專利名稱：在半導(dǎo)體器件中改變載流子遷移率以達(dá)到整體設(shè)計目標(biāo)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及制造半導(dǎo)體器件的方法。本發(fā)明特別涉及雙柵極器件。
背景技術(shù)：
對于結(jié)合超大型集成半導(dǎo)體器件的高密度及性能的擴(kuò)大需求是需要諸如柵極長度的設(shè)計特征在100納米(nanometers，nm)以下，并需要高可靠性及增加的制造產(chǎn)能。在100納米以下的設(shè)計特征的縮減是挑戰(zhàn)傳統(tǒng)方法的極限。
例如，當(dāng)將傳統(tǒng)的平面金氧半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的柵極長度縮減為100納米以下時，伴隨短溝道效應(yīng)的問題，諸如在源極及漏極之間的過度漏電，會變得逐漸難以克服。此外，遷移率降低及許多的工藝問題也使得縮減傳統(tǒng)的金氧半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管以包含逐漸變小的器件特征變得困難。因此，目前正對新的器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行探索以改善場效應(yīng)晶體管(FET)性能并允許更進(jìn)一步的器件縮減。
雙柵極金氧半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管已被考慮為可能后繼現(xiàn)有的平面金氧半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的新結(jié)構(gòu)的代表。在一些方面上，該雙柵極金氧半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管提供比傳統(tǒng)的塊體硅金氧半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管更佳的特性。這些改善是因為雙柵極金氧半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管具有在溝道兩側(cè)的柵極電極，而非如同傳統(tǒng)金氧半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管僅在其中一側(cè)。當(dāng)具有兩個柵極時，可較好地將由漏極所產(chǎn)生的電場掩膜在該溝道的源極端外。再者，兩個柵極可以比單一柵極控制更多的電流，造成較強(qiáng)的切換信號。
鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)為目前呈現(xiàn)良好的短溝道行為的金氧半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)。鰭式場效應(yīng)晶體管可以包含形成在垂直的鰭狀物內(nèi)的垂直溝道?？梢允褂妙愃朴谠趥鹘y(tǒng)的平面金氧半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管所使用的版圖及工藝技術(shù)來制造鰭式場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
按照本發(fā)明的實現(xiàn)可以提供具有第一鰭狀物深寬比的第一鰭式場效應(yīng)晶體管以及具有第二鰭狀物深寬比的第二鰭式場效應(yīng)晶體管。
本發(fā)明的額外的優(yōu)點及其它特征的一部分將接著在下文的描述中提出，并且在本領(lǐng)域中具有通常知識者在檢視該內(nèi)容之后，部分內(nèi)容將變得顯而易見，或者從本發(fā)明的實行上可以學(xué)得部分內(nèi)容。依據(jù)在該附加的權(quán)利要求書內(nèi)所特定指出的可以實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的優(yōu)點及特征。
依據(jù)本發(fā)明，可通過包含有襯底及形成在該襯底上的絕緣層的半導(dǎo)體器件來部分達(dá)成該前述及其它優(yōu)點?？稍谠摻^緣層上形成包含第一鰭狀物的第一器件?？稍谠摻^緣層上形成該第一鰭狀物，并且該第一鰭狀物可具有第一鰭狀物深寬比。可在該絕緣層上形成包含第二鰭狀物的第二器件。可在該絕緣層上形成該第二鰭狀物，并且該第二鰭狀物可具有不同于該第一鰭狀物深寬比的第二鰭狀物深寬比。
依據(jù)本發(fā)明的另一個方面，半導(dǎo)體器件可以包含絕緣層及形成在該絕緣層上的第一器件。該第一器件可以包含形成在該絕緣層上并具有第一高度及第一寬度的第一鰭狀物。該第一器件也可以包含形成在該第一鰭狀物的至少三側(cè)上的第一介電層及鄰接該第一介電層的第一柵極。第二器件可形成在該絕緣層上。該第二器件可以包含形成在該絕緣層上并具有第二高度及第二寬度的第二鰭狀物。該第二器件也可以包含形成在該第二鰭狀物的至少三側(cè)上的第二介電層及鄰接該第二介電層的第二柵極。該第一高度與第一寬度的第一比例可以不同于該第二高度與第二寬度的第二比例。
依據(jù)本發(fā)明的另一個方面，半導(dǎo)體器件可以包含絕緣層及形成在該絕緣層上的N型器件。該N型器件可以包含形成在該絕緣層上并具有第一高度及第一寬度的第一鰭狀物?？稍谠摻^緣層上形成P型器件。該P型器件可以包含形成在該絕緣層的上并具有第二高度及第二寬度的第二鰭狀物。該第二寬度可以是該第一寬度的預(yù)設(shè)倍數(shù)。可對該第一高度及該第二高度進(jìn)行配置，以使該N型器件的載流子遷移率大約相等于該P型器件的載流子遷移率。
對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，本發(fā)明的其它優(yōu)點及特征將從該下列詳細(xì)的描述而馬上變得顯而易見。所顯示及描述的實施例是提供用于執(zhí)行本發(fā)明所考慮的最佳模式的說明。本發(fā)明能夠在各種明顯的方面進(jìn)行修正，且所有修正都不會脫離本發(fā)明。因此，在本質(zhì)上應(yīng)將附圖視為列舉說明，而非視為限定。


本發(fā)明可參考附圖，其中具有相同的器件符號指定的器件在全文中可以表示類似的器件。
