專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
眾所周知，通過在多個(gè)半導(dǎo)體芯片之間介入隔離層進(jìn)行層疊，可制成一個(gè)半導(dǎo)體裝置。此時(shí)，半導(dǎo)體芯片與布線圖案之間通過導(dǎo)線電連接。為制造出裝配性非常好的薄型半導(dǎo)體裝置，希望隔離層及半導(dǎo)體芯片的厚度要薄。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種裝配性及可靠性良好的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
(1)有關(guān)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括準(zhǔn)備搭載了形成有多個(gè)第一焊盤的第一半導(dǎo)體芯片并具有布線圖案的布線基板的工序；將各上述第一焊盤與上述布線圖案采用導(dǎo)線進(jìn)行電連接的工序；在上述第一半導(dǎo)體芯片上設(shè)置樹脂漿的工序；將形成有多個(gè)第二焊盤的第二半導(dǎo)體芯片，按照與上述第一焊盤的至少一部分隔開間隔而重疊的方式，通過介入上述樹脂漿后搭載在上述第一半導(dǎo)體芯片上的工序；以及讓上述樹脂漿固化，在上述第一半導(dǎo)體芯片和上述第二半導(dǎo)體芯片之間形成隔離層，將上述第一以及第二半導(dǎo)體芯片固定的工序；上述隔離層在上述第二焊盤之下形成并直到外側(cè)；上述導(dǎo)線按照其最高部位配置在上述第一半導(dǎo)體芯片外側(cè)的方式進(jìn)行設(shè)置。
依據(jù)本發(fā)明，隔離層在第二焊盤之下形成并直到外側(cè)。為此，即使對第二焊盤施加負(fù)荷，第二半導(dǎo)體芯片也不容易破損。再有，導(dǎo)線按照其最高部位配置在第一半導(dǎo)體芯片外側(cè)的方式進(jìn)行設(shè)置。即，在第一半導(dǎo)體芯片上可以降低導(dǎo)線的高度。這樣，即使樹脂漿流動，導(dǎo)線也不容易移動，可以防止導(dǎo)線之間的短路。據(jù)此，可以制造出可靠性高的半導(dǎo)體裝置。
(2)有關(guān)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括準(zhǔn)備搭載了形成有多個(gè)第一焊盤的第一半導(dǎo)體芯片并具有布線圖案的布線基板的工序；將各上述第一焊盤與上述布線圖案采用導(dǎo)線進(jìn)行電連接的工序；在上述第一半導(dǎo)體芯片上設(shè)置樹脂漿的工序；將形成有多個(gè)第二焊盤的第二半導(dǎo)體芯片，按照與上述第一焊盤的至少一部分隔開間隔而重疊的方式，通過介入上述樹脂漿后搭載在上述第一半導(dǎo)體芯片上的工序；以及讓上述樹脂漿固化，在上述第一半導(dǎo)體芯片和上述第二半導(dǎo)體芯片之間形成隔離層，將上述第一以及第二半導(dǎo)體芯片固定的工序；上述隔離層在上述第二焊盤之下形成并直到外側(cè)；上述導(dǎo)線按照從上述第一半導(dǎo)體芯片上的空間向斜上方凸出的方式進(jìn)行設(shè)置。
依據(jù)本發(fā)明，隔離層在第二焊盤之下形成并直到外側(cè)。為此，即使對第二焊盤施加負(fù)荷，第二半導(dǎo)體芯片也不容易破損。再有，導(dǎo)線按照從第一半導(dǎo)體芯片上的空間向斜上方凸出的方式進(jìn)行設(shè)置。即，在第一半導(dǎo)體芯片上可以降低導(dǎo)線的高度。這樣，即使樹脂漿流動，導(dǎo)線也不容易移動，可以防止導(dǎo)線之間的短路。據(jù)此，可以制造出可靠性高的半導(dǎo)體裝置。
(3)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，也可以進(jìn)一步包括使上述樹脂漿從第一半導(dǎo)體芯片流至上述布線基板上，在上述第一半導(dǎo)體芯片的周圍形成邊緣帶(fillet)的工序。這樣，在布線基板中在第一半導(dǎo)體芯片的周圍形成邊緣帶。為此，利用邊緣帶可以保護(hù)第一半導(dǎo)體芯片以及布線基板，可以制造可靠性高的半導(dǎo)體裝置。
(4)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，也可以在設(shè)置上述樹脂漿的工序中，僅在上述第一半導(dǎo)體芯片上設(shè)置上述樹脂漿；在搭載上述第二半導(dǎo)體芯片的工序中，按照讓上述樹脂漿流出到上述布線基板上的方式搭載上述第二半導(dǎo)體芯片。
