專利名稱：氮化物發(fā)光器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及氮化物發(fā)光器件，更具體地涉及氮化物發(fā)光器件及其制造方法，包括作為氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件中電極的B金屬雙層和N金屬雙層，由此提供了不需要額外熱處理的室溫下的歐姆接觸、改進(jìn)了外觀并具有優(yōu)異的線鍵合特性。
背景技術(shù)：
近來，使用氮化物的氮化物半導(dǎo)體，例如氮化鎵，已由于其優(yōu)良的物理和化學(xué)性質(zhì)成為用于光電材料或光電器件的必要材料的亮點(diǎn)。特別是，氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件可以產(chǎn)生具有綠、藍(lán)和UV光波長的光，隨著技術(shù)發(fā)展亮度快速增強(qiáng)，在幾個(gè)領(lǐng)域中它已有許多應(yīng)用，例如全色圖像顯示板、照明裝置等。這種氮化物半導(dǎo)體使用具有分子式AlxInyGa(1-x-y)N(其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的氮化物半導(dǎo)體材料，對(duì)使用GaN的半導(dǎo)體發(fā)光器件的研究特別活躍。
一般來說，氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件包括依次疊置在襯底上的n型氮化物半導(dǎo)體層、具有多阱結(jié)構(gòu)的有源層以及p型氮化物半導(dǎo)體層，其中除去有源層和p型氮化物半導(dǎo)體層以及有源層的預(yù)定部分，由此露出n型半導(dǎo)體層的預(yù)定部分。在露出的n型氮化物半導(dǎo)體上，形成n側(cè)電極(下文中也稱做“N金屬”)，同時(shí)在p型氮化物半導(dǎo)體層上，p側(cè)鍵合焊盤(下文也稱做“B金屬”)形成在已預(yù)先形成的透明層(下文也稱做“T金屬層”)，用于提供歐姆接觸并增加了電流注入效率。
在氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造中其中一個(gè)重要工序是為二極管提供電流的電極的形成工藝。如上所述，在通常的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件中的電極可以包括N金屬、T金屬層和B金屬。N金屬應(yīng)提供了與n型氮化物半導(dǎo)體層接觸的歐姆特性，而T金屬層應(yīng)顯示出高透光度和與p型氮化物半導(dǎo)體層接觸的歐姆特性。而且，由于B金屬用做引線鍵合的鍵合焊盤，B金屬應(yīng)顯示出優(yōu)良的鍵合特性以便提供穩(wěn)固的引線鍵合。N金屬也應(yīng)顯示出優(yōu)良的鍵合特性以及與n型氮化物半導(dǎo)體層的歐姆特性。
通常，為了提供用于氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的低驅(qū)動(dòng)電壓和低接觸電阻(也就是，低歐姆接觸)特性，形成了Ni/Au的雙層或ITO層之后熱處理與p型氮化物半導(dǎo)體層接觸的T金屬層，以T金屬層上的Cr/Au的雙層的形式制備用于引線鍵合的B金屬。而且，以n型氮化物半導(dǎo)體層的露出表面上Ti/Al的雙層形式制備作為n側(cè)電極的N金屬。
在常規(guī)的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件中，由于B金屬和N金屬顯示出室溫下歐姆特性變差(由于大的接觸電阻)，應(yīng)該采用在400摻雜劑或更高溫度下的熱處理以便得到優(yōu)良的歐姆特性。而且，氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造工藝變得復(fù)雜，由此升高了成本。
當(dāng)在常規(guī)的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件中使用Ti/Au作為B金屬時(shí)，Ti/Au不能作為B金屬。由此，Cr/Au和Ti/Al應(yīng)分別用做B金屬和N金屬，它們不能同時(shí)形成在T金屬和n型氮化物半導(dǎo)體層上。對(duì)此，通常，應(yīng)分別制備用于形成B金屬和N金屬的材料并在不同的步驟提供，由此使工藝復(fù)雜并增加了成本。
