專利名稱：制造布線襯底的方法及制造電子裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造布線襯底的方法及制造電子裝置的方法。
背景技術(shù)：
眾所周知，作為在柔性襯底上形成布線的方法包括減去法和添加法。在減去法中，在柔性襯底的整個(gè)表面上形成金屬層，在金屬層上布圖形成光敏抗蝕層，并隔離開光敏抗蝕層刻蝕金屬層。在添加法中，在柔性襯底上布圖形成光敏抗蝕層，在從光敏抗蝕層開口的部位上通過鍍金工藝使金屬層沉積。
根據(jù)這些方法，在最后去除光敏抗蝕層方面、以及在減去法中去除部分金屬層方面，帶來資源及材料的耗費(fèi)的問題。另外，因?yàn)樾枰饷艨刮g層的形成及去除步驟，所以，帶來制造步驟較多的問題。再者，布線的尺寸精度依賴于光敏抗蝕層的清晰度，由此，對(duì)于形成更高精度的布線存在一定的界限限制。
(專利文獻(xiàn)1)日本特開平10-65315號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明目的在于只在需要的部分上沉積金屬層，同時(shí)以精簡(jiǎn)的制造步驟形成布線。
本發(fā)明涉及的布線襯底的制造方法包括以下步驟
(a)在襯底的第一區(qū)域和第二區(qū)域上設(shè)置表面活性劑；(b)向所述襯底的所述第二區(qū)域照射真空紫外線，使所述襯底的所述第二區(qū)域的原子鍵斷裂；(c)清洗所述襯底，除去設(shè)置在所述第二區(qū)域上的所述表面活性劑；(d)在殘留在所述第一區(qū)域上的所述表面活性劑上設(shè)置催化劑；以及(e)在所述催化劑上沉積金屬層，沿著所述第一區(qū)域形成由所述金屬層構(gòu)成的布線。
根據(jù)本發(fā)明，通過照射真空紫外線來布圖表面活性劑，并在表面活性劑上設(shè)置催化劑。由此，能以沿著規(guī)定的圖案形狀只在需要的部分上沉積金屬層。因此，不需要用例如抗蝕層等形成掩模，從而能以精簡(jiǎn)且較短時(shí)間的制造步驟形成高精度的布線，減少了材料的浪費(fèi)，實(shí)現(xiàn)了低成本。
本發(fā)明涉及的布線襯底的制造方法包括以下步驟(a)在襯底的第一區(qū)域和第二區(qū)域上設(shè)置表面活性劑；(b)向所述襯底的所述第二區(qū)域照射真空紫外線，使所述襯底的所述第二區(qū)域的原子鍵斷裂；(c)清洗所述襯底，除去設(shè)置在所述第二區(qū)域上的所述表面活性劑；(d)在所述襯底的所述第二區(qū)域上設(shè)置催化劑；以及
(e)在所述催化劑上沉積金屬層，沿著所述第二區(qū)域形成由所述金屬層構(gòu)成的布線。
根據(jù)本發(fā)明，通過照射真空紫外線來布圖表面活性劑，并在表面活性劑上設(shè)置催化劑。由此，能以沿著規(guī)定的圖案形狀只在需要的部分上沉積金屬層。因此，不需要用例如抗蝕層等來形成掩模，從而能以精簡(jiǎn)且較短時(shí)間的制造步驟形成高精度的布線，減少了材料的浪費(fèi)，實(shí)現(xiàn)了低成本。
在該布線襯底的制造方法中，所述襯底具有C-C、C＝C、C-F、C-H、C-CI、C-N、C-O、N-H、O-H鍵中的至少一種。
在該布線襯底的制造方法中，所述襯底至少具有C＝C鍵，所述真空紫外線具有至少能使C＝C鍵斷裂的性質(zhì)。
在該布線襯底的制造方法中，所述真空紫外線的光源是充入Xe氣的激發(fā)態(tài)紫外燈。
本發(fā)明涉及的布線襯底的制造方法包括以下步驟(a)在包括第一區(qū)域和第二區(qū)域的襯底的所述第一區(qū)域上，用噴液法設(shè)置表面活性劑；(b)在所述表面活性劑上設(shè)置催化劑；以及(c)在所述催化劑上沉積金屬層，沿著所述第一區(qū)域形成由所述金屬層構(gòu)成的布線。
