專利名稱：利用數(shù)/模變換電路進(jìn)行電壓微調(diào)的電壓生成電路和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電壓生成電路和電壓生成方法。本發(fā)明特別涉及提高生成的電壓的微調(diào)精度的技術(shù)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，對(duì)所有電子設(shè)備的小型化和省電化的要求日益提高。例如，便攜電話和便攜終端等的移動(dòng)設(shè)備，對(duì)于小型化和電池驅(qū)動(dòng)時(shí)間的改善要求特別強(qiáng)烈。其結(jié)果，對(duì)于設(shè)備內(nèi)部的精度的要求也日益提高。作為用于生成正確的內(nèi)部電壓的調(diào)整方法，已知有通過(guò)斷開(kāi)設(shè)置在內(nèi)部的熔絲(fuse)來(lái)微調(diào)電壓的技術(shù)(例如參照專利文獻(xiàn)1)。
〔專利文獻(xiàn)1〕特開(kāi)2000-150799號(hào)公報(bào)在上述現(xiàn)有技術(shù)中，在通過(guò)斷開(kāi)與放大電路的反饋電阻并聯(lián)連接的熔絲來(lái)微調(diào)輸出電壓時(shí)，因?yàn)樵谌劢z斷開(kāi)后，電阻分量殘存在電路內(nèi)，所以在實(shí)際輸出的電壓值中產(chǎn)生偏差。并且，如果其值不是實(shí)際上斷開(kāi)熔絲以后的值，則不能判明，所以難以提高微調(diào)精度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明人基于以上的認(rèn)識(shí)而完成本發(fā)明，其目的在于可以提高生成的電壓的微調(diào)精度。
本發(fā)明的一個(gè)方式是電壓生成電路。該電路包括D/A變換電路，通過(guò)將輸入的數(shù)字值變換為模擬值來(lái)生成電壓信號(hào)；以及設(shè)定電路，設(shè)定應(yīng)輸入D/A變換電路的數(shù)字值；其中，設(shè)定電路包括用于將電壓信號(hào)的模擬電壓值調(diào)整為要求的模擬電壓值的多個(gè)熔絲。
在本方式中，用于調(diào)整輸出的電壓信號(hào)的值的多個(gè)熔絲連接到D/A變換電路，通過(guò)選擇性斷開(kāi)這些多個(gè)熔絲，可以調(diào)整D/A變換電路的輸出。由此，與斷開(kāi)和放大電路的反饋電阻并聯(lián)連接的熔絲的方法不同，因?yàn)榛旧喜划a(chǎn)生殘存電阻造成的影響，所以可以提高電壓的微調(diào)精度。
本發(fā)明的另一個(gè)方式也是電壓生成電路。該電路包括輸出電路，根據(jù)輸入的參考電壓來(lái)輸出電壓信號(hào)；D/A變換電路，通過(guò)將數(shù)字值變換為模擬值，生成應(yīng)輸入到輸出電路的參考電壓；以及設(shè)定電路，設(shè)定應(yīng)輸入D/A變換電路的數(shù)字值；其中，設(shè)定電路包括用于將電壓信號(hào)的模擬電壓值調(diào)整為要求的模擬電壓值的多個(gè)熔絲。
“輸出電路”例如是比較電路和放大電路等，是需要輸入?yún)⒖茧妷旱碾娐?。在本方式中，在包含需要輸入?yún)⒖茧妷旱妮敵鲭娐返碾妷荷呻娐分?，以使用了D/A變換電路的微調(diào)方式來(lái)調(diào)整其參考電壓。由此，可以按高精度來(lái)生成和利用參考電壓。
在調(diào)整設(shè)定電路設(shè)定的數(shù)字值時(shí)，其調(diào)整過(guò)的值可以用與多個(gè)熔絲中被斷開(kāi)的熔絲的數(shù)量對(duì)應(yīng)的值來(lái)固定。即，在本方式的電壓生成電路中，通過(guò)調(diào)整D/A變換前的數(shù)字值，進(jìn)行消除輸出的模擬值和目標(biāo)值的誤差的調(diào)整。由此，與直接調(diào)整模擬值相比，值的偏差小，可以提高調(diào)整精度。
設(shè)定電路還可以包括分別控制數(shù)字值的各位的開(kāi)關(guān)的多個(gè)開(kāi)關(guān)元件。多個(gè)開(kāi)關(guān)元件分別與多個(gè)熔絲中的任意一個(gè)串聯(lián)連接，通過(guò)其通斷來(lái)再現(xiàn)各熔絲的連接或者斷開(kāi)的狀態(tài)。這時(shí)，因?yàn)榭赏ㄟ^(guò)開(kāi)關(guān)元件的通斷來(lái)模擬地再現(xiàn)熔絲斷開(kāi)后的電氣的狀態(tài)，所以可以提高電壓的微調(diào)精度。