(5)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，上述樹脂漿，也可以在其內(nèi)部含有多個(gè)絕緣性球狀體，將這些球狀體置于上述第一及第二半導(dǎo)體芯片之間。
(6)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，采用上述導(dǎo)線進(jìn)行電連接的工序也可以包括將上述導(dǎo)線與上述布線圖案電連接的工序；以及之后將上述導(dǎo)線與上述第一焊盤電連接的工序。
(7)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，采用上述導(dǎo)線進(jìn)行電連接的工序也可以包括將上述導(dǎo)線與上述第一焊盤電連接的工序；以及之后將上述導(dǎo)線與上述布線圖案電連接的工序。
(8)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在固化上述樹脂漿的工序之后，也可以進(jìn)一步包括采用其它導(dǎo)線將上述第二焊盤與上述布線圖案電連接的工序。
(9)有關(guān)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，包括布線基板，其形成有布線圖案；第一半導(dǎo)體芯片，搭載在上述布線基板上，形成有多個(gè)第一焊盤；導(dǎo)線，其將上述布線圖案與各上述第一焊盤分別電連接；第二半導(dǎo)體芯片，其按照與上述第一焊盤隔開間隔而重疊的方式被搭載在上述第一半導(dǎo)體芯片上，形成有多個(gè)第二焊盤；和隔離層，其被形成在上述第一半導(dǎo)體芯片和上述第二半導(dǎo)體芯片之間，固定上述第一以及第二半導(dǎo)體芯片；上述隔離層在上述第二焊盤之下形成并直到外側(cè)；上述導(dǎo)線按照其最高部位配置在上述隔離層的外側(cè)的方式進(jìn)行設(shè)置。
依據(jù)本發(fā)明，隔離層在第二焊盤之下形成并直到外側(cè)。為此，即使對第二焊盤施加負(fù)荷，第二半導(dǎo)體芯片也不容易破損。再有，導(dǎo)線按照其最高部位配置在隔離層的外側(cè)的方式進(jìn)行設(shè)置。即，在第一半導(dǎo)體芯片上可以降低導(dǎo)線的高度。這樣，即使樹脂漿流動，導(dǎo)線也不容易移動，可以防止導(dǎo)線之間的短路。據(jù)此，可以制造出可靠性高的半導(dǎo)體裝置。
(10)有關(guān)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，包括布線基板，其形成有布線圖案；第一半導(dǎo)體芯片，搭載在上述布線基板上，形成有多個(gè)第一焊盤；導(dǎo)線，其將上述布線圖案與各上述第一焊盤分別電連接；第二半導(dǎo)體芯片，其按照與上述第一焊盤隔開間隔而重疊的方式被搭載在上述第一半導(dǎo)體芯片上，形成有多個(gè)第二焊盤；隔離層，其被形成在上述第一半導(dǎo)體芯片和上述第二半導(dǎo)體芯片之間，固定上述第一以及第二半導(dǎo)體芯片；上述隔離層在上述第二焊盤之下形成并直到外側(cè)；上述導(dǎo)線按照從上述隔離層向斜上方凸出的方式進(jìn)行設(shè)置。
依據(jù)本發(fā)明，隔離層在第二焊盤之下形成并直到外側(cè)。為此，即使對第二焊盤施加負(fù)荷，第二半導(dǎo)體芯片也不容易破損。再有，導(dǎo)線按照從隔離層向斜上方凸出的方式進(jìn)行設(shè)置。即，在第一半導(dǎo)體芯片上可以降低導(dǎo)線的高度。這樣，即使樹脂漿流動，導(dǎo)線也不容易移動，可以防止導(dǎo)線之間的短路。據(jù)此，可以制造出可靠性高的半導(dǎo)體裝置。
(11)在該半導(dǎo)體裝置中，在上述布線基板上也可以進(jìn)一步具有配置在上述第一半導(dǎo)體芯片周圍的邊緣帶。這樣，利用邊緣帶可以減少第一半導(dǎo)體芯片以及布線基板受到外力的影響，可以制造可靠性高的半導(dǎo)體裝置。
(12)在該半導(dǎo)體裝置中，上述隔離層與上述邊緣帶也可以是相同的材料。
(13)在該半導(dǎo)體裝置中，上述隔離層，也可以在其內(nèi)部具有絕緣性球狀體。


圖1表示與適用本發(fā)明的實(shí)施方式有關(guān)的半導(dǎo)體裝置制造方法的示意圖。