圖1為顯示依據(jù)本發(fā)明的實施例的可以使用于形成鰭狀物的示例性層的剖面圖；圖2A是示意性地顯示依據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的鰭狀物結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖2B為顯示依據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的圖2A的鰭狀物結(jié)構(gòu)的形成的剖面圖；圖3A及圖3B為顯示依據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的來自圖2B的器件的雙柵極鰭式場效應(yīng)晶體管的形成的剖面圖及俯視圖；圖4A及圖4B為顯示依據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的來自圖2B的器件的π柵極鰭式場效應(yīng)晶體管的形成的剖面圖及俯視圖；圖5A至圖5D為顯示依據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的來自圖2B的器件的u柵極鰭式場效應(yīng)晶體管的形成的剖面圖及俯視圖；圖6A及圖6B為顯示依據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的來自圖2B的器件的圍繞式(round)柵極鰭式場效應(yīng)晶體管的形成的剖面圖及俯視圖；圖7是示意地顯示依據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的包含圖3A至6B的任意器件的晶片的俯視圖；圖8A至8C為顯示依據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管的形成的剖面圖。
具體實施例方式
參照附圖進(jìn)行本發(fā)明的下述詳細(xì)說明。在不同的附圖中，相同的器件符號可能定義相同或類似的器件。再者，該下述詳細(xì)說明并非限定本發(fā)明。本發(fā)明的范疇是通過附加的權(quán)利要求書及該權(quán)利要求書的等效者所定義。
本發(fā)明的實施例提供了具有不同的鰭狀物深寬比的不同的鰭式場效應(yīng)晶體管器件。可用這些不同的鰭狀物深寬比來調(diào)整該鰭式場效應(yīng)晶體管器件的整體的載流子遷移率。
圖1是顯示依據(jù)本發(fā)明的實施例所形成的半導(dǎo)體器件100的剖面圖。雖然圖1及后續(xù)的附圖顯示單一器件100，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將了解，也可以使用在此所描述的工藝與半導(dǎo)體器件100一起在相同的晶片上(或部分晶片、芯片等等)形成其它的器件(例如半導(dǎo)體器件710、720等等(見圖7))。參考圖1，半導(dǎo)體器件100可以包含絕緣體上覆硅(silicon on insulator，SOI)結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包含硅襯底110、埋置氧化物層120以及形成在該埋置氧化物層120上的硅層130。可用傳統(tǒng)的方式將埋置氧化物層120及硅層130形成在襯底110上。
在示例性的實施例中，埋置氧化物層120可以包含二氧化硅并且可以具有范圍從大約1000埃()至大約3000埃的厚度。硅層130可以包含具有范圍從大約300埃至大約1500埃的厚度的單晶硅或多晶硅。使用硅層130形成用于雙柵極晶體管器件的鰭狀物結(jié)構(gòu)，將在下文中作更詳細(xì)的描述。
在另一個符合本發(fā)明的實施例中，襯底110及層膜130可以包含其它的半導(dǎo)體材料，諸如鍺，或者半導(dǎo)體材料的組合，諸如硅-鍺。埋置氧化物層120也可以包含其它的介電材料。
可以在硅層130上形成諸如氮化硅層或氧化硅層(例如SiO2)的上方介電層140，以作為在后續(xù)蝕刻工藝期間的保護(hù)覆蓋。在一個示例性的實施例中，介電層140可以形成為范圍從大約150埃至大約700埃的厚度。接著，可沉積并圖形化光刻膠材料，以形成用于后續(xù)加工的光刻膠掩膜150。可用任何傳統(tǒng)的方式來沉積并圖形化該光刻膠材料。
接著可對半導(dǎo)體器件100進(jìn)行蝕刻。在一個示例性的實施例中，可用傳統(tǒng)的方式蝕刻介電層140及硅層130，并使該蝕刻終止于埋置氧化物層120上以形成鰭狀物。接著可以移除光刻膠掩膜150。在形成該鰭狀物后，可鄰接該鰭狀物的各端形成(例如，通過半導(dǎo)體材料的沉積或外延生長)源極和漏極區(qū)域。例如，在一個示例性的實施例中，可用傳統(tǒng)的方式沉積、圖形化及蝕刻硅、鍺或硅和鍺的組合的層，以形成源極和漏極區(qū)域?；蛘呤?，可用與形成該鰭狀物的相同的光刻工藝形成該源極和漏極區(qū)域。
圖2A是示意地顯示以此種方式形成在半導(dǎo)體100上的鰭狀物結(jié)構(gòu)210的俯視圖。依據(jù)本發(fā)明的示例性的實施例，源極區(qū)域220和漏極區(qū)域230可形成在鄰接鰭狀物結(jié)構(gòu)210末端的埋置氧化物層120上。
圖2B為沿著圖2A的線A-A’顯示依據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的鰭狀物結(jié)構(gòu)210的形成的剖面圖。如同上文的描述，可對介電層140及硅層130進(jìn)行蝕刻以形成結(jié)構(gòu)210。結(jié)構(gòu)210可以包含硅鰭狀物130及電介質(zhì)覆蓋140。在一個示例性的實施例中，硅鰭狀物130的寬度范圍可以從大約10埃至大約100埃。
可在此處或在之后的處理階段(例如在形成柵極之后)對該源極/漏極區(qū)域220和230進(jìn)行摻雜。例如，可將n型或p型摻雜物注入至源極/漏極區(qū)域220和230內(nèi)?？苫谔囟ǖ慕K端器件的需求而選擇特定的注入劑量及能量。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠依據(jù)電路需求而最佳化該源極/漏極注入工藝，而為了不過度地隱藏本發(fā)明的延伸，并未在此揭示此類的動作。接著可以執(zhí)行活化退火以激活該源極/漏極區(qū)域220和230。
