專利名稱：校準晶片及校準裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型是有關(guān)于一種化學機械研磨拋光裝置，其用于在集成電路制程中拋光及平坦化一半導(dǎo)體晶片。本實用新型特別是有關(guān)于一校準晶片，用以校正一機械手臂抓取片，以準確的從化學機械研磨拋光裝置中的晶片出入暫存裝置抓取晶片，或使晶片能準確的被傳送到化學機械研磨拋光后濕式清潔槽中的晶片輸入端梭座，特別還有關(guān)于一校準裝置，可校準化學機械研磨拋光頭在研磨頭清洗加載載出平臺的中心位置以及晶片被放在研磨頭清洗加載載出平臺的中心位置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制程中，應(yīng)用了許多的制程設(shè)備以及工具。其中包括一用于拋光又薄又平的半導(dǎo)體晶片，以得到平坦化表面的設(shè)備工具。平坦化表面對于那些普遍存在于存儲裝置中的淺溝槽絕緣層(STI)、內(nèi)層介電層(ILD)或金屬間介電層(IMD)而言非常重要。有了良好的平坦化表面，才能利用后續(xù)高精度的微影制程來制作下一層電路，因此，平坦化的制程是很重要的。
上述的平坦化制程可利用化學機械研磨拋光(CMP)來實現(xiàn)，其已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于內(nèi)層介電層或是金屬間介電層，以制做先進半導(dǎo)體裝置?；瘜W機械研磨拋光制程使用旋轉(zhuǎn)平臺搭配氣壓驅(qū)動的研磨頭。此制程主要用于拋光晶片的前表面或是半導(dǎo)體裝置設(shè)置面，使其平坦化，同時為下一層制程作準備。一片晶片于制程中通常會平坦化一或多次，使晶片表層盡可能平坦。在化學機械研磨拋光機臺中，晶片被置于一研磨頭上，并被壓在研磨墊之上，以含有二氧化硅或是鋁的研磨漿進行研磨。
研磨墊設(shè)于旋轉(zhuǎn)平臺之上，其包含兩層，外層為彈性材料。研磨墊通常由聚合物，例如聚氨酯所制成，并包括填充材料以提供尺寸上的穩(wěn)定度。研磨墊通常為晶片的好幾倍大，同時晶片不擺在研磨墊的中心處，以避免在拋光時如果研磨面為不平的狀況下晶片會一直以同一位置接觸研磨面的不平處。晶片在拋光時會進行自轉(zhuǎn)，以防止拋光造成晶片表面的厚度不均勻。晶片和研磨墊的旋轉(zhuǎn)軸被設(shè)計為不同軸并互相平行。晶片拋光的均勻度與壓力、速度以及研磨漿的濃度有關(guān)。
化學機械研磨拋光(CMP)被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體裝置上內(nèi)層介電層或是金屬間介電層的平坦化。這些層通常由介電材料所構(gòu)成。最普通應(yīng)用的介電材料是氧化硅。當拋光介電層時，其目的在于移除圖案，并在整片晶片上維持良好的均勻性。被移除的介電材料厚度通常為5000?！?0000。內(nèi)層介電層或是金屬間介電層的均勻性要求是非常高的，由于不均勻性會造成不良的微影效果，并造成蝕刻以及插塞制作上的困難?；瘜W機械研磨拋光亦可用于拋光金屬，例如，用于鎢插塞的制作或是覆蓋結(jié)構(gòu)。金屬拋光制程需要使用相異于氧化物拋光的化學物質(zhì)。
化學機械研磨拋光所使用的組件主要包括一自動旋轉(zhuǎn)的研磨平臺以及一晶片研磨頭，兩者皆會對晶片施加壓力，并分別獨立旋轉(zhuǎn)晶片。晶片表面的拋光及移除乃利用所謂的研磨漿，此研磨漿主要成分為懸浮在去離子水或氫氧化鉀(KOH)中且呈膠體狀(colloidal)的硅土(silica)。研磨漿由研磨漿注入系統(tǒng)注入，以均勻濕潤研磨墊，并替換及回收研磨漿。在大尺寸晶片的制程中，自動晶片取放以及晶匣操作裝置亦包括于化學機械研磨拋光機臺之中。
