專利名稱：具有電容耦合的高電壓脈沖驅(qū)動(dòng)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及驅(qū)動(dòng)器電路，尤其涉及用于顯示器應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)器電路。
背景技術(shù)：
使用互補(bǔ)型N和P溝道功率FET晶體管來形成用于高電容線路的脈沖驅(qū)動(dòng)器是方便的，如圖2、3、5和6中的現(xiàn)有技術(shù)所示。例如，這些驅(qū)動(dòng)器可用作為大屏幕冷陰極和等離子顯示器的線驅(qū)動(dòng)器。
現(xiàn)有技術(shù)的一個(gè)示例如圖2所示，其中輸出56是電源電壓57和接地之間差值(gap)的函數(shù)。齊納二極管53橋接電源57和接地之間的電壓差，并且被選為向晶體管54或55提供可靠的導(dǎo)通電壓。在該示例中，53的齊納電壓可被選為小于54的導(dǎo)通電壓或約為10V的電源電壓57。
當(dāng)設(shè)計(jì)需要在輸出56處采用更高電壓時(shí)，這種現(xiàn)有技術(shù)中就會(huì)出現(xiàn)一些問題。首先是當(dāng)在設(shè)計(jì)中有意改變電壓57時(shí)，必須調(diào)節(jié)齊納二極管53的值以作補(bǔ)償。
為減輕該問題，圖3所示的現(xiàn)有技術(shù)電路用電容器替代齊納二極管53，從而允許對(duì)電源電壓57的任意選擇，而不受諸如齊納二極管53的跨固定電壓差值器件的限制。
正輸入脈沖41驅(qū)動(dòng)晶體管42的柵極，通過電容器44橋接電源46的電壓差，以關(guān)閉晶體管43。即，盡管晶體管42和43的柵極可有例如400V的電壓差，但由于耦合電容器44的作用，它們精確地彼此隨動(dòng)。如果電軌(power rail)48上的噪聲約達(dá)2到5V，則可能會(huì)不正常地導(dǎo)通晶體管43。
使用簡單電容耦合的第二個(gè)問題在于輸入41處的長輸入脈沖通過電阻器45和電容器44的R-C時(shí)間常數(shù)而產(chǎn)生差分，最終導(dǎo)致晶體管43上的驅(qū)動(dòng)信號(hào)損失。其影響是限制可使用電容耦合獲得的占空因數(shù)(導(dǎo)通/截止比)。這種問題可以由本發(fā)明的施密特(Schmidt)觸發(fā)器存儲(chǔ)特征而校正。
電容耦合中的第三個(gè)問題是噪聲的影響。雖然電容耦合有助于其它問題的低成本方案，但是當(dāng)計(jì)劃采取高電壓操作時(shí)它變得不穩(wěn)定。圖4所示的區(qū)域A示出一示例期望電源電壓，顯然為一不變值。
B部分示出了可能在通常電源中出現(xiàn)的交流(AC)紋波，而C部分示出了在該電源中出現(xiàn)的一些附加噪聲。在該情形中，理想的電源通常確保紋波和噪聲不會(huì)超過250V預(yù)期電源電壓的5％或10％。
假設(shè)凈輸入信號(hào)在輸入41提供，并無噪聲地適當(dāng)傳送至晶體管43的柵極。連接到電軌48的晶體管43的源極會(huì)隨電軌上的噪聲而漂移(wandering)。當(dāng)噪聲超過晶體管43的導(dǎo)通參數(shù)時(shí)，晶體管將導(dǎo)通。實(shí)際上，電軌上的噪聲通常是電源電壓的5％到10％，必然使該驅(qū)動(dòng)器在比約40V高得多的電壓下將不會(huì)正常工作。本發(fā)明可避免在較高電壓下操作時(shí)的該問題。
即，加在電源線57上的非預(yù)期信號(hào)可能達(dá)12到25V。這大大超過了導(dǎo)通(或截止)晶體管54或43所需的電壓，從而導(dǎo)致在更高電壓時(shí)驅(qū)動(dòng)器的不可靠操作。隨著電源電壓增大，最終噪聲將超過FET晶體管的導(dǎo)通電壓，從而導(dǎo)致使用簡單電容耦合的該不穩(wěn)定操作。當(dāng)電流源用來橋接電軌到電軌的電壓差時(shí)，增大的電源電壓將會(huì)直接增大功率損耗。
