專利名稱：散熱裝置和散熱模組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種散熱裝置和散熱模組。
背景技術(shù)：
當(dāng)CPU芯片走向尺寸細(xì)微化、功能整合化之際，它單位面積所產(chǎn)生的熱能如果能經(jīng)過高熱傳導(dǎo)特性的熱管，快速、均勻分散給與其接觸的散熱片，使局部熱點(diǎn)所可能造成的組件不穩(wěn)定性降至最低，則可能有效增強(qiáng)組件的可靠度及壽命。
請(qǐng)參閱圖1，目前的做法主要是發(fā)熱體20透過熱界面材料21，將熱量傳至散熱器22，然后由熱管23及風(fēng)扇24將熱排出。熱界面材料是用來填補(bǔ)發(fā)熱體與散熱器接觸面之間的空隙，以降低熱阻，達(dá)到快速將熱量轉(zhuǎn)移的目的。值得注意的是，對(duì)于降低熱阻，一般只注意接觸熱阻的降低，但要達(dá)到快速熱傳的目的，熱量均勻分散的機(jī)制是不可或缺的。
為達(dá)到熱均勻分散的目的，業(yè)界現(xiàn)有的方法是在熱界面材料與散熱片之間加一熱擴(kuò)散片，一般由銅制成。請(qǐng)參閱圖2，于2001年6月6日公告的第00228676.9號(hào)中國(guó)專利揭示一種散熱裝置，它包括一鋁擠型散熱器(未標(biāo)示)及一銅金屬板體30。該板體30用作熱擴(kuò)散片，通過散熱器的折邊18固定于基座14的底面15，并且在它與底面15之間涂有熱阻值較低的導(dǎo)熱介質(zhì)(圖未示)。
但是，普通加工方法所制得的熱擴(kuò)散片表面平整度低，將相對(duì)提高接觸熱阻，導(dǎo)致熱傳導(dǎo)速率降低。
因此，有必要提供一種接觸熱阻低、導(dǎo)熱速率高的散熱裝置和散熱模組。

發(fā)明內(nèi)容為解決現(xiàn)有技術(shù)中散熱裝置的熱擴(kuò)散片接觸熱阻高及導(dǎo)熱速率低的問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種接觸熱阻低、導(dǎo)熱速率高的散熱裝置。
本實(shí)用新型的另一目的在于提供一種接觸熱阻低、導(dǎo)熱速率高的散熱模組。
為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的目的，本實(shí)用新型所提供的一種散熱裝置，包括一散熱器，包含一具有一第一表面及與它相對(duì)的第二表面的金屬基座及若干自該基座第一表面向上延伸的散熱鰭片；及一置于該基座第二表面的熱擴(kuò)散片。其中，該熱擴(kuò)散片形成有一納米金膜。
為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的目的，本實(shí)用新型所提供的另一種散熱裝置，包括一具有一第一表面及與它相對(duì)的第二表面的金屬基座；及若干自該基座第一表面向上延伸的散熱鰭片。其中，該基座的第二表面形成有一納米金膜。
為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的另一目的，本實(shí)用新型所提供的散熱模組，包括一發(fā)熱源；及一主要由散熱器組成的散熱裝置，該散熱器包含一具有一第一表面及與它相對(duì)的第二表面的金屬基座及若干自該基座第一表面向上延伸的散熱鰭片。其中，該發(fā)熱源與該散熱器基座的第二表面之間設(shè)置有一納米金膜。
上述納米金膜的厚度可為5-50微米。
相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型于熱擴(kuò)散片或散熱器基座的底面增設(shè)一納米金膜，以提高其表面的平整度。當(dāng)本實(shí)用新型應(yīng)用于CPU的散熱模組時(shí)，因其具有優(yōu)異的接觸表面，可顯著降低接觸熱阻。同時(shí)基于金材料的良好熱均勻擴(kuò)散特性及納米表面結(jié)構(gòu)的特性，也可將熱量快速均勻擴(kuò)散至散熱器，以提高其整體散熱效率。

圖1為現(xiàn)有的散熱裝置及其組成的散熱模組的工作示意圖；圖2為現(xiàn)有的設(shè)有熱擴(kuò)散片的散熱裝置的示意圖；圖3為本實(shí)用新型的第一實(shí)施例的散熱裝置的示意圖；圖4為本實(shí)用新型的采用第一實(shí)施例的散熱裝置的散熱模組的示意圖；圖5為本實(shí)用新型的第二實(shí)施例的散熱裝置的示意圖。
具體實(shí)施方式下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
請(qǐng)參閱圖3，本實(shí)用新型提供的散熱裝置6，包括一散熱器60，由一金屬基座62及若干散熱鰭片64組成；及一熱擴(kuò)散片70。其中，金屬基座62具有頂面620和底面622，散熱鰭片64自該基座62的頂面620向上延伸。該熱擴(kuò)散片70置于該基座62的底面622，并形成有一納米金膜72。
其中，熱擴(kuò)散片70可由銅、鋁或金等熱傳導(dǎo)系數(shù)高的金屬制成。它的厚度的優(yōu)選范圍為50-200微米，最佳為100微米。熱擴(kuò)散片70與該基座底面622之間可涂覆熱界面材料以填補(bǔ)其接觸面的空隙。
