專利名稱：等離子顯示屏的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及向作為大畫面、薄型、重量輕的顯示裝置而被知曉的等離子顯示屏(以下叫做PDP)的基板上進(jìn)行成膜的PDP的制造方法。
背景技術(shù)：
PDP例如是經(jīng)過如下的工序進(jìn)行制造的，即，在玻璃等基板的表面上形成電極層，把其覆蓋并形成電介體層，然后在其上面形成由MgO構(gòu)成的保護(hù)膜。
作為該保護(hù)膜的形成方法，現(xiàn)有所使用的是涂布MgO膏后進(jìn)行煅燒的方法、使用電子束和離子束等的蒸鍍法和濺射法，其中，成膜速度高且能形成質(zhì)量比較好的MgO膜的電子束蒸鍍法被廣泛使用(例如參照2001FPD工藝學(xué)大全，株式會(huì)社電子雜志(株式會(huì)社電子ジャ一ナル)2000年1月25日，p598～p600)。
向PDP基板的成膜，從把基板在成膜室內(nèi)穩(wěn)定保持或向成膜室穩(wěn)定運(yùn)送的觀點(diǎn)出發(fā)，通常是以把其保持在基板保持器上的狀態(tài)下進(jìn)行。因此，在向基板成膜中，在基板保持器上也同時(shí)有成膜材料附著而形成膜。
在此，為了使在基板上形成的膜的質(zhì)量穩(wěn)定，使真空度等成膜室內(nèi)的狀態(tài)穩(wěn)定是重要的。但上述的基板保持器，在每次的成膜工序中都是在大氣中和成膜室之間往來，且其表面上附著的成膜材料經(jīng)常吸附有水以及氣體，所以成為使真空度等成膜室內(nèi)的狀態(tài)變化大的主要原因。
于是，為了降低基板保持器對(duì)成膜室內(nèi)狀態(tài)的影響程度，例如把成為氣體放出源的附著了成膜材料的基板保持器與沒附著成膜材料的基板保持器進(jìn)行更換，通過降低在成膜室內(nèi)放出氣體的量，來進(jìn)行謀求真空度等成膜室內(nèi)狀態(tài)的穩(wěn)定化。
但即使降低在成膜室內(nèi)放出氣體的量，使真空度等成膜室內(nèi)的狀態(tài)向好的方向變化，也知道在其狀態(tài)變化大時(shí)形成的膜的質(zhì)量也變化大，PDP特性產(chǎn)生偏差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述課題而開發(fā)的，其目的是，在向PDP基板成膜中，通過恰當(dāng)控制成膜室的狀態(tài)而能形成良好的膜的PDP制造方法。
為了解決所述課題，本發(fā)明PDP的制造方法具有把基板保持在基板保持器上來進(jìn)行成膜的成膜工序，該P(yáng)DP制造方法在成膜時(shí)反復(fù)使用基板保持器，成膜工序通過反復(fù)使用，而把附著了膜的狀態(tài)的基板保持器與除去附著了的膜的狀態(tài)的基板保持器在成膜室內(nèi)混合并進(jìn)行成膜工序。
根據(jù)這種制造方法，由于能把成膜室內(nèi)真空度等的狀態(tài)保持合適，能抑制其急劇的狀態(tài)變化，所以能實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量且穩(wěn)定的膜質(zhì)。


圖1是表示PDP概略結(jié)構(gòu)的剖面立體圖；圖2是表示在本發(fā)明實(shí)施例PDP制造方法中所使用的成膜裝置概略結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖3是表示在PDP制造方法中，把基板保持器作為一齊除去附著的膜的基板保持器時(shí)，成膜室達(dá)到真空度的變化的一例的圖；圖4是表示在本發(fā)明實(shí)施例PDP的制造方法中，基板保持器更換時(shí)間一例的圖；圖5是表示在同PDP制造方法中，通過更換基板保持器的成膜室真空度狀態(tài)一例的圖；圖6A是表示同PDP制造方法中基板保持器結(jié)構(gòu)的平面圖；圖6B是圖6A的A-A剖面圖。
具體實(shí)施例方式
