組合的第一基底，這組合元件包括發(fā)光元件和晶體管，以及用密封材料附接到第一基底的第二基底，以便密封這元件組合。在第一基底中，該元件組合被半導(dǎo)體薄層包圍，并用絕緣薄膜覆蓋，與導(dǎo)體薄層重疊的導(dǎo)電層從絕緣薄層的邊緣被暴露出來，并提供密封材料覆蓋導(dǎo)電薄層和絕緣薄膜的邊緣。
在上面提及的本發(fā)明發(fā)光器件的每種器件中，較佳的是，把n-型和p-型雜質(zhì)中的一種或兩種添加到半導(dǎo)體薄層。較佳的是，絕緣層是平坦的薄層，例如，由諸如丙烯酸，硅氧烷(它是一種包括由硅(Si)-氧(O)鍵形成的骨架結(jié)構(gòu)，并在它的有機(jī)基中至少包含氫的物質(zhì))和聚酰亞胺的目平面化物質(zhì)制成的薄層，或用CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)等通過平面化氧化硅薄層或諸如此類薄層形成的薄層。此外，密封材料較佳的是含有具有諸如雙榍A液態(tài)樹脂，雙榍A固態(tài)樹脂，含有溴的環(huán)氧樹脂，雙榍下樹脂，雙榍AD樹脂，酚樹脂，甲酚樹脂，酚醛樹脂，環(huán)脂肪環(huán)氧樹脂，外雙(epibis)環(huán)氧樹脂，甘油醚樹脂，甘油胺樹脂，架環(huán)環(huán)氧樹脂和改良的環(huán)氧樹脂的低潮濕滲透率的物質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明，可獲得一種能減少由于靜電電荷引起的缺陷并有效地利用基底的發(fā)光器件的制造技術(shù)。此外，還可獲得一種已減少了由于靜電電荷而引起的缺陷的良好發(fā)光器件。
附圖簡述

圖1A和1B是解釋用于制作根據(jù)本發(fā)明發(fā)光器件的方法的俯視圖；圖2A到2D是解釋用于制作根據(jù)本發(fā)明發(fā)光器件的方法的橫截面圖；圖3A到3C是解釋用于制作根據(jù)本發(fā)明發(fā)光器件的方法的橫截面圖；圖4A到4C是解釋用于制作根據(jù)本發(fā)明發(fā)光器件的方法的橫截面圖；
圖5A到5C是解釋用于制作根據(jù)本發(fā)明發(fā)光器件的方法橫截面圖；圖6A到6C是包括在根據(jù)本發(fā)明發(fā)光器件中的象素的等價(jià)電路圖；圖7是用于根據(jù)本發(fā)明發(fā)光器件的象素部分的俯視圖；圖8是用于根據(jù)本發(fā)明發(fā)光器件的象素部分的俯視圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明發(fā)光器件的俯視圖；以及圖10是應(yīng)用本發(fā)明的一種電子裝置。
具體實(shí)施例方式
在下文將描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例。本發(fā)明可以用許多不同的模式來實(shí)現(xiàn)。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員是容易知道的，在不背離本發(fā)明的目的和范圍的情況下，可用各種方法來修改在本文揭示的實(shí)施例和細(xì)節(jié)。不應(yīng)把本發(fā)明解釋為受到將在下面給出的實(shí)施例描述的限制。
(實(shí)施例1)本實(shí)施例將描述一種用于制作多個(gè)發(fā)光器件的方法，其中把多個(gè)發(fā)光器件制作在基底上，然后切割(即分割)該基底，以供每個(gè)發(fā)光器件之用。
圖1A是解釋用于制作本發(fā)明發(fā)光器件的方法的俯視圖，而圖2A到2D和圖3A到3C是解釋用于制作本發(fā)明發(fā)光器件的方法的橫截面圖。圖2A是取自沿圖1A虛線A-A′的橫截面圖。
如圖1A所示，在基底101上形成以行和列延伸的第一似柵格半導(dǎo)體薄層102。當(dāng)在形成第一似柵格的半導(dǎo)體薄層102時(shí)，在由第一似柵格的半導(dǎo)體薄層102包圍的區(qū)域130的內(nèi)部形成多個(gè)第二似島的半導(dǎo)體薄層103，如圖2A所示。此處，形成這第二半導(dǎo)體薄層103為的是制作晶體管。通過稍后描述的步驟，在基底101上形成多個(gè)發(fā)光器件，其每個(gè)器件作為一個(gè)單元被包括于被第一半導(dǎo)體薄層102所包圍的每個(gè)區(qū)域130中。為了在每個(gè)區(qū)域130中，形成象素部分131和驅(qū)動(dòng)電路部分132a和132b，各自的部分被示意地用圖示出于圖2A到2D和圖3A到3C的橫截面視圖中。
雖在這里并不特別限制用于基底101的材料，但可采用由玻璃，石英及諸如此類的材料制作的基底?？稍诨?01上形成覆蓋基底101的絕緣薄層104。絕緣薄層104可包括單一薄層或多層薄層。注意，通過在絕緣薄層104中設(shè)置氮化硅薄層(它可含有幾個(gè)百分點(diǎn)的氧)可防止來自基底101的雜質(zhì)以免擴(kuò)散到稍后將被形成的晶體管中。
在形成覆蓋基底101的半導(dǎo)體層之后，可通過腐蝕來加工這半導(dǎo)體薄層以形成第一半導(dǎo)體薄層102和第二半導(dǎo)體薄層103。在這里并不特別限制這半導(dǎo)體薄層，但也可通過采用硅及諸如此類的材料來形成。此外，并不特別限制半導(dǎo)體薄層的結(jié)晶度，而可采用包含結(jié)合組分的半導(dǎo)體薄層。
下一步，形成絕緣薄層105以覆蓋第一半導(dǎo)體薄層102和第二半導(dǎo)體薄層103。絕緣薄層105可包括或是單層薄層或是多層薄層，且，例如，可由氧化硅或氮化硅組成。
為了控制晶體管的閾值，在形成絕緣薄層105之前或之后，可把n-型或p-型雜質(zhì)加到第二半導(dǎo)體薄層103。例如，可把磷及其類似的元件用作n-型雜質(zhì)，而可把硼及其類似的元件用作p-型雜質(zhì)。此外，當(dāng)把雜質(zhì)加到第二半導(dǎo)體薄層103時(shí)，也可把雜質(zhì)加到第一半導(dǎo)體薄層102。
接著，在第二半導(dǎo)體薄層103和絕緣薄層105彼此重疊部分的絕緣薄層105上形成起著柵極電極作用的導(dǎo)電薄層106。具體地說，在形成導(dǎo)電層以覆蓋絕緣薄層105之后，可通過腐蝕來加工導(dǎo)電層以形成諸導(dǎo)電薄層106。此刻，通過設(shè)置第一半導(dǎo)體薄層102，基底的整個(gè)表面被維持在幾乎不變的電位上。所以，當(dāng)采用利用諸如干腐蝕的等離子體激勵(lì)的腐蝕工藝時(shí)，很難在基底的表面上形成電位差，從而，難于通過靜電電荷來損害元件。導(dǎo)電層106可包括單一薄層或多層薄層。例如，可在絕緣薄層105上形成與絕緣薄層105有充分粘結(jié)的導(dǎo)電層，并可在其上面層壓具有低電阻率的導(dǎo)電層。并不特別限制導(dǎo)電薄層106的形狀，例如，各個(gè)導(dǎo)電層106的側(cè)壁可以有一個(gè)坡度的形狀。
接著，通過利用導(dǎo)電薄層106作為掩膜，把雜質(zhì)加到第二半導(dǎo)體薄層103。此刻，可摻以給予n-型導(dǎo)電性的諸如磷的雜質(zhì)來形成n-型晶體管?；蛘?，可加以給予p-型導(dǎo)電性的諸如硼的雜質(zhì)來形成p-型晶體管。當(dāng)加入n-型雜質(zhì)時(shí)，通過利用由抗蝕劑及其類似的物質(zhì)制成的掩膜來保護(hù)將成為p-型晶體管組成部分的半導(dǎo)體薄層，使其不被n-型雜質(zhì)摻入。同樣，當(dāng)加入p-型雜質(zhì)時(shí)，通過利用由抗蝕劑及其類似的材料制成的掩膜來保護(hù)將成為n-型晶體管組成部分的半導(dǎo)體薄層，使其不被p-型雜質(zhì)摻入。換句話說，例如，在不用由抗蝕劑及其類似的物質(zhì)制成的掩膜的情況下，在把n-型雜質(zhì)加到形成在基底101上的所有半導(dǎo)體薄層之后，p-型雜質(zhì)可能被加到通過調(diào)節(jié)p-型雜劑的數(shù)目將是p-型晶體管的組成部分的半導(dǎo)體薄層，結(jié)果是用p-型導(dǎo)電性抵消了n-型導(dǎo)電性。
