專利名稱：液晶顯示器及其薄膜晶體管板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器及用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)是廣泛使用的平板顯示器之一。LCD包括插在設(shè)置有場發(fā)生電極的兩個(gè)平板之間的液晶(LC)層。LCD通過對場發(fā)生電極施加電壓以在LC層中產(chǎn)生電場來顯示圖像，該電場確定LC層中LC分子的取向以調(diào)整入射光的偏振。
LCDs的缺陷是其視角狹窄。已提出各種用于擴(kuò)大視角的技術(shù)，包括利用垂直排列LC和在場發(fā)生電極如像素電極和公共電極處設(shè)置缺口或凸起的技術(shù)。
由于缺口和凸起減小孔徑比，因此缺口和凸起所占面積必須最小化。然而，缺口和凸起的寬度應(yīng)比預(yù)定值大且缺口和凸起之間的距離應(yīng)比預(yù)定值要小，以獲得由缺口和凸起所限定的穩(wěn)定LC區(qū)域以及LC的低響應(yīng)時(shí)間。
相應(yīng)地，對于液晶顯示器的薄膜晶體管板要求在確保穩(wěn)定LC區(qū)域和低響應(yīng)時(shí)間的同時(shí)提供擴(kuò)大的視角。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管板包括個(gè)基板、形成在該基板上并沿第一方向延伸的多條數(shù)據(jù)線、形成在該基板上并沿第二方向延伸的多條柵極線。該多條柵極線與該多條數(shù)據(jù)線相交以形成多個(gè)像素區(qū)域，該多個(gè)像素區(qū)域中的每個(gè)具有多折帶的形狀。多個(gè)像素電極的每個(gè)像素電極形成在相應(yīng)的該像素區(qū)域內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器包括薄膜晶體管板、公共電極板和插入薄膜晶體管板和公共電極板之間的液晶層。所述薄膜晶體管板包括第一基板、形成在該基板上并沿第一方向延伸的多條數(shù)據(jù)線、以及形成在該基板上并沿第二方向延伸的多條柵極線。多條柵極線與多條數(shù)據(jù)線相交以形成多個(gè)像素區(qū)域。多個(gè)像素區(qū)域中的每一個(gè)都具有多折帶的形狀。多個(gè)像素電極中的每個(gè)都形成在相應(yīng)的像素區(qū)域。所述公共電極板包括第二基板、形成在第二基板上的黑矩陣、以及形成在黑矩陣上的公共電極。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例形成液晶顯示器的薄膜晶體管的方法包括，在基板上形成多條數(shù)據(jù)線，該多條數(shù)據(jù)線沿第一方向延伸，在基板上形成多條柵極線，所述多條柵極線沿第二方向延伸并與多條數(shù)據(jù)線相交以形成多個(gè)像素區(qū)域。多個(gè)像素區(qū)域中的每一個(gè)都具有多折帶的形狀。在多個(gè)像素區(qū)的每一個(gè)中都形成像素電極。


通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例將使本發(fā)明變得更清楚，其中圖1為根據(jù)本發(fā)明典型實(shí)施例的LCD布局圖；圖2為圖1中所示的LCD沿線II-II’截取的截面圖；圖3為圖1中所示的LCD沿線III-III’和III’-III”截取的截面圖；圖4A、4B、5A和5B為根據(jù)本發(fā)明典型實(shí)施例，圖1至3所示的TFT陣列板在其制造方法各步驟中的截面圖；圖6為根據(jù)本發(fā)明另一典型實(shí)施例的LCD的布局圖；圖7為圖6中所示的LCD沿線VII-VII’截取的截面圖；圖8為圖6中所示的LCD沿線VIII-VIII’和VIII’-VIII”截取的截面圖；圖9A、9B、10A、10B、11A和11B為根據(jù)本發(fā)明典型實(shí)施例，圖6至8所示的TFT陣列板在其制造方法各步驟中的截面圖；圖12和13為根據(jù)本發(fā)明另一典型實(shí)施例的LCD的截面圖；圖14和15為根據(jù)本發(fā)明另一典型實(shí)施例的LCD的截面圖；圖16和17為根據(jù)本發(fā)明另一典型實(shí)施例的LCD的截面圖；以及圖18和19為根據(jù)本發(fā)明另一典型實(shí)施例的LCD的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參照其中示出了本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的附圖更全面地介紹本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以用多種不同的形式實(shí)施而不應(yīng)理解為限于在此所闡述的典型實(shí)施例。
附圖中，為清楚起見，夸大了層、膜和區(qū)域的厚度。相同的元件始終使用相同的附圖標(biāo)記。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)稱諸如層、膜、區(qū)域或基板的元件在另一個(gè)元件“上”時(shí)，其可以直接位于另一個(gè)元件上或者也可以存在插入的元件。相反，當(dāng)稱一個(gè)元件“直接”在另一個(gè)元件“上”時(shí)，則不存在插入的元件。
現(xiàn)在，將參照

根據(jù)本發(fā)明典型實(shí)施例的TFT陣列板及其制造方法。
圖1為根據(jù)本發(fā)明典型實(shí)施例的LCD布局圖，圖2為圖1中所示的LCD沿線II-II’截取的截面圖，圖3為圖1中所示的LCD沿線III-III’和III’-III”截取的截面圖。
參照圖1至3，根據(jù)本發(fā)明典型實(shí)施例的LCD包括TFT陣列板100、公共電極板200和插在板100與200之間的LC層3。LC層3包括多個(gè)垂直于板100和200排列的LC分子。
現(xiàn)在詳細(xì)說明TFT陣列板100。
在絕緣基板110上形成多條柵極線121和多條存儲電極線131。
柵極線121基本沿橫向延伸并彼此分開。柵極線121傳輸柵極信號。每條柵極線121的多個(gè)突出部分形成多個(gè)柵極電極123。每條柵極線121具有用于與另一層或外部裝置連接的擴(kuò)大部分(expansion)125。
每條存儲電極線131基本沿橫向延伸并包括多組存儲電極，其中存儲電極包括一對縱向存儲電極133a和133b以及與彎曲的縱向存儲電極133a和133b相連結(jié)的橫向存儲電極133c，以及與相鄰存儲電極組133a至133c中的兩個(gè)存儲電極133a和133b相連的多條連接線133d。縱向存儲電極133a和133b周期性地彎曲且每個(gè)縱向存儲電極133a具有一自由端部和一連接到存儲電極線131的固定端部，兩個(gè)端部都具有傾斜的邊緣。每個(gè)縱向存儲電極133b具有兩個(gè)端部，一個(gè)與存儲電極線131相連接而另一個(gè)與連接線133d相連接。存儲電極線131施加有預(yù)定電壓，如施加到LCD公共電極板200上的公共電極270的公共電壓。