根據(jù)本實(shí)施例，使用噴液法來布圖表面活性劑，并在表面活性劑上設(shè)置催化劑。由此，能以沿著規(guī)定的圖案形狀只在需要的部分上沉積金屬層。因此，不需要用例如抗蝕層等來形成掩模，從而能以精簡(jiǎn)且較短時(shí)間的制造步驟形成高精度的布線，減少了材料的浪費(fèi)，實(shí)現(xiàn)了低成本。
本發(fā)明涉及的布線襯底的制造方法包括以下步驟(a)在包括第一區(qū)域和第二區(qū)域的襯底的所述第一區(qū)域上，用噴液法設(shè)置表面活性劑；(b)在所述襯底的所述第二區(qū)域上設(shè)置催化劑；以及(c)在所述催化劑上沉積金屬層，沿著所述第二區(qū)域形成由所述金屬層構(gòu)成的布線。
根據(jù)本實(shí)施例，使用液噴法來布圖表面活性劑，并避開表面活性劑設(shè)置催化劑。由此，能以沿著規(guī)定的圖案形狀只在需要的部分上沉積金屬層。因此，不需要用例如抗蝕層等來形成掩模，從而能以精簡(jiǎn)且較短時(shí)間的制造步驟形成高精度的布線，減少了材料的浪費(fèi)，實(shí)現(xiàn)了低成本。
在該布線襯底的制造方法中，所述噴液法是噴墨法。由此，通過使用在噴墨打印機(jī)用途中實(shí)用化的技術(shù)，能高速度地完成設(shè)置，避免了油墨的浪費(fèi)，實(shí)現(xiàn)了經(jīng)濟(jì)化。
在該布線襯底的制造方法中，所述襯底的所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的表面電位是負(fù)電位。
在該布線襯底的制造方法中，在所述步驟(a)之前，還包括堿洗所述襯底的步驟。由此，通過堿洗所述襯底，能使襯底表面上的不均勻電位得以均勻，所以，能以精簡(jiǎn)的制造步驟使表面電位穩(wěn)定化。
在該布線襯底的制造方法中，在所述步驟(a)中，所述表面活性劑是陽離子表面活性劑。
在該布線襯底的制造方法中，在設(shè)置所述催化劑的步驟中，將所述襯底浸漬在含氯化錫的溶液中，接著浸漬在含氯化鈀的催化劑液中，沉積用作所述催化劑的鈀。
在該布線襯底的制造方法中，在設(shè)置所述催化劑的步驟中，將所述襯底浸漬在含錫-鈀的催化劑液中，再?gòu)乃鲆r底上除去錫，沉積用作所述催化劑的鈀。
本發(fā)明涉及的電子裝置的制造方法，其包括根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的用于制造布線襯底的方法；將具有集成電路的半導(dǎo)體芯片安裝到所述布線襯底上的步驟；以及將所述布線襯底與所述電路板電連接的步驟。
根據(jù)本發(fā)明，能以精簡(jiǎn)且較短時(shí)間的制造步驟形成高精度的布線，減少了材料的浪費(fèi)，實(shí)現(xiàn)了低成本。


圖1(A)～圖1(C)是本發(fā)明第一實(shí)施例的第一個(gè)例子的說明圖。
圖2(A)及圖2(B)是本發(fā)明第一實(shí)施例的第一個(gè)例子的說明圖。
圖3(A)～圖3(D)是本發(fā)明第一實(shí)施例的第一個(gè)例子的說明圖。
圖4(A)及圖4(B)是本發(fā)明第一實(shí)施例的第一個(gè)例子的說明圖。
圖5(A)及圖5(B)是本發(fā)明第一實(shí)施例的第二個(gè)例子的說明圖。
圖6(A)及圖6(B)是本發(fā)明第二實(shí)施例的第一個(gè)例子的說明圖。
圖7(A)及圖7(B)是本發(fā)明第二實(shí)施例的第一個(gè)例子的說明圖。
圖8(A)～圖8(C)是本發(fā)明第二實(shí)施例的第一個(gè)例子的說明圖。
圖9(A)及圖9(B)是本發(fā)明第二實(shí)施例的第一個(gè)例子的說明圖。
圖10(A)及圖10(B)是本發(fā)明第二實(shí)施例的第二個(gè)例子的說明圖。
圖11是本發(fā)明的第三實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說明。
第一實(shí)施例圖1(A)～圖5(B)是本發(fā)明的第一實(shí)施例涉及的布線襯底的制造方法的說明圖。在本實(shí)施例中，適用化學(xué)鍍金工藝來制造布線襯底。