在這里并不特別限制添加雜質(zhì)的方法。例如，可使用摻雜及諸如此類的工藝。還可與第二半導(dǎo)體薄層103同時(shí)把雜質(zhì)加到第一半導(dǎo)體薄層102。通過把雜質(zhì)加到第一半導(dǎo)體薄層102，可進(jìn)一步改善把基底101的表面維持在不變的電位效果。
根據(jù)上面提到的步驟，可制作通過層壓半導(dǎo)體薄層，絕緣薄層和導(dǎo)電薄層形成的晶體管121a、121b，121c和121d。在本文，晶體管121a和121b被包括在象素部分131中，并各連接到發(fā)光元件。晶體管121c被包括在驅(qū)動(dòng)器電路部分132b。此外，象素部分131和驅(qū)動(dòng)器電路部分132a及132b可包括除晶體管121a，121b，121c和121d之外的其它晶體管。并不特別限制晶體管121a，121b，121c和121d的結(jié)構(gòu)，它們分別可以具有單一的漏極結(jié)構(gòu)，LDD結(jié)構(gòu)，另一種LDD結(jié)構(gòu)，在這種結(jié)構(gòu)中LDD和起著柵電極作用的導(dǎo)電層彼此重疊，及諸如此類的結(jié)構(gòu)中的任一結(jié)構(gòu)。當(dāng)用在基底上形成的第一半導(dǎo)體薄層102來制作晶體管時(shí)，并不特別限制作晶體管121a，121b，121c和121d的步驟。所以，可適當(dāng)?shù)卮_定制作晶體管的步驟，以便用預(yù)定的結(jié)構(gòu)形成晶體管121a，121ab，121c和121d。而且，所有在發(fā)光器件中形成的晶體管并不需要具有相同的結(jié)構(gòu)，而晶體管的結(jié)構(gòu)可取決于各個(gè)晶體管預(yù)定的目的來分別變化。
接著，形成絕緣薄層107以覆蓋導(dǎo)電薄層106及諸如此類的薄層。絕緣薄層107包括單一的薄層或多層薄層。在這實(shí)施例中，絕緣薄層107包括絕緣薄層107a和絕緣薄層107b。在形成絕緣薄層107a之后，絕緣薄層107a經(jīng)受熱處理，然后形成絕緣薄層107b來覆蓋絕緣薄層107a。雖然并不特別限制絕緣薄層107a，但較佳提由可耐得住350℃或更高溫度的耐熱物質(zhì)來制成，例如，諸如氧化硅，氮化硅，含幾個(gè)百分點(diǎn)氧的氮化硅，以及含幾個(gè)百分點(diǎn)氮的氮化硅的無機(jī)材料。雖然并不特別限制絕緣薄層107b，但較佳的是由諸如丙烯酸，硅氧嘗和聚酰亞胺的自平面化物質(zhì)制成的薄層來形成，或通過平面化氧化硅層或通過CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)等的諸如此類薄層形成的一種薄層來形成。此外，雖然并不特別限制熱處理的工藝條件，但是較佳的是可選在充有諸如氮或氫氣體的保護(hù)氣氛下，在350到600℃的溫度下來進(jìn)行這熱處理。而且，也不特別限制熱處理的安排時(shí)間，但可在形成作為第一薄層的絕緣薄層107a之后，在形成作為第二薄層的絕緣薄層107b之后，即在形成絕緣薄層107a和107b這兩層薄層之后來進(jìn)行這熱處理。
接著，形成穿過絕緣薄層107、達(dá)到第二半導(dǎo)體薄層103的接觸孔?？赏ㄟ^腐蝕絕緣薄層107來形成接觸孔。如果是這樣，可使用或是干腐蝕或是濕腐蝕作為腐蝕工藝。另外，也可使用干腐蝕和濕腐蝕的組合。例如，在通過干腐蝕加工絕緣薄層107b之后，可用濕腐蝕來加工絕緣薄層107a來形成接觸孔?；蛘撸捎糜诟g加工絕緣薄層107a和107b這兩層來形成接觸孔。
當(dāng)形成接觸孔時(shí)，由于設(shè)置了第一半導(dǎo)體薄層102，所以基底101的全部表面被維持在幾乎不變的電位上。從而，當(dāng)通過用諸如干腐蝕的等離子體激勵(lì)腐蝕來形成接觸孔時(shí)，在基底的表面之內(nèi)，極難形成電位差，因此，極難通過靜電電荷來損害元件。
接著，形成接線108和109及諸如此類的線。具體來說，在形成導(dǎo)電薄層后，可通過腐蝕來加工導(dǎo)電薄層來形成接線108和109。注意，并不特別限制用于導(dǎo)電層的材料，而導(dǎo)電層可包括單一薄層或多層薄層，較佳的是，形成這導(dǎo)電層，以便包括由諸如鋁的具有低電阻率材料制成的薄層。當(dāng)接線108和109具有通過夾在氮化鈦之間的鋁薄層形成的層壓結(jié)構(gòu)時(shí)，有可能防止各接線的鋁層以免在接線和第二半導(dǎo)體薄層相互連接的位置上與第二半導(dǎo)體薄層103接觸。此外，還可能防止鋁層以免在稍后當(dāng)采用酸性溶液來形成發(fā)光元件的電極時(shí)被侵蝕。在接線108和第一半導(dǎo)體薄層102得疊并彼此接觸的情況下，如在本實(shí)施例中所示，第一半導(dǎo)體薄層102也可在腐蝕接線109的步驟中被腐蝕。注意，接線109起著把電流供給到發(fā)光元件的作用?？捎行У乩玫谝话雽?dǎo)體薄層102的上部分作為用于引出接線109的區(qū)域，如在本實(shí)施例中所示。注意，接線108和第一半導(dǎo)體薄層102如本實(shí)施例一樣也不需要相互接觸，且在它們之間可設(shè)置一絕緣層。接線108起著把信號(hào)傳輸在由第一半導(dǎo)體絕緣層102所包圍的區(qū)域130之內(nèi)的晶體管。通過以前已形成的接觸孔，把接線108連接到第二半導(dǎo)體薄層103。
當(dāng)絕緣層107由具有高潮濕滲透率的物質(zhì)制成時(shí)，較佳的是與接線108和109的形成同時(shí)來形成用于覆蓋絕緣薄層107側(cè)面的導(dǎo)電層。這樣可防止從發(fā)光元件的外面通過絕緣薄層107把潮濕入到發(fā)光元件中。
接著形成發(fā)光元件的電極110。在這場合下，發(fā)光元件的電極110部分地至少與接線109重疊，使得可把發(fā)光元件的電極110電接連到接線109。并不特別限制發(fā)光元件的電極。例如，在通過采用能傳輸可見光的導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電層之后，可通過腐蝕來加工導(dǎo)電層以形成電極110。雖然并不特別限制可傳輸可見光的導(dǎo)電材料，但可使用氧化銦錫(ITO)，含氧化硅的ITO，由混合2到20％氧化鋅(ZnO)形成的IZO(氧化銦鋅)，和氧化銦及諸如此類的物質(zhì)?？刹捎没蛘呤菨窀g或者是干腐蝕作為腐蝕加工。例如，當(dāng)腐蝕ITO及諸如此類的物質(zhì)時(shí)，可采用一種弱酸溶液。也可通過采用鋁及諸如的此類的金屬形成電極110，作為對(duì)可傳輸可見光的導(dǎo)電材料的替代品。注意，鋁可包括堿金屬(諸如鋰(Li))，堿土金屬即鎂(Mg)。
接著形成具有一開口的分隔墻薄層111。分隔墻薄層111較佳的是在側(cè)面部分處具有一種帶有連續(xù)變化的曲率半徑的形狀。另外，形成分隔墻薄層111，使得發(fā)光元件的電極110從該開口處暴露出來。并不特別限制分隔墻薄層111的材料。例如，可采用丙烯酸，聚酰亞胺，硅氧烷(它是一種由硅-氧鍵形成的骨架結(jié)構(gòu)，并在它的有機(jī)基中至少包含氫的物質(zhì))，抗蝕劑及諸如此類的物質(zhì)。在這里可采用光敏丙烯酸，聚酰亞胺和抗蝕劑。注意，絕緣薄層107的側(cè)壁并不需要被分隔墻薄層111來覆蓋。
接著，形成發(fā)光薄層112以覆蓋發(fā)光元件的電極110。就含有發(fā)光物質(zhì)的薄層來說，并不特別限制發(fā)光薄層112。例如，發(fā)光薄層112可包括由具有優(yōu)秀發(fā)光性質(zhì)和極好的載流子輸運(yùn)性質(zhì)的物質(zhì)制成的單一薄層，或含具有優(yōu)秀發(fā)光性質(zhì)的物質(zhì)和具有極好的載流子輸運(yùn)性質(zhì)的物質(zhì)的單一薄層或多層薄層。并不特別限制形成發(fā)光薄層112的物質(zhì)，而可使用有機(jī)和無機(jī)物質(zhì)中的一種或兩種物質(zhì)。