柵極線121以及存儲電極線131包括下部膜和上部膜。下部膜和上部膜具有不同的物理特性。上部膜優(yōu)選由包括含Al的金屬，如Al和Al合金的低電阻率金屬制成，用于減小柵極線121和存儲電極線131中的信號延遲或電壓下降。另一方面，下部膜優(yōu)選由如Cr、Mo和Mo合金的材料制成，其具有與其它材料，如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)優(yōu)良的接觸特性。下部膜材料和上部膜材料的良好典型組合為Cr和Al-Nd合金。圖2和3中，柵極電極123的下部膜和上部膜分別由附圖標(biāo)記231和232表示，柵極線121擴(kuò)大部分125的下部膜和上部膜分別由附圖標(biāo)記251和252表示，彎曲的縱向存儲電極133a的下部膜和上部膜分別由附圖標(biāo)記331a和332a表示，彎曲的縱向存儲電極133b的下部膜和上部膜分別由附圖標(biāo)記331b和332b表示。移除部分柵極線121擴(kuò)大部分125的上部膜252以暴露下面的部分下部膜251。
在本發(fā)明的各種典型實(shí)施例中，柵極線121和存儲電極線131可以為單層或多層(即，三層或更多層)結(jié)構(gòu)。
另外，柵極線121和存儲電極引線的邊緣表面為錐形，并且邊緣表面相對于基板110表面的傾斜角在約30至80度的范圍內(nèi)。
優(yōu)選由氮化硅(SiNx)制成的柵極絕緣層140形成在柵極線121和存儲電極線131上。
優(yōu)選由氫化非晶硅(簡寫為“a-Si)制成的多個(gè)半導(dǎo)體條帶151形成在柵極絕緣層140上。每個(gè)半導(dǎo)體條帶151基本沿縱向延伸并周期性彎曲。每個(gè)半導(dǎo)體條帶151具有多個(gè)朝向柵極電極123支出的突出部分154。每個(gè)半導(dǎo)體條帶151的寬度在柵極線121的附近變大，使得半導(dǎo)體條帶151覆蓋柵極線121的很大面積。
優(yōu)選由以n型雜質(zhì)重?fù)诫s的硅化物或n+型氫化a-Si制成的多個(gè)歐姆接觸帶和島161和165形成在半導(dǎo)體條帶151上。每個(gè)歐姆接觸帶161具有多個(gè)突出部分163，突出部分163和歐姆接觸島165成對地位于半導(dǎo)體條帶151的突出部分154上。
半導(dǎo)體條帶151以及歐姆接觸161和165的邊緣表面為錐形，并且半導(dǎo)體條帶151以及歐姆接觸161和165的邊緣表面的傾斜角優(yōu)選在約30至80度范圍內(nèi)。
多條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏極電極175形成在歐姆接觸161和165以及柵極絕緣層140之上。
用于傳輸數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線171基本沿縱向延伸并與柵極線121相交以限定以矩陣形式布置的像素區(qū)域。每條數(shù)據(jù)線171周期性地彎曲并包括多個(gè)由五個(gè)縱向部分以及在縱向部分之間連接的四個(gè)傾斜部分構(gòu)成的組。四個(gè)傾斜部分的上面兩個(gè)與柵極線121構(gòu)成大約45度的逆時(shí)針角，而四個(gè)傾斜部分的下面兩個(gè)與柵極線121構(gòu)成大約45度的順時(shí)針角。因此，數(shù)據(jù)線171朝左側(cè)步出，隨后逐步返回其初始位置。
因此，每個(gè)像素區(qū)域具有多折帶(multi-bent band)的形狀。與數(shù)據(jù)線171重疊的半導(dǎo)體條帶151以及歐姆接觸帶161的彎曲遵循數(shù)據(jù)線171。而且，彎曲的縱向存儲電極133a和133b的彎曲也遵循數(shù)據(jù)線171。
每條數(shù)據(jù)線171包括具有較寬寬度的擴(kuò)大部分179，以便和其它層或外部裝置相連接。每條數(shù)據(jù)線171朝向漏極電極175突出的多個(gè)分支形成多個(gè)源極電極173。每對源極電極173和漏極電極175相互分開并關(guān)于柵極電極123彼此相對。柵極電極123、源極電極173和漏極電極175同半導(dǎo)體條帶151的突出部分154一起形成TFT，TFT具有形成在設(shè)置于源極電極173與漏極電極175之間的突出部分154中的溝道。
數(shù)據(jù)線171和漏極電極175還包括，優(yōu)選分別由Mo、Mo合金或Cr制成的下部膜711和751，以及分別位于其上且優(yōu)選由含Al或含Ag金屬制成的上部膜712和752。圖2和3中，源極電極173的下部膜和上部膜分別由附圖標(biāo)記731和732示出，數(shù)據(jù)線171擴(kuò)大部分179的下部膜和上部膜分別由附圖標(biāo)記791和792示出。移除部分?jǐn)?shù)據(jù)線171擴(kuò)大部分179和漏極電極175的上部膜792、752以暴露下面的部分下部膜791和751。
數(shù)據(jù)線171和漏極電極175的下部膜711和751以及上部膜712和752具有錐形邊緣表面，且邊緣表面的傾斜角在約30至80度范圍內(nèi)。
優(yōu)選由有機(jī)絕緣體，如感光材料制成的鈍化層180形成在數(shù)據(jù)線171和漏極電極175上。由感光材料制成的鈍化層180能通過曝光和顯影無需蝕刻而構(gòu)圖?？蛇x地，鈍化層180可以由非感光性有機(jī)材料或如SiO2和SiNx的無機(jī)材料制成。
鈍化層180具有分別使漏極電極175的下部膜751和數(shù)據(jù)線171擴(kuò)大部分179的下部膜791暴露的多個(gè)接觸孔181和183。鈍化層180和柵極絕緣層140具有分別使柵極線121的擴(kuò)大部分125、第一存儲電極133a固定端部附近的存儲電極線131部分、以及第一存儲電極133a自由端部暴露的多個(gè)接觸孔182、184和185。如圖2和3所示，接觸孔181、182、183以及184和185的側(cè)壁與基板110的表面構(gòu)成大約30至85度的夾角，并具有包括下梯級181b、182b和183b以及上梯級181a、182a和183a的梯形外形。
接觸孔181至185可具有各種平面形狀，如矩形和圓形。
優(yōu)選由ITO或IZO制成的多個(gè)像素電極190、多個(gè)接觸輔助部分95和97、以及多個(gè)存儲連接橋91形成在鈍化層180上。
像素電極190通過接觸孔181物理和電學(xué)地連接到漏極電極175，使得像素電極190從漏極電極175接收到數(shù)據(jù)電壓。
每個(gè)像素電極190遵循像素區(qū)域具有多折帶的形狀。每個(gè)像素電極190具有將像素電極190分為上邊部分和下邊部分的橫向切口191。
