專利名稱：具有薄膜晶體管的半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，特別是，本發(fā)明旨在解決形成在絕緣表面上的薄膜型絕緣柵場效應(yīng)晶體管，該絕緣表面既可以是如玻璃的絕緣襯底的表面，也可以是如形成在硅圓片上的氧化硅的絕緣薄膜。具體地說，本發(fā)明可用于制造在玻璃襯底上形成的TFT(薄膜晶體管)，該玻璃的轉(zhuǎn)變溫度(也稱為畸變點或畸變溫度)為750℃或更低。
這種根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體器件可用于有源陣列器件，例如液晶顯示或圖象傳感器的驅(qū)動電路，或用于三維集成電路。
背景技術(shù)：
眾所周知，TFT用以驅(qū)動有源陣列型液晶器件或圖象傳感器。具體地說，不用具有非晶硅的作為其有源層的非晶TFT，而用已研制出的結(jié)晶Si TFT以獲得較高的場遷移率。圖6A-6F是橫截面圖，說明按先有技術(shù)的TFT的制造方法。
參看圖6A，在襯底601上形成結(jié)晶硅的基底602和有源層603。并在該有源層上用氧化硅或其他同類物形成絕緣膜604。
然后由摻磷多晶硅、鉭、鈦、鋁等形成柵電極605。用此柵電極作為掩模，通過適宜的方法，例如自對準方法中的離子注入將雜質(zhì)元素摻入該有源層603，從而形成含有濃度比較低的該雜質(zhì)、因而具有比較高的電阻率的雜質(zhì)區(qū)606和607。此后本發(fā)明將這些區(qū)域606和607稱為高電阻率區(qū)(HRD高電阻率漏極)。位于不摻以雜質(zhì)的柵電極之下的有源層區(qū)域是為溝道區(qū)。此后，用激光或例如閃光燈的熱源將摻雜雜質(zhì)激活。(圖6B)參看圖6C，用等離子體CVD或APCVD(大氣壓CVD)形成氧化硅的絕緣膜608，繼而進行各向異性腐蝕，在柵電極的側(cè)表面毗連處留下絕緣材料609，如圖6D所示。
然后用柵電極605和絕緣材料609作為掩模，用離子注入法或類似方法，以自對準方式再將雜質(zhì)元素加入到一部分的有源層603中，形成一對雜質(zhì)區(qū)610和611，其含有的雜質(zhì)元素的濃度較高，并具有較低的電阻率。之后，再用激光或閃光燈(圖6E)將雜質(zhì)激活。
最后，在整個表面上形成層間絕緣體612，其中在源區(qū)和漏區(qū)610和611上形成接觸孔。然后通過接觸孔形成電極/布線613和614，和源區(qū)和漏區(qū)接觸。(圖6F)上述制造過程是照抄常規(guī)半導(dǎo)體集成電路的老的LDD技術(shù)得到的，這種方法對于在玻璃襯底上的薄膜制造過程有一些缺點，討論如下首先，需要用激光或閃光燈將加入的雜質(zhì)元素激活二次。因此，生產(chǎn)率低。在常規(guī)半導(dǎo)體電路的情況下，可在雜質(zhì)引進全部完成后用一次加熱退火來激活雜質(zhì)。
但在玻璃襯底上形成TFT的情況下，加熱退火的高溫，容易損傷玻璃襯底。因此需要使用激光退火或閃光燈退火。但這種退火對有源層的影響是有選擇的。例如在絕緣材料609下面的有源層部分就未受到退火作用。于是，每次完成摻雜后應(yīng)進行退火的步驟。
還有，形成絕緣材料609也是困難的。一般說來，絕緣膜厚0.5-2μm，而襯底上的基底膜602厚1000-3000。因此，存在著這樣的危險，即在刻蝕絕緣膜608時，會無意地刻蝕基底膜602而使襯底需出。因為TFT的襯底含有許多對硅半導(dǎo)體有害的元素，故不能提高質(zhì)量。
此外，也很難精確地控制絕緣材料609的厚度。各向異性刻蝕是由例如反應(yīng)離子刻蝕(RIE)這樣一種等離子體干式刻蝕完成的。然而由于使用了具有絕緣表面的襯底(這和半導(dǎo)體集成電路中的硅襯底不同)，因而難以精確控制等離子體，故絕緣材料609的形成是困難的。
因上述HRD必須做得盡可能薄，精確控制絕緣材料制造既有上述困難，也就難以批量生產(chǎn)質(zhì)量均勻的TFT。而且需要二次進行離子摻雜，使生產(chǎn)過程變得復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是要解決上述問題，并用簡化的生產(chǎn)過程提供高電阻率區(qū)(HRD)的TFT。此處HRD不僅包括含有濃度較低和電阻率較高的雜質(zhì)區(qū)，也包含電阻率較低的區(qū)域，這是因為，雖然摻雜的雜質(zhì)濃度較高，但添加的元素可用以防止激活摻雜的雜質(zhì)。作為這種元素的例子為碳、氧和氮。
根據(jù)本發(fā)明，柵電極的表面被氧化，且此氧化物層用以確定高電阻率區(qū)。該氧化物層由陽極氧化而成。和上述各向異性刻蝕比較起來，使用陽極氧化以形成氧化層有其優(yōu)點，因為陽極氧化物層的厚度可以精確控制，而且可以形成薄至1000?；蚋?、厚至5000?；蚋竦木鶆蛐詷O為優(yōu)越的陽極氧化物層。
再者，本發(fā)明的另外特點是上述陽氧化層中有兩類陽極氧化物，一類是勢壘型陽極氧化物，另一類是多孔型陽極氧化物。使用酸性電解液時，可以形成多孔型陽極氧化物層。電解液的pH值低于2.0，例如在使用草酸水溶液時，pH值為0.8-1.1。由于是強酸性，金屬膜在氧化期間溶解，生成的陽極氧化物呈多孔性。這種薄膜的電阻很低，致使膜的厚度得以較易增加。另一方面，使用弱酸或接近中性的電解液時，形成勢壘型陽極氧化物。由于不溶解金屬，生成的陽極氧化物致密且高度絕緣。形成勢壘型陽極氧化物的電解液的pH值約高于2.0，最好高于3.0，例如在6.8和7.1之間。除了用含有刻蝕劑的氫氟酸外，勢壘型陽極氧化物是不能被刻蝕的，而多孔型陽極氧化物可以用磷酸刻蝕劑，使用磷酸刻蝕劑不會損傷構(gòu)成TFT的其他材料，例如硅、氧化硅。此外，勢壘型陽極氧化物和多孔型陽極氧化物二者都很難用干式刻蝕劑刻蝕。特別是，這兩種陽極氧化物相對于氧化硅來說都有足夠高的刻蝕選擇率。
本發(fā)明的上述特點使有HRD的TFT的制造變得容易。
根據(jù)本發(fā)明第一方面的一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括具有絕緣表面的襯底；在所述襯底上包括硅的半導(dǎo)體膜，所述半導(dǎo)體膜包括溝道區(qū)；在所述半導(dǎo)體膜中的一對高電阻率區(qū)，所述溝道區(qū)介于所述一對高電阻率區(qū)之間，其中所述一對高電阻率區(qū)包括第一濃度的一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；在所述半導(dǎo)體膜中與所述一對高電阻率區(qū)相鄰的一對雜質(zhì)區(qū)，其中所述一對雜質(zhì)區(qū)包括高于所述第一濃度的第二濃度的同樣導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；在所述溝道區(qū)上的柵電極，柵絕緣膜介于其間，其中所述柵電極部分地與每個所述一對高電阻率區(qū)重疊，其中每個所述一對雜質(zhì)區(qū)包括鎳硅化物。
根據(jù)本發(fā)明第二方面的一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括具有絕緣表面的襯底；在所述襯底上包括硅的半導(dǎo)體膜，所述半導(dǎo)體膜包括溝道區(qū)；在所述半導(dǎo)體膜中的一對高電阻率區(qū)，所述溝道區(qū)介于所述一對高電阻率區(qū)之間，其中所述一對高電阻率區(qū)包括第一濃度的一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；在所述半導(dǎo)體膜中與所述一對高電阻率區(qū)相鄰的一對雜質(zhì)區(qū)，其中所述一對雜質(zhì)區(qū)包括高于所述第一濃度的第二濃度的同樣導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；在所述溝道區(qū)上的柵電極，柵絕緣膜介于其間，其中所述柵電極部分地與每個所述一對高電阻率區(qū)重疊，其中每個所述一對雜質(zhì)區(qū)包括金屬硅化物。
根據(jù)本發(fā)明第三方面的一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括具有絕緣表面的襯底；在所述襯底上包括硅的半導(dǎo)體膜，所述半導(dǎo)體膜包括溝道區(qū)；在所述半導(dǎo)體膜中的一對高電阻率區(qū)，所述溝道區(qū)介于所述一對高電阻率區(qū)之間，其中所述一對高電阻率區(qū)包括第一濃度的一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；在所述半導(dǎo)體膜中與所述一對高電阻率區(qū)相鄰的一對雜質(zhì)區(qū)，其中所述一對雜質(zhì)區(qū)包括高于所述第一濃度的第二濃度的同樣導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；形成在所述溝道區(qū)和所述一對高電阻率區(qū)的柵絕緣膜；在所述溝道區(qū)上的柵電極，柵絕緣膜介于其間，其中所述柵電極部分地與每個所述一對高電阻率區(qū)重疊，其中每個所述一對雜質(zhì)區(qū)包括金屬硅化物，且所述一對雜質(zhì)區(qū)不被所述柵絕緣膜覆蓋。
