專利名稱：漸加溫式錫球熔接裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種漸加溫式錫球熔接裝置，尤其涉及一種在工作中采用輸送裝置的輸送帶內(nèi)部裝設(shè)有加溫裝置，使植球模塊于輸送帶上行進時，對植球模塊進行逐漸的加溫，而使植球模塊中的錫球完全熔解并與芯片的接腳接合，以完成錫球植入的工作。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今高科技電子信息業(yè)的蓬勃發(fā)展，許多高價值的電子產(chǎn)品也具有相當(dāng)優(yōu)越的功能，提供使用者在使用電子產(chǎn)品時的快速與便捷，也帶領(lǐng)人類走向高科技的高文明社會，享受高科技產(chǎn)品下的舒適生活，不論是工作上或平常的生活中，都會利用到高科技的電子產(chǎn)品，而形成各式各種的電子產(chǎn)品充滿在人類生活的周圍，在各式各種的電子產(chǎn)品里，都會裝設(shè)有電子零元件在其中，例如電阻、電容、晶體管、連接器、電路板及芯片等，其中芯片在電路板上指用來管理、分析、處理資料的功能，在電子零元件中，是極為重要的構(gòu)件之一。
而芯片上通常都設(shè)有許多接腳，藉以將芯片中不同作用的功能利用接腳連接于電路板上，并使電路板上的各種電子訊號通過芯片接腳傳入芯片中，利用芯片做處理；也因為芯片的接腳數(shù)量多，同時也排列的相當(dāng)密集，所以，在芯片要裝設(shè)于電路板上時，針對芯片的各個接腳進行固定工作，必定是相當(dāng)麻煩與不便；即有業(yè)者利用熱風(fēng)回流的方式，在芯片的接腳上固設(shè)錫球，如臺灣公告第一八四六0六號「熱風(fēng)回流軟焊機的改良構(gòu)造」新型專利案，其包括有一機體、一發(fā)熱體、網(wǎng)孔板、兩層以上的輸送裝置、一導(dǎo)流裝置、一風(fēng)扇裝置，經(jīng)由風(fēng)扇裝置吹送的風(fēng)可由熱風(fēng)混合區(qū)內(nèi)混合熱風(fēng)成一均勻溫度的熱空氣，而下流經(jīng)過該具小通孔的網(wǎng)孔板，而提供一層穩(wěn)定熱流風(fēng)可均勻地吹送至第一層輸送裝置上的PC板，而一部份熱風(fēng)則由第二層以下的輸送裝置側(cè)邊的導(dǎo)流裝置，使其產(chǎn)生穩(wěn)定均勻的熱風(fēng)流經(jīng)第二層以下的輸送裝置，如此，可同時焊接多層的電路板，以達到提高焊接的生產(chǎn)效率。
上述現(xiàn)有技術(shù)的熱風(fēng)回流軟焊機，利用機體中熱風(fēng)循環(huán)的方式，對電路板上的電子元件進行焊接，然而卻具有諸多缺陷，例如1、熱風(fēng)循環(huán)所能產(chǎn)生的溫度并不高，反而造成錫球熔解速度緩慢，所以電路板上的電子零元件焊接的時間會加長。
2、其利用發(fā)熱裝置產(chǎn)生熱溫，再以風(fēng)扇吹風(fēng)形成熱風(fēng)而于機體中循環(huán)，會形成機體中熱溫不均勻的現(xiàn)像，造成電路板上不同位置處的電子元件的焊接時間不同，即造成錫球熔解的不完全。
3、其機體中一次僅可放置一組錫球熔接器具，待錫球加溫熔解后，必須等待器具取出后，再進行下一組器具的加熱作業(yè)，而形成加熱時間長、加熱速度慢、耗工又費時等缺陷。
4、在器具放入機體內(nèi)部后，即以高溫進行錫球熔解，同時讓芯片由室溫立即變成高溫加熱，容易使芯片因溫差大而產(chǎn)生故障。