存儲連接橋91在柵極線121上交叉，并通過接觸孔184和185物理地和電學(xué)地連接到鄰近的存儲電極線131。傳導(dǎo)片(未示出)可以置于每個(gè)存儲連接橋91下。存儲連接橋91電學(xué)地連接基板110上所有的存儲電極線131。存儲線131和存儲橋91可用于修復(fù)柵極線121和數(shù)據(jù)線171的缺陷。當(dāng)激光束照射在TFT陣列板上以修復(fù)缺陷時(shí)，傳導(dǎo)片可以增強(qiáng)柵極線121與存儲連接橋91的電連接。
下面介紹公共電極板200。
用于阻止光泄漏的黑矩陣220形成在絕緣基板210上，如透明玻璃板。
多個(gè)紅色、綠色和藍(lán)色濾色片(color filter)230形成在黑矩陣和基板210上，并基本沿像素區(qū)域縱列延伸，使其周期性彎曲。
外涂層250形成在濾色片230和黑矩陣220上。優(yōu)選由透明傳導(dǎo)材料，如ITO和IZO制成的公共電極270形成在外涂層250上。公共電極270具有多個(gè)切口271。
彎曲公共電極270的每個(gè)切口271以使像素電極190的每個(gè)上部和下部傾斜地分為兩片。如圖1所示，公共電極270的每個(gè)切口271沿第一方向穿過對應(yīng)像素電極190的上部切割，沿與第一方向相反的第二方向穿過對應(yīng)像素電極190的下部切割。切口271具有沿縱向延伸的端部。
外涂層250阻止濾色片230通過公共電極270的切口271暴露而污染LC層3。
均勻或勻質(zhì)的取向?qū)?未示出)覆蓋在公共電極270上。
一對偏振片(未示出)設(shè)置在平板100和200的外表面上，使得其傳輸軸相交并且傳輸軸之一平行于柵極線121。
LCD還可包括至少一個(gè)用于補(bǔ)償LC層3延遲的延遲膜。
LC層3中的LC分子排列為使其長軸垂直于平板100和200的表面。LC層3具有負(fù)性介電各向異性。
基于公共電極270的公共電壓和像素電極190的數(shù)據(jù)電壓的施用，產(chǎn)生垂直于平板100和200表面的電場。LC分子響應(yīng)電場而傾向于改變其取向，使得其長軸垂直于電場方向。在此期間，公共電極270的切口271和像素電極190的邊緣部分扭曲電場以使其具有確定LC傾斜方向的水平分量。電場的水平分量垂直于切口271的邊緣以及像素電極190的邊緣。相應(yīng)地，LC層3中形成具有不同傾斜方向的四個(gè)區(qū)域。
如上，因?yàn)榍锌?91和271占據(jù)的面積減少，所以LCD的孔徑比增加。
因?yàn)樗袇^(qū)域的傾斜方向與平行或垂直于平板100和200邊緣的柵極線121構(gòu)成大約45度角，并且傾斜方向和偏振片的傳輸軸的45度交叉給出最大透射比，所以能附上偏振片使得偏振片的傳輸軸平行或垂直于平板100和200的邊緣，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本。
數(shù)據(jù)線171由于其彎曲外形而增加的電阻能通過加寬數(shù)據(jù)線171予以補(bǔ)償。且，由數(shù)據(jù)線171寬度的增加所引起的電場的扭曲和寄生電容的增加，能通過最大化像素電極190尺寸和調(diào)整厚有機(jī)鈍化層予以補(bǔ)償。
現(xiàn)在，詳細(xì)說明制造附圖1、2和3中所示的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列板的方法。
圖4A、4B、5A和5B為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，圖1至3所示的TFT陣列板在其制造方法各步驟中的截面圖。
參照圖4A和4B，下部傳導(dǎo)膜和上部傳導(dǎo)膜順序?yàn)R鍍在絕緣基板110，如透明玻璃上，并濕法或干法蝕刻依次形成多條柵極線121和多條存儲電極線131。
在順序沉積具有大約1500至5000厚度的柵極絕緣層140、具有大約500至2000厚度的本征a-Si層、以及具有大約300至600厚度的非本征a-Si層后，光蝕刻非本征a-Si層和本征a-Si層以在柵極絕緣層140上形成多個(gè)外部半導(dǎo)體條帶以及包括多個(gè)凸起154的多個(gè)本征半導(dǎo)體條帶151。
濺鍍并構(gòu)圖每個(gè)具有大約1500至3000厚度的下部傳導(dǎo)膜和上部傳導(dǎo)膜順序以形成包括多個(gè)源極電極173的多條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏極電極175。
此后，移除數(shù)據(jù)線171和漏極電極175沒有覆蓋的部分外部半導(dǎo)體條帶以完成包括多個(gè)凸起163和多個(gè)歐姆接觸島165的多個(gè)歐姆接觸帶161，以及暴露部分本征半導(dǎo)體條帶151。此后優(yōu)選進(jìn)行氧等離子體處理以穩(wěn)定半導(dǎo)體條帶151的暴露表面。
參照附圖5A和5B，涂覆由光敏有機(jī)絕緣體制成的鈍化層180，并通過包括多個(gè)透射區(qū)域502和多個(gè)設(shè)置在透射區(qū)域502周圍的狹縫區(qū)域501的光掩模(photo-mask)500曝光。
相應(yīng)地，鈍化層180面向透射區(qū)域502的部分吸收光線的全部能量，而鈍化層180面向狹縫區(qū)域501的部分卻部分地吸收光能。
隨后，顯影鈍化層以形成多個(gè)接觸孔181至185。移除鈍化層180面向透射區(qū)域502部分的全部的厚度，而鈍化層180面向狹縫區(qū)域501的部分保留以使其具有減少的厚度，使得接觸孔181至185具有階梯外形。
接下來，分別蝕刻移除漏極電極175的上部傳導(dǎo)膜752、792和252、數(shù)據(jù)線171的擴(kuò)大部分179、柵極線121的擴(kuò)大部分125、以及存儲電極線131的上部傳導(dǎo)膜的暴露部分。
以大約400至500的厚度沉積ITO或IZO膜并光蝕刻以形成多個(gè)像素電極190、多個(gè)接觸輔助部分95和97、以及多個(gè)存儲連接橋91。
下面將參照附圖6至11B詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于LCD的TFT陣列板。
圖6為根據(jù)本發(fā)明另一典型實(shí)施例的LCD的布局圖，圖7為圖6中所示的LCD沿線VII-VII’截取的截面圖，圖8為圖6中所示的LCD沿線VIII-VIII’和VIII’-VIII”截取的截面圖。
參照圖6至8，根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的LCD包括TFT陣列板100、公共電極板200、以及二者之間的LC層3。
根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的平板100和200的分層結(jié)構(gòu)與前述實(shí)施例類似。