圖5示出現(xiàn)有技術(shù)的另一示例，用電流源20-23替代齊納二極管53。這些電流源20-23跨接由電池30提供的上電軌33和下電軌34之間的高電壓差。場效應(yīng)晶體管(FET)26和27形成一互補(bǔ)對(duì)，它們的柵極由電壓源30的大約全部電壓分隔。恒流源20和21可由固定電阻器替代。輸入脈沖25施加在FET 26和29上，并且逆向施加在FET 28上使輸出31降低。來自源22和23的電流的最終變化由比較器24檢測，從而關(guān)斷上部的FET 27。類似地，逆向脈沖25使源22和23的平衡逆轉(zhuǎn)，并使FET 26和27的導(dǎo)電逆轉(zhuǎn)。
源22和23上所降電壓大約等于電池30所提供的電軌-電軌壓降。在這些源上損耗掉的功率等于其電流和該電壓的乘積，隨著電壓源30增大損耗也會(huì)逐漸增加。當(dāng)僅有一些恒流切換電路可被設(shè)計(jì)成耐必要損耗時(shí)，整個(gè)設(shè)計(jì)在需要大量或數(shù)百這種電路時(shí)很快變得不實(shí)用了，諸如在高壓等離子或納米碳管顯示器中、或者在驅(qū)動(dòng)其它形式的相對(duì)較高的電容負(fù)載時(shí)。I*V乘積之和使這種方法不實(shí)用。
現(xiàn)有技術(shù)的又一示例在下面圖6中給出，它是耦合變壓器的驅(qū)動(dòng)器。它克服了電容耦合的大多數(shù)噪聲相關(guān)限制，但帶來了若干其它限制。輸入信號(hào)61由62放大并施加到晶體管65和66。在該簡化示意圖中，正脈沖61將導(dǎo)通晶體管65并截止晶體管66，或反之，從而導(dǎo)出幅值為電軌67幅值的輸出脈沖68。電軌67的例如250V的電壓由變壓器63和64的獨(dú)立次級(jí)線圈跨接，從而消除了圖3所示電路中的許多噪聲問題。這是因?yàn)榇渭?jí)線圈將晶體管65和66的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)與電軌67的共模噪聲隔離開了。
變壓器方案有兩個(gè)問題變壓器相對(duì)較貴，并且脈寬和占空因數(shù)受變壓器的磁性特征限制。輸入61的脈寬受圖3電容耦合電路的R-C時(shí)間常數(shù)限制，并受圖6變壓器鐵芯的矯頑磁性限制。本發(fā)明解決了這些問題。


為了更全面地理解本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，結(jié)合附圖參考以下描述，其中圖1示出本發(fā)明的正驅(qū)動(dòng)實(shí)施例；圖2-6示出現(xiàn)有技術(shù)驅(qū)動(dòng)器；圖7示出本發(fā)明的負(fù)驅(qū)動(dòng)實(shí)施例；以及圖8示出根據(jù)本發(fā)明諸實(shí)施例配置的顯示器。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)計(jì)問題，諸如較高電壓時(shí)的電流損耗或噪聲相關(guān)的非穩(wěn)定操作、以及對(duì)驅(qū)動(dòng)器所產(chǎn)生脈沖的占空因數(shù)的限制。具有磁滯現(xiàn)象的施密特觸發(fā)器提供脈沖存儲(chǔ)器，以及與電源噪聲的顯著隔離，這些都是現(xiàn)有技術(shù)的附加問題。
利用本發(fā)明一實(shí)施例的正極性驅(qū)動(dòng)器的一示例實(shí)現(xiàn)如圖1所示。
本發(fā)明的各個(gè)特征為1.對(duì)于正負(fù)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，都會(huì)出現(xiàn)變化。
2.因?yàn)榇判圆牧现兴逃械恼伎找驍?shù)限制無需耦合變壓器。
3.可在柵極到柵極高電壓差值上可使用簡單電容耦合。本發(fā)明在高電壓電源線上允許更寬的高頻紋波電平，并且對(duì)這些線路上的低頻(例如120Hz)不敏感。