根據(jù)本發(fā)明第四方面的一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件至少包括第一N溝道薄膜晶體管和第二P溝道薄膜晶體管，其特征在于，包括具有絕緣表面的襯底；在所述襯底上包括硅的半導(dǎo)體膜，所述半導(dǎo)體膜包括第一N溝道薄膜晶體管的第一溝道區(qū)和第二P溝道薄膜晶體管的第二溝道區(qū)；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對N型雜質(zhì)區(qū)，所述第一溝道區(qū)介于所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之間；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對P型雜質(zhì)區(qū)，所述第二溝道區(qū)介于所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之間，其中所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一與所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一相鄰；形成在所述半導(dǎo)體膜上的絕緣膜，所述絕緣膜至少具有一個開口；形成在所述絕緣膜上的電極，其中所述電極經(jīng)所述絕緣膜的開口，與所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一及所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一兩者接觸。
根據(jù)本發(fā)明第五方面的一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件至少包括第一N溝道薄膜晶體管和第二P溝道薄膜晶體管，其特征在于，包括具有絕緣表面的襯底；在所述襯底上包括硅的半導(dǎo)體膜，所述半導(dǎo)體膜包括第一N溝道薄膜晶體管的第一溝道區(qū)和第二P溝道薄膜晶體管的第二溝道區(qū)；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對N型雜質(zhì)區(qū)，所述第一溝道區(qū)介于所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之間；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對P型雜質(zhì)區(qū)，所述第二溝道區(qū)介于所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之間，其中所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一與所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一相鄰；形成在所述半導(dǎo)體膜中，在所述第一溝道區(qū)和所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之間的一對高電阻率區(qū)，其中所述的一對高電阻率區(qū)包括以低于所述一對N型雜質(zhì)區(qū)濃度產(chǎn)生的一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；形成在所述半導(dǎo)體膜上的絕緣膜，所述絕緣膜至少具有一個開口；形成在所述絕緣膜上的電極，其中所述電極經(jīng)所述絕緣膜的開口，與所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一及所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一兩者接觸。
根據(jù)本發(fā)明第六方面的一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件至少包括第一N溝道薄膜晶體管和第二P溝道薄膜晶體管，其特征在于，包括具有絕緣表面的襯底；在所述襯底上包括硅的半導(dǎo)體膜，所述半導(dǎo)體膜包括第一N溝道薄膜晶體管的第一溝道區(qū)和第二P溝道薄膜晶體管的第二溝道區(qū)；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對N型雜質(zhì)區(qū)，所述第一溝道區(qū)介于所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之間；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對P型雜質(zhì)區(qū)，所述第二溝道區(qū)介于所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之間，其中所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一與所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一相鄰；形成在所述半導(dǎo)體膜上的絕緣膜，所述絕緣膜至少具有一個開口；形成在所述絕緣膜上的電極，其中所述電極經(jīng)所述絕緣膜的開口，與所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一及所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一兩者接觸，其中每個所述一對N型雜質(zhì)區(qū)及所述一對P型雜質(zhì)區(qū)包括金屬硅化物。
根據(jù)本發(fā)明第七方面的一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件至少包括第一N溝道薄膜晶體管和第二P溝道薄膜晶體管，其特征在于，包括具有絕緣表面的襯底；在所述襯底上包括硅的半導(dǎo)體膜，所述半導(dǎo)體膜包括第一N溝道薄膜晶體管的第一溝道區(qū)和第二P溝道薄膜晶體管的第二溝道區(qū)；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對N型雜質(zhì)區(qū)，所述第一溝道區(qū)介于所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之間；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對P型雜質(zhì)區(qū)，所述第二溝道區(qū)介于所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之間，其中所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一與所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一相鄰；形成在所述半導(dǎo)體膜中，在所述第一溝道區(qū)和所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之間的一對高電阻率區(qū)，其中所述的一對高電阻率區(qū)包括以低于所述一對N型雜質(zhì)區(qū)濃度產(chǎn)生的一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；形成在所述半導(dǎo)體膜上的絕緣膜，所述絕緣膜至少具有一個開口；形成在所述絕緣膜上的電極，其中所述電極經(jīng)所述絕緣膜的開口，與所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一及所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一兩者接觸，其中每個所述一對N型雜質(zhì)區(qū)及所述一對P型雜質(zhì)區(qū)包括金屬硅化物。
根據(jù)本發(fā)明第八方面的一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件至少包括第一N溝道薄膜晶體管和第二P溝道薄膜晶體管，其特征在于，包括具有絕緣表面的襯底；在所述襯底上包括硅的半導(dǎo)體膜，所述半導(dǎo)體膜包括第一N溝道薄膜晶體管的第一溝道區(qū)和第二P溝道薄膜晶體管的第二溝道區(qū)；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對N型雜質(zhì)區(qū)，所述第一溝道區(qū)介于所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之間；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對P型雜質(zhì)區(qū)，所述第二溝道區(qū)介于所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之間，其中所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一與所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一相鄰；形成在所述半導(dǎo)體膜上的絕緣膜，所述絕緣膜至少具有一個開口；形成在所述絕緣膜上的電極，其中所述電極經(jīng)所述絕緣膜的開口，與所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一及所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一兩者接觸，其中每個所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一及所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一包括鎳硅化物。
