專利名稱：半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法，特別涉及具有包含電路的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
以往，已知具有包含電路的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置。如此的半導(dǎo)體裝置，例如，在特表2002-512436號公報(bào)中進(jìn)行了公開。
在上述特表2002-512436號公報(bào)中，公開了一種以下的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)，通過具有包含電路的半導(dǎo)體芯片、連接在半導(dǎo)體芯片的表面的電路部分上的伸長連接盤(金屬連接盤)、連接在設(shè)在半導(dǎo)體芯片的下側(cè)的導(dǎo)電端子(可錫焊的凸起)上的布線(金屬接點(diǎn))，同時(shí)，相對于通過機(jī)械切削加工而露出的伸長連接盤的側(cè)端面，連接該布線。
但是，在上述特表2002-512436號公報(bào)中公開的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)中，由于通過機(jī)械切削加工而使伸長連接盤的側(cè)端面露出，因此有在伸長連接盤的側(cè)端面上產(chǎn)生表面粗糙的不良現(xiàn)象。此外，還有機(jī)械切削加工產(chǎn)生的切削屑附著在伸長連接盤的側(cè)端面的不良現(xiàn)象。如此，如果出現(xiàn)在伸長連接盤的側(cè)端面產(chǎn)生的表面粗糙和附著在側(cè)端面的切削屑，存在難于在伸長連接盤的側(cè)端面良好地連接布線的不良。
因此，以往，為消除在上述特表2002-512436號公報(bào)中公開的半導(dǎo)體裝置的不良現(xiàn)象，提出了一種通過蝕刻去除覆蓋伸長連接盤的下面絕緣膜，露出伸長連接盤的下面、同時(shí)在伸長連接盤的下面連接布線的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)。
圖36是表示上述提出的半導(dǎo)體裝置的整體構(gòu)成的側(cè)面圖。圖37是表示圖36所示的以往提出的半導(dǎo)體裝置的端部附近的結(jié)構(gòu)的剖面圖。在該上述提出的半導(dǎo)體裝置150中，如圖36所示，在半導(dǎo)體元件101上介由樹脂層102來安裝玻璃基板103。此外，在半導(dǎo)體元件101的下面設(shè)置多個(gè)半球狀的導(dǎo)電端子104。此外，半導(dǎo)體元件101，如圖37所示，具有半導(dǎo)體芯片105。該半導(dǎo)體芯片105具有在硅基板的上面形成電路(未圖示)的構(gòu)成。此外，在半導(dǎo)體芯片105的上面上方，形成由SiO2構(gòu)成的絕緣膜106。此外，以埋入絕緣膜106的方式形成插入電極107。該插入電極107，連接在形成在半導(dǎo)體芯片105的上面的電路(未圖示)上。
此外，覆蓋絕緣膜106的上面地形成由SiN構(gòu)成的絕緣膜110。在該絕緣膜110的與插入電極107對應(yīng)的區(qū)域形成接觸孔112。此外，在絕緣膜110上的規(guī)定區(qū)域形成伸長連接盤113。此外，與伸長連接盤113相隔規(guī)定的間隔，形成布線114。該布線114，介由絕緣膜110的接觸孔112，與插入電極107連接。此外，覆蓋全面地形成絕緣膜115。該絕緣膜115的上面，形成反映相隔規(guī)定間隔形成的伸長連接盤113及布線114的形狀的凹凸形狀。以埋入該絕緣膜115的凹凸形狀的上面的方式，形成樹脂層102(參照圖36)，同時(shí)以該樹脂層102為粘合劑粘接玻璃基板103。
此外，以覆蓋半導(dǎo)體芯片105的側(cè)面及下面、和絕緣膜106的下面的規(guī)定區(qū)域的方式，形成絕緣膜117。此外，在與半導(dǎo)體芯片105的下面對應(yīng)的絕緣膜117的下面的規(guī)定區(qū)域設(shè)置緩沖部件118。此外，在絕緣膜117及緩沖部件118上方，從半導(dǎo)體芯片105的側(cè)面、沿下面延伸地形成布線116。該布線116連接在通過蝕刻絕緣膜106及110的部分區(qū)域而露出的伸長連接盤113的下面。此外，在布線116的與緩沖部件118對應(yīng)的區(qū)域的下面設(shè)置上述的半球狀的導(dǎo)電端子104。由此，介由布線116連接伸長連接盤113和導(dǎo)電端子104。此外，覆蓋布線116的規(guī)定區(qū)域地形成絕緣膜108，同時(shí)覆蓋該絕緣膜108地形成保護(hù)膜109。
圖38～圖54是說明圖37所示的以往提出的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的剖面圖。下面，參照圖38～圖54，說明以往提出的半導(dǎo)體裝置150的制造工藝。
首先，如圖38所示，準(zhǔn)備在上面上方形成了電路(未圖示)的半導(dǎo)體晶圓105a。然后，在半導(dǎo)體晶圓105a上形成由SiO2構(gòu)成的絕緣膜106，同時(shí)埋入在絕緣膜106地形成用于與半導(dǎo)體晶圓105a的電路(未圖示)連接插入電極107。然后，以覆蓋絕緣膜106及插入電極107的上面的方式，形成由SiN構(gòu)成的絕緣膜110。
然后，如圖39所示，采用光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)，在與絕緣膜110的插入電極107對應(yīng)的區(qū)域，形成接觸孔112。
下面，如圖40所示，以埋入絕緣膜110的接觸孔112、同時(shí)覆蓋絕緣膜110的上面的方式，形成金屬層113a。
然后，如圖41所示，采用光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)，通過形成金屬層113a的圖形，而相隔規(guī)定間隔地形成多個(gè)伸長連接盤113和多個(gè)布線114。
