專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法，特別是涉及粘貼支承體構(gòu)成的半導(dǎo)體晶片的切削工序中的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前，作為具有與半導(dǎo)體芯片的外形尺寸大致相同尺寸的芯片尺寸封裝件的一種，可知有BGA(焊球陣列Ball Grip Array)型半導(dǎo)體裝置。該BGA型半導(dǎo)體裝置中，將由焊錫等金屬部件構(gòu)成的球狀導(dǎo)電端子格子狀在封裝件的一主面上排列多個，且與形成于封裝件另一側(cè)面上的半導(dǎo)體芯片電連接。
而且，在將該BGA型半導(dǎo)體裝置裝入電子設(shè)備中時，通過將各導(dǎo)電端子壓裝在印刷線路板上的配線圖案上，將半導(dǎo)體芯片和搭載于印刷線路板上的外部電路電連接。
這種BGA型半導(dǎo)體裝置與具有向側(cè)部突出的引腳的SOP(小外形封裝Small Outline Package)或QFP(四邊引線扁平封裝Quad Flat Packagae)等其它類型的芯片尺寸封裝件相比，可設(shè)置多個導(dǎo)電端子，并且，具有可小型化的優(yōu)點。BGA型半導(dǎo)體裝置具有作為例如搭載于手機中的數(shù)碼相機中的圖像傳感器芯片的用途。
圖13是現(xiàn)有BGA型半導(dǎo)體裝置的概略結(jié)構(gòu)圖，圖13(a)是該BGA型半導(dǎo)體裝置表面?zhèn)鹊牧Ⅲw圖。圖13(b)是該BGA型半導(dǎo)體裝置背面?zhèn)鹊牧Ⅲw圖。
BGA型半導(dǎo)體裝置100在作為支承體的第一及第二玻璃襯底104a、104b之間介由樹脂105a、105b密封有半導(dǎo)體芯片101。在第二玻璃襯底104b的一主面上，即BGA型半導(dǎo)體裝置100的背面上格子狀配置多個球狀端子(以下稱為導(dǎo)電端子111)。該導(dǎo)電端子111介由第二配線109連接到半導(dǎo)體芯片101。在多個第二配線109上連接有分別從半導(dǎo)體芯片101內(nèi)部引出的鋁配線，使各導(dǎo)電端子111和半導(dǎo)體芯片101形成電連接。
參照圖14進一步詳細說明該BGA型半導(dǎo)體裝置100的剖面結(jié)構(gòu)。圖14表示沿切割線分割成各個半導(dǎo)體芯片的BGA型半導(dǎo)體裝置100的剖面圖。
在配置于半導(dǎo)體芯片101表面的絕緣膜102上設(shè)有第一配線103。該半導(dǎo)體芯片101通過樹脂105a與第一玻璃襯底104a粘接。另外，該半導(dǎo)體芯片101的背面通過樹脂105b與第二玻璃襯底104b粘接。而且，第一配線103的一端與第二配線109連接。該第二配線109從第一配線103的一端向第二玻璃襯底104b的表面延伸。在延伸于第二玻璃襯底104b上的第二配線109上形成有球狀導(dǎo)電端子111。
另外，所述的技術(shù)記載于例如以下的專利文獻1中。
專利文獻1專利公表2002-512436號公報在所述半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在將粘接有第一及第二玻璃襯底104a、104b的半導(dǎo)體晶片沿切割線分割成各半導(dǎo)體芯片時，將用于切削的切割片與切割線的中心對位。但是，目前正確地進行這種對位是困難的。其結(jié)果產(chǎn)生了切割時切削精度低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明是在制造粘合支承體構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置時的切削工序中謀求切削精度的提高的發(fā)明。
本發(fā)明的制造方法是鑒于所述問題而開發(fā)的，其特征在于，可可靠地進行沿切割線從半導(dǎo)體晶片側(cè)部分地切削、或完全切削(即切斷)的工序。
即，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，在沿劃定于半導(dǎo)體晶片表面的切割區(qū)域配置有一對焊盤、且在半導(dǎo)體晶片的表面粘貼有一張支承體而構(gòu)成的層積體上，沿切割區(qū)域移動刀片，同時，進行切削，從半導(dǎo)體晶片的背面切削到支承體厚度方向的中途，在該層積體上形成切削槽，其具有如下特征。即，在半導(dǎo)體晶片表面上的切割區(qū)域兩側(cè)形成夾著該切割區(qū)域而相互對向的一對對準標記，并利用識別裝置檢測該一對對準標記的位置，基于該檢測結(jié)果求出切割區(qū)域的中心線，使刀片位置對準該中心線，進行切削。