第一例圖1(A)～圖4(B)是本實(shí)施例的第一例的說明圖。圖1(A)～圖2(B)是化學(xué)鍍金工藝的各個(gè)步驟的說明圖，圖3(A)～圖4(B)是化學(xué)鍍金工藝的各個(gè)步驟中的襯底的示意圖。
襯底(薄板)10可以是柔性襯底。作為柔性襯底可以使用FPC(Flexible Printed Circuit)、及COF(Chip On Film)用襯底或者TAB(Tape Automated Bonding)用襯底。襯底10可以用有機(jī)材料(例如樹脂)形成。作為襯底10，可以使用聚酰亞胺襯底或者聚酯襯底。襯底10包括有機(jī)的原子鍵。襯底10可以包括C-C、C＝C、C-F、C-H、C-CI、C-N、C-O、N-H、O-H鍵中的至少一個(gè)。襯底10也可以至少包括C＝C鍵。在本實(shí)施例中，是在襯底10的一個(gè)表面形成布線。或者也可以在襯底10的兩個(gè)表面都形成布線。襯底10包括第一區(qū)域12及第二區(qū)域14(參照?qǐng)D1(C)及圖3(D))。第一區(qū)域12及第二區(qū)域14是襯底10上的布線形成面的區(qū)域。
如圖3(A)所示，作為襯底10，可以使用其表面電位(溶液中表面電位)是負(fù)電位的材料。在使用有機(jī)系材料時(shí)，襯底10的表面電位是負(fù)電位的情況較多。
如圖1(A)及圖3(B)所示，可以堿洗襯底10。這樣一來，能使襯底10的第一區(qū)域12及第二區(qū)域14表面的不均勻電位統(tǒng)一為負(fù)電位。具體來說，可以在室溫下將襯底10浸漬在堿液(例如，1wt％～10wt％濃度的氫氧化鈉)16中10～60分鐘左右，然后，進(jìn)行水洗。通過堿洗，襯底10的表層部被水解，這時(shí)，表層部形成水解層，該表層部也是負(fù)電位，電位比清洗前更加均勻化。
另外，通過上述的堿洗，襯底10能同時(shí)進(jìn)行清洗及表面糙化處理。由此，能提高金屬層(布線)的粘附性。
如圖1(B)及圖3(C)所示，在襯底10的第一區(qū)域12及第二區(qū)域14上設(shè)置表面活性劑18?？梢栽谝r底10的一個(gè)面的整個(gè)范圍內(nèi)設(shè)置表面活性劑18。在本例子中，表面活性劑18具有陽離子化的性質(zhì)。作為表面活性劑18，可以使用陽離子系表面活性劑(陽離子表面活性劑及與其性質(zhì)等同的物質(zhì))。在本例子中，因?yàn)橐r底10的第一區(qū)域12及第二區(qū)域14的表面電位是負(fù)電位，所以，一旦使用陽離子系表面活性劑，就能使襯底10的負(fù)電位中和或者轉(zhuǎn)變?yōu)檎娢弧Ａ硗?，通過使用表面活性劑18，可以不依賴襯底10的性質(zhì)，自由地調(diào)整表面電位，另外，還能形成表面電位均勻、穩(wěn)定的電位面。
在圖1(B)所示的例子中，將襯底10浸漬在表面活性劑溶液20中。具體地，在室溫下將襯底10浸漬在氯化烷基銨系的陽離子表面活性劑溶液中1～10分鐘左右后，再用純水清洗。然后，在室溫氛圍下充分干燥襯底10。
如圖1(C)及圖3(D)所示，除去設(shè)置在第一區(qū)域12及第二區(qū)域14上的表面活性劑18中的、設(shè)置在第二區(qū)域14上的部分。也就是說，以沿著第一區(qū)域12留下表面活性劑18的方式形成圖案。
在本例子中，對(duì)襯底10的第二區(qū)域14照射真空紫外線(VUVvacuum ultraviolet radiation)22。具體而言，在光源24和襯底10之間配置掩模26，通過掩模26，向襯底10照射真空紫外線22。真空紫外線22被掩模26的圖案28遮掩，在圖案28以外的區(qū)域透過。一旦照射真空紫外線22，襯底10的第二區(qū)域14的原子鍵被(化學(xué)地)斷裂。在本例子中，襯底10的第二區(qū)域14并不是被機(jī)械地挖掉。由此，真空紫外線22的主要作用是使襯底10的原子鍵斷裂，與挖掉襯底10的情況相比，可大大地節(jié)約能量。由此，例如，能防止襯底10發(fā)生熱應(yīng)變。另外，能防止襯底10的部分飛散并附著到其他部分上。
