專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法、電路基板以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法、電路基板以及電子設(shè)備背景技術(shù)眾所周知有在半導(dǎo)體封裝上搭載具有密封部的其它半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體裝置。并且，也周知通過在半導(dǎo)體封裝之間設(shè)置的導(dǎo)電部，可實現(xiàn)兩個半導(dǎo)體封裝之間的電導(dǎo)通。這時，如果能減緩施加在該導(dǎo)電部的力，將可以提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。
專利文獻1特開平6-13541號公報。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可靠性高的半導(dǎo)體裝置及其制造方法、電路基板以及電子設(shè)備。
(1)有關(guān)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，包括第1半導(dǎo)體封裝，其包括具有多個第1焊盤的第1基板、和在所述第1基板上形成了所述第1焊盤的面上面朝下安裝的第1半導(dǎo)體芯片；第2半導(dǎo)體封裝，其包括具有多個第2焊盤的第2基板、在所述第2基板上與形成了所述第2焊盤的面相反的面上搭載的第2半導(dǎo)體芯片、和密封所述第2半導(dǎo)體芯片的密封部，按照與所述第1半導(dǎo)體芯片重疊，且所述第1焊盤與所述第2焊盤相面對的樣子被搭載在所述第1基板上；和焊錫，其被設(shè)置在所述第1基板以及所述第2基板之間，將各個所述第1焊盤與各個所述第2焊盤分別電連接；只是在所述第1基板的角部，用樹脂覆蓋所述焊錫。
根據(jù)本發(fā)明，只是在第1半導(dǎo)體封裝的第1基板的角部，用樹脂覆蓋焊錫。也就是說，只對應(yīng)力容易集中的焊錫用樹脂覆蓋。為此，可以可靠性高并且樹脂使用量少的半導(dǎo)體裝置。
(2)有關(guān)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，包括第1半導(dǎo)體封裝，其包括具有多個第1焊盤的第1基板、和在所述第1基板上形成了所述第1焊盤的面上面朝下安裝的第1半導(dǎo)體芯片；第2半導(dǎo)體封裝，其包括具有多個第2焊盤的第2基板、在所述第2基板上與形成了所述第2焊盤的面相反的面上搭載的第2半導(dǎo)體芯片、和密封所述第2半導(dǎo)體芯片的密封部，按照與所述第1半導(dǎo)體芯片重疊，且所述第1焊盤與所述第2焊盤相面對的樣子被搭載在所述第1基板上；和焊錫，其被設(shè)置在所述第1基板以及所述第2基板之間，將各個所述第1焊盤與各個所述第2焊盤分別電連接；只是在所述第2基板的角部，用樹脂覆蓋所述焊錫。
根據(jù)本發(fā)明，只是在第2半導(dǎo)體封裝的第2基板的角部，用樹脂覆蓋焊錫。也就是說，只對應(yīng)力容易集中的焊錫用樹脂覆蓋。為此，可以可靠性高并且樹脂使用量少的半導(dǎo)體裝置。
(3)有關(guān)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，包括第1半導(dǎo)體封裝，其包括具有多個第1焊盤的第1基板、和在所述第1基板上形成了所述第1焊盤的面上面朝下安裝的第1半導(dǎo)體芯片；第2半導(dǎo)體封裝，其包括具有多個第2焊盤的第2基板、在所述第2基板上與形成了所述第2焊盤的面相反的面上搭載的第2半導(dǎo)體芯片、和密封所述第2半導(dǎo)體芯片的密封部，按照與所述第1半導(dǎo)體芯片重疊，且所述第1焊盤與所述第2焊盤相面對的樣子被搭載在所述第1基板上；和焊錫，其被設(shè)置在所述第1基板以及所述第2基板之間，將各個所述第1焊盤與各個所述第2焊盤分別電連接；所述第2基板的外形是長方形；僅在所述第2基板的短邊的端部，用樹脂覆蓋所述焊錫。
根據(jù)本發(fā)明，只是在第2半導(dǎo)體封裝的第2基板的短邊端部，用樹脂覆蓋焊錫。也就是說，只對應(yīng)力容易集中的焊錫用樹脂覆蓋。為此，可以可靠性高并且樹脂使用量少的半導(dǎo)體裝置。
(4)在該半導(dǎo)體裝置中，也可以是在所述第1半導(dǎo)體封裝上，搭載兩個以上的所述第2半導(dǎo)體封裝。
(5)有關(guān)本發(fā)明的電路基板，安裝有上述半導(dǎo)體裝置。
(6)有關(guān)本發(fā)明的電子設(shè)備，具有上述半導(dǎo)體裝置。
(7)有關(guān)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括準(zhǔn)備第1半導(dǎo)體封裝的步驟，所述第1半導(dǎo)體封裝包括具有多個第1焊盤的第1基板、和在所述第1基板上形成了所述第1焊盤的面上面朝下安裝的第1半導(dǎo)體芯片；準(zhǔn)備第2半導(dǎo)體封裝的步驟，所述第2半導(dǎo)體封裝包括具有多個第2焊盤的第2基板、在所述第2基板上與形成了所述第2焊盤的面相反的面上搭載的第2半導(dǎo)體芯片、和密封所述第2半導(dǎo)體芯片的密封部；將所述第2半導(dǎo)體封裝搭載在所述第1半導(dǎo)體封裝上的步驟，按照讓所述第1半導(dǎo)體芯片與所述第2半導(dǎo)體封裝重疊，并且所述第1焊盤與所述第2焊盤相面對的樣子進行搭載；設(shè)置焊錫和熱固化性樹脂的步驟，在配置在所述第1基板的角部的各個所述第1焊盤和與其分別相面對的各個所述第2焊盤之間進行設(shè)置；設(shè)置焊錫的步驟，在配置在所述第1基板的角部之外的區(qū)域的各個所述第1焊盤和與其分別相面對的各個所述第2焊盤之間進行設(shè)置；然后，加熱所述焊錫以及所述熱固化性樹脂，讓所述焊錫熔化，形成將各個所述第1焊盤與各個所述第2焊盤分別電連接的導(dǎo)電部，并且，讓所述熱固化性樹脂固化，讓其向外側(cè)移動，形成分別覆蓋在所述第1基板的角部上配置的多個所述導(dǎo)電部的樹脂部。
