專利名稱：發(fā)光裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置及其制造方法，更具體地，涉及一種具有高發(fā)射效率、能夠在低電壓下工作并且發(fā)出藍(lán)光或綠光的發(fā)光二極管(LED)及其制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)廣泛地用作光通信設(shè)備的光源，以及用作可視地顯示電子設(shè)備工作狀態(tài)的光源。因而，根據(jù)使用LED設(shè)備的應(yīng)用領(lǐng)域提供各種不同的LED。通過發(fā)射出藍(lán)光或綠光的半導(dǎo)體設(shè)備，LED的使用范圍進(jìn)一步擴(kuò)大。
圖1為一種傳統(tǒng)LED的例子。
參照圖1，在襯底10上形成n-GaN層12。n-GaN層12被分成第一區(qū)R1和第二區(qū)R2，其中在第一區(qū)上形成有源層14，在第二區(qū)上形成n型電極22。在第一區(qū)R1和第二區(qū)R2之間有一個臺階。該有源層14、p-GaN層16以及p型電極18順序形成在n-GaN層12的第一區(qū)R1上。這里，作為一個高反射電極，該p型電極18把從該有源層14發(fā)出的光向襯底10反射。
由于在傳統(tǒng)LED中p-GaN層16與p型電極18之間的高接觸阻抗，預(yù)定的電壓下的發(fā)射效率較低。發(fā)射效率低的問題可以通過升高工作電壓來解決。
然而，僅僅通過對p型電極18施加更高的工作電壓并且維持p-GaN層16與p型電極18之間的高接觸阻抗來解決該LED的低發(fā)射效率問題的意圖，與降低工作電壓的努力相違背。這會引起新的問題。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述和其它的問題，本發(fā)明提供了一種LED和制造該LED的方法，其中，通過減小p型電極和p型混合物層之間的接觸阻抗，該LED可以在低工作電壓下工作，并且沒有降低發(fā)射效率。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種LED，包括設(shè)置在n電極層和p型電極層之間的至少一個n型化合物半導(dǎo)體層、有源層以及p型化合物半導(dǎo)體層，其中該p型電極包括第一和第二電極，每個電極具有不同的阻抗和反射特性。
該第一電極由鑭鎳氧化物膜以預(yù)定的厚度形成。
該第二電極可以由從銀(Ag)膜、鋁(Al)膜、銠(Rh)膜和錫(Sn)膜組成的組中選出的一種制成。
根據(jù)本發(fā)明的另外一方面，提供一種LED，包括一個透明襯底；一個在透明襯底上形成的n型化合物半導(dǎo)體層；在n型化合物半導(dǎo)體層的第一區(qū)上形成的一個有源層；在有源層上形成的一個p型化合物半導(dǎo)體層；在p型化合物半導(dǎo)體層上形成的一個接觸阻抗減小膜；在接觸阻抗減小膜上形成的一個p型電極；以及在與n型化合物半導(dǎo)體層的第一區(qū)分開的第二區(qū)上形成的一個n型電極。
該接觸阻抗減小膜可以是鑭鎳氧化物膜。
該p型電極可以由從銀(Ag)膜、鋁(Al)膜、銠(Rh)膜和錫(Sn)膜組成的組中選出的一種形成。
根據(jù)本發(fā)明的其它一方面，提供一種制造LED的方法，包括第一步，在一個透明襯底上順序沉積一個n型化合物半導(dǎo)體層、一個有源層和一個p型化合物半導(dǎo)體層順序放；第二步，通過順序地對p型化合物半導(dǎo)體層和有源層進(jìn)行布圖，暴露出n型化合物半導(dǎo)體層的預(yù)定部分；第三步，在n型化合物半導(dǎo)體層的暴露區(qū)上形成n型電極；第四步，在已布圖的p型化合物半導(dǎo)體層上形成金屬混合物(metal compound)膜；第五步，氧化金屬混合物膜；第六步，在被氧化的金屬混合物膜上形成導(dǎo)電反射膜。
第四步可以包括一個步驟，該步驟是在p型化合物半導(dǎo)體層上形成感光膜布圖，來暴露出p型化合物半導(dǎo)體層；以及，在所述感光膜布圖上形成接觸該p型化合物半導(dǎo)體層的暴露部分的金屬混合物膜。
此外，將反射膜形成于其中的所得物在氮?dú)猸h(huán)境中退火。