由此，根據(jù)上述問題，本實用新型針對芯片接腳的錫球熔接的特性，作一深入地分析與探討，通過鉆研與設(shè)計，進而以鍥而不舍的試作與修改，始設(shè)計出此種以逐漸加溫方式進行錫球熔解的漸加溫式錫球熔接裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的主要目的，在于提供一種漸加溫式錫球熔接裝置，該裝置是一種行進中的輸送裝置，其兩端設(shè)有驅(qū)動軸，并于驅(qū)動軸上卷繞有輸送帶，且在輸送帶間形成容置室，在容置室中設(shè)置有加熱裝置，而在輸送帶上形成預(yù)熱區(qū)、加熱區(qū)、熔解區(qū)以及冷卻區(qū)，當(dāng)裝設(shè)芯片及錫球的植球模塊置于輸送帶上，由輸送帶運送植球模塊行進位移，并先由預(yù)熱區(qū)行進而進入加熱區(qū)，再進入熔解區(qū)，以使植球模塊中的錫球完全熔解，并與芯片的接腳接合后，再進入冷卻區(qū)降溫冷卻，以達到植球模塊逐漸加溫及降溫冷卻的功效。
本實用新型的次要目的，在于輸送帶內(nèi)部的加熱裝置，依溫度的不同而區(qū)分為0℃～150℃的預(yù)熱區(qū)、150℃～190℃的加熱區(qū)、190℃～215℃的熔解區(qū)、215℃～0℃的冷卻區(qū)。
本實用新型的再一目的，在于輸送裝置的輸送帶內(nèi)部的加熱裝置可采用紅外線燈管、熱導(dǎo)管或?qū)峋€圈等加熱器具。
本實用新型的又一目的，在于輸送裝置依照加溫的溫度不同，可分成數(shù)段不同溫度的輸送裝置排列連接在一起，使每一段輸送帶具有不同溫度。
為達成上述目的及構(gòu)造，本實用新型所采用的技術(shù)手段及其功效，茲結(jié)合附圖與本實用新型的實施例詳加說明其構(gòu)造功能如下，以利完全了解。


圖1為本實用新型的立體外觀圖。
圖2為本實用新型的使用狀態(tài)立體外觀圖。
圖3為本實用新型的側(cè)視剖面圖。
圖3A為圖3的A局部放大圖。
圖3B為圖3A錫球熔接放大圖。
圖4為本實用新型的植球模塊立體分解圖。
圖5為本實用新型的實施方式立體外觀圖。
圖6為本實用新型的實施方式側(cè)視圖。
圖7為本實用新型的輸送裝置另一種實施例圖。
圖8為本實用新型的加溫裝置另一種實施例圖。
圖中符號說明1輸送裝置101 預(yù)熱輸送裝置 11 驅(qū)動軸102 加熱輸送裝置 12 輸送帶103 熔解輸送裝置 121 容置室104 冷卻輸送裝置2加熱裝置21 預(yù)熱區(qū) 23 熔解區(qū)22 加熱區(qū) 24 冷卻區(qū)3植球模塊31 基座 321 限位孔311 容置空間 33 金屬網(wǎng)板312 出風(fēng)孔 331 錫球定位孔32 限位件4芯片41 接腳5錫球6收集區(qū)具體實施方式
請參閱圖1、圖2、圖3所示，為本實用新型的立體外觀圖、使用狀態(tài)立體外觀圖、側(cè)視剖面圖，由圖中可以清楚看出，本實用新型的錫球熔接裝置為由輸送裝置1、加熱裝置2、植球模塊3等所組成，其中該輸送裝置1于兩端分別設(shè)有驅(qū)動軸11，且于驅(qū)動軸11上卷繞有輸送帶12，并在輸送帶12間形成容置室121。
該加熱裝置2裝設(shè)于輸送帶12的容置室121內(nèi)，而加熱裝置2依序可分成由0℃～150℃、150℃～190℃、190℃～215℃及215℃～0℃等多段不同溫度，且0℃～150℃為預(yù)熱區(qū)21，150℃～190℃則為加熱區(qū)22，190℃～215℃的熔解區(qū)23及215℃～0℃的冷卻區(qū)24。
