專利名稱：反射電極以及包括該反射電極的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種反射電極和一種化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，特別是涉及一種具有低接觸電阻、高反射率和增大電導(dǎo)率的反射電極以及一種包括這種反射電極的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，例如諸如發(fā)光二極管(LED)和激光二極管(LD)的半導(dǎo)體激光二極管利用化合物半導(dǎo)體的特性將電信號轉(zhuǎn)換成光信號。化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的激光束在實踐中被應(yīng)用在光通信、多路通信和空間通信領(lǐng)域當(dāng)中。半導(dǎo)體激光器被廣泛地用作光通信領(lǐng)域以及諸如光盤播放器(CDP)或數(shù)字通用播放器(DVDP)的裝置中，進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸或數(shù)據(jù)記錄和讀取的光源。
可以根據(jù)光的發(fā)射方向，將化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件劃分為頂發(fā)射發(fā)光二極管(TLED)和倒裝片發(fā)光二極管(FCLED)。
TLED通過一個p型電極發(fā)光，該p型電極與p型化合物半導(dǎo)體層形成歐姆接觸。所述p型電極包括依次疊置在一p型化合物半導(dǎo)體層上的Ni層和Au層。但是，由于由所述Ni層和Au層構(gòu)成的p型電極是半透明的，所以包含p型電極的TLED具有低光效率和低亮度。
就FCLED而言，形成于p型化合物半導(dǎo)體層上的反射電極反射了從有源層發(fā)出的光，被反射的光會穿過襯底發(fā)射出來。所述反射電極是由具有高光反射率的材料，諸如Ag、Al和Rh構(gòu)成的。包括這種反射電極的FCLED可具有高光效率和高亮度。但是，由于所述反射電極與所述p型化合物半導(dǎo)體層之間具有相對較高的接觸電阻，所以包含所述反射電極的發(fā)光器件的預(yù)期使用期限會縮短，特性也不穩(wěn)定。
為了解決這些問題，針對材料和結(jié)構(gòu)展開的，用于實現(xiàn)具有低接觸電阻和高反射率的電極的研究已經(jīng)取得了進(jìn)展。
國際專利公告(International Patent Publication)第WO 01/47038A1號展示了一種包含反射電極的半導(dǎo)體發(fā)光器件，這一半導(dǎo)體發(fā)光器件具有一個設(shè)置在反射電極和p型化合物半導(dǎo)體層之間的歐姆接觸層。但是，所述歐姆接觸層是由具有低光透射率的材料，諸如Ti或Ni/Au構(gòu)成的，因此降低了光效率和亮度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種可以減小接觸電阻的，并且具有高反射率和增大的電導(dǎo)率的反射電極，和一種包含這種反射電極的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的反射電極，其形成于一p型化合物半導(dǎo)體層上，所述電極包括一與所述p型化合物半導(dǎo)體層形成歐姆接觸的第一電極層；一設(shè)置在所述第一電極層上，并且由透明導(dǎo)電氧化物構(gòu)成的第二電極層；以及一設(shè)置在所述第二電極層上，并且由光反射材料構(gòu)成的第三電極層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括一n型電極、一p型電極、和置于所述n型電極和所述p型電極之間的一n型化合物半導(dǎo)體層、一有源層和一p型化合物半導(dǎo)體層，其中，所述p型電極包括一與所述p型化合物半導(dǎo)體層形成歐姆接觸的第一電極層；一設(shè)置在所述第一電極層上的，由透明導(dǎo)電氧化物構(gòu)成的第二電極層；以及一設(shè)置在所述第二電極層上的，由光反射材料構(gòu)成的第三電極層。


