專利名稱：半導(dǎo)體器件及該半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及該半導(dǎo)體器件的制造方法。本發(fā)明特別涉及作為非易失存儲(chǔ)器而形成的半導(dǎo)體器件的一種電極結(jié)構(gòu)，并且涉及用于防止故意讀出內(nèi)部數(shù)據(jù)的操作及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，安裝半導(dǎo)體器件的IC卡、尤其是IC標(biāo)簽(tag)得到廣泛制造和使用，該半導(dǎo)體器件形成為非易失存儲(chǔ)器。在這種半導(dǎo)體器件中，以數(shù)據(jù)不能被寫入和讀出的方式寫入部分內(nèi)部數(shù)據(jù)作為特定的數(shù)據(jù)，并且將數(shù)據(jù)適當(dāng)?shù)貙懭肟蓪懭氲拇鎯?chǔ)器部分。
用于IC標(biāo)簽的非易失存儲(chǔ)器IC包括天線焊盤和測(cè)試焊盤。圖10示出了用于IC標(biāo)簽的常規(guī)非易失存儲(chǔ)器IC。該IC包括在襯底1上形成的天線焊盤2和測(cè)試焊盤3，并且在天線焊盤2上形成Au接線凸起(stud bump)4。為進(jìn)行測(cè)試(用于寫數(shù)據(jù))暴露測(cè)試焊盤3。附圖標(biāo)記5表示無(wú)機(jī)絕緣膜，6表示有機(jī)絕緣膜。
在上面的IC中，在形成天線焊盤2和測(cè)試焊盤3之后，通過(guò)使測(cè)試探針與天線焊盤2和測(cè)試焊盤3相接觸來(lái)進(jìn)行測(cè)試。在天線焊盤2和測(cè)試焊盤3上探針接觸的部分形成針尖傷痕7。
在IC標(biāo)簽中，在大多數(shù)情況下，內(nèi)部特定數(shù)據(jù)必須保密，并且其可以是產(chǎn)品的歷史記錄和個(gè)人數(shù)據(jù)。如果可以讀出或者改寫該內(nèi)部特定數(shù)據(jù)，那么就可能不正確地使用數(shù)據(jù)，這是不希望的。
例如，日本未審專利公開(kāi)(特開(kāi))No.2003-142539(第4-6頁(yè)，圖3)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及一種半導(dǎo)體器件的測(cè)試方法。根據(jù)這種測(cè)試方法，即使襯底表面在某種程度上是粗糙的，探針也毫無(wú)問(wèn)題地接觸需要的端子。因此，如圖10所示，即使在襯底的表面上存在突起例如接線凸起4并且在接線凸起4和測(cè)試焊盤3之間存在高度差，也可以通過(guò)使探針接觸測(cè)試焊盤3而讀出數(shù)據(jù)。因此，會(huì)不正確地使用該內(nèi)部特定數(shù)據(jù)。
此外，Au接線凸起4的制造成本高，希望以低成本制造該凸起。因此，希望采用一種依賴于電鍍或者非電鍍形成凸起的方法。
而且，在制造工藝中，在寫入數(shù)據(jù)并且探針與測(cè)試焊盤接觸的步驟之后在天線焊盤上形成該凸起。當(dāng)通過(guò)電解電鍍形成該凸起時(shí)，形成了用于UBM鍍(UBM；凸起金屬下面或者阻擋金屬下面)的籽晶層，然后在其上鍍金屬，以在天線焊盤上形成凸起。如果籽晶層形成在焊盤2和3上以突出方式保留有探針的針尖傷痕7的位置，那么焊盤的該突出部分沒(méi)有充分地被底層覆蓋。即，鍍上的凸起金屬和焊盤金屬彼此直接接觸，在使用過(guò)程中發(fā)生擴(kuò)散反應(yīng)，該凸起強(qiáng)度降低。
而且，在依賴于非電解Ni電鍍來(lái)形成凸起的方法中，在該非電解Ni電鍍過(guò)程中產(chǎn)生的氫穿透鈍化膜并且進(jìn)入鐵電層，可能出現(xiàn)針穿現(xiàn)象(pinningphenomenon)，使得難以改寫該數(shù)據(jù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種抑制器件內(nèi)部的特定數(shù)據(jù)被讀出和抑制該數(shù)據(jù)被再次寫入的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