下面利用附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的PDP制造方法進(jìn)行說明。
首先，說明PDP結(jié)構(gòu)的一例。圖1是表示通過本發(fā)明第一實(shí)施例PDP的制造方法制造的PDP概略結(jié)構(gòu)一例的剖面立體圖。
PDP1的前面板2，其結(jié)構(gòu)包括顯示電極6，其由例如在玻璃那樣透明且有絕緣性的前面基板3的一主要面上形成的掃描電極4和維持電極5構(gòu)成；電介體層7，其覆蓋顯示電極6；保護(hù)層8，其例如是由MgO形成，覆蓋該電介體層7。掃描電極4和維持電極5以降低電阻為目的，其是把由金屬材料構(gòu)成的母線電極4b、5b層合在透明電極4a、5a上的結(jié)構(gòu)。
背面板9其結(jié)構(gòu)包括地址電極11，其形成在例如玻璃那樣有絕緣性的背面基板10的一個(gè)主面上；電介體層12，其覆蓋該地址電極11；間隔壁13，其位于相當(dāng)于電介體層12上的地址電極11之間的部位；熒光體層14R、14G、14B，其在間隔壁13之間。
而且其結(jié)構(gòu)是前面板2和背面板9把間隔壁13夾住，顯示電極6與地址電極11正交相對(duì)，并通過密封粘接部件把圖象顯示區(qū)域外的周圍進(jìn)行密封。在前面板2與背面板9間形成的放電空間15內(nèi)，把例如He-Xe系、Ne-Xe系的放電氣體以約66.5kpa的壓力密封進(jìn)去。放電空間15的顯示電極6與地址電極11的交叉部作為放電單元16(單位發(fā)光區(qū)域)動(dòng)作。
下面，一邊參照相同的圖1一邊對(duì)所述PDP1說明其制造方法。
前面板2，是首先在前面基板3上把掃描電極4和維持電極5形成條紋狀。具體說就是，把透明電極4a、5a的材料，例如ITO等的膜，利用蒸鍍和濺射等成膜處理形成在前面基板3上，然后利用光刻法等制作圖形，形成條紋狀的透明電極4a、5a。再把母線電極4b、5b的材料，例如Ag利用蒸鍍和濺射或印刷等成膜處理形成在其上面，然后利用光刻法等制作圖形，形成條紋狀的母線電極4b、5b。如上就能得到由條紋狀的掃描電極4和維持電極5構(gòu)成的顯示電極6。
接著，用電介體層7覆蓋以上那樣形成的顯示電極6，電介體層7是通過把含有鉛系玻璃材料的膏體，利用例如絲網(wǎng)印刷等涂布后進(jìn)行煅燒，成為規(guī)定層厚度(約20～50μm，最好是40μm)而形成的。作為含有所述鉛系玻璃材料的膏體，例如能使用PbO、B2O3、SiO2和CaO與有機(jī)粘合劑(例如是把乙基纖維素溶解到α-萜品醇中)的混合物。在此，有機(jī)粘合劑是指把樹脂溶解在有機(jī)溶劑中，在乙基纖維素以外，作為樹脂還能使用丙烯酸樹脂，作為有機(jī)溶劑還能使用丁基卡必醇等。也可以把分散劑(例如丙三醇三油酸酯)等混入到這種有機(jī)粘合劑中。
接著，使用保護(hù)層8把以上這樣形成的電介體層7覆蓋。保護(hù)層8例如是MgO成分，是通過蒸鍍和濺射等成膜處理達(dá)到規(guī)定的厚度(約0.4～1μm，最好是約0.6μm)而形成的。
而背面板9，是把地址電極11條紋狀地形成在背面基板10上。具體說就是，把地址電極11的材料，例如Ag的膜利用蒸鍍和濺射或印刷等成膜處理形成在背面基板10上，然后利用光刻法等制作圖形，形成條紋狀的地址電極11。
接著，把以上這樣形成的地址電極11通過電介體層12覆蓋。電介體層12是例如通過把含有鉛系玻璃材料的膏體，利用例如絲網(wǎng)印刷等涂布后進(jìn)行煅燒，成為規(guī)定層厚度(約10～50μm，最好是10μm)而形成的。
接著把間隔壁13形成條紋狀。間隔壁13與電介體層12相同，是例如通過把含有鉛系玻璃材料的膏體，利用例如絲網(wǎng)印刷以規(guī)定的間距反復(fù)涂布后通過煅燒而形成的。在此，間隔壁13的間隙尺寸例如是32英寸～65英寸時(shí)，其是130μm～360μm左右。
在間隔壁13與間隔壁13之間的槽中，形成由紅色(R)、綠色(G)、蘭色(B)各熒光體粒子構(gòu)成的熒光體層14R、14G、14B。這是涂布由各色熒光體粒子和有機(jī)粘合劑構(gòu)成的膏狀熒光體油墨，并把它煅燒，通過把有機(jī)粘合劑煅燒掉而作為把各熒光體粒子粘接的熒光體層14R、14G、14B形成的。