對于TFT陣列板100，包括多個(gè)柵極電極123的多條柵極線121和包括多個(gè)存儲電極133a至133c和多條存儲連接線133d的多條存儲電極線131形成在基板110上。柵極絕緣層140形成在柵極線121和存儲電極線131上，包括多個(gè)突出部分154的多個(gè)半導(dǎo)體條帶151、以及包括多個(gè)突起部分163的多個(gè)歐姆接觸帶161和多個(gè)歐姆接觸島165順序形成在柵極絕緣層140上。包括多個(gè)源極電極173和多個(gè)漏極電極175的多條數(shù)據(jù)線171形成在歐姆接觸161和165，并在其上形成鈍化層180。多個(gè)接觸孔181至185設(shè)置在鈍化層180以及柵極絕緣層140處，多個(gè)像素電極190、多個(gè)接觸輔助部分95和97、以及多個(gè)存儲連接橋91形成在鈍化層180上。
對于公共電極板200，多個(gè)紅色、綠色和藍(lán)色濾色片230和用于阻止光泄漏的黑矩陣220形成在絕緣基板210上。外涂層250形成在濾色片230和黑矩陣220上，公共電極270形成在外涂層250上。
不同于圖1至3所示的LCD，除了設(shè)置TFT的突出部分154，半導(dǎo)體條帶151與數(shù)據(jù)線171和漏極電極175以及上面的歐姆接觸161和165具有相同的平面形狀。具體地說，突出部154包括暴露部分，該些部分未由數(shù)據(jù)線171和漏極電極175覆蓋，如源極173與漏極電極175之間的部分。
現(xiàn)在，將詳細(xì)說明圖6至8中所示的、根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列板的制造方法。
圖9A、9B、10A、10B、11A和11B為根據(jù)本發(fā)明典型實(shí)施例，圖6至8所示的TFT陣列板在其制造方法各步驟中的截面圖。
參照附圖9A和9B，下部傳導(dǎo)膜和上部傳導(dǎo)膜順序?yàn)R鍍在如透明玻璃的絕緣基板110上，并濕法或干法蝕刻順序形成多條柵極線121和多條存儲電極線131。
接下來，柵極絕緣層140、本征a-Si層150、以及非本征a-Si層160通過CVD分別順序沉積至約1500至5000、約500至2000、以及約300至600的厚度。包括下部膜701和上部膜702的傳導(dǎo)層170通過濺鍍沉積，具有大約1至2微米厚度的光致抗蝕劑膜涂覆在傳導(dǎo)層170上。
光致抗蝕劑膜通過包括狹縫區(qū)域601的曝光掩模600在光線中曝光，并顯影使得顯影的光致抗蝕劑PR具有與位置相關(guān)的厚度。圖9A和9B中所示的光致抗蝕劑包括多個(gè)具有減少厚度的第一至第三部分。第一部分位于布線區(qū)域A2，第二部分位于溝道區(qū)域C2，而位于余下區(qū)域B2的第三部分未在圖中示出，因?yàn)槠浠揪哂辛愫穸纫员惚┞断旅娴膫鲗?dǎo)層170部分。
當(dāng)使用適當(dāng)處理?xiàng)l件時(shí)，光致抗蝕劑PR的可變厚度能夠使下面的涂層選擇性的蝕刻。因此包括多個(gè)源極電極173的多條數(shù)據(jù)線171、以及多個(gè)漏極電極175和包括多個(gè)突出部分163的多個(gè)歐姆接觸帶161、多個(gè)歐姆接觸島165和包括多個(gè)突出部分154的多個(gè)半導(dǎo)體條帶151，如附圖10A和10B中所示通過一系列蝕刻步驟獲得。
為了說明的目的，位于布線區(qū)域A2上的傳導(dǎo)層170、非本征a-Si層160和本征a-Si層150的部分稱第一部分，位于溝道區(qū)域C2上的傳導(dǎo)層170、非本征a-Si層160和本征a-Si層150的部分稱第二部分，位于余下區(qū)域B2上的傳導(dǎo)層170、非本征a-Si層160和本征a-Si層150的部分稱第三部分。
下面為形成這樣結(jié)構(gòu)的典型工序(1)移除位于余下區(qū)域B2上的傳導(dǎo)層170、非本征a-Si層160和本征a-Si層150的第三部分；(2)移除光致抗蝕劑的第二部分；(3)移除位于溝道區(qū)域C2上的傳導(dǎo)層170和非本征a-Si層160；以及(4)移除光致抗蝕劑的第一部分。
如下為另一典型工序(1)移除傳導(dǎo)層170的第三部分；(2)移除光致抗蝕劑的第二部分；(3)移除非本征a-Si層160和本征a-Si層150的第三部分；(4)移除傳導(dǎo)層170的第二部分；(5)移除光致抗蝕劑的第一部分；以及(6)移除非本征a-Si層160的第二部分。
下面說明第一示例。
首先，位于余下區(qū)域B2的傳導(dǎo)層170暴露的第三部分通過濕法蝕刻或干法蝕刻予以移除以暴露下面的非本征a-Si層160的第三部分。干法蝕刻可以在光致抗蝕劑PR頂部外邊予以蝕刻。
接下來，非本征a-Si層160和本征a-Si層150的第三部分優(yōu)選由干法蝕刻移除，并移除光致抗蝕劑PR的第二部分以暴露傳導(dǎo)層170的第二部分。光致抗蝕劑PR第二部分的移除同時(shí)與或獨(dú)立于非本征a-Si層160和本征a-Si層150的移除進(jìn)行。SF6和HCl的混合氣或SF6和O2的混合氣能夠以近乎相同的蝕刻比例蝕刻a-Si層150和160與光致抗蝕劑PR。余留在溝道區(qū)域C2上的光致抗蝕劑PR第二部分的余留部分通過拋光予以移除。半導(dǎo)體條帶151在此步驟中完成。
接下來，移除位于溝道區(qū)域C2上的傳導(dǎo)層170和非本征a-Si層160的第二部分，并移除光致抗蝕劑PR的第一部分。
傳導(dǎo)層170和非本征a-Si層160都可以使用干法蝕刻。
可選地，傳導(dǎo)層170可以使用濕法蝕刻，而非本征a-Si層160使用干法蝕刻。濕法蝕刻蝕刻傳導(dǎo)層170的外側(cè)面，而干法蝕刻最低程度地蝕刻非本征a-Si層160的外側(cè)面，從而獲得階梯的外部形狀。如上，混合氣的示例為CF4和HCl與CF4和O2。后一種混合氣維持本征半導(dǎo)體條帶151的均勻厚度。
按此方式，傳導(dǎo)層170分成數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏極電極175，非本征a-Si層160分成歐姆接觸帶161和多個(gè)歐姆接觸島165。
參照圖11A和11B，涂覆由光敏有機(jī)絕緣體制成的鈍化層180，并通過具有多個(gè)透光區(qū)域902和多個(gè)位于透光區(qū)域902周圍的狹縫區(qū)域901的光掩模900曝光鈍化層180。由此，鈍化層180面對透光區(qū)域902的部分吸收光線的全部能量，而鈍化層180面對狹縫區(qū)域901的部分部分地吸收光能。
隨后，顯影鈍化層180以形成多個(gè)接觸孔181至185。移除鈍化層180面向透射區(qū)域902部分的全部的厚度，而面向狹縫區(qū)域901的部分保留以使其具有減少的厚度，使得接觸孔181至185具有階梯外形。
鈍化層180可以由非光敏有機(jī)絕緣體制成?？蛇x地，鈍化層180可以由具有小于4的低電介質(zhì)常數(shù)的無機(jī)絕緣體制成，在此情況中，需要用于形成接觸孔181至185的附加蝕刻步驟。