根據(jù)本發(fā)明，一種半導(dǎo)體器件，包括襯底；形成在該襯底上的天線焊盤；形成在該襯底上的測(cè)試焊盤；覆蓋測(cè)試焊盤、包含填料的絕緣樹(shù)脂層；和設(shè)置在天線焊盤上的凸起。
在該結(jié)構(gòu)中，除了天線焊盤之外，用包含填料的絕緣樹(shù)脂覆蓋測(cè)試焊盤。因此，即使未授權(quán)的人試圖使探針接觸該測(cè)試焊盤，該探針也不容易穿過(guò)包含填料的絕緣樹(shù)脂接觸測(cè)試焊盤。此外，即使試圖通過(guò)蝕刻除去該絕緣樹(shù)脂，填料的存在也使得蝕刻是不可能的。
根據(jù)本發(fā)明，一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括步驟在襯底上形成天線焊盤和測(cè)試焊盤；用包含填料的絕緣樹(shù)脂層覆蓋除了天線焊盤之外的襯底部分；在天線焊盤和包含填料的絕緣樹(shù)脂層上形成用于電鍍的籽晶層；和電鍍?cè)撚糜陔婂兊淖丫?，以便在該天線焊盤上形成凸起。
在該結(jié)構(gòu)中，不允許探針容易地穿過(guò)包含填料的絕緣樹(shù)脂層接觸測(cè)試焊盤。此外，在用包含填料的絕緣樹(shù)脂層覆蓋除了天線焊盤之外的測(cè)試焊盤之前使測(cè)試焊盤表面平滑的情況下，在測(cè)試步驟中由探針弄成的傷痕變得平滑了。此外，在接著的步驟中通過(guò)電鍍形成凸起中，測(cè)試焊盤的突起變得平滑。因此，測(cè)試焊盤很好地被UBM層覆蓋，并且可靠地形成了凸起。
根據(jù)本發(fā)明，一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括步驟在襯底上形成天線焊盤和測(cè)試焊盤；用包含填料的絕緣樹(shù)脂層覆蓋除了天線焊盤之外的襯底部分；在天線焊盤、測(cè)試焊盤和絕緣樹(shù)脂層上形成用于電鍍的籽晶層；電鍍用于電鍍的籽晶層以便在天線焊盤上形成凸起；和除了天線焊盤之外除去用于電鍍的籽晶層和測(cè)試焊盤。
此外，根據(jù)本發(fā)明，一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括步驟在襯底上形成天線焊盤和測(cè)試焊盤；用包含填料的絕緣樹(shù)脂層覆蓋除了天線焊盤之外的襯底部分；通過(guò)非電鍍?cè)谔炀€焊盤上形成凸起；和用焊料層覆蓋該凸起的表面。
在該結(jié)構(gòu)中，實(shí)施預(yù)定的測(cè)試步驟。然后，在形成凸起之后，除了天線焊盤之外除去測(cè)試焊盤。在除去了測(cè)試焊盤的情況下，可以不再使探針接觸測(cè)試焊盤，并且不能讀出該半導(dǎo)體器件中的數(shù)據(jù)。也在這種情況下，在形成凸起的步驟之前預(yù)處理測(cè)試焊盤，使探針傷痕平滑，然后，通過(guò)電鍍形成凸起。
根據(jù)本發(fā)明，一種半導(dǎo)體器件，包括襯底；形成在該襯底上的天線焊盤；形成在該襯底上的測(cè)試焊盤；和設(shè)置在該天線焊盤上的凸起，該凸起主要由通過(guò)非電鍍形成的銅構(gòu)成。
在使用銅的非電鍍中，氫很難產(chǎn)生。因此，由于氫不會(huì)穿透鈍化膜進(jìn)入鐵電層，因此針穿現(xiàn)象不會(huì)發(fā)生。這樣使其能夠低成本地形成高可靠的半導(dǎo)體器件。


圖1是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖面圖；圖2A和2B是說(shuō)明探針與圖1的半導(dǎo)體器件接觸狀態(tài)的剖面圖；圖3A至3F是說(shuō)明圖1的半導(dǎo)體器件的制造方法的視圖；
圖4是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖面圖；圖5是說(shuō)明探針與圖4的半導(dǎo)體器件接觸狀態(tài)的剖面圖；圖6A至6F是說(shuō)明圖5的半導(dǎo)體器件的制造方法的視圖；圖7是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖面圖；圖8A至8F是說(shuō)明圖7的半導(dǎo)體器件的制造方法的視圖；圖9A至9C是說(shuō)明包含本發(fā)明半導(dǎo)體器件的IC標(biāo)簽的視圖；和圖10是說(shuō)明常規(guī)半導(dǎo)體器件的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