把以上制作的前面板2和背面板9，以使前面板2的顯示電極6與背面板9的地址電極11正交地進(jìn)行重疊，并且在周邊插入密封粘接用玻璃，把它以比電介體層7的煅燒溫度低的溫度進(jìn)行煅燒，由形成的氣密密封層(未圖示)來密封粘接。在一次把放電空間15內(nèi)排氣成高真空后，通過例如把He-Xe系、Ne-Xe系的放電氣體以規(guī)定的壓力密封進(jìn)去，來制作PDP1。
下面以保護(hù)層8的MgO膜成膜處理為例，使用

以上所述PDP制造工序中的成膜工序。首先，說明成膜裝置結(jié)構(gòu)的一例。圖2是表示用于形成保護(hù)層8的成膜裝置20概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。
該成膜裝置20，相對(duì)等離子顯示屏前面板2的前面基板3，由進(jìn)行MgO蒸鍍而形成MgO薄膜即保護(hù)層8的真空腔所構(gòu)成。成膜裝置20包括蒸鍍室21，其是成膜室；基板投入室22，其用于把前面基板3在投入到蒸鍍室21前進(jìn)行預(yù)備加熱，并且進(jìn)行預(yù)備排氣；基板取出室23，其用于把在蒸鍍室21蒸鍍終了后的前面基板3進(jìn)行冷卻。
以上的基板投入室22、成膜室即蒸鍍室21、基板取出室23的每一個(gè)，都是能把內(nèi)部變成真空環(huán)境的密閉結(jié)構(gòu)，各室的每一個(gè)具備獨(dú)立的真空排氣系統(tǒng)24a、24b、24c。
而且貫通基板投入室22、蒸鍍室21、基板取出室23，配置有由運(yùn)送滾輪、鋼絲、鏈條等構(gòu)成的運(yùn)送裝置25。在成膜裝置20的外面與基板投入室22之間、基板投入室22與蒸鍍室21之間、蒸鍍室21與基板取出室23之間、基板取出室23與成膜裝置20的外面之間，分別以能開閉的間隔壁26a、26b、26c、26d進(jìn)行間隔。通過運(yùn)送裝置25的驅(qū)動(dòng)和與間隔壁26a、26b、26c、26d的開閉連動(dòng)，而把基板投入室22、蒸鍍室21、基板取出室23各自的真空度變動(dòng)降到最低限度。使前面基板3從成膜裝置20的外面順次通過基板投入室22、蒸鍍室21、基板取出室23，在各自的室中進(jìn)行規(guī)定的處理，然后，運(yùn)送到成膜裝置20外面。通過由以上的動(dòng)作而把多個(gè)前面基板3連續(xù)地進(jìn)行投入，就能連續(xù)地進(jìn)行MgO的成膜。
在基板投入室22、蒸鍍室21的各室中，分別設(shè)置有用于加熱基板3用的加熱燈27a、27b。作為裝置結(jié)構(gòu)，除了上述之外，例如也可以根據(jù)前面基板3的溫度斷面設(shè)定條件，而在基板投入室22與蒸鍍室21之間把加熱基板3用的基板加熱室設(shè)置等于或大于一個(gè)，或在蒸鍍室21與基板取出室23之間把基板冷卻室設(shè)置等于或大于一個(gè)。
在蒸鍍室21中設(shè)置了成為蒸鍍?cè)?8a的放入了MgO粒子的爐床28b、電子槍28c、施加磁場(chǎng)的偏向磁鐵(未圖示)等。使從電子槍28c照射的電子束28d，通過由偏向磁鐵產(chǎn)生的磁場(chǎng)進(jìn)行偏向而向蒸鍍?cè)?8a照射，使產(chǎn)生蒸鍍?cè)?8a即MgO的蒸汽流28e。把產(chǎn)生的蒸汽流28e堆積在前面基板3的表面上，而形成MgO的保護(hù)層8。該蒸汽流28e除了需要時(shí)以外，能由擋板28f遮斷。
在以上說明的成膜裝置20中，是以把前面基板3保持在基板保持器30上的狀態(tài)，使基板保持器30連接或接觸在運(yùn)送裝置25上而向成膜裝置20內(nèi)運(yùn)送。
接著，對(duì)把MgO膜向前面基板3上成膜時(shí)的工序流程在下面進(jìn)行說明。首先，把保持有前面基板3的基板保持器30投入到基板投入室22中，一邊由真空排氣系統(tǒng)24a進(jìn)行預(yù)先排氣，一邊通過加熱燈27a進(jìn)行加熱。在此，前面基板3是形成有顯示電極6和電介體層7的狀態(tài)。
