專利名稱：高亮度白光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及發(fā)光二極管，尤其涉及發(fā)白光的二極管。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)的白光LED(發(fā)光二極管)，比如在中國專利ZL 97238703.X和ZL 00260518.X中公開的LED結(jié)構(gòu)，是在發(fā)光晶片的頂面及四個側(cè)面包圍熒光粉。發(fā)光晶片的底面通過封裝基板上加絕緣膠固定于支架上的碗底?，F(xiàn)有的LED結(jié)構(gòu)，由于發(fā)光晶片本身是透明的，由發(fā)光晶片產(chǎn)生的光的一部分會照射到晶片的底面，因為絕緣材料的緣故而損耗掉。

發(fā)明內(nèi)容
本實用新型要解決的技術(shù)問題在于減少由發(fā)光晶片產(chǎn)生的光在晶片的底面上的損耗，以提高白光LED的亮度。
本實用新型解決上述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是，設(shè)計制造一種高亮度白光二極管，包括支架、導(dǎo)線、晶片和包圍晶片頂面及周邊側(cè)面的熒光粉，并且所述晶片的底面與支架上的碗底之間設(shè)有熒光粉。
所述晶片是藍光晶片，采用InGaN(氮銦鎵)材料。
所述熒光粉為YAG(釔鋁石榴石)熒光粉。
同現(xiàn)有技術(shù)相比較，本實用新型的高亮度白光二極管，其亮度高出許多。


圖1為本實用新型高亮度白光二極管之最佳實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖所示之最佳實施例作進一步詳述。
如圖1所示的本實用新型高亮度白光二極管，包括電極支架10、導(dǎo)線30、透光體(圖中未示出)、晶片40和包圍晶片40頂面及周邊四個側(cè)面的熒光粉20，并且所述晶片40的底面與支架上的碗底11之間設(shè)有熒光粉50。所述導(dǎo)線30為金線。
所述晶片40是藍光晶片，采用InGaN材料。
所述熒光粉20為YAG熒光粉。
所述熒光粉50為YAG熒光粉。
本實用新型高亮度白光二極管的制作方法是在封裝基板上點熒光粉，然后固晶，最后在晶片表層加YAG熒光粉，理由在于晶片的發(fā)光面為頂面及四個側(cè)面，部分光線會經(jīng)晶片的頂面反射到晶片的底部，這些發(fā)射藍光會激發(fā)晶片底部的熒光粉，產(chǎn)生波長為555納米的淡黃色光，由于晶片為透明襯底，由底部產(chǎn)生的光可良好地透射出來，從而增加LED的整體發(fā)光亮度。
采用本實用新型高亮度白光二極管，相對現(xiàn)有白光二極管，亮度可以由7850-8500mcd(毫燭光)增加到8250-9200mcd，亮度增加明顯。
以上所述之最佳實施例意在具體說明本實用新型的思路在發(fā)光晶片的底面和碗底之間添加熒光粉，以降低底部的光損耗，增加LED亮度。本實用新型之實施，并不限于以上最佳實施例所公開的方式，凡基于上述設(shè)計思路，進行簡單推演與替換，得到的具體的白光LED，都屬于本實用新型的實施。
權(quán)利要求1.一種高亮度白光二極管，包括支架(10)、導(dǎo)線(30)、晶片(40)和包圍晶片(40)頂面及周邊側(cè)面的熒光粉(20)，其特征在于所述晶片(40)的底面與支架上的碗底(11)之間設(shè)有熒光粉(50)。
2.如權(quán)利要求1所述的高亮度白光二極管，其特征在于所述晶片(40)是藍光晶片。
3.如權(quán)利要求2所述的高亮度白光二極管，其特征在于所述藍光晶片是氮銦鎵材質(zhì)。
4.如權(quán)利要求1至3任一所述的高亮度白光二極管，其特征在于所述熒光粉(20)為釔鋁石榴石熒光粉。
5.如權(quán)利要求1至3任一所述的高亮度白光二極管，其特征在于所述熒光粉(50)為釔鋁石榴石熒光粉。
專利摘要一種高亮度白光二極管，包括支架(10)、導(dǎo)線(30)、晶片(40)和包圍晶片(40)頂面及周邊側(cè)面的熒光粉(20)，并且所述晶片(40)的底面與支架上的碗底(11)之間設(shè)有熒光粉(50)。所述晶片(40)是藍光晶片，采用InGaN材料。所述熒光粉(20)為YAG熒光粉。所述熒光粉(50)為YAG熒光粉。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本高亮度白光二極管，其亮度高出許多。
文檔編號H01L33/00GK2697829SQ20042004427
公開日2005年5月4日 申請日期2004年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月30日
發(fā)明者柯榮美, 段永成, 馮智軍 申請人:深圳市藍科電子有限公司