此外，作為根據(jù)常規(guī)的方法形成N金屬的其中一種材料，Al有可能被堿性溶液溶解并在隨后的加工工藝期間變成缺陷，由此使氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的外觀變差。具體地，由于Al較差的鍵合特性，因此固有地造成引線鍵合中的缺陷。
由此，在本領(lǐng)域中需要提供可以同時(shí)用做B金屬和N金屬的新電極，并且引線鍵合特性和室溫下的歐姆特性優(yōu)良。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上問題，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法，包括在氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件中作為電極的Ti/Au的B金屬雙層和Ti/Au的N金屬雙層，由此同時(shí)形成了B金屬和N金屬，提供了不需要附加的熱處理室溫下的歐姆接觸，改善了低劣的外形并提供了優(yōu)良的線鍵合特性。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方案，通過提供以下氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件可以實(shí)現(xiàn)以上和其它目的用于生長氮化鎵基半導(dǎo)體材料的襯底；形成在襯底上的n型氮化物半導(dǎo)體層；有源層，形成在n型氮化物半導(dǎo)體層上，以使n型氮化物半導(dǎo)體層的預(yù)定部分露出；形成在有源層上的p型氮化物半導(dǎo)體層；形成在p型氮化物半導(dǎo)體層上的透明電極層，由此提供了與p型氮化物半導(dǎo)體層的歐姆接觸；透明電極層上為Ta/Au的雙層形式的p側(cè)鍵合焊盤；以及n型氮化物半導(dǎo)體層的露出部分上為Ta/Au的雙層形式的n側(cè)電極。
P側(cè)鍵合焊盤可以包括厚度為50?！?,000的Ta層以及形成在Ta層上厚度為2,000～7,000的Au層。N側(cè)鍵合焊盤可以包括厚度為50?！?,000的Ta層以及形成在Ta層上厚度為2,000?！?,000的Au層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方案，提供一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，方法包括以下步驟
a)準(zhǔn)備用于生長氮化物半導(dǎo)體材料的襯底；b)依次在襯底上生長n型氮化物半導(dǎo)體層、有源層以及p型氮化物半導(dǎo)體層；c)除去p型氮化物半導(dǎo)體層和有源層的預(yù)定部分，以露出n型氮化物半導(dǎo)體層的預(yù)定部分；d)在p型氮化物半導(dǎo)體層上形成透明的電極層；e)在透明的電極層上形成Ta/Au的雙層形式的p側(cè)鍵合焊盤；以及f)在n型氮化物半導(dǎo)體層的露出部分上形成Ta/Au的雙層形式的n側(cè)電極。
在本發(fā)明的方法中，同時(shí)進(jìn)行步驟e)和f)。
步驟e)可以包括用電子束蒸鍍工藝在p型氮化物半導(dǎo)體上依次淀積Ta和Au。類似地，步驟f)可以包括用電子束蒸鍍工藝在n型氮化物半導(dǎo)體上依次淀積Ta和Au。
本發(fā)明的方法還包括在400℃～600℃的溫度熱處理p側(cè)鍵合焊盤和n側(cè)鍵合焊盤的步驟。


從下面結(jié)合附圖的詳細(xì)說明中可以清楚地理解本發(fā)明的以上和其它目的和特點(diǎn)。
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖面圖；圖2a到2d為常規(guī)的n側(cè)電極的外觀與根據(jù)本發(fā)明的n側(cè)電極的外觀相比較的照片。
圖3a和3b示出了包括Ti/Al的常規(guī)n側(cè)電極的歐姆特性與根據(jù)本發(fā)明包括Ti/Au的n側(cè)電極的歐姆特性的曲線圖；以及圖4示出了檢查常規(guī)的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的可靠性的試驗(yàn)結(jié)果與根據(jù)本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的可靠性的試驗(yàn)結(jié)果的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參考附圖詳細(xì)地介紹根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法。