接著形成發(fā)光元件的電極113。并不特別限制發(fā)光元件的電極113，它可由鋁或上面提到的可傳輸可見光的導(dǎo)電物質(zhì)來形成。注意，鋁可包括諸如鋰的堿土金屬和鎂即堿土金屬。
較佳的是，要控制用于發(fā)光元件的電極110和113的厚度，材料，層壓結(jié)構(gòu)及諸如此類的內(nèi)容，使得至少電極中的一個(gè)電極可傳輸可見光。
根據(jù)前面提到的步驟，可制作包括夾在發(fā)光元件電極110和113之間的發(fā)光薄層112的發(fā)光元件114。
在形成發(fā)光元件114之后，可設(shè)置保護(hù)層115以防止潮濕等侵入到發(fā)光元件中。保護(hù)層115可包括單一薄層或多層薄層，并可由氮化硅及諸如此類的物質(zhì)來形成。
通過上面提到的步驟，可在基底101上制作多個(gè)發(fā)光器件，如圖1B所示，每個(gè)發(fā)光器件包括象素部分131，驅(qū)動(dòng)器電路部分132a，132b和133，形成于象素部分和驅(qū)動(dòng)器電路部分周邊的接線108，連接端134及其類似的端部。在每個(gè)象素部分131中，包括晶體管和發(fā)光元件的諸象素以行和列對(duì)準(zhǔn)。注意，在圖1B中圖示說明第一半導(dǎo)體薄層102，為了示出包括在各發(fā)光器件中的組分元件(象素部分131，驅(qū)動(dòng)器電路部分132a，132b和133，設(shè)置在象素和驅(qū)動(dòng)器電路部分周邊的接線108，連接端134等)的第一半導(dǎo)體薄層102之間的位置關(guān)系。雖然在圖1B中示出包括兩個(gè)晶體管和一個(gè)發(fā)光元件的象素，但是并不限于在那里的象素結(jié)構(gòu)。
在上面提到的用于制作發(fā)光器件的方法中，可利用短環(huán)以便減少由于靜電電荷而引起的對(duì)元件的損害，這種損害可在形成接線108和109之后造成。
接著，把基片101切割(即分割)成每個(gè)發(fā)光器件。如果是這樣，不在切割部段上層壓薄層，而沿著這部段就是把基底101分割成各別的發(fā)光器件。尤其是，不在切割部段上層壓導(dǎo)電層，或由有機(jī)材料制成的薄層是較佳的。
用密封材料141把已分割好的基底101和基底140彼此附接起來，使得發(fā)光層被密封在其間。此刻，覆蓋絕緣薄層107的接線108較佳的是用密封材料141來覆蓋。此外，密封材料141較佳的是含有具有諸如雙榍A液態(tài)樹脂，雙榍A固態(tài)樹脂，含有溴的環(huán)氧樹脂，雙榍下樹脂，雙榍AD樹脂，酚樹脂，甲酚樹脂，酚醛樹脂，環(huán)脂肪環(huán)氧樹脂，外雙環(huán)氧樹脂，甘油醚樹脂，甘油胺樹脂，架環(huán)環(huán)氧樹脂和改良的環(huán)氧樹脂的低潮濕滲透率的物質(zhì)。當(dāng)用具有高的潮濕滲透率的物質(zhì)制作絕緣薄層107或分隔墻薄層111時(shí)，這能禁止通過絕緣薄層107使潮濕侵入發(fā)光元件。在密封之后，發(fā)光器件的每個(gè)內(nèi)側(cè)，即由基底101所包圍的內(nèi)部部分，基底140和密封材料141可充以諸如氮的惰性氣體或用低潮濕滲透率的樹脂材料填入?；虬褍?nèi)部部分的里面抽空。或者，把吸濕的物質(zhì)，在密封步驟之后，固定在發(fā)光器件的里面以吸收擠進(jìn)其內(nèi)側(cè)的潮濕，這樣可防止由于潮濕等而引起發(fā)光元件的劣化。并不特別限制吸濕的物質(zhì)。例如，可使用氧化鈣。另外，也不特別限制用于固定吸濕物質(zhì)的方法。例如，在基底140中的一部分中提供下降的部分，并在下降部分填入含有粒狀氧化鈣和固定的媒劑之后，該物質(zhì)被固化，以便被固定到發(fā)光器件的內(nèi)側(cè)。注意，也不特別限制這固定媒劑，例如，可使用酯丙烯酸鹽。此外，并不特別限制基底140，而可采用由玻璃，石英，塑料或其類似的物質(zhì)制成的基底。
每個(gè)在上面制作的發(fā)光器件具有以行和列在基底101上延伸的第一似柵格的半導(dǎo)體薄層102，以致在晶體管121A，121b，121c和121d與接線108和109的形成期間把基底101維持在不變的電位上。所以，在本發(fā)明發(fā)光器件中可抑制由于靜電電荷而引起的元件劣化，這種劣化易于在利用等離子體激勵(lì)工藝及諸如此類的工藝中造成。在從具有面積為600mm×720mm或更大面積的大尺寸基底制作多個(gè)發(fā)光器件的情況下，本發(fā)明是極為有效的。
(實(shí)施例2)在本實(shí)施例中，參考圖4A到4C和圖5A到5C，將描述如在實(shí)施例1中描述的用于制作發(fā)光器件的方法和本發(fā)明的另一模式。
在基底201上不僅形成如實(shí)施例1中所述的第一半導(dǎo)體薄層102，以而且還形成以行和列延伸的第一似柵格的半導(dǎo)體薄層202。當(dāng)形成第一半導(dǎo)體薄層202時(shí)，以象在實(shí)施例1所示的第二似島的半導(dǎo)體薄層103一樣的相同方法，在由第一半導(dǎo)體薄層202包圍的每個(gè)區(qū)域230內(nèi)部形成多個(gè)第二似島的半導(dǎo)體薄層203。形成這第二半導(dǎo)體薄層為的是制作晶體管。通過稍后描述的步驟，在基底201上形成多個(gè)發(fā)光器件，其每個(gè)器件作為一個(gè)單元被包括于被第一半導(dǎo)體薄層202所包圍的每個(gè)區(qū)域中，注意，在圖4A到4C和圖5A到5C的橫截面視圖中示意地示出各自的部分，為的是在每個(gè)區(qū)域230的內(nèi)部制作象素部分231，驅(qū)動(dòng)器電路部分232a和232b及諸如此類的部分。
并不特別限制基底201，而在這里可使用如在實(shí)施例1中解釋的、用于基底101的相同材料。在基底201上可形成覆蓋基底201的絕緣薄層204。同樣，并不特別限制絕緣薄層204，可采用在實(shí)施例1中供絕緣薄層104之用的相同材料。
在形成覆蓋基底201的半導(dǎo)體薄層之后，可通過腐蝕來加工這半導(dǎo)體薄層以形成第一半導(dǎo)體薄膜202和第二半導(dǎo)體薄層203。并不特別限制這半導(dǎo)體薄層，可采用硅及其類似的材料。另外，也不特別限定半導(dǎo)體薄層的結(jié)晶度，可采用含結(jié)晶成分的半導(dǎo)體薄層。
接下來形成絕緣薄層205以覆蓋第一半導(dǎo)體薄層202和第二半導(dǎo)體薄層203。并不特別限制這絕緣薄層205，它可用如在實(shí)施例1中所示的絕緣薄層105的同樣方法來形成。
為了控制晶體管的閾值，在形成絕緣薄層205之前或之后，可把n-型或p-型雜質(zhì)加到第二半導(dǎo)體薄層203。例如，可把磷及其類似的元素用作n-型雜質(zhì)，而可把硼及其類似的元素作為p-型雜質(zhì)。此外，當(dāng)把雜質(zhì)加到第二半導(dǎo)體薄層203時(shí)，還可把雜質(zhì)摻到第一半導(dǎo)體薄層202。
接著，在第二半導(dǎo)體薄層203和絕緣薄層205彼此重疊部分的絕緣薄層205上形成起著柵極電極作用的導(dǎo)電薄層206。具體地說，在形成導(dǎo)電層以覆蓋絕緣薄層205之后，可通過腐蝕來加工導(dǎo)電層以形成諸導(dǎo)電薄層206。此刻，通過設(shè)置第一半導(dǎo)體薄層202，基底201的整個(gè)表面被維持在幾乎不變的電位上。所以，當(dāng)采用諸如干腐蝕的等離子體激勵(lì)的腐蝕工藝，很難在基底的表面中形成電位差；從而，難于通過靜電電荷來損害元件。在本文中，導(dǎo)電薄層206可包括或者是單一薄層或者是多層薄層。例如，可形成與絕緣薄層205充分粘結(jié)的導(dǎo)電層，以致與絕緣薄層205接觸，并在其上層壓具有低電阻率的導(dǎo)電層。并不特別限制導(dǎo)電薄層206的形狀，例如，導(dǎo)電薄層206的側(cè)壁可以有一個(gè)坡度的形狀。