通過參照附圖對本發(fā)明的示范性實施例予以詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述特征和優(yōu)勢會變得更加清晰，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明的一實施例的反射電極的橫截面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的又一實施例的反射電極的橫截面圖；圖3是包含如圖1所示的反射電極的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的橫截面圖；圖4A是如圖1所示的反射電極(Ag/ITO/Ag)的電流-電壓(I-V)特征圖；以及圖4B是包含如圖1所示的反射電極(Ag/ITO/Ag)的InGaN藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)的I-V特征圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在，將參照對本發(fā)明的示范性實施例予以說明的附圖對本發(fā)明進(jìn)行更為詳盡的描述。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的反射電極22的橫截面圖。
參照圖1，反射電極22形成于p型化合物半導(dǎo)體層20之上。反射電極22包括依次疊置在所述p型化合物半導(dǎo)體層20上的第一電極層22a、第二電極層22b和第三電極層22c。
第一電極層22a是由一種能夠與p型化合物半導(dǎo)體層20形成歐姆接觸的材料構(gòu)成，其厚度大約在0.1到500nm之間。
在本實施例當(dāng)中，第一電極層22a是由氧化銦(例如In2O3)構(gòu)成的，其中至少添加一種從Mg、Cu、Zr和Sb構(gòu)成的組中選出的添加成分。
所述添加成分控制著氧化銦的帶隙、電子親和勢和功函數(shù)，從而改善了所述第一電極層22a的歐姆接觸特性。特別地，所述添加成分提高了所述p型化合物半導(dǎo)體層20的有效載流子濃度，并且容易與構(gòu)成所述p型化合物半導(dǎo)體層20的除氮以外的元素反應(yīng)。
例如，當(dāng)p型化合物半導(dǎo)體層20是由GaN基化合物構(gòu)成的，添加成分可能會在與N發(fā)生反應(yīng)之前與Ga反應(yīng)。在這種情況下，p型化合物半導(dǎo)體層20的Ga與添加成分反應(yīng)，從而在p型化合物半導(dǎo)體層20的表面生成Ga空位。由于Ga空位的作用相當(dāng)于p型摻雜劑，所以p型化合物半導(dǎo)體層20表面的p型載流子的有效濃度增加了。
向其中添加添加成分的氧化銦與存留在p型化合物半導(dǎo)體層20上、作為本地氧化物層的Ga2O3層反應(yīng)，從而在p型化合物半導(dǎo)體層20和第一電極層22a之間生成透明導(dǎo)電氧化物(TCO)。對于位于p型化合物半導(dǎo)體層20和第一電極層22a之間的界面處的載流子流而言，Ga2O3層起著勢壘的作用。因此，在第一電極層22a和p型化合物半導(dǎo)體層20之間的界面處可能會發(fā)生隧穿導(dǎo)電現(xiàn)象，從而改善第一電極層22a的歐姆接觸特性。
氧化銦的添加成分添加比率在0.001到49原子百分?jǐn)?shù)的范圍內(nèi)。
在另一個實施例當(dāng)中，所述第一電極層22a可以由Ag或Ag基合金構(gòu)成。Ag基合金是一種由Ag，以及至少一種從由Mg、Zn、Sc、Hf、Zr、Te、Se、Ta、W、Nb、Cu、Si、Ni、Co、Mo、Cr、Mn、Hg、Pr、和La構(gòu)成的組中選出的元素構(gòu)成的合金。如上所述，Ag或Ag基合金可以與p型化合物半導(dǎo)體層20形成歐姆接觸。也就是說，可以構(gòu)成第一電極層22a的Ag和合金元素增加了p型化合物半導(dǎo)體層20的有效載流子濃度，并且可以和構(gòu)成p型化合物半導(dǎo)體層20的除氮以外的元素輕易地反應(yīng)。這里省略了有關(guān)的詳細(xì)描述。
第二電極層22b是由TCO構(gòu)成的，其厚度在0.1到500nm之間。TCO可以是從由氧化銦錫(ITO)、摻鋅氧化銦錫(ZITO)、氧化鋅銦(ZIO)、氧化鎵銦(GIO)、氧化鋅錫(ZTO)、摻氟氧化錫(FTO)、摻鋁氧化鋅(AZO)、摻鎵氧化鋅(GZO)、In4Sn3O12、以及氧化鋅鎂(Zn1-xMgxO，0≤x≤1)構(gòu)成的組中選出的一種。例如，TCO可以是Zn2In2O5、GaInO3、ZnSnO3、摻氟SnO2、摻鋁ZnO、摻鎵ZnO、MgO或ZnO。