然后，如圖42所示，覆蓋全面地形成絕緣膜115。
然后，如圖43所示，覆蓋絕緣膜115的上面地形成樹脂層102，同時(shí)以樹脂層102為粘合劑粘接玻璃基板103。之后，通過從半導(dǎo)體晶圓105a的下面，進(jìn)行濕式蝕刻，如圖44所示，將半導(dǎo)體晶圓105a分割成多個(gè)半導(dǎo)體芯片105。
然后，如圖45所示，以覆蓋半導(dǎo)體芯片105的下面及側(cè)面、和絕緣膜106的相鄰的2個(gè)半導(dǎo)體芯片105間的區(qū)域的下面的方式，形成絕緣膜117。
然后，如圖46所示，以覆蓋與絕緣膜117的半導(dǎo)體芯片105的側(cè)面及下面對應(yīng)的區(qū)域和伸長連接盤113的下方的部分區(qū)域的方式，形成抗蝕劑層119。然后，通過以抗蝕劑層119作為掩模，采用氟酸，從絕緣膜106的下側(cè)，進(jìn)行濕式蝕刻，去除由SiO2構(gòu)成的絕緣膜117及106的一部分。由此，如圖47所示，露出由SiN構(gòu)成的絕緣膜110的規(guī)定區(qū)域的下面。此外，通過從露出的絕緣膜110的下面?zhèn)?，采用熱磷酸進(jìn)行濕式蝕刻，而去除由SiN構(gòu)成的絕緣膜110的規(guī)定區(qū)域。由此，如圖48所示，露出伸長連接盤113的下面的一部分和絕緣膜115的相鄰的2個(gè)伸長連接盤113間的下面的區(qū)域。
然后，如圖49所示，在與絕緣膜117的半導(dǎo)體芯片105的下面對應(yīng)的區(qū)域，形成緩沖部件118。
然后，如圖50所示，以覆蓋露出的伸長連接盤113的下面的部分區(qū)域、絕緣膜115相鄰的2個(gè)伸長連接盤113間的下面的部分區(qū)域、緩沖部件118和絕緣膜117的方式，形成金屬層116a。
然后，如圖51所示，采用光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)，去除金屬層116a相鄰的2個(gè)伸長連接盤113間的下面的區(qū)域。由此，按每個(gè)半導(dǎo)體芯片105分割金屬層116a，形成分別連接在各伸長連接盤113的下面的布線116。
然后，如圖52所示，以覆蓋布線116的規(guī)定區(qū)域和絕緣膜115的下面的規(guī)定區(qū)域的方式，形成絕緣膜108。之后，以覆蓋絕緣膜108和絕緣膜115相鄰的2個(gè)伸長連接盤113間的區(qū)域的下面的方式，形成保護(hù)膜109。
然后，如圖53所示，在與布線116的緩沖部件118對應(yīng)的區(qū)域的下面，形成半球狀的導(dǎo)電端子104。
然后，如圖54所示，沿相鄰的2個(gè)伸長連接盤113間的區(qū)域的中心線，從下側(cè)進(jìn)行切割。由此，形成圖37所示的以往提出的半導(dǎo)體裝置150。
但是，在圖37所示的以往提出的半導(dǎo)體裝置150中，由于用于電連接半導(dǎo)體芯片105和外部的布線116的伸長連接盤113，以與形成在由SiO2構(gòu)成的絕緣膜106上方的由SiN構(gòu)成的絕緣膜110的上面接觸的方式形成，因此，在為了連接布線116而露出伸長連接盤113的下面的時(shí)候，存在需要分別采用各自的蝕刻液(氟酸及熱磷酸)，單獨(dú)濕式蝕刻由SiO2構(gòu)成的絕緣膜106和由SiN構(gòu)成的絕緣膜110的不良。由此，由于露出伸長連接盤113的下面的工序復(fù)雜，所以存在使半導(dǎo)體裝置的制造工藝復(fù)雜化的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是針對上述問題而提出的，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種能夠簡化制造工序的半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種能夠簡化制造工序的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第1類型的半導(dǎo)體裝置，具有第1絕緣膜，與包含電路的半導(dǎo)體芯片的上面接觸地形成，由單一材料構(gòu)成；第1布線，與上述第1絕緣膜的上面接觸地形成；第2布線，從上述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面沿下面延伸地形成，連接在通過去除上述第1絕緣膜的一部分而露出的第1布線的下面。
在該第1類型的半導(dǎo)體裝置中，通過與半導(dǎo)體芯片的上面接觸地形成由單一材料構(gòu)成的第1絕緣膜，同時(shí)與上述第1絕緣膜的上面接觸地形成第1布線，由于在半導(dǎo)體芯片的上面和第1布線的之間，只存在由單一材料構(gòu)成的第1絕緣膜，所以，與在半導(dǎo)體芯片的上面和第1布線的之間存在由不同材料構(gòu)成的多個(gè)絕緣膜時(shí)不同，為了露出第1布線的下面，能夠用一道蝕刻工序進(jìn)行蝕刻去除半導(dǎo)體芯片的上面和第1布線之間的絕緣膜。由此，能夠簡化半導(dǎo)體裝置的制造工藝。另外，在此種情況下，第1絕緣膜也可以由單一的SiO2膜構(gòu)成。
在上述第1類型的半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選，還包括形成在上述第1絕緣膜上并由與上述第1絕緣膜不同的材料構(gòu)成的第2絕緣膜，并且該第2絕緣膜具有第1開口部；上述第1布線的下面，介由上述第2絕緣膜的第1開口部而與上述第1絕緣膜的上面及上述第2布線接觸。如果如此構(gòu)成，當(dāng)在第1絕緣膜上形成由與第1絕緣膜不同的材料構(gòu)成的第2絕緣膜的時(shí)候，也能夠容易以與由單一的材料構(gòu)成的第1絕緣膜的上面接觸的方式形成第1布線。另外，在此種情況下，第2絕緣膜也可以由SiN膜構(gòu)成。