在這里，在本例子中，第一區(qū)域12是形成金屬層(布線)的區(qū)域，并形成規(guī)定的圖案形狀。第二區(qū)域14形成襯底10表面上的第一區(qū)域12的反轉(zhuǎn)形狀。
真空紫外線22的波長(zhǎng)可以是100nm～200nm(例如，100nm～180nm)。真空紫外線22具有能使有機(jī)原子鍵斷裂的性質(zhì)(例如，波長(zhǎng))。真空紫外線22也可以具有能使襯底10的至少C＝C鍵斷裂的性質(zhì)(例如，波長(zhǎng))。真空紫外線22也可以具有能使襯底10的原子鍵(C-C、C＝C、C-F、C-H、C-CI、C-N、C-O、N-H、O-H鍵中的至少一個(gè))全部斷裂的性質(zhì)(例如，波長(zhǎng))。作為光源24可以是充入Xe氣的激發(fā)態(tài)紫外燈(波長(zhǎng)為172nm)。如果使用紫外燈，不再需要用于生成激光的聚光透鏡及由激光器進(jìn)行掃描的時(shí)間，所以，能夠?qū)崿F(xiàn)制造步驟的簡(jiǎn)略化。
具體地，如圖1(C)所示，在襯底10的布線形成面上配置掩模26。掩模26既可以是光學(xué)掩模，也可以是金屬掩模。例如，作為掩模26，使用在真空紫外線用的高純度石英玻璃(真空紫外線的透過率是80％以上)上由鉻形成圖案的掩模。在圖1(C)中，掩模26隔開一定間隔配置在襯底10的上方，但是，實(shí)際上，掩模26與襯底10接觸地配置。光源24、掩模26及襯底10在氮?dú)夥諊信渲?。如果是氮?dú)夥諊?，真空紫外線22就不會(huì)衰減，能照射到10mm左右的距離。利用襯底10自身具有的彈性力及撓性，在襯底10和掩模26沒有均勻接觸時(shí)，用支撐物按壓掩模26的外周，并且，也可以用與掩模26尺寸相同的面積將襯底10的內(nèi)面壓到掩模26側(cè)。使光源24盡量地靠近襯底10(例如，10mm以下)。作為光源24使用例如，激發(fā)VUV/03清洗裝置(制造商日本USHIO電機(jī)株式會(huì)社，型號(hào)UER20-172A/B，燈規(guī)格充入Xe氣的鐵電體阻擋放電激發(fā)態(tài)紫外燈)。襯底10的材料為聚酰亞胺時(shí)，以10mW左右的輸出功率照射10分鐘左右。在本例子中，對(duì)襯底10的一個(gè)表面照射真空紫外線22，但是，在襯底10的兩個(gè)表面上形成布線時(shí)，只要依次或同時(shí)對(duì)襯底10的各個(gè)表面照射真空紫外線22即可。
照射真空紫外線22后，清洗襯底10(例如，濕法清洗)。由此除去襯底10的原子鍵斷裂的部分。也就是說，通過清洗，除去第二區(qū)域14上的表面活性劑18。作為清洗方式，可以將襯底10浸漬在清洗液中，也可以對(duì)襯底10進(jìn)行噴淋。作為清洗液，可以使用堿溶液(強(qiáng)堿溶液或者弱堿溶液)或者純水。作為噴淋方式，可以使用純水噴淋清洗或者高壓噴氣純水清洗。在清洗時(shí)，可以施加超音波振動(dòng)。通過進(jìn)行清洗，在第一區(qū)域12上留下表面活性劑18，在第二區(qū)域14上，表面活性劑18被除去而露出襯底10的表面。
如圖2(A)及圖4(A)所示，在殘留在第一區(qū)域12上的表面活性劑18上設(shè)置催化劑(鍍金催化劑)30。催化劑30用于在化學(xué)鍍金溶液中誘發(fā)金屬層(鍍層)的沉積，例如，可以是鈀。催化劑30可以不包括粘結(jié)用的樹脂。在本例子中，在第二區(qū)域14上沒有設(shè)置催化劑30。
在圖2(A)的示例中，將襯底10浸漬在含錫-鈀的催化劑液32中。具體地，在室溫下，將襯底10在PH值大約為1的錫-鈀催化劑液32中浸泡30秒～3分鐘，進(jìn)行充分水洗。錫-鈀膠體微粒帶有負(fù)電荷，吸附在表面活性劑18(陽離子系表面活性劑)上。然后，為了使催化劑活化，在室溫下，將襯底10在含硼氟酸的溶液中浸泡30秒～3分鐘后，進(jìn)行水洗。由此，能除去錫膠體微粒，只使鈀在表面活性劑18(陽離子系表面活性劑)上沉積。