根據(jù)本發(fā)明第九方面的一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件至少包括第一N溝道薄膜晶體管和第二P溝道薄膜晶體管，其特征在于，包括具有絕緣表面的襯底；在所述襯底上包括硅的半導(dǎo)體膜，所述半導(dǎo)體膜包括第一N溝道薄膜晶體管的第一溝道區(qū)和第二P溝道薄膜晶體管的第二溝道區(qū)；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對N型雜質(zhì)區(qū)，所述第一溝道區(qū)介于所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之間；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對P型雜質(zhì)區(qū)，所述第二溝道區(qū)介于所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之間，其中所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一與所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一相鄰；形成在所述半導(dǎo)體膜中，在所述第一溝道區(qū)和所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之間的一對高電阻率區(qū)，其中所述的一對高電阻率區(qū)包括以低于所述一對N型雜質(zhì)區(qū)濃度產(chǎn)生的一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；形成在所述半導(dǎo)體膜上的絕緣膜，所述絕緣膜至少具有一個開口；形成在所述絕緣膜上的電極，其中所述電極經(jīng)所述絕緣膜的開口，與所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一及所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一兩者接觸，其中每個所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一及所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一包括鎳硅化物。
根據(jù)本發(fā)明第十方面的一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括包括硅的半導(dǎo)體，所述半導(dǎo)體包括溝道區(qū)；在所述半導(dǎo)體中的一對高電阻率區(qū)，所述溝道區(qū)介于所述一對高電阻率區(qū)之間，其中所述一對高電阻率區(qū)包括第一濃度的一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；在所述半導(dǎo)體膜中與所述一對高電阻率區(qū)相鄰的一對雜質(zhì)區(qū)，其中所述一對雜質(zhì)區(qū)包括高于所述第一濃度的第二濃度的同樣導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；在所述溝道區(qū)上的柵電極，柵絕緣膜介于其間，其中每個所述一對雜質(zhì)區(qū)包括金屬硅化物，并至少包括高于所述溝道區(qū)的濃度的碳、氧和氮之一。
根據(jù)本發(fā)明的一種半導(dǎo)體器件，包括一個襯底；在襯底上至少形成一個象素電極；至少一個第一薄膜晶體管電連接到該象素電極；用來驅(qū)動該第一薄膜晶體管的周圍電路，所說周圍電路至少包括一個第二薄膜晶體管，所說第一和第二薄膜晶體管各自包括具有源區(qū)和漏區(qū)的結(jié)晶半導(dǎo)體膜、源區(qū)和漏區(qū)間的溝道區(qū)、以及分別在溝道區(qū)和源區(qū)與溝道區(qū)和漏區(qū)的一對高電阻率區(qū)；靠近溝道區(qū)的柵絕緣膜；以及靠近溝道區(qū)的柵電極，柵絕緣膜就在它們之間插入，其中，在第二薄膜晶體管中的柵電極至少部分地覆蓋該對高電阻率區(qū)，而在第一薄膜晶體管中的柵電極未覆蓋該對高電阻率區(qū)。
此外，根據(jù)本發(fā)明的一種半導(dǎo)體器件，包括一個襯底在襯底上至少形成一個象素電極；至少一個第一薄膜晶體管電連接到該象素電極；用來驅(qū)動該第一薄膜晶體管的周圍電路，所說周圍電路至少包括一個第二薄膜晶體管，所說第一和第二薄膜晶體管各自包括具有源區(qū)和漏區(qū)的結(jié)晶半導(dǎo)體膜、源區(qū)和漏區(qū)間的溝道區(qū)、以及分別在溝道區(qū)和源區(qū)與溝道區(qū)和漏區(qū)的一對雜質(zhì)區(qū)，其中，包含于該對雜質(zhì)區(qū)內(nèi)的一種導(dǎo)電類型雜質(zhì)的濃度小于源區(qū)和漏區(qū)內(nèi)的雜質(zhì)濃度；靠近溝道區(qū)的柵絕緣膜；以及靠近溝道區(qū)的柵電極，柵絕緣膜就在它們之間插入，其中，在第二薄膜晶體管中的柵電極至少部分地覆蓋該對雜質(zhì)區(qū)，而在第一薄膜晶體管中的柵電極未覆蓋該對雜質(zhì)區(qū)。
還有，根據(jù)本發(fā)明的一種半導(dǎo)體器件，包括一個襯底；在襯底上至少形成一個象素電極；至少一個第一薄膜晶體管電連接到該象素電極；用來驅(qū)動該第一薄膜晶體管的周圍電路，所說周圍電路至少包括一個第二薄膜晶體管，所說第一和第二薄膜晶體管各自包括具有源區(qū)和漏區(qū)的結(jié)晶半導(dǎo)體膜、源區(qū)和漏區(qū)間的溝道區(qū)、以及分別在溝道區(qū)和源區(qū)與溝道區(qū)和漏區(qū)的一對高電阻率區(qū)；靠近溝道區(qū)的柵絕緣膜；以及位于溝道區(qū)之上的柵電極，柵絕緣膜就在它們之間插入，其中，在第二薄膜晶體管中的柵電極至少部分地覆蓋該對高電阻率區(qū)，而在第一薄膜晶體管中的柵電極未覆蓋該對高電阻率區(qū)，并且柵絕緣膜覆蓋溝道區(qū)及該對高電阻率區(qū)，而源區(qū)和漏區(qū)延伸過柵絕緣膜的側(cè)邊沿。
再者，根據(jù)本發(fā)明的一種半導(dǎo)體器件，包括一個襯底在襯底上至少形成一個象素電極；至少一個第一薄膜晶體管電連接到該象素電極；用來驅(qū)動該第一薄膜晶體管的周圍電路，所說周圍電路至少包括一個第二薄膜晶體管，所說第一和第二薄膜晶體管各自包括具有源區(qū)和漏區(qū)的結(jié)晶半導(dǎo)體膜、源區(qū)和漏區(qū)間的溝道區(qū)、以及分別在溝道區(qū)和源區(qū)與溝道區(qū)和漏區(qū)的一對雜質(zhì)區(qū)，其中，包含于該對雜質(zhì)區(qū)內(nèi)的一種導(dǎo)電類型雜質(zhì)的濃度小于源區(qū)和漏區(qū)內(nèi)雜質(zhì)的濃度；靠近溝道區(qū)的柵絕緣膜；以及位于溝道區(qū)之上的柵電極，柵絕緣膜就在它們之間插入，其中，在第二薄膜晶體管中的柵電極至少部分地覆蓋該對雜質(zhì)區(qū)，而在第一薄膜晶體管中的柵電極未覆蓋該對雜質(zhì)區(qū)，并且柵絕緣膜覆蓋溝道區(qū)及該對高電阻率區(qū)，而源區(qū)和漏區(qū)延伸過柵絕緣膜的側(cè)邊沿。
另外，根據(jù)本發(fā)明的一種半導(dǎo)體器件，包括一個襯底；在襯底上至少形成一個象素電極；至少一個第一薄膜晶體管電連接到該象素電極；用來驅(qū)動該第一薄膜晶體管的周圍電路，所說周圍電路至少包括一個第二薄膜晶體管，所說第一和第二薄膜晶體管各自包括具有源區(qū)和漏區(qū)的結(jié)晶半導(dǎo)體膜、源區(qū)和漏區(qū)間的溝道區(qū)、以及分別在溝道區(qū)和源區(qū)與溝道區(qū)和漏區(qū)的一對高電阻率區(qū)；靠近溝道區(qū)的柵絕緣膜；以及靠近溝道區(qū)的柵電極，柵絕緣膜就在它們之間插入，其中，在第二薄膜晶體管中的柵電極至少部分地覆蓋該對高電阻率區(qū)，而在第一薄膜晶體管中的柵電極未覆蓋該對高電阻率區(qū)，并且第一和第二薄膜晶體管的源區(qū)和漏區(qū)都包含硅化鎳。
再者，根據(jù)本發(fā)明的一種半導(dǎo)體器件，包括一個襯底在襯底上至少形成一個象素電極；至少一個第一薄膜晶體管電連接到該象素電極；用來驅(qū)動該第一薄膜晶體管的周圍電路，所說周圍電路至少包括一個第二薄膜晶體管，所說第一和第二薄膜晶體管各自包括具有源區(qū)和漏區(qū)的結(jié)晶半導(dǎo)體膜、源區(qū)和漏區(qū)間的溝道區(qū)、以及分別在溝道區(qū)和源區(qū)與溝道區(qū)和漏區(qū)的一對雜質(zhì)區(qū)，其中，包含于該對雜質(zhì)區(qū)內(nèi)的一種導(dǎo)電類型雜質(zhì)的濃度小于源區(qū)和漏區(qū)內(nèi)雜質(zhì)的濃度；靠近溝道區(qū)的柵絕緣膜；以及靠近溝道區(qū)的柵電極，柵絕緣膜就在它們之間插入，其中，在第二薄膜晶體管中的柵電極至少部分地覆蓋該對雜質(zhì)區(qū)，而在第一薄膜晶體管中的柵電極未覆蓋該對雜質(zhì)區(qū)，并且第一和第二薄膜晶體管的源區(qū)和漏區(qū)都包含硅化鎳。