設(shè)定電路還可以包括寄存器，該寄存器在熔絲的斷開(kāi)之前暫時(shí)保存對(duì)多個(gè)開(kāi)關(guān)元件進(jìn)行通斷控制的數(shù)字值。由此，可以容易地進(jìn)行數(shù)字值的調(diào)整。
作為多個(gè)熔絲的、設(shè)定電路可以包括與用于輸入到D/A變換電路的數(shù)字值的位數(shù)數(shù)量相同的熔絲，同時(shí)使一部分位的初始值反轉(zhuǎn)，以使多個(gè)熔絲的斷開(kāi)前的數(shù)字值的初始值成為可以以位數(shù)設(shè)定的范圍的中間值。如果考慮制造成本，斷開(kāi)熔絲的次數(shù)最好為最小限度。因此，通過(guò)將數(shù)字值的調(diào)整范圍為最小限度，還可以使熔絲斷開(kāi)回?cái)?shù)減少，所以可以提高電路的制造效率，同時(shí)將制造成本抑制得低。
本發(fā)明的再有的另一方式是電壓生成方法。該方法包括根據(jù)輸入的數(shù)字值，控制與各位對(duì)應(yīng)的多個(gè)開(kāi)關(guān)元件的通斷的步驟；根據(jù)通斷的控制，通過(guò)將數(shù)字值變換為模擬值，模擬地再現(xiàn)在選擇性斷開(kāi)與多個(gè)開(kāi)關(guān)元件對(duì)應(yīng)的多個(gè)熔絲時(shí)輸出的模擬值的步驟；輸入調(diào)整過(guò)的新的數(shù)字值，以減少模擬值和目標(biāo)值的誤差的步驟；以及通過(guò)斷開(kāi)與調(diào)整后的新的數(shù)字值對(duì)應(yīng)的熔絲來(lái)固定被輸入的數(shù)字值的步驟。
按照本方式，可以提高電壓的微調(diào)精度，而且，通過(guò)在實(shí)際斷開(kāi)熔絲之前的開(kāi)關(guān)元件的通斷，可以模擬地再現(xiàn)斷開(kāi)后的狀態(tài)。由此，可以實(shí)現(xiàn)更高精度的微調(diào)。
而且，將以上結(jié)構(gòu)元件的任意組合、本發(fā)明的結(jié)構(gòu)和表現(xiàn)在方法、裝置、電路等之間相互替換來(lái)作為本發(fā)明的方式也有效。
按照本發(fā)明，可以使電壓的微調(diào)精度提高。


圖1是表示實(shí)施方式的電壓生成電路和利用該電壓生成電路的電路結(jié)構(gòu)的圖。
圖2是表示電壓生成電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖。
圖3是表示設(shè)定電路和各開(kāi)關(guān)電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的實(shí)施方式的電源生成電路利用R-2R梯(ladder)形電阻網(wǎng)型的D/A變換電路，以及控制該D/A變換電路內(nèi)的開(kāi)關(guān)的設(shè)定電路，高精度生成所要求的值的電壓。
圖1表示實(shí)施方式的電壓生成電路和利用該電壓生成電路的電路結(jié)構(gòu)。電壓生成電路10以要求的電壓值輸出第一電壓信號(hào)Vout10，第一比較電路20和第二比較電路22將第一電壓信號(hào)Vout10用作參考電壓。第一比較電路20比較第一輸入電壓Vin11和成為參考電壓的第一電壓信號(hào)Vout10，將其電位差作為第二電壓信號(hào)Vout11輸出。第二比較電路22比較第二輸入電壓Vin12和成為參考電壓的第一電壓信號(hào)Vout10，將其電位差作為第三電壓信號(hào)Vout12輸出。
第一輸入電壓Vin11和第二輸入電壓Vin12也可以是電池電壓。例如第一比較電路20和第二比較電路22在裝載在于電子設(shè)備中的電池余量低于規(guī)定的閾值時(shí)，輸出表示該情況的信號(hào)。特別是便攜設(shè)備等的電池余量不足的警告定時(shí)如果比實(shí)際斷開(kāi)電池的定時(shí)過(guò)早或過(guò)晚，其警告的意義會(huì)減半，所以對(duì)正確性的要求高。為了判斷電池余量不足的定時(shí)，例如需要以0.01V的等級(jí)(order)來(lái)測(cè)試電位差，因此也要求設(shè)備內(nèi)部的參考?jí)壕哂懈呔取１緦?shí)施方式的電壓生成電路10，將被利用作為參考電壓的電壓高精度接近目標(biāo)值。