圖1是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的視圖，圖2A和2B是說(shuō)明探針與圖1的半導(dǎo)體器件相接觸狀態(tài)的圖。該半導(dǎo)體器件10形成為用于IC標(biāo)簽的非易失存儲(chǔ)器。該半導(dǎo)體器件10包括在襯底(半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體芯片等)11上形成的天線焊盤12和測(cè)試焊盤13，凸起14形成在天線焊盤12上。半導(dǎo)體電路通過(guò)半導(dǎo)體工藝形成在襯底11上，天線焊盤12和測(cè)試焊盤13連接到該半導(dǎo)體電路。
在圖1至2B中，附圖標(biāo)記15表示無(wú)機(jī)絕緣膜，16表示包含填料的絕緣樹(shù)脂層。附圖標(biāo)記17表示針尖傷痕，18表示用于電解電鍍(UBM凸起金屬下面或者阻擋金屬下面)的籽晶層。
無(wú)機(jī)絕緣膜15具有用于露出天線焊盤12和測(cè)試焊盤13的開(kāi)口。包含填料的絕緣樹(shù)脂層16具有用于露出天線焊盤12的開(kāi)口，但是覆蓋測(cè)試焊盤13。
參考圖2A，在形成天線焊盤12、測(cè)試焊盤13和無(wú)機(jī)絕緣膜15之后，在形成包含填料的絕緣樹(shù)脂層16和凸起14之前，通過(guò)使測(cè)試探針19與天線焊盤12和測(cè)試焊盤13接觸來(lái)實(shí)施測(cè)試或者寫入數(shù)據(jù)。針尖傷痕17形成在天線焊盤12和測(cè)試焊盤13上探針19接觸的部分。針尖傷痕17呈現(xiàn)部分突起的形式。在使用探針19測(cè)試之后，形成包含填料的絕緣樹(shù)脂層16和凸起14。
圖2B是說(shuō)明在形成包含填料的絕緣樹(shù)脂層16和凸起14之后，探針19與該半導(dǎo)體器件接觸狀態(tài)的圖。在這種情況下，試圖使探針19與測(cè)試焊盤13接觸以便訪問(wèn)該數(shù)據(jù)。然而，由于測(cè)試焊盤13被包含填料的絕緣樹(shù)脂層16覆蓋，因此探針19不能接觸測(cè)試焊盤13，對(duì)數(shù)據(jù)的訪問(wèn)是不可能的。
在IC標(biāo)簽等中，在大多數(shù)情況下，內(nèi)部特定數(shù)據(jù)為那些需要高度保密的數(shù)據(jù)，例如產(chǎn)品的歷史記錄和個(gè)人數(shù)據(jù)。根據(jù)本發(fā)明，不能讀出或者改寫內(nèi)部特定數(shù)據(jù)，并且沒(méi)有錯(cuò)誤使用該數(shù)據(jù)的可能性。
如果測(cè)試焊盤13被不包含填料的樹(shù)脂層覆蓋，也能夠防止探針19接觸測(cè)試焊盤13。然而，當(dāng)不包含填料的樹(shù)脂層厚度非常小時(shí)，盡管測(cè)試焊盤13被不包含填料的樹(shù)脂層覆蓋，探針19也有可能穿過(guò)該不包含填料的樹(shù)脂層而接觸測(cè)試焊盤13。如果測(cè)試焊盤13被包含填料的絕緣樹(shù)脂層16覆蓋，則能夠確實(shí)防止探針19通過(guò)穿過(guò)該包含填料的樹(shù)脂層16而接觸測(cè)試焊盤13。即，即使包含填料的絕緣樹(shù)脂層16的厚度非常小，該填料也起到增加該包含填料的絕緣樹(shù)脂層16的硬度并且防止探針19穿過(guò)該包含填料的樹(shù)脂層的作用。此外，即使試圖通過(guò)灰化等措施除去該包含填料的絕緣樹(shù)脂層16，也難以除去遺留的填料。