圖2A及圖2B表示與適用本發(fā)明的實(shí)施方式有關(guān)的半導(dǎo)體裝置制造方法的示意圖。
圖3表示與適用本發(fā)明的實(shí)施方式有關(guān)的半導(dǎo)體裝置制造方法的示意圖。
圖4表示與適用本發(fā)明的實(shí)施方式有關(guān)的半導(dǎo)體裝置制造方法的示意圖。
圖5表示與適用本發(fā)明的實(shí)施方式有關(guān)的半導(dǎo)體裝置制造方法的示意圖。
圖6表示與適用本發(fā)明實(shí)施方式有關(guān)的半導(dǎo)體裝置制造方法的示意圖。
圖7表示與適用本發(fā)明的實(shí)施方式有關(guān)的半導(dǎo)體裝置制造方法的示意圖。
圖8表示裝配了與適用本發(fā)明的實(shí)施方式有關(guān)的半導(dǎo)體裝置的電路基板的示意圖。
圖9表示具有與適用本發(fā)明的實(shí)施方式有關(guān)的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備的示意圖。
圖10表示具有與適用本發(fā)明的實(shí)施方式有關(guān)的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備的示意圖。
圖11A及圖11B表示與適用本發(fā)明的實(shí)施方式變形例有關(guān)的半導(dǎo)體裝置制造方法的示意圖。
圖12A及圖12B表示與適用本發(fā)明的實(shí)施方式變形例有關(guān)的半導(dǎo)體裝置制造方法的示意圖。
圖13A及圖13B表示與適用本發(fā)明的實(shí)施方式變形例有關(guān)的半導(dǎo)體裝置制造方法的示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下參照附圖對適用本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。但是，本發(fā)明不僅限于以下的實(shí)施方式。圖1～圖7表示有關(guān)適用本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置制造方法的示意圖。
有關(guān)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置制造方法，如圖1所示，包括準(zhǔn)備一塊搭載了第一半導(dǎo)體芯片10、并具有布線圖案22的布線基板20。
在第一半導(dǎo)體芯片10中，可形成由晶體管、存儲器元件等構(gòu)成的集成電路12。而且，在第一半導(dǎo)體芯片10中，也可形成多個(gè)第一焊盤14。第一焊盤14，可與第一半導(dǎo)體芯片10的內(nèi)部進(jìn)行電連接。第一焊盤14，也可與集成電路12進(jìn)行電連接?；蛘撸]有與集成電路12進(jìn)行電連接的焊盤，也可稱為第一焊盤14。第一焊盤14，在第一半導(dǎo)體芯片10一側(cè)表面的端部，可沿外形的兩邊或者四邊進(jìn)行配置，還可配置在第一半導(dǎo)體芯片的中心部位。而且，在第一焊盤14，也可形成圖中未畫出的凸塊。第一焊盤14，可以使用鋁類或銅類金屬制成。而且，在第一半導(dǎo)體芯片10中，避開第一焊盤14的中心位置，可形成鈍化膜(圖中未畫出)。鈍化膜例如可由SiO2、SiN、聚酰亞胺樹脂等形成。此外，第一半導(dǎo)體芯片10的平面形狀并沒有特別限定，例如可以是矩形(含正方形)。
布線基板20，可以由有機(jī)類(如聚酰亞胺基板等)或者無機(jī)類(如陶瓷基板、玻璃基板等)的任何一種材料形成，以及這些材料的復(fù)合結(jié)構(gòu)(環(huán)氧樹脂玻璃基板)來形成。對布線基板20的平面形狀沒有特別的限制，大多數(shù)是矩形。布線基板20，可以由單層或多層基板構(gòu)成。布線基板20，可以是帶狀的柔性基板，或是剛性基板。布線基板20，也可稱之為轉(zhuǎn)接板(interposer)。布線基板20中具有布線圖案22。對布線圖案22的材料沒有特別的限制，例如可以含有由銅構(gòu)成的層。而且，布線圖案22，可以由單層或多層形成。在布線基板20中，為了將一側(cè)的面與另一側(cè)的面進(jìn)行電連接可形成多個(gè)貫通孔24。貫通孔24，可用導(dǎo)電部件填充(參照圖1)，也可在內(nèi)壁面進(jìn)行鍍金處理。由此，可使布線基板20的兩個(gè)面能夠?qū)崿F(xiàn)電連接。
