專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的外部連接用電極，特別涉及焊盤部的構(gòu)造與配置。
背景技術(shù)：
已有的半導(dǎo)體裝置中，例如圖11所示，作為外部連接用電極的電極焊盤22，采用通過通路66電氣連接形成于最上層的第1焊盤金屬67與形成于下一配線層的第2焊盤金屬65的層疊通路構(gòu)造，利用形成于不在電極焊盤22的正下方區(qū)域的，對(duì)連接于半導(dǎo)體基板上的電路元件的配線10等，利用引出部金屬81的疊層構(gòu)造進(jìn)行連接。
以芯片尺寸的縮小為目的，也有人提出將外部連接用的焊盤配置于輸入輸出電路單元的元件形成區(qū)域上的構(gòu)造的方案。例如提出將層間絕緣膜設(shè)于邏輯電路或驅(qū)動(dòng)電路之上，在其上形成輸入焊盤或輸出焊盤的半導(dǎo)體集成電路的方案(參照例如日本特開平06-244235號(hào)公報(bào))。
然而將電極焊盤形成于元件上時(shí)，由于引線接合等情況下的沖擊負(fù)荷的影響，存在著在焊盤正下方的配線或?qū)娱g絕緣膜發(fā)生損壞的坦心。或者有可能對(duì)焊盤正下方形成的擴(kuò)散元件、如晶體管的工作特性發(fā)生影響，造成變化(劣化)。
特別在由金粒粘接形成的引線接合的情況下，通過將半導(dǎo)體芯片加熱到230～240℃，一面加上規(guī)定的荷重，一面施加超聲波，破壞鋁焊盤表面的氧化膜，以在鋁的本征面與金的界面上形成金-鋁合金，故由于超聲波能量在焊盤下的層間絕緣膜與金屬的界面上產(chǎn)生的應(yīng)力，在(SiO2等形成的)層間絕緣膜上發(fā)生裂紋。
作為探針檢查(P檢)的一般方法的懸臂方式的P檢，也因用鎢等制造的探針按壓電極焊盤，故在其下方加上較大的集中負(fù)荷，層間絕緣膜發(fā)生裂紋。而且在電極焊盤上殘留探針的針跡(壓痕)。壓痕因探針括削了焊盤表面的鋁，故在P檢后的電極焊盤上成為用引線接合不形成與金粒的合金的區(qū)域。近年來，由于要求引線接合的接合間距的縮小，焊盤尺寸、金粒直徑變得小了起來，因此壓跡的面積相對(duì)增大起來，產(chǎn)生了規(guī)定面積的合金形成、接合不再可能的問題。
圖12為在下面具有配線部的電極焊盤上進(jìn)行金粒粘接時(shí)在層間絕緣膜上產(chǎn)生的應(yīng)力分布圖。這里表示用CAE分析(有限要素法)計(jì)算用金粒粘接工藝在4層配線構(gòu)造之上形成金屬凸起時(shí)的應(yīng)力分布得到的結(jié)果。
在最上層的焊盤金屬61(以下稱作第1金屬61)之下，形成第1層間絕緣膜71、第2層焊盤金屬62(以下稱作第2金屬62)，其下形成第2層間絕緣膜72、第3金屬91、第3層間絕緣膜73、最下層金屬10。為在第1金屬61上形成金屬凸起43，當(dāng)如圖中箭頭所示那樣施加超聲波時(shí)，應(yīng)力便集中于下層金屬62、91的邊緣部分(圖中以白色表示)。
當(dāng)該應(yīng)力超過層間絕緣膜71、72、73的屈服應(yīng)力時(shí)，就產(chǎn)生脆性破壞，發(fā)生裂紋。這時(shí)利用CAE分析判明，相應(yīng)于所加的超聲波能量的大小，內(nèi)部應(yīng)力也變大。而且判明了形成于粘接的電極焊盤正下方的晶體管的特性(Vt、Gm、熱載流子壽命等)劣化的事實(shí)。
本發(fā)明為解決上述問題而作，其目的在于，在接合或探針檢測時(shí)減小對(duì)電極焊盤表面、下層的配線和層間絕緣膜的損害。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，作為外部連接用的電極的焊盤部，由形成于最上層的第1焊盤金屬層、夾著層間絕緣膜形成于所述第1焊盤金屬層之下的第2焊盤金屬層、以及貫通所述層間絕緣膜，電氣連接第1焊盤金屬層與第2焊盤金屬層的通路構(gòu)成，互相偏移地配置所述第1焊盤金屬層的端部與第2焊盤金屬層的端部，使其沿各層的厚度方向不一致。