如圖2(B)及圖4(B)所示，在催化劑30上沉積金屬層34。催化劑30設(shè)置在表面活性劑18上，因?yàn)楸砻婊钚詣?8沿著第一區(qū)域12露出，所以，以沿著第一區(qū)域12的圖案形狀形成金屬層34。金屬層34可以是一層，也可以是多層。金屬層34的材料不受限定，例如，可以是Ni、Au、Ni+Au、Cu、Ni+Cu、Ni+Au+Cu中的任一種。只要根據(jù)沉積的金屬層34的材料選擇催化劑即可。
在圖2(B)所示的例子中，將襯底10在六水合硫酸鎳為主體的鍍液(溫度為80℃)中浸泡1～3分鐘左右，形成0.1～0.2μm左右厚度的鎳層?；蛘撸部梢詫⒁r底10在六水合氯化鎳為主體的鍍液(溫度為60℃)中浸泡3～10分鐘左右，形成0.1～0.2μm左右厚度的鎳層。根據(jù)本例子，因?yàn)檠刂谝粎^(qū)域12設(shè)置催化劑30，所以，即使不使用抗蝕層等來形成掩模，也能沿著襯底10的第一區(qū)域12有選擇地形成金屬層34。
根據(jù)本例子，通過照射真空紫外線22使表面活性劑18形成圖案，并在表面活性劑18上設(shè)置催化劑30。由此，能沿著規(guī)定的圖案形狀只在需要的部分上沉積金屬層34。因此，不需要用例如抗蝕層等來形成掩模，從而能以精簡(jiǎn)且較短時(shí)間的制造步驟形成高精度的布線，減少了材料的浪費(fèi)，實(shí)現(xiàn)了低成本。
第二例圖5(A)及圖5(B)是本實(shí)施例的第二例說明圖。在本例子中，在如圖3(A)～圖3(D)所示那樣在第一區(qū)域12上設(shè)置表面活性劑18后，在襯底10的第二區(qū)域14上設(shè)置催化劑38。也就是說，在襯底10的表面中的、從表面活性劑18露出的第二區(qū)域14上設(shè)置催化劑38。在本例子中，第二區(qū)域14是形成金屬層(布線)的區(qū)域，形成規(guī)定的圖案形狀。
例如，將襯底10浸漬在帶正電荷的氯化錫溶液中，接著浸漬在含氯化鈀的催化劑液中，由此，能在襯底10的第二區(qū)域14(負(fù)電位部分)上沉積鈀。另外，可以將襯底10浸漬在該催化劑液中1～5分鐘之后，再用純水水洗。
然后，如圖5(B)所示，在催化劑38上沉積金屬層40。因?yàn)榇呋瘎?8設(shè)置在第二區(qū)域14上，所以，以沿著第二區(qū)域14的圖案形狀形成金屬層40。
另外，本例子的其他詳細(xì)說明可以適用上述例子中說明的內(nèi)容。
第二實(shí)施例圖6(A)～圖10(B)是本發(fā)明的第二實(shí)施例涉及的布線襯底的制造方法的說明圖。在本實(shí)施例中，通過使用噴液法來布圖表面活性劑。
第一例圖6(A)～圖7(B)是化學(xué)鍍金工藝的各步驟的說明圖。圖8(A)～圖9(B)是化學(xué)鍍金工藝的各步驟中的襯底的示意圖。
如圖8(A)所示，作為襯底10，預(yù)先使其表面電位形成負(fù)電位。如圖6(A)所示，可以通過將襯底10浸漬在堿液(例如，無機(jī)堿液)62中進(jìn)行堿洗。由此，如圖8(B)所示，能使襯底10的第一區(qū)域12及第二區(qū)域14表面的不均勻電位變?yōu)榫鶆虻呢?fù)電位。堿洗的詳細(xì)步驟按照第一實(shí)施例的第一例中說明的進(jìn)行。
