專利名稱:掩模及其制造方法、有機(jī)el裝置的制造方法和有機(jī)el裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及掩模、掩模的制造方法、有機(jī)EL裝置的制造方法和有機(jī)EL裝置。
背景技術(shù):
作為制造低分子全色有機(jī)EL面板的方法,為了在玻璃基板上涂布RGB各色發(fā)光層,有借助于掩模選擇性形成蒸鍍圖案的方法。例如,采用金屬掩模作為掩模的情況下,利用配置在玻璃基板上方的永久磁鐵使掩模密接在基板側(cè)的狀態(tài)下進(jìn)行蒸鍍。然而,利用掩模制造大型面板的情況下,由于掩模與基板的熱膨脹系數(shù)差別大,所以掩模與玻璃基板的互相位置會(huì)發(fā)生移動(dòng),出現(xiàn)不能在目的位置上蒸鍍的問題。
于是就使用與玻璃基板的熱膨脹系數(shù)差小,而且能用MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))技術(shù)精確加工的單晶硅晶片的蒸鍍掩模進(jìn)行了開發(fā)。而且在專利文獻(xiàn)1中,公開了一種通過將多個(gè)小Si掩模晶片設(shè)置在設(shè)有開口部的大型基體材料上,試圖提高該掩模強(qiáng)度的技術(shù)。
專利文獻(xiàn)1特開2003-100460號(hào)公報(bào)。
然而上述專利文獻(xiàn)1的技術(shù)中,當(dāng)將Si掩模晶片固定在開口部時(shí),有時(shí)會(huì)產(chǎn)生微小彎曲。由于這種彎曲的產(chǎn)生,就會(huì)在作為被蒸鍍部件(成膜對(duì)象部件)的玻璃基板與掩模之間產(chǎn)生間隙,其結(jié)果就有使蒸鍍圖案模糊之虞。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是鑒于這種情況而提出的,其目的在于提供一種作為蒸鍍等的掩??煽啃愿?、能以高精度在作為成膜對(duì)象部件的玻璃基板等上形成所需的膜圖案的掩模,及其制造方法。此外本發(fā)明目的還在于提供一種采用這種掩模的有機(jī)EL裝置的制造方法。
為了解決上述課題,本發(fā)明的掩模,其特征在于,其中具備帶有第一開口部的第一基板、帶有起著該掩模的掩模開口部作用的多個(gè)第二開口部的第二基板,將所述的第二開口部設(shè)置在所述的第一開口部?jī)?nèi),將所述的第二基板相對(duì)于所述的第一基板部分接合。
本發(fā)明人經(jīng)過深入研究后發(fā)現(xiàn),將上述Si掩模晶片固定在大型基體材料上時(shí)產(chǎn)生的彎曲,是在其固定方法上有問題,因而完成了本發(fā)明。也就是說,將帶有掩模用開口部的第二基板,相對(duì)于帶有第一開口部的第一基板接合時(shí),將該第二基板與第一基板部分接合的情況下,即使基板上產(chǎn)生膨脹和收縮,在非接合部分內(nèi)也能緩和基板的膨脹和收縮,因而能消除因基板彎曲而產(chǎn)生的不利。其結(jié)果在成膜對(duì)象部件與掩模之間很難產(chǎn)生間隙,例如能夠利用該掩模蒸鍍等方式以高精度形成所需的膜圖案。而且本發(fā)明中由于第二基板形成為被第一基板所增強(qiáng)的形態(tài),所以將形成為強(qiáng)度高的基板。
此外,能夠制成用粘接劑將所述第一基板與所述第二基板接合而成的基板,能夠制成使該粘接劑在一個(gè)第二基板上部分形成的基板。這種情況下,由于能以高精度形成所需的膜圖案,且用粘接劑接合非常簡(jiǎn)便,所以能以廉價(jià)提供該掩模。此外,還能制成將所述第二基板相對(duì)于所述第一基板多點(diǎn)接合的基板,以上述方式使用粘接劑的情況下,能夠形成一種將該粘接劑設(shè)置在一個(gè)第二基板上多處的結(jié)構(gòu)。