可以由顯示在圖2A及圖2B中的器件100而形成各種不同結(jié)構(gòu)的鰭式場效應(yīng)晶體管器件。此類不同的鰭式場效應(yīng)晶體管器件可包含1)雙柵極鰭式場效應(yīng)晶體管、2)π柵極鰭式場效應(yīng)晶體管、3)u柵極鰭式場效應(yīng)晶體管和/或4)圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管。將在下文中結(jié)合本發(fā)明的原理更詳細(xì)的描述這四種鰭式場效應(yīng)晶體管器件的示例性形式。
雙柵極鰭式場效應(yīng)晶體管圖3A為顯示依據(jù)示例性的實施例由圖2A及圖2B中的結(jié)構(gòu)210形成雙柵極鰭式場效應(yīng)晶體管300的剖面圖。如同在圖3A中所顯示，可在鰭狀物130的曝露的側(cè)邊表面上形成相對較薄的柵極氧化物310。例如，柵極氧化物310可以熱生長在鰭狀物130上?？稍谠擌挔钗?30的側(cè)邊表面上將柵極氧化物310生長至大約50埃至大約150埃的厚度。
可在形成柵極氧化物310之后，在鰭狀物結(jié)構(gòu)210上沉積柵極材料層320。在一個示例性實施例中，柵極材料層320可以包含使用傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)或其它已知的技術(shù)所沉積的多晶硅?；蛘呤牵梢允褂闷渌陌雽?dǎo)體材料，諸如鍺或硅和鍺的組合，或各種金屬作為在層膜320中的柵極材料。
如同在圖3B的俯視圖所示，可以在柵極材料層320內(nèi)對柵極進(jìn)行圖形化及蝕刻，以形成延伸跨過該鰭狀物結(jié)構(gòu)210的溝道區(qū)域的柵極結(jié)構(gòu)330。最終所形成的器件300可以廣泛地稱為“雙柵極鰭式場效應(yīng)晶體管”。
可以通過光刻(例如光學(xué)光刻)在柵極材料層320中定義出柵極結(jié)構(gòu)330。雖然并未顯示在圖3A及圖3B內(nèi)，但可將柵極材料層320予以平坦化，并且可將底部抗反射涂覆(bottom antireflective coating，BARC)層以及可能的頂部抗反射(top antireflective，TAR)涂覆層(未顯示)沉積在平坦化的柵極材料層320上，以使柵極材料層320的蝕刻變得容易。如同半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)人員所了解的，平坦化的柵極材料層320及該底部抗反射涂覆層可有助于更精確地圖形化覆蓋其上的光刻膠層。因此，可將柵極結(jié)構(gòu)330的臨界尺寸(critical dimension，CD)(即該結(jié)構(gòu)330的最小特征尺寸，諸如柵極寬度)形成為具有從大約20納米至大約50納米的細(xì)小的尺寸。
柵極結(jié)構(gòu)330可以包含鄰接于該鰭狀物結(jié)構(gòu)210的側(cè)邊的柵極部分以及與該鰭狀物結(jié)構(gòu)210間形成間隔的較大的電極部分。該柵極結(jié)構(gòu)330的電極部分可以提供用于偏壓或者是控制該柵極部分的可存取的電性接觸。
回到圖3A(沿著圖3B中的線A-A’)，在雙柵極鰭式場效應(yīng)晶體管300中的鰭狀物130內(nèi)的溝道可存在于沿著鄰接?xùn)艠O氧化物310的鰭狀物130的兩個側(cè)壁。在鰭狀物130的上表面上方的相對較厚的電介質(zhì)覆蓋140可以避免在鰭狀物130的上表面形成溝道。因為鄰接鰭狀物130的兩個側(cè)壁的柵極材料320構(gòu)成控制沿著鰭狀物130的側(cè)壁的兩個溝道的兩個柵極(即，“雙柵極”)，因此沿著鰭狀物130的側(cè)壁的兩個溝道即為雙柵極鰭式場效應(yīng)晶體管300的名稱“雙柵極”的由來。
鰭狀物130的兩個側(cè)壁可以具有共同的結(jié)晶方向(例如方向<110>)。因為鰭狀物130的側(cè)壁的這種共同、垂直、結(jié)晶方向，所以改變雙柵極鰭式場效應(yīng)晶體管300內(nèi)的鰭狀物130的寬度并不影響在鰭狀物130內(nèi)的主要載流子(即，對于N型器件的電子以及對于P型器件的空穴)的遷移率。該主要載流子的遷移率可以通過在雙柵極鰭式場效應(yīng)晶體管300內(nèi)的鰭狀物130的兩個側(cè)壁的共同的結(jié)晶方向(例如方向<110>)而單獨決定。
π柵極鰭式場效應(yīng)晶體管圖4為顯示依據(jù)符合本發(fā)明原理的實施例的來自圖2A及圖2B中的結(jié)構(gòu)210的π柵極(“pi柵極”)鰭式場效應(yīng)晶體管400的形成的剖面圖。首先，可將鰭狀物130上方的電介質(zhì)覆蓋140予以移除(例如通過選擇性蝕刻)，在埋置氧化層120上留下裸露的鰭狀物130。接著可在鰭狀物130的曝露的上方及側(cè)邊表面上形成相對薄的柵極氧化物410，如同圖4A所示。例如，可在鰭狀物130上熱生長柵極氧化物410?？稍邛挔钗?30的上方及側(cè)邊表面的上生長大約50埃至大約150埃厚度的柵極氧化物410。
可在柵極氧化物410的形成之后將柵極材料層420沉積在鰭狀物結(jié)構(gòu)210上。在一個示例性的實施例中，柵極材料層420可以包含使用傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積(CVD)或其它已知的技術(shù)所沉積的多晶硅?；蛘呤牵部墒褂闷渌陌雽?dǎo)體材料，諸如鍺或硅和鍺的組合，或各種金屬，作為在層420內(nèi)的柵極材料。如上文中有關(guān)圖3A的討論(但未顯示)，可將柵極材料層420平坦化以利于稍后形成柵極，如圖4A所示。
如同在圖4B的俯視圖中所示，可在柵極材料層420內(nèi)圖形化并蝕刻柵極以形成延伸跨過該鰭狀物結(jié)構(gòu)210的溝道區(qū)域的柵極結(jié)構(gòu)430。該最終器件400可以廣泛地稱為“π柵極鰭式場效應(yīng)晶體管”。
可以通過光刻(例如光學(xué)光刻)將柵極結(jié)構(gòu)層430定義在柵極材料層420內(nèi)。雖然并未顯示在圖4A及圖4B內(nèi)，但也可在平坦化的柵極材料層420上形成底部抗反射涂覆(BARC)層以及可能的頂部抗反射(TAR)涂覆層(未顯示)，以使柵極材料層420的蝕刻變得容易。如同上文的說明，平坦化的柵極材料層420及該底部抗反射涂覆層可有助于形成較低的柵極臨界尺寸。
柵極結(jié)構(gòu)430可以包含鄰接于該鰭狀物結(jié)構(gòu)210的側(cè)邊的柵極部分以及與該鰭狀物結(jié)構(gòu)210間形成間隔的較大的電極部分。該柵極結(jié)構(gòu)430的電極部分可以提供用于偏壓或者是控制該柵極部分的可存取的電性接觸。