納米金膜72通過濺鍍、蒸鍍或化學(xué)氣相沉積法使納米金顆粒沉積于熱擴(kuò)散片70表面而形成。它的厚度的優(yōu)選范圍為5-50微米，最佳厚度為20微米?？梢岳斫獾氖牵瓤蓛H分布于該熱擴(kuò)散片70背對(duì)散熱器的表面，也可同時(shí)分布于該熱擴(kuò)散片70正對(duì)及背對(duì)散熱器的兩表面。
另外，該散熱裝置可進(jìn)一步具有一固定裝置，用以將該熱擴(kuò)散片相對(duì)固定于該散熱器。
請(qǐng)參閱圖4，采用上述散熱裝置6的散熱模組8，包括發(fā)熱源80，由散熱器60與熱擴(kuò)散片70組成的散熱裝置6。其中，形成于熱擴(kuò)散片70的納米金膜72位于發(fā)熱源80與熱擴(kuò)散片70之間。
其中，發(fā)熱源80是CPU芯片。該發(fā)熱源80與納米金膜72之間也可涂覆一熱界面材料層(圖未示)。其主要由散熱膠、相變散熱膠或散熱膏組成。
另外，該散熱模組還可進(jìn)一步包括設(shè)置于散熱器60的熱管或風(fēng)扇，以提高散熱效率。
請(qǐng)參閱圖5，本實(shí)用新型的另一實(shí)施例的散熱裝置9與前一實(shí)施例的主要不同在于，納米金膜92直接形成于散熱器基座(未標(biāo)示)的底面91。
同理，本實(shí)施例的散熱裝置9也可用于組成相應(yīng)的散熱模組(圖未示)。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，現(xiàn)有技術(shù)領(lǐng)域的其它形式的散熱器也可用于本實(shí)用新型，不必限于上述實(shí)施例?？梢岳斫獾氖?，當(dāng)散熱模組工作時(shí)，還可進(jìn)一步包括其它輔助裝置，如扣具或卡扣設(shè)計(jì)等。
相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型在熱擴(kuò)散片或散熱器基座的底面增設(shè)一納米金膜，以提高其表面的平整度。當(dāng)本實(shí)用新型應(yīng)用于CPU的散熱模組時(shí)，因其具有優(yōu)異的接觸表面，可顯著降低接觸熱阻。同時(shí)基于金材料的良好熱均勻擴(kuò)散特性及納米表面結(jié)構(gòu)的特性，也可將熱量快速均勻擴(kuò)散至散熱器，以提高其整體散熱效率。
權(quán)利要求1.一種散熱裝置，包括一散熱器，包含一具有一第一表面及與它相對(duì)的第二表面的金屬基座及若干自該基座第一表面向上延伸的散熱鰭片；及一置于該基座第二表面的熱擴(kuò)散片，其特征在于，該熱擴(kuò)散片形成有一納米金膜。
2.如權(quán)利要求1所述的散熱裝置，其特征在于，上述納米金膜的厚度為5-50微米。
3.如權(quán)利要求1所述的散熱裝置，其特征在于，上述熱擴(kuò)散片由銅、鋁或金等熱傳導(dǎo)系數(shù)高的金屬制成。
4.如權(quán)利要求1所述的散熱裝置，其特征在于，上述熱擴(kuò)散片的厚度為50-200微米。
5.如權(quán)利要求1所述的散熱裝置，其特征在于，上述熱擴(kuò)散片的厚度為100微米。
6.如權(quán)利要求1所述的散熱裝置，其特征在于，上述熱擴(kuò)散片與該基座第二表面之間涂有熱界面材料。
7.一種散熱裝置，包括一散熱器，包含一具有一第一表面及與它相對(duì)的第二表面的金屬基座；及若干自該基座第一表面向上延伸的散熱鰭片；其特征在于，該基座的第二表面形成有一納米金膜。
8.如權(quán)利要求7所述的散熱裝置，其特征在于，上述納米金膜的厚度為5-50微米。
9.一種散熱模組，包括一發(fā)熱源；及一主要由散熱器組成的散熱裝置，其中該散熱器包含一具有一第一表面及與它相對(duì)的第二表面的金屬基座及若干自該基座第一表面向上延伸的散熱鰭片，其特征在于，該發(fā)熱源與該散熱器基座的第二表面之間設(shè)置有一納米金膜。
10.如權(quán)利要求9所述的散熱模組，其特征在于，上述納米金膜的厚度為5-50微米。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種散熱裝置和散熱模組，通過在熱擴(kuò)散片或散熱器基座的底面增設(shè)一納米金膜，以解決現(xiàn)有技術(shù)的散熱裝置的熱擴(kuò)散片接觸熱阻高及導(dǎo)熱速率低的問題。本實(shí)用新型提供的散熱裝置，包括一散熱器，包含一具有一第一表面及與它相對(duì)的第二表面的金屬基座及若干自該基座第一表面向上延伸的散熱鰭片；及一置于該基座第二表面的熱擴(kuò)散片。其中，該熱擴(kuò)散片形成有一納米金膜。本實(shí)用新型進(jìn)一步提供設(shè)有該納米金膜的另一種散熱裝置和散熱模組。
文檔編號(hào)H01L23/367GK2694491SQ20042004393
公開日2005年4月20日 申請(qǐng)日期2004年3月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月20日
發(fā)明者林志泉 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司