而且可以制成所述第二基板形成為矩形形狀,僅在該第二基板的角部相對(duì)于第一基板部分接合的結(jié)構(gòu)?;蛘咭部梢灾瞥蓛H在第二基板主表面相對(duì)向的各邊中的一方相對(duì)于所述第一基板部分接合的結(jié)構(gòu)。此外,還可以制成在所述第二基板主表面各邊中膨脹率最大邊的中心部相對(duì)于所述第一基板部分接合的結(jié)構(gòu)。無論哪種結(jié)構(gòu),都可以用該掩模以高精度形成所需的膜圖案。
此外,還可以制成用共同粘接劑將兩個(gè)以上第二基板相對(duì)于所述第一基板接合而成的結(jié)構(gòu)。這樣能夠在將對(duì)基板的粘接劑涂布工序簡(jiǎn)化的同時(shí),還能提高第一基板與第二基板間的接合強(qiáng)度。
不僅如此,還能夠制成在各基板上設(shè)置將所述第一基板與所述第二基板接合時(shí)的排列標(biāo)記,在該排列標(biāo)記附近使各基板接合而成的結(jié)構(gòu)。這種情況下,與在排列標(biāo)記上間隔地形成接合部的情況相比,第一基板與第二基板之間的位置吻合將變得相對(duì)容易。
本發(fā)明的掩模中,可以制成在硅晶片上形成所述第二基板的結(jié)構(gòu)。這樣在硅晶片上形成第二基板的情況下,該掩模與作為成膜對(duì)象的玻璃基板等之間的熱膨脹系數(shù)之差將會(huì)減小,掩模與成膜對(duì)象部件之間的相互位置移動(dòng)變難。
其次,為解決上述課題,本發(fā)明的掩模制造方法,其特征在于,其中包括將帶有第一開口部的第一基板和帶有起著掩模開口部作用的多個(gè)第二開口部的第二基板粘合,使所述第二開口部位于所述第一開口部?jī)?nèi)的粘合工序,在所述粘合工序中,將所述第一基板與所述第二基板部分粘合。采用這種制造方法,能夠適當(dāng)制造出上述的本發(fā)明的掩模。其中在粘合工序中,可以制成用粘接劑將所述第一基板與所述第二基板粘合的結(jié)構(gòu),使該粘接劑相對(duì)于所述第一基板和/或所述第二基板部分形成的結(jié)構(gòu)。
而且還可以采用在主表面為矩形形狀的基板作為所述第二基板,在所述粘合工序中,僅將所述第二基板的角部相對(duì)于所述第一基板部分接合的形式。而且在所述粘合工序中,也可以僅將所述第二基板主表面相對(duì)各邊中的一方相對(duì)于所述第一基板部分接合。此外,在所述粘合工序中,還可以將所述第二基板在該第二基板的主表面各邊中膨脹率最大邊的中心部分附近,相對(duì)于所述第一基板部分接合。
接著,本發(fā)明的有機(jī)EL裝置的制造方法,其特征在于,采用上述本發(fā)明的掩模形成有機(jī)EL元件。在有機(jī)EL裝置中,例如當(dāng)利用蒸鍍法能使形成發(fā)光層的發(fā)光材料(有機(jī)材料)成膜的情況下,借助于上述掩模進(jìn)行這種蒸鍍時(shí),能夠得到一種具備所定圖案的發(fā)光層的可靠性高的有機(jī)EL裝置。
圖1是表示有關(guān)本發(fā)明掩模的一種實(shí)施方式的俯視示意圖的剖面模式圖。
圖2是示意表示圖1中掩模要部的放大俯視圖和剖面圖。
圖3是表示第一基板大體構(gòu)成的俯圖。
圖4是表示第二基板大體構(gòu)成的俯視圖。
圖5是圖1中掩模制造方法說明用剖面模式圖。
圖6是圖1中掩模制造方法說明用剖面模式圖。
圖7是表示本發(fā)明掩模的幾個(gè)變形例的俯視模式圖。
圖8是本發(fā)明涉及的有機(jī)EL裝置的一種制造方法說明用俯視模式圖和剖面模式圖。
圖9是本發(fā)明涉及的有機(jī)EL裝置的一種制造方法說明用俯視模式圖和剖面模式圖。
圖10是表示本發(fā)明涉及的有機(jī)EL裝置的一種實(shí)施方式的剖面模式圖。
圖11是表示電子儀器的一種實(shí)施方式的立體圖。圖中,10…第一基板;12…開口部(第一開口部);20…第二基板;22…貫通孔(第二開口部);91…粘接劑具體實(shí)施方式
以下參照
本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。