4.在高端和低端驅(qū)動(dòng)上都設(shè)有電流限制。
5.在恒流高電壓差驅(qū)動(dòng)中時(shí)不會(huì)出現(xiàn)恒定功率損耗。
6.對(duì)高電壓驅(qū)動(dòng)“遠(yuǎn)”端提供短路保護(hù)。
7.內(nèi)置的FET負(fù)阻特性二極管保護(hù)免受電弧感應(yīng)正尖峰(spike)。
8.電流限制和有源截止保護(hù)免受電弧感應(yīng)負(fù)尖峰。
9.除在實(shí)際的信號(hào)沿?cái)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換期間之外，僅出現(xiàn)最低功率損耗。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明較之諸如變壓器、光學(xué)和簡單電容器耦合的現(xiàn)有技術(shù)有很多優(yōu)點(diǎn)。
對(duì)于脈沖應(yīng)用，現(xiàn)有技術(shù)通常在上部和下部的晶體管柵極之間使用直接(DC)或電容(AC)耦合，但是當(dāng)電源電壓增大時(shí)，它就變得不實(shí)用了。電源線上的紋波和瞬態(tài)噪聲通常是DC電平的5％到10％，從而導(dǎo)致在直接和常規(guī)電容耦合情形中都會(huì)出現(xiàn)假觸發(fā)。要解決這些問題，現(xiàn)有技術(shù)通常轉(zhuǎn)而使用變壓器或電光裝置，從而可有效地消除這些共模噪聲。這些方法可以起作用，但是由于其復(fù)雜性增加，或者特別是磁性材料所強(qiáng)加的占空因數(shù)限制，它們常常并非理想之選。
在此給出本發(fā)明的一些優(yōu)點(diǎn)，但是本列表決不限于優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)方法的優(yōu)點(diǎn)1.電容耦合的新穎變體提供了廣泛的電源電壓范圍，但沒有傳統(tǒng)方法對(duì)噪聲的敏感性。
2.在耦合電容器兩端都發(fā)現(xiàn)低阻抗，從而進(jìn)一步減小非預(yù)期的噪聲耦合。
3.在高電壓遠(yuǎn)端提供短路保護(hù)，并且兩端都被有效地保護(hù)，以免受諸如由電弧或短路所致的短時(shí)間電涌所害。
4.該電路對(duì)低頻(60-100Hz)電源線紋波、以及中等高頻紋波分量不敏感。
5.雖然使用了AC耦合，但是遠(yuǎn)端存儲(chǔ)器允許在驅(qū)動(dòng)信號(hào)中采用極長脈寬和極大范圍的占空因數(shù)。
6.電路能驅(qū)動(dòng)具有極大電壓漂移的中等大電容負(fù)載。
7.具有延遲的內(nèi)部限流電路提供防止熱過載的短路保護(hù)。
在此所描述的本發(fā)明講解了一種電容耦合裝置，它在常見于較高電壓系統(tǒng)的高電源紋波出現(xiàn)時(shí)有用。它允許極大的占空因數(shù)范圍，但沒有變壓器磁性元件的限制，或者光學(xué)耦合方法的增加復(fù)雜性。并且在由對(duì)輸出驅(qū)動(dòng)線路的高壓電弧產(chǎn)生的電壓瞬值出現(xiàn)時(shí)也耐用。
作為本發(fā)明一實(shí)施例，負(fù)向高壓線路驅(qū)動(dòng)器在圖7中示出。(逆向)輸入脈沖施加在驅(qū)動(dòng)器101上，并且在101的輸出處從低電壓CMOS電平升至12V漂移。該輸出施加在晶體管102的柵極上，使其導(dǎo)通。同時(shí)，相同的12V脈沖通過高壓電容器106施加在施密特觸發(fā)器107的輸入上。107的輸出施加在晶體管108的柵極上，使其截止，結(jié)果為輸出105變高。