又，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，作為外部連接用電極的焊盤部，由接合用的第1焊盤區(qū)域與探針檢測用的第2焊盤區(qū)域構(gòu)成，所述第1焊盤區(qū)域由形成于最上層的第1焊盤金屬層、夾著層間絕緣膜形成于所述第1焊盤金屬層之下的第2焊盤金屬層、以及貫通所述層間絕緣膜，電氣連接第1焊盤金屬層與第2焊盤金屬層的通路所構(gòu)成，互相偏移地配置所述第1焊盤金屬層的端部與第2焊盤金屬層的端部，使其沿各層的厚度方向不一致，所述第2焊盤區(qū)域只用所述第1焊盤金屬層構(gòu)成。
最好是，第1焊盤金屬層的端部與第2焊盤金屬層端部偏移1.5～2μm。
第2焊盤金屬層的端部可以偏移到比第1焊盤金屬層的端部更外側(cè)處。又，第2焊盤金屬層的端部可偏移到比第1焊盤金屬層的端部更內(nèi)側(cè)處。
最好是，在第2焊盤區(qū)域的第1焊盤金屬層之下夾著層間絕緣膜使其做成與第2焊盤金屬層相同的層地配設(shè)多個(gè)虛設(shè)金屬。
電路元件或配線可配設(shè)于焊盤部之下的層中。
電路元件或配線可配設(shè)于第1焊盤區(qū)域與第2焊盤區(qū)域中的至少一方之下的層中。


圖1A、圖1B分別為表示本發(fā)明的第1實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的焊盤部及其周邊部的構(gòu)成的平面圖和剖面圖。
圖2為圖1的焊盤部的各層的平面圖。
圖3A、圖3B分別為表示圖1的焊盤部的檢驗(yàn)和金粒粘接時(shí)的狀態(tài)的平面圖和剖面圖。
圖4A、圖4B分別為表示本發(fā)明的第2實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的焊盤部及其周邊部的構(gòu)成的平面圖和剖面圖。
圖5為圖4的焊盤部的各層的平面圖。
圖6A、圖6B分別為表示本發(fā)明的第3實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的焊盤部及其周邊部的構(gòu)成的平面圖和剖面圖。
圖7為圖6的焊盤部的各層的平面圖。
圖8A、圖8B分別為表示圖6的焊盤部的檢驗(yàn)和金粒粘接時(shí)的狀態(tài)的平面圖和剖面圖。
圖9為示出配置多個(gè)圖6的焊盤部的樣子的平面圖。
圖10為示出配置多個(gè)圖6的焊盤部的樣子的另一平面圖。
圖11A、圖11B分別為表示已有的半導(dǎo)體裝置的焊盤部及其周邊部的構(gòu)成的平面圖和剖面圖。
圖12為產(chǎn)生于層疊構(gòu)造的電極焊盤的層間絕緣膜上的應(yīng)力的分布圖。
具體實(shí)施例方式
以下參照

本發(fā)明的實(shí)施例。
本發(fā)明的所謂半導(dǎo)體裝置包含晶片狀態(tài)的半導(dǎo)體集成電路裝置及其分立的半導(dǎo)體裝置兩者，這里就半導(dǎo)體集成電路裝置進(jìn)行說明。
圖1示出本發(fā)明的第1實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的主要部分的構(gòu)成，圖1A、圖1B分別為該半導(dǎo)體裝置的外部連接用電極即焊盤部其周邊部的平面圖、剖面圖。焊盤部形成于輸入輸出電路的元件區(qū)域或配線上，表示是4層配線結(jié)構(gòu)的情況。
圖1中，11為因檢驗(yàn)需要的晶片檢查用的檢驗(yàn)焊盤，21為用于引線接合等的組裝的接合焊盤，31為形成于去除了檢驗(yàn)焊盤11和接合焊盤21的上表面的半導(dǎo)體基板上的第1保護(hù)膜(例如P摻雜的P-SiN膜)，32為形成于第1保護(hù)膜31上的第2保護(hù)膜(例如聚酰亞胺膜)。