可以使用二氧化硅或者丙烯酸樹(shù)脂作為絕緣樹(shù)脂層16中的填料。二氧化硅或者丙烯酸樹(shù)脂允許光透過(guò)，因此甚至可以用作光敏樹(shù)脂。當(dāng)通過(guò)印刷等方法形成該樹(shù)脂膜時(shí)，填料可以是金屬或者不允許光透過(guò)的材料。例如，以30-40％重量比將包括大小為1至2μm的二氧化硅粒子的填料混合到樹(shù)脂中。該包含填料的絕緣樹(shù)脂層16為例如3至6μm厚。
希望用于包含填料的絕緣樹(shù)脂層16的樹(shù)脂是可以在例如不高于230℃固化的樹(shù)脂，以便防止非易失存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)被熱擾亂。該樹(shù)脂材料的例子包括硅樹(shù)脂和環(huán)氧樹(shù)脂。該包含填料的樹(shù)脂層16具有足夠的厚度，以便覆蓋針尖傷痕17。另一方面，襯底(半導(dǎo)體芯片)11具有小的厚度。因此，如果包含填料的絕緣樹(shù)脂層16具有大的厚度，會(huì)出現(xiàn)翹曲。因此，希望包含填料的絕緣樹(shù)脂層16具有盡可能小的厚度。
圖3A至3F是說(shuō)明圖1的半導(dǎo)體器件的制造方法的視圖。圖3A說(shuō)明了對(duì)襯底1進(jìn)行半導(dǎo)體工藝處理以便形成天線焊盤12和測(cè)試焊盤13以及進(jìn)行測(cè)試的狀態(tài)。針尖傷痕17會(huì)形成。無(wú)機(jī)絕緣膜15具有開(kāi)口以便露出天線焊盤12和測(cè)試焊盤13。
圖3B示出了在用包含填料的絕緣樹(shù)脂層16覆蓋除了天線焊盤12之外的測(cè)試焊盤13之前實(shí)施預(yù)處理以便使測(cè)試焊盤13表面平滑的狀態(tài)。結(jié)果，針尖傷痕17變小。通過(guò)蝕刻實(shí)施預(yù)處理，使得針尖傷痕17的高度變得小于2.5μm。由于該處理，使針尖傷痕17平滑。
圖3C示出了用包含填料的絕緣樹(shù)脂層16覆蓋包括測(cè)試焊盤13并且除了天線焊盤12之外襯底11的部分的狀態(tài)。例如，該包含填料的絕緣樹(shù)脂層16選自光敏絕緣樹(shù)脂，并且形成為具有不小于大約4μm的厚度。使用二氧化硅或者丙烯酸樹(shù)脂作為填料。
圖3D是表示在襯底11的表面上通過(guò)使用濺射裝置形成用于電解電鍍的底層18的狀態(tài)的圖，該襯底11具有形成在其上的包含填料的絕緣樹(shù)脂層16。例如，通過(guò)使用Ti形成該該籽晶層18。圖3E是表示在底層18上形成預(yù)定圖形的光刻膠20的狀態(tài)的視圖。圖3F是表示使用光刻膠20作為掩模、通過(guò)實(shí)施電解電鍍、在底層18上通過(guò)光刻膠20中的開(kāi)口露出的部分形成凸起14的狀態(tài)的視圖。該凸起14例如包括Au鍍層。
在圖3F的步驟之后，除去光刻膠20，蝕刻底層18，完成凸起的形成。圖1示出了該狀態(tài)。
圖4是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的視圖。該實(shí)施例的半導(dǎo)體器件10類似于圖1的半導(dǎo)體器件10。然而，在本實(shí)施例中，除去了圖1的測(cè)試焊盤13，在設(shè)置測(cè)試焊盤13的部分形成了空腔13A。此外，設(shè)置包含填料的絕緣樹(shù)脂層16A，取代包含填料的絕緣樹(shù)脂層16。包含填料的絕緣樹(shù)脂層16A在設(shè)置測(cè)試焊盤13的位置處暴露該空腔13A。
圖5是探針19與圖4的半導(dǎo)體器件接觸的狀態(tài)的視圖。在這種情況下，試圖使探針19接觸測(cè)試焊盤13以便訪問(wèn)該數(shù)據(jù)。然而，由于沒(méi)有測(cè)試焊盤13，因此探針19不能接觸測(cè)試焊盤13，并且不可訪問(wèn)該數(shù)據(jù)。
圖6A至6F是說(shuō)明圖4的半導(dǎo)體器件的制造方法的圖。圖6A示出了對(duì)襯底11進(jìn)行半導(dǎo)體工藝處理以便形成天線焊盤12和測(cè)試焊盤13以及進(jìn)行測(cè)試的狀態(tài)。形成有針尖傷痕17。無(wú)機(jī)絕緣膜15具有開(kāi)口，以便露出天線焊盤12和測(cè)試焊盤13。