接著，通過利用導(dǎo)電薄層206作為掩膜，把雜質(zhì)加到第二半導(dǎo)體薄層203。在這種情況下，可加入給予n-型導(dǎo)電性的諸如磷的雜質(zhì)來形成n-型晶體管?；蛘?，可加入給予p-型導(dǎo)電性的諸如硼的雜質(zhì)來形成p-型晶體管。當(dāng)加入n-型雜質(zhì)時(shí)，通過利用由抗蝕劑及其類似的物質(zhì)制成的掩膜來保護(hù)將成為p-型晶體管組成部分的半導(dǎo)體薄層，使其不被p-型雜質(zhì)摻入。換句話說，例如，在不用由抗蝕劑及其類似的物質(zhì)制成的掩膜情況下，在把n-型雜質(zhì)加到形成在基底201上的所有半導(dǎo)體薄層之后，p-型雜質(zhì)可能被加到通過調(diào)節(jié)p-型雜質(zhì)的數(shù)目，將是p-型晶體管的組成部分的半導(dǎo)體薄層，結(jié)果是用p-型導(dǎo)電性抵消了n-型導(dǎo)電性。
并不特別限制用于加入雜質(zhì)的方法。例如，可使用摻雜及其類似的工藝。還可與第二半導(dǎo)體薄層203同時(shí)把雜質(zhì)加到第一半導(dǎo)體薄層202。通過在雜質(zhì)加到第一半導(dǎo)體薄層202，可以進(jìn)一步改善把基底201維持在不變的電位效果。
根據(jù)上面提到的步驟，可制作通過層壓半導(dǎo)體薄層，絕緣薄層和導(dǎo)電薄層形成的晶體管221a、221b、221c和221d。在本文，晶體管221a和221b被在象素部分231中，并各將連接到發(fā)光元件。晶體管221c被包括在驅(qū)動(dòng)器電路部分232a，而晶體管221d被包括在驅(qū)動(dòng)器電路部分232b中。此外，象素部分231和驅(qū)動(dòng)器電路部分232a及232b可包括除晶體管221a，221b，221c和221d之外的其它晶體管。并不特別限制晶體管221a，221b，221c和221d的結(jié)構(gòu)，它們分別可以具有單一的漏極結(jié)構(gòu)，LDD結(jié)構(gòu)，另一種LDD結(jié)構(gòu)，在這結(jié)構(gòu)中LDD和起著柵極電極作用的導(dǎo)電層彼此重疊，及其類似結(jié)構(gòu)中的任一結(jié)構(gòu)。當(dāng)用在基底上形成的第一半導(dǎo)體薄層202來制作晶體管時(shí)，并不特別限制制作晶體管221a，221b，221c和221d的步驟。所以，可適當(dāng)?shù)卮_定制作晶體管的步驟，以便用預(yù)定的結(jié)構(gòu)形成晶體管221a，221b，221c和221d。而且，所有在發(fā)光器件中形成的晶體管并不需要具有相同的結(jié)構(gòu)，而晶體管的結(jié)構(gòu)可取決于各個(gè)晶體管預(yù)定的目的來各自變化。
接著，形成絕緣薄層207以覆蓋導(dǎo)電薄層206及其類似的薄層。絕緣薄層207可包括單一薄層或多層薄層。在這實(shí)施例中，絕緣薄層207包括絕緣薄層207a和絕緣薄層207b。具體地說，在形成絕緣薄層207a之后，進(jìn)一步形成絕緣薄層207b以覆蓋絕緣薄層207a，然后使這兩層絕緣薄層經(jīng)受熱處理。雖然并不特別限制絕緣薄層207a和207b，但較佳的是，它們可由耐得住350℃或更高溫度的耐熱物質(zhì)來制成，例如，諸如氧化硅，氮化硅，含幾個(gè)百分點(diǎn)氧的氮化硅，以及含幾個(gè)百分點(diǎn)氮的氧化硅的無機(jī)材料。雖然并不特別限制熱處理的工藝條件，但是較佳的是可選在充有諸如氮和氫氣體的氣氛下，在350℃到600℃的溫度下來進(jìn)行這熱處理。而且，也不特別限制熱處理的安排時(shí)間，但可以形成作為第一薄層的絕緣薄層207a之后，在形成作為第二薄層的絕緣薄層207b之后，即在形成絕緣層207a和207b這兩層之后來進(jìn)行這熱處理。
接著，形成通過絕緣薄層207、達(dá)到第二半導(dǎo)體薄層202的接觸孔?？赏ㄟ^腐蝕絕緣薄層207來形成接觸孔。如果是這樣，可使用或者是干腐蝕或者是濕腐蝕作為腐蝕工藝。另外，也可使用干腐蝕和濕腐蝕的組合。例如，在干腐蝕絕緣薄層207之后，再濕腐蝕絕緣薄層207a以形成接觸孔?；蛘?，可干腐蝕絕緣薄層207a和207b這兩層以形成接觸孔。
當(dāng)形成接觸孔時(shí)，由于設(shè)置了第一半導(dǎo)體薄層202，所以基底201的整個(gè)表面被維持在幾乎不變的電位。從而，當(dāng)通過用諸如干腐蝕的等離子體激勵(lì)來形成接觸孔時(shí)，在基底之內(nèi)，極難形成電位差，因此，極難通過靜電電荷來損害元件。
接著，形成接線208和209以及類似的接線。在形成導(dǎo)電薄層后，可通過腐蝕來加工導(dǎo)電薄層來形成接線208和209?；蛘撸谛纬蓪?dǎo)電薄層后，可進(jìn)行熱處理，然后進(jìn)行燒結(jié)，注意，并不特別限制用于導(dǎo)電層的材料，而導(dǎo)層可包括單一薄層或多層薄層。較佳的是，形成這導(dǎo)電層，使得包括由諸如鋁的具有低電阻率材料制成的薄層。當(dāng)接線208和209具有通過夾在氮化鈦薄層或其類似的薄層之間的鋁層形成的層壓結(jié)構(gòu)時(shí)，有可能防止鋁層以免在接線和第二半導(dǎo)體薄層相互重疊的位置上與第二半導(dǎo)體薄層203接觸。此外，還可能防止名層以免在稍后，當(dāng)采用酸性溶液來形成發(fā)光元件的電極時(shí)被侵蝕。注意，接線208起著把流供應(yīng)到發(fā)光元件的作用。接線208和第一半導(dǎo)體薄層202彼此重疊。從而，可有效地利用第一半導(dǎo)體薄層202的上部分作為用于引出接線208的區(qū)域。接線209起著把信號(hào)傳輸?shù)接傻谝话雽?dǎo)體薄層202所包圍的區(qū)域230之內(nèi)各自的晶體管。通過在前面已形成的接觸孔，把接線209連接到第二半導(dǎo)體薄層203。
接著形成絕緣薄層210以覆蓋接線209。雖然并不特別限制絕緣薄層210，但較佳的說，由諸如丙烯酸，硅氧烷和聚酰亞胺的自平面化的物質(zhì)制成的薄層，或由通過CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)等平面化氧化硅層或其類似的薄層形成的薄層來形成。當(dāng)絕緣薄層210由硅氧烷制成時(shí)，可進(jìn)一步為焙烘絕緣層210的熱處理。
接著形成穿過絕緣層210、達(dá)到接線209的接觸孔。當(dāng)形成接觸孔時(shí)，形成開口，使得把接線208被部分地暴露出來?？赏ㄟ^腐蝕絕緣薄層210形成接觸孔及其類似的孔。如果是這樣，可使用干腐蝕或濕腐蝕?；蛘?，還可使用其組合。
當(dāng)形成接觸孔時(shí)，由于設(shè)置了第一半導(dǎo)體薄層202，所以基底201的全部表面被維持在幾乎不變的電位上。從而，當(dāng)通過采用諸如干腐蝕的等離子體激勵(lì)的腐蝕工藝來形成接觸孔時(shí)，在基底之內(nèi)極難形成電位差，因此，通過靜電電荷極難損害元件。
其后，通過接觸孔，穿越絕緣薄層210形成到達(dá)接線209的發(fā)光元件的電極211。并不特別限制發(fā)光元件的電極211。例如，在通過采用可傳輸可見光的導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電薄層之后，通過腐蝕加工這導(dǎo)電薄層以形成電極211。雖然并不特別限制可傳輸可見光的導(dǎo)電材料，但可采用氧化銦錫(ITO)，含有氧化硅的ITO，通過混合到20％氧化鋅形成的IZO(氧化銦鋅)，和氧化銦及其類似的材料?？刹捎没蚴歉筛g或是濕腐蝕作為腐蝕工藝。例如，當(dāng)腐蝕ITO及諸如此類的材料時(shí)，可采用弱酸性溶液。還可通過采用鋁及諸如此類的材料作為對(duì)可傳輸可見光的導(dǎo)電材料的替代品來形成電極211。注意，鋁可包括諸如鋰的堿金屬和鎂即堿土金屬。