化學機械研磨拋光同時包含化學式的和機械式的拋光手段。雖然確切的氧化層材料移除機制是未知的，我們?nèi)钥杉僭O(shè)氧化硅的表面乃藉由一連串的化學反應(yīng)移除，其包含在晶片與研磨粒子的氧化表面之間進行氫化反應(yīng)以形成氫鍵，在晶片與研磨漿之間形成氫鍵，在晶片與研磨漿之間形成分子鍵，最后，藉由打斷晶片或研磨粒子表面的鍵結(jié)而移除氧化層。一般認為，化學機械研磨拋光并不是單純的利用研磨粒子研磨晶片表面的機械過程。
化學機械研磨拋光的缺點在于其很難控制晶片表面各位置的拋光速率。由于晶片拋光速率正比于研磨墊的轉(zhuǎn)速，因此晶片表面單點的拋光速率依該點相對于研磨墊中心的距離來決定。換句話說，晶片的較靠近研磨墊旋轉(zhuǎn)中心處的邊緣的研磨速率，將低于晶片的相對邊緣的研磨速率。即使在拋光時轉(zhuǎn)動晶片以對此拋光的不均勻進行補償以均勻化研磨速率，晶片表面在拋光時，其單點的研磨速率仍隨時在變化。
近來，化學機械研磨拋光的研磨墊改以直線移動的方式取代轉(zhuǎn)動。其被稱為直線化學機械研磨拋光(linear chemical mechanical polishing)。在此拋光過程中，研磨墊相對于旋轉(zhuǎn)的晶片表面，以直線方式移動。此直線拋光的方式對晶片表面提供更均勻的拋光速率，以移除晶片表面的薄膜。此外，直線拋光系統(tǒng)可簡化拋光機臺的結(jié)構(gòu)，因此可降低成本并可節(jié)省無塵室里面的空間。
現(xiàn)有的化學機械研磨拋光裝置90如圖1A所顯示的，包括一基座100、一研磨頭清洗加載載出平臺(head clean load/unload station)360、以及一旋轉(zhuǎn)單元400?；?00包括研磨墊210a、210b、210c，設(shè)于基座100之上。研磨頭清洗加載載出平臺(head clean load/unload station)360包括一加載罩300，用以在研磨墊上取放晶片(未圖示)。旋轉(zhuǎn)單元400具有復(fù)數(shù)個研磨墊410a、410b、410c、410d，用以在研磨墊上方罩住并旋轉(zhuǎn)晶片。
研磨墊210a、210b、210c使多個晶片能在短時間內(nèi)同時被拋光，每一個研磨墊被設(shè)于一旋轉(zhuǎn)平臺(未圖示)之上。研磨墊軟度調(diào)理器211a、211b、211c設(shè)于基座100之上，并可掃過研磨墊表面以調(diào)理研磨墊。研磨漿注入臂212a、212b、212c更被設(shè)置于基座100之上，以將研磨漿注于研磨墊之上。
旋轉(zhuǎn)單元400的研磨頭410a、410b、410c、410d設(shè)于旋轉(zhuǎn)軸420a、420b、420c、420d之上，其由外殼401中的驅(qū)動機構(gòu)(未圖標)驅(qū)動。研磨頭罩住晶片，并將晶片壓在相應(yīng)的研磨墊210a、210b、210c的上表面之上。藉此，晶片表面的材料將會被移除。在拋光過程中，旋轉(zhuǎn)單元400由基座100上的旋轉(zhuǎn)軸承402支撐。
該加載罩300包括一晶座支撐圓柱312，以支撐一晶座310，晶片可從此晶座被移至研磨墊210a、210b、210c，或從研磨墊210a、210b、210c被移至此晶座。晶座薄膜313設(shè)于晶座310的上表面之上，以與晶片表面的圖案設(shè)置面(IC組件的設(shè)置面)相接觸。