根據(jù)本發(fā)明，只是在第1半導(dǎo)體封裝的第1基板的角部，用樹脂覆蓋焊錫。也就是說，只對應(yīng)力容易集中的焊錫用樹脂覆蓋。為此，可以采用最低限量的樹脂制造可靠性高的半導(dǎo)體裝置。
(8)有關(guān)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括準(zhǔn)備第1半導(dǎo)體封裝的步驟，所述第1半導(dǎo)體封裝包括具有多個第1焊盤的第1基板、和在所述第1基板上形成了所述第1焊盤的面上面朝下安裝的第1半導(dǎo)體芯片；準(zhǔn)備第2半導(dǎo)體封裝的步驟，所述第2半導(dǎo)體封裝包括具有多個第2焊盤的第2基板、在所述第2基板上與形成了所述第2焊盤的面相反的面上搭載的第2半導(dǎo)體芯片、和密封所述第2半導(dǎo)體芯片的密封部；將所述第2半導(dǎo)體封裝搭載在所述第1半導(dǎo)體封裝上的步驟，按照讓所述第1半導(dǎo)體芯片與所述第2半導(dǎo)體封裝重疊，并且所述第1焊盤與所述第2焊盤相面對的樣子進行搭載；設(shè)置焊錫和熱固化性樹脂的步驟，在配置在所述第2基板的角部的各個所述第2焊盤和與其分別相面對的各個所述第1焊盤之間進行設(shè)置；設(shè)置焊錫的步驟，在配置在所述第2基板的角部之外的區(qū)域的各個所述第2焊盤和與其分別相面對的各個所述第1焊盤之間進行設(shè)置；然后，加熱所述焊錫以及所述熱固化性樹脂，讓所述焊錫熔化，形成將各個所述第1焊盤與各個所述第2焊盤分別電連接的導(dǎo)電部，并且，讓所述熱固化性樹脂固化，讓其向外側(cè)移動，形成分別覆蓋在所述第2基板的角部上配置的多個所述導(dǎo)電部的樹脂部。
根據(jù)本發(fā)明，只是在第2半導(dǎo)體封裝的第2基板的角部，用樹脂覆蓋焊錫。也就是說，只對應(yīng)力容易集中的焊錫用樹脂覆蓋。為此，可以采用最低限量的樹脂制造可靠性高的半導(dǎo)體裝置。
(9)有關(guān)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括準(zhǔn)備第1半導(dǎo)體封裝的步驟，所述第1半導(dǎo)體封裝包括具有多個第1焊盤的第1基板、和在所述第1基板上形成了所述第1焊盤的面上面朝下安裝的第1半導(dǎo)體芯片；準(zhǔn)備第2半導(dǎo)體封裝的步驟，所述第2半導(dǎo)體封裝包括具有多個第2焊盤且外形成長方形的第2基板、在所述第2基板上與形成了所述第2焊盤的面相反的面上搭載的第2半導(dǎo)體芯片、和密封所述第2半導(dǎo)體芯片的密封部；將所述第2半導(dǎo)體封裝搭載在所述第1半導(dǎo)體封裝上的步驟，按照讓所述第1半導(dǎo)體芯片與所述第2半導(dǎo)體封裝重疊，并且所述第1焊盤與所述第2焊盤相面對的樣子進行搭載；設(shè)置焊錫和熱固化性樹脂的步驟，在配置在所述第2基板的短邊的端部的各個所述第2焊盤和與其分別相面對的各個所述第1焊盤之間進行設(shè)置；設(shè)置焊錫的步驟，在配置在所述第2基板的短邊的端部之外的區(qū)域的各個所述第2焊盤和與其分別相面對的各個所述第1焊盤之間進行設(shè)置；然后，加熱所述焊錫以及所述熱固化性樹脂，讓所述焊錫熔化，形成將各個所述第1焊盤與各個所述第2焊盤分別電連接的導(dǎo)電部，并且，讓所述熱固化性樹脂固化，讓其向外側(cè)移動，形成分別覆蓋在所述第2基板的短邊的端部上配置的多個所述導(dǎo)電部的樹脂部。
根據(jù)本發(fā)明，只是在第2半導(dǎo)體封裝的第2基板的短邊端部，用樹脂覆蓋焊錫。也就是說，只對應(yīng)力容易集中的焊錫用樹脂覆蓋。為此，可以采用最低限量的樹脂制造可靠性高的半導(dǎo)體裝置。
(10)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，也可以是在1個所述第1半導(dǎo)體封裝上搭載2個以上的所述第2半導(dǎo)體封裝。


圖1(A)以及圖1(B)是用于說明適用了本發(fā)明的有關(guān)第1實施方式的半導(dǎo)體裝置圖。
圖2(A)以及圖2(B)是用于說明適用了本發(fā)明的有關(guān)第1實施方式的半導(dǎo)體裝置圖。
圖3(A)～圖3(C)是用于說明適用了本發(fā)明的有關(guān)第1實施方式的半導(dǎo)體裝置圖。
圖4表示安裝適用了本發(fā)明的有關(guān)實施方式的半導(dǎo)體裝置的電路基板圖。
圖5(A)以及圖5(B)是用于說明適用了本發(fā)明的有關(guān)第1實施方式變形例的半導(dǎo)體裝置圖。
圖6是用于說明適用了本發(fā)明的有關(guān)第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法圖。
圖7(A)以及圖7(B)是用于說明適用了本發(fā)明的有關(guān)第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法圖。