根據(jù)本發(fā)明的其他方面，提供一種制造LED的方法，包括第一步，在一個透明襯底上形成一個n型化合物半導(dǎo)體層；第二步，在n型化合物半導(dǎo)體層上順序形成一個有源層和一個p型化合物半導(dǎo)體層；第三步，對p型化合物半導(dǎo)體層和有源層進(jìn)行布圖，暴露出n型化合物半導(dǎo)體層的預(yù)定部分；第四步，在n型化合物半導(dǎo)體層的暴露區(qū)域上形成一個n型電極；第五步，在已布圖的p型化合物半導(dǎo)體層上順序形成一個金屬混合物膜和一個導(dǎo)電反射膜；第六步，氧化金屬混合物膜。
第五步可以包括在該p型化合物半導(dǎo)體層上形成一個感光膜布圖，以便暴露出該p型化合物半導(dǎo)體層的步驟；在感光膜布圖上形成接觸p型化合物半導(dǎo)體層暴露出的預(yù)定部分的金屬混合物膜的步驟；以及在金屬混合物上形成反射膜的步驟。在第六步后，該感光膜布圖連同金屬混合物的氧化物和反射膜可以被去除。
此外，該被氧化的金屬混合物膜在氮?dú)猸h(huán)境中退火。
根據(jù)本發(fā)明的其它方面，提供一種制造LED的方法，包括第一步，在一個透明襯底上順序形成一個n型化合物半導(dǎo)體、一個有源層、一個p型化合物半導(dǎo)體層、一個金屬混合物氧化物膜、以及一個導(dǎo)電反射膜；第二步，通過去除導(dǎo)電反射膜、金屬混合物氧化物膜、p型化合物半導(dǎo)體層和有源層的預(yù)定部分，順序暴露出n型化合物半導(dǎo)體層的預(yù)定部分；第三步，在n型化合物半導(dǎo)體層的暴露區(qū)上形成一個n型電極。
第一步可以包括在透明襯底上順序形成n型化合物半導(dǎo)體層、有源層、和p型化合物半導(dǎo)體層的步驟；在p型化合物半導(dǎo)體層上形成一個金屬混合物膜的步驟；氧化金屬混合物膜的步驟；在被氧化的金屬混合物膜上形成一個反射膜的步驟。
此外，第一步可以包括在透明襯底上順序形成n型化合物半導(dǎo)體層、有源層、和p型化合物半導(dǎo)體層的步驟；在p型化合物半導(dǎo)體層上形成一個金屬混合物膜的步驟；在金屬混合物膜上形成反射膜的步驟；氧化金屬混合物膜的步驟。
所形成的n型電極可以在氮?dú)猸h(huán)境中退火。
根據(jù)本發(fā)明的其它方面，提供一種制造LED的方法，包括第一步，在一個透明襯底上順序形成一個n型化合物半導(dǎo)體層、一個有源層、一個p型化合物半導(dǎo)體層、一個金屬混合物膜、以及一個導(dǎo)電反射膜；第二步，通過去除導(dǎo)電反射膜、金屬混合物膜、p型化合物半導(dǎo)體層以及有源層的預(yù)定部分，暴露出n型化合物半導(dǎo)體層的預(yù)定部分；第三步，氧化金屬混合物膜。
其中，在第二和第三步后，可以在n型化合物半導(dǎo)體層的暴露部分上形成一個n型電極。
根據(jù)本發(fā)明，該金屬混合物膜可以由鑭鎳膜形成，并且該金屬混合物氧化物膜可以為鑭鎳氧化物膜。該反射膜可以由從銀膜、鋁膜、銠膜和錫膜組成的組中選出的一種形成。
本發(fā)明在用作p型電極的反射膜和p型化合物半導(dǎo)體層之間提供了一個材料膜。該材料膜減小了反射膜和p型化合物半導(dǎo)體層之間的接觸阻抗，并且具有高反射率。因此，本發(fā)明在低工作電壓下提高了效率。


圖1是示出傳統(tǒng)LED結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的LED結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖3和圖4為曲線圖，分別示出用在圖2中的LED中的接觸阻抗減小膜的電流和反射特性；圖5至15為剖面圖，示出根據(jù)本發(fā)明的第一個實(shí)施例(圖5至10)、本發(fā)明的第二實(shí)施例(圖11和12)、以及本發(fā)明的第三實(shí)施例(圖13至15)制造圖2中的LED的方法的各個步驟。
具體實(shí)施例方式
在下文中，參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的發(fā)光裝置(LED)。為了更容易理解，圖中的膜和區(qū)的厚度將被夸大以便看得更清楚。