圖1(A)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的掩模的俯視圖,圖1(B)是圖1(A)中沿著IB-IB線的剖面圖。圖2(A)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的掩模要部的放大俯視圖,圖2(B)是圖2(A)中沿著IIB-IIB線的剖面圖。本實(shí)施方式的掩模,構(gòu)成得具有第一基板10,和至少一個(gè)(圖1(A)所示的實(shí)例中是多個(gè))第二基板20。圖3是表示第一基板10的大體構(gòu)成的俯視圖,圖4是表示第二基板20的大體構(gòu)成的俯視圖。
第一基板10能由玻璃基板等透明基板構(gòu)成。在第一基板10上以矩形形狀形成至少一個(gè)(圖1(A)所示的實(shí)例中是多個(gè))開口部12,制成能將第二基板20鑲嵌在該開口部12內(nèi)的形狀接合,因此,能將第一基板制成所謂的框架。開口部12的開口面積,可以制得比第二基板20的主面面積小。但是開口部12要比后述的在第二基板20中多個(gè)貫通孔22的形成區(qū)域大。
在第一基板10上形成有第一排列標(biāo)記14。將該第一基板與第二基板粘合時(shí)利用第一排列標(biāo)記14對(duì)位置進(jìn)行吻合。第一排列標(biāo)記14能用金屬膜形成,或者用蝕刻法形成。而且在第一基板10上形成有確定掩模位置用的標(biāo)記16。掩模定位標(biāo)記16,是在用本實(shí)施方式的掩模進(jìn)行蒸鍍等時(shí),作為該掩模位置吻合用的。掩模定位標(biāo)記16也能用金屬膜形成。其中還可以在第二基板20上形成掩模定位標(biāo)記16。
第二基板20,形成為與上述開口部12大體相似的矩形,并形成有多個(gè)貫通孔22(參見圖2(A)和圖(B))。貫通孔22的形狀,可以正方形、平行四邊形、圓形等任何形狀。根據(jù)貫通孔的形狀、排列和個(gè)數(shù)可以構(gòu)成掩模圖案,因此可以將第二基板叫作柵網(wǎng)(screen)面板。
在第二基板20上形成有第二排列標(biāo)記24。使用第一和第二排列標(biāo)記14和24,使第一和第二基板10和20位置吻合。第二排列標(biāo)記24可以用蝕刻法在第二基板20上形成,也可以用金屬膜形成。
可以將多個(gè)第二基板20安裝在第一基板10上。如圖2(A)所示,可以將第二基板20安裝得使多個(gè)貫通孔22被配置在第一基板10開口部20的內(nèi)側(cè)。具體講,第二基板20的外周部,被安裝在第一基板10開口部12的開口周邊部,與一個(gè)開口部12對(duì)應(yīng)地安裝有一個(gè)第二基板20。第二基板20,被安裝在與第一基板10中形成了第一排列標(biāo)記14面的反面一側(cè)上,本實(shí)施方式中,事先用粘接劑91將第一和第二基板10和20粘結(jié)起來,第二基板20由能與第一基板10粘接的材料(例如硅)構(gòu)成。
粘接劑91事先在第二基板20的角部部分形成,僅在該角部與第一基板10接合的。因此,與在第二基板20的全周上涂布粘接劑,并將該全周粘接在第一基板10上的構(gòu)成相比,基板的自由度高,例如在粘接工序中,即使因熱等而膨脹的情況下,難以發(fā)生該第二基板20產(chǎn)生彎曲的不利情況。
以下,圖5是說明本實(shí)施方式涉及的掩模制造方法的剖面示意圖。首先,準(zhǔn)備由玻璃制成的第一基板10和由單晶硅制成的第二基板20??梢圆捎脟娚胺ㄐ纬傻谝换?0中的開口部12。而且關(guān)于第一基板10上第一排列標(biāo)記14或者掩模定位標(biāo)記的形成,既可以采用濺射法和蒸鍍法等,也可以采用蝕刻法。
在第二基板20上形成多個(gè)貫通孔22。其形成,可以采用蝕刻法(例如結(jié)晶面方向依存性具有各向異性的蝕刻法)。貫通孔22的壁面,既可以垂直于第二基板20的表面(主面),也可以傾斜。如圖4所示,用硅晶片26形成第二基板20的情況下,將該硅晶片26切成所需的形狀后可以得到第二基板20。根據(jù)這種方法,第二基板20的平坦度,即(最大高度)-(最小高度)將達(dá)到5微米左右。其中,為了形成第二基板20中的第二排列標(biāo)記24,既可以采用蝕刻法,也可以采用濺射法和蒸鍍法等。