類似地，當(dāng)驅(qū)動(dòng)器101上的輸入變高時(shí)，所有上述信號(hào)自己逆轉(zhuǎn)，驅(qū)使輸出105降低。本發(fā)明中提供的噪聲容限由電阻器對(duì)113-114與施密特觸發(fā)器107的正向和負(fù)向轉(zhuǎn)換閾值確定。兩個(gè)電阻器113-114被計(jì)算成使施密特觸發(fā)器107的輸入在其切換閾值之上和/或之下。通過電阻器113的正反饋迫使一附加磁滯作用，該作用將容限拓寬到輸入的正負(fù)轉(zhuǎn)換閾值的正常差值之外，通常該閾值約為電源電壓的1/3和2/3。
驅(qū)動(dòng)器101必須提供足夠的信號(hào)，來克服施密特觸發(fā)器107的復(fù)合磁滯現(xiàn)象。例如，驅(qū)動(dòng)器101的12V電源產(chǎn)生12V的驅(qū)動(dòng)，而施密特觸發(fā)器107的電源建立施密特觸發(fā)器107的切換點(diǎn)。
甚至對(duì)極長的脈寬，對(duì)106/113/114R-C組合使用小時(shí)間常數(shù)也是可以接受的。它可顯著減小圖7驅(qū)動(dòng)器下半部分對(duì)圖4的低頻電源紋波的敏感度。對(duì)電軌112上的高頻噪聲的降低敏感度由施密特觸發(fā)器107的磁滯作用提供，從而提供對(duì)電源噪聲和紋波的優(yōu)良整體抗擾性。
由傳感電阻器103和109所提供的短路保護(hù)提供了電流限制，特別是對(duì)在等離子或CNT顯示面板的情形中諸如在電極間電弧期間所出現(xiàn)的短間狀態(tài)。驅(qū)動(dòng)器的遠(yuǎn)端(高壓)部分通常會(huì)被短路或電弧所摧毀。
為了提供其它保護(hù)，R-C組合111/112在功率晶體管108的源極中并入電流感應(yīng)信號(hào)，并且該信號(hào)轉(zhuǎn)發(fā)給晶體管110，以截止施密特觸發(fā)器107輸出，從而使通過電容器106所接收到的信號(hào)無效。
此外，電阻器對(duì)116/117對(duì)通過輸出線路105反饋回電路的電弧感應(yīng)瞬值提供“偏執(zhí)保護(hù)”。
置入上部功率晶體管102中的負(fù)阻特性二極管對(duì)該部分中的負(fù)向電流提供保護(hù)，同時(shí)電阻器103提供其電流限制。
正極性輸出脈沖的等效電路在圖1中示出，其中器件1-18與圖7中的器件101-118類似地操作。
本發(fā)明恢復(fù)低成本電容耦合的使用，特別是用于示例顯示屏應(yīng)用，但沒有電容耦合所固有的限制。本發(fā)明的使用不限于顯示屏產(chǎn)品，而是可廣泛地用作工業(yè)、研發(fā)(R&D)以及核領(lǐng)域中的高壓脈沖和線路驅(qū)動(dòng)電路。
本發(fā)明的應(yīng)用本發(fā)明可用于低電壓邏輯電平脈沖必須在高壓跨接線路上傳送的任意應(yīng)用中。盡管不限于這種應(yīng)用，一示例應(yīng)用是用于等離子或場發(fā)射器件(FED)顯示屏中的行和列驅(qū)動(dòng)器。對(duì)于圖8所示的這種顯示屏，3到12V范圍內(nèi)的低電壓信號(hào)必須在150V的電壓差上發(fā)送。
在圖8中，對(duì)顯示屏中的每一行像素都有一個(gè)行驅(qū)動(dòng)器，對(duì)顯示器中的每一列像素都有一個(gè)列驅(qū)動(dòng)器。例如，在1024×768像素的顯示屏中，有768個(gè)行驅(qū)動(dòng)器和1024個(gè)列驅(qū)動(dòng)器。所顯示的像素按順序一次顯示一行，其中在任意給定瞬時(shí)只有一行像素導(dǎo)通。通過快速地依次掃過這些行，就可以出現(xiàn)連續(xù)顯示。
當(dāng)每一個(gè)行驅(qū)動(dòng)器依次導(dǎo)通時(shí)，獨(dú)立地向所有的列驅(qū)動(dòng)器提供與該列中當(dāng)前選定行像素的期望亮度成比例的脈寬。通過本發(fā)明的裝置，低壓脈寬調(diào)制(PWM)信號(hào)對(duì)每一個(gè)列驅(qū)動(dòng)器獨(dú)立生成，并被簡化(以飽和方式)為例如150V脈沖。