圖2表示電壓生成電路10的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。電壓生成電路10主要包括D/A變換電路12、設(shè)定電路14、以及放大電路16。D/A變換電路12以8位的分辨率將數(shù)字值變換為模擬值并輸出參考電壓Vref。放大電路16放大參考電壓Vref并輸出第一電壓信號(hào)Vout10。放大電路16是非反轉(zhuǎn)放大器，將參考電壓Vref輸入到非反轉(zhuǎn)輸入端子。在放大電路16輸出的第一電壓信號(hào)Vout10的路徑和接地電位之間串聯(lián)連接第17負(fù)荷電阻R1和第18負(fù)荷電阻R2，將第一電壓信號(hào)Vout10經(jīng)由第18負(fù)荷電阻R2反饋到反轉(zhuǎn)輸入端子。因此，放大電路16輸出的第一電壓信號(hào)Vout10的電壓值為(1+R2/R1)Vref。即，第一電壓信號(hào)Vout10的電壓值由第17負(fù)荷電阻R1和第18負(fù)荷電阻R2的電阻值的比，以及參考電壓Vref的值來(lái)確定。
以往，為了得到要求的電壓值的輸出，采用調(diào)整連接到非反轉(zhuǎn)放大電路的輸出端的電阻串中的電阻值的比的方法。具體來(lái)說(shuō)，有連接包含于電阻串中的多個(gè)電阻和分別并聯(lián)的各個(gè)多個(gè)熔絲，以斷開(kāi)了該熔絲的個(gè)數(shù)來(lái)設(shè)定電阻串的電阻比并以要求的電壓值得到輸出的微調(diào)方法。但是，即使斷開(kāi)熔絲，還殘存電阻分量，容易在輸出電壓值中產(chǎn)生誤差，而且，因?yàn)槿绻粚?shí)際斷開(kāi)熔絲并觀察的話就不能判明該值，所以難以提高微調(diào)精度。而且，在熔絲的個(gè)數(shù)是2n個(gè)時(shí)，矯正級(jí)(repair-step)數(shù)僅為n！×2左右，所以為了增加矯正級(jí)數(shù)，必需設(shè)置多個(gè)熔絲。
本實(shí)施方式的電壓生成電路10，可以在熔絲斷開(kāi)前模擬地再現(xiàn)斷開(kāi)后的電氣狀態(tài)，所以，可以容易地設(shè)定最佳的電壓值。而且，在熔絲的個(gè)數(shù)是n個(gè)時(shí)，矯正級(jí)數(shù)成為2n左右，所以可以以較少的熔絲的個(gè)數(shù)來(lái)增加級(jí)數(shù)。
D/A變換電路12包括作為所謂的R-2R型的梯形電阻網(wǎng)的第1負(fù)荷電阻R10、第2負(fù)荷電阻R11、第3負(fù)荷電阻R12、第4負(fù)荷電阻R13、第5負(fù)荷電阻R14、第6負(fù)荷電阻R15、第7負(fù)荷電阻R16、第8負(fù)荷電阻R17、第9負(fù)荷電阻R20、第10負(fù)荷電阻R21、第11負(fù)荷電阻R22、第12負(fù)荷電阻R23、第13負(fù)荷電阻R24、第14負(fù)荷電阻R25、第15負(fù)荷電阻R26、第16負(fù)荷電阻R27。從第1負(fù)荷電阻R10到第9負(fù)荷電阻R20的各電阻值相等，從第10負(fù)荷電阻R21到第16負(fù)荷電阻R27的各電阻值也相等。如果將從第10負(fù)荷電阻R21到第16負(fù)荷電阻R27的電阻值分別設(shè)為R〔Ω〕，則的第1負(fù)荷電阻R10到第9負(fù)荷電阻R20的各電阻值分成為2R〔Ω〕。
D/A變換電路12包括作為對(duì)輸入的數(shù)字值的各位切換高和低的開(kāi)關(guān)的第1開(kāi)關(guān)電路SW1、第2開(kāi)關(guān)電路SW2、第3開(kāi)關(guān)電路SW3、第4開(kāi)關(guān)電路SW4、第5開(kāi)關(guān)電路SW5、第6開(kāi)關(guān)電路SW6、第7開(kāi)關(guān)電路SW7、第8開(kāi)關(guān)電路SW8。第1開(kāi)關(guān)電路SW1對(duì)應(yīng)最低位的位第8開(kāi)關(guān)電路SW8對(duì)應(yīng)最高位的位。各開(kāi)關(guān)電路分別包括3個(gè)接點(diǎn)a、b、c。