如圖6(B)及圖8(C)所示，通過使用噴液法，在襯底10的第一區(qū)域12上設(shè)置表面活性劑64。也就是說，將液滴(表面活性劑64)從液滴噴出部66直接噴到襯底10的表面上，并形成規(guī)定的圖案形狀。由此，能有選擇地設(shè)置表面活性劑64，不需要用抗蝕層等形成掩模，所以，制造步驟得以簡(jiǎn)化。液滴至少部分包括表面活性劑64，例如，可以以表面活性劑64為核心，其表面用樹脂(粘結(jié)材料)等涂覆?；蛘?，液滴也可以只由表面活性劑64構(gòu)成。噴液法既可以是噴墨方式，也可以是分配器涂布方式，液滴噴出的方式并不受限定。如果采用噴墨方式，通過使用在噴墨打印機(jī)中實(shí)用化的技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)高速并且控制了油墨(表面活性劑64)的浪費(fèi)，實(shí)現(xiàn)了經(jīng)濟(jì)化。作為噴墨頭，可以使用壓電元件的壓電噴射型，或者采用能量產(chǎn)生元件，其可以是使用電熱轉(zhuǎn)換體的真空噴射(注冊(cè)商標(biāo))型等。
在本例子中，表面活性劑64具有陽離子化的性質(zhì)。作為表面活性劑64可以使用陽離子系表面活性劑。在本例子中，因?yàn)橐r底10的第一區(qū)域12及第二區(qū)域14的表面電位是負(fù)電位，所以，一旦使用陽離子系表面活性劑，在襯底10的表面電位中，第一區(qū)域12成為中和狀態(tài)或者正電位，第二區(qū)域14成為負(fù)電位。
如圖7(A)及圖9(A)所示，在襯底10的第二區(qū)域14上設(shè)置催化劑68。也就是說，在襯底10中的、從表面活性劑64露出的第二區(qū)域14上設(shè)置催化劑68。在第一區(qū)域12上不設(shè)置催化劑68。在本例子中第二區(qū)域14是形成金屬層(布線)的區(qū)域，形成規(guī)定的圖案形狀。為了得到催化劑，可以將襯底10浸漬在含氯化錫的溶液中，接著浸漬在含氯化鈀的催化劑液70中。具體地，按照第一實(shí)施例的第二例中的說明進(jìn)行。
然后，如圖7(B)及圖9(B)所示，在催化劑68上沉積金屬層72。因?yàn)榇呋瘎?8設(shè)置在第二區(qū)域14上，所以，能以沿著第二區(qū)域14的圖案形狀形成金屬層72。另外，如圖7(B)所示，金屬層的沉積可以通過將襯底10浸漬在規(guī)定的化學(xué)鍍液74中進(jìn)行，具體地，按照第一實(shí)施例的第一例中的說明進(jìn)行。
根據(jù)本例子，使用噴液法來布圖表面活性劑64，并且避開表面活性劑64設(shè)置催化劑68。由此，能沿著規(guī)定的圖案形狀只在規(guī)定的部分上沉積金屬層72。因此，不需要用例如抗蝕層等形成掩模，從而能以精簡(jiǎn)且較短時(shí)間的制造步驟形成高精度的布線，減少了材料的浪費(fèi)，實(shí)現(xiàn)了低成本。
另外，本例子的其他詳細(xì)說明可以適用上述例子中說明的內(nèi)容。
第二例圖10(A)及圖10(B)是本實(shí)施例的第二例子的說明圖。在本例子中，如圖8(A)～圖8(C)所示，通過噴液法噴出表面活性劑64后，在表面活性劑64上設(shè)置催化劑76。因?yàn)楸砻婊钚詣?4設(shè)置在第一區(qū)域12上，所以，催化劑68也設(shè)置在第一區(qū)域12上。在第二區(qū)域14上不設(shè)置催化劑68。在本例子中，第一區(qū)域12是形成金屬層(布線)的區(qū)域，形成規(guī)定的圖案形狀。在本例子中，在襯底10的表面電位中，第一區(qū)域12通過(陽離子系)表面活性劑64成為中和或者正電位，第二區(qū)域14由于從襯底10的表面露出而成為負(fù)電位。為了得到催化劑，將襯底10浸漬在含錫-鈀的催化劑液中。具體地，按照第一實(shí)施例的第一例的說明進(jìn)行。
然后，如圖10(B)所示，在催化劑76上沉積金屬層78。因?yàn)榇呋瘎?6設(shè)置在第一區(qū)域12上，所以，能以沿著第一區(qū)域12的圖案形狀形成金屬層78。
另外，本例子的其他詳細(xì)說明可以適用上述例子中的說明內(nèi)容。
第三實(shí)施例圖11是用于說明本發(fā)明的第三實(shí)施例的電子裝置的制造方法的示意圖，具體地顯示了具有布線襯底的電子裝置的一個(gè)例子。