回到圖4A(沿著在圖4B中的線A-A’)，在π柵極鰭式場效應(yīng)晶體管400中的鰭狀物130內(nèi)的溝道可存在于沿著鄰接?xùn)艠O氧化物410的鰭狀物130的兩個側(cè)壁及上端。因為鄰接鰭狀物130的兩個側(cè)壁及上端的柵極材料420構(gòu)成控制沿著鰭狀物130的側(cè)壁及上端的三個溝道的三個柵極(意即“π形狀”)，因此沿著鰭狀物130的側(cè)壁及上端的三個溝道即為π柵極鰭式場效應(yīng)晶體管400的名稱“π柵極”的由來。
在π柵極鰭式場效應(yīng)晶體管400內(nèi)的鰭狀物130的兩個側(cè)壁可以具有共同的結(jié)晶方向(例如方向<110>)，而鰭狀物130的上端表面可以具有不同的結(jié)晶方向(例如方向<100>)。因為鰭狀物130的溝道的這些不同的結(jié)晶方向，因此不像雙柵極鰭式場效應(yīng)晶體管300，改變π柵極鰭式場效應(yīng)晶體管400內(nèi)的鰭狀物130的寬度和/或高度可能影響在鰭狀物130內(nèi)的主要載流子的遷移率。就此觀點，將鰭狀物130的“鰭狀物深寬比”定義為H/W可能是有用的，其中H是鰭狀物130的高度且W是鰭狀物130的寬度。圖4A顯示了在π柵極鰭式場效應(yīng)晶體管400內(nèi)的鰭狀物130的高度H及寬度W。
該主要載流子的載流子遷移率在某些結(jié)晶方向(例如方向<100>)上可能高于在其它結(jié)晶方向(例如方向<110>)上的載流子遷移率。對于具有沿著兩個不同的結(jié)晶方向的溝道的鰭狀物130而言，該整體載流子遷移率可以是鰭狀物130的側(cè)邊表面及上端表面的載流子遷移率的“平均”。應(yīng)該注意的是，在此所使用的名詞“平均”應(yīng)該放寬解讀為表示鰭狀物130的側(cè)壁及上端表面的載流子遷移率的某些(可能地)加權(quán)組合，而不限定于數(shù)學(xué)的平均。因為各種物理因素，諸如在鰭狀物130的上端表面內(nèi)的溝道與在鰭狀物130的側(cè)邊表面內(nèi)的溝道的端點的接近度，鰭狀物130的此整體遷移率可能不能夠以數(shù)學(xué)明確定義。
然而，可以通過變化該鰭狀物深寬比H/W(即，鰭狀物130的高度H對于寬度W的比例)而調(diào)整鰭狀物130的整體載流子遷移率。依據(jù)鰭狀物130的上端表面及側(cè)邊表面哪一個具有較高的載流子遷移率(視本身的結(jié)晶方向而定)，而可以隨著鰭狀物深寬比H/W的增加而增加或減少鰭狀物130的整體的載流子遷移率。然而，依據(jù)在此的揭露，本領(lǐng)域技術(shù)人員將不需要額外的實驗而能夠決定對于鰭狀物130的鰭狀物深寬比H/W的適當(dāng)?shù)恼{(diào)整(意即在哪個方向較高或較低多少量)以達(dá)到鰭狀物130在π柵極鰭式場效應(yīng)晶體管400內(nèi)的所需的整體載流子遷移率。例如，可以視所使用的特定的工藝/材料適當(dāng)?shù)卣{(diào)整鰭狀物130的鰭狀物深寬比H/W，并且可以不需要通過建立各種測試器件和/或通過器件模型推導(dǎo)的額外的實驗來決定該深寬比H/W。
U柵極鰭式場效應(yīng)晶體管圖5A為依據(jù)符合本發(fā)明原理的實施例說明由圖2A及圖2B的結(jié)構(gòu)210形成u柵極鰭式場效應(yīng)晶體管500的剖面圖?？梢允褂脗鹘y(tǒng)的蝕刻化學(xué)法以移除部分埋置氧化層120，如同圖5A所示。在該蝕刻過程中，可以移除在鰭狀物130下方的埋置氧化層120的部分，如同圖5A中的區(qū)域505處所示?？梢允褂迷邛挔钗?30下方的此側(cè)向底切(undercut)以利于后續(xù)的處理，以更進(jìn)一步蝕刻在鰭狀物130下方的埋置氧化層120。
接著可以執(zhí)行第二蝕刻以側(cè)向蝕刻穿越在鰭狀物130下方的埋置氧化層120部分。在一個示例性的實施例中，可以執(zhí)行例如在高壓下使用溴化氫(HBr)的各向同性蝕刻以側(cè)向蝕刻穿越位在鰭狀物130下方的埋置氧化層120，如同圖5B所示。鰭狀物130是有效地懸吊在圖5B中所顯示的橫截面中的埋置氧化層120的上方。然而，鰭狀物130的末端部分仍然連結(jié)至該埋置氧化層120，而在圖5B中所顯示的鰭狀物130的懸吊部分是通過分別鄰接于源極/漏極區(qū)域220和230的鰭狀物130的末端處的埋置氧化層120所支撐。
接著可以在鰭狀物130上形成柵極介電層。例如，可以在鰭狀物130的曝露的側(cè)邊表面及底部表面熱生長薄氧化物膜510以作為柵極介電層，如同圖5B中所示。可將氧化物膜510生長至大約10埃至大約30埃的厚度。然而，電介質(zhì)覆蓋140用于保護(hù)鰭狀物130的上端表面。
接著可以圍繞鰭狀物結(jié)構(gòu)210沉積柵極材料層520，如同圖5C所示。柵極材料層520可以包括用于后續(xù)形成的柵極電極的柵極材料，并且可以包含使用傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積(CVD)而沉積至范圍從大約500埃至大約1000埃的厚度的多晶硅。或者是，也可將其它的半導(dǎo)體材料，諸如鍺或硅和鍺的組合，或者可以使用各種材料作為該柵極材料。
接著可將柵極材料層520平坦化。例如，可以執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨(chemical-mechanical polishing，CMP)以使該柵極材料在垂直方向上與電介質(zhì)覆蓋140平行或近乎平行，如同圖5C所示。參考圖5C，在鰭狀物130的溝道區(qū)域內(nèi)的柵極材料層520的剖面是U形，并且柵極材料在鰭狀物130的兩側(cè)表面及底部表面上環(huán)繞鰭狀物130。然而，鰭狀物的上端表面是由電介質(zhì)覆蓋140所覆蓋。
接著可以圖形化并蝕刻柵極材料層520以形成u柵極鰭式場效應(yīng)晶體管500的柵極電極530及540。例如，圖5D是顯示符合本發(fā)明的形成柵極電極530及540之后的u柵極鰭式場效應(yīng)晶體管500的俯視圖。如所示，u柵極鰭式場效應(yīng)晶體管500包含具有柵極電極530及540的結(jié)構(gòu)與環(huán)繞鰭狀物130的側(cè)邊及底部表面的柵極材料520(圖5C)。