從第9負(fù)荷電阻R20到第16負(fù)荷電阻R17的八個(gè)負(fù)荷電阻以該順序串聯(lián)連接并形成電阻串。位于該電阻串的左端的第9負(fù)荷電阻R20的一端連接到低電位L，位于電阻串的右端的第16負(fù)荷電阻R17的一端連接到放大電路16的非反轉(zhuǎn)輸入端子。從第1負(fù)荷電阻R10到第7負(fù)荷電阻R16的各負(fù)荷電阻，各自的一端分別連接到從第9負(fù)荷電阻R20到第16負(fù)荷電阻R27的各負(fù)荷電阻之間，另一端分別連接到從第1開(kāi)關(guān)電路SW1到第7開(kāi)關(guān)電路SW7的各開(kāi)關(guān)電路的接點(diǎn)a。例如從第1負(fù)荷電阻R10一端連接到第9負(fù)荷電阻R20和第10負(fù)荷電阻R21之間，第7負(fù)荷電阻R16一端連接到第15負(fù)荷電阻R26和第16負(fù)荷電阻R27之間。第8負(fù)荷電阻R17一端連接到第16負(fù)荷電阻R27和放大電路16的非反轉(zhuǎn)輸入端子之間，另一端連接到第8開(kāi)關(guān)電路SW8的接點(diǎn)a。
第1開(kāi)關(guān)電路SW1到第8開(kāi)關(guān)電路SW8的各開(kāi)關(guān)電路的接點(diǎn)b分別連接到低電位L，各開(kāi)關(guān)電路的接點(diǎn)c分別連接到高電位H。第1開(kāi)關(guān)電路SW1到第8開(kāi)關(guān)電路SW8的各開(kāi)關(guān)電路通過(guò)接點(diǎn)間的連接切換來(lái)切換各位的高和低。這里，在接點(diǎn)a連接到接點(diǎn)b時(shí)，該位被設(shè)定為低，接點(diǎn)a連接到接點(diǎn)b時(shí)，該位被設(shè)定為高。在被設(shè)定為低時(shí)輸出的該位的模擬值是零，但被設(shè)定為高時(shí)輸出的該位的模擬值每一位有所不同。例如，在與最低位的位對(duì)應(yīng)的第1開(kāi)關(guān)電路SW1的接點(diǎn)a連接到接點(diǎn)c時(shí)，經(jīng)由第1負(fù)荷電阻R10和第10負(fù)荷電阻R21到第16負(fù)荷電阻R27的八個(gè)負(fù)荷電阻。它們的總電阻值為9R〔Ω〕。
與最低位相比高一位的位對(duì)應(yīng)的第2開(kāi)關(guān)電路SW2的接點(diǎn)a連接到接點(diǎn)c時(shí)，接點(diǎn)a和放大電路16的非反轉(zhuǎn)輸入端子之間經(jīng)由第2負(fù)荷電阻R11和第11負(fù)荷電阻R22到第16負(fù)荷電阻R27的七個(gè)負(fù)荷電阻。它們的總電阻值是8R〔Ω〕。這樣，在將與從最低位的位到最高位的位的各位對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)電路的接點(diǎn)a連接到接點(diǎn)c時(shí)的總電阻值，成為從9R〔Ω〕到2R〔Ω〕每次減小R〔Ω〕的值。
如上所述，D/A變換電路12通過(guò)對(duì)于各位，將各開(kāi)關(guān)電路的接點(diǎn)a連接到接點(diǎn)b或者接點(diǎn)c的哪一個(gè)來(lái)調(diào)整應(yīng)施加到放大電路16的非反轉(zhuǎn)輸入端子的參考電壓Vref的模擬值。在本實(shí)施方式中，作為參考電壓Vref的模擬值，以256等級(jí)對(duì)可設(shè)定的電壓值的范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)整。通過(guò)從設(shè)定電路14輸出的第1開(kāi)關(guān)控制信號(hào)SWD0到第8開(kāi)關(guān)控制信號(hào)SWD7來(lái)控制各開(kāi)關(guān)電路的連接的切換。
這里，在從第1開(kāi)關(guān)電路SW1到8開(kāi)關(guān)電路SW8的8個(gè)開(kāi)關(guān)電路中，從第1開(kāi)關(guān)電路SW0到第7開(kāi)關(guān)電路SW7的7個(gè)開(kāi)關(guān)電路通過(guò)最初時(shí)，將各自的接點(diǎn)a連接到接點(diǎn)b，其初始值設(shè)為低。第8開(kāi)關(guān)電路SW8在初始時(shí)，通過(guò)將各自的a連接到接點(diǎn)c，使初始值設(shè)為高。因此，輸入的數(shù)字值成為中間值的128，參考電壓Vref的初始值成為可設(shè)定的電壓值范圍的中間值。在本實(shí)施方式中，將D/A變換電路12將應(yīng)輸出的參考電壓Vref的目標(biāo)值設(shè)定為1.0V，同時(shí)將可設(shè)定的電壓值的范圍設(shè)為從0.9V到1.1V，匹配設(shè)計(jì)以使其中間值的1.0V成為初始值。因?yàn)榭紤]到即使D/A變換電路12的輸出值中產(chǎn)生誤差，該誤差是以1.0V為中心，在正負(fù)兩端產(chǎn)生，所以可以減少電壓的微調(diào)工序數(shù)，而且可以減少制造工序中的成本。