參照圖2，根據(jù)本發(fā)明，在LED的透明襯底40上形成第一化合物半導(dǎo)體層42。第一化合物半導(dǎo)體層42最好由III-V組n型半導(dǎo)體層形成，例如，n-GaN層，但是它也能由其它半導(dǎo)體層形成。第一化合物半導(dǎo)體層42分為第一區(qū)R1和第二區(qū)R2。通過再復(fù)合(recombining)p型和n型載流子(carrier)發(fā)出例如藍(lán)光或綠光的光線的有源層44形成在第一區(qū)R1上。第二化合物半導(dǎo)體層46沉積在有源層44上。第二化合物半導(dǎo)體層46最好由III-V組p型化合物半導(dǎo)體層形成，例如，p-GaN層，但是它也可以由其它半導(dǎo)體層形成。接觸阻抗減小膜48與反射膜50順序沉積到該第二化合物半導(dǎo)體層46上，該接觸阻抗減小膜用于減小接觸阻抗，并且具有高反射率。該接觸阻抗減小膜48與反射膜50形成一個p型電極。這里認(rèn)為反射膜50用作p型電極，并且接觸阻抗減小膜48用作減小反射膜50和第二化合物半導(dǎo)體層46之間接觸阻抗的一種裝置。接觸阻抗減小膜48可以由包含鑭系元素的混合物形成，例如鑭(La)和鎳(Ni)，最好是例如LaNiO5膜的鑭鎳氧化物膜。該接觸阻抗減小膜48的厚度在1～100nm的范圍內(nèi)，最好約為10nm。相對接觸阻抗減小膜48具有更高反射率的反射膜50最好由銀(Ag)形成，但是也可以由其它的材料形成，例如由從鋁(Al)、銠(Rh)、錫(Sn)組成的組中選出的一種形成。
一個n型電極52形成在第一化合物半導(dǎo)體層42的第二區(qū)R2上。
通過在p型電極和n型電極上施加要求的電壓、也就是高于閾值電壓的電壓，光線從有源層44向透明襯底40和反射膜50發(fā)出；其中p型電極由反射膜50形成或者由反射膜50和接觸阻抗減小膜48形成。向著透明襯底40發(fā)出的光線L1通過透明襯底40射出。向著反射膜50發(fā)出的光線L2在被接觸阻抗減小膜48或反射膜50反射之后穿過透明襯底40射出。附圖標(biāo)記L2指代被反射膜50反射的光線。
p型電極可以被用作具有彼此相互面對的p型和n型電極的發(fā)光裝置和具有脊波導(dǎo)管(ridge wave guide)的發(fā)光裝置的p型電極。此外，當(dāng)該透明襯底40為導(dǎo)電襯底時，圖2中的n型電極52可以形成在透明襯底40的底部上。
圖3示出根據(jù)本發(fā)明和現(xiàn)有技術(shù)的LED的電流電壓關(guān)系的特性曲線。圖3中，附圖標(biāo)記G1指代根據(jù)本發(fā)明的LED的、由鑭鎳氧化物膜(LaNiO)和銀膜(Ag)形成的p型電極的電流電壓關(guān)系的曲線，附圖標(biāo)記G2指代根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的LED的、由銀(Ag)形成的p型電極的電流電壓關(guān)系的曲線。
參照第一曲線G1和第二曲線G2，可以看出，根據(jù)本發(fā)明的LED在3伏開始工作，而現(xiàn)有技術(shù)的LED在大約4伏開始工作。就是說，通過由接觸阻抗減小膜和反射膜形成p型電極，根據(jù)本發(fā)明的LED的工作電壓相對于現(xiàn)有技術(shù)的工作電壓降低。
圖4示出用作根據(jù)本發(fā)明的LED的接觸阻抗減小膜的、厚度為10nm的鑭鎳氧化物膜的反射特性。附圖標(biāo)記G3指代第三曲線，其示出鑭鎳氧化物膜的反射特性。
參照圖3，該鑭鎳氧化物膜顯在所有可見光范圍內(nèi)顯示出高反射率特性，例如，在400nm的短波內(nèi)具有85％的反射率。
類似地，由于用作接觸阻抗減小膜48的鑭鎳氧化物膜具有良好的反射率，和沒有接觸阻抗減小膜48的情況相比，在由有源層44向反射膜50發(fā)射的光中反射到透明襯底40的光量增加。
因此，通過根據(jù)本發(fā)明LED的透明襯底發(fā)出的光量多于通過僅由現(xiàn)有技術(shù)的p型電極形成的反射膜50發(fā)出的光量。換句話說，在相同的工作電壓下，本發(fā)明的發(fā)射效率高于現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)射效率。
從圖3和圖4中可以看出，和現(xiàn)有技術(shù)的LED相比，根據(jù)本發(fā)明的LED可以在較低的電壓下以高光發(fā)射效率工作。