圖1A-1F是橫截面視圖，說明本發(fā)明實施例1的TFT的制造方法；圖2A-2F是橫截面視圖，說明本發(fā)明實施例2的TFT的制造方法；圖3A-3F是橫截面視圖，說明本發(fā)明實施例3的TFT的制造方法；圖4A-4D是本發(fā)明的TFT的一部分的放大視圖；圖5A和5B是使用本發(fā)明的TFT的有源陣列器件的電路襯底；圖6A-6F是橫截面視圖，說明先有技術(shù)的TFT的制造方法；圖7A-7F是橫截面視圖，說明本發(fā)明實施例4的TFT的制造方法；圖8A-8F是橫截面視圖，說明本發(fā)明實施例5的TFT的制造方法；圖9A-9F是橫截面視圖，說明本發(fā)明實施例6的TFT的制造方法；圖10A-10F是橫截面視圖，說明本發(fā)明實施例7的TFT的制造方法；圖11A-11F是橫截面視圖，說明本發(fā)明實施例8的TFT的制造方法；圖12A-12F是橫截面視圖，說明本發(fā)明實施例9的TFT的制造方法；以及圖13A-13D是橫截面視圖，說明本發(fā)明的陽極氧化生產(chǎn)過程。
具體實施例方式
參看圖1A，在襯底101上制備基底絕緣膜102。在該基底絕緣膜102上形成包括結(jié)晶硅半導(dǎo)體的有源層103。本發(fā)明的“結(jié)晶半導(dǎo)體”包括單晶、多晶或半非晶半導(dǎo)體，其中至少部分含有晶體成分。此外，包括氧化硅或之類的絕緣膜104覆蓋著有源層103。
再在絕緣膜104上，形成包括可陽極氧化材料的薄膜?？申枠O氧化材料的例子為鋁、鉭、鈦、硅等。這些材料可單獨使用，或者使用它們中二或多個，以多層形式出現(xiàn)。例如，可以使用一種雙層結(jié)構(gòu)，其中硅化鈦形成在鋁上，或鋁形成在氮化鈦上。各層的厚度可按所需器件的性質(zhì)確定。隨后，將薄膜構(gòu)圖或刻蝕形成電極105。
然后參見圖1B，在電解液中將電流加到柵電極105上，使之陽極氧化以在其上表面和側(cè)表面形多孔的陽極氧化物106。就以本陽極氧化用的電解液而言，使用的是含3-20％的檸檬酸、草酸、磷酸、鉻酸或硫酸的水溶液。所加的電壓為10-30V，厚度為0.5μm或更厚。由于使用酸性溶液，如鋁的金屬在陽極化時被溶解，而生成的陽極氧化膜呈多孔性。又因為是多孔性結(jié)構(gòu)，氧化膜的阻值是很低的，因此其厚度可用較低電壓增加。當金屬是兩性金屬時，在使用堿性溶液下，也可用相同的做法。
參看圖1D，以陽極氧化膜106作為掩模，用干式或濕式刻蝕法刻蝕絕緣膜104?？涛g作用可以繼續(xù)到暴露出有源層的表面為止，或在有源層的表面暴露出之前就停止刻蝕。但鑒于生產(chǎn)率、產(chǎn)額和均勻性，最好將刻蝕繼續(xù)到暴露出有源層的表面為止。在柵電極105和陽極氧化膜106下面的絕緣膜104的部分留下來作為絕緣膜104。在使用鋁、鉭或鈦作為柵電極的主要組成，而柵絕緣膜104包含氧化硅時，使用含氟的刻蝕劑例如NF和SF作干式刻蝕是可能的。在這種情況下，絕緣膜104被快速刻蝕，而對氧化鋁、氧化鉭和氧化鈦的刻蝕率足夠小，以致可做到選擇性地刻蝕絕緣膜104。
還有，在使用顯式刻蝕的情況下，使用含氫氟酸的刻劑，例如1/100的氫氟酸是可能的。此時，因鋁、鉭和鈦的氧化物的刻蝕率足夠小，故也可以選擇性地刻蝕氧化硅絕緣膜104。
刻蝕絕緣膜104后，除去陽極氧化膜106。作為刻蝕劑，可使用含磷酸的溶液。例如，一種由磷酸、醋酸和硝酸的混合酸是理想的。但在使用鋁作為柵電極時，柵電極也被刻蝕劑刻蝕。根據(jù)本發(fā)明，如圖1C所示，在柵電極和陽極氧化物106之間設(shè)置勢壘型陽極氧化膜107，這個問題就可以解決。
在含有3-10％酒石酸、硼酸或硝酸的乙二醇中形成陽極氧化物106后，將電流加到柵電極可形成陽極氧化膜107。陽極氧化物107的厚度可由柵電極和反電極之間的電壓大小決定。應(yīng)注意，這種陽極氧化中所用的電解液是比較中性的，以致和使用酸性溶液相反，也可增加陽極氧化物的密度。這樣，就可以形成勢壘型陽極氧化物。多孔型陽極氧化物的刻蝕率比勢壘型陽極氧化物的高10倍。
于是，可由含刻蝕劑的磷酸將多孔型陽極氧化物106除去而不會損傷柵電極。
由于柵絕緣膜104’以自對準方式相對于多孔性陽極氧化物106形成，柵絕緣膜104’的外邊緣離開勢壘型陽極氧化物107的外邊緣“y”，如圖1D所示。使用陽極氧化物的一個好處在于，距離“y”可以以自對準方式由陽極氧化物的厚度決定。
參看圖1E，N型或P型的雜質(zhì)離子被加速注入有源層103以在柵絕緣膜104’已除去(或減薄)的部分形成高雜質(zhì)濃度區(qū)108和111，并在柵絕緣膜留下來的地方形成低雜質(zhì)濃度區(qū)109和110。由于雜質(zhì)離子通過柵絕緣膜104’進入?yún)^(qū)109和110，故這些區(qū)的雜質(zhì)離子濃度較區(qū)108和111的低。因為加有較高的雜質(zhì)濃度，雜質(zhì)區(qū)108和111的電阻較雜質(zhì)區(qū)109和110的電阻低。雜質(zhì)離子濃度的差別依賴于柵絕緣膜104’的厚度。正常情況下，區(qū)109和110的濃度小于區(qū)108和111的100.5至103。
在柵電極下的有源層部分不摻以雜質(zhì)，且可保留為本征的或基本上是本征的。因而限定出溝道區(qū)。雜質(zhì)引進后，用激光或強度等效于該激光的光照射雜質(zhì)區(qū)，將雜質(zhì)激活。這步驟一步就可完成。結(jié)果如圖1E和1F所示，柵絕緣膜104’的邊緣112大致與高阻區(qū)(HRD)的邊緣113相對準。
如以上解釋，通過陽極氧化物106的厚度“y”以自對準方式可確定高電阻率區(qū)109和119，而厚度“y”反過來是由陽極氧化步驟期間施加到柵電極的電流量決定的。這樣做較圖6A-6F所示的使用與柵電極毗連的絕緣材料要優(yōu)越得多。
此外，由于低電阻率區(qū)和高電阻率區(qū)可用單一的雜質(zhì)摻雜步驟形成，上述方法是有優(yōu)點的。在先有技術(shù)中盡管HRD有一好處，即它可以避免出現(xiàn)熱載流子并增加器件的可靠性。但存在一個問題，即因HRD的阻率高，它難以和電極成歐姆接觸，又因此電阻率使漏電壓不合要求地降低。本發(fā)明解決了這些理解不深的問題，同時可以自對準方式形成具有0.1至1μm寬度的HRD，并能使電極和源和漏區(qū)間呈歐姆接觸。
再者，相對于柵電極的溝道區(qū)和HRD(109和110)之間的邊界位置關(guān)系，參看圖4A-4D和下列解釋，可通過改變勢壘型陽極氧化物107的厚度加以控制。例如，使用離子摻雜法(亦稱為等離子體摻雜)時，離子被引進時沒有按質(zhì)量分開，以致離子的注入角度不是均勻的。因而引入到有源層的離子容易在橫方向上分開。
圖4A說明圖1E所示的部分放大視圖。編號401指柵電極。402指勢壘型陽極氧化物，它與圖1E的勢壘型陽極氧化物107相對應(yīng)。404指有源層，其厚度例如約800。當陽極氧化物402的厚度大約和有源層404的厚度相等時，柵電極的邊緣405基本上和HRD 407的邊緣406相對準。
當陽極氧化層402厚于有源層，例如，3000時，柵電極的邊緣405，如圖4B所示，偏離HRD的邊緣406。另一方面，與有源層比較起來陽極氧化物402為比較薄時，柵電極疊置HRD，如圖4C所示。當沒有陽極氧化物圍繞在柵電極401，如圖4D所示，這種疊置變得最大。
一般情況下，偏離結(jié)構(gòu)可降低反向漏電流(截止電流)并增加ON/OFF(導(dǎo)通/截止)比。偏離結(jié)構(gòu)適用于TFT，以在驅(qū)動漏電流要盡可能避免的液晶器件中驅(qū)動象素。然而，由于在HRD的邊緣處出現(xiàn)并會被氧化物俘獲的熱電子，陽極氧化物容易變質(zhì)。
在柵電極疊置HRD時，可以減輕變質(zhì)的缺點，并使ON電流增加。但有漏電流增加的缺點。為此，疊置結(jié)構(gòu)適用于單片有源陣列器件的周圍電路中的TFT。于是，根據(jù)應(yīng)用情況，可選用圖4A至4E的適用結(jié)構(gòu)。
例1再參看圖1A-1F，將更詳細地討論制造TFT的方法。將一塊尺寸為300mm×400mm或100mm×100mm的Corning玻璃襯底用作襯底101。通過例如在氧氣中的濺射，在襯底上形成厚度為100-300nm的氧化硅作為基底膜102。但為改進生產(chǎn)率可以使用TEOS作為起始材料的等離子體CVD。
通過等離子體CVD或LPCVD將非晶硅沉積至厚度為300-5000最好為500-1000，然后在一減壓氣氛中將其在550-600℃下加熱24小時，并將其構(gòu)圖，可形成島狀的結(jié)晶硅膜103?？梢圆捎眉す馔嘶鹨源婕訜嵬嘶?。此外，用濺射法形成厚度為70-150nm的氧化硅膜104。
然后用電子束蒸發(fā)或濺射法形成含1％重量Si或0.1-0.3％重量Sc(鈧)厚為1000至3μm的鋁膜。如圖1A所示，將鋁膜構(gòu)圖，形成柵電極105。
再參看圖1B，通過將電流施加到一電極上使柵電極105陽極氧化，以形成厚度為3000-6000，例如為5000的陽極氧化膜106。使用3-20％的檸檬酸、草酸、磷酸、鉻酸或硫酸的酸性水溶液。所加電壓為10-30V，而所加電流保持恒定。此例用的是草酸。電解液的溫度為30℃。施加10V電壓20-40分鐘。陽極氧化膜的厚度由陽極氧化時間控制。
隨后，在另一含3-10％草酸、硼酸或硝酸的乙二醇溶液的電解液中再對柵電極陽極氧化，以形成圍繞柵電極的勢壘型陽極氧化膜107。電解液的溫度最好保持在較室溫低，例如10℃，以便改進氧化膜的質(zhì)量。陽極氧化膜107的厚度與所加電壓的大小成比例。所加電壓選自80-150V的范圍。當所加電壓為150V時，厚度為2000。陽極氧化膜107的厚度是根據(jù)TFT所需結(jié)構(gòu)(參見圖4A-4D的討論)決定的，但需將電壓提高到250V或更高，以獲得厚度為3000?；蚋竦年枠O氧化膜。
由于這樣大的電壓對TFT存在危險，最好選擇陽極氧化物107的厚度為3000或更小。