在本實(shí)施方式中，第一半導(dǎo)體芯片10，被搭載在布線基板20上。第一半導(dǎo)體芯片10，如圖1所示，是以形成焊盤14的面相反的面，朝向布線基板20，并裝配在布線基板20上。第一半導(dǎo)體芯片10，也可以通過粘著劑16固定在布線基板20上。這時(shí)，粘著劑16，也可利用絕緣性的粘著劑。
另外，在本實(shí)施方式中，可在一個(gè)布線基板20上只搭載一個(gè)半導(dǎo)體芯片10制造半導(dǎo)體裝置。但與此不同的是，也可在一個(gè)布線基板上搭載多個(gè)第一半導(dǎo)體芯片，一并形成多個(gè)半導(dǎo)體裝置。
與本實(shí)施方式有關(guān)的半導(dǎo)體裝置制造方法，包括各第一焊盤14與布線圖案22分別通過導(dǎo)線30進(jìn)行電連接(參見圖2B)。對導(dǎo)線30的材料沒有特別的限制，例如可以使用金質(zhì)導(dǎo)線。在本實(shí)施方式中，如圖2B所示，導(dǎo)線30的最高部位被設(shè)置在第一半導(dǎo)體芯片10的外側(cè)。換言之，設(shè)置導(dǎo)線30以從第一半導(dǎo)體芯片10上的空間向斜上方凸出。因此，在第一半導(dǎo)體芯片10上的空間中，可以降低導(dǎo)線30的高度。這樣，由于可以減薄后述隔離層60的厚度，即可制造出具有優(yōu)良裝配性的半導(dǎo)體裝置。而且，由于在第一半導(dǎo)體芯片10上的空間中降低了導(dǎo)線30的高度，可防止導(dǎo)線30發(fā)生由后述樹脂漿40的流動所導(dǎo)致的較大位移。為此，可制造出高可靠性的半導(dǎo)體裝置。
導(dǎo)線30，是使用眾所周知的任何一種方法設(shè)置裝配的。例如，首先將導(dǎo)線30與布線圖案22進(jìn)行電連接(參見圖2A)，然后再將導(dǎo)線30與第一焊盤14進(jìn)行電連接(參見圖2B)，以此也可設(shè)置導(dǎo)線30。如果這樣，可以減小導(dǎo)線30與第一半導(dǎo)體芯片10之間所形成的角度。因而，可以降低導(dǎo)線30的高度，制造出具有優(yōu)良裝配性的半導(dǎo)體裝置。另外，在第一焊盤14上方形成一個(gè)凸塊(圖中未畫出)。通常，當(dāng)導(dǎo)線被連接到電極時(shí)，在導(dǎo)線或電極上施加超聲波或熱。如果在焊盤14上形成凸塊，這些形成的應(yīng)力就可以保護(hù)半導(dǎo)體芯片10(特別是集成電路12)，更可以制造出高可靠性的半導(dǎo)體裝置。
與本實(shí)施方式有關(guān)的半導(dǎo)體裝置制造方法，如圖3所示，包括在第一半導(dǎo)體芯片10上設(shè)置樹脂漿40。樹脂漿40，也可以是具有固化性的樹脂。樹脂漿40，通過固化而形成隔離層60。對樹脂漿40的材料沒有特別的限制，只要在固化時(shí)具有粘著性能的樹脂即可。樹脂漿40，也具有絕緣性?？墒褂玫喂喙ぞ呤箻渲瑵{40滴下(滴注)，以此來設(shè)置樹脂漿40。樹脂漿40可僅設(shè)置于第一半導(dǎo)體芯片10之上，此時(shí)，可設(shè)置在第一焊盤14內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)(參見圖3)。但是，與此不同，也可預(yù)先直到形成第一焊盤14的區(qū)域，設(shè)置樹脂漿40(圖中未畫出)。
與本實(shí)施方式有關(guān)的半導(dǎo)體裝置制造方法，如圖4所示，包括在第一半導(dǎo)體芯片10上搭載第二半導(dǎo)體芯片50。第二半導(dǎo)體芯片50也適用對第一半導(dǎo)體芯片10說明的內(nèi)容。例如，第二半導(dǎo)體50也具有集成電路52。而且，在第二半導(dǎo)體芯片50中，也可形成多個(gè)第二焊盤54。再者，雖然沒有限制第二半導(dǎo)體芯片50的外形，但可采用與第一半導(dǎo)體芯片10同樣的外形。在本實(shí)施方式中，第二半導(dǎo)體芯片50與第一焊盤14的至少一部分隔開一定間隔而重疊，樹脂漿40介于其間并放置在第一半導(dǎo)體芯片10之上(參見圖5)。此時(shí)，如圖4所示，與形成第二焊盤54的面相反的面，朝向第一半導(dǎo)體芯片10(或樹脂漿40)，來搭載第二半導(dǎo)體芯片50。第二半導(dǎo)體芯片50按不與導(dǎo)線30接觸的方式進(jìn)行搭載。因此，可防止導(dǎo)線30與第二半導(dǎo)體芯片50之間的短路，可以制造出可靠性高的半導(dǎo)體裝置。而且，可在第二半導(dǎo)體芯片50與第一半導(dǎo)體芯片10相對的平面上形成絕緣層(圖中未畫出)。由此，可防止導(dǎo)線30與第二半導(dǎo)體芯片50之間的短路。