回到圖5C(沿著圖5D中的線A-A’)，在u柵極鰭式場效應(yīng)晶體管500中的鰭狀物130內(nèi)的溝道可存在于沿著鄰接?xùn)艠O氧化物510的鰭狀物130的兩個側(cè)壁及底部。因為鄰接鰭狀物130的兩個側(cè)壁及底部的柵極材料520構(gòu)成控制沿著鰭狀物130的側(cè)壁及底部的三個溝道的三個柵極(即，“u形狀”)，因此沿著鰭狀物130的側(cè)壁及底部的三個溝道即為u柵極鰭式場效應(yīng)晶體管500的名稱″u柵極″的由來。
在u柵極鰭式場效應(yīng)晶體管500內(nèi)的鰭狀物130的兩個側(cè)壁可以具有共同的結(jié)晶方向(例如方向<110>)，而鰭狀物130的底部表面可以具有不同的結(jié)晶方向(例如方向<100>)。因為鰭狀物130內(nèi)的溝道的這些不同的結(jié)晶方向，改變u柵極鰭式場效應(yīng)晶體管500內(nèi)的鰭狀物130的深寬比H/W可能會影響鰭狀物130的整體載流子遷移率，類似于π柵極鰭式場效應(yīng)晶體管400。實際上，u柵極鰭式場效應(yīng)晶體管500內(nèi)的鰭狀物130依據(jù)其深寬比H/W的整體遷移率可能非常相關(guān)于(雖然并不一定相同)上文所描述的π柵極鰭式場效應(yīng)晶體管400內(nèi)的鰭狀物130的整體遷移率。此種類似性可能是因為在π形狀柵極及u形狀柵極之間的結(jié)構(gòu)的相似性，而π形狀柵極及u形狀柵極的不同之處在于該第三個溝道是位在鰭狀物130的上端還是底部表面上。
類似于π柵極鰭式場效應(yīng)晶體管400，可以通過變化該鰭狀物深寬比H/W而調(diào)整u柵極鰭式場效應(yīng)晶體管500內(nèi)的鰭狀物130的整體載流子遷移率。根據(jù)鰭狀物130的上端表面及側(cè)邊表面哪一個具有該較高的載流子遷移率(視其結(jié)晶方向而定)，鰭狀物130的整體載流子遷移率可以隨著鰭狀物深寬比H/W的增加而增加或減少。然而，依據(jù)在此的揭露，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不需要額外實驗的情況下，將能夠決定對于鰭狀物130的鰭狀物深寬比H/W的適當(dāng)調(diào)整，以達(dá)到在u柵極鰭式場效應(yīng)晶體管500內(nèi)鰭狀物130的期望整體載流子遷移率。
圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管圖6A是顯示依據(jù)符合本發(fā)明原理的實施例的由圖2A及圖2B中的結(jié)構(gòu)210形成圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管600的剖面圖?？梢允褂脗鹘y(tǒng)的蝕刻化學(xué)法以移除部分埋置氧化層120，如同參考圖5A的上述說明。接著可以執(zhí)行第二蝕刻以側(cè)向蝕刻穿越在鰭狀物130下方的埋置氧化層120部分。在一個示例性實施例中，可執(zhí)行例如在高壓下使用溴化氫的各向同性蝕刻以側(cè)向蝕刻穿越位在鰭狀物130下方的埋置氧化層120，如同圖5B所示。鰭狀物130是有效地懸吊在埋置氧化層120的上方，如同有關(guān)圖5B的上述說明。
不像圖5B，當(dāng)形成圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管600時，可將鰭狀物130上方的電介質(zhì)覆蓋140予以移除(例如通過選擇性蝕刻)，而留下懸吊在埋置氧化層120上方的裸露的鰭狀物130。接著可在鰭狀物130的上方形成柵極介電層。例如，可在鰭狀物130的所有曝露的表面上熱生長薄的氧化物膜610以作為柵極介電層，如同圖6A所示。氧化物膜610可以生長至大約10埃至大約30埃的厚度。而電介質(zhì)覆蓋140則保護(hù)鰭狀物130的上端表面。
接著可圍繞鰭狀物結(jié)構(gòu)210沉積柵極材料層620，如同圖6A所示。柵極材料層620可以包括用于后續(xù)形成的柵極電極的柵極材料，并且可以包含使用傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積(CVD)而沉積至范圍從大約500埃至大約1000埃厚度的多晶硅?；蛘呤且部蓪⑵渌陌雽?dǎo)體材料，諸如鍺或硅和鍺的組合，或者使用各種材料作為該柵極材料。
接著可將柵極材料層520予以圖形化并蝕刻，以形成圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管600的柵極結(jié)構(gòu)630。例如，圖6B是顯示在柵極結(jié)構(gòu)630形成之后的符合本發(fā)明的圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管600的俯視圖。如圖所示，圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管600包含具有環(huán)繞鰭狀物130的所有四個側(cè)邊的柵極材料層620(圖6A)的柵極結(jié)構(gòu)630。
回到圖6A(沿著圖6B中的線A-A’)，圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管600中的鰭狀物130內(nèi)的溝道可存在于沿著鄰接?xùn)艠O氧化物610的鰭狀物130的兩個側(cè)壁、上端及底部。因為柵極材料620構(gòu)成控制沿著鰭狀物130的側(cè)邊、上端及底部表面的四個溝道的四個“圍繞”鰭狀物130的柵極，因此沿著鰭狀物130的側(cè)壁、上端及底部的四個溝道即為圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管600的名稱“圍繞式柵極的由來。
在圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管600內(nèi)的鰭狀物130的兩個側(cè)壁可以具有共同的結(jié)晶方向(例如方向<110>)，而鰭狀物130的上端及底部表面可以具有不同的共同結(jié)晶方向(例如方向<100>)。因為鰭狀物130內(nèi)的溝道的這些不同的結(jié)晶方向，改變圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管600內(nèi)的鰭狀物130的深寬比H/W可能會影響在鰭狀物130內(nèi)的整體載流子遷移率，類似于π柵極鰭式場效應(yīng)晶體管400及u柵極鰭式場效應(yīng)晶體管500。實際上，圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管600內(nèi)的鰭狀物130依據(jù)其深寬比H/W的整體遷移率可能會表現(xiàn)出至少某些不同于π柵極鰭式場效應(yīng)晶體管400及u柵極鰭式場效應(yīng)晶體管500的行為，這是因為圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管600內(nèi)的鰭狀物130具有比π柵極鰭式場效應(yīng)晶體管400及u柵極鰭式場效應(yīng)晶體管500多出一個的水平溝道。尤其，在鰭狀物130的上端或底部表面的此種額外的水平溝道可以加重圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管600的“平均”整體遷移率，而不同于不論是π柵極鰭式場效應(yīng)晶體管400或u柵極鰭式場效應(yīng)晶體管500的整體遷移率值。
類似于π柵極鰭式場效應(yīng)晶體管400，可以通過變化鰭狀物深寬比H/W而調(diào)整圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管600內(nèi)的鰭狀物130的整體載流子遷移率。根據(jù)鰭狀物130的上端/底部表面及側(cè)邊表面哪一個具有較高的載流子遷移率(視本身的結(jié)晶方向而定)，鰭狀物130的整體載流子遷移率可以隨著鰭狀物深寬比H/W的增加而增加或減少。然而，依據(jù)在此的揭露，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不需要額外實驗的情況下，能夠決定對于鰭狀物130的鰭狀物深寬比H/W的適當(dāng)調(diào)整，以達(dá)到圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管600的鰭狀物130的期待整體載流子遷移率。
具有不同的載流子遷移率的示例性實施例圖7是示意性地顯示依據(jù)本發(fā)明示例性實施例的包含鰭式場效應(yīng)晶體管器件710、720及730的晶片的俯視圖。埋置氧化層120顯示了晶片(或芯片)，而在該晶片(或芯片)上形成有三個器件710、720及730。器件710、720及730的其中至少兩個可以具有不同的整體載流子遷移率。器件710、720及730可以全部是π柵極鰭式場效應(yīng)晶體管400、u柵極鰭式場效應(yīng)晶體管500及圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管600的其中一種形式?；蛘呤?，器件710、720及730可以包含雙柵極鰭式場效應(yīng)晶體管300、π柵極鰭式場效應(yīng)晶體管400、u柵極鰭式場效應(yīng)晶體管500及圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管600的其中兩個或兩個以上的不同器件形式。例如，雙柵極鰭式場效應(yīng)晶體管300與π柵極鰭式場效應(yīng)晶體管400、u柵極鰭式場效應(yīng)晶體管500及圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管600其中之一可以具有相同的鰭狀物深寬比H/W，但是盡管如此，由于鰭式場效應(yīng)晶體管400/500/600內(nèi)的額外水平方向的溝道而導(dǎo)致可以具有不同的整體載流子遷移率。
再者，器件710、720及730的群組可以都是N型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)器件、P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)，或N型金屬氧化物半導(dǎo)體及P型金屬氧化物半導(dǎo)體器件的某些組合(例如互補型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件)。雖然器件710、720及730可以連接至其它的器件或是互相連接，但為了表達(dá)的明確性，并未在圖7中顯示這些連接。
在閱覽此處的揭露之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員將了解可針對不同的設(shè)計理由，以不同的整體載流子遷移率(通過不同的鰭狀物深寬比H/W)形成不同的器件(例如器件710及720)。例如，可以根據(jù)器件710/720的形式而改變該整體載流子遷移率。在其中一個符合本發(fā)明原理的實施例中，可通過一個經(jīng)選擇的鰭狀物深寬比而形成其整體載流子遷移率在量值(即絕對值)上大于在相同的晶片/芯片上的P型金屬氧化物半導(dǎo)體器件的整體載流子遷移率的N型金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其中，該P型金屬氧化物半導(dǎo)體器件的整體載流子遷移率是通過另一個經(jīng)選擇的鰭狀物深寬比來形成。或者是，可以形成其整體載流子遷移率在量值上大于在相同的晶片/芯片上的N型金屬氧化物半導(dǎo)體器件的整體載流子遷移率的P型金屬氧化物半導(dǎo)體器件。或者是，可對N型金屬氧化物半導(dǎo)體器件(例如器件710)及P型金屬氧化物半導(dǎo)體器件(例如器件720)的鰭狀物深寬比加以選擇，以使這些器件的整體載流子遷移率近似相等。
在給定的電路器件內(nèi)(例如反相器、與非門(NAND gate)、內(nèi)存元件、或非門(NOR gate)等等)改變鰭狀物深寬比H/W也具有優(yōu)點。例如，在單一電路元件中，其中一個鰭式場效應(yīng)晶體管器件710可具有第一鰭狀物深寬比H/W1。例如，在該電路器件內(nèi)的另一個鰭式場效應(yīng)晶體管器件720可具有第二鰭狀物深寬比H/W2，以在器件710/720之間達(dá)到驅(qū)動電流的平衡。在符合本發(fā)明原理的某些實施例中，可將該電路器件內(nèi)的不同深寬比鰭狀物的器件710及720予以電性連接(例如，在圖7中，通過連接器件710中的源極/漏極區(qū)域與器件720中的源極/漏極區(qū)域)。
或者是，或額外地，可將鰭狀物深寬比H/W在電路器件之間作改變。例如，一個電路器件可以包含一個或一個以上的鰭式場效應(yīng)晶體管器件，而鰭式場效應(yīng)晶體管器件710可以具有第一鰭狀物深寬比H/WI及相關(guān)聯(lián)的第一整體載流子遷移率。一個分離的電路器件可以包含一個或一個以上的鰭式場效應(yīng)晶體管器件720，而該鰭式場效應(yīng)晶體管器件720可具有第二鰭狀物深寬比H/W2及相關(guān)聯(lián)的第二整體載流子遷移率。