接著形成具有一開口的分隔墻薄層212。分隔墻212較佳的是具有一種帶有在側(cè)面部分處連續(xù)變化的曲率半徑的形狀。此外，形成分隔墻薄層212，使得發(fā)光元件的電極從該開口處暴露出來。并不特別限制分隔墻212的材料。例如，可使用丙烯酸，聚酰亞胺，硅氧烷(它是一種具有由硅-氧鍵形成的骨架結(jié)構(gòu)，并在它的有機(jī)基中至少包含氫的物質(zhì))，抗蝕劑或諸如此類的物質(zhì)。在這里可采用光敏丙烯酸，聚酰亞胺和抗蝕劑。注意，絕緣薄層210的側(cè)面可也用像圖3B一樣的分隔墻薄層212來覆蓋。
形成發(fā)光薄層213以覆蓋發(fā)光元件的電極211。并不特別限制發(fā)光薄層213，但可使用如在實(shí)施例1中解釋的供發(fā)光薄層112之用的相同材料。
接著形成發(fā)光元件的電極214。并不特別限制發(fā)光元件的電極214，但可由鋁或在上面描述的可傳輸可見光的導(dǎo)電材料來形成。注意，鋁可包括堿金屬(諸如鋰)，堿土金屬即鎂(Mg)。
較佳的是，要控制用于發(fā)光元件的電極211和214的厚度，材料，層壓結(jié)構(gòu)及諸如此類的內(nèi)容，使得至少電極2112和4中的一個(gè)電極可傳輸可見光。
根據(jù)前面提到的步驟，可制作包括夾在發(fā)光元件電極211和214之間的發(fā)光薄層213的發(fā)光元件215。
在形成發(fā)光元件215之后，可設(shè)置保護(hù)層216以防止潮濕等侵入到發(fā)光元件中。保護(hù)層216可包括單一薄層或多層薄層，并可由氮化硅或諸如此類的物質(zhì)來形成。
通過上面描述的步驟，可在基底201上制作多個(gè)發(fā)光器件，每個(gè)發(fā)光器件包括象素部分231，驅(qū)動(dòng)器電路部分232a和232b，形成在象素部分和驅(qū)動(dòng)器電路部分周邊上的接線208，和連接端及其類似的端部。在每個(gè)象素部分231中，包括晶體管和發(fā)光元件的多個(gè)象素以行和列對(duì)準(zhǔn)。包括在各個(gè)發(fā)光元件的組分部分(象素部分231，驅(qū)動(dòng)器電路部分232a和232b，設(shè)置在象素部分和驅(qū)動(dòng)器電路部分周邊上的接線208，連接端等)和第一半導(dǎo)體薄層202之間的位置關(guān)系如實(shí)施例1的圖1B中所示的一個(gè)是一樣的。注意，發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)并不限于圖1B的結(jié)構(gòu)。
把基片201切割(即分割)成每個(gè)發(fā)光器件。如果是這樣，較佳的是不在切割部段上層壓薄層，而沿著這部段就是把基片201分割成各別的發(fā)光器件。尤其是，不在這些部段上層壓導(dǎo)電層，或由有機(jī)材料制成的薄層是較佳的。
用密封材料241把已分割好的基底201和基底240彼此附接起來，使得各自的發(fā)層被密封在其間。此刻，較佳的是把在絕緣薄層210中形成的開口用密封材料241填入。此外，密封材料241較佳的是含有諸如雙榍A液態(tài)樹脂，雙榍A固態(tài)樹脂，含溴的環(huán)氧樹脂，雙榍F樹脂，雙榍AD樹脂，酚樹脂，甲酚樹脂，酚醛樹脂，環(huán)脂肪環(huán)氧樹脂，外雙環(huán)氧樹脂，甘油醚樹脂，甘油胺樹脂，架環(huán)環(huán)氧樹脂和改良的環(huán)氧樹脂的低潮濕滲透率的物質(zhì)。當(dāng)用具有高的潮濕滲透率的物質(zhì)制作絕緣薄層210或分隔墻薄層212時(shí)，這能禁止通過絕緣層210使潮濕侵入發(fā)光元件215中。在密封之后，發(fā)光器件的內(nèi)側(cè)，即由基底201所包圍的內(nèi)部部分，基底240和密封材料241可充以諸如氮的惰性氣體，或用低潮濕滲透率的樹脂材料或其類似的材料填入?；虬褍?nèi)部部段抽空?；蛘撸诿芊獠襟E之后，把吸濕的物質(zhì)，固定在發(fā)光器件的內(nèi)側(cè)以吸收擠進(jìn)其內(nèi)側(cè)的潮濕，以防止由于潮濕等而引起發(fā)光元件的劣化。并不特別限制吸濕的物質(zhì)。例如，可使用氧化鈣。另外，也不特別限制用于固定吸濕物質(zhì)的方法。例如，在基底240中的一部分中提供下降的部分，并在這下降部分中填入含有顆粒狀氧化鈣和固定的媒劑之后，該物質(zhì)被固化，以便被固定到發(fā)光器件的內(nèi)側(cè)。注意，也不特別限制固定媒劑，例如，可使用酯丙烯酸鹽。此外，并不特別限制基底240，而可采用由玻璃，石英，塑料或其類似的材料制成的基底。
每個(gè)在上面制作的發(fā)光器件包括在基底201上以行和列延伸的第一似柵格的半導(dǎo)體薄層202，以致在發(fā)光器件的制作期間把基底201的表面維持在不變的電位上。所以，在本發(fā)光器件中可減少由于靜電電荷而引起的元件劣化，這種劣化易于在利用等離子體激勵(lì)的工藝過程中造成。在使用具有面積為600mm×720mm或更大面積的大尺寸基底，為的是通過采用一個(gè)基底形成多個(gè)發(fā)光器件的情況下，本發(fā)明是極為有效的。
(實(shí)施例3)在本實(shí)施例中將描述如在實(shí)施例1和2中示出的，根據(jù)本發(fā)明制作的發(fā)光器件。
本實(shí)施例將描述根據(jù)本發(fā)明形成的發(fā)光器件的模式。注意，根據(jù)本發(fā)明發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)和發(fā)光器件的材料并不限于本實(shí)施例。在圖3C和5C中示出的發(fā)光器件中，作為發(fā)光元件114組分元件的發(fā)光層112和作為發(fā)光元件215的組分元件的發(fā)光層213分別包括多層薄層。多層薄層是通過組合由從具有優(yōu)良的截流子輸運(yùn)性質(zhì)和優(yōu)秀的載流子注入性質(zhì)的材料中選出的材料制成的薄膜而形成的。多層薄層部分地包括具有優(yōu)秀的發(fā)光性質(zhì)的材料。包括在發(fā)光薄層1121和3中的材料可以或者是有機(jī)物質(zhì)或者是無機(jī)物質(zhì)。在有機(jī)物質(zhì)的情況下，它可以或是低分子權(quán)重有機(jī)物質(zhì)或是高分子權(quán)重有機(jī)材料。
關(guān)于發(fā)光物質(zhì)，可采用下列物質(zhì)4-二氰基亞甲基-2-甲基-6-(1，1，7，7-四甲基-久洛尼定-9-烯基)-4H-吡喃(縮寫DCJT)、4-二氰基亞甲基-2-叔丁基-6-(1，1，7，7-四甲基-久洛尼定-9-烯基)-4H-吡喃(縮寫DPA)、periflanthene、2，5-二氰基-1，4-二(10-甲氧基-1，1，7，7-四甲基-久洛尼定-9-烯基)苯、N，N’-二甲基喹吖啶酮(縮寫DMQd)、香豆素6、香豆素545T、三(8-喹啉根合)鋁(縮寫Alq3)、9，9’-biantryl、9，10-二苯基蒽(縮寫DPA)、9，10-二(2-萘基)蒽(縮寫DNA)等。另外，也可使用其它的物質(zhì)。