流道314穿過晶座310以及晶座薄膜313。清潔液從流道314注入，以在載入罩300清洗研磨頭410a、410b、410c、410d的下表面以及晶座薄膜313的上表面。
每一晶片由一機械手臂(未圖示)從一晶片出入暫存裝置(未圖標)取出，置于該加載罩300之上。該機械手臂包括機械手臂抓取片，伸入晶片出入暫存裝置中，并分別舉起晶片，以將晶片置于加載罩300的晶座310之上。在傳遞晶片之前，機械手臂抓取片需被校準以準確的從晶片出入暫存裝置中取出晶片。此校準步驟一般耗時耗工。因此，需要一種能迅速校準機械手臂抓取片對準晶片出入暫存裝置中晶片的裝置及方法。
在被置于晶座310之后，晶片從晶座310被移至旋轉(zhuǎn)單元400的研磨頭410a-410d之上。研磨頭必須必須對準晶片以促使研磨頭與晶片之間維持適當?shù)膽?yīng)力。此校準步驟一般耗時耗工。因此，需要一種裝置及方法能有效校準使研磨頭對準載入罩的晶片。

發(fā)明內(nèi)容
本實用新型即為了欲解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，而提供的一種校準晶片，用以供一機械手臂抓取片進行校正對準，包括一晶片本體、一刻度記號以及二條對準線。對準線設(shè)于該晶片本體之上，以供該機械手臂抓取片進行對準，所述的對準線彼此平行并具有一間距?？潭扔浱栐O(shè)于該晶片本體之上?？潭扔浱柊ǘl側(cè)刻度線以及一停止線，側(cè)刻度線延伸并鄰接所述的對準線，停止線連接所述的側(cè)刻度線。晶片本體包括半透明材料或不透明材料。
本實用新型更提供一種校準裝置，用以將一研磨頭校正對準一晶座，包括一基盤、一校正盤以及一校正圓。基盤用以置于該晶座之上。校正盤用以置于該基盤之上。校正圓設(shè)于該校正盤之上，用以將該研磨頭校正對準該晶座?；P包括一基盤本體以及一凸狀部，該凸狀部具有一凸狀部開口，從該基盤延伸，用以與該校正盤抵接。校正盤本體具有一第一表面、一第二表面以及一校正盤延伸部，該校正盤延伸部從該第二表面延伸，用以抵接該基盤，該校正圓設(shè)于該第一表面。
本實用新型可校準機械手臂抓取片，使其在晶片出入暫存裝置中對準晶片。并可使化學機械研磨拋光機臺的研磨頭對準載入罩之上的晶片。且，可校準研磨頭清洗載入載出平臺的位置。


圖1A是顯示現(xiàn)有的化學機械研磨拋光機臺。
圖1B是顯示圖1A的化學機械研磨拋光機臺的部分立體圖。
圖2是顯示本實用新型的校準晶片的俯視圖。
圖3是顯示校準晶片置放于晶片出入暫存裝置之中時的情形，并說明機械手臂抓取片藉由校準晶片調(diào)整肩斜角的情形。
圖4是顯示機械手臂抓取片藉由校準晶片調(diào)整腕斜角的情形。
圖5是顯示校準晶片以及機械手臂抓取片的側(cè)視圖，說明機械手臂抓取片藉由校準晶片調(diào)整腕斜角的情形。
圖6是顯示機械手臂抓取片沿z軸調(diào)整位置的情形。
圖7是顯示利用校準晶片進行校準的流程。
圖8是顯示校準晶片置于濕式清潔槽的晶片輸入端梭座之上的情形。
圖9是顯示圖8中的機械手臂抓取片以及晶片的側(cè)視圖，說明機械手臂抓取片沿x軸移動以接觸該晶片。
圖10A是顯示本實用新型的校準裝置的基盤。
圖10B是顯示基盤的截面圖。
圖11A是顯示校正盤的俯視圖。
圖11B是顯示校正盤的截面圖。
圖12A是顯示研磨頭清洗載入載出平臺上的載入罩。
圖12B是顯示校準晶片置于載入罩之中的情形。
圖12C是顯示校正盤接觸研磨頭的情形。
圖12D是顯示研磨頭以及校正盤的俯視圖。
圖12E是顯示校正盤移動接觸研磨頭的情形。
圖12F是顯示研磨頭利用校正盤校準其前后側(cè)的情形。
圖13是顯示利用基盤以及校正盤校準研磨頭清洗加載載出平臺的取放位置的情形。