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖面圖。參考圖1，氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件包括用于生長氮化鎵基半導(dǎo)體材料的襯底11，優(yōu)選藍(lán)寶石襯底；形成在襯底11上的緩沖層11a，用于減輕藍(lán)寶石襯底與將生長在襯底上的n型氮化物半導(dǎo)體層之間的晶格失配；形成在緩沖層上的n型氮化物半導(dǎo)體12；形成在n型半導(dǎo)體層上的有源層13，以使n型氮化物半導(dǎo)體層12的預(yù)定部分露出；形成在有源層上的p型氮化物半導(dǎo)體層14；形成在p型氮化物半導(dǎo)體層上的透明電極層15；透明電極層15上為Ta/Au的雙層形式的p側(cè)鍵合焊盤17，以及n型氮化物半導(dǎo)體層的露出部分上Ta/Au的雙層形式的n側(cè)電極16。
雖然藍(lán)寶石襯底或SiC襯底可以用做襯底11，但是藍(lán)寶石襯底更具有代表性。由于此，不可能商業(yè)上買到與生長在襯底11上的氮化物半導(dǎo)體材料具有相同晶體結(jié)構(gòu)并且與氮化物半導(dǎo)體材料晶格匹配的襯底。同時(shí)，藍(lán)寶石襯底具有在C軸的方向中13.001的晶格參數(shù)和a軸的方向中4.765的晶格間距的六arhombic(R3)對(duì)稱的晶體結(jié)構(gòu)。藍(lán)寶石的晶面指數(shù)含有C(0001)面、A(1120)面、R(1120)面等。對(duì)于發(fā)出具有藍(lán)和綠波長光的發(fā)光器件，由于在藍(lán)寶石襯底內(nèi)的C面上較容易生長GaN薄膜、較低的價(jià)格以及高溫下的穩(wěn)定性，藍(lán)寶石襯底比SiC襯底更優(yōu)選。
形成緩沖層11a以減輕襯底11和生長在襯底11上的n型氮化物半導(dǎo)體層之間的晶格失配。對(duì)于緩沖層，通常使用具有幾十nm厚度的GaN層或AlN層。
N型氮化物半導(dǎo)體層12包括用n型雜質(zhì)摻雜的半導(dǎo)體材料，具有AlxInyGa(1-x-y)N(其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的分子式。具體地，通常使用GaN。用公知的淀積技術(shù)，例如MOCVD(金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積)工藝或MBE(分子束外延)工藝，n型氮化物半導(dǎo)體層12生長在襯底上。
有源層13具有量子阱結(jié)構(gòu)并且可以包括GaN或InGaN。
與n型氮化物半導(dǎo)體層12類似，p型氮化物半導(dǎo)體層14包括用p型雜質(zhì)摻雜并且具有AlxInyGa(1-x-y)N(其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)分子式的n型半導(dǎo)體材料。用公知的淀積技術(shù)，例如MOCVD或MBE工藝，p型氮化物半導(dǎo)體層14也生長在有源層13上。
由于摻入了低濃度的雜質(zhì)，因此p型氮化物半導(dǎo)體層14具有高接觸電阻，因此歐姆特性變差。為了提高歐姆特性，透明電極層15(也稱做T金屬)形成在p型氮化物半導(dǎo)體層14上。透明電極層15可以包括具有較高透射率的金屬，并且廣泛使用包括Ni/Au的雙層的透明電極層。現(xiàn)已公知通過提供歐姆接觸同時(shí)增加電流注入?yún)^(qū)域，包括Ni/Au的雙層的透明電極層降低了正向電壓(Vf)。
在n型氮化物半導(dǎo)體層12的露出部分上以Ta/Au的雙層形式形成n側(cè)電極16(也稱做N金屬)。n側(cè)電極16應(yīng)具有良好的引線鍵合特性以形成用于提供電流的引線鍵合，并且與n型氮化物半導(dǎo)體層具有歐姆接觸。通過對(duì)滿足這種n側(cè)電極16的特性的最合適材料進(jìn)行重復(fù)的調(diào)查和研究，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)為Ta/Au的雙層形式的n側(cè)電極最優(yōu)選。采用公知的電子束蒸鍍工藝，通過在p型半導(dǎo)體層上形成厚度為50?！?,000的Ta層16a以及在Ta層16a上形成厚度為2,000?！?,000的Au層16b制備包括Ta/Au的n側(cè)電極16。