在基板投入室22內(nèi)達(dá)到了規(guī)定的真空度后，在打開間隔壁26b的同時(shí)，使用運(yùn)送裝置25，以把被加熱了狀態(tài)的基板3保持在基板保持器30上的狀態(tài)向蒸鍍室21運(yùn)送。
在蒸鍍室21中，通過加熱燈27b加熱基板3，并把它保持在一定的溫度上。該溫度為了不使顯示電極6和電介體層7熱惡化而設(shè)定在等于或小于200～300℃以下。在關(guān)閉擋板28f的狀態(tài)下，使來自電子槍28c的電子束28d向蒸鍍?cè)?8a照射，進(jìn)行預(yù)備加熱，這樣進(jìn)行從MgO粒子放出規(guī)定的氣體。然后，打開擋板28f，則MgO的蒸汽流28e就向保持在基板保持器30上的前面基板3放射，在前面基板3上堆積MgO的蒸鍍膜，形成保護(hù)層8。
該成膜工序中，在保持前面基板3的基板保持器30上也附著有成膜材料。在MgO的蒸鍍膜即保護(hù)層8的膜厚度達(dá)到規(guī)定的值(約0.4～1μm，最好是約0.6μm)時(shí)，關(guān)閉擋板28f，通過間隔壁26c把前面基板3向基板取出室23運(yùn)送。在此，運(yùn)送裝置25是僅與基板保持器30的兩端部接觸或連接而進(jìn)行運(yùn)送的結(jié)構(gòu)。因此，運(yùn)送裝置25不會(huì)在前面基板3上形成蒸汽流28e的影而在保護(hù)層8上產(chǎn)生質(zhì)量問題。
在蒸鍍室21中形成的保護(hù)層8的前面基板3，被運(yùn)送到基板取出室23中，并從冷卻到了規(guī)定溫度以下的基板保持器30上取下來。然后運(yùn)送到成膜裝置20外面，把蒸鍍完畢的前面基板3取下來后的基板保持器30，在將返回到基板投入室22前，保持的新的未成膜的前面基板3后，再投入到成膜裝置20中。
而為了使形成的保護(hù)層8的質(zhì)量穩(wěn)定，使蒸鍍室21內(nèi)的狀態(tài)保持穩(wěn)定是重要的。但如上述那樣的基板保持器30，在大氣中與蒸鍍室21之間往來的同時(shí)還在成膜中把成膜材料附著該基板保持器30的表面上。附著的成膜材料吸附水以及氣體，成為使真空度等的蒸鍍室21內(nèi)的狀態(tài)加大惡化的原因。于是，有時(shí)就有為了減少基板保持器30對(duì)蒸鍍室21內(nèi)的影響程度而利用下一個(gè)工序。即在從基板取出室23出來后，把蒸鍍完畢的前面基板3取下來，保持新的未成膜的前面基板3，并再次投入到成膜裝置20中的過程中，把表面附著了成膜材料的基板保持器30與沒附著成膜材料的基板保持器30進(jìn)行更換的工序。因此，其是更換成沒附著成膜材料的基板保持器30，并保持新的未成膜的前面基板3并再次投入到成膜裝置20中的工序。
這樣，就成為除去在蒸鍍室21內(nèi)的氣體放出源即附著在基板保持器30表面上的成膜材料的狀態(tài)，放出的氣體的量被減少，所以能謀求真空度等蒸鍍室21內(nèi)狀態(tài)的穩(wěn)定化。
但根據(jù)本發(fā)明者們的討論了解到在蒸鍍室21內(nèi)即使放出的氣體的量減少，是真空度變好的方向，但當(dāng)使其狀態(tài)變化大時(shí)，則形成的膜的質(zhì)量也變化大，PDP的特性受到影響。
圖3表示由更換基板保持器30而引起的蒸鍍室21內(nèi)到達(dá)真空度變化的情況。如圖3所示，在成膜工序初期蒸鍍室21內(nèi)的到達(dá)真空度A1，隨著反復(fù)成膜而向基板保持器30表面的成膜材料附著量變多，蒸鍍室21內(nèi)的氣體放出量變多，所以如箭頭B1所示地逐漸惡化，向用于保持形成的膜的質(zhì)量的界限的到達(dá)真空度即界限值C靠近。
若超過該界限值，則就超過了形成的膜的質(zhì)量容許范圍，對(duì)PDP的質(zhì)量給予影響。因此，在超過該界限值C之前即在蒸鍍室21的到達(dá)真空度進(jìn)一步惡化前，若例如把表面附著了成膜材料的所有基板保持器30的全部一齊更換成沒附著成膜材料的基板保持器30，則蒸鍍室21內(nèi)的真空度急劇變化成如圖3所示那樣的初期狀態(tài)A2。