接合焊盤21具有由最上層的焊盤金屬61(以下稱為第1金屬61)、形成于下一配線層的第2焊盤金屬62(以下稱為第2金屬62)、貫通第1金屬61與第2金屬62之間的層間絕緣71，電氣連接這些金屬61、62的通路63(如鎢(W)等金屬)構(gòu)成的層疊通路構(gòu)造。層疊通路構(gòu)造具有吸收引線接合等接合工序中產(chǎn)生的沖擊能量，緩和作用于焊盤正下方的配線部或擴(kuò)散元件上的應(yīng)力，抑制損壞的發(fā)生的效果。
在接合焊盤21的第2金屬62之下，形成例如電源供給用的電源層、即第3金屬91，在再下層形成對(duì)輸入輸出電路提供信號(hào)用的配線、即最下層金屬10，第1和第2金屬61、62與最下層金屬10利用引出部金屬81的疊層構(gòu)造進(jìn)行電氣連接。第2金屬62與第3金屬91之間，以及第3金屬91與最下層金屬10之間，形成各層間絕緣膜72、73。
接合焊盤21與檢驗(yàn)焊盤11成一整體地形成于第1金屬61上，從由第1金屬61上的第1保護(hù)膜31分隔形成的2個(gè)接觸窗分別露出。但在實(shí)際上也可分開使用檢驗(yàn)焊盤11與結(jié)合焊盤21作為單獨(dú)區(qū)域，不必一定用第1保護(hù)膜31來分隔。
檢驗(yàn)焊盤11不是像接合焊盤那樣的由2層金屬61、62形成的層疊通路結(jié)構(gòu)，而僅用第1金屬61構(gòu)成，其下隔著層間絕緣膜71、72，有第3金屬91。第3金屬91之下與接合焊盤21一樣，有層間絕緣膜73與最下層金屬10。
第2金屬62在縱橫方向上都比接合焊盤21來得大，位于接合焊盤21、檢驗(yàn)焊盤11各下層的2個(gè)第3金屬91以比第2金屬62的邊緣部更靠近中央地相鄰接。
圖2是檢驗(yàn)焊盤11和接合焊盤21的各層的平面圖，圖2A表示第1金屬61的層，圖2B、圖2C舉出2例表示第2金屬62的層。
圖2A對(duì)于第1金屬61示出由第1保護(hù)膜31分隔開的檢驗(yàn)焊盤11的區(qū)域與結(jié)合焊盤21的區(qū)域。引出部金屬81與焊盤金屬61相同寬度。
圖2B中，為從引出部金屬81的寬度來理解，將第2金屬62的寬度做得比第1金屬61的寬度更大。
圖2C中，為從引出部金屬81的寬度來理解，將第2金屬62的寬度做得比第1金屬61的寬度更小。
圖2B、圖2C的構(gòu)造都使第1金屬61的邊緣61a與第2金屬62的邊緣62a在沿各層的厚度方向上不一致，即平面觀看時(shí)沿垂直方向不一致，且使稍微不重疊地互相偏移地配置。這里，與第1金屬61相比，第2金屬62的一對(duì)端部伸出或凹進(jìn)，但不限于此，如相互的端部偏移使在層間絕緣膜的上下不一致，則也可以一方伸出而另一方凹進(jìn)。又，從圖1可見，第2金屬62的另一對(duì)邊緣62a也連接于引出部金屬81，或偏離第1金屬61的邊緣61a。51表示檢驗(yàn)焊盤11之下的區(qū)域的層間絕緣膜，是上述的層間絕緣膜17的一部分。該區(qū)域中不形成金屬。
圖3示出進(jìn)行檢驗(yàn)、接合時(shí)的焊盤周邊部的狀態(tài)，圖3A、圖3B分別為平面圖、剖面圖。由于探針42的滑移，檢驗(yàn)焊盤上產(chǎn)生檢驗(yàn)痕跡41。為了能夠?qū)嵤┮€接合，接合焊盤21上形成金屬凸起43。
這樣，即使檢驗(yàn)、接合時(shí)的荷重作用于焊盤上，也由于如上述所述第1金屬61的邊緣61a與第2金屬62的邊緣62a互相錯(cuò)開而能緩和各自的邊緣部61a、62a上產(chǎn)生的應(yīng)力集中，能抑制層間絕緣膜71、72的裂紋等物理損壞的發(fā)生。檢驗(yàn)焊盤11之下的區(qū)域，由于不形成金屬而加厚層間絕緣膜71、72的總膜厚，故也能抑制其裂紋的發(fā)生。結(jié)果可防止第1金屬61與第3金屬91之間的電氣短路/漏電。因此，對(duì)位于比第2金屬62更下層的第3金屬91、最下層金屬10、層間絕緣膜72、73而言也有此效果。