參照圖6至8，漏極電極175的上部傳導(dǎo)膜752、792和252、數(shù)據(jù)線171的擴(kuò)大部分179、柵極線121的擴(kuò)大部分125、以及存儲電極線131的上部傳導(dǎo)膜的暴露部分分別通過蝕刻予以移除。
多個(gè)像素電極190、多個(gè)接觸輔助部分95和97、以及多個(gè)存儲連接橋91通過沉積和光蝕刻具有大約400至500厚度的ITO或IZO膜形成。
IZO膜的蝕刻可以包括使用Cr蝕刻劑，如HNO3/(NH4)2Ce(NO3)6/H2O的濕法蝕刻，這樣不通過接觸孔181至185侵蝕數(shù)據(jù)線171、漏極電極175、柵極線121和存儲電極線131的暴露的Al部分。用于最小化接觸電阻的優(yōu)選沉積溫度范圍為從室溫到200℃。用于沉積IZO的濺鍍靶優(yōu)選包括In2O3和ZnO，ZnO的含量優(yōu)選在大約15至20原子百分比范圍內(nèi)。
能阻止漏極電極175、柵極線121、數(shù)據(jù)線171和存儲電極線131通過接觸孔181至185暴露的部分上形成金屬氧化物的氮優(yōu)選用于在ITO膜或IZO膜沉積之前的預(yù)熱過程。
圖12和13為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD的截面圖。
參照附圖12和13，根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的LCD包括TFT陣列板100、公共電極板200、以及二者之間的LC層3。
對于TFT陣列板100，包括多個(gè)柵極電極123的多條柵極線121和包括多個(gè)存儲電極133a至133c、以及多個(gè)存儲連接線133d的多條存儲電極線131形成在基板110上。柵極絕緣層140形成在柵極線121和存儲電極線131上，包括多個(gè)突出部分154的多個(gè)半導(dǎo)體條帶151、包括多個(gè)突起部分163的多個(gè)歐姆接觸帶161和多個(gè)歐姆接觸島依次形成柵極絕緣層140上。包括多個(gè)源極電極173和多個(gè)漏極電極175的多條數(shù)據(jù)線171形成在歐姆接觸161和165以及柵極絕緣層140上。
優(yōu)選由如SiNx的無機(jī)絕緣體制成的第一鈍化層801形成在數(shù)據(jù)線171和漏極電極175上。
多個(gè)紅色、綠色和藍(lán)色濾色片230R、230G和230B形成在第一鈍化層801上。濾色片230R、230G和230B基本沿?cái)?shù)據(jù)線171所限定的像素區(qū)域的縱列延伸使得其周期性地彎曲。相鄰近的濾色片230R、230G和230B在數(shù)據(jù)線171上相互交迭以形成堆壘。濾色片230R、230G和230B未設(shè)置在漏極電極175和包括柵極線121和數(shù)據(jù)線171的擴(kuò)大部分125和179的外圍區(qū)域附近。
優(yōu)選由光敏有機(jī)材料制成的第二鈍化層802形成在濾色片230R、230G和230B上。第二鈍化層802也在濾色片230R、230G和230B形成的堆壘上形成堆壘。第二鈍化層802阻止濾色片230通過公共電極270的切口271暴露而污染LC層3，并且其可以由無機(jī)絕緣體，如SiNx和SiO2制成。
鈍化層801和802具有多個(gè)接觸孔181和183，并且鈍化層801和802以及柵極絕緣層140具有多個(gè)接觸孔182、184和185。接觸孔181、182、183以及184和185的側(cè)壁相對于基板110的表面構(gòu)成大約30至85度的夾角，并具有包括下部梯級181b、182b和183b以及上部梯級181a、182a和183a的階梯外形。
在第二鈍化層802上形成多個(gè)像素電極190、多個(gè)接觸輔助部分95和97以及存儲連接橋91。
公共電極板200包括形成在絕緣基板210上面的黑矩陣220和公共電極270。與圖2和3中所示的公共電極板200相比，圖12和13中所示的公共電極板200沒有濾色片和外涂層。
因?yàn)闉V色片230R、230G和230B以及像素電極190設(shè)置在TFT陣列板100上，圖12和13中所示的LCD可以具有很大的用于對準(zhǔn)TFT陣列板100和公共電極板200的對準(zhǔn)余量。
圖12和13中所示的TFT陣列板100可以通過以下步驟制造，根據(jù)圖1至4B所說明的步驟，即形成柵極線121、存儲電極線131、柵極絕緣層140、半導(dǎo)體條帶151、歐姆接觸161和165、數(shù)據(jù)線171和漏極電極175步驟之后，沉積第一鈍化層801，形成多個(gè)紅色、綠色和藍(lán)色濾色片230R、230G和230B，涂覆由光敏有機(jī)涂層制成的第二鈍化層802，曝光并顯影鈍化層802以形成多個(gè)接觸孔181至185的上部，移除第一鈍化層801和柵極絕緣層140的暴露部分以形成接觸孔181至185的下部，形成多個(gè)像素電極190、多個(gè)接觸輔助部分95和97、以及多個(gè)存儲連接橋91。濾色片230R、230G和230B的形成步驟包括涂覆、曝光以及顯影包括有色色素的光敏薄膜的三個(gè)重復(fù)步驟。
圖14和15為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD的截面圖。
參照附圖14和15，根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的LCD包括TFT陣列板100、公共電極板200、以及二者之間的LC層3。
根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的板100和200的層狀結(jié)構(gòu)基本與附圖12和13中所示的相同。
對于TFT陣列板100，多條柵極線121和多條存儲電極線131都形成在基板110上。在柵極線121和存儲電極線131上形成柵極絕緣層140，包括多個(gè)突出部分154的多個(gè)半導(dǎo)體條帶151、以及包括多個(gè)突出部分163的多個(gè)歐姆接觸帶161和多個(gè)歐姆接觸島165順序形成在柵極絕緣層140上。在歐姆接觸161和165上形成多條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏極電極175，在數(shù)據(jù)線171和漏極電極175上形成第一鈍化層801。在第一鈍化層801上形成多個(gè)紅色、綠色和藍(lán)色濾色片230R、230G和230B，并在濾色片230R、230G和230B上形成第二鈍化層802。在第一和第二鈍化層801和802以及柵極絕緣層140處設(shè)置多個(gè)接觸孔181至185，并在第二鈍化層802上形成多個(gè)像素電極190、多個(gè)接觸輔助部分95和97、以及多個(gè)存儲連接橋91。
對于公共電極板200，黑矩陣220和公共電極270順序形成在絕緣基板210上。