即若把表面附著了成膜材料的所有基板保持器30的全部一齊更換時(shí)，則真空度等蒸鍍室21內(nèi)的狀態(tài)變化大，因此，膜的狀態(tài)也變化大，有PDP的特性也產(chǎn)生偏差的情況。即重要的是，真空度等蒸鍍室21內(nèi)的狀態(tài)變化不會(huì)急劇地變小。
在此，本實(shí)施例通過反復(fù)使用，把附著了膜的狀態(tài)的基板保持器30與除去附著的膜的狀態(tài)的基板保持器30，在成膜室即蒸鍍室21內(nèi)混合進(jìn)行。即在成膜室即蒸鍍室21內(nèi)存在的基板保持器30，是僅一部分被同時(shí)更換，而其他的在其他的時(shí)期進(jìn)行更換。因此，如圖3所說明那樣，與把蒸鍍室21內(nèi)所有的基板保持器30都更換成不附著膜的基板保持器30的情況相比，其能把真空度等蒸鍍室21內(nèi)的狀態(tài)變化抑制小。
把該方法對(duì)例如是在蒸鍍室21內(nèi)存在有三臺(tái)基板保持器30的結(jié)構(gòu)，且所有的基板保持器30是№1～№9的情況，使用圖4進(jìn)行詳細(xì)說明。如圖4矩陣的黑球和箭頭所示，把對(duì)除去了附著膜的基板保持器30的更換，按№1、№4、№7、№2、№5、№8、№3、№6、№9的順序進(jìn)行。通過以這種形式進(jìn)行更換基板保持器30，通過成膜工序的進(jìn)行，即使保持基板3的基板保持器30順次地被運(yùn)送到成膜室即蒸鍍室21內(nèi)，在蒸鍍室21內(nèi)存在的三個(gè)基板保持器30也不是其所有的都是同時(shí)被更換的，在三個(gè)基板保持器30中僅有一個(gè)是被更換的。即在蒸鍍室21內(nèi)附著了膜的是附著狀態(tài)的基板保持器30的數(shù)量，比除去附著的膜的狀態(tài)的基板保持器30的數(shù)量多。因此，蒸鍍室21內(nèi)的真空度等的狀態(tài)沒有大的變化，能保持恰當(dāng)?shù)臓顟B(tài)。把進(jìn)行這種更換方法時(shí)的蒸鍍室21內(nèi)真空度等的狀態(tài)一例表示在圖5。了解到其與圖3所示狀態(tài)相比，真空度的變化變小，能使所成膜的膜的特性穩(wěn)定化。
以上的說明，是在蒸鍍室21內(nèi)存在的三個(gè)基板保持器30中僅更換其一個(gè)的情況，但例如在蒸鍍室21內(nèi)存在有五個(gè)基板保持器30時(shí)，若狀態(tài)變化的情況是在容許范圍內(nèi)時(shí)，則也可以二個(gè)二個(gè)地進(jìn)行更換。以上，只要是把容許的真空度變化情況與更換時(shí)的操作性兼顧地進(jìn)行決定便可。
下面，使用圖6說明基板保持器30。
圖6(a)是表示基板保持器30概略結(jié)構(gòu)的平面圖，圖6(b)是表示圖3A的A-A剖面圖?；灞３制?0具有由框體構(gòu)成的第一基板保持器31，和具有空基板32且該基板32設(shè)置成能容易地從框體與框體進(jìn)行拆卸的第二基板保持器33等多個(gè)結(jié)構(gòu)部件，把PDP的前面基板3配置在第二基板保持器33的框體上進(jìn)行成膜。第二基板保持器33配置在第一基板保持器31上，第一基板保持器31與成膜裝置20的運(yùn)送裝置25連接或接觸，并在成膜裝置20內(nèi)進(jìn)行運(yùn)送。因此，配置有進(jìn)行成膜的前面基板3的第二基板保持器33不直接與運(yùn)送裝置25接觸。
本發(fā)明中基板保持器30具有多個(gè)結(jié)構(gòu)部件，把附著在結(jié)構(gòu)部件的至少一個(gè)上的膜除去，把除去附著的膜的基板保持器30與膜附著狀態(tài)的基板保持器30在成為成膜室即蒸鍍室21內(nèi)混合而進(jìn)行。這樣，在基板保持器30中，作為膜被除去的基板保持器30的膜被除去的結(jié)構(gòu)部件，其也可以是第一基板保持器31，也可以是第二基板保持器33的框體，而且也可以是第二基板保持器33的空基板32。其與把整個(gè)基板保持器30更換成沒附著膜的結(jié)構(gòu)部件的情況相比，通過更換基板保持器30結(jié)構(gòu)部件中的一部分，能抑制蒸鍍室21內(nèi)真空度等的急劇狀態(tài)變化。
