專利名稱：半導(dǎo)體晶片的分割方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種，例如，IC，LSI等半導(dǎo)體芯片通過劃道區(qū)分，先通過劃片裝置沿著劃道劃片形成的半導(dǎo)體晶片，而后通過研磨裝置而研磨半導(dǎo)體晶片背面分割為各個半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片分割方法。
背景技術(shù)：
這種IC、LSI等半導(dǎo)體芯片所形成的多個半導(dǎo)體晶片是，通過劃片裝置等分割裝置向分割為各自的半導(dǎo)體芯片，裝配到手機(jī)，個人計(jì)算機(jī)等電子機(jī)器的電路而廣泛地利用的。
可是，這種電子機(jī)器，正在推進(jìn)小型化和減輕重量，要求減薄半導(dǎo)體芯片的厚度，作為將其厚度減薄到100μm以下，50μm以下的技術(shù)而稱作DBG技術(shù)而聞名。
但是，因?yàn)檫@種DBG沿著半導(dǎo)體晶片表面所形成的劃道，形成相當(dāng)于半導(dǎo)體芯片完成厚度的深度槽，而后在半導(dǎo)體晶片的表面上配設(shè)膠帶等保護(hù)構(gòu)件，以研磨半導(dǎo)體晶片背面，使背面露出槽，分割為各個半導(dǎo)體芯片的技術(shù)，有如下這些方面的問題。
(1)用切削刀片沿半導(dǎo)體晶片表面上形成的劃道形成槽的時候，不但從半導(dǎo)體晶片外周飛散三角形狀微細(xì)邊角料損傷切削刀片，而且飛散的微細(xì)邊角料落到卡盤臺上，使得把下一個半導(dǎo)體晶片保持在卡盤臺上的時候，有損傷半導(dǎo)體晶片的擔(dān)心。
(2)在半導(dǎo)體晶片的外周，形成表示厚度、劃道間隔、劃道寬度等信息的ID標(biāo)記的情況，以切削刀片在TD標(biāo)記上形成槽的話，就不能識別信息。
(3)正在研磨半導(dǎo)體晶片背面的時候，從半導(dǎo)體晶片外圍臟了的研磨水有向研磨槽滲透，污染半導(dǎo)體芯片的擔(dān)心。
(4)正在研磨半導(dǎo)體晶片背面時候，因?yàn)閺陌雽?dǎo)體晶片外周來的三角形狀微細(xì)邊角料脫落飛散到多個地方，所以沒有了附加表示晶向的切口和區(qū)別，有給下一道工序的作業(yè)帶來妨礙的擔(dān)心。
而且，留下晶片周邊部對形成半導(dǎo)體芯片內(nèi)部部分進(jìn)行劃片是公知的技術(shù)。這種公知的技術(shù)，用具備檢測半導(dǎo)體晶片外端緣手段的劃片裝置，存儲以此檢測手段測定的晶片外端緣的數(shù)據(jù)，根據(jù)這個存儲數(shù)據(jù)，沿著劃線的上述外端緣一方從一定范圍內(nèi)部開始切削，從上述外端緣的另一方切削到一定范圍內(nèi)部為止，對從上述各個外端緣到一定范圍內(nèi)部的外圍部分而言，在厚度方向至少部分地留下晶片，對從上述外圍部分起的內(nèi)部而言就要進(jìn)行完全劃片，因?yàn)橥ㄟ^切削而沒有分離碎片就能防止半導(dǎo)體芯片或刀片的損壞。
特開2002-43254號公報(bào)但是，該公知的劃片的技術(shù)方面所應(yīng)用的半導(dǎo)體晶片，具有表示晶向的切口，而且，是介以劃片膠帶固定在環(huán)狀架上，和該架一起把劃片膠帶吸附于切割臺上進(jìn)行完全劃片，在該完全劃片的時候，只是防止從外周部分離飛散碎片，然而從最初，例如形成50μm以下半導(dǎo)體芯片完成厚度的半導(dǎo)體晶片情況下，在半導(dǎo)體芯片的電路形成工序中，由于晶片過薄，整體性發(fā)生撓曲對其處理(光致抗蝕劑的涂布和清洗除去等)和操作(干燥或運(yùn)送等)帶來重大的妨礙。
而且，完全劃片后，因?yàn)樵诰鈬糠至粝聸]有劃片的部分，即使能研磨背面一側(cè)要形成更薄厚度并給表面一側(cè)安裝保護(hù)構(gòu)件，因?yàn)楦靼雽?dǎo)體芯片部分已經(jīng)分割成一個個，所以使研磨油石接觸分割后狀態(tài)的半導(dǎo)體芯片背面晶向研磨是很困難的。

發(fā)明內(nèi)容