第三電極層22c是由厚度大約在10到5000nm之間的光反射材料構(gòu)成的。所述光反射材料是從由Ag、Ag基合金、Al、Al基合金以及Rh構(gòu)成的組中選出的一種。這里，Ag基合金是指由Ag和任何合金材料構(gòu)成的合金，Al基合金是指由Al和任何合金材料構(gòu)成的合金。
可以采用電子束(e-beam)及熱蒸鍍機(jī)或雙型熱蒸鍍機(jī)形成第一、第二和第三電極層22a、22b和22c。另外，第一、第二和第三電極層22a、22b和22c可以通過物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)或等離子體激光沉積形成。可以在大氣壓力維持在10-12托的反應(yīng)器內(nèi)、在大約20到1500℃的溫度下沉積第一、第二和第三電極層22a、22b和22c中的每一個。
在形成所述第三電極層22c之后，對合成結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火。需特別指出的是，形成第三電極層22c處的合成結(jié)構(gòu)要在含有N、Ar、He、O2、H2和空氣中的至少一種氣體的氛圍下退火。退火過程是在大約200到700℃的溫度下進(jìn)行的，持續(xù)時間為10秒到2小時。
在形成了第二電極22b之后，可以在相同的條件下額外執(zhí)行另一個退火過程。也就是說，在形成第二和第三電極層22b和22c中的每一個之后，都可以執(zhí)行退火過程。因此，反射電極的形成可以包含執(zhí)行退火過程兩次。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的又一實施例的反射電極23的橫截面圖。
在本實施例中，只對與第一實施例不同的特性進(jìn)行了描述，而且采用了與第一實施例中相同的參考數(shù)字表示相同的元件。
參照圖2，與圖1中所示的反射電極22相比，反射電極23還包含了一設(shè)置在第三電極層22c上的第四電極層22d。
第四電極層22d是由從Cu、Cu/Ru、Cu/Ir、Cu基合金、Cu基合金/Ru以及Cu基合金/Ir構(gòu)成的組中選出的一種構(gòu)成的。所形成的第四電極層22d的厚度約為1到500nm。這里Cu基合金是指Cu和任何合金材料構(gòu)成的合金。
第四電極層22d可以防止由退火過程引起的結(jié)塊現(xiàn)象在第三電極層22c的表面發(fā)生。
特別地，在p型化合物半導(dǎo)體層20和構(gòu)成第三電極層22c的金屬，例如Ag、Ag基合金、Al、Al基合金或Rh之間存在巨大的表面能差異。眾所周知，在退火過程中，表面能的差異會使第三電極層22c的表面上發(fā)生結(jié)塊現(xiàn)象。當(dāng)在第三電極層22c的表面上發(fā)生結(jié)塊現(xiàn)象，第三電極層22c的反射率就會下降，從而減少包含反射電極22的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的光輸出量。
在本實施例中，形成第四電極層22d的材料具有與p型氮化物半導(dǎo)體層20相對近似的表面能，并且具有良好的導(dǎo)電性。因此，形成于第三電極層22c上的第四電極層22d既起著結(jié)塊預(yù)防層(APL)的作用又起著電極層的作用。
可以采用電子束及熱蒸鍍機(jī)或雙型熱蒸鍍機(jī)，通過PVD、CVD或PLD形成第四電極層22d。第四電極層22d是在大氣壓力維持在10-12托的反應(yīng)器內(nèi)、在大約20到1500℃的溫度下得到沉積的。
在形成第四電極層22d后，可以對合成結(jié)構(gòu)退火。需特別指出的是，形成第四電極層22c處的合成結(jié)構(gòu)要在含有N、Ar、He、O2、H2和空氣中的至少一種氣體的氛圍下退火。退火過程是在大約200到700℃的溫度下進(jìn)行的，持續(xù)時間為10秒到2小時。
圖3是包含如圖1所示的反射電極的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的橫截面圖。
參照圖3，所述化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件至少包含n型化合物半導(dǎo)體層102、有源層104和設(shè)置在n型電極120和p型電極108之間的p型化合物半導(dǎo)體層106。p型電極108與圖1所示的反射電極22相同。也就是說，p型電極108包括圖1中示出的第一電極層22a、第二電極層22b和第三電極層22c，其運(yùn)行和效果與上述內(nèi)容相同。