另外，本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在所述制造方法的形成切削槽后的工序中，進一步利用識別裝置檢測一對對準標記的位置，并基于該檢測結(jié)果求出切割區(qū)域的中心線，使刀片位置對準在該中心線上，從半導(dǎo)體晶片的背面開始進行切削，將層積體分離成各個半導(dǎo)體芯片。
所述本發(fā)明的制造方法對如下半導(dǎo)體裝置適用，在半導(dǎo)體晶片的表面，僅在對應(yīng)一對焊盤的位置開口形成窗口，以使該一對焊盤露出。
根據(jù)本發(fā)明，可使用一片支承體實現(xiàn)粘貼支承體構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置。由此，可極大地降低半導(dǎo)體裝置的厚度，抑制制造成本的提高。
另外，根據(jù)本發(fā)明，通過在半導(dǎo)體晶片的背面上設(shè)置在切削工序中可共通使用的對準標記，可高精度地進行半導(dǎo)體裝置的切削工序。另外，可將由不同的切削工序產(chǎn)生的切削位置的誤差抑制到極低。


圖1是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置制造方法的平面圖；圖2是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置制造方法的剖面圖；圖3是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置制造方法的剖面圖；圖4是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置制造方法的剖面圖；圖5是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置制造方法的剖面圖；圖6是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置制造方法的剖面圖；圖7是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置制造方法的剖面圖；圖8是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置制造方法的剖面圖；圖9是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置制造方法的剖面圖；圖10是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置制造方法的剖面圖；圖11是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置制造方法的剖面圖；圖12是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置制造方法的平面圖；圖13(a)、(b)是現(xiàn)有例的半導(dǎo)體裝置概略結(jié)構(gòu)的立體圖；圖14是現(xiàn)有例的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的剖面圖。
符號說明10半導(dǎo)體晶片10a、10b、10c、10d半導(dǎo)體芯片區(qū)域12第一絕緣膜14玻璃襯底15樹脂16第二絕緣膜17緩沖部件
18、18a、18b第二配線8a、8b端部19鍍膜20保護膜21導(dǎo)電端子30窗口40切削槽51a、51b、52a、52c對準標記60切割區(qū)域61、62中心線具體實施方式
下面，參照圖1的平面圖說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
圖1是從未粘合玻璃襯底的半導(dǎo)體晶片10的主面看到的、在配置了多個半導(dǎo)體芯片區(qū)域的半導(dǎo)體晶片10的一主面上粘貼未圖示的支承體即玻璃襯底而構(gòu)成的層積體的平面圖。