在現(xiàn)有例的半導(dǎo)體晶片分割方法方面，想要解決的課題是，形成不給半導(dǎo)體芯片的電路形成工序帶來妨礙的厚度的半導(dǎo)體晶片厚度，同時在外周緣形成ID標(biāo)記一起在外周端緣形成表示晶向的切口，而后，當(dāng)分割為薄半導(dǎo)體芯片時，不管劃片工序或者研磨工序，要使從外周緣部沒有分離飛散三角形狀碎片，而且不喪失晶向識別性和ID標(biāo)記信息的認(rèn)識性，能很有效地分割。
本發(fā)明是在表面由劃道區(qū)分多個半導(dǎo)體芯片，把形成了的半導(dǎo)體晶片分割為一個個半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片分割方法，是以至少由僅留下上述半導(dǎo)體晶片的外周區(qū)，沿著劃道形成相當(dāng)于半導(dǎo)體芯片完成厚度的深度槽的槽形成工序；在形成該槽的半導(dǎo)體晶片表面上配設(shè)保護(hù)構(gòu)件的保護(hù)構(gòu)件配設(shè)工序；研磨上述半導(dǎo)體晶片背面露出上述槽，把上述半導(dǎo)體晶片分割為一個個半導(dǎo)體芯片的分割工序構(gòu)成為最主要特征的半導(dǎo)體晶片分割方法。
本發(fā)明半導(dǎo)體晶片分割方法是包括，在上述半導(dǎo)體晶片外周區(qū)的要求位置至少施加ID標(biāo)記，在上述槽形成工序中避開該ID標(biāo)記形成槽作為付加要件。
在本發(fā)明半導(dǎo)體晶片分割方法方面，因?yàn)閮H留下半導(dǎo)體晶片的外周區(qū)形成沿著劃道切削的槽，切削槽因?yàn)椴坏酵庵芏司?，所以在一邊供給研磨水而后一邊研磨半導(dǎo)體晶片背面晶向分割的工序中，不僅沒有從外周端緣臟了的研磨水向切削槽滲透污染半導(dǎo)體芯片的擔(dān)心，而且因?yàn)闆]有損傷外周區(qū)上所形成的ID標(biāo)記而失去信息的認(rèn)識性，而且從半導(dǎo)體晶片的外周端緣沒有散飛三角形狀微細(xì)的邊角料，沒有失去表示晶向的切口識別性。


圖1是表示本發(fā)明具體實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片分割方法中使用的劃片裝置立體圖。
圖2是表示該實(shí)施例應(yīng)用于分割的半導(dǎo)體晶片立體圖。
圖3是表示該實(shí)施例中用劃片裝置槽切削工序后的半導(dǎo)體晶片立體圖。
圖4是表示該實(shí)施例中槽切削工序后在該槽切削面上配設(shè)了保護(hù)構(gòu)件狀態(tài)的半導(dǎo)體晶片背面一側(cè)立體圖。
圖5是表示該實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片分割方法中使用的研磨裝置要部立體圖。
圖6是表示該實(shí)施例中用研磨裝置研磨背面一側(cè)，露出切削槽狀態(tài)的半導(dǎo)體晶片立體圖。
圖7是該實(shí)施中研磨背面一側(cè)露出切削槽的半導(dǎo)體晶片翻轉(zhuǎn)表示的立體圖。
圖8是把該翻轉(zhuǎn)后的半導(dǎo)體晶片安裝于劃片架上剝離安裝保護(hù)構(gòu)件表示的立體圖。
具體實(shí)施例方式
形成半導(dǎo)體晶片的厚度為半導(dǎo)體芯片的電路形成工序和而后的處理中不會帶來妨礙程度的厚度，沿著區(qū)分半導(dǎo)體芯片的劃道，僅留下半導(dǎo)體晶片外周區(qū)形成相當(dāng)于半導(dǎo)體芯片完成厚度的切削槽，通過使得把研磨其半導(dǎo)體晶片背面從表面一側(cè)形成的切削槽背面一側(cè)露出，因而把半導(dǎo)體晶片上形成的半導(dǎo)體芯片分割成一個個，然后形成預(yù)定的薄型半導(dǎo)體芯片，而且，在半導(dǎo)體晶片的外周區(qū)上事先形成ID標(biāo)記，當(dāng)分割為薄半導(dǎo)體芯片時，不管劃片工序或者研磨工序，不喪失晶向的識別性和ID標(biāo)記信息的認(rèn)識性和，能有效地分割，加以實(shí)現(xiàn)。