與本實(shí)施方式有關(guān)的半導(dǎo)體裝置制造方法，如圖5所示，包括使樹脂漿40固化，并在第一半導(dǎo)體芯片10與第二半導(dǎo)體芯片50之間形成隔離層60，固定第一半導(dǎo)體芯片10及第二半導(dǎo)體芯片50。使樹脂漿40固化的處理，會因樹脂漿40的種類不同而有所差異，例如，可考慮使用熱處理、紫外線照射處理等方式。依據(jù)有關(guān)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置制造方法，通過固化樹脂漿40，形成隔離層60，固定第一半導(dǎo)體芯片10及第二半導(dǎo)體芯片50。即，形成隔離層60的工序，與固定第一半導(dǎo)體芯片10及第二半導(dǎo)體芯片50的工序一并進(jìn)行。所以，可高效率制造半導(dǎo)體裝置。
在與本實(shí)施方式有關(guān)的半導(dǎo)體裝置制造方法中，隔離層60形成于第二焊盤54的下方，更向外延伸到外側(cè)處(參見圖5)。此時(shí)，隔離層60與第二半導(dǎo)體芯片50間的接觸面，可形成于第二焊盤54的下方，更向外延伸到外側(cè)處。如果這樣，第二半導(dǎo)體焊盤50在寬大的區(qū)域上得到隔離層60的支撐。因此，即使是在第二半導(dǎo)體芯片50上被施加外力的情況下，第二半導(dǎo)體芯片50也不易破損，可制造出高可靠性的半導(dǎo)體裝置。特別是，在向第二半導(dǎo)體芯片50的第二焊盤54上焊接導(dǎo)線時(shí)，施加在第二焊盤54附近的應(yīng)力可防止第二半導(dǎo)體芯片50受到損傷。例如，由于可以調(diào)整樹脂漿40的位置及使用量、并且控制施加在第二半導(dǎo)體芯片50上的壓力，隔離層60可按所希望的位置以及大小形成。而且，如圖5所示，隔離層60可以在第二半導(dǎo)體芯片50的區(qū)域之內(nèi)形成。或者，與此不同，隔離層60，也可以在直至第二半導(dǎo)體芯片50的外側(cè)區(qū)域內(nèi)形成(圖中未畫出)。由此，也可得到同樣的效果。
與本實(shí)施方式有關(guān)的半導(dǎo)體裝置制造方法，如圖6所示，包括第二焊盤54與布線圖案22通過其它導(dǎo)線35進(jìn)行電連接。本工序是在固化樹脂40形成隔離層60的工序完成后進(jìn)行的。如前所述，在本實(shí)施方式中，隔離層60形成于第二焊盤54的下方，更向外延伸到外側(cè)處。因此，通過形成隔離層60后設(shè)置導(dǎo)線35，在設(shè)置導(dǎo)線35的工序中可以防止第二半導(dǎo)體芯片50破損。而且，導(dǎo)線35可以使用公知的任一種方法來設(shè)置。即，與設(shè)置導(dǎo)線30的工序相同，首先將導(dǎo)線35與布線圖案22進(jìn)行電連接，然后，導(dǎo)線35與第二焊盤54進(jìn)行電連接。如果這樣，由于可降低導(dǎo)線35的高度，可制造出具有優(yōu)良裝配性的半導(dǎo)體裝置。但是，與此不同，也可首先將導(dǎo)線35與第二焊盤54進(jìn)行電連接，然后，再將導(dǎo)線35與布線圖案22進(jìn)行電連接，以此來設(shè)置導(dǎo)線35。
重復(fù)同樣的工序，可以制造出含有2個(gè)以上的多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置。然后，經(jīng)過封裝第1半導(dǎo)體芯片10及第2半導(dǎo)體芯片50，以及導(dǎo)線30、35等封裝外殼70的形成工序、形成外部端子72的工序等，可制造出圖7所示的半導(dǎo)體裝置1。