再者，可通過改變符合在此所揭露的本發(fā)明原理的器件710至730的鰭狀物深寬比，而滿足超過一個以上的設(shè)計限制。例如，器件710及720可以分別為互補式金屬氧化物半導(dǎo)體器件的N型金屬氧化物半導(dǎo)體及P型金屬氧化物半導(dǎo)體器件。而且，某一預(yù)先存在的設(shè)計原則可以存在，諸如(僅當(dāng)作例子)該P型金屬氧化物半導(dǎo)體溝道寬度對于該N型金屬氧化物半導(dǎo)體溝道寬度是具有2∶1的比例，以使以此方式配置的典型的、平面的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管器件的驅(qū)動電流具有某種預(yù)先存在的關(guān)系。調(diào)整器件710及720的鰭狀物深寬比可以允許不同的溝道寬度比例(例如3∶2)，同時在器件710及720的驅(qū)動電流之間保持預(yù)先存在的關(guān)系。即，可將器件710及720的個別寬度W1及W2設(shè)定為具有3∶2比例，并且調(diào)整器件710及720的個別長度H1及H2，使個別鰭狀物深寬比H1/W1及H2/W2產(chǎn)生該預(yù)先存在的驅(qū)動電流關(guān)系。
或者是，調(diào)整器件710及720的鰭狀物深寬比可以允許相同的溝道寬度比例(例如2∶1)，同時在器件710及720的驅(qū)動電流之間產(chǎn)生新的關(guān)系。即，可將器件710及720的個別寬度W1及W2設(shè)為2∶1比例，并且調(diào)整器件710及720的個別高度H1及H2，使個別鰭狀物深寬比H1/W1及H2/W2產(chǎn)生新的驅(qū)動電流關(guān)系(例如在器件710/720之間相等的驅(qū)動電流)。
本領(lǐng)域技術(shù)人員將會了解，可以通過調(diào)整用來圖形化的掩膜而選擇不同器件710/720的鰭狀物寬度(例如寬度W1及W2)，例如，使用圖1中的光刻膠掩膜150以形成圖2B的鰭狀物130。同樣地，可以通過選擇性地掩膜某些鰭狀物130并蝕刻其它曝露的鰭狀物130以縮減該器件的鰭狀物高度，而選擇不同器件710/720的鰭狀物高度(例如高度H1及H2)。
因此，依據(jù)本發(fā)明，可以用不同的鰭狀物深寬比形成不同的鰭式場效應(yīng)晶體管器件710/720/730。這些不同的器件710/720/730可以形成在相同的晶片或芯片上，并且呈現(xiàn)相同的整體載流子遷移率或不同的整體載流子遷移率。有益的是，最終的結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出良好的短溝道行為。此外，本發(fā)明提供增加的彈性并且可以輕易地整合至傳統(tǒng)的工藝內(nèi)。
其它實施例在某些實施例中，可能欲形成不同于上文所描述的圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管。圖8A至圖8C是顯示依據(jù)本發(fā)明另一個實施例的圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管800的形成的剖面圖。圖8A為顯示在鰭狀物形成之后的工藝階段的剖面圖(類以圖2B)?？稍诘谝唤殡妼?30、第二介電層820及襯底810上形成硅鰭狀物840。雖然并未顯示在圖8A中，但可在兩端將鰭狀物840連接至源極和漏極區(qū)域(類似于圖2A)。
接著可以執(zhí)行選擇性蝕刻，以移除在鰭狀物840下方的第一介電層830部分，如同圖8B所示。鰭狀物840有效地懸吊在第二介電層820的上方。然而，該鰭狀物840的末端部分仍然連結(jié)至剩余的第一介電層830，并且在圖8B中所顯示的鰭狀物840的懸吊部分可以通過在鄰接該源極/漏極區(qū)域(未顯示)的鰭狀物840的末端處的第一介電層830來支撐。
接著可以在鰭狀物840上形成柵極介電層。例如，可在鰭狀物840的所有曝露的表面上熱生長薄氧化物膜850以作為柵極介電層，如同圖8C所示。可將氧化物薄膜850生長至大約10埃至大約30埃的厚度。
接著可圍繞該鰭狀物結(jié)構(gòu)840沉積柵極材料層860，也如同圖6A所示。柵極材料層860可以包括用于該后續(xù)形成的柵極電極的柵極材料，并且可以包含使用傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積(CVD)而沉積至范圍從大約500埃至大約1000埃厚度的多晶硅?；蛘呤?，也可將其它的半導(dǎo)體材料，諸如鍺或硅和鍺的組合，或者各種金屬使用作為該柵極材料。接著可以將柵極材料層860圖形化為用于圍繞式柵極鰭狀物場效應(yīng)晶體管800的柵極及柵極電極，如同在此的其它處所描述。在這種方法中，可以通過移除鰭狀物840下方的介電層830(或其它犧牲層)而形成圍繞式柵極鰭式場效應(yīng)晶體管800。
在上文的描述中，是提出各種特定的細(xì)節(jié)，諸如特定的材料、結(jié)構(gòu)、化學(xué)物、工藝等等，以提供對本發(fā)明的徹底的了解。然而，不需要訴諸在此所提出的特定細(xì)節(jié)也可執(zhí)行本發(fā)明。在其它方面，并未對已知的加工結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)描述，以避免模糊本發(fā)明的進(jìn)步性。
可以通過傳統(tǒng)的沉積技術(shù)而沉積依據(jù)本發(fā)明使用于制造半導(dǎo)體器件的介電及導(dǎo)電層。例如，可以使用諸如各種形式的化學(xué)氣相沉積工藝的金屬化技術(shù)，包含低壓化學(xué)氣相沉積(low pressure chemical vapordeposition，LPCVD)及增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(enhanced chemical vapordeposition，ECVD)。
本發(fā)明適用于任何各種形式的半導(dǎo)體器件的形成，因此，細(xì)節(jié)并未在此提出以避免模糊本發(fā)明的突出效果。在實施本發(fā)明時，是使用傳統(tǒng)的光學(xué)光刻及蝕刻技術(shù)，因此，在此并未詳細(xì)提出此類技術(shù)的細(xì)節(jié)。