一邊參照附圖一邊說明有關(guān)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片分割方法的話，圖1是表示使用于分割方法的一例劃片裝置立體圖，該劃片裝置1是具有至少載置半導(dǎo)體晶片的卡盤臺2；具備切削該載置的半導(dǎo)體晶片的刀片3的切削手段4；檢測半導(dǎo)體晶片狀態(tài)，即，晶片大小、表面上形成的半導(dǎo)體芯片大小、劃道狀態(tài)等的對準(zhǔn)手段5，同時具有對卡盤臺2的半導(dǎo)體晶片的供給手段6等。還有，將半導(dǎo)體晶片多片存放盒7內(nèi)安裝在劃片裝置1的要求位置。
圖2中，表示按本發(fā)明被分割的半導(dǎo)體晶片。該半導(dǎo)體晶片10是其表面一側(cè)多個半導(dǎo)體晶片10排列的狀態(tài)，而且由劃道12劃分而形成，表示晶片晶向的切口13形成于邊緣，同時在該切口13附近設(shè)置ID標(biāo)記14。
這時的ID標(biāo)記14，是記錄半導(dǎo)體晶片10的形態(tài)或狀態(tài)，其形態(tài)或狀態(tài)，例如是，晶片大小，半導(dǎo)體芯片種類、大小、完成厚度，縱、橫劃道12的狀態(tài)(寬度、間隔)是等，按照讀出ID標(biāo)記14，對該半導(dǎo)體晶片10，以設(shè)定的順序適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行切削或研磨。
首先，作為最初的工序(步驟)，載置劃片裝置1的卡盤臺2上的半導(dǎo)體晶片10，用對準(zhǔn)手段5測定劃道12的位置，在切削區(qū)，如圖3所示，用切削手段4的刀片3僅留下半導(dǎo)體晶片10的外周區(qū)，沿著各劃道10切削形成相當(dāng)于半導(dǎo)體晶片10完成厚度的深度槽15。
也就是，半導(dǎo)體晶片1最終的完成厚度，例如，是100μm的話，就形成槽15的深度為100～105μm，如是50μm的話就形成50～55μm深度的槽15，半導(dǎo)體晶片10的厚度是理所當(dāng)然比形成的槽15還厚，例如，有大約近一倍的厚度，槽15的切削形成，就是留下外周部的「切除一半」，形成了槽15以后，既不用簡切割單晶片10，也不切除標(biāo)記14，不會失去信息的認(rèn)識性。還有，用于切削的刀片3直徑小，例如，1～2寸左右是令人滿意的。
這樣槽15的形成工序(步驟)結(jié)束以后，如圖4所示，在形成了該槽15的半導(dǎo)體晶片10的表面一側(cè)張貼配設(shè)由有粘合剤的保護(hù)膠帶等構(gòu)成的保護(hù)構(gòu)件16。這時的粘合剤?jiān)谝院蟮膭冸x工序由于粘著成分不會留在半導(dǎo)體晶片10的表面上，所以使用紫外線照射型保護(hù)膠帶，即UV膠帶是令人滿意的。配設(shè)了保護(hù)構(gòu)件16的半導(dǎo)體晶片10，移交下一分割工序(步驟)。
該分割工序(步驟)，例如，由如圖5所示的研磨裝置20所完成。該研磨裝置20具備，至少卡盤臺21、研磨油石22、驅(qū)動該研磨油石22的驅(qū)動部23、支持該驅(qū)動部23，引導(dǎo)上下方向移動的導(dǎo)軌部24、以及使驅(qū)動部23上下方向精密地移動的移動用驅(qū)動部25。
而且，配設(shè)有保護(hù)構(gòu)件16的半導(dǎo)體晶片10，變成表里相反使背面朝上，將保護(hù)構(gòu)件16接觸卡盤臺21載置固定，一邊供給研磨水一邊驅(qū)動研磨油石22研磨半導(dǎo)體晶片10的背面?zhèn)?，如圖6所示，從表面一側(cè)全面地均勻研磨直到切削形成的槽15露出。
這樣通過研磨半導(dǎo)體晶片10的背面一側(cè)，把該半導(dǎo)體芯片10的表面一側(cè)形成的半導(dǎo)體晶片10分別分割成一個個，而且應(yīng)該分割成具有和槽15的深度相對應(yīng)的厚度，即，具有完成厚度的半導(dǎo)體晶片10。
在這一工序(步驟)中，因?yàn)橐匝心ビ褪?2一邊供給研磨水一邊研磨半導(dǎo)體芯片10的背面一側(cè)，沿著劃道形成的各槽15沒達(dá)到半導(dǎo)體晶片10的外周端緣，所以不僅沒有臟研磨水從半導(dǎo)體晶片10的外周端緣向內(nèi)部滲透，污染半導(dǎo)體芯片的擔(dān)心，而且沒有從半導(dǎo)體晶片10的外周端緣脫落三角形狀微細(xì)邊角料的擔(dān)心，就是不喪失表示晶向的切口13的識別性。