在布線襯底1上形成規(guī)定的圖案形狀的金屬層(在圖11中省略)?？梢詫⒕哂屑呻娐返陌雽?dǎo)體芯片80(例如，倒裝)安裝到布線襯底1上。半導(dǎo)體芯片80(集成電路)電連接于金屬層。這樣，可以制造出包括半導(dǎo)體芯片80和布線襯底1的半導(dǎo)體裝置3。然后，將布線襯底1(或者半導(dǎo)體裝置3)與電路板82電連接。由此，能制造出電子裝置。另外，布線襯底1也可以如圖11的箭頭所示那樣進(jìn)行彎曲。
電路板82是電光面板時(shí)，電子裝置為電光裝置，電光裝置可以是液晶裝置、等離子體顯示裝置、場(chǎng)致發(fā)光顯示裝置等。根據(jù)本實(shí)施例，能以精簡(jiǎn)和短時(shí)間的制造步驟形成高精度的布線，減少了材料的浪費(fèi)，實(shí)現(xiàn)了低成本。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，本發(fā)明可以有各種更改和變化。例如，本發(fā)明包括與實(shí)施例中說明的結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)相同的結(jié)構(gòu)(例如，功能、方法及效果相同的結(jié)構(gòu)、或者目的及效果相同的結(jié)構(gòu))。另外，本發(fā)明還包括與實(shí)施例中說明的結(jié)構(gòu)起到同樣作用的效果的結(jié)構(gòu)、或者可實(shí)現(xiàn)同樣目的的結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明還包括在實(shí)施例中說明的結(jié)構(gòu)中附加公開技術(shù)的結(jié)構(gòu)。
符號(hào)說明1布線襯底 3半導(dǎo)體裝置10襯底 11表層部12第一區(qū)域 14第二區(qū)域16堿液 18表面活性劑20表面活性劑溶液22真空紫外線24光源 26掩模28圖案 30催化劑32催化劑溶液34金屬層38催化劑40金屬層64表面活性劑66噴液部68催化劑70催化劑溶液72金屬層76催化劑78金屬層80半導(dǎo)體芯片82電路板
權(quán)利要求
1.一種用于制造布線襯底的方法，其特征在于，包括如下步驟(a)在襯底的第一區(qū)域和第二區(qū)域上設(shè)置表面活性劑；(b)向所述襯底的所述第二區(qū)域照射真空紫外線，使所述襯底的所述第二區(qū)域的原子鍵斷裂；(c)清洗所述襯底，除去設(shè)置在所述第二區(qū)域上的所述表面活性劑；(d)在殘留在所述第一區(qū)域上的所述表面活性劑上設(shè)置催化劑；以及(e)在所述催化劑上沉積金屬層，沿著所述第一區(qū)域形成由所述金屬層構(gòu)成的布線。
2.一種用于制造布線襯底的方法，其特征在于，包括如下步驟(a)在襯底的第一區(qū)域和第二區(qū)域上設(shè)置表面活性劑；(b)向所述襯底的所述第二區(qū)域照射真空紫外線，使所述襯底的所述第二區(qū)域的原子鍵斷裂；(c)清洗所述襯底，除去設(shè)置在所述第二區(qū)域上的所述表面活性劑；(d)在所述襯底的所述第二區(qū)域上設(shè)置催化劑；以及(e)在所述催化劑上沉積金屬層，沿著所述第二區(qū)域形成由所述金屬層構(gòu)成的布線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于制造布線襯底的方法，其特征在于，所述襯底具有C-C、C＝C、C-F、C-H、C-CI、C-N、C-O、N-H、O-H鍵中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的用于制造布線襯底的方法，其特征在于，所述襯底至少具有C＝C鍵，所述真空紫外線具有至少能使C＝C鍵斷裂的性質(zhì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的用于制造布線襯底的方法，其特征在于，所述真空紫外線的光源是充入Xe氣的激發(fā)態(tài)紫外燈。