與適用本發(fā)明的實(shí)施方式有關(guān)的半導(dǎo)體裝置1，包括含有布線圖案22的布線基板20。半導(dǎo)體裝置1，包括裝配在布線基板20上的、形成多個(gè)第一焊盤14的第一半導(dǎo)體芯片10。半導(dǎo)體裝置1，包括布線圖案22與各第一焊盤14之間分別進(jìn)行電連接的導(dǎo)線30。半導(dǎo)體裝置1，包括與第一焊盤14的至少一部分隔開一定間隔重疊搭載在第一半導(dǎo)體芯片10之上、形成多個(gè)第二焊盤54的第二半導(dǎo)體芯片50。半導(dǎo)體裝置1，包括形成于第一半導(dǎo)體芯片10和第二半導(dǎo)體芯片50之間，固定第一半導(dǎo)體芯片10和第二半導(dǎo)體芯片50的隔離層60。隔離層60，可形成于第二焊盤54的下方，更向外延伸到外側(cè)處。然后，導(dǎo)線30的最高部位被設(shè)置裝配在隔離層60的外側(cè)。換言之，導(dǎo)線30被設(shè)置為從隔離層60向斜上方凸出。而且，半導(dǎo)體裝置1，包括從半導(dǎo)體裝置制造方法的說明內(nèi)容中能夠?qū)С龅娜魏我环N結(jié)構(gòu)。
如上所述，與適用本發(fā)明的實(shí)施方式有關(guān)的半導(dǎo)體裝置1，包括形成于第二焊盤54的下方，更向外延伸到外側(cè)處的隔離層60。因此，第二半導(dǎo)體焊盤50在寬大的區(qū)域上得到隔離層60的支撐。因此，即使是在第二半導(dǎo)體芯片50上施加外力的情況下，第二半導(dǎo)體芯片50也不易破損，因此可制造出高可靠性的半導(dǎo)體裝置。而且，導(dǎo)線30的最高部位被設(shè)置在隔離層60的外側(cè)。換言之，導(dǎo)線30被設(shè)置為從隔離層60向斜上方凸出。如果這樣，在第一半導(dǎo)體芯片10上的空間中，可降低導(dǎo)線30的高度。由此，可減薄隔離層60的厚度，可制造出具有優(yōu)良裝配性的半導(dǎo)體裝置。而且，此時(shí)，導(dǎo)線30，其最高部位被設(shè)置在第一半導(dǎo)體芯片10的外側(cè)。換言之，設(shè)置導(dǎo)線30以從第一半導(dǎo)體芯片10上的空間向斜上方凸出。由此，可以得到同樣的效果。圖8表示裝配有與適用本發(fā)明的實(shí)施方式有關(guān)的半導(dǎo)體裝置1的電路基板1000。另外，作為含有半導(dǎo)體裝置1的電子設(shè)備，分別為圖9所示的筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)2000、圖10所示的移動電話機(jī)3000。
(變形例)本發(fā)明，并不僅限于上述實(shí)施方式，可能有多種變形。例如，半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括使樹脂漿40從第一半導(dǎo)體芯片10流到布線基板20上，在第一半導(dǎo)體芯片10的周圍形成邊緣帶65(參見圖11B)。也可以在設(shè)置樹脂漿40的工序中，只在第一半導(dǎo)體芯片10上設(shè)置樹脂漿40(參見圖3)，在搭載第二半導(dǎo)體芯片50的工序中，使樹脂漿40流到布線基板20上以搭載第二半導(dǎo)體芯片50(參見圖11A)。但與此不同，也可在設(shè)置樹脂漿40的工序中，以從第一半導(dǎo)體芯片10流到布線基板20上的形式來設(shè)置樹脂漿40。使樹脂漿40固化，形成隔離層60及邊緣帶65(參見圖11B)。此時(shí)，邊緣帶65，被配置在布線基板20上的半導(dǎo)體芯片10的周圍。而且，邊緣帶65及隔離層60是用相同材料形成的。依據(jù)本變形例，由于邊緣帶65使第一半導(dǎo)體芯片10得到保護(hù)，因此可制造出更高可靠性的半導(dǎo)體裝置。特別是，在對抗外來壓力方面可制造出高可靠性半導(dǎo)體裝置。另外，依據(jù)在此說明的方法，由于形成邊緣帶65的工序不需要通過其它途徑另行設(shè)置，因此制造半導(dǎo)體裝置的效率得以提高。
在圖12A及圖12B所示的變形例中，利用了內(nèi)部含有絕緣性球狀體82的樹脂漿80。即，將內(nèi)部含有絕緣性球狀體82的樹脂漿80設(shè)置在第一半導(dǎo)體芯片10之上(參見圖12A)，然后，在第一半導(dǎo)體芯片10上搭載第二半導(dǎo)體芯片50，絕緣性球狀體82介于第一半導(dǎo)體芯片10及第二半導(dǎo)體芯片50之間。待其固化后，可形成內(nèi)部含有多個(gè)絕緣性球狀體82的隔離層85(參見圖12B)，如果這樣，由于第二半導(dǎo)體芯片50的配置受到絕緣性球狀體82的限制，可以很方便地裝配第二半導(dǎo)體芯片50。