分割工序(步驟)結(jié)束后，從研磨裝置20取出半導(dǎo)體晶片10，如圖7所示，把研磨過的背面一側(cè)朝下而讓保護(hù)構(gòu)件16成為上側(cè)，按照表示晶向的切口13晶向適當(dāng)定位，然后介以稱為劃片膠帶稱的伸張膠帶18張貼載置到稱為劃片架的框架17上，如圖8所示，然后剝離保護(hù)構(gòu)件16。還有，在框架17上，設(shè)置兼具表示張貼載置的半導(dǎo)體晶片10晶向的定位的切口部19，和ID標(biāo)記14的信息相關(guān)順利完成下一道工序的各種作業(yè)。
有關(guān)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片分割方法，形成半導(dǎo)體晶片對半導(dǎo)體芯片電路形成工序和而后操作上不帶來妨礙程度的厚度，沿著區(qū)域區(qū)分半導(dǎo)體芯片的劃道以劃片裝置切削的時候，僅留下半導(dǎo)體晶片外周區(qū)形成相當(dāng)于半導(dǎo)體芯片完成厚度的切削槽，通過研磨其半導(dǎo)體晶片背面使切削槽露出背面一側(cè)，把半導(dǎo)體晶片分割為半導(dǎo)體芯片，就能形成預(yù)定薄型半導(dǎo)體芯片，而且，不管劃片工序或者研磨工序，都不喪失半導(dǎo)體晶片外周區(qū)形成的ID標(biāo)記信息的認(rèn)識性和向外周端緣形成的晶向切口的識別性，能夠?qū)Ρ⌒桶雽?dǎo)體芯片有效地進(jìn)行分割，可廣泛利用于小型、薄型化的半導(dǎo)體芯片的制造。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶片分割方法，其特征是至少包括在表面由劃道區(qū)分多個半導(dǎo)體芯片，把形成了的半導(dǎo)體晶片分割為一個個半導(dǎo)體芯片，至少由僅留下所述半導(dǎo)體晶片的外周區(qū)，沿著劃道形成相當(dāng)于半導(dǎo)體芯片完成厚度的深度槽的槽形成工序；在形成該槽的半導(dǎo)體晶片表面上配設(shè)保護(hù)構(gòu)件的保護(hù)構(gòu)件配設(shè)工序；研磨所述半導(dǎo)體晶片背面露出所述槽，把所述半導(dǎo)體晶片分割為一個個半導(dǎo)體芯片的分割工序。
2.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片分割方法，其特征是在所述半導(dǎo)體晶片外周區(qū)的要求位置施加至少ID標(biāo)記，在所述槽形成工序中避開該ID標(biāo)記形成槽。
全文摘要
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片分割方法是在表面由劃道劃分多個半導(dǎo)體芯片形成的半導(dǎo)體晶片分割為各個半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片分割方法，通過至少包括僅留下上述半導(dǎo)體晶片外周區(qū)，沿著劃道形成深度相當(dāng)于完成半導(dǎo)體芯片厚度的槽的槽形成工序；在該槽形成后的半導(dǎo)體晶片表面上配設(shè)保護(hù)構(gòu)件的保護(hù)構(gòu)件配設(shè)工序；研磨上述半導(dǎo)體晶片的背面，露出上述槽，把上述半導(dǎo)體晶片分割為各個半導(dǎo)體芯片的分割工序，沿著劃道形成后的切削槽不是到外周端緣，所以在此后一邊供給研磨水一邊研磨半導(dǎo)體晶片背面分割的工序中，沒有從外周端緣來的臟研磨水向切削槽滲透并污染半導(dǎo)體芯片的擔(dān)心，而且，不會喪失ID標(biāo)記信息的認(rèn)識性和表示晶向的切口的識別性，能很有效地分割。
文檔編號H01L21/304GK1601705SQ20041007879
公開日2005年3月30日 申請日期2004年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月25日
發(fā)明者卡爾·H.·普利韋瑟 申請人:株式會社迪思科