參看圖1D，用干式刻蝕法部分除去氧化硅膜104。這種刻蝕可以呈各向同性刻蝕的等離子體模式或是各向異性刻蝕的反應(yīng)離子刻蝕模式。但硅和氧化硅的選擇比應(yīng)足夠大。使得不應(yīng)太多刻蝕有源硅層。還有，陽極氧化物106和107不被CF刻蝕，而氧化硅膜則被選擇性地刻蝕。由于多孔型陽極氧化物106下面的氧化硅膜104不被刻蝕，柵絕緣膜104’不被刻蝕地保留下來。
然后參看圖1E，采用磷酸、醋酸或硝酸的混合酸，以例如6000/分的刻蝕率，只將多孔型陽極氧化膜106刻蝕。柵絕緣膜104’保留下來。
除去多孔型陽極氧化膜106后，以柵電極、勢壘型陽極氧化膜107和柵絕緣膜104’為掩模，用離子摻雜法以自對準方式加入雜質(zhì)元素，使半導(dǎo)體層形成一種導(dǎo)電類型。結(jié)果形成高電阻率雜質(zhì)區(qū)109和110，低電阻率區(qū)(源和漏區(qū))108和111。形成P型區(qū)時，使用乙硼烷(BH)作為摻雜氣體。劑量為5×1014至5×1015原子/cm2。加速能量為10-30KV。在該引進后，用KrF激發(fā)物激光(波長248nm，脈沖寬度20ns)激活所加雜質(zhì)。
用SIMS(二次電子質(zhì)普儀)測量有源層中的雜質(zhì)濃度，源和漏區(qū)108和111的雜質(zhì)濃度為1×1020至2×1021原子/cm3，而高電阻率區(qū)109和110中的雜質(zhì)濃度為1×1017至2×1018原子/cm3。這對應(yīng)于前一種情況的劑量5×1014-5×1015原子/cm2和后一種情況的劑量2×1013-5×1014原子/cm2。這種差別是由于有柵絕緣膜104’引起的。一般而言，低電阻率雜質(zhì)區(qū)的濃度比高電阻率區(qū)的濃度高0.5-3倍。
然后在整個結(jié)構(gòu)上用CVD形成厚度為3000的氧化硅的層間絕緣膜114，隨后，通過絕緣膜和在其中形成的鋁電極形成接觸孔，以接觸圖1F所示的源和漏區(qū)。最后，進行氫氣退火，以完成TFT的制造。
參看圖5A，以下將解釋本發(fā)明的TFT應(yīng)用于有源陣列器件，例如液晶器件的電路襯底。圖5A中，襯底上形成了三個TFT。TFT1和TFT2在周圍電路中用作驅(qū)動器TFT。TFT1和TFT2中的勢壘型陽極氧化物501和502厚200-1000，例如500。因此，柵電極疊置高電阻率區(qū)。TFT1的漏極和TFT2的源極彼此連接，TFT1的源板接地，TFT2的漏板連接到電源。這樣就形成CMOS倒相器。這自然不局限于本結(jié)構(gòu)，因而可以形成任一種其他電路。
另一方面，TFT3用作象素TFT，用以驅(qū)動象素。陽極氧化物503厚2000，以便形成偏離區(qū)。本結(jié)構(gòu)對應(yīng)于圖4B所示結(jié)構(gòu)。于是，可以降低漏電流。TFT3源和漏中的一個連接到由氧化銦錫(ITO)制成的象素電極504。同時，TFT1和3為N溝道TFT，而TFT2為P溝道TFT。
例2本例是例1的改進，其中的源和漏區(qū)設(shè)有硅化物層。參看圖2A，201為Corning 7059玻璃襯底，202為基底膜，203為硅島，204為絕緣膜，205為Al柵電極(厚200nm-1μm)，以及206為多孔型陽極氧化膜(厚3000-1μm例如5000)。這些是使用例1所解釋的相同方法來形成的，這里不贅述。
參看圖2B，在形成多孔型陽極氧化物206后，以和例1相同的方式形成厚1000-2500的勢壘型陽極氧化膜207。然后，用多孔型陽極氧化物206為掩模，以自對準方式通過刻蝕絕緣膜204形成柵絕緣膜204’。
然后，用勢壘型陽極氧化物207作為掩模，通過刻蝕將多孔型陽極氧化物206除去。此外，用柵電極205和陽極氧化物207作為掩模，以自對準方式進行雜質(zhì)元素(磷)的離子摻雜，以便形成如圖2C所示的低電阻率雜質(zhì)區(qū)208和211以及高電阻率雜質(zhì)區(qū)209和210。所用劑量為1×1014-5×1015原子/cm2，加速電壓為30-90KV。
參看圖2D，用濺射法在整個表面上形成金屬膜212，例如鈦膜，其厚度為50-5000。低電阻率區(qū)208和211直接和金屬膜接觸。除了鈦外，也可用其他金屬，例如鎳、鉬、鎢、鉑或鈀。
之后，將KrF激發(fā)物激光(波長248nm，脈沖寬度20)照射到表面上，以激活所加雜質(zhì)，并通過和有源層中的金屬膜和硅起反應(yīng)，形成金屬硅化物區(qū)213和214。激光束的能量密度為200-400MJ/cm2，最好為250-300MJ/cm2。而且，在激光照射期間，要求襯底維持在200-500℃，以避免剝落鈦層。
當然，使用其他不是激發(fā)物激光的光源也是可以的。但因CW激光的照射時間較長，被照射膜有熱膨脹和剝落的危險，故最好使用脈沖激光束。
至于脈沖激光的例子，有IR(紅外)光激光，例如Na:YAG激光(最好用Q開關(guān)脈沖振蕩)、Na:YAG的二次諧波(可見光)以及UV(紫外)光(例如KrF、XeCl和ArF的激發(fā)源激光)。激光束由金屬膜上側(cè)發(fā)射時，需要選擇激光的波長，以便不在金屬上反射。再者，也可從襯底側(cè)發(fā)射激光。此時，需選擇了可透射硅的激光。
用激光退火之外，也可用可見光或近紅外光的燈光退火。此時，進行退火，將襯底加熱至600-1000℃，例如在600℃下數(shù)分鐘，或在1000℃下數(shù)十秒。用近紅外線退火時，不要過甚加熱玻璃襯底。因近紅外線被硅半導(dǎo)體有選擇地吸收。此外，縮短照射時間，可以防止加熱玻璃。
此后，參看圖2E，在例如柵電極或柵絕緣膜上只有保持不變而不轉(zhuǎn)變?yōu)楣杌锏拟伳ぃ疟缓?∶2∶2的過氧化氫、氨和水的刻蝕劑刻蝕掉。結(jié)果硅化鈦213和214保持不變。
參看圖2F，在整個表面上用CVD沉積2000-1μm例如3000的氧化硅而形成層絕緣膜217。通過絕緣膜217，在源和漏區(qū)213和214上形成接觸孔，繼之在其中形成厚度為2000-1μm例如為5000的鋁電極或引線218和219。和使用硅半導(dǎo)體相比，使用金屬硅化物可提供與鋁的穩(wěn)定界面，并提供與鋁電極的良好接觸。通過在鋁電極218和219及金屬硅化物區(qū)213和214之間形成勢壘金屬，可以進一步改進接觸。硅化物區(qū)的薄層電阻可做成10-50Ω/□，而HRD209和210的為10-100KΩ/□。
借助上述工序，可以改進TFT的頻率特性，而且在較高的漏電壓下也可以抑制熱載流子的損傷。
在本例中，低電阻率雜質(zhì)區(qū)和金屬硅化物區(qū)大約彼此重合。特別是柵絕緣膜204’的邊緣215大致與高電阻率雜質(zhì)區(qū)210和低電阻率雜質(zhì)區(qū)211之間的邊界216共同延伸，也與金屬硅化物區(qū)214的內(nèi)邊緣共同延伸。顯然，以金屬硅化物區(qū)代替低電阻率區(qū)，參考圖4A-4D的解釋可應(yīng)用到本例中。
圖5B示出本例在有源陣列器件中的應(yīng)用。在圖5B中，襯底上形成了三個TFT。TFT1和TFT2在周圍電路中用作驅(qū)動器TFT。TFT1和TFT2中的勢壘型陽極氧化物505和506厚200-1000，例如厚500。因此，柵電極疊置高電阻率區(qū)。TFT1的漏極和TFT2的源極彼此互連，TFT1的源極接地，TFT2的漏極則連接到電源。因而，形成了CMOS倒相器。因為還可以形成任一種其他電路，因而不應(yīng)只局限于本結(jié)構(gòu)。
另一方面，TFT3用作象素TFT驅(qū)動象素。陽極氧化物507厚為2000，以便可以形成偏離區(qū)。這種結(jié)構(gòu)相應(yīng)于圖4B所示的結(jié)構(gòu)。因此，可降低漏電流。TFT3的源和漏極中的一個極連接到由銦錫氧化物(ITO)制成的象素電極508。
為了獨立地控制各個TFT的陽極氧化物的厚度，各TFT的柵電極最好彼此獨立制成。同時，TFT1和3是N溝道型TFT，而TFT2為P溝道型TFT。
此外，可在雜質(zhì)的離子摻雜前形成鈦膜。在這情況下，其好處是鈦膜可在離子摻雜期間防止表面充電。再者，在鈦形成步驟前、離子摻雜步驟后，可用激光進行退火。在鈦形成后，硅化鈦可用光照射或熱退火形成。
例3本例是例2的進一步變化結(jié)果，其中改變了金屬硅化物的形成步驟和離子摻雜的秩序。參看圖3A，在Corning 7059襯底301上形成了基底氧化膜302、島狀結(jié)晶半導(dǎo)體(例如硅)區(qū)303、氧化硅膜304、2000至1μm的鋁柵電極以及在柵電極側(cè)上的6000的多孔型陽極氧化膜306。這些都和參看圖1A和1B討論的例1一樣的方式形成的。
此外，以和例1一樣的方式形成1000-2500的勢壘型陽極氧化膜307。接著，以圖3B所示的自對準方式將氧化硅膜304構(gòu)圖成柵絕緣膜304’。
參看圖3C，將多孔型陽極氧化物306除去，以便露出一部分的柵絕緣膜304’。接著，用濺射法在整個表面上形成厚50-500的例如為鈦膜308的金屬層。
然后用KrF激發(fā)物激光照射以便形成硅化物區(qū)309和310。激光的能量密度為200-400mJ/cm2，最好為250-300mJ/cm2。此外，也希望保持襯底在200-500℃，以在激光照射期間防止鈦膜剝落。這一步驟可用可見光或遠紅外光的燈光退火進行。
參看圖3D，采用含5∶2∶2的過氧化氫、氨和水的刻蝕劑，將例如在柵電極或柵絕緣膜上只留下的鈦膜剝?nèi)?。結(jié)果將硅化鈦309和310保留下來。
參看圖3E，使用柵電極305、陽極氧化物307和柵絕緣膜304’作為掩模，劑量為1-5×1014原子/cm2，加速電壓為30-90KV，完成磷的離子摻雜，以使形成低電阻率區(qū)311和314以及高電阻率區(qū)312和313。硅化鈦區(qū)309和310大致和低電阻率區(qū)311和314重合，它同樣也和源和漏區(qū)重合。