現(xiàn)在，將介紹制造圖2中的LED的方法。
<第一實(shí)施例>
參照圖5，在透明襯底40上形成第一化合物半導(dǎo)體層42。該第一化合物半導(dǎo)體層42最好由n-GaN層形成，但是也能由其它化合物半導(dǎo)體層形成。在第一化合物半導(dǎo)體層42上順序形成有源層44和第二化合物半導(dǎo)體層46。該第二化合物半導(dǎo)體層46能由p-GaN層形成，但也能由其它化合物半導(dǎo)體層形成。在第二化合物半導(dǎo)體層46上形成第一感光膜布圖PR1。該第一感光膜布圖PR1限定出用于隨后形成的n型電極和p型電極的區(qū)域。
參照圖5和圖6，通過使用第一感光膜布圖PR1作為蝕刻掩模，順序蝕刻第二化合物半導(dǎo)體層46和有源層44。優(yōu)選地，可以在第一化合物半導(dǎo)體層42被暴露后完成蝕刻，但是蝕刻也可以持續(xù)到直到第一化合物半導(dǎo)體層42的預(yù)設(shè)厚度被去除。然后，去除第一感光膜布圖PR1。在預(yù)定區(qū)域上形成n型電極52，該預(yù)定區(qū)域為通過蝕刻第一化合物半導(dǎo)體層42被暴露的區(qū)域。該n型電極52可以在下述過程完成后形成。
參照圖7，形成第二感光膜布圖PR2，覆蓋包括n型電極52在內(nèi)的形成n型電極52的整個區(qū)域，并且暴露出第二化合物半導(dǎo)體層46的大部分。第二感光膜布圖PR2限定出形成p型電極的區(qū)域。金屬混合物膜47在第二感光膜布圖PR2上形成，并接觸第二化合物半導(dǎo)體層46的整個表面。金屬混合物膜47最好由鑭鎳混合物(LaNi)形成，但是也可以由其它金屬混合物膜形成。金屬混合物膜47可以具有1～100nm范圍內(nèi)的厚度，最好將其形成為具有10nm的厚度?？梢愿鶕?jù)所使用的膜材料，不同地形成金屬混合物膜47。
下一步，通過將所得的金屬混合物膜47在氧化環(huán)境中以預(yù)定溫度進(jìn)行預(yù)定時間的退火，將其氧化。然后，如圖8表示，在第二感光膜布圖PR2上形成接觸阻抗減小膜48，該阻抗減小膜與第二化合物半導(dǎo)體層46的暴露區(qū)的整個表面接觸。如前所述，作為具有低電阻的高反射材料膜，該接觸阻抗減小膜48最好由鑭鎳氧化物膜形成，例如LaNiO5，但是也可以由其它的氧化物膜形成。
參照圖9，在接觸阻抗減小膜48上形成反射膜50。該反射膜可以單獨(dú)用作p型電極，但是鑒于該接觸阻抗減小膜48的阻抗特性，該接觸阻抗減小膜48也能用作一個電極。因而，可以由反射膜50和接觸阻抗減小膜48兩者形成該p型電極。反射膜50最好由銀(Ag)形成，但是它也可以由其它具有高反射率并且能用作電極的材料形成，例如鋁、銠或錫。
參照圖9和圖10，在圖9中形成反射膜50之處，將第二感光膜布圖PR2從所得的產(chǎn)品中去除。在去除過程中，順序沉積在第二感光膜布圖PR2上的接觸阻抗減小膜48和反射膜50也被去除。作為結(jié)果，用作p型電極的接觸阻抗減小膜48和反射膜50形成在第二化合物半導(dǎo)體層46上。
<第二實(shí)施例>
實(shí)施與第一實(shí)施例相同的步驟在透明襯底40上形成第一化合物半導(dǎo)體層42、有源層44以及第二化合物半導(dǎo)體層46，以相反的順序蝕刻這些層，在第一化合物半導(dǎo)體層42的暴露區(qū)上形成n型電極52。因此，在第一實(shí)施例中的這些材料膜的描述將被省略。
參照圖11，形成第三感光膜布圖PR3，覆蓋包括n型電極52在內(nèi)的形成n型電極52的整個區(qū)域，并且暴露出第二化合物半導(dǎo)體層46的大部分。第三感光膜布圖PR3限定出用于形成p型電極的區(qū)域。金屬混合物47和反射膜50順序形成在第三感光膜布圖PR3上。下一步，把具有反射膜50的所得產(chǎn)品以與第一實(shí)施例中描述的相同條件在氧化環(huán)境中退火，以便氧化該金屬混合物膜47。通過退火，該金屬混合物膜成為金屬混合物氧化物膜，然后，在反射膜50和第二化合物半導(dǎo)體層46之間形成接觸阻抗減小膜48，如圖12中示出。
然后，通過去除第三感光膜布圖PR3連同順序沉積的接觸阻抗減小膜48和反射膜50，得到在圖10中示出的所得產(chǎn)品。該n型電極52可以在去除第三感光膜布圖PR3后形成。