設(shè)引線接合時(shí)的引線的原始粒直徑為45μm，引線接合時(shí)超聲波功率為一定時(shí)，在第1金屬61與第2金屬62的端部做成一致的已有構(gòu)造中，裂紋發(fā)生率為3.2％，與此相對(duì)，使圖2B、圖2C所示的第1金屬61與第2金屬62的兩端部錯(cuò)開的本發(fā)明的構(gòu)造中，裂紋發(fā)生率降低，錯(cuò)開1.5～2μm時(shí)例紋發(fā)生率為0％。即使錯(cuò)開比上述更大，效果也不變，錯(cuò)開過大時(shí)焊盤間的距離加大，降低了焊盤配置密度。
該第1實(shí)施例中，就具備檢驗(yàn)焊盤11與接合焊盤21兩者的外部連接用電極作了說明，但若將上述構(gòu)造應(yīng)用于至少具備接合焊盤21的外部連接用電極，則可抑制施加荷重時(shí)層間絕緣膜裂紋的發(fā)生。
圖4示出本發(fā)明的第2實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的主要部分的構(gòu)成，圖4A、圖4B分別為該半導(dǎo)體裝置的外部連接用電極、即焊盤及其周邊部的平面圖和剖面圖。
第2實(shí)施例半導(dǎo)體裝置與第1實(shí)施例半導(dǎo)體裝置的不同在于，在檢驗(yàn)焊盤11之下形成與接合焊盤21的第2金屬62相同的層地，格子狀即縱橫排列多列幾μm的方形的微小的緩沖金屬64。由于存在這些微小的緩沖金屬64，能緩和因檢驗(yàn)時(shí)的荷重而產(chǎn)生于檢驗(yàn)焊盤11之下的層間絕緣膜71內(nèi)的應(yīng)力集中，可防止層間絕緣膜71、72的裂紋發(fā)生。從而能更可靠地防止第1金屬61與第3金屬91之間的電氣短路/漏電。
圖5是檢驗(yàn)焊盤11和接合焊盤21的各層的平面圖，圖5A表示第1金屬61的層，圖5B、圖5C舉出2例表示第2金屬62和金屬64的層。
與前面說明過的圖2相同，圖5A中示出在第1金屬61上由第1保護(hù)膜31分隔開的檢驗(yàn)焊盤11的區(qū)域與接合焊盤21的區(qū)域。引出部金屬81與焊盤金屬61等寬。
圖5B中，為從引出部金屬81的寬度來理解，將第2金屬62的寬度、金屬64的排列寬度做得比第1金屬61的寬度更大。
圖5C中，為從引出部金屬81的寬度來理解，將第2金屬62的寬度做得比第1金屬61的寬度更小。
圖5B、圖5C的情況都是沒有金屬邊緣61a、62a的重疊，可緩和接合時(shí)的應(yīng)力。
圖6示出本發(fā)明第3實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的主要部分構(gòu)成，圖6A、圖6B分別為該半導(dǎo)體裝置的外部連接用電極、即焊盤部及其周邊部的平面圖、剖面圖。
該第3實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置與第1實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的區(qū)別在于，在第1實(shí)施例中的接合焊盤21的外側(cè)，即芯片外周的劃線區(qū)域側(cè)，配置外部焊盤。這里稱這兩個(gè)焊盤為內(nèi)部焊盤68、外部焊盤69。
內(nèi)部焊盤68、外部焊盤69都與接合焊盤21一樣，做成由第1金屬61與第2金屬62、65以及連接它們之間的通路63、66構(gòu)成的層疊通路焊盤構(gòu)造。92是作為例如電源供給用的第2電源層形成的金屬。如果是電源層，則與第3層的第3金屬91一起形成，從而能實(shí)現(xiàn)電源配線內(nèi)的電位的更加穩(wěn)定化。