圖6B示出了實(shí)施預(yù)處理以便使測(cè)試焊盤13的表面平滑的狀態(tài)。結(jié)果，減小了針尖傷痕17。圖6C是說(shuō)明包含填料的絕緣樹(shù)脂層16A的形成狀態(tài)。包含填料的絕緣樹(shù)脂層16A具有用于露出天線焊盤12和測(cè)試焊盤13的開(kāi)口。可以設(shè)置絕緣樹(shù)脂層16A不包含填料。
圖6D是說(shuō)明通過(guò)使用濺射裝置在襯底11的表面上形成用于電解電鍍的底層18的狀態(tài)，該襯底11具有形成在其上的包含填料的絕緣樹(shù)脂層16A。此外，在底層18上形成預(yù)定圖形的光刻膠20，使用該光刻膠20作為掩模實(shí)施電解電鍍，在底層18上通過(guò)光刻膠20中的開(kāi)口露出的部分上形成凸起14。該凸起14通過(guò)使用例如Au電鍍形成。圖6E是說(shuō)明除去光刻膠20，蝕刻底層18，完成凸起的形成的狀態(tài)的視圖。
圖6F是說(shuō)明進(jìn)一步實(shí)施蝕刻以便除去測(cè)試焊盤13的狀態(tài)圖。因此，包含填料的絕緣樹(shù)脂層16A在設(shè)置測(cè)試焊盤13的位置露出空腔13A。該測(cè)試焊盤13由A1制成。在這種情況下，在控制蝕刻速率的同時(shí)使用磷酸型蝕刻劑除去測(cè)試焊盤13，使得內(nèi)層布線留在襯底11中。
圖7是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的圖。本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件10類似于圖1的半導(dǎo)體器件10。然而，在本實(shí)施例中，凸起14主要由通過(guò)非電解電鍍形成的銅構(gòu)成，用焊料層21覆蓋銅。
圖8A至8F是說(shuō)明圖7的半導(dǎo)體器件的制造方法的視圖。圖8A示出了對(duì)襯底11進(jìn)行半導(dǎo)體工藝處理以便形成天線焊盤12和測(cè)試焊盤13以及進(jìn)行測(cè)試的狀態(tài)。形成了針尖傷痕17。無(wú)機(jī)絕緣膜15具有開(kāi)口，以便露出天線焊盤12和測(cè)試焊盤13。
圖8B示出了實(shí)施預(yù)處理以便使測(cè)試焊盤13的表面平滑的狀態(tài)。結(jié)果，針尖傷痕17縮小。圖8C是說(shuō)明包含填料的絕緣樹(shù)脂層16A形成的視圖。該包含填料的絕緣樹(shù)脂層16A覆蓋測(cè)試焊盤13。
圖8D是說(shuō)明在襯底11的表面上形成預(yù)定圖形的光刻膠20、此外使用光刻膠20作為掩模通過(guò)非電解電鍍銅形成凸起14的狀態(tài)圖，該襯底11具有形成在其上包含填料的絕緣樹(shù)脂層16。圖8E是說(shuō)明除去光刻膠20以便完成凸起的形成的狀態(tài)。圖8F是說(shuō)明覆蓋凸起14的焊料層21的形成。在這種情況下，可以根據(jù)需要形成該焊料層21。此外，可以不僅使用銅層而且使用包括其它材料(例如Ni和Au)的多個(gè)層形成凸起14。
通常，通過(guò)Ni電鍍來(lái)進(jìn)行通過(guò)非電解電鍍的凸起的形成。然而，在非電解Ni電鍍過(guò)程中產(chǎn)生的氫穿透鈍化膜并且進(jìn)入鐵電層，引起針穿現(xiàn)象的出現(xiàn)，使得難以改寫數(shù)據(jù)。因此，在本實(shí)施例中，在低成本下，用銅通過(guò)電鍍形成凸起14，這樣產(chǎn)生很少的氫，并且消除了不能將數(shù)據(jù)改寫到非易失存儲(chǔ)器中的可能性。
圖9A至9C是說(shuō)明包含本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的IC標(biāo)簽的示例圖。圖9A是說(shuō)明IC標(biāo)簽22的平面，半導(dǎo)體器件10連接和固定于該IC標(biāo)簽22。圖9B是說(shuō)明半導(dǎo)體器件10與IC標(biāo)簽22的天線電路23在一起的部分的視圖。圖9C是說(shuō)明IC標(biāo)簽22的側(cè)視圖，半導(dǎo)體器件10連接和固定于該IC標(biāo)簽22。將該半導(dǎo)體器件10通過(guò)凸起14連接和固定于IC標(biāo)簽22。該IC標(biāo)簽22具有天線電路23，并且將半導(dǎo)體器件10的凸起連接到IC標(biāo)簽22的天線電路23。在圖9中示出了測(cè)試焊盤13。在不通過(guò)未示出的裝置本體接觸的情況下將IC標(biāo)簽22中的數(shù)據(jù)讀出。