包括Ta/Au的n側(cè)電極16具有甚至在室溫下提供了歐姆接觸的特性。由于使用Ti/Al的常規(guī)的n側(cè)電極16在室溫下不能提供歐姆接觸，因此需要通過高溫下的熱處理提高它的歐姆特性。另一方面，根據(jù)本發(fā)明，由于包括Ta/Au的n側(cè)電極可以提供室溫下的歐姆接觸，因此不需要附加的熱處理。由此，可以簡(jiǎn)化氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造工藝，由此降低了成本。而且，由于不能使用有可能在堿溶液中被腐蝕并且在隨后工藝中有缺損的Al，因此本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的外觀沒有缺損。
與n側(cè)鍵合焊盤16類似，制備p側(cè)鍵合焊盤17以形成用于電流的引線鍵合，并且以包括Ta層和Au層的雙層形式制備在透明電極層15上。使用公知的電子束蒸鍍工藝，通過在p側(cè)氮化物半導(dǎo)體上形成厚度為50?！?,000的Ta層17a并且在Ta層17a上形成厚度為2,000～7,000的Au層17b制備包括Ta/Au的p側(cè)鍵合焊盤17(也稱做B金屬)。由于包括Ta/Au的p側(cè)鍵合焊盤17由與n側(cè)鍵合焊盤16相同的材料組成，因此可以與n側(cè)電極同時(shí)。由此與分別形成n側(cè)電極和p側(cè)鍵合電極的常規(guī)工藝相比，本發(fā)明具有提供了更簡(jiǎn)化的工藝的優(yōu)點(diǎn)。
n側(cè)電極16和p側(cè)鍵合電極17具有良好的歐姆特性并且不需要熱處理。此外，在400℃～600℃的熱處理下，它們同樣具有良好的歐姆特性。由此，在本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件中的n側(cè)電極16和p側(cè)鍵合電極17允許在400℃～600℃溫度下的熱處理。而且，現(xiàn)已公知Au的鍵合特性優(yōu)越于Al的鍵合特性。由此，與常規(guī)的電極相比，根據(jù)本發(fā)明的n側(cè)電極和p側(cè)鍵合電極具有優(yōu)良的Al的鍵合特性。
本發(fā)明同樣提供了具有以上介紹結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體的制造方法?，F(xiàn)在參考圖1介紹根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體的制造方法。
首先，制備了用于生長氮化物半導(dǎo)體材料的藍(lán)寶石襯底11之后，n型氮化物半導(dǎo)體層12、有源層13以及p型氮化物半導(dǎo)體層14依次形成在藍(lán)寶石襯底11上?？梢杂霉墓に?，例如MOCVD工藝或MBE工藝生長這些層。
隨后，除去p型氮化物半導(dǎo)體層14和有源層13的預(yù)定部分以露出p型氮化物半導(dǎo)體層14的預(yù)定部分?？梢愿鶕?jù)要形成電極的位置不同地制備通過除去步驟形成的結(jié)構(gòu)的形狀?？梢蕴峁└鞣N形狀和尺寸的電極。例如，可以除去接觸其中一個(gè)邊緣的一部分并且電極的形狀可以形成得具有沿散開電流密度的一面延伸的結(jié)構(gòu)的方式執(zhí)行該步驟。
然后，透明電極層15依次形成在p型氮化物半導(dǎo)體層14上。如上所述，通常以Ni/Au的雙層形式制備透明電極層15，并且可以使用公知的電子束蒸鍍工藝淀積。
最后，為Ta/Au的雙層形式的p側(cè)鍵合焊盤17和為Ta/Au的雙層形式的n側(cè)電極16分別同時(shí)形成在透明電極層15和n型氮化物半導(dǎo)體層12的露出部分上。由于p側(cè)鍵合焊盤17和n側(cè)電極16由相同的材料組成，因此提供了可以用一個(gè)工藝同時(shí)形成的特性。由此，與分別形成n側(cè)電極和p側(cè)鍵合焊盤的常規(guī)工藝相比，本發(fā)明的工藝可以更簡(jiǎn)化。用公知的電子束蒸鍍工藝依次淀積Ta和Au，可以形成p側(cè)鍵合焊盤17和n側(cè)電極16。優(yōu)選，由n側(cè)電極16和p側(cè)鍵合焊盤17組成的Ta層具有50?！?,000的厚度，在Ta層上Au層具有2,000?！?,000的厚度。