然后再用KrF激發(fā)物激光(波長248nm，脈沖寬度20ns)激活所加磷。這可如上述使用可見光或遠紅外線的燈光退火來進行。之后，如圖3F所示，以柵電極和陽極氧化物307為掩?？涛g柵絕緣膜304’，形成柵絕緣膜304″。這是因為加入到柵絕緣膜304’的雜質(zhì)使器件性質(zhì)不穩(wěn)定。
圖3F中，通過CVD在整個表面上沉積6000厚的氧化硅以形成層間絕緣體315。接觸孔通過絕緣體開出，以在源和漏區(qū)上形成鋁電極316和317。這樣就完成了TFT。
根據(jù)本發(fā)明，摻雜或退火步驟的次數(shù)可以減少。再者，除了P型或n型雜質(zhì)離子外，還可加入如碳、氧或氮的雜質(zhì)，以便進一步降低反向漏電流，并提高介質(zhì)強度。這一點在有源陣列電路中的象素TFT是特別有用的。在這情況下，圖5A和5B是TFT3具有的陽極氧化膜做得與TFT1和TFT2的一樣厚。
例4現(xiàn)參看圖7A-7F來解釋本發(fā)明的第四個例子。本例與例1比較，相同標號表示相同的元件。本質(zhì)上本例中的各步驟幾乎和前例相同，因此這里不再贅述。
在柵絕緣膜104上形成導(dǎo)電膜后，就在導(dǎo)電膜的整個表面上形成例如為光刻膠、光敏的聚酰亞胺掩模材料或聚酰亞胺。例如，旋涂光刻膠(由東京Oka公司制造的OFPR 800/30cp)。最好是在導(dǎo)電膜和光刻膠之間形成陽極氧化膜(圖中未示出)，然后將這些膜構(gòu)圖成圖7A所示的柵電極105和掩模117。然后，以和例1相同的方式，在柵電極105的表面上(除了圖7B所示的形成掩模117的部分外)形成多孔型陽極氧化膜106。
然后參看圖7C，通過干式刻蝕將氧化硅膜104構(gòu)圖，以便露出部分硅膜103，從而形成柵絕緣膜104’。這里也采用了與例1中所做的相同的刻蝕方法。此外，在這個刻蝕步驟之前和之后，都通過常規(guī)的光刻技術(shù)除去光刻膠掩模。
參看圖7D，以和例1相同的方式形成厚度為2000的勢壘型陽極氧化膜107。使用這種勢壘型陽極氧化膜作為掩模，通過用以前解釋過的磷酸刻蝕劑除去多孔型陽極氧化物。于是獲得圖7E所示的結(jié)構(gòu)。接下去的步驟和參考圖1E和1F的解釋的步驟相同。
由于在第一次陽極氧化中柵電極的上表面不被氧化，因而可在第一次陽極氧化期間防止柵電極厚度減薄太多。即在例1中，因為柵電極的整個表面受到陽極氧化，柵電極厚度被減薄，引起布線電阻不希望有的增加。本例可避免這樣的問題。
例5本例是例2和例4的組合，并示于圖8A-8F。圖8A-8B所示的步驟和例4的圖7A-7C所敘述的完全一樣。亦即，僅在柵電極的側(cè)表面上形成多孔型陽極氧化物，而柵電極的上部則覆以掩模。此外，出現(xiàn)在圖8B所示的暴露硅層部分的步驟后，即圖8C-8C所示的步驟，是和參考圖2C-2F的例2中解釋的那些步驟完全相同。
例6本例也是關(guān)注例3和例5的組合，并示于圖9A-9F。亦即本例和例5不同之處，僅在于金屬硅化物區(qū)的形成和離子注入步驟的秩序。因此，圖9A-9B所示的步驟和例4參考圖7A-7C所述的步驟完全相同，而且也對應(yīng)于例5的圖8A和8B所示的步驟。圖9C-9F所示的隨后步驟完全對應(yīng)于例3的圖3C-3F所示的步驟。
例7參看圖10A-10F，本例可和示于圖7A-7F的例4相比較。唯一不同處是圖10C和10D所示的步驟秩序。亦即，在圖10C中，勢壘型陽極氧化膜107是在刻蝕絕緣膜104之前形成的。在勢壘型陽極氧化物107形成后，將絕緣膜104構(gòu)圖成柵絕緣膜104’。另一方面，在例4中，絕緣膜104的構(gòu)圖是在如圖7C所示的勢壘型陽極氧化物形成前進行的。因此，在例7中，勢壘型陽極氧化物在刻蝕絕緣膜104期間保護鋁柵電極105。
例8本例除了柵絕緣膜的構(gòu)圖步驟和勢壘型陽極氧化膜207的形成步驟之間的秩序外，完全和圖8A-8F的例5相同。亦即，參看圖11A-11B，和例5相反，勢壘型陽極氧化膜207是在刻蝕絕緣膜204之前形成的。之后，將絕緣膜構(gòu)圖成柵絕緣膜204’。圖11C-11F中所示的隨后步驟完全和例5中的相同。
例9本例除在柵絕緣膜304的構(gòu)圖步驟和勢壘型陽極氧化膜307的形成步驟之間的秩序外，也和圖9A-9F的例6完全相同。亦即，參看圖12A-12B，勢壘型陽極氧化膜307是在刻蝕絕緣膜304部分之前形成的。此后，將絕緣膜構(gòu)圖成柵絕緣膜304’。圖12C-12F中所示的隨后步驟完全和例6中的相同。
參考例6-9，雖則沒有在示圖中顯示出來，僅在柵電極的側(cè)表面上形成陽極氧化膜時，最好在柵電極和掩模之間設(shè)置陽極氧化膜。下面將參看圖13A-13D更詳細地敘述這個特點。
圖13A-13D是使用可陽極化的材料的布線細致過程。在例如形成在半導(dǎo)體上的氧化膜襯底701上，形成例如厚2μm的鋁膜702。為避免在順序陽極氧化步驟期間產(chǎn)生鋁的異常生長(小丘)，鋁可含0.2％重量的Sc(鈧)，或為避免在高溫生產(chǎn)過程產(chǎn)生鋁的異常生長，鋁可含其他添加劑，例如釔(Y)。
然后在含3％酒石酸的乙二醇溶液中，對鋁膜施加10-30V的電壓將其陽極氧化。從而在鋁膜上形成厚200的致密陽極氧化膜703。然后用光刻膠掩模704，根據(jù)預(yù)定的圖形將鋁膜702和氧化膜703構(gòu)圖。由于氧化膜很薄，故易以在同時將其刻蝕。
上述情況下的構(gòu)圖是通過各向同性刻蝕進行的。經(jīng)構(gòu)圖的鋁膜邊緣具有如圖13B標號707所示的形狀。此外，氧化物703和鋁702之間的不同刻蝕率也進一步增強了結(jié)構(gòu)707。
然后在含10％草酸的水溶液中，通過施加10-30V的電壓，形成多孔型陽極氧化膜705。氧化過程主要是在鋁膜內(nèi)側(cè)進行的。
已證實氧化生長的頂端，即在陽極氧化物和鋁之間的邊界，大致垂直于襯底表面。另一方面，在勢壘型陽極氧化的情況下，勢壘型陽極氧化物的形狀幾乎保持了起始金屬的形狀。
本例中鋁膜厚度為2μm，而多孔型陽極氧化膜705生長到5000。透過電子顯微照片觀察到生長的頂端大致是垂直的。
形成多孔型陽極氧化膜后，用常規(guī)的脫模劑除去光刻膠掩模704。因掩模陽極氧化物703很落，可與光刻膠掩模704同時剝除，或者使用加有緩沖劑的氟化氫酸在較后的步驟中除去。
此外，如圖13D所示，通過在不同條件下進行另一陽極氧化，進一步形成2000厚的勢壘型陽極氧化膜706。就是說，電解液是含3％酒石酸的乙二醇溶液，所加電壓約150V。該氧化膜從多孔型陽極氧化物705和鋁702之間的邊界開始在內(nèi)側(cè)方向圍繞鋁膜均勻地生長。
因此，形成一種結(jié)構(gòu)，其中勢壘型陽極氧化膜圍繞鋁膜形成，還有的多孔型陽極氧化膜則在鋁膜側(cè)邊上形成。
用磷酸H3PO4可容易地和選性性地將多孔型陽極氧化物705除去，而不會損傷鋁膜。
不用說，上述工序可用在前述例4-9的陽極氧化工序中。
盡管在前述例子中使用了玻璃襯底，本發(fā)明的TFT也可形成在任何絕緣表面上，例如有機樹脂或形成在單晶硅的絕緣表面上。還有，它也可形成在三維集成電路的器件中。特別是本發(fā)明用在電光器件，例如在同一襯底上形成有周圍電路的單片型有源陣列電路時，是特別有利的。
此外，例子中雖然使用結(jié)晶硅，本發(fā)明也可用于非晶硅或其他類型的半導(dǎo)體。
盡管本發(fā)明是參考最佳實施例加以敘述的，但精通本鄰域的人士顯然可以理解實施例的各種變型。本發(fā)明要包括所有在所附權(quán)利要求書范圍內(nèi)的變型。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括具有絕緣表面的襯底；在所述襯底上包括硅的半導(dǎo)體膜，所述半導(dǎo)體膜包括溝道區(qū)；在所述半導(dǎo)體膜中的一對高電阻率區(qū)，所述溝道區(qū)介于所述一對高電阻率區(qū)之間，其中所述一對高電阻率區(qū)包括第一濃度的一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；在所述半導(dǎo)體膜中與所述一對高電阻率區(qū)相鄰的一對雜質(zhì)區(qū)，其中所述一對雜質(zhì)區(qū)包括高于所述第一濃度的第二濃度的同樣導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；在所述溝道區(qū)上的柵電極，柵絕緣膜介于其間，其中所述柵電極部分地與每個所述一對高電阻率區(qū)重疊，其中每個所述一對雜質(zhì)區(qū)包括鎳硅化物。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述金屬硅化物是從鈦、鎳、鉬、鎢、鉑或鈀構(gòu)成的組中選出的一種金屬的硅化物。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述雜質(zhì)是N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)。
4.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括具有絕緣表面的襯底；在所述襯底上包括硅的半導(dǎo)體膜，所述半導(dǎo)體膜包括溝道區(qū)；在所述半導(dǎo)體膜中的一對高電阻率區(qū)，所述溝道區(qū)介于所述一對高電阻率區(qū)之間，其中所述一對高電阻率區(qū)包括第一濃度的一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；在所述半導(dǎo)體膜中與所述一對高電阻率區(qū)相鄰的一對雜質(zhì)區(qū)，其中所述一對雜質(zhì)區(qū)包括高于所述第一濃度的第二濃度的同樣導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；在所述溝道區(qū)上的柵電極，柵絕緣膜介于其間，其中所述柵電極部分地與每個所述一對高電阻率區(qū)重疊，其中每個所述一對雜質(zhì)區(qū)包括金屬硅化物。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中所述雜質(zhì)是N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)。