當(dāng)然，可選配置是可能的，其中取而代之的是對(duì)各個(gè)列進(jìn)行掃描，并將脈寬調(diào)制施加在行驅(qū)動(dòng)器上，而不改變本發(fā)明的裝置和意圖。
本發(fā)明還有許多其它應(yīng)用，諸如高達(dá)千伏范圍的高壓驅(qū)動(dòng)器。這些脈沖驅(qū)動(dòng)器可用于R&D實(shí)驗(yàn)室、工業(yè)和科技中。在每種情形中，傳統(tǒng)的高壓脈沖隔離變壓器或光學(xué)器件由跨接電軌高壓差的廉價(jià)電容器所替代。
雖然已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，但是應(yīng)當(dāng)理解可做出各種變化、替代和修改而不背離所附權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種驅(qū)動(dòng)器包括放大器，接收具有第一電壓漂移的輸入信號(hào)，并輸出具有第二電壓信號(hào)的放大后信號(hào)；輸出；第一開關(guān)，耦合在所述放大器和所述輸出之間，所述第一開關(guān)由所述放大后信號(hào)控制；施密特觸發(fā)器，接收所述放大后信號(hào)并輸出第三電壓信號(hào)；第二開關(guān)，耦合在所述施密特觸發(fā)器和所述輸出之間，所述第二開關(guān)由所述第三電壓信號(hào)控制；第一電容器和第一電阻器，耦合在所述放大器的輸出和所述施密特觸發(fā)器的輸入之間；以及第二電阻器，耦合在所述施密特觸發(fā)器的輸入和所述施密特觸發(fā)器的輸出之間。
2.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)器，還包括第三開關(guān)和第二電阻器，耦合在施密特觸發(fā)器的輸入和所述施密特觸發(fā)器的輸出之間；以及第二電容器，耦合到所述第三開關(guān)和所述第二電阻器的連接點(diǎn)上。
3.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，響應(yīng)于所述輸入信號(hào)上的脈沖，所述第一開關(guān)導(dǎo)通，而所述第二開關(guān)截止。
4.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，所述輸入信號(hào)是低壓CMOS信號(hào)，而所述輸出的輸出信號(hào)具有與比所述輸入信號(hào)更高的電壓信號(hào)相對(duì)應(yīng)的信號(hào)。
5.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，所述輸入信號(hào)是低壓CMOS信號(hào)，而所述放大器的輸出信號(hào)具有大于所述輸入信號(hào)電壓漂移的第一電壓信號(hào)漂移，其中所述第一開關(guān)是柵電極接收所述放大器輸出信號(hào)的第一晶體管，所述第一晶體管使其第一電極耦合到電源并使其第二電極耦合到輸出，而所述第二開關(guān)是柵電極接收所述施密特觸發(fā)器輸出的第二晶體管，所述第二晶體管使其第一電極耦合到輸出并使其第二電極耦合到所述電源。
6.如權(quán)利要求5所述的驅(qū)動(dòng)器，還包括第三晶體管，耦合在所述施密特觸發(fā)器的輸入和所述電源之間；以及第二電容器，耦合在所述第三晶體管的柵電極和所述電源之間。
7.一種驅(qū)動(dòng)電路，包括CMOS輸入；放大器，使其輸入連接到所述CMOS輸入，所述放大器具有大于所述CMOS輸入的電壓漂移的第一輸出電壓漂移；施密特觸發(fā)器；高電壓輸出；第一電容器和第一電阻器，串聯(lián)連接在所述放大器的輸出和所述施密特觸發(fā)器的輸入之間；第一晶體管，使其柵電極連接到所述放大器的輸出；第二電阻器，連接在所述第一晶體管的第一電極和電壓勢之間；第三電阻器，連接在所述第一晶體管的第二電極和所述高壓輸出之間；第二晶體管，使其柵電極連接到所述施密特觸發(fā)器的輸出；第四電阻器，連接在所述所述施密特觸發(fā)器的輸入和輸出之間；第五電阻器，連接在所述第二晶體管的第一電極和所述高壓輸出之間；第六電阻器，連接在所述第二晶體管的第二電極和電壓勢之間；第三晶體管，使第一電極連接到所述施密特觸發(fā)器的輸入并使得第二電極連接到電壓勢；第二電容器，連接在所述第三晶體管的柵電極和電壓勢之間；以及第七電阻器，連接在所述第三晶體管的柵電極和所述第二晶體管的第二電極之間。
