專利名稱：發(fā)光晶片的載體構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極體的增光技術(shù)，旨在提供一種可擴大發(fā)光晶片的光源發(fā)射角度的裁體構(gòu)造以及用以構(gòu)成該造的相關(guān)制造方法，借以獲致較佳亮度表現(xiàn)效果的發(fā)光二極體。
背景技術(shù)：
按，一般發(fā)光二極體的基本構(gòu)造，是由相關(guān)的封裝材將發(fā)光晶片包覆，并且利用金線構(gòu)成發(fā)光晶片電極與相關(guān)電路的連結(jié)，以在發(fā)光晶片通電作用下，令發(fā)光晶片產(chǎn)生光源，其光源并且經(jīng)由所包覆的封裝材向外照射，或者由發(fā)光晶片的光源與封裝材當(dāng)中的效果材(例如熒光材)的波長結(jié)合，以形成預(yù)期的光色。
因此，包覆在發(fā)光晶片外部的封裝材除了具有可將發(fā)光晶片包覆固定的作用以外，是同時具有光線折射擴散的作用，以發(fā)光晶片的光源能夠在幾乎整個封裝材的區(qū)域呈現(xiàn)亮度；再者，如圖1所示，是為目前所普遍習(xí)用的一種直接利用基板10做為發(fā)光晶片20載體的發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)，此類型的發(fā)光二極體是在基板10的既定位置設(shè)有深入基板10表面的凹座11，由此凹座11做為發(fā)光晶片20定置以及填充封裝材30的空間，如此將使封裝材30的區(qū)域局限在凹座11的范圍當(dāng)中，因此發(fā)光晶片20所產(chǎn)生的光源不但會被凹座11周圍的基板部位所阻擋，而且限制封裝材30對光源折射、擴散的范圍，而無法提升整體發(fā)光二極體的亮度表現(xiàn)效果。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明即在一基板上至少設(shè)有一個凸出基板表面既定高度的盆部，由此盆部做為容置發(fā)光晶片的載體，以便進一步利用金線構(gòu)成發(fā)光晶片的電極與基板的電路連結(jié)，并由封裝材將發(fā)光晶片、金線以及盆部包覆，在封裝材將發(fā)光晶片、金線以及盆部包覆的狀態(tài)下，可擴大發(fā)光晶片的光源發(fā)射角度，同時增大封裝材接觸面積，提高封裝材與基板的接著力，進而提升整體發(fā)光二極體的亮度表現(xiàn)效果及信賴性。


圖1為一種習(xí)用發(fā)光二極體的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖2為本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極體外觀立體圖；圖3為本發(fā)明第一實施例的發(fā)光晶片載體結(jié)構(gòu)分解圖；圖4為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)剖視圖；圖5A至圖5D為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光二極體加工制造流程圖；圖6A至圖6D為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光二極體另一種加工制造流程圖。
圖號說明10 基板11 凹座12 盆部121 環(huán)體122 隆起區(qū)塊123 凹坑13 凹部20 發(fā)光晶片30 封裝材40 金線50 成型模具具體實施方式
為能使貴審查員清楚本發(fā)明的組成，以及實施方式，茲配合圖式說明如下發(fā)光晶片的載體構(gòu)造，旨在提供一種可擴大發(fā)光晶片的光源發(fā)射角度的載體構(gòu)造以及用以構(gòu)成該構(gòu)造的相關(guān)制造方法，借以獲致具有較佳亮度表現(xiàn)效果的發(fā)光二極體。如圖2所示，主要是在基板10上至少設(shè)有一個凸出基板10表面既定高度的盆部12，由此盆部12容置發(fā)光晶片20，以便利用金線40構(gòu)成發(fā)光晶片20的電極與基板10的電路連結(jié)，并由封裝材30將發(fā)光晶片20、金線40以及盆部12包覆。
據(jù)以，在封裝材30將發(fā)光晶片20、金線40以及盆部12包覆的狀態(tài)下，可減少基板10對發(fā)光晶片20的阻擋，以及增加封裝材30的范圍，因此能夠擴大發(fā)光晶片20的光源發(fā)射角度，提升整體發(fā)光二極體的亮度表現(xiàn)效果。
在具體實施時，如圖3所示，其盆部12是可以由一黏著在基板10表面的環(huán)體121(或凹杯)所構(gòu)成；或者是如圖4所示，為與基板10一體加工成型的結(jié)構(gòu)，在本實施例當(dāng)中，基板10是以鋁基覆銅或銅基覆銅的金屬基板為佳，而得以如圖5A及圖5B所示、利用一道沖壓動作，將基板10(金屬基板)沖壓成型至少一個具既定高度的隆起區(qū)塊122，同時在此隆起區(qū)塊122的頂面成型有一凹坑123以構(gòu)成能夠放置發(fā)光晶片的盆部12構(gòu)造，以使如圖5C所示，將發(fā)光晶片20定置在盆部12的凹坑123當(dāng)中，并且搭接金線40，最后如圖5D所示，利用封裝材30將發(fā)光晶片20、金線40以及盆部12的隆起區(qū)塊122包覆，即構(gòu)成前述具有高亮度表現(xiàn)效果的發(fā)光二極體。