該植球模塊3具有基座31、限位件32及金屬網(wǎng)板33等構(gòu)件，其中該基座31內(nèi)部具有容置空間311(請同時參閱圖4所示)，并于容置空間311內(nèi)設(shè)有復(fù)數(shù)個出風(fēng)孔312，且容置空間311內(nèi)可置入限位件32，限位件32中具有限位孔321，而可于限位孔321內(nèi)置入芯片4，并使芯片4的接腳41朝上方放置，再于芯片4上方置入金屬網(wǎng)板33，且金屬網(wǎng)板33上設(shè)復(fù)數(shù)個錫球定位孔331，并使錫球定位孔331對位于芯片4的接腳41，再于金屬網(wǎng)板33的錫球定位孔331中置入錫球5。
上述構(gòu)件將植球模塊3置于輸送裝置1的輸送帶12上(請同時參閱圖3、圖3A、圖3B所示)，并由輸送帶12帶動對植球模塊3行進位移，使植球模塊3由輸送帶12的預(yù)熱區(qū)21進入，受到0℃～150℃的加溫，然后進入加熱區(qū)22，且受到150℃～190℃的加溫，最后該植球模塊3再進入熔解區(qū)23，并受到190℃～215℃的加溫，利用加熱裝置2以漸序加溫方式對植球模塊3進行加溫，使熱溫由基座31的出風(fēng)孔312進入容置空間311內(nèi)，使置于容置空間311內(nèi)金屬網(wǎng)板33上錫球定位孔331中的錫球5因受到漸加溫的加熱方法，以將錫球5熔化并接合于芯片4的接腳41上，再使植球模塊3進入冷卻區(qū)24，進行215℃～0℃的降溫冷卻，完成錫球5熔接的作業(yè)。
請參閱圖5、圖6所示，為本實用新型的實施方式立體外觀圖、實施方式側(cè)視圖，該輸送帶裝置1為于末端處設(shè)有冷卻區(qū)24，而于輸送裝置1的輸送帶12上可連續(xù)放置復(fù)數(shù)個植球模塊3，而通過輸送帶12將復(fù)數(shù)個植球模塊3陸續(xù)輸送由預(yù)熱區(qū)21、加熱區(qū)22再進入熔解區(qū)23，將植球模塊3中的錫球5予以完全熔解，且可持續(xù)對復(fù)數(shù)個植球模塊3進行加熱，達到提高工作效率的功效，而植球模塊3在經(jīng)過熔解區(qū)23后，再進入冷卻區(qū)24進行降溫冷卻，以使植球模塊3在冷卻區(qū)24中，于室溫下進行冷卻，或利用冷卻風(fēng)扇吹送冷風(fēng)，使冷卻區(qū)24內(nèi)的植球模塊3冷卻，再將植球模塊3集中于收集區(qū)6內(nèi)收存。
再請參閱圖7、圖8所示，為本實用新型的輸送帶另一種實施例圖、加溫裝置另一種實施例圖，其中，根據(jù)漸加溫式錫球熔接裝置不同的溫度區(qū)別，而將輸送裝置1分成數(shù)段型式，成為預(yù)熱區(qū)21的預(yù)熱輸送裝置101、加熱區(qū)22的加熱輸送裝置102、熔解區(qū)23的熔解輸送裝置103及冷卻區(qū)24的冷卻輸送裝置104，且以排列組合成連續(xù)式的輸送狀態(tài)，構(gòu)成一整體的輸送裝置1，而能利用各區(qū)段的溫度差別，對植球模塊3進行逐漸加溫，使植球模塊3中的錫球5熔解，完成焊接的作業(yè)。
上述詳細說明，僅針對本實用新型的較佳實施例說明而已，該實施例并非用以局限本實用新型的申請專利范圍，舉凡其它未脫離本實用新型所揭示的技藝精神下所完成的均等變化與修飾變更，均應(yīng)包含于本實用新型所涵蓋的專利范圍中。