8.一種顯示器，包括屏幕，使多個(gè)像素以可尋址矩陣方式驅(qū)動(dòng)；以及行和列驅(qū)動(dòng)器，其中列驅(qū)動(dòng)器還包括放大器，接收具有第一電壓漂移的輸入信號(hào)，并輸出具有第二電壓信號(hào)的放大信號(hào)；輸出；第一開關(guān)，耦合在所述放大器和所述輸出之間，所述第一開關(guān)由所述放大信號(hào)控制；施密特觸發(fā)器，接收所述放大信號(hào)并輸入第三電壓信號(hào)；以及第二開關(guān)，耦合在所述施密特觸發(fā)器和所述輸出之間，所述第二開關(guān)由所述第三電壓信號(hào)控制。
9.如權(quán)利要求8所述的顯示器，其特征在于，所述列驅(qū)動(dòng)器還包括第一電容器和第一電阻器，耦合在所述放大器的輸出和所述施密特觸發(fā)器的輸入之間；以及第二電阻器，耦合在所述施密特觸發(fā)器的輸入和所述施密特觸發(fā)器的輸出之間。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示器，還包括第三開關(guān)和第一電阻器，耦合在所述施密特觸發(fā)器的輸入和所述施密特觸發(fā)器的輸出之間；以及第一電容器，耦合到所述第三開關(guān)和所述第一電阻器之間的連接點(diǎn)上。
11.如權(quán)利要求8所述的顯示器，其特征在于，響應(yīng)于所述輸入信號(hào)上的脈沖，所述第一開關(guān)導(dǎo)通，而所述第二開關(guān)截止。
12.如權(quán)利要求8所述的顯示器，其特征在于，所述輸入信號(hào)是低壓CMOS信號(hào)，而所述輸出的輸出信號(hào)具有與比所述輸入信號(hào)更高的電壓信號(hào)相對(duì)應(yīng)的信號(hào)。
13.如權(quán)利要求8所述的顯示器，其特征在于，所述輸入信號(hào)是低壓CMOS信號(hào)，而所述放大器的輸出信號(hào)具有大于所述輸入信號(hào)的電壓漂移的第一電壓信號(hào)漂移，其中所述第一開關(guān)是柵電極接收所述放大器輸出信號(hào)的第一晶體管，所述第一晶體管使其第一電極耦合到電源并使其第二電極耦合到輸出，而第二開關(guān)是柵電極接收所述施密特觸發(fā)器輸出的第二晶體管，所述第二晶體管使其第一電極耦合到輸出并使其第二電極耦合到所述電源，所述驅(qū)動(dòng)器還包括第一電容器和第一電阻器，耦合在所述放大器的輸出和所述施密特觸發(fā)器的輸入之間。
14.如權(quán)利要求13所述的驅(qū)動(dòng)器，還包括第二電阻器，耦合在所述施密特觸發(fā)器的輸入和輸出之間；第三晶體管，耦合在所述施密特觸發(fā)器的輸入和所述電源之間；以及第二電容器，耦合在所述第三晶體管的柵電極和所述電源之間。
全文摘要
一種具有電容耦合的高壓驅(qū)動(dòng)器，它在常見于較高電壓系統(tǒng)的高電源紋波出現(xiàn)時(shí)有用。它允許占空因數(shù)的極大范圍，但沒有變壓器磁性元件的限制、或光學(xué)耦合方法的增加復(fù)雜性。在由對(duì)輸出驅(qū)動(dòng)線路的高壓電弧產(chǎn)生的電壓瞬值出現(xiàn)時(shí)也耐用。
文檔編號(hào)H01H51/30GK1942923SQ200480029616
公開日2007年4月4日 申請(qǐng)日期2004年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月10日
發(fā)明者A·提科豪斯基, T·維瑟爾 申請(qǐng)人:毫微-專賣股份有限公司