根據(jù)本發(fā)明的n側(cè)電極16和p側(cè)鍵合焊盤17提供了良好的歐姆特性，同時(shí)不需要熱處理。此外，甚至在400℃～600℃的熱處理之后，它們同樣提供了良好的歐姆特性。由此，根據(jù)本發(fā)明的方法，是否在400℃～600℃的溫度下熱處理n側(cè)電極16和p側(cè)鍵合焊盤17并不重要。
圖2a到2d為常規(guī)的n側(cè)電極的外觀與根據(jù)本發(fā)明的n側(cè)電極的外觀相比較的照片。如圖2a所示，由于對(duì)Al的損傷，常規(guī)的n側(cè)電極具有外觀缺陷。而且，如圖2b所示，由于常規(guī)的n側(cè)電極上的點(diǎn)，因此存在點(diǎn)缺陷(inferiority)。相反，如圖2c和2d所示，本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的n側(cè)電極不具有損壞的外觀。根據(jù)本發(fā)明，如圖2所示，可以克服由于n側(cè)電極上的損傷造成的外觀缺陷的問題。
圖3a和3b示出了包括Ti/Al的常規(guī)n側(cè)電極的歐姆特性與根據(jù)本發(fā)明包括Ti/Au的n側(cè)電極的歐姆特性的曲線圖。如圖3a所示，包括Ti/Al的常規(guī)n側(cè)電極沒有提供室溫下的歐姆接觸。相反，當(dāng)在500℃～600℃下熱處理包括Ti/Al的常規(guī)n側(cè)電極時(shí)，它在室溫下產(chǎn)生了歐姆接觸。由此，當(dāng)在500℃或更高的溫度下進(jìn)行熱處理時(shí)，常規(guī)的Ti/Al電極提供了歐姆接觸。
相反，如圖3b所示，本發(fā)明的包括Ti/Au的n側(cè)電極甚至在室溫下顯示了良好的歐姆特性。此外，由于本發(fā)明的n側(cè)電極在400℃～600℃，而不是700℃下顯示了良好的歐姆接觸，因此在400℃～600℃下熱處理本發(fā)明的Ti/Au電極并不重要。
圖4示出了檢查具有包括Ti/Al的常規(guī)n側(cè)電極的常規(guī)的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的可靠性的試驗(yàn)結(jié)果與本發(fā)明的包括Ti/Au的n側(cè)電極的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的可靠性的試驗(yàn)結(jié)果的曲線圖。如圖4所示，具有包括Ti/Al的常規(guī)n側(cè)電極的常規(guī)的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件顯示出使用300小時(shí)之后，亮度下降約25％，而本發(fā)明的包括Ti/Au的n側(cè)電極的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件顯示出使用300小時(shí)之后，亮度下降約20％。由此，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件的可靠性顯著提高。
如上所述，通過分別提供包括Ti/Au的雙層的p側(cè)電極和n側(cè)電極，本發(fā)明可以簡(jiǎn)化制造工藝并減少了外觀中的缺陷，并且通過不使用構(gòu)成常規(guī)電極的Al改善了引線鍵合特性。此外，與常規(guī)的發(fā)光器件相比，本發(fā)明提供了優(yōu)良的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件。
從以上說明中很顯然，根據(jù)本發(fā)明，由于作為發(fā)光器件中的B金屬和N金屬可以同時(shí)形成并且通過以Ta/Au的雙層形式提供了歐姆接觸同時(shí)不需要附加的熱處理，因此可以簡(jiǎn)化的制造工藝獲得降低成本的有利效果。而且提供了外觀改善并且通過不使用Al作為它的材料引線鍵合特性優(yōu)異地形成氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的有利效果。
雖然為了說明的目的公開了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但是本領(lǐng)域中的技術(shù)人員應(yīng)該理解可以有多種修改、添加和替換同時(shí)不脫離附帶的權(quán)利要求書中公開的本發(fā)明的范圍和精神。