此外，在此種情況下，優(yōu)選，第1布線的寬度大于第1開口部的寬度。如果如此構(gòu)成，能夠以第1布線的寬度比第1開口部的寬度大的范圍，允許在形成第1布線圖形時(shí)的相對于抗蝕劑層的掩模對正的誤差。由此，能夠容易以埋入第1開口部的方式形成第1布線。
在包含上述第2絕緣膜的構(gòu)成中，優(yōu)選，還包括形成在第2絕緣膜上的第3布線，第2絕緣膜包含連接第3布線和上述半導(dǎo)體芯片的電路的第2開口部。如此構(gòu)成，如果用基本上同一道工序在第2絕緣膜上形成第1開口部和第2開口部，當(dāng)在第2絕緣膜上設(shè)置第2開口部的時(shí)候，由于也能夠抑制增加工序數(shù)，因此能夠抑制制造工藝復(fù)雜化。
在此種情況下，優(yōu)選，第3布線由與第1布線相同的層構(gòu)成。如果如此構(gòu)成，由于能夠通過形成相同的層圖形而同時(shí)形成第3布線和第1布線，因此能夠簡化制造工藝。
在上述第1類型的半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選，還具有，在上述半導(dǎo)體芯片和上述第2布線的之間以絕緣上述半導(dǎo)體芯片和上述第2布線的方式設(shè)置的第3絕緣膜，并且，該第3絕緣膜，以覆蓋上述第1絕緣膜的下面的規(guī)定區(qū)域的方式形成，并由能通過與上述第1絕緣膜基本上相同的蝕刻手段去除的材料構(gòu)成。如果如此構(gòu)成，由于能夠同時(shí)蝕刻去除第1絕緣膜和第3絕緣膜，所以，當(dāng)以覆蓋第1絕緣膜的下面的規(guī)定區(qū)域的方式設(shè)置用于絕緣半導(dǎo)體芯片和第2布線的第3絕緣膜的時(shí)候，也能夠抑制增加露出第1布線的下面的工序數(shù)。
在此種情況下，優(yōu)選，蝕刻手段包括用于濕式蝕刻的蝕刻液。如果如此構(gòu)成，能夠容易利用同一蝕刻液，通過濕式蝕刻，同時(shí)去除由同一材料構(gòu)成的第1絕緣膜和第3絕緣膜。
在包含上述第3絕緣膜的構(gòu)成中，優(yōu)選，第3絕緣膜由與第1絕緣膜相同材料構(gòu)成。如果如此構(gòu)成，容易利用同一蝕刻手段，同時(shí)蝕刻去除由同一材料構(gòu)成的第1絕緣膜和第3絕緣膜。
本發(fā)明的第2類型的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括與包含電路的半導(dǎo)體芯片的上面接觸地形成由單一材料構(gòu)成的第1絕緣膜的工序；下面與上述第1絕緣膜的上面接觸地形成第1布線的工序；通過至少從下面?zhèn)任g刻上述第1絕緣膜的一部分，而露出上述第1布線的下面的工序；相對于露出的上述第1布線的下面、連接第2布線的工序。
在此第2類型的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，通過與半導(dǎo)體芯片的上面接觸地形成由單一材料構(gòu)成的第1絕緣膜，同時(shí)與上述第1絕緣膜的上面接觸地形成第1布線，由于在半導(dǎo)體芯片的上面和第1布線的之間只存在由單一材料構(gòu)成的第1絕緣膜，所以，與在半導(dǎo)體芯片的上面和第1布線的之間存在由不同材料構(gòu)成的多個(gè)絕緣膜時(shí)不同，為了露出第1布線的下面，能夠用一道蝕刻工序進(jìn)行蝕刻去除半導(dǎo)體芯片的上面和第1布線之間的絕緣膜。由此，能夠簡化半導(dǎo)體裝置的制造工藝。另外，在此種情況下，第1絕緣膜也可以由單一的SiO2膜構(gòu)成。
在上述第2類型的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選，在下面與上述第1絕緣膜的上面接觸地形成第1布線的工序之前，還包括在上述第1絕緣膜上形成由與上述第1絕緣膜不同的材料構(gòu)成的第2絕緣膜的工序、在第2絕緣膜上形成第1開口部的工序；下面與上述第1絕緣膜的上面接觸地形成第1布線的工序，包括介由上述第2絕緣膜的第1開口部，使下面與上述第1絕緣膜的上面接觸地形成上述第1布線的工序。如果如此構(gòu)成，當(dāng)在第1絕緣膜上形成由與第1絕緣膜不同的材料構(gòu)成的第2絕緣膜的時(shí)候，也能夠容易以與由單一的材料構(gòu)成的第1絕緣膜的上面接觸的方式形成第1布線。另外，在此種情況下，第2絕緣膜也可以由SiN膜構(gòu)成。
此外，在此種情況下，優(yōu)選，第1布線的寬度大于第1開口部的寬度。如果如此構(gòu)成，能夠以第1布線的寬度比第1開口部的寬度大的范圍，允許在形成第1布線圖形時(shí)的相對于抗蝕劑層的掩模對正的誤差。由此，能夠容易以埋入第1開口部的方式形成第1布線。
在包含形成上述第2絕緣膜的工序的構(gòu)成中，優(yōu)選，還具有在上述第2絕緣膜上方形成第3布線的工序；在上述第2絕緣膜上形成第1開口部的工序，包括通過蝕刻上述第2絕緣膜，而在上述第2絕緣膜上，基本上同時(shí)形成上述第1開口部和用于連接上述第3布線及上述半導(dǎo)體芯片的電路的第2開口部的工序。如果如此構(gòu)成，由于為了在第2絕緣膜上設(shè)置第2開口部而不需要另外設(shè)置蝕刻工序，因此能夠抑制制造工藝復(fù)雜化。
在此種情況下，優(yōu)選，第3布線由與第1布線相同的層構(gòu)成。如果如此構(gòu)成，由于能夠通過形成相同的層的圖形，而同時(shí)形成第3布線和第1布線，因此能夠簡化制造工藝。
在上述第2類型的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選，在露出上述第1布線的下面的工序之前，還包括以覆蓋上述第1絕緣膜的下面的方式形成由能通過與上述第1絕緣膜基本上相同的蝕刻手段去除的材料構(gòu)成的第3絕緣膜的工序；露出上述第1布線的下面的工序，包括通過上述相同的蝕刻手段，從下側(cè)連續(xù)蝕刻上述第3絕緣膜及上述第1絕緣膜的一部分，而露出上述第1布線的下面的工序。如果如此構(gòu)成，由于能夠用一道蝕刻工序，去除第3絕緣膜及第1絕緣膜的一部分，露出第1布線的下面，所以當(dāng)以覆蓋第1絕緣膜的下面的規(guī)定區(qū)域的方式設(shè)置用于絕緣半導(dǎo)體芯片和第2布線的第3絕緣膜的時(shí)候，也能夠抑制增加露出第1布線的下面的工序數(shù)。