此外，除了前面的單態(tài)受激光發(fā)射物質(zhì)之外，還有包括金屬絡(luò)合物及其類似的物質(zhì)的三重態(tài)受激光發(fā)射物質(zhì)可供發(fā)光薄層之用。例如，發(fā)射紅光的象素，其中亮度的半衰期比發(fā)射綠光和藍(lán)光的象素相對(duì)地短，是由三重態(tài)受激發(fā)光物質(zhì)形成，而發(fā)射綠光和藍(lán)光的象素是由單態(tài)受激發(fā)光物質(zhì)形成。由于三重態(tài)受激發(fā)光材料具有優(yōu)良的發(fā)光效率，所以，與單態(tài)受激發(fā)光物質(zhì)相比，為獲得相同水平的亮度，它具有需要低的功耗的特點(diǎn)。就是說，當(dāng)用于發(fā)射紅光的象素是由三重態(tài)受激發(fā)光材料形成時(shí)，需要流經(jīng)該發(fā)光元件小量電流，從而改善可靠性。為減少功耗，發(fā)射紅光和綠光的象素同樣也可由三重態(tài)受激發(fā)光材料形成，而發(fā)射藍(lán)光的象素則可由單態(tài)受激發(fā)光材料形成。在發(fā)射具有關(guān)于人類眼眼睛高明視度的綠光的發(fā)光元件也由三重態(tài)受激發(fā)光材料形成的情況下，可進(jìn)一步減少功耗。
作為三重態(tài)受激發(fā)光物質(zhì)的一個(gè)示例，有一種是采用金屬絡(luò)合物作為摻雜劑的。尤其是，具有第三過渡元素的鉑作為它的中央金屬的金屬絡(luò)合物，具有依作為它的中央金屬的金屬絡(luò)合物是熟知的。三重態(tài)受激發(fā)光物質(zhì)并不限于這些化合物，而使用具有上面提到的結(jié)構(gòu)并包括屬于周期表的組8到10的一個(gè)元素作為它的中央金屬是可能的。
在具有優(yōu)秀的載流子輸運(yùn)性質(zhì)的物質(zhì)之間，可給關(guān)于具有優(yōu)良的電子輸運(yùn)性質(zhì)的物質(zhì)，例如，具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬絡(luò)合物，諸如，三(8-喹啉根合)鋁(縮寫Alq3)、三(5-甲基-8-喹啉根合)鋁(縮寫Almq3)、二(10-羥基苯并[h]喹啉根合)鈹(縮寫B(tài)eBq2)和二(2-甲基-8-喹啉根合)-4-苯基苯酚鋁(縮寫B(tài)Alq)。作為具有優(yōu)秀的空穴輸運(yùn)性質(zhì)的物質(zhì)，可舉出下面的物質(zhì)，例如，芳族胺(即，具有苯環(huán)-氮鍵合的)基化合物，如4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]-聯(lián)苯(縮寫α-NPD)、4，4’-二[N-(3-甲基萘基)-N-苯基氨基]-聯(lián)苯(縮寫TPD)、4，4’，4”-三(N，N-二苯基氨基)-三苯基胺(縮寫TDATA)和4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]-三苯基胺(縮寫MTDATA)。在具有優(yōu)良的載流子注入性質(zhì)的物質(zhì)之間，關(guān)于具有極為優(yōu)秀的電子注入性質(zhì)的物質(zhì)可舉出諸如氧化鋰，氟化銫和氟化鈣的堿金屬或堿土金屬的化合物。除此之外，可采用具有諸如Alq3和諸如鎂(Mg)的堿土金屬的高的電子輸運(yùn)性質(zhì)物質(zhì)的混合物。關(guān)于具有優(yōu)秀的空穴輸運(yùn)性質(zhì)的物質(zhì)，可舉出，例如，諸如氧化鉬，氧化釩，氧化釕，氧化鎢和氧化錳的金屬氧化物。還有可提到以諸如酞菁的酞菁銅以酞菁為基的化合物。此外，可以使用混合聚苯乙烯磺酸(PSS，具有優(yōu)良的空穴注入/輸運(yùn)性質(zhì))的高分子材料和聚(亞乙基二氧噻吩)(PEDOT)等。
與低分子權(quán)重有機(jī)發(fā)光材料相比，高分子權(quán)重有機(jī)發(fā)光材料具有導(dǎo)致更耐用元件的較高物理強(qiáng)度。此外，由于可通過涂敷來形成高分子權(quán)重有機(jī)發(fā)光材料，所以，可相對(duì)容易地形成元件。
作為含有可用作第二半導(dǎo)體薄層103或第二半導(dǎo)體薄層203的結(jié)晶成分的半導(dǎo)體薄層的專門示例，可舉出單晶/多晶硅，硅鍺及其類似的物質(zhì)。這些物質(zhì)可通過激光結(jié)晶來形成。例如，可通過采用鎳等的固相生長結(jié)晶來形成。另外，還可通過激光結(jié)晶和固相生長這兩者來形成它們。除此之外，一種半無定形半導(dǎo)體可供第二半導(dǎo)體薄層103和203之用。半無定形半導(dǎo)體具有在無定形結(jié)構(gòu)和晶體結(jié)構(gòu)(也包括單晶結(jié)構(gòu)和多晶結(jié)構(gòu))之間的一種中間結(jié)構(gòu)，和就自由能來說是穩(wěn)定的第三種情況，且與晶格畸變同時(shí)還包括具有短程有序的結(jié)晶區(qū)。在半無定形半導(dǎo)體薄膜中的至少一部分中可觀察到尺寸為0.5到20nm的結(jié)晶區(qū)。源于L-O聲子的拉曼光譜朝向低于波數(shù)520cm-1的方向移動(dòng)。通過X-射線衍射，在本無定形半導(dǎo)體中觀察到，據(jù)信是以Si晶各獲得的(111)和(220)的衍射峰。半無定形半導(dǎo)體包含至少1原子％或更多的氫或鹵素作為用于懸掛鍵的中性化媒劑。還把半無定形半導(dǎo)體稱為微結(jié)晶半導(dǎo)體。半無定形半導(dǎo)體是通過用硅化物氣體(等離子體CVD)輝光放電分解來形成的。至于這硅化物氣體，可采用SiH4，Si2H6，SiH2Cl2，SiHCl3，SiCl4，SiF4及其類似的硅化物。這硅化物氣體也可用H2，或H2和選自He，Ar，Kr和Ne的一種或多種稀有氣體的混合物來稀釋，把稀釋比設(shè)為1∶2到1∶1000的范圍內(nèi)。把壓力設(shè)為約在0.1到133巴的范圍內(nèi)。把功率頻率設(shè)為1到120MHz，較佳的是，13到60MHz?；准訜釡囟瓤稍O(shè)為300℃或更低，較佳的是，100到250℃。關(guān)于在薄膜中所含的雜質(zhì)元素，對(duì)諸如氧，氮和碳的氣氛組分的各雜質(zhì)濃度被設(shè)為1×1020原子數(shù)/cm3或更少。尤其是，把氧濃度設(shè)為5×1019原子數(shù)/cm3或更少，較佳的是1×1019原子數(shù)/cm3或更少。采用半無定形半導(dǎo)體的TFT(薄膜晶體管)的遷移率約為1到10cm2/Vsec。
在發(fā)光元件114和215中，發(fā)光元件的電極110和211可起到陽極的作用，而電極113和214則可起到陰極的作用?；蛘?，其電極110和211可起到陰極的作用，而電極113和214可起到陽極的作用。在前者情況下，連接到各自發(fā)光元件的晶體管是p-溝晶體管?；蛘?，在后者情況下，連接到各自發(fā)光元件的晶體管是n-溝晶體管。
在根據(jù)本發(fā)明發(fā)光器件的象素部分中，包括上面提到的發(fā)光元件114和115的多個(gè)象素，和用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件的晶體管是以方陣形式排列的。注意，在各象素中可形成具有不同發(fā)光波長帶的發(fā)光薄層，以便實(shí)現(xiàn)彩色顯示。通常，形成對(duì)應(yīng)于R(紅)，G(綠)和B(藍(lán))各自顏色的發(fā)光薄層。如果是這樣，當(dāng)把傳輸波長帶的光的濾色片(有顏色的薄層)設(shè)置在發(fā)光器件的一側(cè)時(shí)通過它從該發(fā)光薄層產(chǎn)生的光被發(fā)射出，則可改善顏色的純度，并能防止象素部分的鏡面反射。通過設(shè)置濾色片(有顏色的薄層)，可省去在常規(guī)中所需的圓偏振地段。所以可減少從發(fā)光薄層發(fā)出的光的損耗。而且，可進(jìn)一步減少在從斜方向看象素部分(顯示屏)的情況下造成的在色調(diào)方面的變化。
可獲得具有能發(fā)射單色光，例如白光的發(fā)光薄層的結(jié)構(gòu)，而不是通過設(shè)置對(duì)應(yīng)于各自顏色的發(fā)光薄層實(shí)現(xiàn)彩色顯示。當(dāng)采用發(fā)白光的材料時(shí)，可通過設(shè)置向象素的發(fā)光方向傳輸某個(gè)波長光的濾色片(有顏色的薄層)獲得彩色顯示.