然后在第一基板10的各開口部12的外周的一角部涂布粘接劑91。作為粘接劑91,可以采用粘接強(qiáng)度高、在真空中的排出氣體少的環(huán)氧系UV固化粘接劑(光固化性粘接劑),另外還可以采用熱固性樹脂等。其中粘接劑91例如既可以在矩形形狀第二基板20的一個(gè)角部涂布,也可以在第一基板10的一個(gè)角部和第二基板20一個(gè)角部的二者上涂布。
將這種第一基板10和第二基板20的位置互相吻合,借助于上述涂布的粘接劑互相粘合起來。這里要將多個(gè)第二基板20在第一基板10的一面?zhèn)扰渲玫没ゲ恢睾稀6覟榱藢?shí)現(xiàn)位置吻合,將使用第一和第二排列標(biāo)記14、24。將第一和第二基板10和20進(jìn)行位置吻合后,通過對(duì)粘接劑照射光線,將第一基板10與第二基板20粘接在一起。
采用這種方法時(shí),第二基板20由于能被第一基板10補(bǔ)強(qiáng),所以能夠制造強(qiáng)度大的掩模。而且由于僅在一個(gè)角部涂布粘接劑91粘接的,所以第一和/或第二基板10、20即使產(chǎn)生膨脹和收縮,在非接合部分(非粘接部分)基板的膨脹和收縮也可以得到緩和,因而能消除基板產(chǎn)生彎曲等不利情況。其結(jié)果在成膜對(duì)象部件與掩模之間很難產(chǎn)生空隙,通過蒸鍍等實(shí)施方式的掩模能以高精度形成所需的膜圖案。
而且如圖6所示,當(dāng)多個(gè)第二基板20的厚度存在不均等使其高度不均勻的情況下,也可以利用磨石40等對(duì)第二基板20的表面進(jìn)行研磨。采用這種方法,由于多個(gè)第二基板20的表面將平坦化,所以能夠提高與進(jìn)行蒸鍍等對(duì)象物品的密接性。
圖7是表示本實(shí)施方式的變形例的圖。即是表示涂布粘接劑91之處,也可以不僅如圖1(A)所示在開口部12的一個(gè)角部,而是如圖7(a)所示,在開口部12的一邊部涂布粘接劑91。
而且還可以如圖7(b)所示,在開口部12的一邊部的中心附近涂布粘接劑91。
此外還可以如圖7(c)所示,在開口部12的多個(gè)邊緣部,特別是僅在相對(duì)各邊中的一側(cè)涂布粘接劑91c。這種情況下,在構(gòu)成角部的兩個(gè)邊部將被涂布粘接劑91c、91c。而且在這種情況下,也可以如圖7(d)所示在開口部12各邊部的中心附近涂布粘接劑91d。另外,特別是當(dāng)開口部12的各邊部中膨脹率最大的邊部中心附近涂布粘接劑的情況下,基板的自由度進(jìn)一步提高,可以進(jìn)一步防止乃至抑制因熱膨脹等引起的基板彎曲。而且還可以如圖7(e)、(f)所示,在多個(gè)開口部12和12之間涂布共同的粘接劑91e。
以下圖8(A)和圖8(B)是說明本發(fā)明實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL裝置制造方法的圖。在圖8(A)所示的掩模50(例如第二基板20)上形成磁體膜52。磁體膜52可以用鐵、鈷、鎳等強(qiáng)磁性材料形成。也可以用Ni、Co、Fe和含有Fe成分的不銹鋼合金等磁性金屬材料,以及將磁性金屬材料與非磁性金屬材料結(jié)合形成磁體膜52。掩模50的其他細(xì)節(jié)如上所述。
本實(shí)施方式中,用掩模50在基板(成膜對(duì)象部件)54上使發(fā)光材料成膜?;?4是形成多個(gè)有機(jī)EL裝置用的,例如玻璃等透明基板。如圖9(A)所示,在基板54上形成電極(例如由ITO等構(gòu)成的透明電極)56或空穴輸送層58。其中也可以形成電子輸送層。
如圖8(A)所示,將掩模50配置得使第二基板20位置處于基板54一側(cè)。事先在基板54的背后配置磁鐵48,使掩模50(第二基板20)上形成的磁體膜處于被吸引的狀態(tài)下。