與圖12和13中所示的LCD不同，除了設(shè)置TFT的突出部分154，半導(dǎo)體條帶151與數(shù)據(jù)線171和漏極電極175以及下面的歐姆接觸161和165具有基本相同的平面形狀。詳細(xì)地，突出部分154包括數(shù)據(jù)線171和漏極電極175沒有覆蓋的暴露部分，如源極電極173與漏極電極175之間的部分。
圖14和15中所示的TFT陣列板100可以通過以下步驟制造，在基于圖6至10B中的步驟，即形成柵極線121、存儲電極線131、柵極絕緣層140、半導(dǎo)體條帶151、歐姆接觸161和165、數(shù)據(jù)線171、以及漏極電極175之后，基于圖12和13中的步驟，形成第一鈍化層801、多個(gè)紅色、綠色和藍(lán)色濾色片230R、230G和230B、第二鈍化層802、多個(gè)像素電極190、多個(gè)接觸輔助部分95和97、以及多個(gè)存儲連接橋91。
圖16和17為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD的截面圖。
參照圖16和17，根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的LCD包括TFT陣列板100、公共電極板200、以及二者之間的LC層3。
根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的板100和200的層狀結(jié)構(gòu)基本與圖12和13中所示的相同。
對于TFT陣列板100，多條柵極線121和多條存儲電極線131都形成在基板110上。在柵極線121和存儲電極線131上形成柵極絕緣層140，包括多個(gè)突出部分154的多個(gè)半導(dǎo)體條帶151、以及包括多個(gè)突出部分163的多個(gè)歐姆接觸帶161和多個(gè)歐姆接觸島165順序形成在柵極絕緣層140上。在歐姆接觸161和165上形成多條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏極電極175，在數(shù)據(jù)線171和漏極電極175上形成鈍化層180。在鈍化層180上形成多個(gè)紅色、綠色和藍(lán)色的濾色片230R、230G和230B，并且在鈍化層180上形成多個(gè)像素電極190、多個(gè)接觸輔助部分95和97、以及多個(gè)存儲連接橋91。多個(gè)接觸孔181至185設(shè)置在鈍化層180和柵極絕緣層140中。
對于公共電極板200，黑矩陣220和公共電極270依次形成在絕緣基板210上。
與圖12和13中所示LCD不同，在濾色片230R、230G和230B上沒有附加的鈍化層。相應(yīng)地，如圖16中所示，接觸孔181、184和185附近的濾色片230R、230G和230B的側(cè)面起到接觸孔181、184和185側(cè)壁的頂部作用以便平滑其外形。在濾色片230R、230G和230B不能排除可以污染LC層3的雜質(zhì)，如色素時(shí)，這種結(jié)構(gòu)是優(yōu)選的。
圖18和19為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD的截面圖。
參照圖17和19，根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的LCD包括TFT陣列板100、公共電極板200、以及二者之間的LC層3。
根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的板100和200的層狀結(jié)構(gòu)基本與圖16和17中所示的相同。
對于TFT陣列板100，多條柵極線121和多條存儲電極線131都形成在基板110上。在柵極線121和存儲電極線131上形成柵極絕緣層140，包括多個(gè)突出部分154的多個(gè)半導(dǎo)體條帶151、以及包括多個(gè)突出部分163的多個(gè)歐姆接觸帶161和多個(gè)歐姆接觸島165順序形成在柵極絕緣層140上。在歐姆接觸161和165上形成多條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏極電極175，在數(shù)據(jù)線171和漏極電極175上形成鈍化層180。在鈍化層180上形成多個(gè)紅色、綠色和藍(lán)色的濾色片230R、230G和230B。多個(gè)接觸孔181至185設(shè)置在鈍化層180和柵極絕緣層140中，在鈍化層180上形成多個(gè)像素電極190、多個(gè)接觸輔助部分95和97、以及多個(gè)存儲連接橋91。
關(guān)于公共電極板200，黑矩陣220和公共電極270依次形成在絕緣基板210上。
與圖16和17中所示的LCD不同，除了設(shè)置TFT的突出部分154，半導(dǎo)體條帶151與數(shù)據(jù)線171和漏極電極175以及下面的歐姆接觸161和165具有基本相同的平面形狀。詳細(xì)地，突出部分154包括數(shù)據(jù)線171和漏極電極175沒有覆蓋的暴露部分，如位于源極電極173與漏極電極175之間的部分。
雖然已參照優(yōu)選實(shí)施例詳細(xì)說明了本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在不脫離本發(fā)明由所附權(quán)利要求限定的實(shí)質(zhì)和范圍的前提下，可以進(jìn)行各種變化和替換。
權(quán)利要求
1.一種用于液晶顯示器的薄膜晶體管板，包括基板；多條數(shù)據(jù)線，形成在該基板上并沿第一方向延伸；多條柵極線，形成在該基板上并沿第二方向延伸，該多條柵極線與該多條數(shù)據(jù)線相交以形成多個(gè)像素區(qū)域，該多個(gè)像素區(qū)域中的每個(gè)具有多折帶的形狀；以及多個(gè)像素電極，每個(gè)像素電極形成在相應(yīng)的像素區(qū)域內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管板，其中該多條數(shù)據(jù)線中的每條周期性地彎曲以形成多折帶形狀的像素區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管板，其中該多個(gè)像素電極中的每個(gè)包括沿該第二方向延伸的切口，該切口將該多個(gè)像素電極中的每個(gè)分為第一部分和第二部分。
4.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管板，其中該多條數(shù)據(jù)線中的每條包括第一組傾斜部分和第二組傾斜部分，該第一組傾斜部分從該多條柵極線起成約45°的逆時(shí)針角，該第二組傾斜部分從該多條柵極線起成約45°的順時(shí)針角。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管板，還包括多條存儲電極線，形成在該基板上并基本沿該第二方向延伸。