6.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括具有絕緣表面的襯底；在所述襯底上包括硅的半導(dǎo)體膜，所述半導(dǎo)體膜包括溝道區(qū)；在所述半導(dǎo)體膜中的一對高電阻率區(qū)，所述溝道區(qū)介于所述一對高電阻率區(qū)之間，其中所述一對高電阻率區(qū)包括第一濃度的一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；在所述半導(dǎo)體膜中與所述一對高電阻率區(qū)相鄰的一對雜質(zhì)區(qū)，其中所述一對雜質(zhì)區(qū)包括高于所述第一濃度的第二濃度的同樣導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；形成在所述溝道區(qū)和所述一對高電阻率區(qū)的柵絕緣膜；在所述溝道區(qū)上的柵電極，柵絕緣膜介于其間，其中所述柵電極部分地與每個所述一對高電阻率區(qū)重疊，其中每個所述一對雜質(zhì)區(qū)包括金屬硅化物，且所述一對雜質(zhì)區(qū)不被所述柵絕緣膜覆蓋。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中所述金屬硅化物是從鈦、鎳、鉬、鎢、鉑或鈀構(gòu)成的組中選出的一種金屬的硅化物。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中所述雜質(zhì)是N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)。
9.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件至少包括第一N溝道薄膜晶體管和第二P溝道薄膜晶體管，其特征在于，包括具有絕緣表面的襯底；在所述襯底上包括硅的半導(dǎo)體膜，所述半導(dǎo)體膜包括第一N溝道薄膜晶體管的第一溝道區(qū)和第二P溝道薄膜晶體管的第二溝道區(qū)；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對N型雜質(zhì)區(qū)，所述第一溝道區(qū)介于所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之間；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對P型雜質(zhì)區(qū)，所述第二溝道區(qū)介于所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之間，其中所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一與所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一相鄰；形成在所述半導(dǎo)體膜上的絕緣膜，所述絕緣膜至少具有一個開口；形成在所述絕緣膜上的電極，其中所述電極經(jīng)所述絕緣膜的開口，與所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一及所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一兩者接觸。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括在所述第一溝道區(qū)上的第一柵電極和在所述第二溝道區(qū)上的第二柵電極。
11.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件至少包括第一N溝道薄膜晶體管和第二P溝道薄膜晶體管，其特征在于，包括具有絕緣表面的襯底；在所述襯底上包括硅的半導(dǎo)體膜，所述半導(dǎo)體膜包括第一N溝道薄膜晶體管的第一溝道區(qū)和第二P溝道薄膜晶體管的第二溝道區(qū)；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對N型雜質(zhì)區(qū)，所述第一溝道區(qū)介于所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之間；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對P型雜質(zhì)區(qū)，所述第二溝道區(qū)介于所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之間，其中所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一與所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一相鄰；形成在所述半導(dǎo)體膜中，在所述第一溝道區(qū)和所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之間的一對高電阻率區(qū)，其中所述的一對高電阻率區(qū)包括以低于所述一對N型雜質(zhì)區(qū)濃度產(chǎn)生一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；形成在所述半導(dǎo)體膜上的絕緣膜，所述絕緣膜至少具有一個開口；形成在所述絕緣膜上的電極，其中所述電極經(jīng)所述絕緣膜的開口，與所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一及所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一兩者接觸。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括在所述第一溝道區(qū)之上的第一柵電極和在所述第二溝道區(qū)之上的第二柵電極。
13.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件至少包括第一N溝道薄膜晶體管和第二P溝道薄膜晶體管，其特征在于，包括具有絕緣表面的襯底；在所述襯底上包括硅的半導(dǎo)體膜，所述半導(dǎo)體膜包括第一N溝道薄膜晶體管的第一溝道區(qū)和第二P溝道薄膜晶體管的第二溝道區(qū)；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對N型雜質(zhì)區(qū)，所述第一溝道區(qū)介于所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之間；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對P型雜質(zhì)區(qū)，所述第二溝道區(qū)介于所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之間，其中所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一與所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一相鄰；形成在所述半導(dǎo)體膜上的絕緣膜，所述絕緣膜至少具有一個開口；形成在所述絕緣膜上的電極，其中所述電極經(jīng)所述絕緣膜的開口，與所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一及所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一兩者接觸，其中每個所述一對N型雜質(zhì)區(qū)及所述一對P型雜質(zhì)區(qū)包括金屬硅化物。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括在所述第一溝道區(qū)之上的第一柵電極和在所述第二溝道區(qū)之上的第二柵電極。
15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中所述金屬硅化物是從鈦、鎳、鉬、鎢、鉑或鈀構(gòu)成的組中選出的一種金屬的硅化物。