在此種情況下，優(yōu)選，蝕刻手段包括用于濕式蝕刻的蝕刻液。如果如此構(gòu)成，能夠容易利用同一蝕刻液通過濕式蝕刻同時(shí)去除第3絕緣膜及第1絕緣膜。
在包含形成上述第3絕緣膜的工序的構(gòu)成中，優(yōu)選，第3絕緣膜，由與第1絕緣膜相同的材料構(gòu)成。如果如此構(gòu)成，容易利用同一蝕刻手段，同時(shí)蝕刻去除由同一材料構(gòu)成的第1絕緣膜和第3絕緣膜。


圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的整體構(gòu)成的側(cè)面圖。
圖2是表示圖1所示的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的端部附近的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖3～圖18是說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的剖面圖。
圖19是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的端部附近的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖20～圖35是用于說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的剖面圖。
圖36是表示以往提出的半導(dǎo)體裝置的整體構(gòu)成的側(cè)面圖。
圖37是表示圖36所示的以往提出的半導(dǎo)體裝置的端部附近的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖38～圖54是說明以往提出的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖，說明本發(fā)明的實(shí)施方式。
第1實(shí)施方式首先，參照圖1及圖2，說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)。
在第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置50中，如圖1所示，在半導(dǎo)體元件1上方，介由厚度大約5μm～大約20μm的由環(huán)氧樹脂構(gòu)成的樹脂層2，安裝大約厚400μm的玻璃基板3。此外，在半導(dǎo)體元件1的下面設(shè)置由焊錫形成的多個(gè)半球狀的導(dǎo)電端子4。
此外，半導(dǎo)體元件1，如圖2所示，具有厚度大約150μm～大約600μm的半導(dǎo)體芯片5。該半導(dǎo)體芯片5，具有在硅基板的上面上形成電路(未圖示)的構(gòu)成。此外，在半導(dǎo)體芯片5的上面上，形成厚度大約1000nm～大約2000nm的由SiO2構(gòu)成的絕緣膜6。另外，該絕緣膜6，是本發(fā)明的一例“第1絕緣膜”。此外，埋入在絕緣膜6地形成由鎢(W)等金屬材料構(gòu)成的插入電極7。該插入電極7，與形成在半導(dǎo)體芯片5的上面的電路(未圖示)連接。此外，以覆蓋絕緣膜6的上面和后述的絕緣膜8及保護(hù)膜9的上端面的方式，形成由SiN構(gòu)成的絕緣膜10。在該絕緣膜10的規(guī)定區(qū)域，形成開口部11，同時(shí)在與插入電極7對應(yīng)的區(qū)域，形成接觸孔12。另外，該開口部11，是本發(fā)明的一例“第1開口部”，接觸孔12，是本發(fā)明的一例“第2開口部”。
此外，在第1實(shí)施方式中，以埋入絕緣膜10的開口部11，同時(shí)敷在絕緣膜10的上面上地形成厚度大約500nm～大約1000nm的由Al等金屬材料構(gòu)成的伸長連接盤13。此外，伸長連接盤13的寬度大于開口部11的寬度。
由此，伸長連接盤13，介由絕緣膜10的開口部11，與絕緣層6的上面接觸。該伸長連接盤13是為了連接半導(dǎo)體芯片5的電路和后述的布線16而設(shè)置的。另外，該伸長連接盤13，是本發(fā)明的一例“第1布線”。
此外，與伸長連接盤13相隔規(guī)定間隔地形成厚度大約500nm～大約1000nm的由Al等金屬材料構(gòu)成的布線14。該布線14，介由絕緣膜10的接觸孔12，連接在插入電極7。另外，該布線14，是本發(fā)明的一例“第3布線”。此外，雖未圖示，但布線14與伸長連接盤13連接，伸長連接盤13與半導(dǎo)體芯片5的電路連接。
此外，覆蓋全面地形成厚度大約500nm～大約2000nm的由SiN構(gòu)成的絕緣膜15。該絕緣膜15的上面，形成反映相隔規(guī)定間隔設(shè)置的伸長連接盤13及布線14的形狀的凹凸形狀。此外，以埋入該絕緣膜15的凹凸形狀的上面的方式，形成上述的樹脂層2(參照圖1)，同時(shí)以樹脂層2為粘合劑，粘接玻璃基板3。
這里，在第1實(shí)施方式中，以覆蓋半導(dǎo)體芯片5的側(cè)面及下面、和絕緣膜6的下面的規(guī)定區(qū)域的方式，形成用于絕緣半導(dǎo)體芯片5和后述的布線16的絕緣膜17。該絕緣膜17，由與絕緣膜6相同的材料即SiO2構(gòu)成，形成大約1μm～大約5μm的厚度。另外，絕緣膜17，是本發(fā)明的一例“第3絕緣膜”。此外，在與半導(dǎo)體芯片5的下面對應(yīng)的絕緣膜17的規(guī)定區(qū)域的下面，設(shè)置厚度大約10μm～大約30μm的由環(huán)氧系樹脂構(gòu)成的緩沖部件18。該緩沖部件18，是為了緩和在布線16上形成導(dǎo)電端子4時(shí)的沖擊而設(shè)置。此外，在絕緣膜17及緩沖部件18上方，從半導(dǎo)體芯片5的側(cè)面、沿下面延伸地形成厚度大約2μm～大約3μm的由Al等金屬材料構(gòu)成的布線16。另外，布線16，是本發(fā)明的一例“第2布線”。此外，布線16，與通過蝕刻絕緣膜6的部分區(qū)域而露出的伸長連接盤13的下面連接。此外，在布線16的與緩沖部件18對應(yīng)的區(qū)域的下面，設(shè)置上述的由焊錫構(gòu)成的半球狀的導(dǎo)電端子4。由此，介由布線16連接伸長連接盤13和導(dǎo)電端子4。此外，覆蓋布線16的規(guī)定區(qū)域地形成絕緣膜8，同時(shí)覆蓋該絕緣膜8地形成厚度大約10μm～大約30μm的由環(huán)氧系樹脂構(gòu)成的保護(hù)膜9。