再者，雖然是已將鰭式場效應(yīng)晶體管器件400/500/600的側(cè)邊表面描述為具有<110>結(jié)晶方向，并且將上端/底部表面描述為具有<100>結(jié)晶方向，但在其它實施例中，可將這些器件制造成具有<100>結(jié)晶方向的側(cè)邊表面及具有另一個結(jié)晶方向的上端/底部表面，諸如<110>或<111>。
本文只說明了本發(fā)明的較佳實施例及其用途的一些例子。應(yīng)該了解的是本發(fā)明能夠使用于各種其它組合及環(huán)境中，并且能夠在如同于此所陳述的本發(fā)明概念的范疇內(nèi)作修正。
在本應(yīng)用的描述中所使用的器件、行為或指示不應(yīng)解讀為針對本發(fā)明的特定或必要的要件，除非有作明確地說明。而且，如同在此所使用的，冠詞“a”是意欲包含一個或一個以上的項目。在意欲僅包含一個項目時，則使用名詞″one″或者類似的語言。本發(fā)明的范疇通過權(quán)利要求書及其等效者所定義。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件(100)，包括襯底(110)；形成在該襯底(110)上的絕緣層(120)；形成在該絕緣層(120)上的第一器件(710)，該第一器件包括形成在該絕緣層(120)上并且具有第一鰭狀物深寬比的第一鰭狀物(130)；形成在該絕緣層(120)上的第二器件(720)，該第二器件包括形成在該絕緣層(120)上并且具有不同于該第一鰭狀物深寬比的第二鰭狀物深寬比的第二鰭狀物(130)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件(100)，其中該第一器件(710)是N型金屬氧化物半導(dǎo)體器件并且該第二器件(720)是P型金屬氧化物半導(dǎo)體器件。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件(100)，其中該第一器件(710)及該第二器件(720)包含于單一電路元件中。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件(100)，其中在該第一器件(710)的第一鰭狀物(130)內(nèi)的第一載流子遷移率不同于在該第二器件(720)的第二鰭狀物(130)內(nèi)的第二載流子遷移率。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件(100)，其中該第一器件(710)進(jìn)一步包含形成在該第一鰭狀物(130)的至少三個表面上的第一柵極電介質(zhì)(410，510，610)，以及形成在該第一鰭狀物(130)的該至少三個表面上的第一柵極材料(420，520，620)；其中，該第二器件(720)進(jìn)一步包含形成在該第二鰭狀物(130)的至少三個表面上的第二柵極電介質(zhì)(410，510，610)，以及形成在該第二鰭狀物(130)的該至少三個表面上的第二柵極材料(420，520，620)。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件(100)，其中該第一柵極電介質(zhì)(610)及該第一柵極材料(620)形成在該第一鰭狀物(130)的四個表面上。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件(100)，其中該第二柵極電介質(zhì)(610)及該第二柵極材料(620)形成在該第二鰭狀物(130)的四個表面上。
8.一種半導(dǎo)體器件(100)，包括絕緣層(120)；形成在該絕緣層(120)上的第一器件(710)，該第一器件包括形成在該絕緣層(120)上并且具有第一高度及第一寬度的第一鰭狀物(130)，形成在該第一鰭狀物(130)的至少三個側(cè)端上的第一介電層(410，510，610)，以及鄰接該第一介電層(410，510，610)的第一柵極(430，530，630)；形成在該絕緣層(120)上的第二器件(720)，該第二器件包括形成在該絕緣層(120)上并且具有第二高度及第二寬度的第二鰭狀物(130)，形成在該第二鰭狀物(130)的至少三個側(cè)端上的第二介電層(410，510，610)，以及鄰接該第二介電層(410，510，610)的第二柵極(430，530，630)，其中，該第一高度與第一寬度的第一比例不同于該第二高度與第二寬度的第二比例。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件(100)，進(jìn)一步包括形成在該絕緣層(120)上的第三器件(730)，該第三器件包括形成在該絕緣層(120)上并且具有第三高度及第三寬度的第三鰭狀物(130)，形成在該第三鰭狀物(130)的至少三個側(cè)端上的第三介電層(410，510，610)，以及鄰接該第三介電層(410，510，610)的第三柵極(430，530，630)，其中，該第三高度與第三寬度的第三比例不同于該第一比例及該第二比例。
10.一種半導(dǎo)體器件(100)，包括絕緣層(120)；形成于該絕緣層(120)上的N型器件(710)，該N型器件包括形成在該絕緣層(120)上并且具有第一高度及第一寬度的第一鰭狀物(130)；形成在該絕緣層(120)上的P型器件(720)，該P型器件包括形成在該絕緣層(120)上并且具有第二高度及第二寬度的第二鰭狀物(130)，其中，該第二寬度是該第一寬度的預(yù)定倍數(shù)，以及其中，設(shè)置該第一高度及該第二高度使得該N型器件(710)的載流子遷移率近似相等于該P型器件(720)的載流子遷移率。
全文摘要
半導(dǎo)體器件(100)可以包含襯底(110)以及形成在該襯底(110)上的絕緣層(120)。第一器件(710)可形成在該絕緣層(120)上，并包含第一鰭狀物(130)。該第一鰭狀物(130)可形成在該絕緣層(120)上并可具有第一鰭狀物深寬比。第二器件(720)可形成在該絕緣層(120)上，并包含第二鰭狀物(130)。該第二鰭狀物(130)可形成在該絕緣層(120)上并可具有不同于該第一鰭狀物深寬比的第二鰭狀物深寬比。
文檔編號H01L27/12GK1826696SQ200480021176
公開日2006年8月30日 申請日期2004年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月5日
發(fā)明者俞斌, S·S·艾哈邁德, 汪海宏 申請人:先進(jìn)微裝置公司