圖8(B)是掩模位置吻合方法的說明用圖。如上所述,在第一基板上形成有定位用標(biāo)記16。另一方面,在基板54上也形成有定位用標(biāo)記55。利用定位用標(biāo)記16和定位用標(biāo)記55將第一基板10和基板54的位置吻合。
圖9(A)~圖9(C)是說明發(fā)光材料成膜方法的圖。發(fā)光材料,例如是有機(jī)材料,作為低分子有機(jī)材料有羥基喹啉鋁(Alq3),作為高分子有機(jī)材料有聚對(duì)苯撐乙烯醇(PPV)。發(fā)光材料的成膜可以由蒸鍍法進(jìn)行。例如如圖9(A)所示,通過掩模50一邊使紅色發(fā)光材料圖案形成一邊成膜,形成紅色發(fā)光層60。
而且如圖9(B)所示,移動(dòng)掩模50,一邊使綠色發(fā)光材料圖案形成一邊成膜,形成綠色發(fā)光層62。而且如圖9(C)所示,再次移動(dòng)掩模50,一邊使藍(lán)色發(fā)光材料圖案形成一邊成膜,形成藍(lán)色發(fā)光層64。
本實(shí)施方式中,將成為柵網(wǎng)的第二基板20,與第一基板10部分粘接。因此,第二基板20自由度高,難以產(chǎn)生彎曲和翹曲,選擇性蒸鍍的再現(xiàn)性強(qiáng),生產(chǎn)率高。本實(shí)施方式中,在掩模50中,在第一基板10上形成多個(gè)開口部12,第二基板20位于分別與各開口部12對(duì)應(yīng)的位置上。各第二基板20與一個(gè)有機(jī)EL裝置對(duì)應(yīng)。也就是說,使用掩模50能夠制造出一體化的多個(gè)有機(jī)EL裝置。將基板54切斷后,可以得到單個(gè)有機(jī)EL裝置。
圖10是表示經(jīng)過上述發(fā)光材料成膜方法制造的有機(jī)EL裝置示意構(gòu)成的俯視模式圖。有機(jī)EL裝置具有基板54、電極56、空穴輸送層58和發(fā)光層60、62、64等。在發(fā)光層60、62、64上形成有電極66。
電極66例如是陰極電極。這種有機(jī)EL裝置,適于作為顯示裝置(顯示器),可以提供一種在發(fā)光層60、62和64中圖案不均少、可靠性高的顯示。
作為具有上述有機(jī)EL裝置的電子儀器,圖11示出一種移動(dòng)電話機(jī)500。這種移動(dòng)電話機(jī)構(gòu)成中,在顯示部501上具備上述實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置,可以提供可靠性極高的顯示。
另外,本發(fā)明并不限于上述各實(shí)施方式,可以在從技術(shù)方案和說明書中讀出的發(fā)明要點(diǎn)或不違背發(fā)明思想的范圍內(nèi)作出適當(dāng)變更,伴隨這種變更的電光學(xué)裝置用基板的制造方法、電光學(xué)裝置用基板、電光學(xué)裝置和電子儀器等,也都被包括在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種掩模,其特征在于,具備帶有第一開口部的第一基板、和帶有起著該掩模的掩模開口部作用的多個(gè)第二開口部的第二基板,其中所述第二開口部配置在所述第一開口部?jī)?nèi)部,所述第二基板相對(duì)于所述第一基板部分接合而成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模,其特征在于,其中所述第二基板相對(duì)于所述第一基板部分用粘接劑接合,所述粘接劑部分形成在一個(gè)第二基板上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩模,其特征在于,其中所述第二基板相對(duì)于所述第一基板多點(diǎn)接合而成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任何一項(xiàng)所述的掩模,其特征在于,其中所述第二基板形成為矩形形狀,所述第二基板僅在角部相對(duì)于所述第一基板部分接合而成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任何一項(xiàng)所述的掩模,其特征在于,其中所述第二基板形成為矩形形狀,所述第二基板僅在主表面相對(duì)各邊中的一方相對(duì)于所述第一基板部分接合而成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任何一項(xiàng)所述的掩模,其特征在于,其中在所述第二基板的主表面各邊中膨脹率最大邊的中心部附近,相對(duì)于所述第一基板部分接合而成。