下面，參照圖2～圖18，說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工藝。
首先，如圖3所示，準(zhǔn)備在硅基板上面上方形成電路(未圖示)的半導(dǎo)體晶圓5a。然后，在半導(dǎo)體晶圓5a上形成厚度大約1000nm～大約2000nm的由SiO2構(gòu)成的絕緣膜6，同時(shí)埋入在絕緣膜6中地形成連接在半導(dǎo)體晶圓5a的電路(未圖示)上的由W等構(gòu)成的插入電極7。然后，以覆蓋絕緣膜6及插入電極7的上面的方式形成厚度大約500nm的由SiN構(gòu)成的絕緣膜10。
然后，在第1實(shí)施方式中，如圖4所示，采用光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)，在絕緣膜10的規(guī)定區(qū)域形成開口部11的同時(shí)，在絕緣膜10的與插入電極7對應(yīng)的區(qū)域形成接觸孔12。
下面，如圖5所示，以埋入絕緣膜10的開口部11及接觸孔12、同時(shí)覆蓋絕緣膜10的上面的方式，形成厚度大約500nm～大約1000nm的由Al等構(gòu)成金屬層13a。由此，金屬層13a的一部分，介由絕緣膜10的開口部11與絕緣膜6的上面接觸，同時(shí)金屬層13a的另一部分，介由絕緣膜10的接觸孔12，連接在插入電極7上。
然后，如圖6所示，通過采用光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)來形成金屬層13a圖形，而相隔規(guī)定間隔地形成多個(gè)伸長連接盤13和多個(gè)布線14。由此，形成介由絕緣膜10的開口部11連接在插入電極7上的布線14，和介由絕緣膜10的開口部11而與絕緣膜6的上面接觸的伸長連接盤13。其中，此時(shí)形成伸長連接盤13的寬度大于絕緣膜10的開口部11的尺寸。
然后，如圖7所示，采用CVD(Chemical Vapor Deposition)法，覆蓋全面地形成厚度大約500nm～大約2000nm的由SiN構(gòu)成的絕緣膜15。由此，絕緣膜15的上面，被形成反映相隔規(guī)定間隔形成的伸長連接盤13及布線14的形狀的凹凸形狀。
然后，如圖8所示，以覆蓋絕緣膜15的凹凸形狀的上面地形成厚度大約5μm～大約20μm的由環(huán)氧系樹脂構(gòu)成的樹脂層2，同時(shí)以樹脂層2為粘合劑，粘接厚度大約400nm的玻璃基板3。之后，通過從半導(dǎo)體晶圓5a(參照圖8)的下面?zhèn)?，進(jìn)行濕式蝕刻，如圖9所示，將半導(dǎo)體晶圓5a分離成多個(gè)半導(dǎo)體芯片5。在該濕式蝕刻中，采用氟酸、硝酸及醋酸的混合溶液等。
然后，如圖10所示，以覆蓋半導(dǎo)體芯片5的下面及側(cè)面、和絕緣膜6相鄰的2個(gè)半導(dǎo)體芯片5間的區(qū)域的下面的方式，利用CVD法，形成由SiO2構(gòu)成的絕緣膜17。該絕緣膜17，形成大約1μm～大約5μm的厚度。
然后，如圖11所示，以覆蓋與絕緣膜17的半導(dǎo)體芯片5的側(cè)面及下面對應(yīng)的區(qū)域和伸長連接盤13的下方的部分區(qū)域的方式，形成厚度大約10μm～大約50μm的抗蝕劑層19。
然后，在第1實(shí)施方式中，通過以抗蝕劑層19作為掩模，采用氟酸等，從絕緣膜17及6的下側(cè)，進(jìn)行濕式蝕刻，而如圖12所示，露出伸長連接盤113的下面的部分區(qū)域和絕緣膜10相鄰的2個(gè)伸長連接盤13間的下面的區(qū)域。此時(shí)，絕緣膜17及6，由于都由SiO2形成，所以能夠用一道工序去除。
然后，如圖13所示，在絕緣膜17的與半導(dǎo)體芯片5的下面對應(yīng)的區(qū)域，形成厚度大約10μm～大約30μm的由環(huán)氧系樹脂構(gòu)成的緩沖部件18。
然后，如圖14所示，采用濺射法，以覆蓋露出的伸長連接盤13的下面的部分區(qū)域、絕緣膜10相鄰的2個(gè)伸長連接盤13間的區(qū)域下面、緩沖部件18和絕緣膜17的方式，形成厚度大約2μm～大約3μm的由Al等金屬構(gòu)成的金屬層16a。
然后，如圖15所示，采用光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)，去除金屬層16a相鄰的2個(gè)伸長連接盤13間的下方的區(qū)域。由此，按每個(gè)半導(dǎo)體芯片5分割金屬層16a，形成分別連接在各自的伸長連接盤13的下面的2個(gè)布線16。
然后，如圖16所示，以覆蓋布線16和絕緣膜10的下面的規(guī)定區(qū)域的方式，形成絕緣膜8。之后，以覆蓋絕緣膜8和絕緣膜10相鄰的2個(gè)伸長連接盤13間的區(qū)域的下面的方式，形成厚度大約10μm～大約30μm的由環(huán)氧系樹脂構(gòu)成的保護(hù)膜19。
然后，如圖17所示，在布線16的與緩沖部件18對應(yīng)的區(qū)域的下面，通過利用絲網(wǎng)印刷等方法涂布焊錫，形成半球狀的導(dǎo)電端子4。
然后，如圖18所示，沿相鄰的2個(gè)伸長連接盤5間的區(qū)域的中心線，從下側(cè)進(jìn)行切割。由此，形成圖2所示的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置50。