<第三實(shí)施例>
在第一和第二實(shí)施例中對該材料膜的描述將被省略。
參照圖13，第一化合物半導(dǎo)體層42、有源層44、第二化合物半導(dǎo)體層46、金屬混合物膜47和反射膜50被順序沉積在透明襯底40上。在反射膜50上形成第四感光膜布圖PR4，該布圖限定出用于p型電極的區(qū)域。
下一步，如圖14示出，通過使用第四感光膜布圖PR4作為蝕刻掩模，以相反的順序蝕刻第一化合物半導(dǎo)體層上的沉積材料膜。這里，最好在第一化合物半導(dǎo)體層42被暴露后完成蝕刻，但是蝕刻也可以持續(xù)到直到第一化合物半導(dǎo)體層42的預(yù)定厚度被去除。通過蝕刻，第一化合物半導(dǎo)體層42的一部分區(qū)域被暴露出。通過隨后的步驟將n型電極形成在第一化合物半導(dǎo)體層42的暴露部分上。蝕刻后，通過煙化和剝離，去除第四感光膜布圖PR4。
同時參照圖14和圖15，在去除第四感光膜布圖PR4后，以與第一實(shí)施例中描述的相同條件將所得產(chǎn)品在氧化環(huán)境中退火。于是該金屬混合物膜47被氧化，并且在第二化合物半導(dǎo)體層46和反射膜50之間形成接觸阻抗減小膜48。
<第四實(shí)施例>
第四實(shí)施例的特征在于，在如圖13所示的第三實(shí)施例中，在反射膜50形成在金屬混合物膜47上之前，早于形成金屬混合物膜對金屬混合物膜47進(jìn)行氧化。此后，在反射膜上50上形成第四感光膜布圖PR4。通過將第四感光膜布圖PR4用作蝕刻掩模，反射膜50、被氧化的金屬混合物膜、第二化合物半導(dǎo)體層46以及有源層44被順序蝕刻。然后，除去第四感光膜布圖PR4。
在制造根據(jù)第一至第四實(shí)施例的LED的方法中，在于第二化合物半導(dǎo)體層46上形成包括接觸阻抗減小膜48和反射膜50的p型電極后，在氮?dú)猸h(huán)境中對所得產(chǎn)品進(jìn)行熱處理。該熱處理溫度在300～900度的范圍內(nèi)，并持續(xù)預(yù)定的時間。
根據(jù)本發(fā)明的LED提供了一個材料膜，其具有低接觸阻抗和高反射率，形成在用作p型電極的反射膜和p型化合物半導(dǎo)體層之間。因此，根據(jù)本發(fā)明的LED可以在低電壓下工作，并且提高了發(fā)光效率。
盡管參照本發(fā)明的實(shí)施例具體示出和描述了本發(fā)明，但不應(yīng)將本發(fā)明解釋為局限于這里提出的實(shí)施例，而應(yīng)將其解釋為示例性的。而且，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以以許多不同的形式實(shí)施本發(fā)明。例如，該反射膜可以形成雙層。同樣，本發(fā)明的技術(shù)思想能被應(yīng)用在具有沒有按照相同方向形成的p型電極和n型電極的LED上。另外，把金屬混合物膜轉(zhuǎn)換成接觸阻抗減小膜的氧化過程除了退火方法還可以采用其它的方法。類似地，由于能以許多不同形式實(shí)施本發(fā)明，因此，應(yīng)該參考所附權(quán)利要求限定由技術(shù)思想的精神限定本發(fā)明的范圍，而不是由這里提出的實(shí)施例所限定。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，包括沉積在n型電極層和p型電極層之間的至少一個n型化合物半導(dǎo)體層、一個有源層以及一個p型化合物半導(dǎo)體層，其中，所述p型電極包括第一和第二電極，每個電極具有不同的阻抗和反射率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述第一電極為具有預(yù)定厚度的鑭鎳氧化物薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述第二電極是由從銀(Ag)、鋁(Al)、銠(Rh)和錫(Sn)組成的組中選出的一種金屬制成的膜。