如圖1所示，沿正交的切割區(qū)域60配置有之后將半導(dǎo)體晶片10分離形成各半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片區(qū)域10a、10b、10c、10d及其它未圖示的半導(dǎo)體芯片區(qū)域。在鄰接的半導(dǎo)體芯片區(qū)域10a、10b上沿半導(dǎo)體晶片的切割區(qū)域上形成有從形成于各半導(dǎo)體芯片區(qū)域上的未圖示的電路延伸的焊盤即第一配線13a、13b。另外，在半導(dǎo)體晶片上，通過進行例如選擇性蝕刻，在存在第一配線13a、13b的位置開口形成窗口30，以使第一配線13a、13b可露出。該窗口30是用于連接第一配線13a、13b與之后形成于半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體芯片區(qū)域10a、10b上的第二配線(用于連接第一配線和形成于半導(dǎo)體晶片上的導(dǎo)電端子的配線)的開口部。
另外，其它半導(dǎo)體芯片區(qū)域10c、10d及未圖示的半導(dǎo)體芯片區(qū)域也具有與所述結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。
而且，在半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體芯片區(qū)域10a、10b、10c、10d及未圖示的半導(dǎo)體芯片區(qū)域的角部，即正交的切割區(qū)域60的交叉點附近，分別形成對準標記(51a、51b)、(52a、52b)，其在半導(dǎo)體芯片區(qū)域和切割區(qū)域60的邊界附近夾著切割區(qū)域60相對。這些對準標記(51a、51b)、(52a、52c)形成為例如突起狀，在切削半導(dǎo)體晶片10或玻璃襯底的切削工序中，在使旋轉(zhuǎn)刀片對準規(guī)定的切削位置的對位中使用。
所述旋轉(zhuǎn)刀片的對位如下進行，利用圖像識別用識別相機檢測對準標記(51a、51b)、(52a、52c)，基于該檢測結(jié)果求出切割區(qū)域60的中心線，使旋轉(zhuǎn)刀片的位置與該中心線對準。
這些對準標記(51a、51b)、(52a、52c)被配置為例如如下所示的位置關(guān)系。即，夾著沿切割線即中心線61延伸的切割區(qū)域60，在半導(dǎo)體芯片區(qū)域10a、10b形成一對對準標記51a、51b。另外，夾著沿中心線62延伸的切割區(qū)域60，在半導(dǎo)體芯片區(qū)域10a、10c分別形成有一對對準標記52a、52c。換句話說，在切割區(qū)域60的交叉點形成有合計兩對對準標記。
同樣，在其它切割區(qū)域60的交叉點附近，在每個沿各中心線61、62延伸的區(qū)域60也分別夾著它們相對形成有一對對準標記，即，在每個切割區(qū)域60的交叉點分別形成有合計兩對對準標記。
另外，在本實施例中，對準標記在切割區(qū)域60的各交叉點分別形成了兩對，但本發(fā)明不限于此個數(shù)。即，例如在圖1中，也可以夾著以中心線61為中心的切割區(qū)域60，在半導(dǎo)體芯片區(qū)域10c、10d形成一對對準標記(未圖示)，夾著以中心線62為中心的切割區(qū)域60，在半導(dǎo)體芯片區(qū)域10b、10d形成一對對準標記(未圖示)。由此，可謀求提高對準標記的識別精度。
另外，對準標記的材質(zhì)只要是可被圖像識別用識別相機檢測的材質(zhì)，則沒有特別限定，但優(yōu)選在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中通常使用的材料。例如，可以使用與第一配線和形成于半導(dǎo)體晶片上的配線等相同的材料。另外，對準標記也可以通過蝕刻等形成突起狀或凹坑狀。
所述本實施例的使用對準標記進行的旋轉(zhuǎn)刀片的對位可適用于例如以下所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法。下面參照圖2～圖11的剖面圖說明可適用本實施例的對準標記進行的旋轉(zhuǎn)刀片的對位的半導(dǎo)體裝置的制造方法。圖2～圖11表示圖1的半導(dǎo)體晶片中涉及半導(dǎo)體芯片區(qū)域10a、10b和切割區(qū)域60的沿X-X線的剖面圖。其它半導(dǎo)體芯片區(qū)域也具有與所述剖面圖相同的結(jié)構(gòu)。
首先，如圖2所示，準備形成有未圖示電路的半導(dǎo)體晶片10。在該半導(dǎo)體晶片10上的中心線61(切割區(qū)域的中心，即切割線)的兩側(cè)介由第一絕緣膜12形成有一對第一配線13a、13b(與所述未圖示的電路電連接的配線)。另外，在含有第一配線13a、13b的半導(dǎo)體晶片10上形成有由氧化硅膜或氮化硅膜構(gòu)成的鈍化膜。