在第1實(shí)施方式中，如上所述，通過以與半導(dǎo)體芯片5的上面接觸的方式，形成由單一材料(SiO2)構(gòu)成的絕緣膜6，同時(shí)介由形成在該絕緣膜6上的由SiN構(gòu)成的絕緣膜10的開口部，以與絕緣膜6的上面接觸的方式形成伸長連接盤13，由于在半導(dǎo)體芯片5的上面和伸長連接盤13的之間，只存在由單一材料(SiO2)構(gòu)成的絕緣膜6，所以，與在半導(dǎo)體芯片5的上面和伸長連接盤13的之間，存在由不同材料構(gòu)成的多個(gè)絕緣膜時(shí)不同，為了露出伸長連接盤13的下面，能夠用一道蝕刻工序進(jìn)行蝕刻去除半導(dǎo)體芯片5的上面和伸長連接盤13之間的絕緣膜6的工序。由此，能夠簡化半導(dǎo)體裝置50的制造工藝。
此外，在第1實(shí)施方式中，由于通過蝕刻絕緣膜10，在絕緣膜10上基本上同時(shí)形成開口部11和接觸孔12，不需要為了在絕緣膜10上設(shè)置接觸孔12而另外設(shè)置蝕刻工序，所以能夠抑制制造工藝的復(fù)雜化。
此外，在第1實(shí)施方式中，由于通過由與形成的絕緣膜6相同的材料(SiO2)，以覆蓋伸長連接盤13的下面的方式，形成用于絕緣半導(dǎo)體芯片5和布線16的絕緣膜17，在覆蓋絕緣膜6的下面地形成絕緣膜17后，能夠用一道蝕刻工序，去除絕緣膜6及17的一部分，而露出伸長連接盤13的下面，所以能夠抑制增加用于露出伸長連接盤13的下面的工序數(shù)。
此外，在第1實(shí)施方式中，由于與絕緣膜10的開口部11的寬度相比增大伸長連接盤13的寬度，所以能夠以伸長連接盤13的寬度比開口部11的寬度大的范圍，允許在形成伸長連接盤13圖形時(shí)相對于抗蝕劑層的掩模對正的誤差。由此，能夠容易以埋入開口部11的方式形成伸長連接盤13。
此外，在第1實(shí)施方式中，由于通過由相同的金屬層13a形成布線14和伸長連接盤13，能夠通過形成相同的金屬層13a的圖形而同時(shí)形成布線14和伸長連接盤13，所以能夠簡化制造工藝。
第2實(shí)施方式在該第2實(shí)施方式中，與上述第1實(shí)施方式不同，說明以伸長連接盤13的寬度比絕緣膜的開口部的尺寸小的方式形成的例子。首先，參照圖19，說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)。另外，對于與第1實(shí)施方式相同的要素，使用同一符號。
在該第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置60中，如圖19所示，以覆蓋形成在半導(dǎo)體芯片5的上面上的由SiO2構(gòu)成的絕緣膜6的上面和絕緣膜8及保護(hù)膜9的上端面的方式，設(shè)置由SiN構(gòu)成的絕緣膜30。在該絕緣膜30的規(guī)定區(qū)域，設(shè)置開口部31，同時(shí)在與連接在半導(dǎo)體芯片5的電路上的插入電極7對應(yīng)的區(qū)域，設(shè)置接觸孔32。這里，該第2實(shí)施方式的開口部31，以比圖2所示的第1實(shí)施方式的開口部11增大開口寬度的方式形成。另外，絕緣膜30，是本發(fā)明的一例“第2絕緣膜”。此外，開口部31，是本發(fā)明的一例“第1開口部”，接觸孔32，是本發(fā)明的一例“第2開口部”。
此外，在該第2實(shí)施方式中，在絕緣膜30的開口部31內(nèi)，形成厚度大約500nm～大約1000nm的由Al等金屬材料構(gòu)成的伸長連接盤33。由此，伸長連接盤33，介由絕緣膜30的開口部31，接觸在絕緣膜6的上面。此外，伸長連接盤33的寬度，以小于絕緣膜30的開口部31的尺寸的方式形成。即，該第2實(shí)施方式的伸長連接盤33，不同于圖2所示的第1實(shí)施方式的伸長連接盤13，只形成在開口部31內(nèi)，不以敷在絕緣膜33上的方式形成。另外，伸長連接盤33，是本發(fā)明的一例“第1布線”。此外，以覆蓋絕緣膜30的接觸孔32的方式，形成厚度大約500nm～大約1000nm的由Al等金屬材料構(gòu)成的布線34。該布線34，介由絕緣膜30的接觸孔32，連接在以埋入在絕緣膜6中的方式形成的插入電極7上。另外，該布線34，是本發(fā)明的一例“第3布線”。此外，雖未圖示，但布線34與伸長連接盤33連接，伸長連接盤33與半導(dǎo)體芯片5的電路連接。此外，覆蓋全面地形成厚度大約500nm～大約2000nm的由SiN構(gòu)成的絕緣膜35。
另外，第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置60的上述以外的結(jié)構(gòu)，與第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置50的結(jié)構(gòu)相同。
下面，參照圖19～圖35，說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工藝。
首先，與圖3所示的第1實(shí)施方式的制造工藝同樣，如圖20所示，在上面上方形成電路的半導(dǎo)體晶圓5a上形成由SiO2構(gòu)成的絕緣膜6和插入電極7后，以覆蓋絕緣膜6及插入電極7的上面的方式，形成厚度大約500nm的由SiN構(gòu)成的絕緣膜30。
然后，在第2實(shí)施方式中，如圖21所示，采用光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)，在絕緣膜30的規(guī)定區(qū)域形成開口部31同時(shí)，在絕緣膜30的與插入電極27對應(yīng)的區(qū)域，形成接觸孔32。此時(shí)，開口部31，以具有比圖4所示的第1實(shí)施方式的開口部11大的開口寬度的方式形成。
然后，如圖22所示，以埋入絕緣膜30的開口部31及接觸孔32、同時(shí)覆蓋絕緣膜30的上面的方式，形成厚度大約500nm～大約1000nm的由Al等金屬材料構(gòu)成的金屬層33a。由此，金屬層33a的一部分，介由絕緣膜30的開口部31，接觸在絕緣膜6的上面，同時(shí)金屬層33a的另一部分，介由絕緣膜30的接觸孔32，連接在插入電極7上。