n型化合物半導(dǎo)體層102包括作為下部接觸層的第一化合物半導(dǎo)體層，其疊置在襯底100上且具有階梯差，以及疊置在第一化合物半導(dǎo)體層上的下部覆蓋層。n型下部電極120設(shè)置在第一化合物半導(dǎo)體層的梯狀部分中。
襯底100通常為藍(lán)寶石襯底或獨(dú)立式(freestanding)GaN襯底。第一化合物半導(dǎo)體層可以是n-GaN基III-V族氮化物化合物半導(dǎo)體層，優(yōu)選n-GaN層。但是，本發(fā)明不僅局限于此，而是第一化合物半導(dǎo)體層可以由任何其它能夠?qū)崿F(xiàn)激光振蕩(光激射，lasing)的III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成。下部覆蓋層可以是具有預(yù)定折射率的n-GaN/AlGaN層，但是，有可能采用任何其他能夠?qū)崿F(xiàn)光激射的化合物半導(dǎo)體層。
有源層104可以由任何能夠?qū)崿F(xiàn)光激射的材料構(gòu)成，優(yōu)選一種能夠振蕩出具有小臨界電流和穩(wěn)定橫模特性的激光束的材料。有源層104可以是GaN基III-V族氮化物化合物半導(dǎo)體層，即InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，并且x+y≤1)。有源層104可以具有多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)和單量子阱(SQW)結(jié)構(gòu)中的一種結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的技術(shù)范圍不會受到有源層104的結(jié)構(gòu)的限制。
在有源層104的上面和下面可以分別還形成上部波導(dǎo)層和下部波導(dǎo)層。上部波導(dǎo)層和下部波導(dǎo)層是由具有低折射率的材料構(gòu)成的，優(yōu)選GaN基III-V族化合物半導(dǎo)體。下部波導(dǎo)層可以是一個n-GaN層，而上部波導(dǎo)層可以是一個p-GaN層。
p型化合物半導(dǎo)體層106疊置在有源層104上，并且包含一個比有源層104折射率更低的上部覆蓋層和疊置在上部覆蓋層上作為歐姆接觸層的第二化合物半導(dǎo)體層。第二化合物半導(dǎo)體層可以是p-GaN基III-V族氮化物化合物半導(dǎo)體層，優(yōu)選為p-GaN層。但是，本發(fā)明不僅局限于此，第二化合物半導(dǎo)體層可以是能夠?qū)崿F(xiàn)激光振蕩(光激射)的任何其他III-V族化合物半導(dǎo)體層。上部覆蓋層可以是具有預(yù)定折射率的p-GaN/AlGaN層，但是，有可能采用任何其他能夠?qū)崿F(xiàn)光激射的化合物半導(dǎo)體層。
n型電極120設(shè)置在作為下部歐姆接觸層的第一化合物半導(dǎo)體層的梯狀部分上?？蛇x擇地，n型電極120可以形成于與p型電極108相對的襯底100的底面上。在這種情況下，襯底100可以由碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)構(gòu)成。
圖4A是圖1中示出的反射電極(Ag/ITO/Ag)的電流-電壓(I-V)特性的曲線圖。
該反射電極包括依次疊置在襯底上的由Ag構(gòu)成的第一電極層、由ITO構(gòu)成的第二電極層和由Ag構(gòu)成的第三電極層。所形成的第一、第二和第三電極層的厚度大約分別為3、100和250nm。
所述反射電極(Ag/ITO/Ag)的電特性分別是在沉積之后和在530℃下退火后測量的。退火過程是在形成第二電極層后，在O2或N氛圍中進(jìn)行的，持續(xù)時間為1分鐘。在形成第三電極層后，在相同的條件下再執(zhí)行一次退火過程。
圖4B是包含如圖1所示的反射電極(Ag/ITO/Ag)的InGaN藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)的I-V特性的曲線圖。
從圖4A和圖4B中可以看出，退火后的反射電極和含有該反射電極的發(fā)光器件展示出了卓越的I-V特性。
在下文中，將對發(fā)明者完成的與根據(jù)本發(fā)明的反射電極相關(guān)的實驗性范例加以描述。本發(fā)明的范圍不受下述示例性工藝的限制。
開始時，分別采用三氯乙烯(TCE)、丙酮、甲醇和去離子水，在60℃的超聲浴中清洗結(jié)構(gòu)的表面，每次歷時5分鐘，在該結(jié)構(gòu)中p型GaN基化合物半導(dǎo)體層形成于襯底上。之后，在100℃的溫度下，對合成結(jié)構(gòu)硬烘焙10分鐘，以便從這一樣品中去除殘留的濕氣。