6.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管板，還包括多組存儲電極，與每條存儲電極線相連接，每組存儲電極包括基本沿該第一方向延伸的一對第一存儲電極和連接該第一存儲電極的第二存儲電極；以及多條連接線，連接相鄰存儲電極組中的第一存儲電極。
7.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管板，其中每個(gè)該第一存儲電極周期性地彎曲。
8.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管板，還包括柵極絕緣層，形成在該多條柵極線上。
9.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管板，還包括多個(gè)半導(dǎo)體條帶，形成在該柵極絕緣層上并基本沿該第一方向延伸。
10.如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管板，其中每條柵極線包括多個(gè)柵極電極。
11.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管板，其中每個(gè)半導(dǎo)體條帶包括多個(gè)突出部分，每個(gè)突出部分朝相應(yīng)的柵極電極延伸。
12.如權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管板，還包括形成在該多個(gè)半導(dǎo)體條帶上的多個(gè)歐姆接觸帶和島。
13.如權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管板，其中每個(gè)歐姆接觸帶包括多個(gè)突出部分，該接觸帶的每個(gè)突出部分和歐姆接觸島成對地位于該半導(dǎo)體條帶的突出部分上。
14.如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管板，其中該多條數(shù)據(jù)線形成在該多個(gè)歐姆接觸帶上。
15.如權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管板，還包括每個(gè)都形成在相應(yīng)的歐姆接觸島上的多個(gè)漏極電極。
16.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管板，其中每條數(shù)據(jù)線包括多個(gè)源極電極，每個(gè)源極電極朝相應(yīng)的漏極電極延伸使得每個(gè)源極電極與相應(yīng)的漏極電極分開并關(guān)于相應(yīng)的柵極電極與相應(yīng)的漏極電極相對。
17.如權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管板，還包括鈍化層，形成在該多條數(shù)據(jù)線和該多個(gè)漏極電極上。
18.如權(quán)利要求17所述的薄膜晶體管板，其中每條數(shù)據(jù)線包括用于電連接的擴(kuò)大部分。
19.如權(quán)利要求18所述的薄膜晶體管板，其中每條柵極線包括用于電連接的擴(kuò)大部分。
20.如權(quán)利要求19所述的薄膜晶體管板，其中該多條數(shù)據(jù)線和該多個(gè)漏極電極每個(gè)都包括下部膜和上部膜。
21.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管板，還包括形成在該多條柵極線上的柵極絕緣層和形成在該多條數(shù)據(jù)線和該多個(gè)漏極電極上的鈍化層，并且其中，每對第一存儲電極中的一個(gè)第一存儲電極具有一自由端部和一固定于相應(yīng)存儲電極線的端部，而每對第一存儲電極中的另一個(gè)第一存儲電極具有一與連接線相連的端部和一固定于相應(yīng)存儲電極線的端部。
22.如權(quán)利要求17所述的薄膜晶體管板，其中該鈍化層包括暴露該多個(gè)漏極電極的下部膜的多個(gè)第一接觸孔和暴露該多條數(shù)據(jù)線的擴(kuò)大部分的下部膜的多個(gè)第二接觸孔。
23.如權(quán)利要求22所述的薄膜晶體管板，其中該鈍化層和該柵極絕緣層包括暴露該多條柵極線的擴(kuò)大部分的多個(gè)第三接觸孔。
24.如權(quán)利要求23所述的薄膜晶體管板，其中該多個(gè)第一、第二、第三、第四和第五接觸孔具有階梯外形。
25.如權(quán)利要求23所述的薄膜晶體管板，其中該多個(gè)像素電極形成在該鈍化層上并通過該第一接觸孔電連接至該多個(gè)漏極電極。
26.如權(quán)利要求21所述的薄膜晶體管板，其中該鈍化層和該柵極絕緣層包括暴露存儲電極線的最近具有自由端部的相應(yīng)存儲電極的該固定端部的部分的多個(gè)第四接觸孔，以及暴露具有自由端部的存儲電極的自由端部的多個(gè)第五接觸孔，并且還包括形成于該鈍化層之上的多個(gè)存儲連接橋，其橫跨該多條柵極線并通過該多個(gè)第四接觸孔和該多個(gè)第五接觸孔電連接鄰近的存儲電極線。
27.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管板，其中該多個(gè)半導(dǎo)體條帶具有與該多條數(shù)據(jù)線和該多個(gè)漏極電極基本相同的平面形狀。
28.如權(quán)利要求17所述的薄膜晶體管板，其中該鈍化層包括第一鈍化層和第二鈍化層，且多個(gè)濾色片形成在第一鈍化層與第二鈍化層之間。
29.如權(quán)利要求17所述的薄膜晶體管板，還包括形成在該鈍化層上的多個(gè)濾色片，形成在該多個(gè)濾色片上的該多個(gè)像素電極。
30.一種液晶顯示器，包括權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管板。
31.一種液晶顯示器包括薄膜晶體管板，包括第一基板；多條數(shù)據(jù)線，形成在該第一基板上并沿第一方向延伸；多條柵極線，形成在該第一基板上并沿第二方向延伸，該多條柵極線與該多條數(shù)據(jù)線相交以形成多個(gè)像素區(qū)域，該多個(gè)像素區(qū)域中的每個(gè)具有多折帶的形狀；以及多個(gè)像素電極，每個(gè)像素電極形成在相應(yīng)像素區(qū)域內(nèi)；公共電極板，包括第二基板；黑矩陣，形成在該第二基板上；以及公共電極，形成在該黑矩陣上；以及液晶層，形成在該薄膜晶體管板與該公共電極板之間。
32.如權(quán)利要求30所述的液晶顯示器，其中該多個(gè)像素電極中的每個(gè)包括沿該第二方向延伸的切口，該切口將該多個(gè)像素電極中的每個(gè)分為第一部分和第二部分。
33.如權(quán)利要求31所述的液晶顯示器，還包括多個(gè)濾色片，形成在該黑矩陣和該第二基板之上。