然后，如圖23所示，采用光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)，通過形成金屬層33a圖形，而相隔規(guī)定間隔地形成多個(gè)伸長連接盤33和多個(gè)布線34。由此，形成介由絕緣膜30的接觸孔32而連接在插入電極7上的布線34和介由絕緣膜30的開口部31而與絕緣膜6的上面接觸的伸長連接盤33。另外，此時(shí)，形成的伸長連接盤33的寬度小于絕緣膜30的開口部31的尺寸。即，在第2實(shí)施方式中，伸長連接盤33，只形成在開口部31內(nèi)，不敷在絕緣膜30上地形成。
下面，如圖24～圖26所示，在經(jīng)過與上述第1實(shí)施方式的圖7～圖9的工序相同的工序后，如圖27所示，以覆蓋半導(dǎo)體芯片5的下面及側(cè)面、和絕緣膜6相鄰的2個(gè)半導(dǎo)體芯片5之間的區(qū)域的下面的方式，利用CVD法，形成由SiO2構(gòu)成的絕緣膜17。
然后，如圖28所示，以覆蓋絕緣膜17的、與半導(dǎo)體芯片5的側(cè)面及下面對應(yīng)的區(qū)域和伸長連接盤33的下方的部分區(qū)域的方式，形成厚度大約10μm～大約50μm的抗蝕劑層19。
其后，在第2實(shí)施方式中，與上述第1實(shí)施方式同樣，通過以抗蝕劑層19作為掩模，采用氟酸等，從絕緣膜17及6的下側(cè)，進(jìn)行濕式蝕刻，如圖29所示，露出伸長連接盤33的下面的部分區(qū)域和相鄰的2個(gè)伸長連接盤33間的絕緣膜30的下面。此時(shí)，絕緣膜17及6，由于都由SiO2形成，所以能夠用一道蝕刻工序去除。
然后，如圖30～圖35所示，在經(jīng)過與上述第1實(shí)施方式的圖13～圖18的工序相同的工序后，形成圖19所示的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置60。
在第2實(shí)施方式中，如上所述，通過與半導(dǎo)體芯片5的上面接觸地形成由單一的材料(SiO2)構(gòu)成的絕緣膜6，同時(shí)介由形成在該絕緣膜6上的由SiN構(gòu)成的絕緣膜30的開口部31，與絕緣膜6的上面接觸地形成伸長連接盤33，由于在半導(dǎo)體芯片5的上面和伸長連接盤33的之間，只能夠存在由單一的材料(SiO2)構(gòu)成的絕緣膜6，所以，與在半導(dǎo)體芯片5的上面和伸長連接盤33的之間存在由不同材料構(gòu)成的多個(gè)絕緣膜時(shí)不同，為了露出伸長連接盤33的下面，能夠用一道蝕刻工序進(jìn)行蝕刻去除半導(dǎo)體芯片5的上面和伸長連接盤33之間的絕緣膜6。由此，能夠簡化半導(dǎo)體裝置60的制造工藝。
此外，在第2實(shí)施方式中，由于只在絕緣膜30的開口部31內(nèi)形成伸長連接盤33，所以與以敷在絕緣膜10上地形成伸長連接盤13的第1實(shí)施方式相比，需要更高精度地進(jìn)行采用光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)形成金屬層33a圖形時(shí)的相對于抗蝕劑層的掩模對正。
第2實(shí)施方式的上述以外的效果，與上述第1實(shí)施方式的效果相同。
另外，這次公開的實(shí)施方式，應(yīng)理解為在所有方面，只是例示不是限定的內(nèi)容。本發(fā)明的范圍，不是上述的實(shí)施方式的說明，由發(fā)明方案的范圍示出，另外，也包括在與發(fā)明方案的范圍等同的意義及范圍內(nèi)的所有變更。
例如，在上述實(shí)施方式中，由SiO2單一層構(gòu)成伸長連接盤的下面接觸的作為本發(fā)明的第1絕緣膜的絕緣膜6，但本發(fā)明并不局限于此，也可以利用由同一材料形成的多個(gè)層，構(gòu)成絕緣膜6(第1絕緣膜)。
此外，在上述實(shí)施方式中，利用SiO2形成絕緣半導(dǎo)體芯片5和布線16的絕緣膜17，但本發(fā)明并不局限于此，只要是能夠利用與形成在半導(dǎo)體芯片5的上面上方的絕緣膜6相同的蝕刻手段去除的材料，也可以用其他材料形成絕緣膜17。例如，在利用SiN形成半導(dǎo)體芯片5的上面上的絕緣膜6的時(shí)候，也可以利用SiN形成絕緣半導(dǎo)體芯片5和布線16的絕緣膜17。此時(shí)，由于也能夠通過用一道蝕刻工序，去除絕緣半導(dǎo)體芯片5和布線16的絕緣膜17和形成在半導(dǎo)體芯片5的上面上的絕緣膜6，露出伸長連接盤13的下面，因此能夠抑制制造工藝的復(fù)雜化。此外，也可以由可用同一蝕刻手段(蝕刻液等)去除的不同的材料，形成絕緣膜17和絕緣膜6。
此外，在上述實(shí)施方式中，利用濕式蝕刻去除用于絕緣半導(dǎo)體芯片5與布線16的絕緣膜17、和形成在半導(dǎo)體芯片5的上面上的絕緣膜6，但本發(fā)明并不局限于此，也可以用干式蝕刻去除用于絕緣半導(dǎo)體芯片5和布線16的絕緣膜17和形成半導(dǎo)體芯片5的上面上的絕緣膜6。
此外，在上述實(shí)施方式中，在以覆蓋布線及伸長連接盤的方式形成的絕緣膜的上面，介由由環(huán)氧系樹脂構(gòu)成的樹脂層，粘接玻璃基板，但本發(fā)明并不局限于此，也可以在以覆蓋布線及伸長連接盤的方式形成的絕緣膜的上面，介由樹脂層形成彩色濾光片后，在彩色濾光片的上面，介由由環(huán)氧系樹脂構(gòu)成的樹脂層，粘接玻璃基板。