符號說明10～校準晶片12～晶片本體12a～上表面 13～寬度14～刻度符號15～刻度記號寬度16～側(cè)刻度線17～停止線18～刻度線厚度 19～刻度線長度20～對準線 21～線間隔24～晶片出入暫存裝置25～腔體壁26～縫隙27～停止臂28～機械手臂抓取片 29～側(cè)邊30～前端邊緣32～肩斜角34～腕斜角 36～x軸38～z軸 40～晶片輸入端梭座41～底座42～停止壁
43～機械手臂 44～側(cè)邊45～底邊 47～z軸49～x軸52～校正裝置53～基盤 54～圓形本體55～框邊 56～凸狀部57～凸狀部開口 60～校正盤61～本體 62～校正盤延伸部63～校正圓 66～研磨頭清洗載入載出平臺67～載入罩 68～晶座69～晶座軸 70～研磨頭74～凸狀部直徑 76～本體直徑78～框邊直徑 80～延伸部直徑84～本體直徑 86～框邊高度88～本體厚度 90～化學機械研磨拋光裝置92～本體厚度 100～基座210a、210b、210c～研磨墊211a、211b、211c～研磨墊軟度調(diào)理器300～載入罩310～晶座312～晶座支撐圓柱 313～晶座薄膜314～流道 360～研磨頭清洗載入載出平臺400～旋轉(zhuǎn)單元 410～外殼402～旋轉(zhuǎn)軸410a、410b、410c、410d～研磨墊420a、420b、420c、420d～旋轉(zhuǎn)軸
具體實施方式
參照圖2至圖7，本實用新型的一校準晶片10用于校正一機械手臂抓取片28，使其對準Mirra Mesa化學機械研磨拋光裝置的晶片出入暫存裝置24之中的晶片，雖然，校準晶片10可應(yīng)用于其它的化學機械研磨拋光裝置，而不僅限于Mirra Mesa化學機械研磨拋光裝置。該機械手臂抓取片28具有一伸長的、長方形的外形，并包括側(cè)邊29以及前端邊緣30。該機械手臂抓取片28用于將該晶片從該晶片出入暫存裝置24搬運至該化學機械研磨拋光裝置的一加載罩(未圖示)之中。
如圖3所顯示的，該晶片出入暫存裝置24通常包括一腔體壁25，其具有一縫隙26，機械手臂抓取片28穿過縫隙26，以從晶片出入暫存裝置25中抵接并取出晶片。一停止壁27位于該晶片出入暫存裝置24之中，當機械手臂抓取片28已移至定位(是指可從晶片出入暫存裝置24取出晶片的位置)時，停止壁27將阻止機械手臂抓取片28再向前繼續(xù)運動。
參照圖2，該校準晶片10包括一晶片本體12，其可以是半透明材質(zhì)，例如PLEXI-GLASS(商標名)，或不透明材質(zhì)，例如聚碳酸酯。該晶片本體12具有一寬度13，一般為200毫米，以及一厚度，一般為0.5毫米。一刻度記號14以印刷或是其它方式設(shè)于該晶片本體12的上表面(第一表面)12a。該刻度符號14包括一對具有間隔且相互平行的側(cè)刻度線16，其從該晶片本體12延伸，并藉由一停止線17相連接。
側(cè)刻度線16彼此間隔，其具有間隔刻度記號寬度15，約為72毫米。每一側(cè)刻度線16以及該停止線17具有一刻度線厚度18，約為5毫米。每一側(cè)刻度線16具有一刻度線長度19，約為125毫米。
一對相互平行的對準線20以印刷或其它的方式設(shè)于晶片本體12的上表面(第一表面)12a，并位于所述的側(cè)刻度線16之間。所述的對準線20彼此間隔，其線間隔21約為70毫米。線間隔21相對應(yīng)于機械手臂抓取片28的所述的側(cè)邊29之間的間隔。
當利用校準晶片10來校正機械手臂抓取片28，使其對準晶片(未圖示)，以將所述的晶片從晶片出入暫存裝置24傳送至化學機械研磨拋光裝置的研磨頭清洗加載載出平臺(未圖示)，該校準晶片10一開始被置于該晶片出入暫存裝置24，如圖3所顯示的，此動作為圖7流程圖的步驟S1。該機械手臂抓取片28接著沿x軸36移向晶片出入暫存裝置24，此為步驟S2。接著，進入步驟S3，該機械手臂肩斜角(shoulder angle)32被調(diào)整以使機械手臂抓取片28的側(cè)邊29平行于校準晶片10上的對準線20。