圖8(A)以及圖8(B)是用于說明適用了本發(fā)明的有關(guān)第2實施方式的半導(dǎo)體裝置圖。
圖9(A)以及圖9(B)是用于說明適用了本發(fā)明的有關(guān)第2實施方式的半導(dǎo)體裝置圖。
圖10表示具有適用了本發(fā)明的有關(guān)實施方式的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備圖。
圖11表示具有適用了本發(fā)明的有關(guān)實施方式的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備圖。
圖中10-第1基板；12-第1焊盤；20-第1半導(dǎo)體芯片；30-第2基板；32-第2焊盤；40-第2半導(dǎo)體芯片；50-密封部；60-焊錫；70-樹脂；100-第1半導(dǎo)體封裝；200-第2半導(dǎo)體封裝。
具體實施例方式
下面，參照附圖對適用了本發(fā)明的實施方式進行說明。但是，本發(fā)明并不限定于以下的實施方式。
(第1實施方式)圖1(A)～圖4是用于對適用了本發(fā)明的有關(guān)第1實施方式的半導(dǎo)體裝置進行說明的圖。
有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置包括第1半導(dǎo)體封裝100。下面，對第1半導(dǎo)體封裝100進行說明。還有，圖1(A)和圖1(B)是用于說明第1半導(dǎo)體封裝100的圖。這里，圖1(A)是第1半導(dǎo)體封裝100的平面圖，圖1(B)是圖1(A)的IB-IB線截面的放大圖。
第1半導(dǎo)體封裝100具有第1基板10。對第1基板10的材料沒有特別限定，可以是有機類(比如環(huán)氧樹脂基板)，無機類(比如陶瓷基板、玻璃基板)，或者，這些材料的復(fù)合結(jié)構(gòu)(比如玻璃環(huán)氧樹脂基板)。第1基板10可以是剛性基板，這時，也可以將第1基板10稱作插入件?；蛘?，第1基板10也可以是聚酯基板和聚酰亞胺基板等柔軟性基板。第1基板10也可以是COF(Chip On Film)用的基板和TAB(Tape AutomatedBonding)用的基板。另外，第1基板10可以是由單層構(gòu)成的單層基板，也可以是具有層疊的多層的層疊基板。因此，對第1基板10的形狀和厚度也沒有特別限定。
第1基板10具有多個第1焊盤12。第1焊盤12，比如，也可以用銅(Cu)和鋁(Al)形成薄且平的形狀。另外，第1焊盤12的平面形狀也沒有特別限定，比如可以是圓形(參照圖1(A))，或者也可以是矩形(圖中沒有畫出)。如圖1(A)和圖1(B)所示，第1焊盤12也可以避開搭載第1半導(dǎo)體芯片20的區(qū)域進行配置。另外，第1基板10也可以具有焊盤14(參照圖1(B))。焊盤14是用于與后述的第1半導(dǎo)體芯片20電連接的焊盤。焊盤14，也可以被放置在第1基板10的形成了第1焊盤12的面上。焊盤14，也可以被放置在搭載第1半導(dǎo)體芯片20的區(qū)域中。第1基板10，也可以進一步具有焊盤15(參照圖1(B))。在焊盤15中，設(shè)置后述的外部端子18，用于與母板等電連接。焊盤15可以被設(shè)置在第1基板10中的形成了第1焊盤12相反一側(cè)的面上。
第1半導(dǎo)體封裝100，如圖1(A)和圖1(B)所示，具有第1半導(dǎo)體芯片20。第1半導(dǎo)體芯片20具有包括晶體管和存儲器元件等的集成電路22。另外第1半導(dǎo)體芯片20具有電極24。這時，電極24與第1半導(dǎo)體芯片20的內(nèi)部電連接。第1半導(dǎo)體芯片20，倒裝在第1基板10上。具體地說，第1半導(dǎo)體芯片20，如圖1(B)所示，按照形成集成電路22的面(有源面)與第1基板10相對的樣子被搭載。第1半導(dǎo)體芯片20被安裝在第1基板10上的形成了第1焊盤12的面上。并且，電極24和焊盤14相面對并電連接。如圖1(A)和圖1(B)所示，第1半導(dǎo)體芯片20也可以由樹脂部26固定在第1基板10上。
有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置包括第2半導(dǎo)體封裝200。下面，對第2半導(dǎo)體封裝200進行說明。圖2(A)和圖2(B)是用于說明第2半導(dǎo)體封裝200的圖。這里，圖2(A)是第2半導(dǎo)體封裝200的平面圖。圖2(B)是圖2(A)的IIB-IIB橫截面放大圖。
第2半導(dǎo)體封裝200具有第2基板30。對第2基板30的材料或者結(jié)構(gòu)也沒有特別限定，可以應(yīng)用任何關(guān)于第1基板10所說明的內(nèi)容。
第2基板30具有多個第2焊盤32。第2焊盤32的材料以及形狀也可以應(yīng)用關(guān)于第1焊盤12所說明的任意一項內(nèi)容。第2焊盤32，在把第2半導(dǎo)體封裝200搭載到第1半導(dǎo)體封裝100上時，按與第1半導(dǎo)體芯片20不重疊的樣子放置(參照圖3(B))。換句話說，第2焊盤32，配置在在第2基板30上避開與第1半導(dǎo)體芯片20重疊的區(qū)域。另外，第2基板30進一步具有焊盤34。焊盤34是用于與后述的第2半導(dǎo)體芯片40電連接的焊盤。焊盤34，也可以在第2基板30的形成第2焊盤32相反一側(cè)的面上形成。