其后，在4500RPM(每分鐘轉(zhuǎn)數(shù))下，在p型化合物半導(dǎo)體層上旋涂光致抗蝕劑層。在85℃的溫度下，對合成結(jié)構(gòu)軟烘焙15分鐘。為了對掩模圖案進(jìn)行顯影，要將樣品與一掩模對齊，暴露在22.8mW的紫外線下15秒鐘，并浸入到包含顯影液和去離子水的混合液體的溶液中25秒鐘，其中顯影液和去離子水的比例為1∶4。
其后，將顯影后的樣品浸到緩沖氧化物蝕刻劑(BOE)溶液中5分鐘，以便從樣品中去除污染層。之后，利用電子束蒸鍍機(jī)在合成結(jié)構(gòu)上形成第一電極層。第一電極層是通過在安裝臺上安裝Ag作為反應(yīng)目標(biāo)而得到沉積的。
在第一電極層得到沉積后，采用ITO沉積第二電極層，利用丙酮進(jìn)行剝離處理，并且將樣品載入快速加溫退火(RTA)爐，在大約430到530℃的溫度下，退火1分鐘。此后，利用電子束蒸鍍機(jī)內(nèi)的Ag在第二電極層上沉積第三電極層。在O2或N氛圍中，采取與第二電極層退火時相同的條件，對沉積了第三電極層的合成結(jié)構(gòu)退火。結(jié)果，完成了所述反射電極的制作。
可以采用形成反射電極的上述方法制作如圖3所示的發(fā)光器件。
本發(fā)明的反射電極獲得了低接觸電阻、高反射率、改善的電導(dǎo)率和良好的I-V特性。
此外，包含了上述反射電極的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件要求低工作電壓，展示出了改善的光輸出量和I-V特性。這一化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件降低了功率耗散，從而極大地提高了發(fā)光效率。
此外，可以將本發(fā)明地反射電極應(yīng)用于諸如LED和LD的發(fā)光器件。
盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的示范性實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的描述和說明，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員要理解的是在不背離權(quán)利要求書界定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在形式和細(xì)節(jié)方面做出各種變化。
權(quán)利要求
1.一種化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的反射電極，其形成于一p型化合物半導(dǎo)體層上，所述電極包括一與所述p型化合物半導(dǎo)體層形成歐姆接觸的第一電極層；一設(shè)置在所述第一電極層上，并且由透明導(dǎo)電氧化物構(gòu)成的第二電極層；以及一設(shè)置在所述第二電極層上，并且由光反射材料構(gòu)成的第三電極層。
2.如權(quán)利要求1所述的電極，其中，所述第一電極層是由氧化銦構(gòu)成的，至少要向所述氧化銦中添加一種從Mg、Cu、Zr和Sb構(gòu)成的組中選出的添加成分。
3.如權(quán)利要求2所述的電極，其中，向所述氧化銦中添加的所述添加成分的添加比率處于0.001到49原子百分?jǐn)?shù)的范圍內(nèi)。
4.如權(quán)利要求2所述的電極，其中，所述第一電極層的厚度范圍為0.1到500nm。
5.如權(quán)利要求1所述的電極，其中，所述第一電極層是由Ag或Ag基合金構(gòu)成的。
6.如權(quán)利要求5所述的電極，其中，所述的Ag基合金是一種由Ag和從Mg、Zn、Sc、Hf、Zr、Te、Se、Ta、W、Nb、Cu、Si、Ni、Co、Mo、Cr、Mn、Hg、Pr和La構(gòu)成的組中選出的至少一種元素組成的合金。
7.如權(quán)利要求5所述的電極，其中，所述第一電極層的厚度范圍為0.1到500nm。
8.如權(quán)利要求1所述的電極，其中，所述透明導(dǎo)電氧化物是由從ITO、ZITO、ZIO、GIO、ZTO、FTO、AZO、GZO、In4Sn3O12和Zn1-xMgxO(0≤x≤1)構(gòu)成的組中選出的一種構(gòu)成的。
9.如權(quán)利要求8所述的電極，其中，所述第二電極層的厚度范圍為0.1到500nm。