當機械手臂抓取片28的側(cè)邊29對準對準線20之后，該機械手臂抓取片28沿x軸36向前移動，如步驟S4，以將該機械手臂抓取片28穿過該縫隙26插入該晶片出入暫存裝置24，直至機械手臂抓取片28的前端邊緣30接觸該停止壁27，如圖4所顯示的?？潭扔浱?4的側(cè)刻度線16標示機械手臂抓取片28的前端邊緣30與停止壁27之間的近似距離。接著，如步驟S5以及圖5所顯示的，調(diào)整機械手臂腕斜角(wrist angle)34直到機械手臂抓取片28的平面平行于校準晶片10的平面。如步驟S6所顯示的，機械手臂抓取片28接著沿x軸36向后移動，以移離晶片出入暫存裝置24。
最后，如步驟S7以及圖6所顯示的，該機械手臂抓取片28相應(yīng)于校準晶片10，沿z軸38進行調(diào)整，以準確的定位機械手臂抓取片28，使其能接觸并舉起晶片出入暫存裝置24中的實際晶片。機械手臂抓取片28藉此被良好的校正，以將實際晶片從晶片出入暫存裝置24傳遞至化學機械研磨拋光裝置上的加載罩(未圖示)。在實際使用操作機械手臂抓取片28之前，校準晶片10已從晶片出入暫存裝置24中移除。
參照圖8以及圖9，該校準晶片10用于校正機械手臂抓取片43對準濕式清潔槽(未圖示)的晶片輸入端梭座40中的晶片(未圖示)，以將晶片從晶片輸入端梭座40中取放。機械手臂抓取片43為長方形，具有一對側(cè)邊44以及一底邊45。該晶片輸入端梭座40具有一底座41，用以接收晶片。一停止壁42設(shè)于該晶片輸入端梭座40之中，以阻止機械手臂抓取片43在晶片傳遞過程中，沿z軸47向下移動。
在使用時，校準晶片10可被放置于晶片輸入端梭座40之上。機械手臂抓取片43接著沿z軸47朝該晶片輸入端梭座40向下移動。接著，該機械手臂肩斜角被調(diào)整，以使該機械手臂抓取片43的側(cè)邊44平行于校準晶片10之上的對準線20。該機械手臂抓取片43接著沿z軸47向下移動，直到底邊45接觸停止壁42。接著，機械手臂腕斜角被調(diào)整，以使機械手臂抓取片43的平面平行于該校準晶片10的平面。
藉由第一次將機械手臂抓取片43沿z軸舉起，而移除該校準晶片10，接著沿x軸49調(diào)整該機械手臂抓取片43，以將機械手臂抓取片43定位于該取放位置，以從晶片輸入端梭座40抵接并傳遞晶片，校正動作至此完成。在校正之后，該校準晶片10從該晶片輸入端梭座40中移除。
參照圖10～圖12F，本實用新型的一校準裝置52(圖12B)包括一基盤53以及一校正盤60。該校準裝置52是用于將化學機械研磨拋光裝置(例如MirraMesa的化學機械研磨拋光裝置)的研磨頭清洗加載載出平臺66的研磨頭70的校正對準。該研磨頭清洗加載載出平臺66包括一加載罩67，其中設(shè)有一可垂直調(diào)整的晶座68，設(shè)于晶座軸69的上端。該拋光頭70設(shè)于化學機械研磨拋光裝置上方的一旋轉(zhuǎn)單元(未圖標)之上。此旋轉(zhuǎn)單元可旋轉(zhuǎn)，以將復(fù)數(shù)個拋光頭70中的任一拋光頭定位于研磨頭清洗載入載出平臺66之上，每一拋光頭70需被校正對準晶座68，以準確的將晶片(未圖示)從晶座68移送至拋光頭70。