圖3表示設(shè)定電路14和各開(kāi)關(guān)電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。在本圖中，在從第1開(kāi)關(guān)電路SW1到第8開(kāi)關(guān)電路SW8中，僅代表地顯示第1開(kāi)關(guān)電路SW1和第8開(kāi)關(guān)電路SW8，省略從第2開(kāi)關(guān)電路SW2到第7開(kāi)關(guān)電路SW7的記載。但是，從第2開(kāi)關(guān)電路SW2到第7開(kāi)關(guān)電路SW7具有和第1開(kāi)關(guān)電路SW1相同的結(jié)構(gòu)。
第1開(kāi)關(guān)電路SW1包括作為開(kāi)關(guān)元件的第1晶體管Tr10、第2晶體管Tr11、第3晶體管Tr12。第1晶體管Tr10是p溝道的MOS晶體管，第2晶體管Tr11和第3晶體管Tr12是n溝道的MOS晶體管。第1開(kāi)關(guān)電路SW1包括第1熔絲F1、第1反轉(zhuǎn)電路I10、第2反轉(zhuǎn)電路I11、電阻R30。
以第1晶體管Tr10、第1熔絲F1、電阻R30這樣的順序?qū)⑺鼈兇?lián)連接到在電壓源VDD至接地電位VSS之間。第2晶體管Tr11將漏極和源極連接在接點(diǎn)a和接點(diǎn)c之間，第3晶體管Tr12的漏極和源極連接在接點(diǎn)a和接點(diǎn)b之間。第2晶體管Tr11的柵極經(jīng)由第1反轉(zhuǎn)電路I10連接到第1熔絲F1和電阻R30之間，第3晶體管Tr12的柵極經(jīng)由第1反轉(zhuǎn)電路I10和第2反轉(zhuǎn)電路I11連接到第1熔絲F1和電阻R30之間。即，將相互反轉(zhuǎn)的信號(hào)輸入到第2晶體管Tr11和第3晶體管Tr12中。
第8開(kāi)關(guān)電路SW8包括作為開(kāi)關(guān)元件的第1晶體管Tr80、第2晶體管Tr81、第3晶體管Tr82。第1晶體管Tr80是p溝道的MOS晶體管，第2晶體管Tr81和第3晶體管Tr82是n溝道的MOS晶體管。第8開(kāi)關(guān)電路SW8包括第8熔絲F8、第1反轉(zhuǎn)電路I80、第2反轉(zhuǎn)電路I81、第3反轉(zhuǎn)電路I82、電阻R38。
以第1晶體管Tr80、第8熔絲F8、電阻R38這樣的順序?qū)⑺鼈兇?lián)連接到在電壓源VDD至接地電位VSS之間。第2晶體管Tr81的漏極和源極連接在接點(diǎn)a和接點(diǎn)c之間，第3晶體管Tr82的漏極和源極連接在接點(diǎn)a和接點(diǎn)b之間。第2晶體管Tr81的柵極經(jīng)由第1反轉(zhuǎn)電路I80和第2反轉(zhuǎn)電路I81連接到第8熔絲F8和電阻R38之間，第3晶體管Tr82經(jīng)由第1反轉(zhuǎn)電路I80、第2反轉(zhuǎn)電路I81和第3反轉(zhuǎn)電路I82連接到第8熔絲F8和電阻R38之間。即，相互反轉(zhuǎn)的信號(hào)輸入到第2晶體管Tr81和第3晶體管Tr82中。
作為控制信號(hào)，將第1開(kāi)關(guān)控制信號(hào)SWD0到第8開(kāi)關(guān)控制信號(hào)SWD7分別輸入第1開(kāi)關(guān)電路SW1的第1晶體管Tr10的柵極、未圖示的分別包含在第2開(kāi)關(guān)電路SW2到第7開(kāi)關(guān)電路SW7中的晶體管的柵極，以及第8開(kāi)關(guān)電路SW8的第1晶體管Tr80的柵極。第1開(kāi)關(guān)控制信號(hào)SWD0到第8開(kāi)關(guān)控制信號(hào)SWD7的初始值為低電平，使包含在第1開(kāi)關(guān)電路SW1到第8開(kāi)關(guān)電路SW8的第1晶體管Tr10到第1晶體管Tr80的各晶體管導(dǎo)通。
在第1開(kāi)關(guān)電路SW1中，第1晶體管Tr10的源極漏極電壓變?yōu)楦唠娖剑缘?反轉(zhuǎn)電路I10反轉(zhuǎn)該電位，第2晶體管Tr11截止，進(jìn)而以第2反轉(zhuǎn)電路I11反轉(zhuǎn)，第3晶體管Tr12導(dǎo)通。因此，第1開(kāi)關(guān)電路SW1的接點(diǎn)a初始時(shí)與接點(diǎn)b連接。第2開(kāi)關(guān)電路SW2到第7開(kāi)關(guān)電路SW7也和第1開(kāi)關(guān)電路SW1一樣，初始時(shí)接點(diǎn)a和接點(diǎn)b連接。