根據(jù)本發(fā)明，如上所述，抑制了半導(dǎo)體器件中特定數(shù)據(jù)被讀出或者改寫。即，可以安全地并且可靠地將該半導(dǎo)體器件用作非易失存儲(chǔ)器。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括襯底；天線焊盤，形成在該襯底上；測(cè)試焊盤，形成在該襯底上；包含填料的絕緣樹(shù)脂層，覆蓋該測(cè)試焊盤；以及凸起，設(shè)置在所述天線焊盤上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述包含填料的絕緣樹(shù)脂層包含二氧化硅或者丙烯酸樹(shù)脂填料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述填料包括1至2μm大小的粒子，并且所述包含填料的絕緣樹(shù)脂層具有3至6μm的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述凸起由Al、Cu、Ni或者Au制成。
5.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括步驟在襯底上形成天線焊盤和測(cè)試焊盤；用包含填料的絕緣樹(shù)脂層覆蓋該襯底除了所述天線焊盤之外的部分；在所述天線焊盤和所述包含填料的絕緣樹(shù)脂層上形成用于電鍍的籽晶層；以及電鍍所述用于電鍍的籽晶層，以便在所述天線焊盤上形成凸起。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，進(jìn)一步包括在用所述包含填料的絕緣樹(shù)脂層覆蓋該襯底的步驟之前，使該測(cè)試焊盤的表面平滑的步驟。
7.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括步驟在襯底上形成天線焊盤和測(cè)試焊盤；用包含填料的絕緣樹(shù)脂層覆蓋該襯底除了所述天線焊盤之外的部分；在所述天線焊盤、該測(cè)試焊盤和所述包含填料的絕緣樹(shù)脂層上形成用于電鍍的籽晶層；電鍍所述用于電鍍的籽晶層以便在所述天線焊盤上形成凸起；以及除去所述用于電鍍的籽晶層除了所述天線焊盤之外的部分和該測(cè)試焊盤。
8.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括步驟在襯底上形成天線焊盤和測(cè)試焊盤；用包含填料的絕緣樹(shù)脂層覆蓋該襯底除了所述天線焊盤之外的部分；通過(guò)非電解電鍍?cè)谒鎏炀€焊盤上形成凸起；和用焊料層覆蓋所述凸起的表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中該非電解電鍍使用銅。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件，具有形成在襯底上的天線焊盤和測(cè)試焊盤。包含填料的絕緣樹(shù)脂層覆蓋測(cè)試焊盤，在天線焊盤上設(shè)置凸起。通過(guò)設(shè)置包含填料的絕緣樹(shù)脂層從而抑制該半導(dǎo)體器件中的特定數(shù)據(jù)被讀出或者改寫。
文檔編號(hào)H01L21/822GK1677656SQ20041007979
公開(kāi)日2005年10月5日 申請(qǐng)日期2004年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月1日
發(fā)明者松木浩久, 生云雅光 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社