如圖10A以及圖10B所顯示的，該基盤53包括一圓形的基盤本體54，具有一向上直立的框邊55。一凸狀部56，具有一凸狀部開口57，從該本體54的中心向上延伸。如圖10A所顯示的，該凸狀部56具有一凸狀部直徑74，約為20毫米。該基盤本體54具有一本體直徑76，大約為186毫米，該框邊55具有一框邊直徑78，約為203毫米。如圖10B所顯示的，該框邊55具有一框邊高度86，一般約為12毫米，該基盤本體54具有一本體厚度88，約為5毫米。
如圖11A以及圖11B所顯示的，校準裝置52的校正盤60包括一本體61，其具有一本體直徑84，約為260毫米。一校正盤延伸部62，具有一延伸部直徑80，約為20毫米，從該本體61的下表面65向下延伸。一校正圓63以印刷或其它方式設(shè)于校正盤本體61的上表面64之上。在較佳的情形下，該校正圓63具有拋光頭70相同的直徑。在較佳實施例中，校正圓63具有一校正圓直徑82，其真徑介于210毫米至248毫米。如圖11B所顯示的，該校正盤延伸部62具有一延伸高度90，約為12毫米。該校正盤61具有一本體厚度92，約為3毫米。
如圖12A至圖12F所顯示的，化學機械研磨拋光裝置的每一拋光頭70以下述步驟校正對準研磨頭清洗載入載出平臺66的晶座68。首先，如圖12A所顯示的，該基盤53置于晶座68之上，凸狀部56向上延伸。其次，如圖12B所顯示的，藉由將該基盤延伸部62向下插入該凸狀部開口57，該校正盤60置于基盤53之上。
在校正盤60被置于基盤53上之后，接著進行十字形旋轉(zhuǎn)架原點調(diào)整步驟，第一拋光頭70被移至加載罩的位置。如圖12C所顯示的，該晶座68可以被提高以確定該拋光頭70的左側(cè)及右側(cè)是否對準校正盤60上的校正圓63。如果沒有，拋光頭70的十字形旋轉(zhuǎn)架原點角度(cross home angle)被調(diào)整，直到拋光頭70的左側(cè)及右側(cè)對準校正圓63，如圖12D所顯示的。
接著，偵測是否拋光頭70的前側(cè)與后側(cè)對準校正盤60上的校正圓63。如果沒有，該拋光頭70的掃瞄曲線原點(sweep home position)將會被修正，直到拋光頭70的前側(cè)與后側(cè)對準校正圓63。如圖12F所顯示的，如此便完成了第一拋光頭70的校準。晶座68被降下，校正盤60被移離基盤53，而該基盤53被移離該晶座68。因此，當操作該化學機械研磨拋光裝置時，該第一拋光頭70被良好的定位以方便接下來從晶座68取出晶片(未圖示)，移至拋光頭70之上。相同的步驟接著被實行，用以校正該旋轉(zhuǎn)單元上的該第二、第三以及第四拋光頭70(未圖示)。
參照圖13，利用校準裝置52的基盤53，該研磨頭清洗加載載出平臺的取放位置可以被校正如下。首先，提起晶座68，接著該基盤53被置于該晶座68之上。其次，該機械手臂的設(shè)備常數(shù)(Robot EC constant)如，HCLUtransferpick up/drop off/enter/leave z position)被紀錄，接著，該z軸的位置被調(diào)整，以避免機械手臂抓取片與拋光頭70以及基盤53的碰撞。該機械手臂(未圖示)接著從一晶匣(未圖示)傳遞一晶片72，置于該基盤53之上，如圖13所顯示的。該晶片72相對于該基盤53的位置被量測，以決定研磨頭清洗加載載出平臺的取放位置是否正確。如果不正確，正確的x軸位置以及肩角度將會被用于重復(fù)該傳送過程，直到晶片72正確的對準基盤53的中心。當調(diào)整機械手臂至正確的z軸位置后，校準步驟便完成。
雖然本實用新型已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本實用新型，任何熟習此技藝者，在不脫離本實用新型的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，因此本實用新型的保護范圍當視所附的權(quán)利要求范圍所界定者為準。