為形成發(fā)射白光的發(fā)光薄層，例如，通過采用氣相沉積依次地層壓Alq3，部分摻有尼羅紅的Alq3，pEtTAZ和TPD(芳香族雙胺)可獲得白光發(fā)射。同樣，當(dāng)通過采用族轉(zhuǎn)鍍膜涂敷液體來形成發(fā)光薄層時(shí)，較佳的是，在涂敷之后，通過真空加熱熔烘該發(fā)光薄層。例如，可把聚(乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)的水溶液涂敷在基底的整個(gè)表面上并焙烘。此后，然后把摻以顏料(諸如1，1，4，4-四苯基-1，3-丁二烯(TPB)、4-二氰基亞甲基-2-甲基-6-(p-二甲基氨基-苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM1)，尼羅紅和香豆素6的聚乙烯卡唑(PVK)的溶液涂敷在其整個(gè)表面上并焙烘。
可形成包括單一薄層的發(fā)光薄層，而不是在上面描述的包括多層薄層的發(fā)光薄層。如果是這樣，可把1，3，4-噁二唑的衍生物(PBD)分散到聚乙烯咔唑(PVK)中。除此之外，可通過分散30重量％的PBD和分散四種顏色(TPB，香豆素6、DCM1和尼羅紅)的合適數(shù)量來獲得白光發(fā)射。
當(dāng)把正向偏壓加到作為根據(jù)本發(fā)明發(fā)光器件的組成元件的發(fā)光元件上時(shí)，它能發(fā)光?？捎糜性捶疥嚪椒ǎ?qū)動(dòng)通過采用發(fā)光元件形成的顯示裝置的象素。在這兩種情況下，都把正向偏壓在某個(gè)是限中加到各象素才發(fā)射光；但是在某個(gè)期間各個(gè)象素并不發(fā)光。在非發(fā)光期間，把反向偏壓加到發(fā)光元件，這樣可改善發(fā)光元件的可靠性。發(fā)光元件具有由于在各象素內(nèi)非發(fā)光區(qū)的擴(kuò)展而引起的在某個(gè)驅(qū)動(dòng)條件下減少光強(qiáng)度即明顯地減少亮度的劣化模式。當(dāng)用AC驅(qū)動(dòng)來驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件時(shí)，使得把正向偏壓和反向偏壓交替地加到各像素，可防止發(fā)光元件的劣化，從而提高發(fā)光器件的可靠性。
注意，上面描述的結(jié)構(gòu)，還可應(yīng)用到除了如圖3C和5C所示的發(fā)光器件外的另外實(shí)施例的發(fā)光器件。
(實(shí)施例4)在本實(shí)施例中將描述在本發(fā)明的發(fā)光器件中，設(shè)置在象素部分用來驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件的電路。注意，用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件的電路并不限于本發(fā)施例模式中的一個(gè)。
如圖6A所示，發(fā)光元件301被連接到用于驅(qū)動(dòng)各發(fā)光元件的電路。該電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管321，用來通過圖像信號(hào)確定發(fā)光元件301的發(fā)光/非發(fā)光，用于控制圖像信號(hào)輸入的開關(guān)晶體管322，和用于與圖像信號(hào)無關(guān)而造成發(fā)光元件301非發(fā)光狀態(tài)的抹除晶體管323。如果是這樣，把開關(guān)晶體管322的源極(或漏極)連接到源信號(hào)線331。把驅(qū)動(dòng)晶體管321和抹除晶體管323的源極連接到與源信號(hào)線331平行延伸的電源供給線332。把開關(guān)晶體管322的柵極連接到第一掃描線333。把抹除晶體管323的柵極連接到與第一掃描線333平行延伸的第二掃描線334。而且，驅(qū)動(dòng)晶體管321和發(fā)光元件301彼此串聯(lián)連接。
將描述一種用于使發(fā)光元件301發(fā)射光的驅(qū)動(dòng)方法。當(dāng)?shù)谝粧呙杈€333在寫入期間被選中時(shí)，具有連接到第一掃描線333的柵極的開關(guān)晶體管322被導(dǎo)通。當(dāng)輸入到源信號(hào)線331的圖像信號(hào)通過開關(guān)晶體管322輸入到驅(qū)動(dòng)晶體管321的柵極，電流從源供給線332流經(jīng)發(fā)光元件301，因而，發(fā)光元件發(fā)射光。此刻，光發(fā)射的亮度根據(jù)流經(jīng)發(fā)光元件301的電流量來確定。
圖7是用于具有如圖6A所示電路發(fā)光器件的象素部分的俯視圖。如圖7所示的參考數(shù)字分別代表在圖6A中的相同部分。另外，發(fā)光元件301的電極84示于圖7。
連接到各自發(fā)光元件的電路結(jié)構(gòu)并不限于上面提到的結(jié)構(gòu)。例如，也可采用如圖6B和6C所示的后面得到的結(jié)構(gòu)。
接著，將描述示于圖6B的電路。如圖6B所示，把用于驅(qū)動(dòng)各發(fā)光元件的電路連接到發(fā)光元件801。該電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管821，用來通過圖像信號(hào)確定發(fā)光元件801的發(fā)光/非發(fā)光，用于控制圖像信號(hào)輸入的開關(guān)晶體管822，用于與圖像信號(hào)無關(guān)的而造成發(fā)光元件801非發(fā)射狀態(tài)的抹除晶體管823，和用于控制流經(jīng)發(fā)光元件801電流量的電流控制晶體管824。在這種情況下，把開關(guān)晶體管822的源極(或漏極)連接到源信號(hào)線831。把驅(qū)動(dòng)晶體管821和抹除晶體管823的源極連接到與源信號(hào)線831平行延伸的電源供給線832。把開關(guān)晶體管822的柵極連接到第一掃描線833。把抹除晶體管823的柵極連接到與第一掃描線833平行延伸的第二掃描線834。而且，驅(qū)動(dòng)晶體管821和發(fā)光元件801彼此串聯(lián)連接，而把電流控制晶體管824夾在期間。把電流控制晶體管824的柵極連接到電源供給線835。形成并控制電流控制控制晶體管824，使得電流在電壓-電流(Vd-Id)特性的飽和區(qū)中流動(dòng)。這樣可確定流經(jīng)電流控制晶體管824的電流量。
將描述一種用于造成發(fā)光元件801發(fā)射光的驅(qū)動(dòng)方法。當(dāng)?shù)谝粧呙杈€833在寫入期間被選中時(shí)，具有連接到第一掃描線833的柵極的開關(guān)晶體管822被導(dǎo)通。輸入到源信號(hào)線831的圖像信號(hào)通過開關(guān)晶體管822輸入到驅(qū)動(dòng)晶體管821的柵極。電流從電源供給線832通過驅(qū)動(dòng)晶體管821和在接收到來自電源接線835的信號(hào)后，馬上導(dǎo)通的電流控制晶體管824流經(jīng)發(fā)光元件801，因而，這發(fā)光元件發(fā)射光。此刻，流經(jīng)發(fā)光元件801的電流量根據(jù)電流控制晶體管824來確定。
圖8是用于具有如圖8B所示電路的發(fā)光器件象素部分的俯視圖。在圖8中的參考數(shù)字代表圖8＝6B的相同部段。注意，雖然未把發(fā)光元件801圖示于其中，但在圖8中畫面發(fā)光元件801的電極94。
接著，將描述示于圖6C的電路。把用于驅(qū)動(dòng)各發(fā)光元件的電路連接到發(fā)光元件401。該電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管421，用來通過圖像信號(hào)確定發(fā)光元件401的發(fā)光/非發(fā)光，和用于控制圖像信號(hào)輸入的開關(guān)晶體管422。在這情況下，把開關(guān)晶體管的源極(或漏極)連接到源信號(hào)線431。把驅(qū)動(dòng)晶體管421的源極連接到與源信號(hào)線431平行延伸的電源供給線432。把開關(guān)晶體管422的柵極連接到掃描線433。而且，驅(qū)動(dòng)晶體管421和發(fā)光元件401彼此串聯(lián)連接。