本實用新型的漸加溫式錫球熔接裝置，利用輸送帶中區(qū)段不同的熱溫特性，使植球裝置中的錫球由低溫漸移至高溫處，再熔解焊接于芯片的接腳，而防止芯片因短時間的溫差變化而產(chǎn)生故障，并可在輸送帶上連續(xù)放置多個植球模塊進行焊接作業(yè)，達到提高工作效率的目的。
綜上所述，本實用新型的漸加溫式錫球熔接裝置在使用時，確實能達到其功效及目的，故本實用新型誠為一實用性優(yōu)異的設(shè)計，符合實用新型專利申請的要件，依法提出申請。
權(quán)利要求1.一種漸加溫式錫球熔接裝置，其主要于輸送裝置兩端設(shè)有驅(qū)動軸，并于驅(qū)動軸上卷繞有輸送帶，而在卷繞的輸送帶間形成容置室，其特征在于該輸送帶的容置室內(nèi)設(shè)置有加熱裝置，且加熱裝置依其溫度高低不同，而在輸送帶上形成預(yù)熱區(qū)、加熱區(qū)、熔解區(qū)及冷卻區(qū)，植球模塊置于輸送帶上。
2.如權(quán)利要求1所述的漸加溫式錫球熔接裝置，其中該加熱裝置的預(yù)熱區(qū)溫度為0℃～150℃之間。
3.如權(quán)利要求1所述的漸加溫式錫球熔接裝置，其中該加熱裝置的加熱區(qū)溫度為150℃～190℃之間。
4.如權(quán)利要求1所述的漸加溫式錫球熔接裝置，其中該加熱裝置的熔解區(qū)溫度為190℃～215℃之間。
5.如權(quán)利要求1所述的漸加溫式錫球熔接裝置，其中該加熱裝置的冷卻區(qū)溫度為215℃～0℃之間。
6.如權(quán)利要求1所述的漸加溫式錫球熔接裝置，其中該加熱裝置的加熱源為紅外線燈管。
7.如權(quán)利要求1所述的漸加溫式錫球熔接裝置，其中該加熱裝置的加熱源為導(dǎo)熱線圈。
8.如權(quán)利要求1所述的漸加溫式錫球熔接裝置，其中該加熱裝置的加熱源為熱導(dǎo)管。
9.如權(quán)利要求1所述的漸加溫式錫球熔接裝置，其中該輸送裝置于末端設(shè)有冷卻區(qū)。
10.如權(quán)利要求1所述的漸加溫式錫球熔接裝置，其中該植球模塊由基座、限位件、金屬網(wǎng)板所構(gòu)成，該基座內(nèi)部具有容置空間，容置空間底部設(shè)有復(fù)數(shù)個出風(fēng)孔，而該容置空間中可供限位件及金屬網(wǎng)板置入，且限位件中具有限位孔，該金屬網(wǎng)板上則設(shè)有復(fù)數(shù)個錫球定位孔。
專利摘要本實用新型涉及一種漸加溫式錫球熔接裝置，尤指在輸送裝置中設(shè)置逐漸加溫的區(qū)段，對植球模塊中的錫球進行逐漸加溫熔解，而使錫球熔接于芯片的接腳上；該熔接裝置于工作用的輸送裝置兩端設(shè)有驅(qū)動軸，并于驅(qū)動軸上卷繞有輸送帶，且在輸送帶間形成容置室以供設(shè)置加熱裝置，再將植球模塊置于輸送帶上，即通過輸送帶運送植球模塊行進位移，且分別經(jīng)過輸送帶上形成的預(yù)熱區(qū)、加熱區(qū)、熔解區(qū)及冷卻區(qū)，使植球模塊中的錫球熔解，并熔接于芯片的接腳上，再加施以降溫冷卻以完成錫球溶接的加熱；而輸送帶上可重復(fù)置放多個植球模塊，以達到提升加熱數(shù)量及速度的功效。
文檔編號H01L21/02GK2691049SQ20042000231
公開日2005年4月6日 申請日期2004年2月3日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月3日
發(fā)明者李宏祺 申請人:德邁科技有限公司