再者，亦可以如圖6A及圖6B所示，先以一道沖壓動作將基板10(金屬基板)沖壓成型至少一個具既定高度的隆起區(qū)塊122，再以另一道沖壓動作在隆起區(qū)塊122的頂而成型有一凹坑123，以構(gòu)成能夠放置發(fā)光晶片的盆部12構(gòu)造，以便如圖6C所示，將發(fā)光晶片20定置在盆部12的凹坑123當(dāng)中，并且搭接金線40，最后如圖6D所示，利用封裝材30將發(fā)光晶片20、金線40以及盆部12的隆起區(qū)塊122包覆，同樣能夠構(gòu)成前述具有高亮度表現(xiàn)效果的發(fā)光二極體。
值得一提的是，在圖5A、B以及圖6A、B所示的實施例當(dāng)中，可直接利用成型模具50的截面構(gòu)造，讓盆部12的凹坑123形成圓形、橢圓形或是多邊形的輪廓造型，而且能夠同時在盆部12的底部形成一個凹部13，由此凹部13增加發(fā)光二晶片的散熱作用。
如上所述，本發(fā)明提供一種可擴大發(fā)光晶片的光源發(fā)射角度的載體構(gòu)造以及用以構(gòu)成該造的相關(guān)制造方法，借以獲致較佳亮度表現(xiàn)效果的發(fā)光二極體，于是，依法提呈發(fā)明專利的申請；然而，以上的實施說明及圖式所示，是本實用新型較佳實施例之一，并非以此局限本實用新型，是以，舉凡與本實用新型的構(gòu)造、裝置、特征等近似、雷同，均應(yīng)屬本實用新型的創(chuàng)作目的及申請專利范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光晶片載體構(gòu)造，其特征在于其是在一基板上至少設(shè)有一個凸出基板表面既定高度的盆部用以容置發(fā)光晶片。
2.一種發(fā)光晶片載體構(gòu)造，其中，該基板相對應(yīng)在盆部的底面設(shè)有凹部。
3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光晶片載體構(gòu)造，其中，該盆部是與基板一體成型。
4.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光晶片載體構(gòu)造，其中，該基板是以金屬構(gòu)成為佳。
5.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光晶片載體構(gòu)造，其中，該基板是為鋁基覆銅板或銅基覆銅板。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光晶片載體構(gòu)造，其中，該盆部是外加在基板的表面。
7.一種發(fā)光晶片載體的制造方法，其特征在于是以一道沖壓動作將金屬基板沖壓成型至少一個具既定高度的隆起區(qū)塊，同時在該隆起區(qū)塊的頂而成型有一凹坑。
8.一種發(fā)光晶片載體的制造方法，其特征在于是在先以一道沖壓動作將金屬基板沖壓成型至少一個具既定高度的隆起區(qū)塊，再以另一道沖壓動作在隆起區(qū)塊的頂而成型有一凹坑。
9.一種發(fā)光晶片載體的制造方法，其中，是將至少一個具既定高度的環(huán)體或凹杯黏著在基板的表面。
10.一種發(fā)光二極體，其特征在于是在一基板表面設(shè)有一個凸出基板表面既定高度的盆部，在盆部中定置有發(fā)光晶片，并且由金線構(gòu)成發(fā)光晶片的電極與基板的電路連結(jié)，并由封裝材將發(fā)光晶片以及盆部包覆。
11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極體，其中，該基板相對應(yīng)在盆部的底面設(shè)有凹部。
12.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極體，其中，該盆部是與基板一體成型。
13.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極體，其中，該基板是以金屬構(gòu)成為佳。
14.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極體，其中，該基板是為鋁基覆銅板或銅基覆銅板。
15.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極體，其中，該盆部是外加在基板的表面。
全文摘要
本發(fā)明是在一金屬基板上至少設(shè)有一個凸出基板表面既定高度的盆部，由此盆部容置發(fā)光晶片，在相關(guān)封裝材將發(fā)光晶片、盆部包覆的狀態(tài)下，可大幅擴大發(fā)光晶片的光源發(fā)射角度，同時增大封裝材接觸面積，提高封裝材與基板的接著力，提升整體發(fā)光二極體的亮度表現(xiàn)效果及信賴性。
文檔編號H01L21/50GK1825636SQ20051000858
公開日2006年8月30日 申請日期2005年2月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月23日
發(fā)明者李明順, 孫平如 申請人:李洲科技股份有限公司