權(quán)利要求1.一種校準晶片，用以供一機械手臂抓取片進行校正對準，其特征在于，包括一晶片本體；以及二條對準線，設(shè)于該晶片本體之上，以供該機械手臂抓取片對準該晶片本體，所述的對準線彼此平行并具有一間距。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校準晶片，其特征在于，該晶片本體包含半透明材料或不透明材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校準晶片，其特征在于，更包括一刻度記號，設(shè)于該晶片本體之上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校準晶片，其特征在于，該晶片本體包括不透明材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的校準晶片，其特征在于，該刻度記號包括二條側(cè)刻度線，延伸并鄰接所述的對準線；以及一停止線，連接所述的側(cè)刻度線。
6.一種校準裝置，用以將一研磨頭校正對準一晶座，其特征在于，包括一基盤，用以置于該晶座之上；一校正盤，用以置于該基盤之上；以及一校正圓，設(shè)于該校正盤之上，用以將該研磨頭校正對準該晶座。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的校準裝置，其特征在于，該基盤包括一基盤本體以及一凸狀部，該凸狀部具有一凸狀部開口，從該基盤延伸，用以與該校正盤抵接。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的校準裝置，其特征在于，該校正盤包括一校正盤本體，該校正盤本體具有一第一表面、一第二表面以及一校正盤延伸部，該校正盤延伸部從該第二表面延伸，用以抵接該基盤，該校正圓設(shè)于該第一表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的校準裝置，其特征在于，該基盤包括一基盤本體以及一凸狀部，該凸狀部具有一凸狀部開口，從該基盤本體延伸，用以容納該校正盤延伸部。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的校準裝置，其特征在于，該校正圓的直徑介于210毫米至248毫米。
11.一種校準裝置，用以將一研磨頭校正對準一晶座，該研磨頭具有一研磨頭直徑，其特征在于，包括一基盤，用以置于該晶座之上；一校正盤，用以置于該基盤之上；以及一校正圓，設(shè)于該校正盤之上，用以將該研磨頭校正對準該晶座，該校正圓具有一校正圓直徑基本等于該研磨頭直徑。
專利摘要一種校準晶片，用以供一機械手臂抓取片進行校正對準，包括一晶片本體、一刻度記號以及二條對準線。對準線設(shè)于該晶片本體之上，以供該機械手臂抓取片進行對準，所述的對準線彼此平行并具有一間距?？潭扔浱栐O(shè)于該晶片本體之上?？潭扔浱柊ǘl側(cè)刻度線以及一停止線，側(cè)刻度線延伸并鄰接所述的對準線，停止線連接所述的側(cè)刻度線。晶片本體包括半透明材料或不透明材料。
文檔編號H01L21/68GK2726109SQ20042008811
公開日2005年9月14日 申請日期2004年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月4日
發(fā)明者莊志男, 胡天鎮(zhèn), 林祚勖, 張正芳 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司