圖7為內(nèi)部焊盤68和外部焊盤69的各層的平面圖，圖7A示出第1金屬61的層，圖7B、圖7C舉出兩個(gè)例子示出第2金屬62、金屬65的層。
與前面說明過的圖2相同，圖7A中示出在第1金屬61上由第1保護(hù)膜31分隔開的內(nèi)部焊盤68的區(qū)域與外部焊盤69的區(qū)域。引出部金屬81與焊盤金屬61等寬。
圖7B中，為從引出部金屬81的寬度來理解，將第2金屬62的寬度做得比第1金屬61的寬度更大。
圖7C中，為從引出部金屬81的寬度來理解，將第2金屬62的寬度做得比第1金屬61的寬度更小。
圖7B、7C的情況都沒有金屬邊緣61a、62a的重疊，可緩和接合時(shí)的應(yīng)力。
圖8示出對(duì)圖6所示的第3實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行檢驗(yàn)、金粒粘接時(shí)的焊盤周邊部的狀態(tài)，圖8A、圖8B分別為平面圖、剖面圖。用探針42對(duì)外部焊盤69進(jìn)行檢驗(yàn)，由于探針42的滑移，在外部焊盤69上產(chǎn)生檢驗(yàn)痕跡41。金屬凸起43形成在內(nèi)部焊盤68上。
內(nèi)部焊盤68與外部焊盤69不一定由同一種金屬作為單一的膜形成，也可是由另一種金屬形成的另一個(gè)膜。
圖9為在輸入輸出電路的區(qū)域上配置多個(gè)焊盤部的樣子的平面圖。多個(gè)焊盤部的各個(gè)中，金屬凸起43設(shè)在內(nèi)部焊盤68上，檢驗(yàn)痕跡41產(chǎn)生在外部焊盤69上。
圖10也是在輸入輸出電路的區(qū)域上配置多個(gè)焊盤部的樣子的平面圖。金屬凸起43交互地設(shè)在內(nèi)部焊盤68上與外部焊盤69上，剩下的內(nèi)部焊盤68與外部焊盤69上產(chǎn)生檢驗(yàn)痕跡41。
這樣，通過分別鋸齒形配置檢驗(yàn)用的焊盤與接合用的焊盤(或焊盤區(qū)域)，可擴(kuò)大外觀上的焊盤間距。又通過在單元內(nèi)設(shè)置多個(gè)焊盤，可擴(kuò)大凸起連接時(shí)的間距。
因此，在用金屬凸起43將分立的半導(dǎo)體裝置作翻轉(zhuǎn)片式安裝于載置基板上，作為芯片尺寸封裝(Chip Size Package)或球網(wǎng)格陳列(Ball Grid Array)等的表面安裝型封裝時(shí)，能擴(kuò)大載置基板的電極間距，使基板設(shè)計(jì)上的規(guī)則緩和，也能謀求基板成本的降低等，具有非常大的優(yōu)點(diǎn)。
作為金屬凸起43，可以形成以金粒為基礎(chǔ)的2級(jí)突起形狀的柱形凸起，或由電解電鍍法或無電解鍍法形成的金、鎳、銅等的金屬凸起。無論那種情況，如上所述通過交互使用如形成于輸入輸出電路區(qū)域上的多個(gè)焊盤(或焊盤區(qū)域)，都能擴(kuò)大實(shí)質(zhì)上的連接間距，因此能提高連接的成品率，提高生產(chǎn)率。
如上所述，采用本發(fā)明，則由于能夠減小接合時(shí)或檢驗(yàn)時(shí)發(fā)生在焊盤金屬層邊緣處的應(yīng)力，緩加作用于焊盤金屬層之下的層間絕緣膜上的應(yīng)力，故能減少焊盤金屬層之下的層間絕緣膜的損壞。
又，通過與接合用的第1焊盤區(qū)域分開設(shè)置探認(rèn)檢查用的第2焊盤區(qū)域，能在第1焊盤區(qū)域中避免因檢驗(yàn)引起的層間絕緣膜的損壞與壓跡。
在將焊盤部配置于電路元件或配線的區(qū)域上時(shí)，也能不因接合荷重引起配線部或擴(kuò)散部發(fā)生損壞，容易實(shí)施對(duì)焊盤部的連接。因此，與避開電路元件或配線的區(qū)域配置焊盤部的情況相比，至少能縮小焊盤部的總面積相應(yīng)部分的芯片尺寸，也能降低芯片的成本。