第2半導(dǎo)體封裝200具有第2半導(dǎo)體芯片40。第2半導(dǎo)體芯片40也可以具有集成電路42。另外第2半導(dǎo)體芯片40也可以具有電極44。這時，電極44也可以與第2半導(dǎo)體芯片40的內(nèi)部電連接。第2半導(dǎo)體芯片40被搭載在第2基板30上于形成了第2焊盤32的面相反一側(cè)面上。也就是說，第2半導(dǎo)體芯片40也可以被搭載在第2基板30上的形成了焊盤34的面上。第2半導(dǎo)體芯片40，比如，也可以面朝上焊接在第2基板30上。也就是說，如圖2(B)所示，第2半導(dǎo)體芯片40，也可以被搭載在與形成了集成電路42的面(有源面)相反的面上并與第2基板30相對。而且，第2半導(dǎo)體芯片40的電極44和第2基板30的焊盤34也可以通過電線46電連接。但是，這里對第2半導(dǎo)體芯片40的安裝方式?jīng)]有限定。另外，一個第2半導(dǎo)體封裝200也可以有多個第2半導(dǎo)體芯片40。這時，第2半導(dǎo)體芯片40也可以被層疊(圖中沒有表示)。
第2半導(dǎo)體封裝200具有密封部50(參照圖2(B))。密封部50在第2基板30上安裝了第2半導(dǎo)體芯片40一側(cè)形成。因此，密封部50將第2半導(dǎo)體芯片40密封。密封部50也可以進一步密封焊盤34以及電線46。
在有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置中，第2半導(dǎo)體封裝200，被搭載在第1半導(dǎo)體封裝100上(參照圖3(A)～圖3(C))。第2半導(dǎo)體封裝200，按照與第1半導(dǎo)體芯片20重疊的樣子被搭載(參照圖3(B))。因此，第2半導(dǎo)體封裝200被搭載成第1焊盤12和第2焊盤32相面對(參照圖3(B)以及圖3(C))。還有，圖3(A)～圖3(C)表示有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置1。這里，圖3(A)是半導(dǎo)體裝置1的平面圖。但是，為了簡單起見，省略了焊盤(具體地說，焊盤12、14、15、32、34)以及半導(dǎo)體芯片(第1以及第2半導(dǎo)體芯片20、40)。并且，圖3(B)是圖3(A)的IIIB-IIIB線截面的放大圖，圖3(C)是圖3(A)的IIIC-IIIC線截面的放大圖。
有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置，如圖3(A)～圖3(C)所示，包括多個焊錫60。焊錫60設(shè)置在第1以及第2基板10、30之間。因此，通過各個焊錫60，將各個第1焊盤12和各個第2焊盤32電連接。
在有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置中，僅在第1基板10的角部用樹脂70覆蓋每個焊錫60(參照圖3(A)以及圖3(B))。如上所述，有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置，形成將第2半導(dǎo)體封裝200搭載在第1半導(dǎo)體封裝100上的結(jié)構(gòu)。并且，第2半導(dǎo)體封裝200形成有密封部50的結(jié)構(gòu)，而第1半導(dǎo)體封裝100形成沒有密封部的結(jié)構(gòu)。在形成這種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置中，由于密封部50等的影響，導(dǎo)致第1基板10和第2基板30的膨脹率不同。因此由于上述原因，力被施加在第1焊盤12和第2焊盤32之間設(shè)置的焊錫60上。特別在第1基板10的角部附近，很大的力被施加在焊錫60上。然而，有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置中，僅在第1基板10的角部，將每個焊錫60用樹脂70覆蓋。這樣，可以只對應(yīng)力容易集中的區(qū)域加固焊錫60，采用最低限量的樹脂70就可以提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。因此，以低廉的價格能夠制造可靠性高的半導(dǎo)體裝置。另外，在有關(guān)本發(fā)明方式的半導(dǎo)體裝置中，由于通過樹脂70能夠防止第1以及第2半導(dǎo)體封裝100、200的位置偏差，因此能夠提供可靠性高的半導(dǎo)體裝置。還有，在有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置中，如圖3(A)所示，用樹脂70覆蓋的焊錫60也可以在第1基板10的每個角部設(shè)置多個(在圖3(A)中各3個)。但是，與其不同，用樹脂70覆蓋的焊錫60，也可以在第1基板10的每個角部只設(shè)置1個(沒圖示)。
有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置，如圖3(B)以及圖3(C)所示，也可以具有外部端子18。外部端子18，也可以被設(shè)置在第1基板10的焊盤15上。并且，圖4表示安裝了適用本發(fā)明的有關(guān)實施方式的半導(dǎo)體裝置1的電路基板1000。
有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置1成為上述結(jié)構(gòu)。然而，適用本發(fā)明的有關(guān)第1實施方式的半導(dǎo)體裝置并不限定于此，可以有各種變形例。比如，如圖5(A)以及圖5(B)所示，在一個第1半導(dǎo)體封裝100上，也可以搭載兩個以上的第2半導(dǎo)體封裝200。這樣也可以得到同樣的效果，所以能夠提供具有多個半導(dǎo)體芯片且可靠性高的半導(dǎo)體裝置。另外，圖5(A)是適用本發(fā)明的有關(guān)第1實施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的平面圖。另外，圖5(B)是圖5(A)的VB-VB線截面的放大圖。