34.一種形成液晶顯示器的薄膜晶體管板的方法，包括在基板上形成多條數(shù)據(jù)線，該多條數(shù)據(jù)線沿第一方向延伸；在基板上形成多條柵極線，該多條柵極線沿第二方向延伸并與該多條數(shù)據(jù)線相交以形成多個(gè)像素區(qū)域，該多個(gè)像素區(qū)域的每個(gè)具有多折帶的形狀；以及在該多個(gè)像素區(qū)域中的每個(gè)內(nèi)形成像素電極。
35.如權(quán)利要求34所述的方法，其中形成多條數(shù)據(jù)線的步驟包括形成具有周期性彎曲形狀的該多條數(shù)據(jù)線中的每個(gè)。
36.如權(quán)利要求34所述的方法，其中形成該多個(gè)像素電極的步驟包括形成具有沿該第二方向延伸的切口的每個(gè)像素電極，該切口將該多個(gè)像素電極中的每個(gè)分為第一部分和第二部分。
37.如權(quán)利要求35所述的方法，其中形成多條數(shù)據(jù)線的步驟包括形成具有第一組傾斜部分和第二組傾斜部分的該多條數(shù)據(jù)線中的每個(gè)，該第一組傾斜部分從該多條柵極線起成約45°的逆時(shí)針角，該第二組傾斜部分從該多條柵極線起成約45°的順時(shí)針角。
38.如權(quán)利要求34所述的方法，還包括在該基板上形成多個(gè)存儲電極線，該多個(gè)存儲電極線基本沿該第二方向延伸。
39.如權(quán)利要求38所述的方法，還包括形成多組與每條存儲電極線相連接的存儲電極，每組存儲電極包括基本沿該第一方向延伸的一對第一存儲電極和與該第一存儲電極相連接的第二存儲電極；以及形成連接鄰近組存儲電極中的第一存儲電極的多條連接線。
40.如權(quán)利要求39所述的方法，其中形成多條柵極線的步驟和形成多條存儲電極線的步驟通過在基板上沉積第一下部傳導(dǎo)膜和第一上部傳導(dǎo)膜并蝕刻該第一下部傳導(dǎo)膜和該第一上部傳導(dǎo)膜而同時(shí)執(zhí)行。
41.如權(quán)利要求40所述的方法，還包括在該多條柵極線和該多條存儲電極線上形成柵極絕緣層。
42.如權(quán)利要求41所述的方法，還包括在該柵極絕緣層上形成多個(gè)半導(dǎo)體條帶，該多個(gè)半導(dǎo)體條帶基本沿該第一方向延伸。
43.如權(quán)利要求42所述的方法，其中形成多條柵極線的步驟包括形成具有多個(gè)柵極電極的每條柵極線。
44.如權(quán)利要求43所述的方法，其中形成多個(gè)半導(dǎo)體條帶的步驟包括形成具有多個(gè)突出部分的每個(gè)半導(dǎo)體條帶，每個(gè)突出部分朝相應(yīng)的柵極電極延伸。
45.如權(quán)利要求44所述的方法，其中形成多個(gè)半導(dǎo)體條帶的步驟包括，在該柵極絕緣層上形成本征半導(dǎo)體層和非本征半導(dǎo)體層，以及蝕刻該本征半導(dǎo)體層和該非本征半導(dǎo)體層以形成多個(gè)本征半導(dǎo)體條帶和多個(gè)非本征半導(dǎo)體條帶，該多個(gè)本征半導(dǎo)體條帶形成該多個(gè)半導(dǎo)體條帶。
46.如權(quán)利要求45所述的方法，還包括在該多個(gè)本征半導(dǎo)體條帶和該多個(gè)非本征半導(dǎo)體條帶上沉積第二下部傳導(dǎo)膜和第二上部傳導(dǎo)膜；以及構(gòu)圖該第二下部傳導(dǎo)膜和該第二上部傳導(dǎo)膜以形成多條數(shù)據(jù)線和多個(gè)漏極電極，該多條數(shù)據(jù)線中的每條包括多個(gè)源極電極。
47.如權(quán)利要求46所述的方法，還包括移除該非本征半導(dǎo)體條帶未由該多條數(shù)據(jù)線和漏極電極覆蓋的部分，以形成多個(gè)歐姆接觸帶和島，該多個(gè)歐姆接觸帶的每個(gè)包括多個(gè)突出部分，該歐姆接觸帶的每個(gè)突出部分與該歐姆接觸島成對地位于該半導(dǎo)體條帶的突出部分上。
48.如權(quán)利要求47所述的方法，還包括在該多條數(shù)據(jù)線和該多個(gè)漏極電極上形成鈍化層。
49.如權(quán)利要求48所述的方法，其中形成多條數(shù)據(jù)線的步驟包括形成具有用于電連接的擴(kuò)大部分的每條數(shù)據(jù)線。
50.如權(quán)利要求49所述的方法，其中形成多條柵極線的步驟包括形成具有用于電連接的擴(kuò)大部分的每條柵極線。
51.如權(quán)利要求50所述的方法，其中形成多組存儲電極的步驟包括，形成每對第一存儲電極中具有一自由端部和一固定于相應(yīng)存儲電極線的端部的一第一存儲電極，以及每對第一存儲電極中具有一與連接線相連的端部和一固定于相應(yīng)存儲電極線的端部的另一第一存儲電極。
52.如權(quán)利要求51所述的方法，還包括在該鈍化層中形成暴露多個(gè)漏極電極的下部膜的多個(gè)第一接觸孔，以及在該鈍化層中形成暴露多條數(shù)據(jù)線擴(kuò)大部分的下部膜的多個(gè)第二接觸孔。
53.如權(quán)利要求52所述的方法，還包括在鈍化層和柵極絕緣層中形成暴露多條柵極線的擴(kuò)大部分的多個(gè)第三接觸孔，在鈍化層和柵極絕緣層中形成暴露存儲電極線的接近具有自由端部的相應(yīng)存儲電極的固定端部的部分的多個(gè)第四接觸孔，以及在鈍化層和柵極絕緣層中形成暴露具有自由端部的存儲電極的自由端部的多個(gè)第五接觸孔。
54.如權(quán)利要求53所述的方法，其中形成多個(gè)第一、第二、第三、第四和第五接觸孔的步驟包括形成具有階梯外形的多個(gè)第一、第二、第三、第四和第五接觸孔。
55.如權(quán)利要求54所述的方法，其中形成多個(gè)第一、第二、第三、第四和第五接觸孔的步驟包括通過具有多個(gè)透光區(qū)域和設(shè)置在透光區(qū)域周圍的多個(gè)狹縫區(qū)域的光掩模曝光該鈍化層。
56.如權(quán)利要求51所述的方法，其中多個(gè)像素電極形成在鈍化層上并通過第一接觸孔電連接到多個(gè)漏極電極上。
57.如權(quán)利要求52所述的方法，還包括在鈍化層上形成多個(gè)存儲連接橋，該存儲連接橋橫跨多條柵極線并通過多個(gè)第四接觸孔和多個(gè)第五接觸孔電連接鄰近的存儲電極線。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種液晶顯示器及其薄膜晶體管板，薄膜晶體管板包括，基板，形成在基板上并沿第一方向延伸的多條數(shù)據(jù)線，形成在基板上并沿第二方向延伸的多條柵極線。多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線相交以形成多個(gè)像素區(qū)域，多個(gè)像素區(qū)域中的每個(gè)具有多折帶的形狀。多個(gè)像素電極中的每個(gè)形成在相應(yīng)像素區(qū)域內(nèi)。
文檔編號H01L29/786GK1570744SQ200410055019
公開日2005年1月26日 申請日期2004年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月4日
發(fā)明者金東奎, 李栢遠(yuǎn) 申請人:三星電子株式會社