7.根據(jù)權(quán)利要求2~6中任何一項(xiàng)所述的掩模,其特征在于,其中兩個(gè)以上第二基板用共同粘接劑結(jié)合。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中任何一項(xiàng)所述的掩模,其特征在于,其中在各基板上設(shè)置所述第一基板與所述第二基板接合時(shí)的排列標(biāo)記,在所述排列標(biāo)記附近使各基板接合而成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~8中任何一項(xiàng)所述的掩模,其特征在于,其中所述第二基板用硅晶片形成。
10.一種掩模的制造方法,其特征在于,其中包括將具備第一開口部的第一基板和具備起著掩模開口部作用的多個(gè)第二開口部的第二基板粘合,使所述第二開口部位于所述第一開口部?jī)?nèi)的粘合工序,在所述粘合工序中,將所述第一基板與所述第二基板部分粘合。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的掩模的制造方法,其特征在于,在所述粘合工序中,借助于粘接劑將所述第一基板與所述第二基板粘合,使所述粘接劑相對(duì)于所述第一基板和/或第二基板部分形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的掩模的制造方法,其特征在于,其中用主表面為矩形形狀的基板作為所述第二基板,在所述粘合工序中,僅將所述第二基板的角部相對(duì)于所述第一基板部分接合。
13.根據(jù)權(quán)利要求10~12中任何一項(xiàng)所述的掩模的制造方法,其特征在于,其中用主表面為矩形形狀的基板作為所述第二基板,在所述粘合工序中,僅將所述第二基板主表面的相對(duì)各邊中的一方相對(duì)于所述第一基板部分接合。
14.根據(jù)權(quán)利要求10~13中任何一項(xiàng)所述的掩模的制造方法,其特征在于,其中在所述粘合工序中,將所述第二基板在該第二基板的主表面各邊中膨脹率最大邊的中心部附近,相對(duì)于所述第一基板部分接合。
15.一種有機(jī)EL裝置的制造方法,其特征在于,采用權(quán)利要求1~9中任何一項(xiàng)所述的掩模形成有機(jī)EL元件。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機(jī)EL裝置的制造方法,其特征在于,用所述掩模使發(fā)光層形成材料形成為所定圖案。
17.一種有機(jī)EL裝置,其特征在于,是用權(quán)利要求15或16所述的制造方法得到的。
全文摘要
提供一種作為蒸鍍等的掩??煽啃愿?、能在作為成膜對(duì)象部件用的玻璃基板等上以高精度形成所需膜圖案的掩模。本發(fā)明的掩模,其特征在于,其中具備帶有第一開口部(12)的第一基板(10)、和帶有起著該掩模的掩模開口部作用的多個(gè)第二開口部(22)的第二基板,所述第二開口部(22)配置在所述第一開口部(12)內(nèi),所述第二基板(20)相對(duì)于所述第一基板(10)部分接合而成。
文檔編號(hào)H01L51/50GK1625311SQ20041009509
公開日2005年6月8日 申請(qǐng)日期2004年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月2日
發(fā)明者桑原貴之, 四谷真一 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社