下面，對有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法進行說明。圖6～圖7(B)是用于對適用本發(fā)明的有關(guān)第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法進行說明的圖。
有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括預(yù)備第1半導(dǎo)體封裝100以及第2半導(dǎo)體封裝200的步驟。第1以及第2半導(dǎo)體封裝100、200的結(jié)構(gòu)如同上述說明。第1以及第2半導(dǎo)體封裝100、200也可以應(yīng)用公知的任意一種方法形成。
有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括將第2半導(dǎo)體封裝200搭載在第1半導(dǎo)體封裝100上的步驟(參照圖7(A)以及圖7(B))。如圖6所示，也可以在第1半導(dǎo)體封裝100的第1焊盤12上設(shè)置膏料62、64。詳細講，也可以在配置于第1基板10的角部的每個第1焊盤12上設(shè)置膏料62。還有，在有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，如圖6所示，也可以在配置于第1基板10的每個角部的多個第1焊盤12設(shè)置膏料62(在圖6表示的例子中為3個)?；蛘?，也可以只在配置于第1基板10的每個角部的1個第1焊盤12設(shè)置膏料62(沒圖示)。這里，膏料62含有熱固化性樹脂。進一步膏料62也可以含有焊錫。另外，也可以在配置于第1基板10的角部以外的區(qū)域的每個第1焊盤12上設(shè)置膏料64。這里，膏料64是不含有熱固化樹脂的膏料。膏料64，比如也可以是焊錫膏料。另外，膏料62、64，進一步也可以包含焊劑。而且，也可以在第2半導(dǎo)體封裝200的每個第2焊盤32上設(shè)置焊錫球66。在這之后，將第2半導(dǎo)體封裝200搭載在第1半導(dǎo)體封裝100上。圖7(A)以及圖7(B)表示第1以及第2半導(dǎo)體封裝100、200的層疊狀態(tài)的橫截面圖。如圖7(A)所示，將第2半導(dǎo)體封裝200按照第1半導(dǎo)體芯片20與第2半導(dǎo)體封裝200重疊的樣子搭載。而且，如圖7(B)所示，將第2半導(dǎo)體封裝200按照第1焊盤12與第2焊盤32相面對的樣子搭載。
此外，將第2半導(dǎo)體封裝200搭載在第1半導(dǎo)體封裝100上的方法并不限定于此。也就是說，也可以根據(jù)下述任意一種方法將第2半導(dǎo)體封裝200搭載在第1半導(dǎo)體封裝100上在配置于第1基板10角部的每個第1焊盤12、和與該焊盤相對的每個第2焊盤32之間設(shè)置焊錫和熱固化性樹脂；或者，在配置于第1基板10角部以外區(qū)域的每個第1焊盤12、和與該焊錫相對的每個第2焊盤32之間設(shè)置焊錫。
有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括加熱焊錫以及熱固化樹脂的步驟。比如，如圖7(A)以及圖7(B)所示，也可以在將第1半導(dǎo)體封裝100和第2半導(dǎo)體封裝200層疊的狀態(tài)下，加熱焊錫球66以及膏料62、64。通過加熱焊錫球66將其熔化，形成將各個第1焊盤12與各個第2焊盤32電連接的導(dǎo)電部(焊錫60)。還有，在膏料62、64含有焊錫時，也可以讓這些焊錫熔化而形成導(dǎo)電部(焊錫60)。并且，通過加熱在膏料62中所含的熱固化性樹脂，使其固化的同時讓其向外側(cè)移動，這樣形成覆蓋配置在第1基板10的角部的多個導(dǎo)電部(焊錫60)中的每一個的樹脂70。
而且，經(jīng)過設(shè)置外部端子的工序、和檢查工序等，也可以制造半導(dǎo)體裝置1(參照圖3(A)～圖3(C))。還有，也可以將兩個以上的第2半導(dǎo)體封裝200搭載在一個第1半導(dǎo)體封裝100上，由此也可以制造有關(guān)本實施方式變形例的半導(dǎo)體裝置(參照圖5(A)以及圖5(B))。
(第2實施方式)圖8(A)以及圖8(B)是用于對適用本發(fā)明的有關(guān)第2實施方式的半導(dǎo)體裝置進行說明的圖。還有，在本實施方式中，在可能的范圍內(nèi)也可以適用已經(jīng)說明的內(nèi)容。
有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置，包括第1以及第2半導(dǎo)體封裝100、200以及焊錫60。對于這些內(nèi)容也可以適用已經(jīng)說明的內(nèi)容的任一個。將第2半導(dǎo)體封裝200搭載在第1半導(dǎo)體封裝100上。有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置，如圖8(A)以及圖8(B)所示，也可以將2個第2半導(dǎo)體封裝200搭載在1個第1半導(dǎo)體封裝100上?；蛘?，也可以將一個第2半導(dǎo)體封裝200搭載在一個第1半導(dǎo)體封裝100上(參照圖3(A))。而且，通過焊錫60，將第1焊盤12與第2焊盤32電連接。