在第8開(kāi)關(guān)電路SW8中，第1晶體管Tr80的源極漏極電壓變?yōu)楦撸缘?反轉(zhuǎn)電路I80、第2反轉(zhuǎn)電路I81兩次反轉(zhuǎn)該電位，第2晶體管Tr81導(dǎo)通，進(jìn)而以第3反轉(zhuǎn)電路I82反轉(zhuǎn)，第3晶體管Tr82導(dǎo)通。因此，初始時(shí)接點(diǎn)a和接點(diǎn)c連接。
如上所述，第1開(kāi)關(guān)控制信號(hào)SWD0到第8開(kāi)關(guān)控制信號(hào)SWD7的初始值為低電平時(shí)，從第1開(kāi)關(guān)電路SW1到第7開(kāi)關(guān)電路SW7接點(diǎn)a和接點(diǎn)b連接，第8開(kāi)關(guān)電路SW8初始時(shí)接點(diǎn)a和接點(diǎn)c連接。相反，第1開(kāi)關(guān)控制信號(hào)SWD0到第8開(kāi)關(guān)控制信號(hào)SWD7的初始值為高時(shí)，從第1開(kāi)關(guān)電路SW1到第7開(kāi)關(guān)電路SW7接點(diǎn)a和接點(diǎn)c連接，第8開(kāi)關(guān)電路SW8初始時(shí)接點(diǎn)a和接點(diǎn)b連接。
在斷開(kāi)包含在第1開(kāi)關(guān)電路SW1到第8開(kāi)關(guān)電路SW8中的第1熔絲F1到第8熔絲F8的各熔絲時(shí)，將第1晶體管Tr10到第1晶體管Tr80的各晶體管固定在截止的狀態(tài)。換句話說(shuō)，通過(guò)將第1晶體管Tr10到第1晶體管Tr80的各晶體管截止，可以再現(xiàn)斷開(kāi)了第1熔絲F1到第8熔絲F8的各熔絲時(shí)的電氣狀態(tài)。通過(guò)在熔絲斷開(kāi)前實(shí)行該狀態(tài)，可以在測(cè)定正確的電壓值后執(zhí)行電壓的微調(diào)，可以提高微調(diào)精度。
在寄存器18中，在輸入寫(xiě)入信號(hào)WR的同時(shí)，將構(gòu)成數(shù)字值的第1輸入信號(hào)D0到第8輸入信號(hào)D7的8位的值輸入到Din，寄存器18暫時(shí)存儲(chǔ)該值。在寄存器18中輸入測(cè)試信號(hào)TST時(shí)，依次讀出寄存器18存儲(chǔ)的值，作為第1開(kāi)關(guān)控制信號(hào)SWD0到第8開(kāi)關(guān)控制信號(hào)SWD7的值，輸入到第1開(kāi)關(guān)電路SW1到第8開(kāi)關(guān)電路SW8。
以下說(shuō)明基于以上結(jié)構(gòu)的處理步驟。首先，在熔絲斷開(kāi)之前，測(cè)試D/A變換電路12輸出的參考電壓Vref。在測(cè)試的電壓值和目標(biāo)值中產(chǎn)生誤差時(shí)，為了消除誤差，將調(diào)整過(guò)的新的數(shù)字值輸入到寄存器18，調(diào)整至沒(méi)有新的參考電壓Vref的電壓值和目標(biāo)值的誤差。調(diào)整以后，對(duì)于被調(diào)整到與初始值不同的值的位，斷開(kāi)包含在該開(kāi)關(guān)電路中的熔絲。由此，以調(diào)整后的值對(duì)該開(kāi)關(guān)電路進(jìn)行固定。而且，即使斷開(kāi)如圖3所示配置的熔絲，也基本不存在電阻分量，所以可以提高電壓的微調(diào)精度。
這樣，對(duì)于原樣保持初始值就可以的位，不斷開(kāi)熔絲，對(duì)于應(yīng)從初始值變更的位，只要斷開(kāi)熔絲其值就反轉(zhuǎn)。雖然熔絲的數(shù)量和輸入到D/A變換電路12的數(shù)字值的位數(shù)相同，但是在設(shè)熔絲的數(shù)量為n時(shí)，矯正級(jí)數(shù)為2n左右，所以可以以比以往少的熔絲的數(shù)量使矯正數(shù)量增多，同時(shí)使矯正寬度減小。
而且，在本實(shí)施方式中，通過(guò)設(shè)定電路14設(shè)定數(shù)字值，但與裝載EEPROM等非易失性存儲(chǔ)器的情況相比，可以實(shí)現(xiàn)便宜的電路。
以上根據(jù)實(shí)施方式說(shuō)明了本發(fā)明。該實(shí)施方式為例示，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，在這些各結(jié)構(gòu)元件和各處理步驟的組合中可進(jìn)行各種變形，而且，這樣的變形例也在本發(fā)明的范圍中。以下，舉出變形例。