16.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件至少包括第一N溝道薄膜晶體管和第二P溝道薄膜晶體管，其特征在于，包括具有絕緣表面的襯底；在所述襯底上包括硅的半導(dǎo)體膜，所述半導(dǎo)體膜包括第一N溝道薄膜晶體管的第一溝道區(qū)和第二P溝道薄膜晶體管的第二溝道區(qū)；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對N型雜質(zhì)區(qū)，所述第一溝道區(qū)介于所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之間；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對P型雜質(zhì)區(qū)，所述第二溝道區(qū)介于所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之間，其中所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一與所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一相鄰；形成在所述半導(dǎo)體膜中，在所述第一溝道區(qū)和所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之間的一對高電阻率區(qū)，其中所述的一對高電阻率區(qū)包括以低于所述一對N型雜質(zhì)區(qū)濃度產(chǎn)生一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；形成在所述半導(dǎo)體膜上的絕緣膜，所述絕緣膜至少具有一個開口；形成在所述絕緣膜上的電極，其中所述電極經(jīng)所述絕緣膜的開口，與所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一及所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一兩者接觸，其中每個所述一對N型雜質(zhì)區(qū)及所述一對P型雜質(zhì)區(qū)包括金屬硅化物。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括在所述第一溝道區(qū)之上的第一柵電極和在所述第二溝道區(qū)之上的第二柵電極。
18.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其中所述金屬硅化物是從鈦、鎳、鉬、鎢、鉑或鈀構(gòu)成的組中選出的一種金屬的硅化物。
19.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件至少包括第一N溝道薄膜晶體管和第二P溝道薄膜晶體管，其特征在于，包括具有絕緣表面的襯底；在所述襯底上包括硅的半導(dǎo)體膜，所述半導(dǎo)體膜包括第一N溝道薄膜晶體管的第一溝道區(qū)和第二P溝道薄膜晶體管的第二溝道區(qū)；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對N型雜質(zhì)區(qū)，所述第一溝道區(qū)介于所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之間；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對P型雜質(zhì)區(qū)，所述第二溝道區(qū)介于所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之間，其中所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一與所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一相鄰；形成在所述半導(dǎo)體膜上的絕緣膜，所述絕緣膜至少具有一個開口；形成在所述絕緣膜上的電極，其中所述電極經(jīng)所述絕緣膜的開口，與所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一及所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一兩者接觸，其中每個所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一及所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一包括鎳硅化物。
20.如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括在所述第一溝道區(qū)之上的第一柵電極和在所述第二溝道區(qū)之上的第二柵電極。
21.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件至少包括第一N溝道薄膜晶體管和第二P溝道薄膜晶體管，其特征在于，包括具有絕緣表面的襯底；在所述襯底上包括硅的半導(dǎo)體膜，所述半導(dǎo)體膜包括第一N溝道薄膜晶體管的第一溝道區(qū)和第二P溝道薄膜晶體管的第二溝道區(qū)；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對N型雜質(zhì)區(qū)，所述第一溝道區(qū)介于所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之間；形成在所述半導(dǎo)體膜中的一對P型雜質(zhì)區(qū)，所述第二溝道區(qū)介于所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之間，其中所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一與所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一相鄰；形成在所述半導(dǎo)體膜中，在所述第一溝道區(qū)和所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之間的一對高電阻率區(qū)，其中所述的一對高電阻率區(qū)包括以低于所述一對N型雜質(zhì)區(qū)濃度產(chǎn)生一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；形成在所述半導(dǎo)體膜上的絕緣膜，所述絕緣膜至少具有一個開口；形成在所述絕緣膜上的電極，其中所述電極經(jīng)所述絕緣膜的開口，與所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一及所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一兩者接觸，其中每個所述一對N型雜質(zhì)區(qū)之一及所述一對P型雜質(zhì)區(qū)之一包括鎳硅化物。
22.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括在所述第一溝道區(qū)之上的第一柵電極和在所述第二溝道區(qū)之上的第二柵電極。
23.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括包括硅的半導(dǎo)體，所述半導(dǎo)體包括溝道區(qū)；在所述半導(dǎo)體中的一對高電阻率區(qū)，所述溝道區(qū)介于所述一對高電阻率區(qū)之間，其中所述一對高電阻率區(qū)包括第一濃度的一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；在所述半導(dǎo)體膜中與所述一對高電阻率區(qū)相鄰的一對雜質(zhì)區(qū)，其中所述一對雜質(zhì)區(qū)包括高于所述第一濃度的第二濃度的同樣導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；在所述溝道區(qū)上的柵電極，柵絕緣膜介于其間，其中每個所述一對雜質(zhì)區(qū)包括金屬硅化物，并至少包括高于所述溝道區(qū)的濃度的碳、氧和氮之一。
24.如權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體器件，其中所述金屬硅化物是從鈦、鎳、鉬、鎢、鉑或鈀構(gòu)成的組中選出的一種金屬的硅化物。
25.如權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體器件，其中所述雜質(zhì)是N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)。
26.如權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體是半導(dǎo)體膜。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括具有絕緣表面的襯底；在所述襯底上包括硅的半導(dǎo)體膜，所述半導(dǎo)體膜包括溝道區(qū)；在所述半導(dǎo)體膜中的一對高電阻率區(qū)，所述溝道區(qū)介于所述一對高電阻率區(qū)之間，其中所述一對高電阻率區(qū)包括第一濃度的一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；在所述半導(dǎo)體膜中與所述一對高電阻率區(qū)相鄰的一對雜質(zhì)區(qū)，其中所述一對雜質(zhì)區(qū)包括高于所述第一濃度的第二濃度的同樣導(dǎo)電類型的雜質(zhì)；在所述溝道區(qū)上的柵電極，柵絕緣膜介于其間，其中所述柵電極部分地與每個所述一對高電阻率區(qū)重疊，其中每個所述一對雜質(zhì)區(qū)包括鎳硅化物。
文檔編號H01L27/12GK1652352SQ200510054408
公開日2005年8月10日 申請日期1994年9月20日 優(yōu)先權(quán)日1993年9月20日
發(fā)明者小沼利光, 菅原彰, 上原由起子, 張宏勇, 鈴木敦則, 大沼英人, 山口直明, 須澤英臣, 魚地秀貴, 竹村保彥 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所