技術編號：6844726
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件及制造半導體器件的方法。本發(fā)明特別涉及雙柵極器件。背景技術 對于結合超大型集成半導體器件的高密度及性能的擴大需求是需要諸如柵極長度的設計特征在100納米(nanometers，nm)以下，并需要高可靠性及增加的制造產能。在100納米以下的設計特征的縮減是挑戰(zhàn)傳統(tǒng)方法的極限。例如，當將傳統(tǒng)的平面金氧半導體場效應晶體管(MOSFET)的柵極長度縮減為100納米以下時，伴隨短溝道效應的問題，諸如在源極及漏極之間的過度漏電，會變得逐漸難以克服。...
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