本實(shí)施方式中的D/A變換電路12使用了R-2R梯形電阻網(wǎng)型的電路，但在變形例中也可以使用其它方式的D/A變換電路。在這種情況下，通過(guò)使用本實(shí)施方式的設(shè)定電路14，可以達(dá)到相同的效果。
本實(shí)施方式中的電壓生成電路10如圖2所示，形成包含放大電路16的結(jié)構(gòu)。變形例中的電壓生成電路10也可以形成不包含放大電路16的結(jié)構(gòu)，而形成包含圖1的第一比較電路20或者第二比較電路22以取代放大電路16的結(jié)構(gòu)。通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)，可以取得與本實(shí)施方式相同的效果。
權(quán)利要求
1.一種電壓生成電路，其特征在于，包括D/A變換電路，通過(guò)將輸入的數(shù)字值變換為模擬值來(lái)生成電壓信號(hào)；以及設(shè)定電路，設(shè)定應(yīng)輸入所述D/A變換電路的所述數(shù)字值，所述設(shè)定電路包括用于將所述電壓信號(hào)的模擬電壓值調(diào)整為要求的模擬電壓值的多個(gè)熔絲。
2.一種電壓生成電路，其特征在于，包括輸出電路，根據(jù)輸入的參考電壓來(lái)輸出電壓信號(hào)；D/A變換電路，通過(guò)將數(shù)字值變換為模擬值，生成應(yīng)輸入到所述輸出電路的參考電壓；以及設(shè)定電路，設(shè)定應(yīng)輸入所述D/A變換電路的所述數(shù)字值，所述設(shè)定電路包括用于將所述電壓信號(hào)的模擬電壓值調(diào)整為要求的模擬電壓值的多個(gè)熔絲。
3.如權(quán)利要求1所述的電壓生成電路，其特征在于在調(diào)整所述設(shè)定電路設(shè)定的數(shù)字值時(shí)，其調(diào)整后的值用與所述多個(gè)熔絲中被斷開(kāi)的熔絲的數(shù)量對(duì)應(yīng)的值來(lái)固定。
4.如權(quán)利要求2所述的電壓生成電路，其特征在于在調(diào)整所述設(shè)定電路設(shè)定的數(shù)字值時(shí)，其調(diào)整后的值用與所述多個(gè)熔絲中被斷開(kāi)的熔絲的數(shù)量對(duì)應(yīng)的值來(lái)固定。
5.如權(quán)利要求1所述的電壓生成電路，其特征在于各個(gè)所述設(shè)定電路還包括分別控制所述數(shù)字值的各位的開(kāi)關(guān)的多個(gè)開(kāi)關(guān)元件，所述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件分別與各個(gè)所述多個(gè)熔絲中的任意一個(gè)串聯(lián)連接，通過(guò)其通斷來(lái)再現(xiàn)各熔絲的連接或者斷開(kāi)的狀態(tài)。
6.如權(quán)利要求2所述的電壓生成電路，其特征在于各個(gè)所述設(shè)定電路還包括分別控制所述數(shù)字值的各位的開(kāi)關(guān)的多個(gè)開(kāi)關(guān)元件，所述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件分別與各個(gè)所述多個(gè)熔絲中的任意一個(gè)串聯(lián)連接，通過(guò)其通斷來(lái)再現(xiàn)各熔絲的連接或者斷開(kāi)的狀態(tài)。
7.如權(quán)利要求3所述的電壓生成電路，其特征在于各個(gè)所述設(shè)定電路還包括分別控制所述數(shù)字值的各位的開(kāi)關(guān)的多個(gè)開(kāi)關(guān)元件，所述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件分別與各個(gè)所述多個(gè)熔絲中的任意一個(gè)串聯(lián)連接，通過(guò)其通斷來(lái)再現(xiàn)各熔絲的連接或者斷開(kāi)的狀態(tài)。
8.如權(quán)利要求5所述的電壓生成電路，其特征在于所述設(shè)定電路還包括寄存器，該寄存器在所述熔絲的斷開(kāi)之前暫時(shí)保存對(duì)所述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的數(shù)字值。
9.如權(quán)利要求6所述的電壓生成電路，其特征在于所述設(shè)定電路還包括寄存器，在所述熔絲的斷開(kāi)之前暫時(shí)保存對(duì)所述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件進(jìn)行通斷控制的數(shù)字值。