并且，有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置，僅在第2基板30的角部，用樹脂72覆蓋每個焊錫60(參照圖8(A)以及圖8(B))。按照先前的說明，有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置，形成將第2半導(dǎo)體封裝搭載在第1密封裝置100上的結(jié)構(gòu)。這時，力被施加在第1焊盤12與第2焊盤32之間所設(shè)置的焊錫60上。特別在第2基板30的角部附近，很大的力被施加在焊錫60上。這時，在有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置中，僅在第2基板30的角部，用樹脂72覆蓋焊錫60。這樣，可以只對應(yīng)力容易集中的區(qū)域加固焊錫60，采用最低限量的樹脂就可以提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。
有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置，按照上述構(gòu)成。下面，對其制造方法進行說明。有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括預(yù)備第1以及第2半導(dǎo)體封裝100、200的步驟。半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟按照第1半導(dǎo)體芯片20與第2半導(dǎo)體封裝200重疊且第1焊盤12與第2焊盤32相對的樣子，將第2半導(dǎo)體封裝200搭載在第1半導(dǎo)體封裝100上。半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟在配置于第2基板30角部的每個第2焊盤32和與該焊盤相對的每個第1焊盤12之間設(shè)置焊錫和熱固化性樹脂。半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟在配置于第2基板30角部以外區(qū)域的每個第2焊盤32和與該焊錫相對的每個第1焊盤12之間設(shè)置焊錫。半導(dǎo)體裝置的制造方法包括如下步驟加熱焊錫以及熱固化性樹脂，形成將每個第1焊盤12與每個第2焊盤32電連接的導(dǎo)電部(焊錫60)，并且，形成覆蓋在第2基板30的角部配置的多個導(dǎo)電部(焊錫60)的每一個的樹脂72。詳細講，通過加熱焊錫，讓焊錫熔化，形成將每個第1焊盤12和每個第2焊盤32電連接的導(dǎo)電部(焊錫60)。并且，通過加熱熱固化性樹脂，使該熱固化性樹脂固化的同時讓該樹脂向外側(cè)移動，這樣形成覆蓋配置在第2基板30的角部的多個導(dǎo)電部(焊錫60)的每一個的樹脂72。
(第3實施方式)圖9(A)以及圖9(B)是用于對適用本發(fā)明的有關(guān)第3實施方式的半導(dǎo)體裝置進行說明的圖。還有，在可能的范圍內(nèi)也可以適用已經(jīng)說明的內(nèi)容。
有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置，包括第1以及第2半導(dǎo)體封裝100、200以及焊錫60。對于這些內(nèi)容也可以適用已經(jīng)說明的內(nèi)容的任一個。但是，在本實施方式中，第2半導(dǎo)體封裝200的第2基板30的外形是長方形。將第2半導(dǎo)體封裝200搭載在第1半導(dǎo)體封裝100上。有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置，如圖9(A)以及圖9(B)所示，也可以將2個第2半導(dǎo)體封裝200搭載在1個第1半導(dǎo)體封裝100上。或者，也可以將一個第2半導(dǎo)體封裝200搭載在一個第1半導(dǎo)體封裝100上(圖中未畫出)。而且，通過焊錫60，將第1焊盤12與第2焊盤32電連接。
有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置，僅在第2基板30的短邊的端部，用樹脂74覆蓋焊錫60(參照圖9(A)以及圖9(B))。還有，此時也可以用樹脂74覆蓋僅在第2基板30的每個短邊的端部的2個以上(在圖9(A)和圖9(B)中為2個)的焊錫60。另外，也可以用樹脂74覆蓋在每個短邊端部配置的全部的焊錫60?；蛘撸部梢杂脴渲?4僅覆蓋在每個短邊端部配置的一個焊錫60(圖中沒有畫出)。按照先前的說明，有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置，形成將第2半導(dǎo)體封裝200搭載在第1密封裝置100上的結(jié)構(gòu)。此時，力被施加在第1焊盤12與第2焊盤32之間所設(shè)置的焊錫60上。特別當(dāng)?shù)?基板30的外形是長方形時，在第2基板30外部的短邊端部附近，很大的力被施加在焊錫60上。此時，在有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置中，僅在第2基板30外形短邊的端部，用樹脂74覆蓋焊錫60。這樣，可以只對應(yīng)力容易集中的區(qū)域加固焊錫60，采用最低限量的樹脂就可以提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。