在圖13A及圖13中所示的變形例中，首先將導(dǎo)線30與第一焊盤14進(jìn)行電連接(參見圖13A)，然后，導(dǎo)線30與布線圖案22進(jìn)行電連接(參見圖13B)，以此來設(shè)置導(dǎo)線30。即使是這種場合，導(dǎo)線30的最高部位可以被設(shè)置在第一半導(dǎo)體芯片10的外側(cè)，因此能夠降低第一半導(dǎo)體芯片10上導(dǎo)線30的高度。而且，由于導(dǎo)線30向斜上方伸出，其不會被設(shè)置成急劇的屈折。因此，就會減輕對導(dǎo)線30的損壞，可提供更高可靠性的半導(dǎo)體裝置。
在這些變形例中，對于特別說明的事項(xiàng)以外的結(jié)構(gòu)及其制造方法，均可適用于上述實(shí)施方式中所說明的內(nèi)容。而且，與適用本發(fā)明的實(shí)施方式有關(guān)的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，也包括將以上所列舉的任何內(nèi)容所組合成的結(jié)構(gòu)。
另外，本發(fā)明并不僅限于上述實(shí)施方式，還可能有多種變形。例如，本發(fā)明，包括與在實(shí)施方式中說明的結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)(例如，功能、方法以及結(jié)果相同的結(jié)構(gòu)，或者是目的以及效果相同的結(jié)構(gòu))。還有，本發(fā)明包括對在實(shí)施方式中說明的結(jié)構(gòu)的非本質(zhì)部分置換后的結(jié)構(gòu)。還有，本發(fā)明包括起到和在實(shí)施方式中說明的結(jié)構(gòu)相同的作用效果的結(jié)構(gòu)，或者可以達(dá)到相同目的的結(jié)構(gòu)。還有，本發(fā)明包括在實(shí)施方式中說明的結(jié)構(gòu)上添加了公知技術(shù)的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括準(zhǔn)備搭載了形成有多個(gè)第一焊盤的第一半導(dǎo)體芯片并具有布線圖案的布線基板的工序；將各所述第一焊盤與所述布線圖案采用導(dǎo)線進(jìn)行電連接的工序；在所述第一半導(dǎo)體芯片上設(shè)置樹脂漿的工序；將形成有多個(gè)第二焊盤的第二半導(dǎo)體芯片，按照與所述第一焊盤的至少一部分隔開間隔而重疊的方式，通過介入所述樹脂漿后搭載在所述第一半導(dǎo)體芯片上的工序；以及讓所述樹脂漿固化，在所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片之間形成隔離層，將所述第一以及第二半導(dǎo)體芯片固定的工序；所述隔離層在所述第二焊盤之下形成并直到外側(cè)；所述導(dǎo)線按照其最高部位配置在所述第一半導(dǎo)體芯片外側(cè)的方式進(jìn)行設(shè)置。
2.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括準(zhǔn)備搭載了形成有多個(gè)第一焊盤的第一半導(dǎo)體芯片并具有布線圖案的布線基板的工序；將各所述第一焊盤與所述布線圖案采用導(dǎo)線進(jìn)行電連接的工序；在所述第一半導(dǎo)體芯片上設(shè)置樹脂漿的工序；將形成有多個(gè)第二焊盤的第二半導(dǎo)體芯片，按照與所述第一焊盤的至少一部分隔開間隔而重疊的方式，通過介入所述樹脂漿后搭載在所述第一半導(dǎo)體芯片上的工序；以及讓所述樹脂漿固化，在所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片之間形成隔離層，將所述第一以及第二半導(dǎo)體芯片固定的工序；所述隔離層在所述第二焊盤之下形成并直到外側(cè)；所述導(dǎo)線按照從所述第一半導(dǎo)體芯片上的空間向斜上方凸出的方式進(jìn)行設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，進(jìn)一步包括使所述樹脂漿從第一半導(dǎo)體芯片流至所述布線基板上，在所述第一半導(dǎo)體芯片的周圍形成邊緣帶的工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在設(shè)置所述樹脂漿的工序中，僅在所述第一半導(dǎo)體芯片上設(shè)置所述樹脂漿；在搭載所述第二半導(dǎo)體芯片的工序中，按照讓所述樹脂漿流出到所述布線基板上的方式搭載所述第二半導(dǎo)體芯片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述樹脂漿，在其內(nèi)部含有多個(gè)絕緣性球狀體，將這些球狀體置于所述第一及第二半導(dǎo)體芯片之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，采用所述導(dǎo)線進(jìn)行電連接的工序包括將所述導(dǎo)線與所述布線圖案電連接的工序；以及之后將所述導(dǎo)線與所述第一焊盤電連接的工序。