10.如權(quán)利要求1所述的電極，其中，所述光反射材料是從Ag、Ag基合金、Al、Al基合金和Rh構(gòu)成的組中選出的一種。
11.如權(quán)利要求10所述的電極，其中所述第三電極層的厚度范圍為10到5000nm。
12.如權(quán)利要求1所述的電極，還包括一采用預(yù)定材料形成于所述第三電極層上的第四電極層，以防止在所述第三電極層的表面上發(fā)生由退火工藝引起的結(jié)塊現(xiàn)象。
13.如權(quán)利12所述的電極，其中，所述第四電極層是由從Cu、Cu/Ru、Cu/Ir、Cu基合金、Cu基合金/Ru和Cu基合金/Ir組成的集合中選出的一種構(gòu)成的。
14.如權(quán)利要求13所述的電極，其中，所述第四電極層的厚度范圍為1到500nm。
15.一種化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括一n型電極、一p型電極、和置于所述n型電極和所述p型電極之間的一n型化合物半導(dǎo)體層、一有源層和一p型化合物半導(dǎo)體層，其中，所述p型電極包括一與所述p型化合物半導(dǎo)體層形成歐姆接觸的第一電極層；一設(shè)置在所述第一電極層上的，由透明導(dǎo)電氧化物構(gòu)成的第二電極層；以及一設(shè)置在所述第二電極層上的，由光反射材料構(gòu)成的第三電極層。
16.如權(quán)利要求15所述的器件，其中，所述第一電極層是由氧化銦構(gòu)成的，至少要向所述氧化銦中添加一種從Mg、Cu、Zr和Sb構(gòu)成的組中選出的添加成分。
17.如權(quán)利要求16所述的器件，其中，向氧化銦中添加的添加成分的添加比率處于0.001到49原子百分?jǐn)?shù)的范圍內(nèi)。
18.如權(quán)利要求16所述的器件，其中所述第一電極層的厚度的范圍為0.1到500nm。
19.如權(quán)利要求15所述的器件，其中，所述第一電極層是由Ag和Ag基合金中的一種構(gòu)成的。
20.如權(quán)利要求19所述的器件，其中所述的Ag基合金是一種由Ag和至少一種從Mg、Zn、Sc、Hf、Zr、Te、Se、Ta、W、Nb、Cu、Si、Ni、Co、Mo、Cr、Mn、Hg、Pr和La構(gòu)成的組中選出的元素組成的合金。
21.如權(quán)利要求19所述的器件，其中，所述第一電極層的厚度范圍為0.1到500nm。
22.如權(quán)利要求15所述的器件，其中，所述的透明導(dǎo)電氧化物是由從ITO、ZITO、ZIO、GIO、ZTO、FTO、AZO、GZO、In4Sn3O12和Zn1-xMgxO(0≤x≤1)構(gòu)成的組中選出的一種構(gòu)成的。
23.如權(quán)利要求22所述的器件，其中，所述第二電極層的厚度范圍為0.1到500nm。
24.如權(quán)利要求15所述的器件，其中，所述的光反射材料為從Ag、Ag基合金、Al、Al基合金和Rh構(gòu)成的組中選出的一種。
25.如權(quán)利要求24所述的器件，其中，所述第三電極層的厚度范圍為10到5000nm。
26.如權(quán)利要求15所述的器件，還包括一采用預(yù)定材料形成于所述第三電極層上的第四電極層，以防止在所述第三電極層的表面上發(fā)生由退火工藝引起的結(jié)塊現(xiàn)象。
27.如權(quán)利要求26所述的器件，其中，所述第四電極層是由從Cu、Cu/Ru、Cu/Ir、Cu基合金、Cu基合金/Ru和Cu基合金/Ir組成的集合中選出的一種構(gòu)成的。
28.如權(quán)利要求27所述的器件，其中，所述第四電極層的厚度的范圍為1到500nm。
全文摘要
提供一種反射電極和一種包含這種反射電極的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，例如LED或LD。形成于一p型化合物半導(dǎo)體層上的所述反射電極包括與所述p型化合物半導(dǎo)體層形成歐姆接觸的第一電極層；設(shè)置在所述第一電極層上的，由透明導(dǎo)電氧化物構(gòu)成的第二電極層；以及設(shè)置在所述第二電極層上的，由光反射材料構(gòu)成的第三電極層。
文檔編號H01L33/40GK1744334SQ20051005428
公開日2006年3月8日 申請日期2005年3月21日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月31日
發(fā)明者郭準(zhǔn)燮, 成泰連, 宋俊午 申請人:三星電機(jī)株式會社, 光州科學(xué)技術(shù)院