有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置，按照上述構(gòu)成。下面，對其制造方法進行說明。有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括預(yù)備第1以及第2半導(dǎo)體封裝100、200的步驟。還有，在有關(guān)本實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，第2半導(dǎo)體封裝200的第2基板30的外形為長方形。半導(dǎo)體裝置的制造方法包括如下步驟按照第1半導(dǎo)體芯片20與第2半導(dǎo)體封裝200重疊且第1焊盤12與第2焊盤32相對的樣子，將第2半導(dǎo)體封裝200搭載在第1半導(dǎo)體封裝100上。半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟將焊錫和熱固化性樹脂設(shè)置在配置于第2基板30角部的每個第2焊盤32和與該焊盤相對的每個第1焊盤12之間。半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括將焊錫設(shè)置在配置在第2基板30的角部以外區(qū)域的每個第2焊盤32與該焊錫相對的每個第1焊盤12之間。半導(dǎo)體裝置的制造方法包括如下步驟加熱焊錫以及熱固化性樹脂，形成將每個第1焊盤12與每個第2焊盤32電連接的導(dǎo)電部(焊錫60)，并且，形成覆蓋在第2基板30的角部配置的多個導(dǎo)電部(焊錫60)的每一個的樹脂74。詳細講，通過加熱焊錫，讓該焊錫熔化，形成將每個第1焊盤12和每個第2焊盤32電連接的導(dǎo)電部(焊錫60)。因而，通過對熱固化性樹脂加熱，使該熱固化性樹脂固化的同時讓該樹脂向外側(cè)移動，這樣，形成覆蓋配置在第2基板30的短邊端部的多個導(dǎo)電部(焊錫60)中的每一個的樹脂74。
最后，作為應(yīng)用本發(fā)明實施方式的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備，分別表示為在圖10中的筆記本電腦2000和圖11中的移動電話機。
還有，本發(fā)明，并不限定于上述實施方式，可以進行各種變形。比如，本發(fā)明，包括與在實施方式中說明的構(gòu)成實質(zhì)上相同的構(gòu)成(比如，功能、方法、以及結(jié)果相同的構(gòu)成，或者目的以及效果相同的構(gòu)成)。另外，本發(fā)明，包括將在實施方式中所說明構(gòu)成的非本質(zhì)部分置換后的構(gòu)成。另外，本發(fā)明包括取得與在實施方式中說明的構(gòu)成相同作用效果的構(gòu)成，或者，能夠達到相同目的的構(gòu)成。另外，本發(fā)明包括將公知技術(shù)添加到實施方式所說明的構(gòu)成中的構(gòu)成。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括第1半導(dǎo)體封裝，其包括具有多個第1焊盤的第1基板、和在所述第1基板上形成了所述第1焊盤的面上面朝下安裝的第1半導(dǎo)體芯片；第2半導(dǎo)體封裝，其包括具有多個第2焊盤的第2基板、在所述第2基板上與形成了所述第2焊盤的面相反的面上搭載的第2半導(dǎo)體芯片、和密封所述第2半導(dǎo)體芯片的密封部，按照與所述第1半導(dǎo)體芯片重疊，且所述第1焊盤與所述第2焊盤相面對的樣子被搭載在所述第1基板上；和焊錫，其被設(shè)置在所述第1基板以及所述第2基板之間，將各個所述第1焊盤與各個所述第2焊盤分別電連接；只是在所述第1基板的角部，用樹脂覆蓋所述焊錫。
2.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括第1半導(dǎo)體封裝，其包括具有多個第1焊盤的第1基板、和在所述第1基板上形成了所述第1焊盤的面上面朝下安裝的第1半導(dǎo)體芯片；第2半導(dǎo)體封裝，其包括具有多個第2焊盤的第2基板、在所述第2基板上與形成了所述第2焊盤的面相反的面上搭載的第2半導(dǎo)體芯片、和密封所述第2半導(dǎo)體芯片的密封部，按照與所述第1半導(dǎo)體芯片重疊，且所述第1焊盤與所述第2焊盤相面對的樣子被搭載在所述第1基板上；和焊錫，其被設(shè)置在所述第1基板以及所述第2基板之間，將各個所述第1焊盤與各個所述第2焊盤分別電連接；只是在所述第2基板的角部，用樹脂覆蓋所述焊錫。
3.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括第1半導(dǎo)體封裝，其包括具有多個第1焊盤的第1基板、和在所述第1基板上形成了所述第1焊盤的面上面朝下安裝的第1半導(dǎo)體芯片；第2半導(dǎo)體封裝，其包括具有多個第2焊盤的第2基板、在所述第2基板上與形成了所述第2焊盤的面相反的面上搭載的第2半導(dǎo)體芯片、和密封所述第2半導(dǎo)體芯片的密封部，按照與所述第1半導(dǎo)體芯片重疊，且所述第1焊盤與所述第2焊盤相面對的樣子被搭載在所述第1基板上；和焊錫，其被設(shè)置在所述第1基板以及所述第2基板之間，將各個所述第1焊盤與各個所述第2焊盤分別電連接；所述第2基板的外形是長方形；僅在所述第2基板的短邊的端部，用樹脂覆蓋所述焊錫。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述第1半導(dǎo)體封裝上，搭載兩個以上的所述第2半導(dǎo)體封裝。
5.一種電路基板，其特征在于，安裝有權(quán)利要求1～4中任一項所述的半導(dǎo)體裝置。
6.一種電子設(shè)備，其特征在于，具有權(quán)利要求1～4中任一項所述的半導(dǎo)體裝置。