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，采用所述導(dǎo)線進(jìn)行電連接的工序包括將所述導(dǎo)線與所述第一焊盤電連接的工序；以及之后將所述導(dǎo)線與所述布線圖案電連接的工序。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在固化所述樹脂漿的工序之后，進(jìn)一步包括采用其它導(dǎo)線將所述第二焊盤與所述布線圖案電連接的工序。
9.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括布線基板，其形成有布線圖案；第一半導(dǎo)體芯片，搭載在所述布線基板上，形成有多個(gè)第一焊盤；導(dǎo)線，其將所述布線圖案與各所述第一焊盤分別電連接；第二半導(dǎo)體芯片，其按照與所述第一焊盤隔開間隔而重疊的方式被搭載在所述第一半導(dǎo)體芯片上，形成有多個(gè)第二焊盤；隔離層，其被形成在所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片之間，固定所述第一以及第二半導(dǎo)體芯片；所述隔離層在所述第二焊盤之下形成并直到外側(cè)；所述導(dǎo)線按照其最高部位配置在所述隔離層的外側(cè)的方式進(jìn)行設(shè)置。
10.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括布線基板，其形成有布線圖案；第一半導(dǎo)體芯片，搭載在所述布線基板上，形成有多個(gè)第一焊盤；導(dǎo)線，其將所述布線圖案與各所述第一焊盤分別電連接；第二半導(dǎo)體芯片，其按照與所述第一焊盤隔開間隔而重疊的方式被搭載在所述第一半導(dǎo)體芯片上，形成有多個(gè)第二焊盤；隔離層，其被形成在所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片之間，固定所述第一以及第二半導(dǎo)體芯片；所述隔離層在所述第二焊盤之下形成并直到外側(cè)；所述導(dǎo)線按照從所述隔離層向斜上方凸出的方式進(jìn)行設(shè)置。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述布線基板上進(jìn)一步具有配置在所述第一半導(dǎo)體芯片周圍的邊緣帶。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述隔離層與所述邊緣帶是相同的材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述隔離層，在其內(nèi)部具有絕緣性球狀體。
全文摘要
提供一種裝配性及可靠性非常優(yōu)越的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。準(zhǔn)備安放了形成有多個(gè)第一焊盤(14)的第一半導(dǎo)體芯片(10)的布線基板(20)。各第一焊盤(14)與各布線圖案(22)之間分別用導(dǎo)線(30)電連接。在第一半導(dǎo)體芯片(10)上設(shè)置樹脂漿(40)。將形成有多個(gè)第二焊盤的第二半導(dǎo)體芯片(50)通過介入樹脂漿(40)搭載在第一半導(dǎo)體芯片(10)上。樹脂漿(40)被固化后形成隔離層(60)，將第一與第二半導(dǎo)體芯片(10、50)固定。隔離層(60)，形成在第二焊盤(54)下方直到外側(cè)。導(dǎo)線(30)按其最高部位被配置在第一半導(dǎo)體芯片(10)的外側(cè)的方式而進(jìn)行設(shè)置。
文檔編號H01L21/50GK1577777SQ200410062179
公開日2005年2月9日 申請日期2004年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月4日
發(fā)明者尾形義春 申請人:精工愛普生株式會社