然后，對形成有第一配線13a、13b的一側(cè)的半導(dǎo)體晶片的主面(以后稱作半導(dǎo)體晶片10的表面)介由樹脂15(例如環(huán)氧樹脂)粘接作為支承體的玻璃襯底14。另外，支承體不限于玻璃襯底，也可以使用例如由金屬或有機物構(gòu)成的基板狀支承體，或帶狀支承體。
然后，對未形成有第一配線13a、13b的一側(cè)的半導(dǎo)體晶片的主面(即半導(dǎo)體晶片10的背面)進行背面研磨，將半導(dǎo)體晶片10的厚度減薄。在此，在研磨了背面的半導(dǎo)體晶片10的背面形成有之后形成于半導(dǎo)體晶片上的另一層或也可反映于配線的成膜的凹凸。因此，也可以對背面研磨了的半導(dǎo)體晶片10的背面進行濕式蝕刻。
然后，如圖3所示，從其背面?zhèn)葍H選擇性蝕刻對應(yīng)第一配線13a、13b的半導(dǎo)體晶片10的位置，形成使存在于第一配線13a、13b一部分上的第一絕緣膜12露出的開口部即窗口30。該窗口30是用于連接第一配線13a、13b和之后形成于半導(dǎo)體晶片10背面的第二配線的窗口。窗口30未沿切割區(qū)域60整體即中心線61整體形成，而僅形成于對應(yīng)第一配線13a、13b的位置，因此，半導(dǎo)體晶片10和玻璃襯底14的接觸面積增大。由此，可減少可能在其接觸部產(chǎn)生的裂紋或剝離。因此，可抑制半導(dǎo)體裝置的成品率的降低。
在此，在所述窗口30中的半導(dǎo)體晶片10的端部1a形成有角部。該角部使之后形成于半導(dǎo)體晶片10上的另一層或配線的分步敷層劣化。因此，如圖4所示，要進行使所述角部變圓的濕式蝕刻(或浸漬蝕刻)。
然后，在半導(dǎo)體晶片10的背面上沿中心線61、62延伸的切割區(qū)域60的各交叉點附近形成用于所述旋轉(zhuǎn)刀片的對位的對準標記51a、51b、52a、52c及其它對準標記(未圖示)。
其次，如圖5所示，在半導(dǎo)體晶片10的背面上形成第二絕緣膜16(例如以硅烷為基劑的3μm的氧化膜)。在此，所述對準標記雖然覆蓋于第二絕緣膜16上，但在規(guī)定位置形成為突起狀或凹坑狀，故在第二絕緣膜16上，在所述規(guī)定位置也形成可被識別相機檢測的突起或凹陷。
或，在利用金屬層形成所述對準標記時，即使該對準標記被第二絕緣膜16覆蓋，也可以在該第二絕緣膜16上形成反應(yīng)所述金屬層的突起，故可利用識別相機檢測該對準標記。
其次，如圖6所示，形成在窗口30的中心線61附近(在形成第一配線的其它區(qū)域中為中心線62)開口的未圖示的抗蝕膜，以該抗蝕膜為掩模，從半導(dǎo)體晶片10的背面?zhèn)冗M行蝕刻。由此，除去位于中心線61附近的第二絕緣膜16及第一絕緣膜12的一部分，露出第一配線13a、13b的一部分。
然后，在除去未圖示的抗蝕膜之后，如圖7所示，在第二絕緣膜16上的規(guī)定位置形成緩沖部件17。該緩沖部件17是可吸收向之后形成于該規(guī)定位置的導(dǎo)電端子施加的力的部件，其具有緩和導(dǎo)電端子向印刷線路板接合時的應(yīng)力的功能。
另外，在含有緩沖部件17上的第二絕緣膜16上形成第二配線18用的金屬層。在此，第一配線13a、13b與第二配線18電連接。然后，對未圖示的抗蝕膜進行構(gòu)圖，使窗口30的中心線61附近、第二配線18形成區(qū)域之外的半導(dǎo)體晶片10的區(qū)域開口，以該抗蝕膜為掩模，進行所示金屬層的蝕刻，形成第二配線層18。另外，也可以對所述未圖示的抗蝕膜進行構(gòu)圖，使其殘留在對準標記的形成區(qū)域，以該抗蝕劑為掩模，進行第二配線層18用的金屬層的蝕刻，形成由所述金屬層構(gòu)成的對準標記。
其次，在除去未圖示的抗蝕膜之后，如圖8所示，沿中心線61從半導(dǎo)體晶片10的背面進行切削，形成呈倒V字形狀的斷面形狀直到玻璃襯底14一部分的切削槽40。此時，旋轉(zhuǎn)刀片的寬度必須為不接觸第一配線13a、13b端部的程度的寬度。另外，該切削槽40的斷面形狀不限于倒V字形狀，也可以是其它形狀(例如矩形)。
在進行所述切削時，在切削前利用識別相機檢測(識別)對準標記的位置，基于其結(jié)果求出正確的中心線61的位置。然后，相對于求出的中心線61對準旋轉(zhuǎn)刀片的位置，沿該中心線61移動該旋轉(zhuǎn)刀片，同時進行切削。
沿中心線62的切削也同樣進行。
在此，作為所述切削對象的正確的中心線61、62的位置分別基于一對對準標記(51a、51b)、(52a、52c)的位置的檢測結(jié)果而決定?；颍行木€61、62的位置基于一個切割區(qū)域60上的多對對準標記的位置的取平均值的檢測結(jié)果而決定。然后，算出所述決定的中心線和旋轉(zhuǎn)刀片的初期位置的偏移量，根據(jù)該偏移量修正該旋轉(zhuǎn)刀片的位置。