權(quán)利要求
1.一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括用于生長氮化鎵基半導(dǎo)體材料的襯底；形成在襯底上的n型氮化物半導(dǎo)體層；形成在n型氮化物半導(dǎo)體層上的有源層，以使n型氮化物半導(dǎo)體層的預(yù)定部分露出；形成在有源層上的p型氮化物半導(dǎo)體層；形成在p型氮化物半導(dǎo)體層上的透明電極層，由此提供了與p型氮化物半導(dǎo)體層的歐姆接觸；透明電極層上為Ta/Au的雙層形式的p側(cè)鍵合焊盤；以及n型氮化物半導(dǎo)體層的露出部分上為Ta/Au的雙層形式的n側(cè)電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中p側(cè)鍵合焊盤包括厚度為50?！?,000的Ta層以及形成在Ta層上厚度為2,000?！?,000的Au層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中n側(cè)鍵合焊盤包括厚度為50?！?,000的Ta層以及形成在Ta層上厚度為2,000～7,000的Au層。
4.一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，方法包括以下步驟a)準(zhǔn)備用于生長氮化物半導(dǎo)體材料的襯底；b)依次在襯底上生長n型氮化物半導(dǎo)體層、有源層以及p型氮化物半導(dǎo)體層；c)除去p型氮化物半導(dǎo)體層和有源層的預(yù)定部分，以露出n型氮化物半導(dǎo)體層的預(yù)定部分；d)在p型氮化物半導(dǎo)體層上形成透明的電極層；e)在透明的電極層上形成Ta/Au的雙層形式的p側(cè)鍵合焊盤；以及f)在n型氮化物半導(dǎo)體層的露出部分上形成Ta/Au的雙層形式的n側(cè)電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4中的方法，其中同時(shí)進(jìn)行步驟e)和f)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4中的方法，其中步驟e)包括用電子束蒸鍍工藝在p型氮化物半導(dǎo)體上依次淀積Ta和Au。
7.根據(jù)權(quán)利要求4中的方法，其中步驟f)包括用電子束蒸鍍工藝在n型氮化物半導(dǎo)體上依次淀積Ta和Au。
8.根據(jù)權(quán)利要求4中的方法，其中步驟e)包括以下步驟在p側(cè)氮化物半導(dǎo)體層上形成厚度為50?！?,000的Ta層；以及在Ta層上形成厚度為2,000～7,000的Au層。
9.根據(jù)權(quán)利要求4中的方法，其中步驟f)包括以下步驟在n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層上形成厚度為50?！?,000的Ta層；以及在Ta層上形成厚度為2,000?！?,000的Au層。
10.根據(jù)權(quán)利要求4中的方法，方法還包括以下步驟g)在400℃～600℃的溫度下熱處理p側(cè)鍵合焊盤和n側(cè)鍵合焊盤。
全文摘要
這里公開了一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法。氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件包括用于生長氮化鎵基半導(dǎo)體材料的襯底；形成在襯底上的n型氮化物半導(dǎo)體層；有源層，形成在n型氮化物半導(dǎo)體層上，以使n型氮化物半導(dǎo)體層的預(yù)定部分露出；形成在有源層上的p型氮化物半導(dǎo)體層；形成在p型氮化物半導(dǎo)體層上的透明電極層，由此提供了與p型氮化物半導(dǎo)體層的歐姆接觸；透明電極層上為Ta/Au的雙層形式的p側(cè)鍵合焊盤；以及n型氮化物半導(dǎo)體層的露出部分上為Ta/Au的雙層形式的n側(cè)電極。
文檔編號(hào)H01L21/3205GK1645633SQ200410045889
公開日2005年7月27日 申請(qǐng)日期2004年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月19日
發(fā)明者魯載哲, 曹相德, 蔡昇完 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社