此外，在上述實(shí)施方式中，利用SiO2來形成在半導(dǎo)體芯片的上面上形成的絕緣膜和以覆蓋半導(dǎo)體芯片的側(cè)面及下面的方式形成的絕緣膜，但本發(fā)明并不局限于此，只要是HTO膜、BPSG膜、SOG膜或它們的復(fù)合膜等基本上以SiO2為主成分的膜即可，也可以采用由其他材料構(gòu)成的膜，形成絕緣膜。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，具有第1絕緣膜，與包含電路的半導(dǎo)體芯片的上面接觸地形成，由單一材料構(gòu)成；第1布線，與上述第1絕緣膜的上面接觸地形成；第2布線，從上述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面沿下面延伸地形成，連接在通過去除上述第1絕緣膜的一部分而露出的第1布線的下面。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中上述第1絕緣膜由單一的SiO2膜構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中還包括形成在上述第1絕緣膜上并由與上述第1絕緣膜不同的材料構(gòu)成的第2絕緣膜，并且該第2絕緣膜具有第1開口部；上述第1布線的下面，介由上述第2絕緣膜的第1開口部而與上述第1絕緣膜的上面及上述第2布線接觸。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中上述第2絕緣膜由SiN膜構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中上述第1布線的寬度大于上述第1開口部的寬度。
6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中還具有形成在上述第2絕緣膜上的第3布線；上述第2絕緣膜，包括用于連接上述第3布線和上述半導(dǎo)體芯片的電路的第2開口部。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中上述第3布線由與上述第1布線相同的層構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中還具有，在上述半導(dǎo)體芯片和上述第2布線的之間以絕緣上述半導(dǎo)體芯片和上述第2布線的方式設(shè)置的第3絕緣膜，并且，該第3絕緣膜，以覆蓋上述第1絕緣膜的下面的規(guī)定區(qū)域的方式形成，并由能通過與上述第1絕緣膜基本上相同的蝕刻手段去除的材料構(gòu)成。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中上述蝕刻手段，包括用于濕式蝕刻的蝕刻液。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中上述第3絕緣膜，由與上述第1絕緣膜相同的材料構(gòu)成。
11.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括與包含電路的半導(dǎo)體芯片的上面接觸地形成由單一材料構(gòu)成的第1絕緣膜的工序；下面與上述第1絕緣膜的上面接觸地形成第1布線的工序；通過至少從下面?zhèn)任g刻上述第1絕緣膜的一部分，而露出上述第1布線的下面的工序；相對于露出的上述第1布線的下面、連接第2布線的工序。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中上述第1絕緣膜由單一的SiO2膜構(gòu)成。
13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中在下面與上述第1絕緣膜的上面接觸地形成第1布線的工序之前，還包括在上述第1絕緣膜上形成由與上述第1絕緣膜不同的材料構(gòu)成的第2絕緣膜的工序、在第2絕緣膜上形成第1開口部的工序；下面與上述第1絕緣膜的上面接觸地形成第1布線的工序，包括介由上述第2絕緣膜的第1開口部，使下面與上述第1絕緣膜的上面接觸地形成上述第1布線的工序。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中上述第2絕緣膜由SiN膜構(gòu)成。
15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中上述第1布線的寬度大于上述第1開口部的寬度。
16.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中還具有在上述第2絕緣膜上方形成第3布線的工序；在上述第2絕緣膜上形成第1開口部的工序，包括通過蝕刻上述第2絕緣膜，而在上述第2絕緣膜上，基本上同時(shí)形成上述第1開口部和用于連接上述第3布線及上述半導(dǎo)體芯片的電路的第2開口部的工序。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中上述第3布線由與上述第1布線相同的層構(gòu)成。
18.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中在露出上述第1布線的下面的工序之前，還包括以覆蓋上述第1絕緣膜的下面的方式形成由能通過與上述第1絕緣膜基本上相同的蝕刻手段去除的材料構(gòu)成的第3絕緣膜的工序；露出上述第1布線的下面的工序，包括通過上述相同的蝕刻手段，從下側(cè)連續(xù)蝕刻上述第3絕緣膜及上述第1絕緣膜的一部分，而露出上述第1布線的下面的工序。
19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中上述蝕刻手段包括用于濕式蝕刻的蝕刻液。
20.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中上述第3絕緣膜由與上述第1絕緣膜相同的材料構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠簡化制造工序的半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置具有與包含電路的半導(dǎo)體芯片的上面接觸地形成的、由單一材料構(gòu)成的第1絕緣膜；與第1絕緣膜的上面接觸地形成的第1布線；從半導(dǎo)體芯片的側(cè)面沿下面延伸地形成的、連接在通過去除第1絕緣膜的一部分而露出的第1布線的下面的第2布線。
文檔編號H01L23/485GK1601743SQ20041008256
公開日2005年3月30日 申請日期2004年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月24日
發(fā)明者海田孝行, 清水龍, 沖川滿, 三輪哲也, 野間崇 申請人:三洋電機(jī)株式會社