將描述一種用于造成發(fā)光元件401發(fā)射光的驅(qū)動(dòng)方法。當(dāng)掃描線433在寫入期間被選中時(shí)，具有連接到掃描線433的柵極開關(guān)晶體管422被導(dǎo)通。當(dāng)輸入到源信號(hào)線431的圖像信號(hào)通過開關(guān)晶體管422輸入到驅(qū)動(dòng)晶體管421的柵極時(shí)，電流從電源供給線432流經(jīng)發(fā)光元件401，因而，這發(fā)光元件發(fā)射光。此刻，發(fā)光射的亮度根據(jù)流經(jīng)發(fā)光元件401的電流量來確定。
(實(shí)施例5)圖9是發(fā)光器件的俯視圖。其中根據(jù)本發(fā)明制作的發(fā)光器件被密封并與外部連接端固定。
第一基底1001和第二基底1021彼此連接且彼此重疊。在第一基底1001上設(shè)置象素部分1011，用于驅(qū)動(dòng)第一掃描線的驅(qū)動(dòng)器電路部分1012，用于驅(qū)動(dòng)第二掃描線的驅(qū)動(dòng)器電路部分1013，用于驅(qū)動(dòng)源信號(hào)線的驅(qū)動(dòng)器電路部分1014，以及連接接線組合1015(它由虛線圍著)。在驅(qū)動(dòng)器電路部分1012，1013和1014中設(shè)置移位寄存器，緩沖器，開關(guān)及諸如此類的裝置。連接線組合1015和作為外部連接端的FPC(柔性印刷電路)1031用非均質(zhì)的導(dǎo)電粘結(jié)劑把彼此連接起來。多個(gè)象素中的每個(gè)象素包括一發(fā)光元件和用于驅(qū)動(dòng)該發(fā)光元件的電路在象素部分1011中列成一行。諸如視頻信號(hào)，時(shí)鐘脈沖信號(hào)，啟動(dòng)信號(hào)和復(fù)位信號(hào)的信號(hào)通過GPC1031從控制被送到驅(qū)動(dòng)器電路部分1012，1013和1014，電源供給線1016及諸如此類的線。而且，信號(hào)從驅(qū)動(dòng)器電路部分1012，1013和1014和電源供給線1016被送到象素部分。
注意，驅(qū)動(dòng)器電路部分并不需要象在上述提到的象素部分1011一樣設(shè)置在相同的基底上。例如，可把這些驅(qū)動(dòng)器電路部分通過采用在其上形成接線圖形的FPC設(shè)置在基底的外部，并在其上固定一IC芯片(TCP)。
前面的發(fā)光器件是根據(jù)可以減少由于靜電電荷引起的缺陷關(guān)有效地利用基底表面的制作方法來制造的。就是說，同時(shí)把多個(gè)發(fā)光器件制造在一片基底上，這就導(dǎo)致低的制造成本。
圖10示出用根據(jù)本發(fā)明發(fā)光器件安裝的電子裝置。圖10示出根據(jù)本發(fā)明制造的蜂窩電話，它包括主體5552，顯示部分5551，音頻輸出部分5554，音頻輸入部分5555，操作開關(guān)5556，5557，開線5553等。通過結(jié)合本發(fā)明發(fā)光器件作為顯示部分，獲得了可減少由于其在制作工藝過程期間造成的靜電電荷引起的缺陷的顯示器，因而，可制造一種能顯示受人喜愛的圖像的蜂窩電話。除蜂窩電話之外，還可把根據(jù)本發(fā)明顯示裝置應(yīng)用于數(shù)字相機(jī)，汽車導(dǎo)航系統(tǒng)，顯示裝置及其類似的裝置上。這可減少由于在制造工藝過程期間造成的靜電電荷引起的缺陷。因此，可完成期間每一種能提供受人喜受的圖像的數(shù)字相機(jī)，汽車導(dǎo)航系統(tǒng)，顯示裝置等。
如在上面陳述的，本發(fā)明發(fā)光器件適用于為各類電子裝置作為顯示部分。
權(quán)利要求
1.一種用于制作發(fā)光器件的方法，包括形成用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件的頂柵型晶體管的步驟，其中在基底上形成以行和列延伸的第一似柵格的半導(dǎo)體薄層，以及在該第一似柵格的半導(dǎo)體薄層之間形成多個(gè)第二似島的半導(dǎo)體薄層。
2.如權(quán)利要求1所述的用于制作發(fā)光器件的方法，其特征在于，所述該方法還包括一種雜質(zhì)加到第一似柵格的半導(dǎo)體薄層和多個(gè)第二似島的半導(dǎo)體薄層。
3.一種用于制作發(fā)光器件的方法，包括形成用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件的頂柵型薄膜晶體管的步驟，其中在基底上形成以行和列延伸的第一似柵格的半導(dǎo)體薄層，以及在該第一似柵格的半導(dǎo)體薄層之間形成多個(gè)第二似島的半導(dǎo)體薄層。
4.如權(quán)利要求3所述的用于制作發(fā)光器件的方法，其特征在于，所述該方法還包括把一種雜質(zhì)加到第一似柵格的半導(dǎo)體薄層和多個(gè)第二似島的半導(dǎo)體薄層。
5.一種用于制作發(fā)光器件的方法，包括形成用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件的晶體管的步驟，其中通過依次地層壓似島的半導(dǎo)體薄層，絕緣薄層和導(dǎo)電薄層來形成這晶體管，其中在基底上形成的行和列延伸的第一似柵格的半導(dǎo)體薄層，而在該第一似柵格的半導(dǎo)體薄層之間則形成包括似島的半導(dǎo)體薄層的多個(gè)第二似島的半導(dǎo)體薄層。
6.如權(quán)利要求5所述的用于制作發(fā)光器件的方法，其特征在于，所述該方法還包括把一種雜質(zhì)加到第一似柵格的半導(dǎo)體薄層和多個(gè)第二似島的半導(dǎo)體薄層。
7.一種發(fā)光器件，包括第一基底，具有包括發(fā)光元件和晶體管的一個(gè)元件組合；以及第二基底，通過密封材料附接到該第一基底，以便密封該元件組合，其中該元件組合用具有開口的絕緣層來覆蓋，其中該開口被形成在圍著該元件組合的半導(dǎo)體薄層上，以及其中設(shè)置該密封材料，以填入該開口。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體薄層包括n-型和p-型雜質(zhì)中的至少一種雜質(zhì)。
9.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述該絕緣層包括丙烯酸，硅烷和聚酰亞胺中的至少一種。
10.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述該密封材料是環(huán)氧樹脂。
11.一種包括如權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件的電子裝置。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供用于制作能減少由于在制作發(fā)光器件中造成的靜電電荷而引起的元件劣化的發(fā)光器件的一種方法。本發(fā)明的另一目的，是提供一種發(fā)光器件，在這種器件中由于被靜電電荷造成的元件劣化引起的缺陷被減少。用于制作發(fā)光器件的方法包括制作用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件的頂柵型晶體管的步驟。在形成頂柵型晶體管的步驟中，當(dāng)在加工半導(dǎo)體薄層時(shí)，在基底上形成以行和列延伸的第一似柵格的半導(dǎo)體薄層。在第一半導(dǎo)體薄層之間形成多個(gè)第二似島的半導(dǎo)體薄層。多個(gè)第二似島的第二半導(dǎo)體薄層起著晶體管的有源層的作用。
文檔編號(hào)H01L51/52GK1674733SQ200510060158
公開日2005年9月28日 申請(qǐng)日期2005年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月25日
發(fā)明者村上智史, 坂倉真之 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所