4.一種發(fā)光裝置，包括一個透明襯底；一個形成在所述透明襯底上的n型化合物半導(dǎo)體層；一個形成在n型化合物半導(dǎo)體層的第一區(qū)上的有源層；一個形成在所述有源層上的p型化合物半導(dǎo)體層；一個形成在所述p型化合物半導(dǎo)體層上的接觸阻抗減小膜；一個形成在所述接觸阻抗減小膜上的p型電極；以及一個形成在與所述n型化合物半導(dǎo)體層的第一區(qū)分開的第二區(qū)上的n型電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其中，所述接觸阻抗減小膜為鑭鎳氧化物膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其中，所述p型電極是由從銀(Ag)、鋁(Al)、銠(Rh)和錫(Sn)組成的組中選出的一種材料制造的膜。
7.一種制造發(fā)光裝置的方法，包括在一個透明襯底上順序沉積一個n型化合物半導(dǎo)體層、一個有源層和一個p型化合物半導(dǎo)體層；通過對所述p型化合物半導(dǎo)體層和所述有源層進(jìn)行順序布圖，暴露出所述n型化合物半導(dǎo)體層的預(yù)定部分；在所述n型化合物半導(dǎo)體層的所述暴露區(qū)上形成一個n型電極；在所述已布圖的p型化合物半導(dǎo)體層上形成一個金屬混合物膜；氧化所述金屬混合物膜；以及在所述被氧化的金屬混合物膜上形成一個具有導(dǎo)電性的反射膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的所述方法，其中，所述形成金屬混合物的步驟包括在所述已布圖的p型化合物半導(dǎo)體層上形成一個感光膜布圖，以暴露出所述p型化合物半導(dǎo)體層；以及在所述感光膜布圖上形成一個接觸所述p型化合物半導(dǎo)體層的暴露部分的金屬混合物膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述金屬混合物膜為鑭鎳膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述反射膜由從銀(Ag)、鋁(Al)、銠(Rh)、和錫(Sn)組成的組中選出的一種金屬制成。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，將反射膜形成于其中的所得物在氮?dú)猸h(huán)境中退火。
12.根據(jù)權(quán)利要求8的所述方法，其中，所述金屬混合物膜為鑭鎳膜。
13.一種制造發(fā)光裝置的方法，包括在一個透明襯底上形成一個n型化合物半導(dǎo)體層；在所述n型化合物半導(dǎo)體層上順序形成一個有源層和一個p型化合物半導(dǎo)體層；對所述p型化合物半導(dǎo)體層和所述有源層進(jìn)行布圖，以暴露出所述n型化合物半導(dǎo)體層的預(yù)定部分；在所述n型化合物半導(dǎo)體層的暴露區(qū)上形成一個n型電極；在所述已布圖的p型化合物半導(dǎo)體層上順序形成一個金屬混合物層和一個導(dǎo)電反射膜；以及氧化所述金屬混合物層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，形成金屬混合物膜和導(dǎo)電反射膜的步驟包括在所述p型化合物半導(dǎo)體層上形成一個用以暴露所述p型化合物半導(dǎo)體層的感光膜布圖；在所述感光膜布圖上形成與所述p型化合物半導(dǎo)體層的暴露部分接觸的金屬混合物層；以及在所述金屬混合物上形成反射膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，在氧化所述金屬混合物膜后，把所述感光膜布圖連同所述被氧化的金屬混合物膜和所述反射膜去除。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述金屬混合物膜為鑭鎳膜。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述反射膜由從銀(Ag)、鋁(Al)、銠(Rh)、和錫(Sn)組成的組中選出的一種金屬形成。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，在氧化所述金屬混合物膜后，將被氧化的金屬混合物膜形成于其中的所得物在氮?dú)猸h(huán)境中退火。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述金屬混合物膜為鑭鎳膜。