6.一種用于制造布線襯底的方法，其特征在于，包括如下步驟(a)在包括第一區(qū)域和第二區(qū)域的襯底的所述第一區(qū)域上，用噴液法設(shè)置表面活性劑；(b)在所述表面活性劑上設(shè)置催化劑；以及(c)在所述催化劑上沉積金屬層，沿著所述第一區(qū)域形成由所述金屬層構(gòu)成的布線。
7.一種用于制造布線襯底的方法，其特征在于，包括如下步驟(a)在包括第一區(qū)域和第二區(qū)域的襯底的所述第一區(qū)域上，用噴液法設(shè)置表面活性劑；(b)在所述襯底的所述第二區(qū)域上設(shè)置催化劑；以及(c)在所述催化劑上沉積金屬層，沿著所述第二區(qū)域形成由所述金屬層構(gòu)成的布線。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的用于制造布線襯底的方法，其特征在于，所述噴液法是噴墨法。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的用于制造布線襯底的方法，其特征在于，所述襯底的所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的表面電位是負(fù)電位。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的用于制造布線襯底的方法，其特征在于，在所述步驟(a)之前，還包括堿洗所述襯底的步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的用于制造布線襯底的方法，其特征在于，在所述步驟(a)中，所述表面活性劑是陽離子系表面活性劑。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的用于制造布線襯底的方法，其特征在于，在設(shè)置所述催化劑的步驟中，將所述襯底浸漬在含氯化錫的溶液中，接著浸漬在含氯化鈀的催化劑液中，沉積用作所述催化劑的鈀。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的用于制造布線襯底的方法，其特征在于，在設(shè)置所述催化劑的步驟中，將所述襯底浸漬在含錫-鈀的催化劑液中，再?gòu)乃鲆r底上除去錫，沉積用作所述催化劑的鈀。
14.一種用于制造電子裝置的方法，包括根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的用于制造布線襯底的方法；將具有集成電路的半導(dǎo)體芯片安裝到所述布線襯底上的步驟；以及將所述布線襯底與所述電路板電連接的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供制造布線襯底的方法，包括以下步驟(a)在襯底(10)的第一區(qū)域(12)及第二區(qū)域(14)上設(shè)置表面活性劑(18)；(b)通過向襯底(10)的第二區(qū)域(14)照射真空紫外線(22)，使襯底(10)的第二區(qū)域(14)的原子鍵斷裂；(c)通過清洗襯底(10)，除去設(shè)在第二區(qū)域(14)上的表面活性劑(18)部分；(d)在殘留在第一區(qū)域(12)上的表面活性劑(18)部分上設(shè)置催化劑(30)；(e)通過在催化劑(30)上沉積金屬層(34)，沿著第一區(qū)域(12)形成由金屬層(34)構(gòu)成的布線。根據(jù)本發(fā)明，能只在需要的部分上沉積金屬層，同時(shí)以精簡(jiǎn)的制造步驟形成布線。
文檔編號(hào)H01L21/60GK1652666SQ200510002930
公開日2005年8月10日 申請(qǐng)日期2005年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月4日
發(fā)明者木村里至, 降旗榮道, 丸茂實(shí) 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社