在本工序中，在進行用于形成切削槽40的相對于中心線61的旋轉(zhuǎn)刀片的對位時，識別對準標記，并根據(jù)該識別結(jié)果決定切削位置。在此，也可以通過識別例如與第一配線13a、13b電連接的第二配線18的相對的兩端部，根據(jù)該識別結(jié)果決定切削位置。但是，在這種情況下，其被第二配線18端部的狀況所左右。即，由于第二配線18的端部形成于窗口30的底部，故與普通的構(gòu)圖工序不同，有時構(gòu)圖形狀的精度不高。因此，為了作為位置識別用標記使用，必須為更高精度的構(gòu)圖形狀。與此相對，本發(fā)明的對準標記在通常的平坦位置構(gòu)圖形成，故其精度高，作為位置識別用標記可靠性高。
然后，如圖9所示，對第二配線18進行鍍敷處理，形成例如由Ni-Au構(gòu)成的鍍膜19。
其次，如圖10所示，在包括切削槽40內(nèi)的半導(dǎo)體晶片10的背面上形成保護膜20。在此，例如在使半導(dǎo)體晶片10的背面朝向上方后，通過進行有機樹脂的旋轉(zhuǎn)涂敷，在包括切削槽40內(nèi)的半導(dǎo)體晶片10的整個背面進行該有機樹脂的涂敷。由此，露出到切削槽40內(nèi)的全部層即樹脂15及玻璃襯底14的露出面由保護膜20覆蓋。
然后，在半導(dǎo)體晶片10的背面形成在對應(yīng)緩沖部件17的位置具有開口部的未圖示的抗蝕膜。然后，通過以該抗蝕膜為掩模，進行蝕刻，除去保護膜20的一部分，進行開口，進而在保護膜20開口的位置形成導(dǎo)電端子21。
然后，沿作為切割區(qū)域60中心的中心線61進行切削，將半導(dǎo)體晶片10分離成各半導(dǎo)體芯片。在此，由于切削槽40內(nèi)被保護膜20覆蓋，故此時在進行切削時，僅切削玻璃襯底14及保護膜20即可。此時，旋轉(zhuǎn)刀片的寬度必須為不接觸切削槽40內(nèi)的第一配線13a、13b及樹脂15的程度的寬度。
在進行所述切削時，與切削切削槽40時相同，在進行切削之前利用識別相機檢測(識別)對準標記的位置，并基于該結(jié)果求出正確的中心線61的位置。然后，使旋轉(zhuǎn)刀片的位置與求出的中心線61對位，從半導(dǎo)體晶片的背面，沿該中心線61移動該旋轉(zhuǎn)刀片并進行切削。沿中心線62的切削也是同樣進行的。
在此，在假如不使用基于所述本實施例的對準標記的方法時，要可靠地進行所述切削工序(即，切削槽40的形成，及分離半導(dǎo)體晶片10時的切削)是極其困難的。
即，此時的旋轉(zhuǎn)刀片的對位可考慮如下方法，例如從上面看形成于半導(dǎo)體晶片10上的窗口30內(nèi)的圖12的平面圖所示，利用識別相機檢測在切削槽40內(nèi)露出的第二配線18a、18b的端部8a、8b的位置，根據(jù)該檢測結(jié)果求出切割區(qū)域60的中心即中心線61，使旋轉(zhuǎn)刀片的位置與該中心線61對位。但是，由于第二配線18a、18b的端部8a、8b通常往往因其形成時的加工構(gòu)成破斷面(斷面上存在凹凸的狀態(tài)的面)，故難于準確地檢測位置。因此，產(chǎn)生如下問題，即根據(jù)端部8a、8b的位置求出的中心線61的位置不準確。
與此相對，切削工序使用了對準標記的本實施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，由于不依據(jù)第二配線18a、18b的端部8a、8b的位置，故與所述檢測端部8a、8b的位置的方法相比，可可靠地進行旋轉(zhuǎn)刀片的對位。由此，可提高對半導(dǎo)體晶片的切削精度。
另外，對切割區(qū)域60的多個不同的切削工序，即切削槽40的形成、及分離半導(dǎo)體晶片10時的切削兩者中可共通使用同一對準標記。由此，如在上述本實施例的粘貼一片支承體構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置的制造工藝中所見的，即使在需要進行對切割區(qū)域60的多個切削工序時，也可以將切削旋轉(zhuǎn)刀片的對位偏差降至極低。因此，可提高對半導(dǎo)體晶片10的切削精度。
另外，根據(jù)所述本實施例的制造方法，可在抑制成品率劣化的同時，使用一片玻璃襯底實現(xiàn)粘貼支承體構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置。另外，與使用兩片玻璃襯底時相比，可將半導(dǎo)體裝置的厚度和制造成本的增加控制得極低。