10.如權(quán)利要求7所述的電壓生成電路，其特征在于所述設(shè)定電路還包括寄存器，在所述熔絲的斷開(kāi)之前暫時(shí)保存對(duì)所述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件進(jìn)行通斷控制的數(shù)字值。
11.如權(quán)利要求1所述的電壓生成電路，其特征在于作為所述多個(gè)熔絲，所述設(shè)定電路包括與用于輸入到所述D/A變換電路的所述數(shù)字值的位數(shù)數(shù)量相同的熔絲，同時(shí)使一部分位的初始值反轉(zhuǎn)，以使所述多個(gè)熔絲的斷開(kāi)前的所述數(shù)字值的初始值成為可以用所述位數(shù)設(shè)定的范圍的中間值。
12.如權(quán)利要求2所述的電壓生成電路，其特征在于作為所述多個(gè)熔絲，所述設(shè)定電路包括與用于輸入到所述D/A變換電路的所述數(shù)字值的位數(shù)數(shù)量相同的熔絲，同時(shí)使一部分位的初始值反轉(zhuǎn)，以使所述多個(gè)熔絲的斷開(kāi)前的所述數(shù)字值的初始值成為可以用所述位數(shù)設(shè)定的范圍的中間值。
13.如權(quán)利要求3所述的電壓生成電路，其特征在于作為所述多個(gè)熔絲，所述設(shè)定電路包括與用于輸入到所述D/A變換電路的所述數(shù)字值的位數(shù)數(shù)量相同的熔絲，同時(shí)使一部分位的初始值反轉(zhuǎn)，以使所述多個(gè)熔絲的斷開(kāi)前的所述數(shù)字值的初始值成為可以用所述位數(shù)設(shè)定的范圍的中間值。
14.如權(quán)利要求4所述的電壓生成電路，其特征在于作為所述多個(gè)熔絲，所述設(shè)定電路包括與用于輸入到所述D/A變換電路的所述數(shù)字值的位數(shù)數(shù)量相同的熔絲，同時(shí)使一部分位的初始值反轉(zhuǎn)，以使所述多個(gè)熔絲的斷開(kāi)前的所述數(shù)字值的初始值成為可以用所述位數(shù)設(shè)定的范圍的中間值。
15.一種電壓生成方法，其特征在于，包括根據(jù)輸入的數(shù)字值，控制與各位對(duì)應(yīng)的多個(gè)開(kāi)關(guān)元件的通斷的步驟；根據(jù)所述通斷的控制，通過(guò)將所述數(shù)字值變換為模擬值，模擬地再現(xiàn)選擇性地?cái)嚅_(kāi)與所述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件對(duì)應(yīng)的多個(gè)熔絲時(shí)輸出的模擬值的步驟；輸入調(diào)整過(guò)的新的數(shù)字值，以減少所述模擬值和目標(biāo)值的誤差的步驟；以及通過(guò)斷開(kāi)與所述調(diào)整后的新的數(shù)字值對(duì)應(yīng)的熔絲來(lái)固定被輸入的數(shù)字值的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電壓生成電路，用于解決在斷開(kāi)與放大電路的反饋電阻并聯(lián)連接的熔絲的微調(diào)時(shí)，由于殘存電阻分量而在電壓值中產(chǎn)生偏差的問(wèn)題。該電壓生成電路(10)在內(nèi)部設(shè)有R－2R梯形電阻網(wǎng)型的D/A變換電路(12)。在D/A變換電路(12)中，與各位對(duì)應(yīng)設(shè)置第1開(kāi)關(guān)電路(SW1)至第8開(kāi)關(guān)電路(SW8)的開(kāi)關(guān)電路，通過(guò)其切換來(lái)設(shè)定數(shù)字值。在各開(kāi)關(guān)電路中，設(shè)置用于固定電壓值的熔絲，如果斷開(kāi)該熔絲，則以反轉(zhuǎn)了初始值的值來(lái)固定。通過(guò)設(shè)定電路(14)控制各開(kāi)關(guān)電路的切換，通過(guò)該控制，在熔絲斷開(kāi)前再現(xiàn)熔絲斷開(kāi)后的電氣狀態(tài)。
文檔編號(hào)H01C17/242GK1581009SQ20041005597
公開(kāi)日2005年2月16日 申請(qǐng)日期2004年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月12日
發(fā)明者唐澤良幸, 橫溝伊知郎, 影本升 申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司