7.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括準(zhǔn)備第1半導(dǎo)體封裝的步驟，所述第1半導(dǎo)體封裝包括具有多個第1焊盤的第1基板、和在所述第1基板上形成了所述第1焊盤的面上面朝下安裝的第1半導(dǎo)體芯片；準(zhǔn)備第2半導(dǎo)體封裝的步驟，所述第2半導(dǎo)體封裝包括具有多個第2焊盤的第2基板、在所述第2基板上與形成了所述第2焊盤的面相反的面上搭載的第2半導(dǎo)體芯片、和密封所述第2半導(dǎo)體芯片的密封部；將所述第2半導(dǎo)體封裝搭載在所述第1半導(dǎo)體封裝上的步驟，按照讓所述第1半導(dǎo)體芯片與所述第2半導(dǎo)體封裝重疊，并且所述第1焊盤與所述第2焊盤相面對的樣子進行搭載；設(shè)置焊錫和熱固化性樹脂的步驟，在配置在所述第1基板的角部的各個所述第1焊盤和與其分別相面對的各個所述第2焊盤之間進行設(shè)置；設(shè)置焊錫的步驟，在配置在所述第1基板的角部之外的區(qū)域的各個所述第1焊盤和與其分別相面對的各個所述第2焊盤之間進行設(shè)置；然后，加熱所述焊錫以及所述熱固化性樹脂，讓所述焊錫熔化，形成將各個所述第1焊盤與各個所述第2焊盤分別電連接的導(dǎo)電部，并且，讓所述熱固化性樹脂固化，讓其向外側(cè)移動，形成分別覆蓋在所述第1基板的角部上配置的多個所述導(dǎo)電部的樹脂部。
8.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括準(zhǔn)備第1半導(dǎo)體封裝的步驟，所述第1半導(dǎo)體封裝包括具有多個第1焊盤的第1基板、和在所述第1基板上形成了所述第1焊盤的面上面朝下安裝的第1半導(dǎo)體芯片；準(zhǔn)備第2半導(dǎo)體封裝的步驟，所述第2半導(dǎo)體封裝包括具有多個第2焊盤的第2基板、在所述第2基板上與形成了所述第2焊盤的面相反的面上搭載的第2半導(dǎo)體芯片、和密封所述第2半導(dǎo)體芯片的密封部；將所述第2半導(dǎo)體封裝搭載在所述第1半導(dǎo)體封裝上的步驟，按照讓所述第1半導(dǎo)體芯片與所述第2半導(dǎo)體封裝重疊，并且所述第1焊盤與所述第2焊盤相面對的樣子進行搭載；設(shè)置焊錫和熱固化性樹脂的步驟，在配置在所述第2基板的角部的各個所述第2焊盤和與其分別相面對的各個所述第1焊盤之間進行設(shè)置；設(shè)置焊錫的步驟，在配置在所述第2基板的角部之外的區(qū)域的各個所述第2焊盤和與其分別相面對的各個所述第1焊盤之間進行設(shè)置；然后，加熱所述焊錫以及所述熱固化性樹脂，讓所述焊錫熔化，形成將各個所述第1焊盤與各個所述第2焊盤分別電連接的導(dǎo)電部，并且，讓所述熱固化性樹脂固化，讓其向外側(cè)移動，形成分別覆蓋在所述第2基板的角部上配置的多個所述導(dǎo)電部的樹脂部。
9.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括準(zhǔn)備第1半導(dǎo)體封裝的步驟，所述第1半導(dǎo)體封裝包括具有多個第1焊盤的第1基板、和在所述第1基板上形成了所述第1焊盤的面上面朝下安裝的第1半導(dǎo)體芯片；準(zhǔn)備第2半導(dǎo)體封裝的步驟，所述第2半導(dǎo)體封裝包括具有多個第2焊盤且外形成長方形的第2基板、在所述第2基板上與形成了所述第2焊盤的面相反的面上搭載的第2半導(dǎo)體芯片、和密封所述第2半導(dǎo)體芯片的密封部；將所述第2半導(dǎo)體封裝搭載在所述第1半導(dǎo)體封裝上的步驟，按照讓所述第1半導(dǎo)體芯片與所述第2半導(dǎo)體封裝重疊，并且所述第1焊盤與所述第2焊盤相面對的樣子進行搭載；設(shè)置焊錫和熱固化性樹脂的步驟，在配置在所述第2基板的短邊的端部的各個所述第2焊盤和與其分別相面對的各個所述第1焊盤之間進行設(shè)置；設(shè)置焊錫的步驟，在配置在所述第2基板的短邊的端部之外的區(qū)域的各個所述第2焊盤和與其分別相面對的各個所述第1焊盤之間進行設(shè)置；然后，加熱所述焊錫以及所述熱固化性樹脂，讓所述焊錫熔化，形成將各個所述第1焊盤與各個所述第2焊盤分別電連接的導(dǎo)電部，并且，讓所述熱固化性樹脂固化，讓其向外側(cè)移動，形成分別覆蓋在所述第2基板的短邊的端部上配置的多個所述導(dǎo)電部的樹脂部。
10.根據(jù)權(quán)利要求7～10中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在1個所述第1半導(dǎo)體封裝上搭載2個以上的所述第2半導(dǎo)體封裝。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置，包括第1半導(dǎo)體封裝(100)，其包括具有第1焊盤(12)的第1基板(10)和具有第2焊盤(32)的第2基板(30)；第2半導(dǎo)體封裝(200)，其被搭載在第1半導(dǎo)體封裝(100)上；和焊錫(60)，其被設(shè)置在第1以及第2基板(10、30)之間，將各個第1焊盤(12)和各個第2焊盤(32)電連接。并且，只在第1基板(10)的角部用樹脂(70)覆蓋焊錫(60)。因此，可以提供一種可靠性高的半導(dǎo)體裝置及其制造方法、電路基板和電子設(shè)備。
文檔編號H01L23/498GK1606160SQ200410084989
公開日2005年4月13日 申請日期2004年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月9日
發(fā)明者青栁哲理 申請人:精工愛普生株式會社