另外，在本實施例中，對使用了對準標記的旋轉(zhuǎn)刀片的對位適用于粘貼一片玻璃襯底構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置進行了說明，但本發(fā)明不限于此。即，如在半導(dǎo)體晶片的兩個主面上粘貼兩片玻璃襯底構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置等只要是必須使第一配線露出的裝置，則也可以適用于具有其它結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，對沿劃定于半導(dǎo)體晶片表面的切割區(qū)域配置一對焊盤、且在所述半導(dǎo)體晶片的表面粘貼支承體構(gòu)成的層積體，使刀片沿所述切割區(qū)域移動，同時，從所述半導(dǎo)體晶片的背面進行切削，切削到支承體的厚度方向的中途，在該層積體上形成切削槽，其特征在于，在所述半導(dǎo)體晶片背面的所述切割區(qū)域的兩側(cè)形成夾著該切割區(qū)域而相互對向的一對對準標記，并利用識別裝置檢測該一對對準標記的位置，基于該檢測結(jié)果求出切割區(qū)域的中心線，將刀片的位置對準在該中心線上進行切削。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在形成所述切削槽后的工序中，通過利用識別裝置檢測所述一對對準標記的位置，基于該檢測結(jié)果求出所述切割區(qū)域的中心線，將刀片位置對準在該中心線上，從所述半導(dǎo)體晶片的背面進行切削，將所述層積體分離成各半導(dǎo)體芯片。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體晶片的背面，僅在對應(yīng)所述一對焊盤的位置開口形成窗口，以使該一對焊盤可露出。
4.如權(quán)利要求1、2、3中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述對準標記由在半導(dǎo)體裝置的制造工序中使用的材料形成。
5.如權(quán)利要求1、2、3中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述對準標記是通過蝕刻形成的凹坑。
6.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括焊盤，其沿劃定于半導(dǎo)體芯片表面的切割區(qū)域配置；支承體，其粘貼于所述半導(dǎo)體芯片的表面；對準標記，其沿所述半導(dǎo)體芯片背面的所述切割區(qū)域形成。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述半導(dǎo)體芯片的背面，僅在對應(yīng)所述焊盤的位置形成使該半導(dǎo)體芯片開口的窗口。
8.如權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述對準標記由半導(dǎo)體裝置的制造工序中使用的材料形成。
9.如權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述對準標記是通過蝕刻形成的凹坑。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，在制造粘貼支承體構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置時的切削工序中謀求切削精度的提高。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有使刀片沿切割區(qū)域(60)移動切削粘貼了玻璃襯底(14)的半導(dǎo)體晶片(10)的工序，其具有以下特征。即，在半導(dǎo)體晶片(10)上的切割區(qū)域(60)的兩側(cè)形成相互相對的一對對準標記(51a)、(51b)。而且，在切削工序中，在使旋轉(zhuǎn)刀片的位置與切割區(qū)域(60)的中心即中心線(61)對準時，利用識別相機檢測對準標記(51a)、(51b)的位置，基于該檢測結(jié)果求出中心線(61)，將旋轉(zhuǎn)刀片的位置對準在該中心線(61)上進行切割。
文檔編號H01L21/56GK1664991SQ20051005302
公開日2005年9月7日 申請日期2005年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月5日
發(fā)明者野間崇, 關(guān)嘉則, 和久井元明 申請人:三洋電機株式會社, 關(guān)東三洋半導(dǎo)體股份有限公司