20.一種制造發(fā)光裝置的方法，包括第一步，在一個透明襯底上順序形成一個n型化合物半導(dǎo)體層、一個有源層、一個p型化合物半導(dǎo)體層、一個金屬混合物氧化物膜以及一個導(dǎo)電反射膜；第二步，通過順序去除所述導(dǎo)電反射膜、所述金屬混合物氧化膜、所述p型化合物半導(dǎo)體層以及所述有源層的預(yù)定部分，暴露出所述n型化合物半導(dǎo)體層的預(yù)定部分；以及第三步，在所述n型化合物半導(dǎo)體層的暴露區(qū)上形成一個n型電極。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述第一步包括在所述透明襯底上順序形成所述n型化合物半導(dǎo)體層、所述有源層以及所述p型化合物半導(dǎo)體層；在所述p型化合物半導(dǎo)體層上形成金屬混合物膜；氧化所述金屬混合物膜；以及在所述被氧化的金屬混合物膜上形成導(dǎo)電反射膜。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述第一步包括在所述透明襯底上順序形成所述n型化合物半導(dǎo)體層、所述有源層以及所述p型化合物半導(dǎo)體層；在所述p型化合物半導(dǎo)體層上形成金屬混合物膜；在所述金屬混合物膜上形成導(dǎo)電反射膜；以及氧化所述金屬混合物膜。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述金屬混合物氧化物膜為鑭鎳氧化物膜。
24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述導(dǎo)電反射膜由從銀(Ag)、鋁(Al)、銠(Rh)、和錫(Sn)組成的組中選出的一種金屬形成。
25.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，將所述n型電極形成于其中的所得物在氮?dú)猸h(huán)境中退火。
26.一種制造發(fā)光裝置的方法，包括在一個透明襯底上順序形成一個n型化合物半導(dǎo)體層、一個有源層、一個p型化合物半導(dǎo)體層、一個金屬混合物膜以及一個導(dǎo)電反射膜；通過去除所述導(dǎo)電反射膜、所述金屬混合物膜、所述p型化合物半導(dǎo)體層以及所述有源層的預(yù)定部分，暴露出所述n型化合物半導(dǎo)體層的預(yù)定部分；以及氧化所述金屬混合物膜。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中，在執(zhí)行完暴露出所述n型化合物半導(dǎo)體層的預(yù)定部分和氧化所述金屬混合物膜中的一項后，在所述n型化合物半導(dǎo)體層的所述暴露區(qū)域上形成n型電極。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，所述金屬混合物膜為鑭鎳膜。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中，所述導(dǎo)電反射膜由從銀(Ag)、鋁(Al)、銠(Rh)、和錫(Sn)組成的組中選出的一種金屬形成。
30.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中，在氧化所述金屬混合物膜后，將所述金屬混合物氧化膜形成于其中的所得物在氮?dú)猸h(huán)境中退火。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光裝置和一種制造該發(fā)光裝置的方法。該發(fā)光裝置包括一個透明襯底，一個在透明襯底上形成的n型化合物半導(dǎo)體層，順序形成在該n型化合物半導(dǎo)體層的第一區(qū)上的一個有源層、一個p型化合物半導(dǎo)體層和一個p型電極，以及一個形成在與n型化合物半導(dǎo)體層的第一區(qū)分開的第二區(qū)上的n型電極，其中該p型電極包括第一和第二電極，每個電極具有不同的電阻和反射率。
文檔編號H01L33/40GK1599088SQ20041008254
公開日2005年3月23日 申請日期2004年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月19日
發(fā)明者郭準(zhǔn)燮, 趙濟(jì)熙 申請人:三星電機(jī)株式會社