配置有前面基板3的第二基板保持器33的空基板32，在成膜中除了前面基板3以外，其被進(jìn)行成膜的大部分蒸鍍流29e所成膜。因此，作為基板保持器30的結(jié)構(gòu)部件的一部分，通過把這些空基板32更換成沒附著膜的空基板，能抑制由操作性和附著的膜脫離等引起的質(zhì)量不良。
由于基板保持器30是反復(fù)使用，所以這些結(jié)構(gòu)部件在成膜時(shí)適當(dāng)?shù)馗鼡Q成沒附著膜的部件是當(dāng)然的，其也可以是框體和第一基板保持器，或第二基板保持器33的框體，或整個(gè)的第二基板保持器31。
以上的說明是以利用MgO材料通過蒸鍍形成保護(hù)層8的情況為例進(jìn)行的說明，但并不特別限定于此即使是MgO材料以外即使是蒸鍍以外的成膜方法，只要是在成膜中，成膜室內(nèi)狀態(tài)的變化影響到了膜的質(zhì)量，本發(fā)明的效果就同樣能得到。而且成膜室的狀態(tài)指標(biāo)也并不限定于是真空度。
產(chǎn)業(yè)上的利用可能性根據(jù)以上說明的本發(fā)明，在向PDP基板成膜中通過恰當(dāng)時(shí)控制成膜室的狀態(tài)，能實(shí)現(xiàn)可形成良好膜的PDP制造方法，能實(shí)現(xiàn)顯示性能優(yōu)良的等離子顯示裝置等。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示屏的制造方法，其具有把基板保持在基板保持器上來進(jìn)行成膜的成膜工序，其特征在于，在成膜時(shí)，反復(fù)使用基板保持器，所述成膜工序通過反復(fù)使用，而把附著了膜的狀態(tài)的基板保持器與除去附著的膜的狀態(tài)的基板保持器在成膜室內(nèi)混合并且進(jìn)行該成膜工序。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示屏的制造方法，其特征在于，在成膜室內(nèi)，通過反復(fù)使用而附著了膜的狀態(tài)的基板保持器的數(shù)量比除去附著的膜的狀態(tài)的基板保持器的數(shù)量多。
3.如權(quán)利要求1或2所述的等離子顯示屏的制造方法，其特征在于，基板保持器具有多個(gè)結(jié)構(gòu)部件，其除去附著的膜的狀態(tài)的基板保持器是至少把一個(gè)所述結(jié)構(gòu)部件上附著的膜除去。
4.如權(quán)利要求3所述的等離子顯示屏的制造方法，其特征在于，多個(gè)結(jié)構(gòu)部件具有保持基板的框體和保持在不保持基板的框體上的空基板，把附著的膜除去是對(duì)空基板進(jìn)行的。
全文摘要
一種等離子顯示屏的制造方法，其在向等離子顯示屏的基板成膜中，通過恰當(dāng)?shù)乜刂瞥赡な业臓顟B(tài)而能形成良好的膜。其是具有把前面基板(3)保持在基板保持器(30)上進(jìn)行成膜的成膜工序的顯示屏的制造方法，在成膜時(shí)基板保持器(30)被反復(fù)使用，成膜工序，把由反復(fù)使用而附著了膜的狀態(tài)的基板保持器(30)與除去附著的膜的狀態(tài)的基板保持器(30)混合在成膜室即蒸鍍室(21)中并且進(jìn)行該成膜工序，這樣來減少蒸鍍室(21)內(nèi)的真空度等的狀態(tài)變化。
文檔編號(hào)H01L21/687GK1698159SQ200480000559
公開日2005年11月16日 申請(qǐng)日期2004年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月4日
發(fā)明者筱崎淳, 高瀬道彥, 古川弘之 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社