因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，作為以外部連接用電極實(shí)施探針檢查或外部連接用的接合的半導(dǎo)體裝置，是特別有用的。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，作為外部連接用電極的焊盤部，由形成于最上層的第1焊盤金屬層、夾著層間絕緣膜形成于所述第1焊盤金屬層之下的第2焊盤金屬層、以及貫通所述層間絕緣膜，電氣連接第1焊盤金屬層與第2焊盤金屬層的通路構(gòu)成，互相偏移地配置所述第1焊盤金屬層的端部與第2焊盤金屬層的端部，使其沿各層的厚度方向不一致。
2.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，作為外部連接用電極的焊盤部，由接合用的第1焊盤區(qū)域與探針檢測用的第2焊盤區(qū)域構(gòu)成，所述第1焊盤區(qū)域由形成于最上層的第1焊盤金屬層、夾著層間絕緣膜形成于所述第1焊盤金屬層之下的第2焊盤金屬層、以及貫通所述層間絕緣膜，電氣連接第1焊盤金屬層與第2焊盤金屬層的通路構(gòu)成，互相偏移地配置所述第1焊盤金屬層的端部與第2焊盤金屬層的端部，使其沿各層的厚度方向不一致，所述第2焊盤區(qū)域只用所述第1焊盤金屬層構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，第1焊盤金屬層端部與第2焊盤金屬層端部偏移1.5～2μm。
4.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，第2焊盤金屬層的端部偏移到比第1焊盤金屬層的端部更外側(cè)處。
5.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，第2焊盤金屬層的端部偏移到比第1焊盤金屬層的端部更內(nèi)側(cè)處。
6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在第2焊盤區(qū)域的第1焊盤金屬層之下夾著層間絕緣膜配設(shè)多個(gè)虛設(shè)金屬，使其與第2焊盤金屬層做成相同的層。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，電路元件或配線配設(shè)于焊盤部之下的層中。
8.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，電路元件或配線配設(shè)于第1焊盤區(qū)域與第2焊盤區(qū)域的至少一方之下的層中。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。作為半導(dǎo)體裝置的外部連接用電極的焊盤部，由形成于最上層的第1焊盤金屬(61)、夾著層間絕緣膜(71)形成于第1焊盤金屬(61)之下的第2焊盤金屬(62)、以及貫通層間絕緣膜(71)，電氣連接第1焊盤金屬(61)與第2焊盤金屬(62)的通路(63)所構(gòu)成，配置第1焊盤金屬(61)的端部與第2焊盤金屬(62)的端部，使沿各層的厚度方向不一致地互相偏移。采用這樣的結(jié)構(gòu)，可減小發(fā)生于第2焊盤金屬(62)的邊沿上的應(yīng)力，能減少層間絕緣膜(71)等的損壞。
文檔編號(hào)H01L23/58GK1652329SQ20051000918
公開日2005年8月10日 申請(qǐng)日期2005年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月5日
發(fā)明者三村忠昭, 濱谷毅, 水谷篤人, 植田賢治 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社